UNIVERSIDAD TECNOLOGICA ISRAEL

ELECTRONICA DIGITAL Y TELECOMUNICACIONES

MOSFET DE POTENCIA
IGBT
PUT

INTEGRANTES:

ERIKA MONTERO
DAVID LEMA
RODRIGO AYALA
CARLOS REDROVAN

OCTAVO A
MOSFET DE POTENCIA

Un transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo controlado por corriente, que requiere
de corriente de base para controlar el flujo de corriente del colector.
Un Mosfet de potencia es un dispositivo controlado por tensin, que requiere slo de una
muy pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los
tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos. Sin embargo, los MOSFET tienen
problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados
especiales. Adems, es relativamente difcil protegerlos bajo condiciones de falla por
cortocircuito. Los Mosfet son de dos tipos:

I - Los Mosfet decrementales

II - Los Mosfet incrementales.

Un Mosfet tipo decremental de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal como
se muestra en la figura 1.
La compuerta est aislada del canal mediante una delgada capa de xido. Los tres terminales
se conocen como compuerta, drenaje, y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la
fuente. El voltaje de compuerta a fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si es negativo,
crear una regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal
efectivo ms angosto y en poseer alta resistencia de drenaje a fuente, RDS. Si VGS se hace
suficientemente negativo, el canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor de RGS.
Por lo cual el dispositivo esta en estado apagado (OFF).
Por otra parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IDS aumenta debido a la
reduccin en RDS. De esta manera el dispositivo se encuentra en estado encendido (ON). Con
un Mosfet tipo decremental de canal p, se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS, tal
como se ve en la figura 1.
Un MOSFET de canal n de tipo incremental no tiene canal fsico, como se ve en la figura 2a.
Si VGS es positivo, un voltaje inducido atrae a los electrones del substrato p y los acumula en
la superficie, bajo la capa de xido. Si VGS es mayor o igual a un valor llamado voltaje umbral
o voltaje de entrada, VT, se acumula una cantidad suficiente de electrones para formar un
canal n virtual, y la corriente circula del drenaje a la fuente. Se invierten las polaridades de
VDS, IDS y VGS en un MOSFET de tipo incremental de canal p, como se ve en la figura 2b.
 Un MOSFET tipo decremental permanece activo con voltaje cero de compuerta. Un MOSFET
tipo incremental permanece apagado con voltaje cero de compuerta.
En general los MOSFET de tipo incremental se usan como dispositivos de conmutacin en la
electrnica de potencia, llamndose genricamente Power MosFet. Cuando la compuerta
tiene un voltaje lo bastante positivo con respecto a la fuente, el efecto de su campo elctrico
atrae los electrones de la capa n + hacia la capa p. Con esto se forma un canal vecino a la
compuerta, el cual a su vez permite el flujo de la corriente del drenaje a la fuente. Tambin,
la capa de acoplamiento hace que sea un dispositivo asimtrico, con una capacidad bastante
baja de voltaje en sentido inverso.
Los MOSFET requieren poca energa de compuerta, y tienen una velocidad muy grande de
conmutacin, y bajas prdidas por conmutacin. La resistencia de entrada es muy alta, del
orden de 1010 ohm. Sin embargo, la desventaja de los MOSFET es su alta resistencia en
sentido directo cuando esta activo esto es la R DS(ON) , por consiguiente las prdidas en
estado activo, son altas. Esta comparacin es frente a un Transistor Bipolar de Juntura.
OPERACIN

Tensin umbral V GS(th) : La tensin umbral es la tensin compuerta - fuente requerida para
llevar a cabo la inversin superficial del canal difundido, representado en la figura 3 (r CH ),
dando como resultado una conduccin en el canal.

Cuanto mayor es la tensin, mayor es el canal o menor es la resistencia r CH y mayor ser el

flujo de corriente por el canal. El valor de tensin umbral es medido a un valor especfico de
corriente para mantener la relacin de la medida, comnmente este valor es de 1 mA.
Resistencia de encendido r DS(on): Esta resistencia es definida como la resistencia total
encontrada por la corriente de drenador, al fluir desde el terminal de drenaje hasta el
terminal fuente, este valor est principalmente asociado a cuatro valores de resistencias
mostrados en la figura 3 :

1. El canal de inversin r CH .
2. La regin de acumulamiento r ACC.
3. La regin de agotamiento de juntura del JFET r JFET .
4. La regin ligeramente dopada r D como indica la ecuacin :

Tensin de ruptura o de bloqueo inverso V (BR)DSS :

Esta es la mxima tensin inversa que soporta el dispositivo sin que sufra dao, y est
definida de la misma manera que la tensin de ruptura para los transist ores bipolares (VCE
(BR) ), la cual produce una ruptura por avalancha.

