Tipos de transistor

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado tambin "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar]

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como el
arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est
mucho ms contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas

contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin
(difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de efecto de campo[editar]

-Smbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal
semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor[editar]
Artculo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminacin).
Transistores y electrnica de potencia[editar]
Con el desarrollo tecnolgico y evolucin de la electrnica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensin y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as como actualmente
los transistores son empleados en conversores estticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal
uso est basado en la amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

Aplicaciones de un transistor

Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

Amplificador
Commons-emblem-question book orange.svg
Este artculo o seccin necesita referencias que aparezcan en una publicacin
acreditada. Este aviso fue puesto el 23 de febrero de 2015.
Puedes aadirlas o avisar al autor principal del artculo en su pgina de discusin
pegando: {{sust:Aviso referencias|Amplificador}} ~~~~

Amplificador para guitarras elctricas.

Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilizacin de energa,
magnifica la amplitud de un fenmeno. Aunque el trmino se aplica principalmente al
mbito de los amplificadores electrnicos, tambin existen otros tipos de
amplificadores, como los mecnicos, neumticos, e hidrulicos, como los gatos
mecnicos y los boosters usados en los frenos de potencia de los automviles.
Amplificar es agrandar la intensidad de algo, por lo general, sonido. Tambin
podra ser luz o magnetismo, etc. En trminos particulares, un amplificador es un
aparato al que se le conecta un dispositivo de sonido y aumenta la magnitud del
volumen. En msica, se usan de manera obligada en las guitarras elctricas y en los
bajos, pues esas no tienen caja de resonancia, la seal se obtiene porque las
cuerdas, metlicas y ferrosas, vibran sobre una cpsula electromagntica, y esa
seal no es audible, pero transformada por un amplificador adquiere su sonido
caracterstico. Mediante su interfaz se le puede agregar distintos efectos, como
trmolo, distorsiones o reverb entre otros. Las radios y los televisores tienen un
amplificador incorporado, que se maneja con la perilla o telecomando del volumen y
permite que vare la intensidad sonora.

Oscilador
Para otros usos de este trmino, vase Oscilador (autmata celular).
Commons-emblem-question book yellow.svg
Este artculo tiene referencias, pero necesita ms para complementar su
verificabilidad.
Puedes colaborar agregando referencias a fuentes fiables como se indica aqu. El
material sin fuentes fiables podra ser cuestionado y eliminado.
Este aviso fue puesto el 31 de octubre de 2015.
Un oscilador es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios peridicos o
cuasiperidicos en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campo
electromagntico (ondas de radio, microondas, infrarrojo, luz visible, rayos X,
rayos gamma, rayos csmicos).

En electrnica un oscilador es un dispositivo capaz de convertir la energa de

corriente continua en corriente alterna de una determinada frecuencia.1 Dicho de
otra forma, es un circuito que es capaz de convertir la corriente continua en una
corriente que vara de forma peridica en el tiempo (corriente peridica); estas
oscilaciones pueden ser sinusoidales2 , cuadradas, triangulares, etc., dependiendo
de la forma que tenga la onda producida. Un oscilador de onda cuadrada suele
denominarse multivibrador y por lo tanto, se les llama osciladores slo a los que
funcionan en base al principio de oscilacin natural que constituyen una bobina L
(inductancia) y un condensador C (Capacitancia), mientras que a los dems se le
asignan nombres especiales.

Un oscilador electrnico es fundamentalmente un amplificador, cuya seal de entrada

se toma de su propia salida a travs de un circuito de realimentacin. Se puede
considerar que est compuesto por:

Un circuito cuyo desfase depende de la frecuencia. Por ejemplo:

Oscilante elctrico (LC) o electromecnico (cuarzo).
Retardador de fase RC o puente de Wien.
Un elemento amplificador.
Un circuito de realimentacin.
ndice [ocultar]
1 Oscilacin elctrica
2 Vase tambin
3 Enlaces externos
4 Referencias
Oscilacin elctrica[editar]

Oscilador LC.

Curvas del oscilador LC.

A pesar de no ser un oscilador electrnico tal y como se ha definido antes, la
primera oscilacin a tener en cuenta es la producida por un alternador, el cual, al
estar compuesto por una espira que gira alrededor de su eje longitudinal en el
interior de un campo magntico, produce una corriente elctrica inducida en los
terminales de la espiral. Esta corriente elctrica, si el campo magntico es
homogneo, tiene forma senoidal. As, si la espira gira a 3000 rpm, la frecuencia
de la corriente alterna inducida es de 50 Hz.

El circuito integrado oscilador ms usado por principiantes, es el 555, tambin el

4069 y otros.

