AUTARQUIA ASSOCIADA UNIVERSIDADE DE SO PAULO

MICROUSINAGEM DE DIELTRICOS COM PULSOS LASER DE

FEMTOSSEGUNDOS

Leandro Matiolli Machado

Tese apresentada como parte

dos requisitos para obteno do Grau
de Doutor em Cincias na rea
de Tecnologia Nuclear - Materiais

Orientador:
Prof. Dr. Wagner de Rossi

So Paulo
2012
Dedico esse trabalho aos meus pais Edison e Mrcia, ao meu irmo Thomas, aos meus
avs Armando e Tina, Edison e Tereza, e a minha namorada Letcia.
AGRADECIMENTOS
Agradeo primeiramente a Deus e a minha famlia, meus pais Edison Furno
Machado e Mrcia Matiolli Machado por toda ajuda, pacincia e fora, e ao meu irmo
Thomas Matiolli Machado pelo apoio, os momentos de filosofia e pela inspirao.

minha namorada Letcia Bonfante Sicchieri pelo companheirismo,

carinho, pacincia e momentos de muita felicidade.

Agradeo ao meu orientador Dr. Wagner de Rossi pela ateno, longas

conversas, orientao e pela grande amizade.

Fundao de Amparo Pesquisa do Estado de So Paulo (FAPESP) pelo

apoio financeiro e institucional, que foi essencial realizao desse trabalho.

Ao Ipen pela infraestrutura e por possibilitar o desenvolvimento deste

projeto.

Ao Dr. Ricardo Elgul Samad e ao Dr. Larcio Gomes pelas preciosas

discusses a respeito do trabalho. Ao Dr. Nilson Vieira pela utilizao da infraestrutura
do laboratrio.

Ao Dr. Anderson Zanardi de Freitas pela utilizao do equipamento de

OCT.

Ao Jos Tort Vidal pelos ensinamentos de eletrnica e programao.

Ao pessoal do CLA Thiago Cordeiro, Thiago Pereira, Ivanildo, Ana

Cludia, Dbora, Jonas, Horcio, Fernando, Carolina Benetti, Moiss Santos, Viviane
Goulart, Marcelo Noronha Veloso, Paulo Correa e Luiz pelas conversas na copa e
momentos de descontrao.
 SUMRIO

1 INTRODUO ............................................................................................... 1

2 OBJETIVOS .................................................................................................... 5

3 REVISO DA LITERATURA .............................................................................. 6

3.1 USINAGEM .............................................................................................................................. 6

3.1.1 Pulsos longos .............................................................................................................. 7
3.1.2 Pulsos ultracurtos - Modelo de Duas temperaturas ................................................... 8
3.2 MECANISMOS DE ABSORO .................................................................................................... 12
3.2.1 Ionizao multifotnica ............................................................................................ 13
3.2.2 Absoro por tunelamento ....................................................................................... 14
3.2.3 Ionizao por Impacto - Efeito avalanche ................................................................ 15
3.3 PROCESSOS DE ABLAO .......................................................................................................... 18
3.3.1 Efeito Coulomb - Ablao no trmica ..................................................................... 18
3.3.2 Exploso de Fase - Ablao Trmica ......................................................................... 21
3.4 INCUBAO ........................................................................................................................... 24
3.4.1 Safira Monocristalina ............................................................................................ 26

3.4.2 Slica -Suprasil .......................................................................................................... 27
3.4.3 Borosilicato - BK7 ...................................................................................................... 28

4 SIMULAO DA EXCITAO ELETRNICA POR PULSOS ULTRACURTOS .........31

5 TCNICAS PARA A MEDIDA DO LIMIAR DE ABLAO ....................................42

5.1 TCNICA DE REGRESSO DO DIMETRO ........................................................................................ 44

5.2 TCNICA DIAGONAL-SCAN (D-SCAN) .......................................................................................... 45

6 ARRANJO EXPERIMENTAL ............................................................................56

7 TCNICA DA REGRESSO DO DIMETRO COM PULSOS NICOS ....................64

7.1 BK7 E SUPRASIL ................................................................................................................... 64

7.2 SAFIRA E TI:SAFIRA.................................................................................................................. 71

8 MEDIDA DO LIMIAR DE DANO PARA PULSOS SOBREPOSTOS. .......................80

8.1 BK7 ..................................................................................................................................... 80

8.2 SUPRASIL E SAFIRA .................................................................................................................. 86
 8.3 LIMIAR DE ABLAO COM A TCNICA D-SCAN EM FUNO DA LARGURA TEMPORAL DOS PULSOS ............ 96

9 MICROCANAIS ........................................................................................... 101

9.1 ESTRATGIAS DE USINAGEM CONTROLE DA FORMA ................................................................... 102

9.1.1 Primeira estratgia: Usinagem Direta .................................................................... 103
9.1.2 Usinagem suave ..................................................................................................... 105
9.2 CONTROLE DA PROFUNDIDADE................................................................................................. 108

10 MICROFLUDICA ......................................................................................... 115

11 CONCLUSES ............................................................................................. 118

12 TRABALHOS PUBLICADOS .......................................................................... 120

13 REFERNCIAS ............................................................................................. 122

 Lista de Figuras

Figura 3.1 Valores observados do limiar de dano em funo da largura temporal (=1053nm) para slica
fundida e CaF2. Pode-se observar o desvio da relao com o efeito trmico para pulsos abaixo de
20ps [42]. .......................................................................................................................................... 11

Figura 3.2 - Curva universal do livre caminho mdio do eltron para choques inelsticos na banda de
conduo. A regio mais escura mostra o intervalo de energia dos eltrons que escapam da
amostra. Adaptado de [47]. ............................................................................................................. 16

Figura 3.3 - Trajetrias termodinmicas de um material hipottico sob irradiao de pulsos de fs (linha
ponto-trao), ps (linha pontilhada), e ns (linha slida). Linha slida fina (binodal); linha tracejada:
espinodal; cruz: ponto crtico. L: lquido; G: gs. As outras letras representam caminhos no
diagrama de fase (veja texto), adaptado de [67]. ............................................................................ 22

Figura 3.4 - esquema da trajetria aproximada do material entrando na zona de instabilidade perto do
ponto crtico ..................................................................................................................................... 24

Figura 3.5 - nveis de energia de defeitos em safira (adaptado de [77; 79]). ............................................ 27

Figura 3.6 Diagrama de energia mostrando as principais frequncias de absoro do SiO 2 pelos centros
de cor................................................................................................................................................ 28

Figura 3.7 -Imagem de uma janela de BK7 de 8 mm de espessura e 50 mm de dimetro exposta raios-x
em diferentes energias 150, 300 e 450 KeV (esquerda). Espectro de transmitncia das regies
irradiadas [87] (direita). ................................................................................................................... 29

Figura 4.1 - Simulao da intensidade do laser (linha vermelha) e intensidade do laser no centro do feixe
menos a intensidade refletida (linha verde) pelo plasma eletrnico do material no Suprasil
2
irradiado com um pulso de 100 fs e 6 J/cm de fluncia. A linha azul representa a densidade
eletrnica na banda de conduo em funo do tempo. ................................................................ 38

Figura 4.2 densidade eletrnica mxima na banda de conduo do Suprasil gerados pela irradiao de
um pulso com diferentes fluncias e 100 fs de largura temporal. ................................................... 39

Figura 4.3- a) Simulao do Limiar de ablao em funo da largura temporal....................................... 40

2
Figura 5.1 perfil gaussiano com raio definido a 1/e da fluncia mxima .............................................. 44

Figura 5.2 Irradiao da amostra com o laser de femtossegundos deslocando a amostra nos eixos z e y
simultaneamente (Adaptado de [27]). ............................................................................................. 46

Figura 5.3 Grfico para . O plano representa a superfcie da amostra

2
irradiada. As linhas +w(z) e w(z) representam o raio do feixe onde a intensidade tem 1/e do pico;
as linhas +(z) e -(z), representam o raio de zona de interao com o feixe. Adaptado de [27]. .. 48

Figura 5.4 - Coordenadas para derivao da sobreposio. ...................................................................... 50

Figura 5.5 - a linha vermelha o clculo usando a funo theta de Jacobi, Eq. 55. A linha tracejada
apresenta os resultados para Eq. 57. As linhas azuis mostram o calculo de N usando a Eq. 54 no
intervalo de -m a m. Onde m=1, 10, 100 e 1000. ............................................................................. 54

Figura 6.1 Arranjo tico do sistema de entrega do feixe e visualizao. ................................................ 57

Figura 6.2 - Perfil espacial do foco do feixe laser focalizado por uma lente de f=500 mm. O perfil se
aproxima muito de um perfil Gaussiano. ......................................................................................... 58

Figura 6.3 Exemplo do procedimento usado para posicionar o foco na superfcie da amostra (para uma
melhor visualizao, mostrado uma amostra de ao). As posies focal e lateral so deslocadas,
ento a posio focal de menor marcao usada para realizao dos experimentos. ................. 59
2
Figura 7.1 Fluncia mdia x D com a lente de 10 e 38 mm, primeiros testes na amostra A3. ................. 65
2
Figura 7.2 Grfico do D X Fluncia mdia usando mais pontos experimentais com intervalos
2
menores de energias. Limiar de ablao: 4,43 J/cm ....................................................................... 66

Figura 7.3 - Limiar de dano calculado para o Suprasil com o laser1 apresentando instabilidades na
energia. possvel observar um maior desvio dos dados devido flutuao na energia dos pulsos.
.......................................................................................................................................................... 67

Figura 7.4 - Irradiaes com pulsos nicos. Cada linha representa energias mdias diferentes, mas cada
irradiao foi medida individualmente. ........................................................................................... 68

Figura 7.5 - Fluncia em funo do dimetro ao quadrado de pulsos nicos irradiados no BK7. Medidas
individuais da energia de cada irradiao foram feitas. ................................................................... 69

Figura 7.6 Ajuste para o clculo do limiar de ablao da amostra BK7 A6. ......................................... 70

Figura 7.7 - Grfico da fluncia x dimetro ao quadrado - limiar de dano do Suprasil para pulsos nicos
(regime de baixa e alta fluncia). ..................................................................................................... 71

Figura 7.8 a) Dimetro ao quadrado x Fluncia para pulsos nicos em safira, mostrando os regimes de
baixa e de alta fluncia, bem como o limiar de ablao. b) Ti: Safira. ............................................. 73

Figura 7.9 Efeito da baixa e alta fluncia na safira. ................................................................................. 74

3+
Figura 7.10 - diagrama das bandas vibrnicas geradas no Ti:safira pelos ons Ti . O Ti:safira absorve
linearmente ftons aproximadamente entre 400 e 600 nm, e irradia numa banda larga que vai de
650 a 1050 nm. ................................................................................................................................. 77