Capacitancias internas:
Son dos los tipos de capacitancias (intrnsecas) que aparecen en el TMOS de potencia, una
asociada con la estructura MOS y la otra asociada con la juntura P-N. - C gs capacidad
compuerta- fuente - C gd capacidad compuerta-drenador.

CARACTERSTICAS BSICAS DEL MOSFET DE POTENCIA

Caractersticas de salida
Quizs la manera ms directa de familiarizarse con la operacin bsica, es conociendo sus
caractersticas de salida. Como indica la figura 15 las curvas de salida del MOSFET de potencia
pueden ser divididas en dos regione s bsicas. Para evitar confusione s nos referiremos
solamente a la regin ON o hmica y a la regin activa. Las familias de curvas son
generadas para distintos valores de tensin de compuerta, de estas curvas podemos observar
dos grandes diferencias con las curvas de los transistor es bipolares, una es que la pendiente
en la regin hmica no es tan grande como en las del transistor bipolar, lo que nos indica
una mayor resistencia de encendido R DS(on) y la otra es que la pendiente en la zona activa
del MOSFET de potencia es muy pequea, logrando de esta forma una fuente de corriente
ms constante.

Resistencia de encendido R(on)

Cuando conmutamos el MOSFET del estado off al estado on, el valor de resistencia de
drenador-fuente cae al valor de encendido R(on), el cual es relativamente bajo. Para reducir
este valor, la tensin de compuerta para una corriente de drenador dada, debe ser lo
suficientemente grande como para mantenerse en la regin hmica. Normalmente este
valor ronda los 15 Volt.
En las hojas de especificaciones los fabricantes incluyen esta grfica.
A medida que la corriente aumenta por sobre los rangos de continua, la resistencia de on
tambin aumenta. Esta resistencia tambin depende de la temperatura de juntura T J ,
provocando un incremento de R(on) con un aumento de T J . En la figura 6 vemos la curva
de R(on) en funcin de T J .
Tensin umbral V GS(th)

Es la mnima tensin para cual el dispositivo, comienza a conducir un determinado flujo de

corriente I DS . Este valor de tensin es dependiente de la temperatura como se observa en
la figura 7, este variacin es lineal con la temperatura de juntura Tj. Con un coeficiente de
temperatura negativo, la tensin umbral cae el 10% cada 45 C de aumento de Tj.

Dependencia de la velocidad con la Temperatura:

Altas temperatura de juntura son una de las ms convenientes caractersticas del MOSFET de
potencia, ya que sus prdidas en conmutacin son mucho menores que en los transistores
bipolares. Adems las variaciones trmicas tienen menores efectos en la s velocidades de
conmutacin. La velocidad de conmutacin depende de cuan rpido pue de ser cargada y
descargada las capacidades parsitas de entradas. Como estas capacidades son
prcticamente invariables con la temperatura, es que la velocidad de conmutacin del TMOS
prcticamente no vara. Por eso en los MOSFET de potencia a medida que aumenta la
temperatura, la s prdidas dinmica son menores y se mantienen constante.

Causas de la prdida de potencia

Son cuatro las principales causas de disipacin de potencia en los Power Mosfet:

1. Prdidas de conduccin.

Estn dadas por la ecuacin:

Es importante notar que la Resistencia ON de los Mosfet cuando estos son operados en la
regin hmica dependen de la temperatura de j untura. La resistencia ON
aproximadamente duplica su valor entre los 25C y los 150C. Las caractersticas exactas
de esto s componentes se indican en su hoja de datos.

2. Perdidas de conmutacin.
Cuando un Mosfet es excitado o apagado llevan una gran corriente y so portar una gran
tensin al mismo tiempo, esto consecuentemente genera una gran potencia disipada
durante la conmutacin. Las prdidas de conmutacin son despreciables a bajas
frecuencias, pero son las dominantes a alta frecuencia. Por las razones ya explicadas en
las caractersticas de conmutacin los Mosfet conmutan al estado OFF ms lento que al
estado ON, de esta manera las prdidas de conmutacin al estado OFF son mayores que
las de la conmutacin al estado ON Las prdidas de conmutacin so n fuertemente
dependientes de la configuracin del circuito, mientras que el tiempo de apagado es
afectado por la impedancia de la carga. Las perdidas de apagado pueden ser reducidas
por el uso de una red snubber conectados sobre el Mosfet, la cual limitar el crecimiento
del vo ltaje. Inductores pueden ser conectados en serie con el Mosfet para limitar el rango
de crecimiento de la corriente al encendido y reducir la prdidas de encendido de esta
manera. Con cargas resonantes la conmutacin puede hacerse en el cruce de cero de la
tensin o de la corriente y de esta manera reducir las prdidas de conmutacin
abruptamente.
3. Prdidas en el diodo.
Estas prdidas solo ocurre n en circuitos en los cuales se use el diodo en antipar alelo
inherente a la estructura del Mosfet. Una buena aproximacin de la disi pacin en el
diodo es el producto del la te nsin del diodo, la cual es tpicamente menor a 1,5 Vo lt,
por la corriente promedio que circula por el diodo. Este diodo puede ser aprovechado
en distintos circuitos de control de motores, control de steppers, etc.