En un oscilador electrnico lo que se pretende es obtener un sistema de oscilacin

que sea estable y peridico, manteniendo una frecuencia y una forma de onda
constante. Para ello se aprovecha el proceso natural de oscilacin amortiguada que
poseen los circuitos compuestos por elementos capacitivos o inductivos. Estos
elementos tienen la capacidad de almacenar carga elctrica en su interior (cargarse
elctricamente) y descargarse cuando la carga que los alimentaba ha desaparecido.

El ejemplo ms simple de oscilador es el compuesto por una bobina, un condensador,

una batera y un conmutador. Inicialmente el conmutador se halla en su posicin
izquierda, de forma que el condensador C se carga con la corriente que proporciona
la batera V. Transcurrido cierto tiempo el conmutador se pasa a la posicin
derecha. Como la bobina no posee ninguna carga y el condensador est totalmente
cargado, este ltimo se descarga completamente hacia la bobina, una vez que el
condensador se ha descargado completamente es ahora la bobina la que se descarga
sobre el condensador, no parndose hasta que la carga en la bobina es cero y el
condensador por lo tanto vuelve a estar cargado. Este proceso se repite hasta que
la energa almacenada por uno y otro se consume en forma de calor.

Este proceso puede representarse grficamente empleando un eje cartesiano X-Y en el

que el eje X representa el tiempo y el eje Y el valor de la corriente elctrica que
circula por la bobina y las tensiones en los bornes del condensador. Si se lo
dibuja se puede apreciar como se produce un continuo intercambio de energa entre
el condensador y la bobina. La substraccin de energa producida por la resistencia
de la bobina y el condensador (lo que provoca el calentamiento de los componentes)
es lo que hace que este proceso no sea infinito.

En la grfica se puede apreciar cmo el defase de tensiones existente entre bornes

de la bobina es siempre de sentido opuesto a la existente en el condensador. Este
defase es de 180 entre tensiones, existiendo un defase de 90 entre la corriente
que circula por la bobina y la tensin existente.

Esta seal se va amortiguando con el tiempo, hasta que acaba extinguindose

transcurrido un perodo bastante corto. Un circuito electrnico que sea capaz de
volver a cargar elctricamente uno de los componentes permitir hacer un proceso de
oscilacin constante.

Conmutador (dispositivo)

Smbolo elctrico. El terminal comn puede cambiar entre los terminales L1 y L2.
En una instalacin elctrica, un conmutador es un dispositivo elctrico o
electrnico que permite modificar el camino que deben seguir los electrones. Son
tpicos los manuales, como los utilizados en las viviendas y en dispositivos
elctricos, y los que poseen algunos componentes elctricos o electrnicos como el
rel. Se asemejan a los interruptores en su forma exterior, pero los conmutadores a
la vez que desconectan un circuito, conectan otro. Seguidamente se describen los
tipos de conmutadores ms usuales.

Conmutador pasivo[editar]
Tambin denominado conmutador de hotel o de dos direcciones sin punto neutro. Se
utilizan siempre que haya que activar o desactivar un dispositivo desde dos lugares
diferentes, como por ejemplo una lmpara. En las viviendas es tpico encontrarlos
en los salones o pasillos.

Rectificador

Diodo Rectificador 2N1849

En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la
corriente alterna en corriente continua.1 Esto se realiza utilizando diodos
rectificadores, ya sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o
vlvulas gaseosas como las de vapor de mercurio (actualmente en desuso).

Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que

emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase de
la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases.

Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se

utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos
semiciclos son aprovechados.

El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda,

constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.

ndice [ocultar]
1 Rectificacin monofsica no controlada
1.1 Circuitos rectificadores de media onda
1.2 Circuitos rectificadores de onda completa
1.2.1 Rectificador de onda completa mediante dos diodos con transformador de punto
medio
1.2.2 Rectificador de onda completa tipo puente doble de Graetz
1.2.3 Filtrado
2 Rectificacin monofsica controlada
3 Rectificador Sncrono (o sincrnico)
4 Notas
Rectificacin monofsica no controlada[editar]
La rectificacin no controlada requiere un estudio previo de las necesidades, ya
que el circuito rectificador tan solo funcionar de la forma correcta si todas las
condiciones de contorno con las que se ha realizado el clculo se cumplen. Es
decir, tanto la tensin de entrada como la carga RL han de ser las especificadas.