Figura 8.1 Imagem de regies ablacionadas com pulsos de mesma energia em safira. Sobreposio de
1, 4 e 16 pulsos, da esquerda para a direita. possvel observar a transio da ablao no trmica
para uma ablao trmica ................................................................................................................ 81

Figura 8.2 Matriz de pontos com mesma energia variando a sobreposio (linhas) cada linha contem 6
elementos repedidos com mesma sobreposio. ............................................................................ 82

Figura 8.3 - Imagem de microscopia ptica da zona afetada no BK7 com sobreposio de 510 pulsos
(linha 1) e 1020 pulsos (linha 2). ...................................................................................................... 82

Figura 8.4 Limiar de ablao para sobreposio de 520 pulsos em BK7. ............................................... 83

Figura 8.5 Micrografias de amostras ablacionadas pelo mtodo D-scan. a) 1267.3 pulsos sobrepostos
para E0 = 71J. b) para E0 = 31J, os perfis superiores representam a sobreposio de 1.12 pulsos, e
o perfil mais baixo um perfil para pulsos nicos. .......................................................................... 84

Figura 8.6 - Medidas do limiar da ablao do BK7 em funo da sobreposio de pulsos usando a TRD e o
D-scan com diferentes energias de pulso. ....................................................................................... 85
Figura 8.7 - Micrografia dos traos irradiados com o mtodo D-scan. Vista da superfcie (figuras de cima)
e viso lateral (figuras de baixo)....................................................................................................... 86

Figura 8.8 - Limiar de ablao do Suprasil em funo da sobreposio para Suprasil - comparao entre
os dois mtodos. .............................................................................................................................. 88

Figura 8.9Limiar de ablao da Safira em funo da sobreposio - comparao entre os dois mtodos.
.......................................................................................................................................................... 88

Figura 8.10 Comparao entre o D-scan e o TRD da distribuio de fluncias tpicas para a medida do
limiar de ablao. Cada trao no eixo y equivale a Fth. .................................................................... 91

Figura 8.11 Clculo da fluncia pico e do gradiente de fluncia utilizada pelos mtodos TRD e D-scan.
Devido caracterstica intrnseca de cada mtodo, o gradiente de fluncia e a fluncia pico so
distintos em comportamento e valores em funo do tamanho da distncia entre a borda do
dano e o centro do feixe. ................................................................................................................. 92

Figura 8.12 Evidncia de zona colateral afetada devido ao alto gradiente de fluncias durante a
irradiao para a TRD no Suprasil. Na safira no foi possvel observar efeito colateral. ................. 94

Figura 8.13 Imagem de microscopia eletrnica de varredura da regio onde feita a medida de max. 94

Figura 8.14 Imagem de MEV mostrando o detalhe da borda de um trao de D-scan. possvel observar
a presena de ripples na borda do trao sem trincas. Ou seja, exploso Coulombiana. .............. 95

Figura 8.15 Microscopia ptica dos traos de D-scan realizados com pulsos de 152 fs e energia de 207
J. possvel observar as diferentes posies das medies de max para diferentes sobreposies.
.......................................................................................................................................................... 96

Figura 8.16 Limiares de ablao em funo da sobreposio obtida pelo mtodo D-scan. BK7 22,8 fs.
.......................................................................................................................................................... 97

Figura 8.17 Limiar de ablao em funo da sobreposio obtida pelo mtodo D-scan. BK7 144 fs. . 97

Figura 8.18 Limiar de ablao para pulsos nicos obtidos atravs do ajuste da EEq. 19 dos valores de
limiar de diversas medidas de D-scan e simulao do limiar de ablao no BK7. ........................... 98

Figura 8.19 Limiar de ablao de saturao obtidos atravs do ajuste da EEq. 19 dos valores de limiar
de diversas medidas de D-scan. ....................................................................................................... 99

Figura 8.20 Parmetros de incubao obtidos atravs do ajuste da EEq. 19 dos valores de limiar de
diversas medidas de D-scan. ............................................................................................................ 99

Figura 9.1 - Esquema do trajeto feito pelo laser para formar uma "camada" de usinagem. A polarizao
possui a mesma direo da varredura do laser. As varreduras foram feitas longitudinalmente aos
canais com velocidade . ............................................................................................................... 102

Figura 9.2 - a) Esquema de usinagem resultante da aplicao da usinagem direta. Apenas uma camada
usada e a sobreposio longitudinal suficientemente alta para alcanar a profundidade desejada.
b)Imagens de OCT. ......................................................................................................................... 104

Figura 9.3 - a) mtodo da ablao suave - O canal usinado formado por vrias camadas onde a
sobreposio lateral e longitudinal so variadas em cada camada para levar em considerao o
dimetro de cada trao. b) Imagem de OCT dos canais usinados. Cada canal tem uma sobreposio
total de N pulsos (soma das camadas igual a N). Duas energias so mostradas 33 e 10 J. ......... 106
Figura 9.4 Microscopia eletrnica de varredura dos canais usinados com o mtodo Smooth ablation.
Cada figura (a,b,c,d) mostram um mesmo canal de N=128 e 200 m de largura com diferentes
ampliaes. .................................................................................................................................... 107

Figura 9.5 - Profundidade em funo da sobreposio longitudinal de canais de 100 m usinados em

BK7 usando o mtodo suave para diferentes energias. ................................................................. 108

Figura 9.6 - Profundidade em funo da sobreposio longitudinal N com pulsos de 30 J. Pontos

vermelhos: ajustou-se a posio focal para ficar na superfcie da regio usinada. Pontos verdes: a
posio focal permaneceu na superfcie da amostra durante a usinagem. ................................... 109

Figura 9.7 - Imagem de OCT de microcanais de 100 m de largura usinados com o mtodo suave e 30 J
por pulso. O conjunto de canais de cima corresponde irradiao sem variar o foco, abaixo os
canais foram usinados com o foco ajustado para ficar na superfcie em cada camada. ............... 109

Figura 9.8 - Imagem de MEV do canal com variao do foco e sobreposio total de 104 pulsos. ........ 110

Figura 9.9 - Profundidade em funo da sobreposio. Pontos verdes: Microcanais de 100 m usinados
com o mtodo suave com pulsos de 30 J. Pontos pretos: traos nicos sobrepostos com mesma
velocidade de varredura. Pontos vermelhos: traos nicos sobrepostos com apenas uma
varredura, as diferentes sobreposies so alcanadas com diferentes velocidades de varredura.
........................................................................................................................................................ 112

Figura 9.10 - Exemplo de alta e baixa sobreposio em traos usinados no BK7 fora do foco (dimetro do
feixe ~100 J). a) Alta sobreposio forma em "V" reflexes laterais. b) Baixa sobreposio forma
mais arredondada. ......................................................................................................................... 112

Figura 9.11 - b) eficincia de incubao na usinagem com o mtodo suave........................................... 113

Figura 10.1 - Esquema do sistema de acoplamento das mangueiras fludicas com o circuito microfludico.
........................................................................................................................................................ 116

Figura 10.2 - Imagem da conexo feita usando a tcnica desenvolvida nesse trabalho. ........................ 116

Figura 10.3 - Sistema de acoplamento microfludico com sistema de visualizao e controle de fluxo. 116

Figura 10.4 - Fluxo laminar de gua colorida injetada nos microcanais usinados por laser. ................... 117

Figura 10.5 - Microusinagem de canais de 100 m em BK7 em forma de cruz. ...................................... 117

Lista de Tabelas

Tabela 1 - Valores das constantes encontradas na literatura para a simulao do modelo ..................... 37

Tabela 2 Difusividade e ponto de vaporizao dos dieltricos. .............................................................. 75

Tabela 3- Limiares de dano (pico) encontrado para BK7 e Suprasil com diferentes lasers e sistema de
aquisio de medidas. ...................................................................................................................... 77

Tabela 4 - Limiar de ablao para um pulso nico, parmetro de incubao e limiar de saturao
calculado pelo modelo de incubao exponencial (100 fs). ............................................................. 85

Tabela 5 Principais parmetros entre os dois mtodos .......................................................................... 87

 MICROUSINAGEM DE DIELTRICOS COM PULSOS LASER DE
FEMTOSSEGUNDOS

Leandro Matiolli Machado

RESUMO

Neste trabalho foi utilizado o mtodo de regresso do dimetro para a

medida do limiar de ablao nos materiais Suprasil, BK7, Safira e Ti:Safira por pulsos
de femtossegundos. Atravs de medidas dos limiares de ablao para pulsos nicos e
pulsos sobrepostos, quantificou-se o parmetro de incubao para cada dieltrico. Essas
medidas preliminares serviram para validao do mtodo denominado Diagonal Scan
ou D-scan. Para tanto, o mtodo D-scan teve seu formalismo expandido o que
possibilitou a quantificao da sobreposio de pulsos durante o seu uso. A
simplicidade e rapidez do mtodo D-scan permitiram que o limiar de ablao no BK7
fosse medido para diferentes larguras temporais e sobreposies. O limiar de ablao
para pulsos nicos em funo da largura temporal dos pulsos foi comparado com uma
simulao terica. A partir do conhecimento do parmetro de incubao desenvolveu-se
uma metodologia de usinagem em dieltricos que considera a sobreposio de pulsos
durante a ablao. Isso permitiu a fabricao de microcanais para uso em microfludica
em BK7.
 MICROMACHINING OF DIELETRICS WITH FEMTOSECOND LASER
PULSES

Leandro Matiolli Machado

ABSTRACT

In this study, the diameter regression method was used to measure the ablation
threshold of Suprasil, BK7, Sapphire and Ti: Sapphire by femtosecond pulses. Through
measurements of the ablation thresholds for single and overlapping pulses, the
incubation parameter for each dielectric was quantified. These preliminary steps were
used to validate the method called Diagonal Scan or D-scan. This was made possible by
expanding the D-scan formalism, which allowed the quantification of overlapping
pulses during its use. The simplicity of the D-scan method allowed the ablation
threshold measurement in BK7 for different temporal widths and overlaps. The ablation
threshold for single pulse for different temporal width was compared with a theoretical
simulation. From the knowledge of the parameter of incubation, a methodology that
considers dielectric machining overlapping pulses during ablation was developed. This
allowed the manufacture of microchannels on BK7 for microfluidics.
1 Introduo

O interesse no processo de ablao de materiais a laser teve inicio junto

sua descoberta em 1960 [1]. Em 1962, pesquisadores na Ford Motors Company
descobriram que a luz de um laser Q-switched de rubi podia ionizar o ar criando
"fascas" [2]; anos mais tarde foi reportado dano em vidro [3]. Essas descobertas
levaram a investigaes de como a luz interage com gases e slidos e esse trabalho dura
at os dias de hoje.