4. Prdidas de compuerta.
Las prdidas en la compuerta est n dadas por la siguiente ecuacin:

Donde R G es la resistencia de compuerta interna.

R DR es la resistencia externa del driver.
V GSD es la tensin Gate drive.
C IP es la capacidad que se ve desde la compuerta a fuente, esta capacidad varia en forma
amplia con la tensin V GD . De esta manera la expresin mas utilizada es:

Donde Q G es el pico de carga de Compuerta (gate).

APLICACIONES POWER MOSFET
Minimizar las prdidas de potencia en los interruptores electrnicos es un importante
objetivo a la hora de disear circuitos electrnicos de potencia. Las prdidas de potencia
en conduccin se producen a causa de que la tensin en bornes del interruptor
semiconductor no es cero cuando este se halla en estado ON. Las prdidas de
conmutacin ocurren porque un dispositivo no hace una transicin de un estado a otro
instantneamente transitando e esta manera por la regin activa del dispositivo. En
muchos equipos electrnicos de potencia, las prdidas por conmutacin son mayores que
las de conduccin.
Veremos a continuacin como disminuir las perdidas en conmutacin de los Mosfet de
potencia.

Circuitos de excitacin
El Mosfet es un dispositivo controlado por tensin. El estado de conduccin se consigue
cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensin de umbral, lo
que fuerza al Mosfet a entrar en la regin de trabajo hmica. Normalmente, la tensin
puerta-fuente del Mosfet para el estado activado en circuitos conmutados est entre 10
y 20 Volt. El estado desactivado se consigue con una tensin menor que la tensin
umbral. Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son
esencialmente cero. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parsita
para poner al Mosfet en conduccin, y descargarla para apagarlo. Las velocidades de
conmutacin vienen determinadas bsicamente por esto.
Un circuito de excitacin Mosfet debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rpidamente, para conseguir una conmutacin de alta velocidad. El circuito de excitacin
elemental de la Figura 8, la excitar al transistor, pero el tiempo de conmutacin puede
que sea inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Adems, si la seal de
entrada proviene de dispositivos lgicos digitales de baja tensin, puede que la salida
lgica no sea suficiente para poner al Mosfet en conduccin.

En la figura 8b, se muestra un circuito de excitacin mejor. El doble seguidor de emisor

o salida en Totem-Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados.
Cuando la tensin de excitacin de entrada est a nivel alto, Q 1 conduce y Q 2 , est
apagado, haciendo conducir al Mosfet. Cuando la seal de excitacin de entrada est a
nivel bajo, Q 1 est al corte y Q 2 conduce, eliminado la carga de la puerta y apagando
el Mosfet. La seal de entrada puede provenir de un circuito TTL de colector abierto
 usado como control, con el totem-pole utilizado como buffer para suministrar y absorber
las corrientes de puerta requeridas, como se indica en la Figura 8c .

Motor controlado por Mosfet con configuracin Puente H

Hacer girar los motores impulsores de mecanismos como robots, mquinas herramientas
(CNC) o cualquier otro sistema electromecnico que requiera de movimiento de piezas
puede pensarse como una de las fases sencillas del desarrollo. El conocido y famoso
puente H o H bridge.
Tambin conocido como puente completo, adopta la letra H para su nombre debido a
la forma que presenta dentro de un circuito esquemtico simplificado, como el que vemos
debajo. En la barra central se encuentra ubicado el motor y en cada rama lateral
ascendente o descendente se ubican los conmutadores que, activados de manera
apropiada, brindarn al sistema los movimientos necesarios para que el motor utilizado
pueda girar en un sentido u otro.

IGBT ( INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

El transistor bipolar de puerta aislada tambin llamado un IGBT, tiene caractersticas de

transistor bipolar (BJT) y transistor de efecto de campo, (MOSFET) hacindolo ideal como
dispositivo de conmutacin.
El transistor IGBT toma las mejores caractersticas de estos dos tipos de transistores, la alta
impedancia de entrada y altas velocidades de conmutacin de un MOSFET, son capaces de
manejar grandes corrientes de colector-emisor con un accionamiento de corriente de puerta
cero.