Circuitos rectificadores de media onda[editar]

Es construido con un diodo ya que este puede mantener el flujo de corriente en una
sola direccin, se puede utilizar para cambiar una seal de CA a una de CC. En la
figura I. se muestra un circuito rectificador de media onda. Cuando la tensin de
entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se puede sustituir por un
corto circuito. Si la tensin de entrada es negativa el diodo se polariza en
inverso y se puede remplazar por un circuito abierto. Por tanto cuando el diodo se
polariza en directo, la tensin de salida a travs de la carga se puede hallar por
medio de la relacin de un divisor de tensin. Sabemos adems que el diodo requiere
0.7 voltios para polarizarse, as que la tensin de salida est reducida en esta
cantidad (este voltaje depende del material de la juntura del diodo). Cuando la
polarizacin es inversa, la corriente es cero, de manera que la tensin de salida
tambin es cero. Este rectificador no es muy eficiente debido a que durante la
mitad de cada ciclo la entrada se bloquea completamente desde la salida, perdiendo
as la mitad de la tensin de alimentacin. El voltaje de salida en este tipo de
rectificador es aproximadamente 0.45 voltaje mximo de la seal de entrada. La
forma de onda que observamos a la salida se muestra en la figura II.

Circuitos rectificadores de onda completa[editar]

Un rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de
entrada en una polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la
inversin de las porciones (semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda
de entrada. Las porciones positivas (o negativas) se combinan con las inversas de
las negativas (positivas) para producir una forma de onda parcialmente positiva
(negativa).

Rectificador de onda completa mediante dos diodos con transformador de punto

medio[editar]

Figura 2.- Circuito rectificador de K onda completa

El circuito, representado en la Figura 2, funciona como sigue:

El transformador convierte la tensin alterna de entrada en otra tensin alterna

del valor deseado, esta tensin es rectificada durante el primer semiciclo por el
diodo D1 y durante el segundo semiciclo por el diodo D2, de forma que a la carga R
le llega una tensin continua pulsante muy impura ya que no est filtrada ni
estabilizada.

En este circuito tomamos el valor de potencial 0 en la toma intermedia del

transformador.
Rectificador de onda completa tipo puente doble de Graetz[editar]
Se trata de un rectificador de onda completa en el que, a diferencia del anterior,
slo es necesario utilizar transformador si la tensin de salida debe tener un
valor distinto de la tensin de entrada.

En la Figura 3 est representado el circuito de un rectificador de este tipo.

Figura 3.- Rectificador de onda completa con puente de Gratz

A fin de facilitar la explicacin del funcionamiento de este circuito vamos a
denominar D-1 al diodo situado ms arriba y D-2, D-3 y D-4 a los siguientes en
orden descendente.

Durante el semiciclo en que el punto superior del secundario del transformador es

positivo con respecto al inferior de dicho secundario, la corriente circula a
travs del camino siguiente:
Punto superior del secundario --> Diodo D-1 --> (+)Resistencia de carga R(-) -->
Diodo D-4 --> punto inferior del secundario.

En el semiciclo siguiente, cuando el punto superior del secundario es negativo y el

inferior positivo lo har por:
Punto inferior del secundario --> Diodo D-2 --> (+)Resistencia de carga R (-) -->
Diodo D-3 --> punto superior del secundario.

En este caso, vemos como circula corriente por la carga, en el mismo sentido, en
los dos semiciclos, con lo que se aprovechan ambos y se obtiene una corriente
rectificada ms uniforme que en el caso del rectificador de media onda, donde
durante un semiciclo se interrumpe la circulacin de corriente por la carga.

En ambos tipos de rectificadores de onda completa, la forma de onda de la corriente

rectificada de salida, ser la de una corriente continua pulsatoria, pero con una
frecuencia de pulso doble de la corriente alterna de alimentacin.

Filtrado[editar]
Como se puede apreciar en las Figuras 2 y 3 la corriente obtenida en la salida de
los rectificadores no es propiamente continua y dista mucho de ser aceptablemente
constante, lo que la inutilizara para la mayora de las aplicaciones electrnicas.

Para evitar este inconveniente se procede a un filtrado para eliminar el rizado de

la seal pulsante rectificada. Esto se realiza mediante filtros RC (resistencia-
capacitancia) o LC (inductancia-capacitancia), obtenindose finalmente a la salida
una corriente continua con un rizado que depende del filtro y la carga, de modo que
sin carga alguna, no existe rizado. Debe notarse que este filtro no es lineal, por
la existencia de los diodos que cargan rpidamente los condensadores, los cuales a
su vez, se descargan lentamente a travs de la carga.

La tensin de rizado (Vr) ser mucho menor que V si la constante de tiempo del
condensador RC es mucho mayor que el perodo de la seal. Entonces consideraremos
la pendiente de descarga lineal y, por tanto, Vr = VpicoT / (RC) Siendo RC la
cte de tiempo del condensador, T el perodo de la seal y Vpico la tensin de pico
de la seal.

Rectificacin monofsica controlada[editar]

Es un tipo de regulacin mucho ms complicada de implementar, pero proporciona un
control total de la carga. El esquema de este tipo de rectificadores seria como el
de los anteriormente expuestos, aadiendo entre la carga y la salida rectificada,
de forma conceptual, un interruptor. Este 'interruptor' denominados tiristores
(SCR) permitira o cortar el paso de la seal dentro de un ngulo correspondiente
entre 0 y 180 grados de la onda Senoidal, permitiendo un control de potencia dentro
de esos ngulos de disparo.