A indstria se beneficiou de aplicaes de alta preciso na rea de usinagem

como corte, soldagem, oxidao induzida e outros tipos de tratamentos trmicos em
metais. O advento de lasers pulsados com larguras temporais da ordem de
nanossegundos e picossegundos atravs de tcnicas de Q-switching e modelocking,
trouxe a possibilidade de obteno de intensidades da ordem de gigawatts por
centmetro quadrado. Isto permitiu estender a interao de feixes laser a materiais
semicondutores e dieltricos de uma maneira eficiente. Lasers de nanossegundos com
comprimento de onda de 532 nm so capazes de ablacionar slica fundida[4; 5], safira,
plsticos e outros materiais transparentes.

A dinmica de interao de pulsos laser de ns em alguns materiais que so

transparentes esta radiao, contudo, muitas vezes, no permite estabelecer um limiar
de fluncia de ablao bem definido, pois envolve processos estocsticos na absoro da
radiao o que torna a zona ablacionada imprevisvel e disforme, diminuindo a preciso
na usinagem [6]. Em alguns dieltricos, como a slica e a safira, os valores para limiar
de fluncia ou intensidade especifica para cada material no podem ser encontrados com
preciso, porque estes valores podem variar em mais de uma ordem de grandeza[6].

Outro grande fator que influencia a preciso na usinagem a laser a zona

termicamente afetada, que se estende alm da regio de interao do pulso laser e
responsvel por uma transformao de fase alterando as propriedades do material
colateralmente. O efeito colateral termodinmico intrnseco ao processo de ablao,
mas pode ser minimizado depositando-se a energia de forma rpida, atravs de pulsos
curtos, e ablacionar o material antes que o calor se espalhe por difuso e afete a
vizinhana da regio de interao [5; 7]. Lasers de nano ou picossegundos, com

1
comprimento de onda na faixa do UV, so utilizados para aumentar a absoro e a
eficincia de ablao em materiais dieltricos possibilitando maior preciso na escala
micromtrica, entretanto, podem ocorrer nessa escala temporal de interao, efeitos
trmicos [5,8, 9].

Na segunda metade da dcada de 80 a inveno da tcnica de amplificao

de pulsos com varredura de freqncia, ou "Chirped Pulse Amplification" [10; 11], e
lasers de estado slido bombeados por diodo [12] permitiram o uso de pulsos ultracurtos
com energias da ordem de micro e milijoules (J-mJ). Esses lasers so capazes de
produzir pulsos com alguns femtossegundos de largura temporal e intensidades da
ordem de 1013 a 1014 W/cm2. Atualmente os principais tipos de laser ultracurtos
utilizados para usinagem so o Ti:Safira e o Yb:fibra. Os sistemas de Ti:Safira so
capazes de produzir pulsos com poucas dezenas de femtossegundos, centrados em 800
nm, com energias da ordem de mJ, e taxas de repetio acima de poucos kHz; Os lasers
baseados em Itrbio geram pulsos centrados em 1030 nm com durao de centenas de
femtossegundos e energia limitada no intervalo de poucos J, operando com taxas de
repetio no intervalo de MHz, e permitem maiores velocidades de usinagem. Algumas
das principais caractersticas destes pulsos, quando so usados para a usinagem, a alta
absoro em materiais dieltricos e a pequena zona afetada pelo calor. Estas
caractersticas se devem a dinmica particular de absoro e ablao gerada por esses
pulsos ultracurtos e ultra intensos.

O processo de interao da radiao com a matria envolve muitos

fenmenos que ocorrem em diferentes escalas de tempo, desde femtossegundos at
nanossegundos [13-19]. Diferentemente da interao em metais, em dieltricos, a banda
de conduo est inicialmente vazia e a matria transparente radiao laser [20].
Eltrons da banda de valncia devem ser transferidos para a banda de conduo por
processos de ionizao no lineares para comear o aquecimento eletrnico pelo laser.
A gerao inicial de eltrons ocorre por fotoionizao. Quando o processo de
fotoionizao iniciado e eltrons "semente" so excitados para a banda de conduo,
esses ento absorvem a energia do laser. Se a energia desses eltrons exceder um valor
crtico, esses colidem com outros eltrons excitando mais eltrons para a banda de
conduo induzindo o processo de ionizao por avalanche [21]. O meio dieltrico
ionizado comea a se comportar como um metal, ento, a densidade eletrnica na

2
superfcie atinge um valor crtico, a refletividade na superfcie aumenta e ons so
ejetados da superfcie. Se o pulso for suficientemente curto, o pulso termina, a energia
transferida para a rede do material, a relaxao termodinmica ocorre, e s ento o
material ejetado da superfcie por transformao de fase [21]. A absoro
multifotnica eficiente s permitida pelas altas intensidades geradas por pulsos
ultracurtos (fs), e garante que diferentes materiais transparentes possam absorver
energia do laser num mesmo comprimento de onda. Alm disso, a curta durao dos
pulsos permite que a transferncia da energia ocorra de uma maneira rpida,
minimizando a zona afetada pelo calor. Assim, os processos de fotoionizao nessas
intensidades so mais eficientes e possibilitam a absoro da radiao de uma maneira
mais controlada resultando em limiares de dano bem definidos [22], o que trouxe a
possibilidade de um melhor controle da regio afetada em funo da energia do pulso.

Os pulsos ultracurtos permitiram uma interao determinstica com um

limiar de ablao bem definido, porm, o limiar de ablao no depende apenas das
caractersticas do pulso laser e do tipo de material ablacionado. A absoro do pulso
tambm depende da presena de defeitos na estrutura cristalina desses materiais. A pr-
irradiao por um pulso laser num material dieltrico, mesmo que abaixo do limiar de
dano, pode criar defeitos na rede cristalina. Esse processo chamado de "efeito de
incubao" e responsvel pela diminuio do limiar de dano em materiais pr-
irradiados [23]. O processo de relaxao dos eltrons da banda de conduo cria
defeitos, os quais criam nveis eletrnicos interbanda, que funcionam como canais de
absoro [24]. Pulsos laser que atingirem o material pr-irradiado criam eltrons
sementes com maior facilidade, multiplicando-os na banda de conduo e facilitando a
ablao do material.

O processo de usinagem superficial de materiais dieltricos exige a

sobreposio de pulsos para que a quantidade de material necessria seja arrancada [25;
26]. Assim o limiar de ablao e o parmetro de incubao so parmetros importantes
para a usinagem e devem ser previamente conhecidos.

Nesse contexto, este trabalho se focou no estudo dos principais fenmenos

fsicos envolvidos no processo de absoro de pulsos ultracurtos em safira
monocristalina, Ti:safira e os vidros pticos BK7 e Suprasil, e o processo de incubao
de pulsos sobrepostos.
3
 Para a medida do limiar de ablao e o parmetro de incubao, duas
tcnicas experimentais foram utilizadas. Primeiramente, um mtodo bem conhecido
para medir o limiar de ablao, de pulsos nicos e sobrepostos, chamado Tcnica de
Regresso do Dimetro (TRD) introduzida por Liu [20]. A segunda Tcnica foi o D-
scan introduzido por Samad e colaboradores [27]. Essa ltima tcnica caracteriza-se
pela simplicidade prtica e analtica. Porm, a sobreposio de pulsos que intrnseca
tcnica de D-scan, no considerava a quantificao dessa sobreposio. Contudo,
quando utilizada em materiais sensveis a irradiaes precedentes, a sobreposio deve
ser quantificada a fim de se obter o limiar de ablao para diferentes sobreposies.
Portanto esse trabalho acrescentou tcnica de D-scan a possibilidade de quantificao
da sobreposio e sua validao usando o mtodo tradicional. Esse estudo permitiu que
os resultados experimentais fossem comparados com uma simulao numrica do limiar
de ablao em funo da largura temporal dos pulsos.

Os parmetros de incubao dos diferentes materiais foram medidos e

utilizados para testar um mtodo que leva em conta a sobreposio de pulsos para
usinagem de microcanais microfludicos em BK7.

4
2 Objetivos

Os objetivos desse trabalho foram:

1. Estudo terico e experimental dos principais processos fsicos envolvidos

na absoro de pulsos ultracurtos por materiais dieltricos com grande gap de banda e a
simulao de um modelo que descreva o limiar de ablao em funo das caractersticas
do pulso e do dieltrico.

2. Calibrar o mtodo tradicional com a tcnica de regresso do dimetro

(TRD) para pulsos nicos e pulsos sobrepostos na safira, Suprasil, BK7 e Ti:safira e
calcular o parmetro de incubao.

3. Estender a tcnica de D-scan para a quantificao da sobreposio de

pulsos. Realizar as medidas de limiar de ablao para diferentes sobreposies e validar
a extenso da tcnica com a comparao com o mtodo tradicional.

4. Utilizar a tcnica D-scan para a medida do limiar de ablao em funo

da sobreposio e da largura temporal dos pulsos e comparar com a simulao
numrica.

5. Desenvolver um protocolo de usinagem em BK7 que permita a utilizao

do limiar de ablao de pulsos sobrepostos e o parmetro de incubao para a
fabricao de microcanais para uso em microfludica.

5
3 Reviso da Literatura

3.1 Usinagem

A usinagem a laser caracterizada pela remoo controlada de uma frao

de material de um substrato atravs da absoro da energia laser. Neste processo,
espera-se que a ejeo ou ablao do material da superfcie ocorra via uma
transformao de fase termodinmica slido-lquido-gs, slido-gs ou mesmo sem
aquecimento do material. Nesse ltimo, o processo deve ocorrer por repulso
eletrosttica de ons induzida pelo laser.

A maneira como a energia depositada pelo laser e absorvida pelo material

de fundamental importncia no processo de ablao e no controle dos diferentes
regimes de usinagem. Os diferentes regimes de interao podem caracterizar o
acabamento final da usinagem. O excesso de energia depositada no material e o plasma
formado na superfcie do material podem afetar colateralmente o substrato usinado
gerando uma zona afetada pelo calor. A ejeo do material fundido durante a usinagem
cria rebarbas e regies disformes, o que prejudica um bom acabamento.

Alguns parmetros do laser influenciam no processo de ablao, tais como:

comprimento de onda, densidade espacial de potncia (intensidade), distribuio
temporal de potncia do laser (largura temporal do pulso), o caminho da ferramenta
ou estratgia de deposio da energia laser, e a atmosfera na regio de interao.