El IGBT utiliza la tecnologa de puerta aislada del del MOSFET con las caractersticas de
rendimiento de salida de un transistor bipolar (BJT), de ah la segunda parte de su nombre.

El IGBT es como un MOSFET integrado con un transistor bipolar en una forma de

configuracin de Darlington como se muestra.
Los terminales estn etiquetados como: Colector, Emisor y Puerta. Dos de sus terminales (C-
E) estn asociados con una trayectoria de conductancia y el tercer terminal (G) asociado con
su control.
La cantidad de amplificacin lograda por el transistor bipolar de puerta aislada es una relacin
entre su seal de salida y su seal de entrada. Para un transistor de unin bipolar
convencional (BJT), la cantidad de ganancia es aproximadamente igual a la relacin de la
corriente de salida a la corriente de entrada, llamada Beta.
Para un transistor de efecto de campo semiconductor de xido metlico o MOSFET, no hay
corriente de entrada ya que la puerta est aislada del canal que transporta corriente principal.
Por lo tanto, la ganancia de un FET es igual a la relacin entre el cambio de corriente de salida
y el cambio de voltaje de entrada, lo que lo convierte en un dispositivo de transconductancia
y esto tambin es cierto para el IGBT.
Un IGBT simplemente se pone en "ON" o "OFF" activando y desactivando su terminal Gate.
Una seal de entrada de voltaje positivo constante a travs de la puerta y el emisor,
mantendr el dispositivo en su estado "ON", mientras que la eliminacin de la seal de
entrada har que se apague (OFF) de la misma manera que un transistor bipolar o MOSFET.

CARACTERISTICAS DEL IGBT

Debido a que el IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, slo requiere un pequeo
voltaje en la puerta para mantener la conduccin a travs del dispositivo a diferencia de los
BJT que requieren que la corriente de base se suministra continuamente en una cantidad
suficiente para mantener la saturacin. Tambin el IGBT es un dispositivo unidireccional, lo
que significa que slo puede cambiar la corriente en la "direccin hacia adelante", que es de
colector a emisor.

OPERACIN

Operacin de Bloqueo

El estado enc/apag del dispositivo es controlado, como en un MOSFET, por el voltaje VG de la

compuerta. Si el voltaje aplicado al contacto de la compuerta, con respecto al emisor, es
menos que el voltaje Vth del umbral entonces ninguna capa de inversin del MOSFET se crea
y el dispositivo es apagado. Cuando ste es el caso, cualquier voltaje directo aplicado bajar
a travs de la unin J2 polarizada inversamente. La nica corriente a fluir ser una corriente
pequea de la salida.
El voltaje de ruptura directo es por lo tanto determinado por el voltaje de ruptura de esta
unin. Esto es un factor importante, determinado para los dispositivos de potencia de donde
los voltajes y las corrientes grandes se estn tratando. El voltaje de ruptura de la unin
unilateral es dependiente en el dopado de la cara bajo-dopada de la unin, por ejemplo la
cara n-. Esto es porque el dopado ms bajo da lugar a una regin de agotamiento ms amplia
y as a un campo elctrico mximo ms bajo en la regin de agotamiento. Es por esta razn
que la regin n- de la deriva es mucho ms ligeramente dopado que la regin del cuerpo del
tipo-p. El dispositivo que se est modelando se disea para tener un voltaje de ruptura de
600V.

La capa del almacenador intermediario de n+ est a menudo presente para prevenir la regin
de agotamiento de la unin J2 de la derecha que extiende al colector bipolar de p. La inclusin
de esta capa sin embargo reduce drsticamente la capacidad de bloqueo inversa del
dispositivo pues sta es dependiente del voltaje de ruptura de la unin J3, la cual es polarizada
inversamente bajo condiciones de voltaje inverso. La ventaja de esta capa del almacenador
intermediario es que permite que el espesor de la regin de la deriva sea reducido,
reduciendo prdidas del estado encendido.

Operacin Del Estado Encendido

El encendido del dispositivo es alcanzado aumentando el voltaje VG de la compuerta de modo

que sea mayor que el voltaje Vth del umbral. Esto da lugar a una capa de inversin que forma
bajo compuerta que proporciona a un canal que conecta la fuente a la regin de la deriva del
dispositivo. Los electrones entonces se inyectan de la fuente en la regin de la deriva mientras
que al mismo tiempo la unin J3, la cual se polariza hacia directamente, inyecta los agujeros
en la regin dopada n- de la deriva (Fig.2).