Cabe aadir que la complejidad reside en el diseo del sistema de control, donde el
'interruptor' conceptual ha de ser sustituido por un circuito tan complicado como
requiera el dispositivo.

Rectificador Sncrono (o sincrnico)[editar]

Hay aplicaciones en las que la cada de tensin directa en los diodos (VF) causa
que tengan una baja eficiencia, como el caso de algunos convertidores DC-DC. Un
rectificador sncrono sustituye los diodos por transistores MOSFET, gobernados por
un circuito de control que los corta cuando la tensin entra en su ciclo negativo.
Esta tcnica tiene tres ventajas frente a los diodos:

No existe VF en un MOSFET. ste se comporta como una resistencia (RON) de modo que
conduce con cualquier valor de tensin (V>0), mientras que un diodo necesita V>VF,
lo que es de suma importancia en circuitos alimentados a muy baja tensin.

Cristales Tipo N y P

Dopaje (semiconductores)
Para otros usos de este trmino, vase Dopaje (desambiguacin).

Esquema del campo elctrico creado en una clula fotovoltaica mediante la unin pn
entre dos capas de semiconductores dopados.
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de
agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro
(tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades
elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar.

A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como

extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que
como un semiconductor, es llamado degenerado.

El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las

capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un
pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000 000 de tomos)
entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms
tomos (en el orden de 1 cada 10 000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto
o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de
tipo N, o P+ para material de tipo P.

ndice [ocultar]
1 Historia
2 Elementos dopantes
2.1 Semiconductores de Grupo IV
3 Tipos de materiales dopantes
3.1 Tipo N
3.2 Tipo P
4 Dopaje en conductores orgnicos
5 Vase tambin
6 Referencias
Historia[editar]
El dopaje fue desarrollado originalmente por John Robert Woodyard mientras
trabajaba para la Sperry Gyroscope Company durante la Segunda Guerra Mundial.1 La
demanda de su trabajo sobre el radar durante la guerra no le permiti desarrollar
ms profundamente la investigacin sobre el dopaje, pero durante la posguerra se
gener una gran demanda iniciada por la compaa Sperry Rand, al conocerse su
importante aplicacin en la fabricacin de transistores.2
Elementos dopantes[editar]
Semiconductores de Grupo IV[editar]
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio,
los dopantes ms comunes son elementos del Grupo III o del Grupo V. Boro, Arsnico,
Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

Tipos de materiales dopantes[editar]

Tipo N[editar]
Se llama material tipo N (o negativo) al que posee tomos de impurezas que permiten
la aparicin de electrones (de ah su denominacin de negativo o N) sin huecos
asociados a los mismos semiconductores. Los tomos de este tipo se llaman donantes
ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco (Grupo V de la
tabla peridica), como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha
desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al
semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los
tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para
separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el
cristal de silicio (o del semiconductor original).

Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los
portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores
mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas
introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el

caso del Fsforo, se dona un electrn.

N-doped Si.svg
Dopaje de tipo N

Tipo P[editar]
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de
huecos (de ah que se denominen P o positivos) sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este
tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de
valencia tres (grupo III de la tabla peridica), como el Aluminio, el Indio o el
Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la
neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en
su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar
electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones,
por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los
minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores
mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas
introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (dopaje P). En el caso

del boro le falta un electrn (de acuerdo con la regla del octeto) y, por tanto, se
dona un hueco de electrn.

P-doped Si.svg
Dopaje de tipo P

Dopaje en conductores orgnicos[editar]

Artculo principal: Polmero conductor
Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que
oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas
conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor.
Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un
proceso de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un
polmero, como la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante
(tpicamente yodo o bromo) o a un agente reductor (tpicamente se utilizan metales
alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn). El segundo mtodo es el
dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo, revestido con un
polmero, es suspendido en una solucin electroltica, en la cual el polmero es
insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una diferencia de
potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su
correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de
electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn
la polarizacin utilizada.

La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de
la tierra, la cual es rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero tipo
N rico en electrones reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y se
desdopara (o reoxidara) nuevamente el polmero, volviendo a su estado natural.

Unin PN
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos
comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Est
formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si),
aunque tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su
composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales
de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o
compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar fotovoltaica.

ndice [ocultar]
1 Silicio puro o intrnseco
2 Silicio extrnseco tipo P
3 Silicio extrnseco tipo N
4 Barrera interna de potencial
5 Polarizacin directa de la unin PN
6 Polarizacin inversa de la unin PN
7 Vase tambin
8 Enlaces externos
Silicio puro o intrnseco[editar]

Malla cristalina de silicio puro.