O uso de lasers pulsados no processo de usinagem de materiais dieltricos

justificado, principalmente, pela alta potncia pico alcanada, j que a energia do feixe
laser concentrada num perodo curto no tempo (ns, por exemplo) e permite maiiores
intensidades. Atravs desses, maiores intensidades proporcionam maior absoro pelo
material. Alm disso, as altas intensidades alcanadas por esses lasers permitem que o
material seja ablacionado mais rapidamente durante a interao, diminuindo o tempo de
difuso trmica, j que parte do calor levado junto com o material ablacionado.

No caso dos lasers pulsados, diferentes larguras temporais podem ser

utilizadas, e como consequncia, diferentes dinmicas de ablao so possveis. Pode-se

6
separar o processo de absoro em duas dinmicas de ablao distintas, a feita por
pulsos longos, e a feita por pulsos ultracurtos.

3.1.1 Pulsos longos

Na interao de pulsos longos (maior que algumas dezenas de

picossegundos), considerado que o processo de dano ou ablao envolve o
aquecimento dos eltrons na banda de conduo pela radiao incidente e a
transferncia dessa energia para a rede. Essa transferncia se d num processo de quase
equilbrio entre a temperatura dos eltrons e da rede, ocorrendo durante todo o tempo de
interao do pulso laser com o material. Se a difuso do calor via corrente eletrnica ou
fnons na rede cristalina, no for suficiente para dissipar o calor absorvido, a ablao
ocorre devido transformao de fase do material dieltrico e simples evaporao[28;
29]. Se houver energia suficiente, o material sublimado.

Considerando a conservao da energia do sistema, qualquer variao na

energia interna U de um volume V, deve ocorrer devido absoro da luz do laser ou
pela difuso da energia para fora desse volume (j sendo o fluxo de energia); neste caso a
variao pode ser descrita por:

Eq. 1

Esta variao na energia interna pode ser relacionada mudana de

temperatura T usando o capacidade trmica Ci do material por unidade de volume
( ). A fonte de calor S pode ser calculada com:

Eq. 2

onde R a refletividade da superfcie, A a absoro pelo material e I a intensidade do

laser em funo da posio no eixo z na direo do eixo de propagao, e do tempo t.

Na maioria dos casos, a perda de energia ser por difuso trmica, que pode
ser descrita por:

7
 Eq. 3

aqui k denota a condutividade trmica. Reescrevendo a Eq. 1:

Eq. 4

Esta a conhecida equao do calor parablica [30]. A dependncia da

temperatura com os parmetros fsicos (Ci,k) e os parmetros pticos (R,A) tornam a
equao anterior no linear, e a soluo analtica s pode ser obtida em alguns casos
[30].

Aqui vamos resumir a discusso sobre o transporte do calor para mostrar, de

uma forma apenas qualitativa, as escalas de tempo e espao envolvidos neste processo
com pulsos longos.

Supondo constante os valores Ci e de k, pode-se derivar da Eq. 4 que a onda

de calor aps a absoro do laser se propagar por [30]

Eq. 5

onde lD o comprimento de difuso, e D=k/Ci a difusividade trmica do material

irradiado. No caso da safira, a difusividade de aproximadamente 14 mm2/s, o que
significa que para um pulso de 10 ns o comprimento de difuso ~ 0,5 mcrons. Em
metais, como a difusividade maior, 165 mm2/s no caso da prata, o comprimento de
difuso de 1,3 mcrons sendo maior que a penetrao ptica. Isso implica que mesmo
que esses pulsos sejam focalizados em um mcron, a zona afetada pelo calor ser maior
e prejudicar um controle preciso da zona usinada.

3.1.2 Pulsos ultracurtos - Modelo de Duas temperaturas

Ao contrrio do que ocorre para pulsos longos, para caso de pulsos com
largura temporal menor ou igual ao tempo de relaxao eltron-fnon (poucas centenas
de femtossegundos: pulsos ultracurtos), os processos de absoro eletrnica e
aquecimento da rede podem ser tratados separadamente. Neste caso, o pulso laser
transfere parte da sua energia para os eltrons, e somente aps o trmino da relaxao
eltron-fnon leva a efeitos termodinmicos que promovem a ejeo de grande
8
quantidade de material. A taxa de relaxao eltron-fnon to alta (depende do
dieltrico) que ocorre um aquecimento abrupto do material. Antes que este passe do
estado slido para o estado lquido, o material ultrapassa em milhares de graus Kelvin a
temperatura de ebulio. Como consequncia, ocorre uma exploso de fase e a
consequente ablao trmica do material ou ionizao do dieltrico [31].

A consequncia deste processo que o aquecimento ocorre em condies de

no-equilbrio extremo. Assim, a dinmica dos estados dos eltrons e da rede devem ser
descritas separadamente. Um modelo que descreve essa dinmica o modelo de duas
temperaturas (MDT), proposto por Anisimov e colaboradores para metais[32],
conforme descrito pelas seguintes equaes:

Eq. 6

Eq. 7

Aqui, Te e Ti so as temperatura dos eltrons e da rede, respectivamente, z

a direo perpendicular superfcie, Ce e Ci so as capacidades trmicas por unidade de
volume dos eltrons e da rede, o fluxo de calor eletrnico e
o termo de fonte de calor. A e so a absoro da superfcie e
o coeficiente de absoro do material, respectivamente, I(t) a intensidade do laser, e ke
a condutividade trmica eletrnica. O parmetro caracteriza o acoplamento eltron-
fnon, isto , a troca de energia entre os dois subsistemas, e expresses para ele podem
ser encontrados em [33-35]. Esse modelo muito usado para descrever a termodinmica
em metais [36], e visto que esse conjunto de equaes leva em considerao a difuso
trmica do calor pela rede e pelos eltrons livres. Alm disso, uma descrio
quantitativa em dieltricos no seria adequada, visto que o aprisionamento eletrnico na
rede e sua recombinao constituem canais de deposio adicionais alm do
acoplamento eltron-fnon.

Os tempos caractersticos envolvidos na dinmica do sistema acima podem

ser escritos atravs de e=Ce/ e i=Ci/, onde e o tempo de resfriamento dos eltrons
e i o tempo de aquecimento da rede.

9
 Aqui deve ser enfatizado que, em dieltricos, o comportamento metlico do
dieltrico atribudo excitao de eltrons para a banda de conduo restrita a uma
estreita camada abaixo da superfcie. Isso resulta num acoplamento bem localizado,
portanto a condutividade trmica eletrnica restrita s regies de alta densidade
eletrnica [37]. Baseado nesta considerao, uma simplificao da dinmica acima para
uma descrio qualitativa no caso de dieltricos seria considerar que a durao do pulso
muito menor que o tempo de resfriamento eletrnico caracterstico, e que a difuso
eletrnica baixa durante o resfriamento dos eltrons. Nesse caso o sistema se reduz ao
caso da equao do calor parablica. A fonte de calor da rede tem um tempo de
interao igual ao tempo de resfriamento dos eltrons, ou seja, simplesmente e. O
comprimento de difuso lth (De)1/2 e depende apenas do tempo de relaxao eltron-
fnon.

O tempo de relaxao eltron fnon no caso da safira da ordem de 1 ps,

implicando que para um pulso de 100 fs o comprimento de difuso no mnimo igual a
uma interao com um pulso de 1 ps. No caso da safira, este comprimento de
aproximadamente 0,005 mcrons. Isso mostra a influncia do tempo de relaxao
eletrnico na dinmica de ablao.

Quanto mais curto o pulso, menor o fluxo de calor para fora da regio da
interao do pulso, diminuindo a difuso trmica na rede cristalina (haja vista que a
difuso eletrnica sempre ocorre durante todo o processo na banda de conduo). Alm
disso, menor tambm a energia necessria para que a mesma poro de material atinja
temperaturas maiores, o que diminui o limiar de ablao. Portanto, aps a ablao,
grande parte do calor retirado junto com o material ablacionado.

Neste sentido, um mtodo usual para o estudo da dinmica de ablao de

materiais transparentes por pulsos laser a medida da fluncia de limiar para o dano
ptico causado em diferentes duraes temporais [38-41]. Assinaturas de efeitos
trmicos tm sido observadas para pulsos acima de 20 ps de largura temporal (Figura
3.1), abaixo desse valor existe um desvio da relao entre a fluncia de limiar Fth e a
largura temporal do pulso L dada por:

Fth 1L/ 2 Eq. 8

10
 Para pulsos longos, esta dependncia est diretamente relacionada ao tempo
de difuso limitado pela largura temporal do pulso. Quando se tem o regime de quase
equilbrio (pulso longo) o aquecimento da rede se d pelo acmulo de calor at que a
temperatura de fuso seja atingida (limiar de dano). Quanto mais curto o pulso menos o
calor se difunde e menor o limiar de dano. Abaixo de 20 picossegundos (nos materiais
desse exemplo) a taxa de deposio de calor da rede no segue mais a durao do pulso,
mas sim a dinmica que envolve o tempo de relaxao eltron-fnon que dado em
funo do tempo de relaxao do eltron na banda de conduo [42].

Figura 3.1 Valores observados do limiar de dano em funo da largura

temporal (=1053nm) para slica fundida e CaF2. Pode-se observar o desvio da relao
com o efeito trmico para pulsos abaixo de 20ps [42].

O grfico da Figura 3.1 mostra uma tendncia estabilizao do limiar de

dano para pulsos mais curtos, entretanto o valor no fica constante, haja vista que a
interao com pulsos mais curtos tem dinmicas de aquecimento dos eltrons diferente
e devem levar em conta outros processos relacionados dinmica de absoro.

Para pulsos ultracurtos, a densidade eletrnica na banda de conduo

tambm est diretamente relacionada ao aumento da absorbncia do material. Quanto
mais eltrons livres, mais energia absorvida pelo material. Ento, para se alcanar o
"rompimento do dieltrico" (Dielectric Breakdown) ou ablao do material dieltrico,
esse deve produzir uma grande densidade de eltrons livres perto da densidade crtica,
para que assim, haja energia suficiente para uma transformao de fase. A dinmica de

11
gerao eletrnica e a metalizao do dieltrico esto relacionadas aos mecanismos de
absoro da radiao pela matria, e devem ser explicada para a descrio adequada do
processo de ablao com pulsos ultracurtos.

3.2 Mecanismos de Absoro

Uma teoria que pretende explicar a gerao de dano ou o processo de

ablao em materiais dieltricos, que so transparentes radiao laser, deve explicar o
processo de absoro dessa radiao e o consequente processo de gerao dos eltrons
livres no material transparente.