Esta inyeccin causa la modulacin de la conductividad de la regin de la deriva donde las

densidades del electrn y del agujero son de algunos rdenes de magnitud ms arriba que el
dopado n- original. Es esta modulacin de la conductividad que da al IGBT su voltaje bajo de
estado encendido debido a la resistencia reducida de la regin de la deriva. Algunos de los
agujeros inyectados se recombinarn en la regin de la deriva, mientras que otros cruzarn
la regin va deriva y difusin y alcanzarn la unin con la regin del tipo-p donde sern
recogidas. La operacin del IGBT puede entonces ser considerada como un transistor PNP de
base ancha cuya corriente es alimentada por el MOSFET a travs del canal. Un circuito
equivalente simple est por lo tanto segn lo mostrado en la fig.3(a).

La fig.3(b) muestra un circuito equivalente ms completo el cual incluye el transistor parsito

NPN formado por la fuente del MOSFET de tipo-n+, la regin del cuerpo del tipo-p y la regin
n- de la deriva. Tambin se muestra la resistencia lateral de la regin de tipo-p. Si la corriente
que atraviesa esta resistencia es lo suficientemente alta producir una cada de voltaje que
polarice directamente la unin con la regin n+ que encender el transistor parsito que
forma parte del tiristor parsito. Una vez que suceda esto hay una alta inyeccin de electrones
de la regin n+ en la regin de p y se pierde todo el control de la compuerta. Esto es conocido
como latch up y generalmente conduce a la destruccin del dispositivo.

Una de las principales ventajas del transistor IGBT es la sencillez con la que se puede activar
o desactivar o en su regin activa lineal como amplificador de potencia. Con sus menores
prdidas de conduccin en estado y su capacidad para conmutar altas tensiones sin daos,
hace que este transistor sea ideal para impulsar cargas inductivas tales como bobinas,
electroimanes y motores de corriente continua.

Caractersticas del GT20341

APLICACIONES DEL IGBT

Los IGBT se utilizan principalmente en aplicaciones de electrnica de potencia, como

inversores, convertidores y fuentes de alimentacin.

El Inversor Puente Trifsico

El motor AC puede ser controlado a velocidades diferentes a su valor nominal y an conservar

las caractersticas nominales de su torque.
La nica forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con el requisito de
cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo tiempo, es por medio de un
circuito Inversor.
En la figura se muestran las partes que conforman la etapa de potencia de todo tipo de
variador de velocidad de motor AC en la actualidad.
La alimentacin de entrada es VAC monofsico o trifsico dependiendo de la potencia del
motor AC a controlar. Dicho voltaje AC es rectificado por medio de un puente de diodos.
Luego tenemos la etapa de filtrado compuesta de filtro de corriente (bobina) y filtro de
voltaje (capacitor), con el objetivo de disponer de una barra de voltaje DC lo ms continua
posible (bornes +DC/-DC).
Dicha barra DC es la entrada al circuito inversor, el cual por medio del trabajo conmutado de
los IGBT la convierte en un voltaje de salida (bornes U, V, W) denominada Seno-PWM, que
cumple con el requisito de mantener la relacin V/f a proporcin constante.

Inversores Multinivel
Los inversores multinivel son una clase de inversores en que una fuente de CD con varias
posiciones entre la terminal positiva y negativa. Las dos principales ventajas de este tipo de
inversores son la mayor capacidad de voltaje y la reduccin de armnicos presentados en la
onda de salida, debido a los mltiples niveles de CD. La mayor capacidad de voltaje es debido
al hecho de que se usan diodos para limitar el voltaje sobre los IGBTs al voltaje diferencia
entre dos posiciones en el nodo de CD. La figura 4.64 muestra la topologa de un inversor de
tres niveles. La salida de cada fase se puede conectar al nodo positivo de CD, la conexin
central la conexin central de la fuente de CD o el nodo negativo de CD. Esto significa tres
niveles de voltaje diferentes para la tensin de cada fase, que explica el nombre del circuito.
El voltaje lnea-lnea resultante tiene cinco diferentes niveles en un inversor trifsico.
El IGBT se puede utilizar en circuitos amplificadores de seales pequeas de la misma manera
que los transistores de tipo BJT o MOSFET. Pero como el IGBT combina la baja prdida de
conduccin de un BJT, con la alta velocidad de conmutacin de un MOSFET, es un interruptor
de estado slido ptimo, ideal para su uso en aplicaciones de electrnica de potencia.
Cuando se utiliza como interruptor controlado esttico, el IGBT tiene valores de voltaje y
corriente similares a los del transistor bipolar. Sin embargo, la presencia de una puerta aislada
en un IGBT hace que sea mucho ms simple de conducir que el BJT, ya que se necesita menos
potencia de accionamiento.
Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para
aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin
porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por
el odo humano.
Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o
desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin
de edificios o centrales de conmutacin telefnica.
Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en
maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de
fabricacin de semiconductores, unidades de control de motores en automviles y vehculos
elctricos hbridos, equipos de soldadura.