Los cristales de Silicio estn formados a nivel atmico por una malla cristalina
basada en enlaces covalentes que se producen gracias a los 4 electrones de valencia
del tomo de Silicio. Junto con esto existe otro concepto que cabe mencionar: el de
hueco. Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrn cuando
deja la capa de valencia y se convierte en un electrn libre. Esto es lo que se
conoce como pares electrn - hueco y su generacin se debe a la temperatura (como
una aplicacin, al caso, de las leyes de la termodinmica) o a la luz (efecto
fotoelctrico). En un semiconductor puro (intrnseco) se cumple que, a temperatura
constante, el nmero de huecos es igual al de electrones libres.

Silicio extrnseco tipo P[editar]

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos con
menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente
trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al
semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este
caso positivos, huecos).

Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente

vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido
como impurezas aceptoras.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del

silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que,
por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus
cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con
un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y
en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta
como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones.
As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son
los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo
IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo
P que se produce de manera natural.

Silicio extrnseco tipo N[editar]

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en
la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).

Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente

vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al
semiconductor.

El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en

el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo N considrese el
caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de
cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de
silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los
del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio
(Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este
electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de
electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos donantes. Ntese que cada electrn
libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Barrera interna de potencial[editar]

Formacin de la zona de la barrera interna de potencial.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al
p (Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de
la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de
potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin,
de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin.
Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en
la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de
la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la
corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que
el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Polarizacin directa de la unin PN[editar]

Polarizacin directa del diodo p-n.

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin;
es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de una batera a la parte P de la

unin P - N y el negativo a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p,
los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de
carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en
electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la
batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente
elctrica constante hasta que la batera se consume.

Polarizacin inversa de la unin PN[editar]

Polarizacin inversa del diodo PN.

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como
se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan
la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos
de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (4 electrones en
la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de
la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo
que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere
el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido
al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la
unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente
inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial
de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por
la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn
rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del
diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con
lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al
igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es
usualmente despreciable. Sin embargo, existen ciertas aplicaciones especiales de
bajo consumo donde es necesario saber cuanto valen dichas corrientes.

Ficha tcnica

Una ficha tcnica, hoja tcnica u hoja de datos (datasheet en ingls), tambin
ficha de caractersticas u hoja de caractersticas, es un documento que resume el
funcionamiento y otras caractersticas de un componente (por ejemplo, un componente
electrnico) o subsistema (por ejemplo, una fuente de alimentacin) con el
suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseo y disear el
componente en un sistema.

Comienza tpicamente con una pgina introductoria que describe el resto del
documento, seguido por los listados de componentes especficos, con la informacin
adicional sobre la conectividad de los dispositivos. En caso de que haya cdigo
fuente relevante a incluir, se une cerca del extremo del documento o se separa
generalmente en otro archivo.

Las fichas tcnicas no se limitan solo a componentes electrnicos, si no que

tambin se dan en otros sectores, como por ejemplo compuestos qumicos o alimentos.

Informacin tpica[editar]
Datos del fabricante
Nmero y denominacin
Lista de formatos con imgenes y cdigos
Propiedades
Breve descripcin funcional
Esquema de conexiones. Habitualmente es un anexo con indicaciones detalladas.
Tensin de alimentacin, consumo.
Condiciones de operacin recomendadas
Tabla de especificaciones, tanto en corriente continua como alterna
Esquemas
Medidas
Circuito de prueba
Informacin sobre normas de seguridad y uso.

Valvulas vs transistores

Que es mejor un amplificador a valvulas o a transistores?

Yo lo prefiero a valvulas, aunque puede ser que no quieras complicarte la vida y

te decidas por un amplificador a transistores con la ultima tecnologia de
modulacion.

Te explicamos por que....

VALVULAS:

(Tubos, Tubos de Vacio, Triodo, Pentodo, etc)

Las valvulas funcionan por emision termoionica de electrones

desde un filamento o catodo, controlado por una rejilla

y recogiendose en una placa. Algunas valvulas tiene mas de

una rejilla, Algunas tienen dos elementos amplificadores

separados en una envoltura de vidrio. Estas dobles valvulas

suelen funcionar peor.

guitarra

Las caracteristicas de las valvulas varian ampliamente dependiendo

del modelo seleccionado. En general, las valvulas son mayores,

mas fragiles, bonitas, funcionan calientes, y necesitan varios

segundos antes de funcionar. Las valvulas tienen una ganancia

relativamente baja, alta impedancia de entrada, baja capacidad

de entrada, y la capacidad de aguantar abusos momentaneos.

Las valvulas se saturan (clip) suavemente y se recuperan

de la sobracarga rapida y suavemente.