Os mecanismos de absoro nos slidos so os seguintes [15]:

1. absoro interbanda, e contribuies dos eltrons livres em metais e

semicondutores;

2. transio interbanda e excitaes moleculares;

3. absoro por excitao coletiva (xcitons, fnons);

4. absoro devido s impurezas e defeitos.

Os eltrons livres tm um papel dominante no processo de absoro em

metais. J em materiais dieltricos, o principal mecanismo de absoro em baixa
intensidade na interao laser-slido a transio eletrnica interbanda.

No caso em que a energia do fton menor que intervalo interbanda do

material, transies eletrnicas so proibidas em primeira aproximao, o que
corresponde a um ndice de refrao com parte real bem maior que a parte imaginria. A
absoro da radiao pode ser aumentada com comprimentos de onda menores, os quais
possuem energia maior que o gap do material, ou se a intensidade da radiao incidente
grande o suficiente para que efeitos no lineares ocorram com maior probabilidade
como a ionizao multifotnica e ionizao por tunelamento.
Atualmente, os sistemas lasers de pulsos ultracurtos de bancada so capazes
de gerar facilmente intensidades da ordem de 1012 a 1018 W/cm2, e o campo eltrico
associado onda eletromagntica (109 a 1012 V/m) comparvel ao campo eltrico
Coulombiano (~1011 V/m para o eltron-1s do hidrognio) que prende o eltron ao
ncleo. Consequentemente, a interao no pode ser mais tratada como uma

12
perturbao fraca da matria irradiada com uma resposta linear. Ao invs disso, o
eltron "sente" o campo eltrico do laser que se sobrepe ao campo Coulombiano do
tomo [43]. Esse tipo de interao ultra intensa permite que esses processos de
fotoionizao no linear ocorram.

3.2.1 Ionizao multifotnica

A interao multifotnica torna-se possvel quando a densidade de ftons

alta o suficiente para que vrios ftons estejam no mesmo stio de interao espacial e
temporal simultaneamente.

Numa descrio semiclssica a situao equivalente a um campo eltrico

muito intenso da onda eletromagntica, que pode ser introduzida na Hamiltoniana do
slido em uma abordagem perturbacional. O campo Coulombiano gerado pelo tomo
que confina os eltrons perturbado e sofre uma deformao peridica [43].

Isso pode ser considerado como a gerao de um dipolo oscilante. Na

Hamiltoniana, a anarmonicidade aumentada leva ao acoplamento de dois autoestados da
Hamiltoniana no perturbada [43]. Os dipolos induzidos so equivalentes a uma
polarizao do meio, P, que proporcional apenas ao campo eltrico da luz, E, onde
a polarizabilidade do meio [43]:

Eq. 9

Para intensidades maiores, a anarmorcidade torna-se maior. Na teoria de

perturbao, isso representado pelo desenvolvimento em sries de potncias do campo
eltrico:

Eq. 10

as quais envolvem contribuies de maiores anarmonicidades do campo incidente,

como pode ser visto quando se usa o campo eltrico como: E=E0exp[i(t-kr)]. Na
Hamiltoniana, isto equivalente ao acoplamento de mais autoestados na funo
resultante. Para o caso da absoro, deve ser considerado que a energia do campo
eletromagntico dada pelo quadrado do campo, isto , a contribuio no linear
proporcional ao quadrado do respectivo termo na polarizao, pelo acoplamento da

13
parte imaginria da polarizao. Assim, a probabilidade para uma transio de n-fton
proporcional a n-sima potncia da intensidade incidente:

Eq. 11

Em experimentos de absoro, transies multifotnicas podem ser

identificadas em um grfico log-log da energia absorvida (taxa de ionizao) em funo
da intensidade. Linhas retas so ajustadas e o coeficiente angular indica a ordem do
processo, ou seja, o nmero de ftons absorvidos.

Num sistema real, a situao mais complexa devido s estruturas de

energia do material que contm a estrutura explicita de . Ou seja, ressonncias podem
aumentar a polarizabilidade diminuindo a no linearidade. Um exemplo importante no
caso desse trabalho o acumulo de defeitos por irradiaes precedentes que geram
canais de absoro de menor ordem e consequentemente diminuem o limiar de dano.

3.2.2 Absoro por tunelamento

No processo de ionizao por tunelamento o campo eltrico do laser

perturba a barreira Coulombiana que blinda o eltron na banda de valncia. Se este
campo eltrico for suficientemente intenso, a barreira Coulombiana (1011 V/m para o
tomo de hidrognio, correspondente a uma intensidade de 1016 W/cm2) pode ser
suprimida suficientemente para que o eltron ligado tunele atravs da pequena barreira e
se torne livre [43]. Com 10% dessa intensidade, o tratamento perturbativo j no mais
justificvel [43] e a ionizao por tunelamento se torna dominante no processo. A
transio da ocorrncia entre os processos foi expressa por Keldysh em termos do
parmetro adiabtico , tambm conhecido como parmetro de Keldysh [44], conforme
a relao abaixo:

mcn 0 E g
1/ 2

Eq. 12
e I

onde a frequncia, I a intensidade no foco, m e e so a massa reduzida e a carga

do eltron, n o ndice de refrao do material, Eg o gap da banda do material e 0 a
permissividade no vcuo. Quando o parmetro de Keldysh maior que 1,5, a

14
fotoionizao um processo multifotnico e quando inferior a este valor, o processo se
d por tunelamento. Um valor intermedirio de corresponde a uma mistura dos dois
processos.

A taxa de fotoionizao depende fortemente da intensidade do laser. No

regime de ionizao multifotnica essa taxa :

P( I ) AMF n I n Eq. 13

onde n o coeficiente de absoro multifotnica para n ftons. O nmero de ftons

necessrio o menor nmero n que satisfaz a relao n Eg . A taxa de tunelamento,

entretanto, cresce mais fracamente com o aumento da intensidade [45].

3.2.3 Ionizao por Impacto - Efeito avalanche

No processo de absoro por efeito avalanche, os eltrons livres na banda de

conduo podem absorver ftons nicos. Depois de uma absoro sequencial de n
ftons, onde n o menor nmero inteiro no qual satisfaz a relao n Eg , esses

eltrons so levados a nveis mais altos de energia na banda de conduo. A energia

excedente em relao ao nvel mais baixo na banda de conduo transferida por
coliso para um eltron na banda de valncia criando outro eltron livre [46]; este
processo chamado de ionizao por impacto e continua a ocorrer durante a interao
com o pulso. A densidade de eltrons, ne, na banda de conduo cresce de acordo com

Eq. 14

onde taxa de ionizao por avalanche de cada eltron.

Os eltrons excitados para a banda de conduo tm um livre caminho

mdio dado pela "curva universal" do livre caminho mdio inelstico em funo da
energia do eltron [47]. Apenas os eltrons que esto perto da superfcie da amostra tm
maiores chances de sair e escapar da superfcie por efeito fotoeltrico (Figura 3.2) e no
contribuem para o processo de avalanche. Esses eltrons que escapam da amostra
contribuem para um acmulo de cargas positivas na superfcie do dieltrico e so

15
responsveis pela ablao Coulombiana no trmica ocorrendo devido presena de
cargas na superfcie do material.

Figura 3.2 - Curva universal do livre caminho mdio do eltron para choques
inelsticos na banda de conduo. A regio mais escura mostra o intervalo de energia
dos eltrons que escapam da amostra. Adaptado de [47].

Ainda que seja um processo de absoro eficiente, o processo de ionizao

por avalanche necessita de alguns eltrons sementes na banda de conduo do
material para ser iniciado. Esses podem ser gerados por excitao trmica, por
impurezas inicas ou defeitos, ou podem ser gerados por absoro multifotnica ou
ionizao por tunelamento [44].

Bloembergen e colaboradores j usavam o modelo de efeito avalanche para

explicar a ionizao em dieltricos [48] por lasers de nano e picossegundos. Stuart e
colaboradores [42] mostraram que o modelo do efeito avalanche pode ser deduzido de
modelos mais complexos como a equao de Fokker-Planck [42]. Essa simplificao
define o efeito de ionizao por avalanche no qual a taxa de avalanche depende
linearmente da intensidade do laser (isto , I , onde o coeficiente de ionizao
por avalanche). O aquecimento dos eltrons na banda de conduo levado em conta
usando basicamente o modelo de Drude, levando tambm em considerao o modelo
de condutividade dependente da energia do eltron [42].

Historicamente, antes de experimentos com pulsos ultracurtos, no caso dos

dieltricos, era enfatizado que o principal processo de dano em materiais transparentes
16
devia-se ao efeito avalanche [28; 48], especialmente em comprimentos de onda no
infravermelho e infravermelho prximo. Esses argumentos se baseavam no carter
estatstico do limiar de dano induzido por laser, alm de similaridades com o limiar de
ionizao de dieltricos em campos de potenciais constantes DC [28] e a baixa
sensibilidade do limiar de ablao com o comprimento de onda na regio do visvel.

Mesmo num material dieltrico temperatura ambiente, estatisticamente,

existem eltrons excitados termicamente na banda de conduo. Estes eltrons servem
como sementes para o incio do processo de avalanche ou gerao de eltrons livres
no material. Como essa concentrao inicial de eltrons livres no material
relativamente pequena, ou pode variar aleatoriamente na regio de interao do laser
com o material, a iniciao do processo de dano tem um carter estocstico [48]. Assim,
o estudo experimental do limiar de ablao ou dano ptico para pulsos longos (maior
que algumas dezenas de ps) sempre foi complicado pela dificuldade de se encontrar um
limiar de ablao intrnseco do material livre de causas externas (calor, defeitos,
qualidade da superfcie) [15; 38]. Para pulsos de nanossegundos no infravermelho
prximo, o limiar de dano no tem um carter bem definido, pois o nico processo de
gerao de mais eltrons livres no material via processo avalanche, devido menor
intensidade produzida por esses pulsos.

A simples abordagem do modelo de ionizao por avalanche como principal

processo de absoro j foi muito criticada. Novos efeitos foram discutidos como o
aquecimento dos eltrons livres (absoro de fton pelos eltrons livres com criao de
fnons para a conservao de momento e subsequente aquecimento da rede) ou
aquecimento de plarons [28; 29].

No regime de pulsos ultracurtos, a ideia de um modelo estatstico de dano

baseado na probabilidade de um ou mais eltrons livres comearem o processo de
avalanche no mais usado, e se concluiu que mesmo absores multifotnica de altas
ordens podem prover uma grande quantidade de eltrons sementes para o processo de
avalanche [28].

No processamento de materiais, a absoro multifotnica funciona como um

gerador de dano determinstico, pois depende apenas da intensidade e da seco de

17
choque multifotnica. Isso permite um melhor controle de processamento e a
diminuio das flutuaes associadas s variaes do limiar de dano [42; 49].