EL TRANSISTOR DE UNIN PROGRAMABLE PUT

Se llama UJT simplemente porque sus caractersticas y parmetros tienen mucha similitud
con la del transistor de unijuntura UJT.

Se llama programable porque los parmetros como la relacin intrnseca del standoff (), la
tensin mxima (Vp) etc. se pueden programar con la ayuda de dos resistencias externas.
CARACTERISTICAS

Las caractersticas de PUT son esencialmente un grfico entre el voltaje del nodo Va y la
corriente de nodo Ia del PUT.

Normalmente el nodo del PUT est conectado a un voltaje positivo y el ctodo est
conectado al suelo.

La compuerta est conectada a la unin de las dos resistencias externas R1 y R2 que forman
una red divisora de tensin.

Es el valor de estas dos resistencias las que determinan la relacin intrnseca de separacin
() y la tensin mxima (Vp) del PUT.

Cuando se incrementa la tensin del nodo a ctodo (Va), la corriente del nodo tambin
aumentar y la unin se comportar como una unin P-N tpica.

Pero el Va no puede ser incrementado ms all de un punto en particular. En este punto se

inyecta un nmero suficiente de cargas y la unin empieza a saturarse. Ms all de este punto,
la corriente del nodo (Ia) aumenta y la tensin del nodo (Va) disminuye.
 Ms all de este punto, la corriente del nodo (Ia) aumenta y la tensin del nodo (Va)
disminuye. Esto es igual a un escenario de resistencia negativa y esta regin de resistencia
negativa en la caracterstica PUT se usa en osciladores de relajacin. Cuando la tensin del
nodo (Va) se reduce a un nivel particular denominado "Valley Point", el dispositivo se satura
totalmente y no es posible disminuir ms en Va. All despus de que el dispositivo se comporta
como una unin P-N totalmente saturada.

Relacin de separacin intrnseca (): La relacin de separacin intrnseca de un PUT es la

relacin de la resistencia externa R1 a la suma de R1 y R2.

Nos ayuda a predecir cunto voltaje caer a travs de la puerta y el ctodo para un Vbb
dado.

La relacin de separacin intrnseca se puede expresar usando la ecuacin:

1
=
1 + 2
 Voltaje de pico (Vp): Es el voltaje de nodo a ctodo despus de lo cual el PUT salta a la
regin de resistencia negativa.

El voltaje de pico Vp ser usualmente una cada de diodo (0.7V) ms el voltaje de puerta a
ctodo (Vg).

El voltaje mximo se puede expresar usando la ecuacin:

= + .

= + .

= + .

APLICACIONES

Oscilador de Relajacin con PUT

Los resistores R1 y R2 establecen el voltaje de pico (Vp) y la proporcin intrnseca de

separacin () del PUT.

El resistor Rk limita la corriente catdica del PUT.

La resistencia R y el condensador C ajustan la frecuencia del oscilador.

 Cuando el voltaje a travs del condensador excede la tensin de pico (Vp), el PUT pasa al
modo de resistencia negativa y esto crea una trayectoria de baja resistencia desde el nodo
(A) al ctodo (K).

Cuando la tensin a travs del condensador est por debajo de la tensin de punto de viraje
(Vv), el PUT vuelve a su estado inicial.

El condensador comienza a cargar de nuevo y se repite el ciclo. Esta serie de carga y descarga
da como resultado una forma de onda de diente de sierra a travs del condensador como se
muestra en la figura siguiente.

=


Ejemplo

Se tiene un oscilador de relajacin que trabaja con un PUT, el cual presenta las siguientes
caractersticas:

Ip = 100 A, Iv = 5.5 mA y Vv = 1 v.

Si el voltaje de polarizacin es de 12 v y la red externa es la siguiente: Rb1 = 10 kW, Rb2 = 5

kW, R = 20 kW, C = 1 F y Rk = 100 kW, calcular Vp, Rmx, Rmn y el perodo de oscilacin.

Clculo de Vp

Vp = Vd + n Vbb, n = Rb1/(Rb1 + Rb2) = 10/15 = .66

Vp = .7 + .66 12 = 8.7 v

Clculo de Rmx y Rmn

Puesto que el PUT es tambin un dispositivo de resistencia negativa, tiene que cumplir con la
condicin impuesta de que la recta de carga de trabajo, corte a la curva caracterstica tensin-
corriente precisamente en la regin que presenta resistencia negativa. Si esto no ocurre, el
dispositivo puede permanecer o en bloqueo o en saturacin. Para garantizar que
efectivamente se trabaje en la regin adecuada , debe escogerse al igual que en el caso del
UJT, el valor de resistencia comprendido entre unos valores lmites dados por Rmx y Rmn.