Los circuitos que no usan valvulas se llaman a transistores

(o de estado solido), porque no usan dispositivos que contienen

gas (o liquido).

electricidad

Las caracteristicas de las valvulas tienden a cambiar con el uso

(edad). Son mas susceptibles a las vibraciones (llamadas

"microfonicas"electrica que los dispositivos de transistores. Las

valvulas incluso sufren de ruido cuando se usan con filamentos

en corriente alterna.

amplificador

Las valvulas son capaces de trabajar a mayores voltajes que

cualquier otro dispositivo, pero las valvulas de alta corriente

son raras y caras. Esto quiere decir que la mayoria de los

amplificadores a valvulas usan un transformador de salida. A

pesar de no ser caracteristica especifica de las valvulas, los

transformadores de salida aaden distorsion del segundo armonico

y presentan una caida gradual en la respuesta a altas frecuencias

que es dificil de duplicar con circuitos a transistores.

TRANSISTORES:

valvula

(BJT, Bipolares, PNP, NPN, Darlington, etc)

Los transistores operan con portadores minoritarios inyectados

desde el emisor a la base que hace que fluyan a traves de la

base hacia el colector, controlando la corriente de la base.

Los transistores estan disponibles como dispositivos PNP y NPN,

permitiendo que uno tire de la seal de salida. Los transistores

estan tambien disponibles en pares emparejados y empaquetados,

pares seguidores de emisor, arrays de transistores multiples

e incluso en complejos "circuitos integrados", donde estan

combinados con resistencias y condensadores para conseguir

funciones de circuitos complejos.

vs.

Como las valvulas, hay muchas clases de BTJs disponibles.

Algunos tienen una alta ganancia de corriente, mientras que

otros tienen menor ganancia. Algunos son rapidos, y otros lentos.

Algunos manejan altas corrientes mientras que otros tienen

capacidades de entrada bajas. Algunos tienen menos ruido

que otros. En general, los transistores son estables, duran casi

indefinidamente, tienen alta ganacia, requieren alguna corriente

de entrada, tienen baja resistencia de entrada, tienen

capacidad de mayores entradas, saturan rapidamente, y son

lentos de recuperarse de la sobrecarga (saturacion).

valvular

Los

transistores tienen un amplio margen antes de la saturacion.

Los transistores estan sujetos a un modo de fallo llamado

segunda avalancha, que sucede cuando el dispositivo esta

trabajando a alto voltaje y alta corriente. La segunda

avalancha puede evitarse con un diseo prudente, lo

cual le dio a los primeros amplificadores de transistores

una mala reputacion de fiabilidad. Los transistores son tambien

susceptibles de descontrolarse con la temperatura cuando se

usan incorrectamente. Sin embargo, los diseos prudentes

evitan el segunda avalancha y el embalamiento termico.

Transistores

MOSFET: (VMOS, TMOS, DMOS, NMOS, PMOS, IGFET, etc)

Los transistores de efecto de campo semiconductor metal-oxido usan

una puerta aislada para modular el flujo de la corriente portadora

principal de la fuente al drenaje con el campo electrico creado

por la puerta. Como los bipolares, los MOSFETs estan disponibles

en P y N. Tambien como los transistores, los MOSFEt estan disponibles

en pares y circuitos integrados. Los MOSFET emparejados no se

acoplan tan bien como los pares de transistores bipolares, pero

se emparejan mejor que las valvulas.

Los MOSFETs estan tambien disponibles en muchos tipos. Sin

embargo, todos tienen baja corriente de entrada y bastante baja

capacidad de entrada. Los MOSFET tienen menor ganancia, se saturan

moderadamente y se recuperan rapidamente de la saturacion. A

pesar de que los MOSFETs de potencia no tienen puerta en DC,

la capacidad de entrada finita quiere decir que los MOSFET de

potencia tienen una puerta finita de corriente AC. Los MOSFET

son estables y robustos. No son susceptibles de embalamiento termico

ni segunda avalancha. Sin embargo, los MOSFETs no pueden

soportar abusos tan bien como las valvulas.

transistor

JFET:

Transistores de efecto de union de campo operan exactamente

igual que los MOSFET, pero no tienen una puerta aislada.

Los JFETs comparten la mayoria de las caracteristicas de los

MOSFETs, incluyendo parejas disponibles, tipos P y N, y

circuitos integrados.

Los JFETs no estan disponibles normalmente como dispositivos

de potencia. Ellos hacen excelentes preamplificadores de bajo

ruido. La union de la puerta da a los JFETs mayor capacidad de

entrada que los MOSFETs e incluso les previene de ser usados

en modo de acumulacion o enriquecimiento. Los JFETs unicamente

se usan como circuitos de deplexion o empobrecimiento.