3.3 Processos de ablao

A estrutura cristalina de materiais dieltricos e semicondutores permite que

a rede tenha eltrons quase-localizados como consequncia da condio de equilbrio
das ligaes interatmicas. Sendo assim, qualquer mudana na configurao eletrnica
influenciar fortemente a estabilidade cristalina do material [50]. Mesmo uma interao
mais rpida que o perodo de relaxao eltron-fnon pode gerar um desequilbrio da
rede. Antes que o material possa ser alterado termodinamicamente via um equilbrio
entre eltron e rede [51], possvel observar a ejeo de eltrons e ons da superfcie
[52; 53]. A ejeo de eltrons e o acmulo de ons perto da superfcie so responsveis
por um desequilbrio na estrutura cristalina e a consequente ejeo de ons do material.
Esse o chamado efeito Coulomb e responsvel pelo processo de ablao no
trmico.

Aps a relaxao eletrnica e transferncia da energia para rede, processos

termodinmicos so responsveis pela transformao de fase do material e caracterizam
a ablao trmica. Definem-se, ento, dois regimes de ablao: o de baixa e o de alta
fluncias. Em baixa fluncia ocorre somente o efeito Coulomb, enquanto que em alta
fluncia existe energia suficiente para mudana de fase e ablao trmica.

3.3.1 Efeito Coulomb - Ablao no trmica

A exploso Coulombiana guiada por mecanismos eletrnicos,

normalmente em rpidas transies estruturais (transformaes de fase no trmicas
[54]) e emisso [37] no trmica de cargas e partculas neutras. Muitas vezes, as
partculas emitidas tm uma grande energia cintica e distribuies angulares estreitas
na direo normal superfcie.

A remoo de material ocorre normalmente em algumas camadas atmicas

(poucos nanmetros). Os principais mecanismos da exploso Coulombiana so os
seguintes. Os ons ejetados da superfcie (por exemplo, alumnio e oxignio
provenientes da irradiao de safira por pulsos de fs [55]) observados em espectrmetro

18
de massa por tempo de voo mostram que os ons so ejetados com mesma energia
cintica e diferentes velocidades. Alm disso, ons com o dobro de carga tm
velocidades duas vezes maiores. Isso indica que esses ons foram arrancados e
acelerados pelo campo eltrico da superfcie. Portanto, o conceito de exploso
Coulombiana baseado no fato de que, devido emisso fotoeltrica, a superfcie
irradiada acumula uma grande carga positiva, e a fora de repulso excede a fora de
ligao da rede, resultando na desintegrao de uma camada da superfcie.

Numa considerao macroscpica da exploso Coulombiana suposto que,

sob certas circunstncias, a quebra das ligaes interatmicas e a desintegrao ocorrem
aps atingir um valor de limiar.

Para uma estimativa qualitativa do efeito fotoeltrico durante a irradiao

sero feitas as seguintes consideraes [19]: Supe-se uma distribuio estatstica dos
eltrons livres num dieltrico com um grande gap, no qual a energia de nvel de vcuo
(energia do eltron fora da amostra) bem prxima ao nvel mnimo de energia na
banda de conduo e apenas eltrons com momento na componente normal amostra e
perto da superfcie podem escapar para o vcuo. Para essa ltima considerao supe-se
que, em mdia, apenas metade dos eltrons que so excitados por absoro
multifotnica ou efeito avalanche podem escapar da amostra. Os eltrons que escapam
da amostra dependem do livre caminho mdio eletrnico na rede cristalina. Para as
energias envolvidas nesse caso, de poucos eV (5eV), de acordo com a "curva universal"
da Figura 3.1 o livre caminho mdio da ordem de ~ 50 nm e lfe corresponde ao
comprimento de escape de eltrons.

Assim sendo, uma estimativa da densidade do nmero de eltrons que

escapam da amostra nfe pode ser expressa por [19]:

Eq. 15

onde coeficiente de absoro multifotnica, n nmero de ftons para absoro no

linear, I a intensidade, o coeficiente do efeito avalanche, e so a densidade
de eltrons neutros e ionizados, respectivamente, e z a distncia superfcie.

19
 A equao de Poisson pode ser usada para calcular o campo eltrico
acumulado na camada de material que perdeu eltrons [37]:

Eq. 16

A estimativa para o limiar de ablao Coulombiana pode ser dada pelas

seguintes consideraes [56]: a densidade de energia volumtrica do campo eltrico
expressa como . O valor a energia do campo eltrico
correspondendo ao volume ocupado por um nico eltron de um tomo no
cristal, onde, a densidade de eltrons na banda de valncia por tomo. A energia
necessria para remover um tomo do alvo pode ser estimada do calor latente de
sublimao calculado para um tomo. Para a safira, por exemplo, essa energia
[56], que corresponde a aproximadamente 5 eV por tomo. Assim
o limiar aproximado de campo eltrico na superfcie :

Eq. 17

Para a safira Eth ~5 x 1010 V/m, no caso do ouro e silcio o campo menor,
sendo 2,76 x 1010 e 2,65 x 1010 V/m, respectivamente.

Essa considerao vlida para pulsos laser de femtossegundos onde a rede

permanece fria durante a ejeo de eltrons. Para pulsos mais longos, a rede aquecida
durante o pulso e deve-se levar em conta o aquecimento dos tomos da superfcie que
tem maior probabilidade de escapar do que os tomos frios, fato que pode diminuir o
limiar de ejeo de eltrons [37]. Assim pode-se escrever:

Eq. 18

Estudos sobre a exploso Coulombiana (EC) foram demonstrados

experimentalmente [23; 55; 57; 58] e teoricamente [37; 58] em metais, semicondutores
e dieltricos irradiados com pulsos de femtossegundos. Nas referncias [19; 59],
modelos foram aplicados considerando pulsos com 800 nm de comprimento de onda e
100 fs, e mostrou-se que a EC suprimida em metais e semicondutores para tipo de
20
regime de interao. Bulgakova e colaboradores mostraram que a ablao por EC foi
simulada em ouro, silcio e safira [37]. Estas simulaes utilizaram intensidades pouco
menores que o limiar de ablao trmica do material. Nessas intensidades, tanto no ouro
quanto no silcio, o campo eltrico gerado pela emisso de eltrons suprimido pelo
transporte de carga antes que se atinja o limiar do campo eltrico para EC. Nesse
mesmo trabalho foi constatado EC para pulsos de ns em silcio, mas com o uso de
comprimentos de onda no UV.

A gerao de campos eltricos intensos da ordem de 1010 V/m (limiar de

campo eltrico) foi detectada mesmo em metais, mas, nestes casos, lasers extremamente
potentes foram utilizados com intensidades da ordem de 1018W/cm2 [60]. Portanto, o
fato do limiar de intensidade para EC em metais e semicondutores ser muito maior que
os seus respectivos limiares de ablao trmica faz com que a aplicao do regime de
EC em que no existe efeito trmico seja restrito apenas aos materiais dieltricos. No
caso dos metais existe a regio de baixa e alta fluncia, na qual existe pouca ou grande
zona afetada pelo calor. Mas essas duas regies so caracterizadas pelo tamanho da
zona afetada pelo calor sendo menor ou maior que comprimento ptico de interao
dentro do metal (lei de Beer) [61], alm da influncia trmica do plasma para energias
de pulso mais altas.

3.3.2 Exploso de Fase - Ablao Trmica

A exploso trmica normalmente ocorre quando o material aquecido

acima de uma temperatura crtica. Esse processo pode ocorrer quando pulsos ultracurtos
so usados (~<1ps), e o aquecimento isocrico e o material pode expandir-se para
liberao da energia trmica armazenada. Esse processo conhecido como exploso de
fase ou ebulio explosiva, e tem sido relacionado ao processo de ablao em pulsos de
at ~10 ns [62].

No caso de pulsos ultracurtos, o aquecimento do material, decorrente da

transferncia da energia dos eltrons para a rede, ocorre numa taxa que depende do
tempo de relaxao eltron-fnon como visto na seco 3.1.2. No caso da safira, esse
tempo pode ser de ~1ps e na slica esse tempo ainda menor, da ordem de 100fs. Este
rpido aquecimento permite que ocorra a transformao de fase do material de uma

21
forma no convencional. Diferentes mecanismos so associados remoo de material
pelo aquecimento de pulsos ultracurtos, como exploso de fase [63- 68], espalao
(spalation) [66] e fragmentao [67; 68].

Perez e colaboradores [67], usando uma combinao de dinmica molecular

e mtodo de Monte Carlo, simularam em um material hipottico, quais seriam os
caminhos termodinmicos possveis no diagrama de fase em diferentes energias e
larguras temporais de pulso. A Figura 3.3 mostra esses possveis caminhos no diagrama
de densidade-temperatura (-T). Nesse grfico, as letras L e G representam a regio
lquida e gasosa, respectivamente, e L + G representa a existncia simultnea das duas
fases.

Figura 3.3 - Trajetrias termodinmicas de um material hipottico sob irradiao de

pulsos de fs (linha ponto-trao), ps (linha pontilhada), e ns (linha slida). Linha slida
fina (binodal); linha tracejada: espinodal; cruz: ponto crtico. L: lquido; G: gs. As
outras letras representam caminhos no diagrama de fase (veja texto), adaptado de [67].

A existncia de vrios mecanismos de ablao pode ser entendida pela taxa

de expanso do material aquecido e o subsequente resfriamento. O caminho percorrido
no grfico -T determinante para separar os diferentes tipos de ablaes trmicas. Isso
pode ser exemplificado considerando como o material atinge um ponto arbitrrio (W)
ao longo da binodal (existncia de duas fases simultaneamente) no grfico de -T da
Figura 3.3. Nessas altas taxas de transferncia de calor para a rede, um aquecimento
isocrico gera uma grande presso no material, e posterior rarefao durante expanso

22
mecnica. Em altas energias, o resultado da rpida expanso causa o rompimento do
fludo supercrtico atravs da fragmentao (AA''U) [68]. Este regime
caracterizado por uma regio ablacionada irregular constituda por trincas e ondas de
choque mecnicas devido violncia do processo ablativo. Entretanto, perto do limiar
de ablao, a expanso muito lenta para induzir fragmentao, mas capaz de levar o
sistema at o regime metaestvel (perto do limite espinodal) antes que ocorra a difuso
trmica (AA'WY), isto , atravs de um resfriamento adiabtico. Nesse caso
ocorre nucleao homognea convertendo o material superaquecido numa mistura de
lquido e gs (YZ), que uma transio de primeira ordem. Similarmente, durante a
irradiao com pulsos longos, o material responde a um aquecimento lento com uma
expanso lenta ao longo da binodal (CW), provavelmente at o ponto crtico x onde a
separao de fase ocorre via transio de segunda ordem. Contudo, para pulsos >100ns
a vaporizao ainda importante [62].