Figura 3.- Oscilador de Relajacin con el PUT

Rmx = (Vbb - Vp)/Ip = 3.3/100 = 33 kW

Rmn = (Vbb - Vv)/Iv = 11/5.5 = 2 kW

Ahora, debe cumplirse con la condicin:

Rmn R Rmx , 2 kW R 33 kW

Como puede observarse el valor tomado para R est entre los lmites establecidos ya que
tiene un valor de 20 kW.

Clculo de T

T = RC ln(1 + Rb1/Rb2)

T = 20 kW 1 F ln(1 + 2) = 24 ms

BIBLIOGRAFIA

1. Mohan, Undeland y Robbins. (1995). Power Electronics: Converters, Applications and

Design, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York.

2. J. A. Pomilio, Eletrnica de Potencia , Universidade Estadual de Campinas, SP - Brasil.

3. D. W. Hart. Electrnica de Potencia, Valparaso University, Prentice Hall, Valparaso

Indiana.
 ANEXOS

Ejercicios resueltos MOSFET

Los mosfet de enriquecimiento funcionan como mosfet de potencia debido que estos funcionan con
interruptores de potencia

Fomulas:

Formulas de la configuracin por realimentacin

Formulas de la configuracin por medio del divisor de voltaje

1.
2.
3.
 EJERCICIOS PROPUESTOS

1.

Solucin del ejercicio de la figura 7.97

 (a) IDQ= 8.25 mA
(b) VGSQ=7.9 V

2.
Solucin del ejercicio de la figura 7.98
3.

Solucin del ejercicio de la figura 7.105

 Ejercicios resueltos IGBT

1.- Dato: IGBT Datasheet

Disear un circuito de excitacin para un IGBT, que mantenga una corriente de puerta de 40A
cuando este activado y tenga un pico de 100A en el paso a conduccin. La tensin Vi soporta
una tensin de 100V con un ciclo de trabajo del 50% y una frecuencia de conmutacin
1000kHz. Suponemos que V_GE es de 20V cuando el transistor esta en conduccin. Solucin

El valor de R1 viene determinado por la necesidad del pico inicial de corriente. Despejando
R1 en la siguiente frmula:

La corriente de puerta en conduccin en rgimen permanente determina el valor de R2:

El valor de C se calcula a partir de la constante de tiempo necesaria. Para un ciclo de trabajo
del 50% a 1000 kHz, el transistor conduce durante 0,5s. Haciendo que el tiempo de
conduccin del transistor sea cinco veces la constante de tiempo, t=0,1s:

2.- El proceso de manufacturacin de los IGBTs produce dos tipos diferentes que son los
siguientes:

Considerando un ciclo de trabajo del 50% para un sistema de CC, a qu frecuencia darn la
misma prdida de potencia los dos IGBTs? Compara las prdidas de potencia de los dos IGBTs
a 5kHz y 10kHz. Ignorando las prdidas de encendido, y estados de conduccin y no
conduccin, podemos afirmar:

Potencia perdida

La potencia perdida en el IGBT lento y en el rpido ser igual a la frecuencia f(kHz) obtenida
en la siguiente igualdad:
Cuando f=7.2 kHz las prdidas obtenidas son las mismas en los dos tipos. Procedemos a
comparar las prdidas obtenidas frente a distintas frecuencias:

Cuando la frecuencia son 5 kHz: IGBT lento:

As concluimos que a 5 kHz el IGBT lento es superior, dando unas prdidas mas pequeas (98
W), mientras que el IGBT rpido da unas prdidas mayores (109W). Segn vamos
aumentando la frecuencia, vemos que el IGBT lento comienza a darnos unas prdidas
mayores (148 W) frente a las prdidas del IGBT rpido (134 W). En conclusin vemos que para
frecuencias de conmutacin bajas, los IGBTs lentos son ms eficaces, puesto que nos dan unas
prdidas menores, mientras que para frecuencias altas ser ms eficaz el IGBT rpido.

3.- Un IGBT est conmutado a 15KHz con un ciclo de trabajo D=0,5. El circuito de puerta tiene
= 4,7 y se alimenta en conduccin u en corte a las tensiones = 15 y =
15 , respectivamente. El circuito de potencia se alimenta a = 600 y la resistencia
de carga es = 8. Caractersticas del IGBT:

- Resistencia trmica de contacto cpsula-disipador: () = 0.07


- Resistencia trmica unin-cpsula () = 0.045
- Caractersticas en conduccin para = 125, = 15 , = 0.013 + 1.5.
- Energa de prdida en conmutacin, siendo = 15 , = 4,7, = 600 ,
= 125.
- = 3.6 + 0.066 .
- = 0.066 .