Los JFETs estan disponibles tambien como parejas

y se emparejan casi tan bien como los transistores bipolares.

Que es mejor un amplificador a valvulas vs. transistores?

IGBT: (o IGT)

Transistores bipolares de puerta aislada son una combinacion de un

MOSFET y un transistor bipolar. La parte MOSFET del dispositivo

sirve como dispositivo de entrada y el bipolar como la salida.

Los IGBTs estan solo disponibles hoy como dispositivos tipo N, pero

los dispositivos P son posibles en teoria. Los IGBTs son mas lentos

que otros dispositivos pero ofrecen un bajo costo, la alta capacidad

de corriente de los transistores bipolares con la baja corriente

de entrada y la baja capacidad de entrada de los MOSFETs.

Sufren de saturacion tanto o mas que los

transistores bipolares, e incluso sufren de segunda avalancha

Raramente se usan en audio High-end, pero a veces se usan para

amplificadores de extremadamente alta potencia.

electronica

Ahora la pregunta real: Puedes pensar que si estos diversos

dispositivos son tan diferentes entre ellos, alguno sera el

mejor. En la practica, cada uno tiene sus puntos fuertes

y debiles. Incluso porque cada tipo de dispositivo esta

disponible en tantas formas diferentes, la mayoria de los

tipos puede usarse en la mayoria de los sitios con exito.

Las valvulas son prohibitivamente caras para amplificadores

de muy alta potencia. La mayoria de los amplificadores a

valvulas dan menos de 50 watts por canal.

Los JFETs son a veces un dispositivo ideal de entrada porque

tienen bajo ruido, baja capacidad de entrada y buen acoplamiento.

Sin embargo, los transitores bipolares tiene incluso mejor

emparejamiento y mayor ganancia, asi que para fuentes de baja

impedancia, los dispositivos bipolares son incluso mejores.

Aun las valvulas y los MOSFETs tienen incluso menor capacidad

de entrada, lo mismo para muy alta resistencia de salida, podrian

ser mejores.

guitarra

Los transistores bipolares tiene la mas baja resistencia de

salida, asi pues son buenos dispositivos de salida. Sin embargo,

la segunda avalancha y una alevada carga almacenada pesa en su contra

cuando se les compara con los MOSFET. Un buen diseo BJT necesita

tener en ceunta las debilidades de los BJTs mientras que un

buen diseo MOSFET necesita controlar las desventajas de

los MOSFETs

Los transistores de salida bipolares requieren proteccion

de segunda avalancha y embalamiento termico y esta proteccion

requiere circuiteria adicional y esfuerzo de diseo. En

algunos amplificadores, la calidad de sonido se daa con

la proteccion.

Como ya se dijo, hay mas diferencias entre diseos individuales,

sean valvulas y transistores, que hay entre diseos generales

entre valvulas y transistores. Puedes hacer un buen amplificador

de ambos, y puedes hacer un amplificador cutre tambien.

A pesar de que los transistores y valvulas se saturan diferente,

la saturacion sera rara o inexistente en un buen amplificador,

asi que esta diferencia no debe tenerse en cuenta.

Alguna gente dice que las valvulas requieren una

realimentacion menor o nula mientras que los transistores

requieren bastante realimentacion. En la practica, todos

los amplificadores requieren alguna realimentacion, sea

total, local, o unicamente "degeneracion". La realimentacion

es esencial en los amplificadores porque hace al amplificador

estable con las variaciones de temperatura y fabricable a

pesar de las variaciones de los componentes.

electricidad

La realimentacion tiene una mala reputacion debido a que

un sistema de realimentacion mal diseado puede pasarse

o oscilar dramaticamente. Algunos diseos viejos usaban

excesiva realimentacion para compensar las no linealidades

de circuitos cutres. Los amplificadores con realimentaciones

bien diseadas son estables y tienen un muy pequeo sobreimpulso.

Cuando salieron los primeros amplificadores de transistores,

eran peores que los mejores amplificadores de valvulas de aquellos

dias. Los diseadores cometieron muchos errores con las nuevas

tecnologias conforme aprendian. Hoy en dia, los diseadores son

mucho mas expertos y sofisticados que en aquellos dias de 1960.

Debido a las bajas capacidades internas, los amplificadores

a valvulas tienen unas caracteristicas de entrada muy lineales.