Consequentemente, deve existir uma durao de pulso "crtica" na qual a

exploso de fase suprimida. Essa situao ilustrada pela trajetria B B' W para
um pulso com durao intermediria (ps). Seguindo a curva de aquecimento no
isocrico o sistema esfria atravs do regime lquido-gs. Nesse caso, entretanto, a
expanso ocorre num perodo da ordem ou maior que o tempo caracterstico para
conduo de calor (th ~ 10-11s [69]). Como resultado o sistema resfriam ao longo da
curva binodal por difuso trmica, ou seja, no entra na regio metaestvel e a exploso
de fase no ocorre. Nesse caso, apenas as regies associadas expanso acima do ponto
crtico contribuem para ablao de massa (B V) atravs de fragmentao[67], mas
so necessrias energias de pulsos maiores.

Apesar da grande complexidade envolvida nos diferentes processos de

ablao, no caso do regime de exploso de fase (fs) possvel aplicar uma simplificao
para prever a temperatura de exploso de fase. Considerando-se o caminho
termodinmico esquematizado na Figura 3.4, o material encontra-se no estado slido e a
temperatura ambiente (0,T0); o rpido aquecimento isocrico leva o material para o
estado (0,Tsep) onde atinge a temperatura de separao; o material ento esfria
adiabaticamente (devido rpida expanso) seguindo aproximadamente a relao
; quando o material entra na regio binodal perto do ponto crtico, isso resulta
em instabilidades termodinmicas e na nucleao homognea. Temperaturas acima da

23
Tsep iro ablacionar o material, e temperaturas menores condensaro o material de volta
ao substrato[31] .

Figura 3.4 - esquema da trajetria aproximada do material entrando na zona de

instabilidade perto do ponto crtico

A temperatura de separao pode ser relacionada temperatura crtica pela

relao:

Miotello e Kelly [62] argumentam que para pulsos curtos o suficiente (<1s,
dependendo da energia), o rpido aquecimento leva o sistema a uma regio metaestvel
onde a nucleao homognea de bolhas de gs ocorre. No plano densidade-temperatura
(-T), esse processo pode ser representado pela curva KM da Figura 3.3.

3.4 Incubao

O processo de incubao est relacionado diminuio do limiar de ablao

pela interao de pulsos sobrepostos. Isto vem do fato de que ao incidir em uma regio
previamente irradiada, o pulso laser encontra uma regio de alguma maneira
modificada, e geralmente com limiar de ablao menor do que aquele em regies sem
irradiao alguma. Este fato ocorre mesmo para fluncias abaixo do limiar de ablao e
apresenta um efeito cumulativo at a ocorrncia de uma saturao. A dinmica dos
fenmenos que ocorrem na irradiao mltipla de pulsos explicada a seguir.

24
 A excitao eletrnica da banda de valncia para a banda de conduo pela
absoro do laser cria um plasma eletrnico formado por pares eltron-buraco no
material dieltrico. Esse plasma eventualmente eliminado pela recombinao desses
pares, entretanto, alguns pares podem escapar da aniquilao. Poucos eltrons podem
ser capturados por defeitos e impurezas na estrutura cristalina. Existe tambm a
probabilidade que o par eltron-buraco se separe para criar um defeito estvel com
estados de energia dentro no gap da banda do material, nesse caso, centros de cor.

A absoro por esses nveis interbanda provenientes desses novos defeitos,

seja por absoro linear ou multifotnica, contribuir para a gerao de eltrons na
banda de conduo pelo prximo pulso. Isso facilita a gerao de eltrons e o processo
de absoro da radiao pelo material diminuindo a energia de limiar necessria para
atingir a densidade eletrnica crtica para ablao. Isso ocorre porque pequenas
alteraes na estrutura dos nveis de energia em um material com grande gap interbanda
podem ter grandes influncias na seo de choque de absoro para altas no-
linearidades.

No caso de fortes acoplamentos entre eltrons e buraco na rede cristalina, o

portador de carga pode ser "autocapturado" (self-trapped) como um plaron no seu
prprio campo de distoro da rede. Um par ligado de eltron-buraco geralmente
descrito como um xciton auto aprisionado [70] (self-trapped exciton - STE) e so
considerados como precursores de defeitos estveis na rede cristalina na forma de
centros de cor [71]. Alguns autores tratam os prprios STE como defeitos transientes no
material [72] sendo que o tempo de vida mdio dos STE da ordem de poucos ns.

Uma rpida descrio da dinmica de incubao consiste na absoro de um

pulso pelo material dieltrico, e com subsequente criao de eltrons livres, porm em
quantidade insuficiente para promover uma mudana de fase, mas criando defeitos
estveis. O prximo pulso, com mesma intensidade, encontrar o material com uma
densidade de defeitos D, que inclui linhas de absoro interbanda no gap do material.
Agora o material no possui as mesmas caractersticas do encontrado pelo primeiro
pulso. As linhas interbanda aumentam a seo de choque multifotnica e
consequentemente a gerao de eltrons semente pelo segundo pulso. Isso permite
que esse segundo pulso excite mais eltrons livres que o primeiro pulso. Esse processo
ocorre at que no n-simo pulso, a excitao eletrnica, eventualmente, atinja o valor
25
crtico ncr e o material seja ablacionado. Portanto, o limiar de ablao de pulsos
sobrepostos menor que o limiar para pulsos nicos. Outra implicao dessa dinmica
que o nmero de defeitos aumenta exponencialmente at atingir uma saturao de
defeitos na rede em dieltricos.

Define-se a partir dessa dinmica o limiar de ablao para N pulsos

sobrepostos, Fth,N, introduzido por Ashkenasi e colaboradores [23]:

E
Eq. 19

onde e so os limiares de dano para pulso nico e para spulsos infinitamente

sobrepostos respectivamente. k um parmetro de ordem emprica (independente de N
em primeira aproximao) que caracteriza a sensibilidade do material para o acmulo de
defeitos e aumento da absoro de ftons. Quanto maior k, menor ser o nmero de
pulsos para alcanar a saturao de defeitos e do limiar de dano, isto , .

3.4.1 Safira Monocristalina

A safira (Al2O3) possui um grande gap de banda (8.8 eV), um poderoso

isolante e seu espectro de transmisso estende-se de 145 nm a 5.2 m sendo interessante
no uso de janelas pticas. Devido estrutura cristalina e outras propriedades fsicas, a
safira comumente usada como substrato para crescimento epitaxial de vrios materiais
de grande gap como os semicondutores III-V e II-VI compondo LEDs, detectores
infravermelhos, etc [73; 74]. Propriedades como alta dureza, baixa dependncia do
ndice de refrao com a temperatura, alta condutividade trmica, e alta transparncia
tornam a safira um material ideal para uso como matriz hospedeira de meios de ganho
laser. Safira pura incolor e no mostra nenhuma luminescncia, mas impurezas
mesmo a baixssimas concentraes (ppm), ou defeitos como centros de cor geram
grande luminescncia [75]. Diferentes tipos de centro de cor podem ser induzidos na
safira como centro de vacncias simples como F e F+ ou centros F2, F2+ e centros F22+
[76].

Aps a termalizao do plasma eltron-buraco na safira, alguns dos eltrons

podem ser capturados por defeitos ou impurezas, e, assim, excludos do processo de

26
recombinao com seus buracos. Como consequncia, a concentrao de buracos
termalizados h na zona afetada vai ser maior que a concentrao de eltrons
termalizados, o que leva predominante criao de centros F+, que so formados por
um nico eltron preso em vacncia de tomos de oxignio.

Evidncias desses centros de cor (vacncias de oxignio com dois eltrons

presos) foram obtidas em safira irradiada com eltrons, observando-se a luminescncia
em 300nm [77] ou em 315 e 413nm [78] mesmo o centro emitindo em 325nm.

Figura 3.5 - nveis de energia de defeitos em safira (adaptado de [77; 79]).

Na safira existem dois tipos de stios de aprisionamento: armadilhas de

eltrons rasas (baixas energias) e armadilhas de buracos (altas energias), com um nico
buraco que funciona como um centro de recombinao. A Figura 3.5 mostra o diagrama
de nveis de energia com as energias de absoro e emisso dos centros de cor.

3.4.2 Slica -Suprasil

O Suprasil Standard uma slica fundida (-SiO2) de alta pureza. Este

vidro ptico possui baixa concentrao de vacncias de oxignio, o que confere uma
alta transparncia no UV comparativamente a outros vidros pticos. tambm um
poderoso isolante com um gap de banda de ~ 9eV.

Estudos de luminescncia em slica feitos por Saeta e colaboradores [80]

identificaram dois principais tipos de defeitos em slica amorfa: os centros , que so

27
vacncias de oxignio na rede, e um segundo tipo que so tomos de silcio com uma
das ligaes pendentes.

Experimentos de absoro no UV em Suprasil irradiados com pulsos

ultracurtos feitos por Zoubir e colaboradores [81] mostraram bandas de absoro
induzidas pelos defeitos na rede do material. Um pico centrado em 214nm (5.8 eV)
atribudo a centros Si E', que corresponde a um eltron desemparelhado do tomo de
silcio ligado somente a trs tomos de oxignio ( Si). Outro pico encontrado em
248nm (5.0 eV) e corresponde banda B2 e atribudo deficincia de um oxignio e
duas ligaes desemparelhadas no tomo de silcio (=Si) [82]. O espectro de absoro
induzido tambm mostra a presena de picos em 190nm, que so atribudos a buracos
eletrnicos (STE) de um tomo de oxignio ( Si-O) gerando um pico em 6.1 eV. O
aprisionamento desses eltrons na banda de conduo em estados STE's tem sido
observado numa escala de 150 fs [83].

A Figura 3.6 mostra os nveis de absoro devido aos centros de cor gerados
por irradiaes precedentes.

Figura 3.6 Diagrama de energia mostrando as principais frequncias de absoro do

SiO2 pelos centros de cor.

3.4.3 Borosilicato - BK7

O BK7 um vidro ptico muito usado em componentes pticos de alta

qualidade. um vidro de Borosilicato do tipo "Crown" composto pelos seguintes

28
xidos: SiO2 (69.13%); B2O3 (10.75%); Na2O (10.40%); K2O (6.29%); BaO (3.07%);
As2O3(0.36%). Possui alta homogeneidade, alta resistncia a riscos e baixo coeficiente
de dilatao trmico. Outra razo para o uso desse material como componente ptico
sua excelente transmitncia do infravermelho prximo (2500nm) ao ultravioleta (350
nm).