Calcular:
 1) Potencia disipada durante el estado de conduccin.
2) Potencia disipada en el proceso de conmutacin.
3) Resistencia trmica del disipador necesario para garantizar = 125 cuando la
temperatura ambiente es de 45.
4) En las condiciones del apartado 3), calcular la temperatura de la cpsula en la parte
donde se realiza el contacto trmico con el dispositivo.

RESOLUCIN
600
1) =
= 8
= 75
= 0.013 75 + 1.5 = 2.475
= = 2.475 75 + 0.5 = 92.91

2) = ( + ) = [(3.6 + 0.066 75 2) 103 ] 15 103

= 202.5
3) = + = 92.91 + 202.5
= 295.3
= (() + () + () )

() = 0.215

4) = () = 125 295.3 0.045
= 111.7

4.- Se tiene un puente H alimentado con 24V atacado con sus correspondientes IR2110 cuya
tensin es de 12V. La frecuencia de trabajo es de 100 KHz y la seal es bipolar.
- Hallar el valor de t1 (ciclo de actividad = t1/T) tal que el valor medio de la tensin de salida
sea de 12V.
- Dibujar la etapa de potencia completa.
- Dibujar las formas de onda de tensin de los 4 gate e indicar su valor pico.
- Dibujar la tensin sobre la carga.
- Si cada Igbt soporta una tensin mxima de bloqueo de 600V y una tensin mxima en
inversa de -5V indicar cul es la tensin mxima con que se puede alimentar al puente.
Despreciando la VCE(on), la tensin Vd mx. es de aprximadamente 600v
El interruptor IGBT del convertidor reductor de la figura 3.20.1 se controla con un circuito de
gobierno que le aplica = 15 para que conduzca y tensin = 15 para apagarlo.
La resistencia de puerta, 1 , tiene una influencia muy importante sobre la conmutacin del
IGBT y se requiere disear de forma que se reduzcan las prdidas de conmutacin.
Sabiendo que la tensin de entrada del convertidor reductor = 400 , que la carga
demanda una corriente = 40 y que IGBT conmuta a 25KHz, se pide:
1) Calcular la mnima resistencia de puerta, , que evita el autodisparo del
semiconductor durante el apagado.
2) Calcular las prdidas de conmutacin de encendido y apagado para la resistencia
calculada en el apartado anterior.
3) Para reducir las prdidas de conmutacin en el encendido, se modifica el circuito de
gobierno, tal como indica la figura 3.20.2. Determinar el valor de la resistencia de
puerta para el encendido, 2 , as como las nuevas prdidas de conmutacin.

RESOLUCIN

1)

=

8.4 + 15
= =
1 1

( ) = 11

1 293
2) 1 = 30

= ( ) = 50

1
= ( + ) = 1.2
2
= = 30
= 8.4 = ( () ) = 112

=
1
1
= ( + ) = 2.3
2
= = 58.1
3) = 38
= 8.4
= 60
= 0.78
= 19.5
 Ejercicios resueltos PUT

1.- Determinar RB1 y VBB para un PUT de silicio si est determinado que =0.8, Vp=10.3V y
RB2= 5K.

2.- Determine y VG para un PUT con VBB = 20V y RB1=3RB2.

3.- Utilizando los siguientes datos VBB=12V, R=12K, C= 1F, RK= 100, RB1=10K, RB2=
5K, Ip= 100A, VV=1V, IV=5.5 mA. Determine la impedancia del PUT en los puntos de
encendido y valle. Se comprueban los estados de circuito y corto circuito aproximados?
4.- Se puede derivar la ecuacin exactamente como se muestra en

la ecuacin ? Si no que elemento falta en la ecuacin

SOLUCIN

5.- Oscilar la red con los siguientes datos VBB=12V, R=12K, C= 1F, RK= 100, RB1=10K,
RB2= 5K, Ip= 100A, VV=1V, IV=5.5 mA , si VBB se cambia a 10V?Qu evalor mnimo de VBB
se requiere (VV constante)?

6.- Recurriendo al mismo ejemplo, que valor de R colocara a la red en estado de encendido
estable y eliminara la respuesta oscilatoria del sistema
7.- Qu valor de R convertira la red en una red de retardo de 2 ms? Es decir, proporcionara
un pulso vK a 2 ms despus de que se activa la alimentacin y entonces permanecera en el
estado encendido?