Esto hace a los amplificadores a valvulas faciles de alimentar

y tolerantes a fuentes de altas impedancias de salida, tales

como otros circuitos a valvulas y controles de volumen de

alta-impedancia. Los amplificadores de transistores podrian tener

un alto acoplamiento entre la entrada y la salida y podrian tener

una impedancia de entrada menor. Sin embargo, algunas tecnicas

de circuitos reducen estos efectos. Incluso, algunos amplificadores

de transistores evitan totalmente estos problemas usando buenos

JFET como circuitos de entrada.

electrica

Hay muchas exageraciones, errores asi como muchas leyendas

sobre el tema. En efecto, un buen diseador FET puede hacer un

buen amplificador FET. Un buen diseador de valvulas puede

hacer un buen amplificador a valvulas, y un buen diseador de

transistores puede hacer un amplificador a transistores muy

bueno. Muchos diseadores mezclan componentes para usarlos

en aquello en que son mejoreS.

amplificador

Al igual que con todas las disciplinas de ingenieria, los

buenos diseos de amplificadores requieren un amplio conocimiento

de las caracteristicas de los componentes, los fallos de

diseo de amplificadores, las caracteristicas de la fuente

de seal, las caracteristicas de las cargas, y las caracteristicas

de la seal misma.

Otro tema aparte es que carecemos de un buen conjunto de medidas

para calificar la calidad de un amplificador. La respuesta

en frecuencia, distorsion y relacion seal-ruido dan claves,

pero por ellas mismas son insuficientes para calificar el

sonido.

Mucha gente jura que las valvulas suenan mas "a valvulas" y los

transistores suenan mas "a transistores". Alguna gente aade un

circuito a valvulas a sus circuitos de transistores para darles

algo de sonido a "valvulas"

valvula

Alguna gente dice que han medido y distingen diferencias

entre las caracteristicas de distorsion de los amplificadores

de valvulas y los de transistores. Esto podria ser causado

por el transformador de salida, la funcion de transferencia

de las valvulas, o la eleccion de la topologia del amplificador.

Los amplificadores de valvulas raramente tienen respuesta en

frecuencia tan plana como los mas planos amplificadores de

transistores, debido al transformador de salida. Sin embargo,

la respuesta en frecuencia de buenos amplificadores a valvulas

es extremadamente buena.

Efecto trmico en Semiconductores

Las potencias manejadas por los dispositivos semiconductores, transistores, TRIAC,
MOSFET, Reguladores de tensin, etc., es en muchos casos de una magnitud
considerable.

Adems, el problema se agrava teniendo en cuenta que el tamao de tales

dispositivos es muy pequeo, lo que dificulta la evacuacin del calor producido.

Un cuerpo que conduce una corriente elctrica pierde parte de energa en forma de
calor por el famoso efecto Joule. En el caso de los semiconductores, se manifiesta
principalmente en la unin PN, y si la temperatura aumenta lo suficiente, se
produce la fusin trmica de la unin, inutilizando el dispositivo.

Los dispositivos de potencia reducida, disipan el calor a travs de su encapsulado

hacia el ambiente, manteniendo un flujo trmico suficiente para evacuar todo el
calor y evitar su destruccin. En los dispositivos de ms potencia, la superficie
del encapsulado no es suficiente para poder evacuar adecuadamente el calor
disipado. Se recurre para ello a los radiadores (heatsinks) o tambin llamados
disipadores, que proporcionan una superficie adicional para el flujo trmico.

Propagacin del calor

El calor se transmite mediante tres formas conocidas: radiacin, conveccin y
conduccin.

Por radiacin recibimos los rayos del Sol. La radiacin no necesita un medio
material para propagarse, puede hacerlo a travs del vaco. Todo cuerpo con una
temperatura superior a los cero grados absolutos (kelvin) produce una emisin
trmica por radiacin, pero en el caso que nos ocupa es de una magnitud
despreciable, y por tanto no se tiene en cuenta la emisin por radiacin.

La conveccin es un fenmeno que atae a fluidos, tales como el aire o el agua.

Favorece la propagacin del calor en estos cuerpos, que son de por s muy buenos
aislantes trmicos. Un cuerpo caliente sumergido en aire, hace que las capas
prximas al mismo se calienten, lo que a su vez ocasiona una disminucin de su
densidad, y por esto se desplazar esta masa de aire caliente hacia estratos ms
elevados dentro del recinto. Inmediantamente, el "hueco" que ha dejado este aire es
ocupado por aire ms fro, y as se repite el ciclo, generando corrientes
convectivas que facilitan el flujo trmico. Este mismo fenmeno se da en el agua, o
cualquier lquido o gas.

La transmisin por conduccin se manifiesta ms obviamente en cuerpos slidos.

Curiosamente los cuerpos que son buenos conductores elctricos, tambin lo son
trmicos, y se explica a nivel subatmico. El cobre, la plata, nquel, aluminio,
oro, etc., son excelentes conductores. Si aplicamos una llama a una barra de cobre,
enseguida notaremos el calor por el extremo que lo agarramos. Este calor se ha
propagado por conduccin.

En la disipacin de calor de los semiconductores, solamente consideramos los dos

ltimos tipos de propagacin: conveccin y conduccin.