A energia de gap do BK7 ~ 4 eV, isso significando que so necessrios

trs ftons em 800nm para gerar a absoro multifotnica, para que assim, eltrons
atinjam a banda de conduo e sejam multiplicados pelo efeito avalanche. Por outro
lado, na irradiao com pulsos ultracurtos, devido ao alargamento espectral pela
interao com o vidro ptico, efeitos no-lineares como a gerao de supercontnuo ou
mesmo a chamada gerao de escurecimento ("darkening generation" ) no BK7 so
responsveis pela absoro dos pulsos ultracurtos por dois ou apenas um fton [84- 86].

Diferentemente dos materiais citados anteriormente, o BK7 e alguns outros

vidros [87; 88] aps serem irradiado com pulsos de fs apresentam um largo espectro de
absoro no visvel devido a defeitos criados na matriz vtrea (veja Figura 3.7), e no
apenas bandas estreitas de absoro como na safira e no Suprasil na regio do UV. No
experimento feito por Stolze e colaboradores [89] o escurecimento de janelas de BK7
feito usando-se raios-x e o efeito de escurecimento claramente visvel na fotografia da
Figura 3.7. Esse escurecimento devido formao de centros de cor no BK7 [87].

Figura 3.7 -Imagem de uma janela de BK7 de 8 mm de espessura e 50 mm de dimetro

exposta raios-x em diferentes energias 150, 300 e 450 KeV (esquerda). Espectro de
transmitncia das regies irradiadas [87] (direita).

O escurecimento do BK7 ocorre tambm devido irradiao com pulsos

ultracurtos de 800nm. Os centros de cor foram claramente observados com intensidades

29
de [88], onde I0 a intensidade de limiar para dano ptico [88]. Porm,
mltiplas irradiaes de feixe focalizado na superfcie so usadas para criar centros de
cor e escurecer o BK7 [88], mas no observado o escurecimento perto da superfcie da
amostra onde a intensidade maior. Isso sugere que para intensidades baixas de induo
de defeitos, o processo de formao est relacionado absoro de comprimentos de
onda menores, gerados pelo supercontnuo. Isso ocorre porque o grau de alargamento
espectral gerado pelo supercontnuo proporcional ao comprimento de interao da
amostra com o meio (centenas de mcrons nesse caso). provvel que a gerao de
defeitos nessas intensidades s seja possvel com comprimentos de onda menores
gerados pelo supercontnuo muito abaixo da superfcie, no contribuindo para o efeito
de incubao [88] na superfcie. Assim, os defeitos, que poderiam ser responsveis por
um processo de incubao, tm um processo de formao mais eficiente poucos mcrons
abaixo da superfcie. Outra informao importante a facilidade com que os centros de
cor so destrudos no BK7. Em poucos minutos, temperatura de 150 graus Celsius,
possvel obter a recombinao desses defeitos [88].

30
4 Simulao da excitao eletrnica por pulsos ultracurtos

Os fenmenos fsicos apresentados anteriormente so essenciais para se

abordar o problema do dano ptico e ablao em materiais dieltricos irradiados com
pulsos ultracurtos. Todo esse contedo serve como base, direta ou indiretamente, para
os modelos encontrados atualmente na literatura para a descrio da ablao. Antes de
citar, e descrever alguns desses modelos, mostrado abaixo um resumo dos conceitos
fsicos que so considerados nos principais modelos de ablao por pulsos ultracurtos:

O mecanismo de absoro e o balano entre ionizao multifotnica e

por tunelamento (fotoionizao, gerao de eltrons semente);

Ionizao por impacto (efeito avalanche);

Variaes da Refletividade na superfcie devido aos eltrons livres

(metalizao da superfcie);

Termalizao eltron-eltron e a redistribuio da energia dentro da

banda de conduo (distribuio da energia eletrnica na banda de conduo);

Emisso fotoeltrica e acumulo de carga na superfcie (efeito Coulomb);

Armadilhamento de eltrons, tempos caractersticos nas armadilhas como

precursores de defeitos estveis (xcitons e "self-trapped" xcitons);

Formao de defeitos estveis e incubao (centros de cor em

dieltricos);

Espalhamento inelstico eltron-fnon e aquecimento da rede (relaxao

eltron-fnon);

Termalizao da rede e transformao de fase (transformao de fase

espinodal por ponto crtico).

Todos os modelos tericos que descrevem a absoro de pulsos ultracurtos

por materiais dieltricos compartilham o mesmo princpio: a quantificao da densidade
eletrnica ne em funo do tempo e da intensidade do pulso laser.

31
 Alguns modelos tericos tentam descrever a evoluo dos eltrons livres em
materiais dieltricos resolvendo equaes cinticas como a equao de Fokker-Planck
ou a equao de Boltzmann[17; 39; 90; 91]. No modelo de Stuart e colaboradores [39],
a equao de Fokker-Planck usada para descrever o comportamento da funo
densidade de probabilidade da energia do eltron f(,t) na banda de conduo. Ou seja, o
nmero de eltrons f(,t)d com energia cintica entre e + d no tempo t em funo
da forma temporal do pulso e sua energia. Historicamente, essa funo densidade dos
eltrons e a equao Fokker-Plank, foi derivada expandindo-se a equao de transporte
de Boltzmann em polinmios de Legendre [46], e assumindo que a funo f()
independente do tempo [39]. A derivao da equao cintica que descreve f() uma
equao de Fokker-Planck [92; 93], e pode ser derivada de argumentos fsicos evitando
envolver em manipulaes matemticas necessrias quando se introduz a integral de
coliso de Boltzmann no espao de fase tridimensional. Algumas das vantagens da
derivao com a equao de Fokker-Planck, exceto por alguns cortes de formalismo de
manipulao, que sua condio de aplicao bem conhecida. Outra vantagem a
quantificao da distribuio de energia eletrnica na banda de conduo, dada por
f(,t), que permite estimar com maior preciso o acoplamento de energia entre eltrons
e rede e a dinmica do efeito avalanche.

O problema da difuso eletrnica e da ionizao por impacto (efeito

avalanche) no caso de dieltricos submetidos a altas intensidades tem sido vastamente
estudado na literatura [29; 94], e clculos elaborados e simulaes computacionais tm
sido desenvolvidos.

Alguns aspectos do problema, como o balano relativo entre diferentes

janelas para produo de eltrons livres e aquecimento da rede (ionizao multifotnica,
ionizao por impacto, aquecimento dos eltrons livres, espalhamento eltron-fnon)
assim como a exata dependncia dos parmetros envolvidos, ainda esto em discusso
[95-97].

Para expressar a distribuio energtica dos eltrons na banda de conduo,

resultados prximos aos encontrado nas equaes de Fokker-Planck resolvidas por
Stuart foram demonstrados. Em um modelo mais simples baseado em equaes de taxa
chamado "Multiple rate equation" (MRE) foi possvel obter uma quantificao da
densidade eletrnica em funo da energia do eltron, bem prximas s encontradas por
32
Stuart. Esse modelo foi proposto por Rethfeld em 2004 [98] e consiste num sistema de
equaes de taxa acopladas onde cada equao do sistema descreve a densidade de
eltrons em diferentes nveis de energia na banda de conduo, excitados em diferentes
etapas do processo avalanche. Apenas os eltrons que atingem uma energia crtica na
banda de conduo contribuem com a ionizao por impacto e so multiplicados por
efeito avalanche. A abordagem dada por Rethfeld alm de mais simples didaticamente,
pode ser simulada numericamente com mais facilidade que o modelo com a equao de
Fokker-Planck.

Uma simplificao importante veio da soluo do modelo de Stuart

(equao de Fokke-Planck) e colaboradores [42], que mostra que o coeficiente de
ionizao por impacto depende linearmente da intensidade do laser, isto , I ,
onde o coeficiente de ionizao por avalanche. Stuart mostra que essa simplificao
vlida quando larguras temporais de pulso acima de 20 fs so utilizadas.

O uso de modelos dinmicos (Fokker-Planck) e modelos de equao de taxa

mais complexos como o MRE apresentados acima so necessrios quando regimes de
altas intensidades ou duraes muito curtas, inferiores a 20 fs, so utilizadas. Nesses
casos, a aplicabilidade de uma taxa de avalanche linearmente proporcional intensidade
duvidosa j que a considerao de uma distribuio energtica de eltrons na banda de
conduo no mais constante no tempo [94; 98]. Ou seja, para pulsos muito curtos
(<20 fs) no existe tempo suficiente para que os eltrons que so acelerados na banda de
conduo atinjam a energia suficiente para que ocorra a ionizao por impacto. Isso
torna o uso dos modelos de Stuart (modelo completo, Fokker-Planck) e Rethfeld
necessrios para descrever a dinmica da densidade eletrnica ne apenas em condies
nas quais o tempo de interao muito curto, ou a energia do pulso muito grande
(>10Fth).

Atualmente, o modelo mais simples utilizado pela maioria dos autores [99]
para estudar a taxa de remoo de material e o limiar de ablao, a equao de taxa
para a densidade de eltrons na banda de conduo que utiliza a aproximao do
coeficiente de avalanche dependente linearmente da intensidade (aproximao de
Stuart).

33
 Um modelo de equao de taxa simples para a quantificao da densidade
eletrnica foi simulado nesse trabalho e representado pela Eq. 20. Os resultados
puderam ser confrontados com dados experimentais e sero mostrados no captulo de
anlise dos resultados.

A equao da densidade eletrnica tem duas componentes, uma de bombeio

e uma de relaxao eletrnica (Eq. 20). A taxa de crescimento eletrnico proporcional
absoro multifotnica mais a taxa de ionizao por impacto, menos a componente de
decrscimo eletrnico. Essa ltima relativa ao tempo de relaxao eltron-fnon e
responsvel pela perda da energia eletrnica para a rede do material sob a forma de
calor ou irradiao. Esse mostrado no ltimo termo da Eq. 20.

As constantes necessrias para a simulao foram obtidas da literatura e so

apresentadas na Tabela 1. A densidade eletrnica na banda de conduo descrita pela
seguinte equao:

Eq. 20

onde a densidade de eltrons livres, o coeficiente de ionizao por impacto,

a intensidade em funo da distncia ao centro do feixe r, o coeficiente
de absoro multifotnica. na a densidade de centros ionizveis e o tempo de
relaxao eltron-fnon. m a ordem do processo.

A densidade de eltrons na banda de conduo provoca uma variao na

refletividade da superfcie do material. Essa refletividade pode ser descrita pelo modelo
de Drude para o ndice de refrao complexo e deve ser considerada na simulao da
interao do feixe com o dieltrico.

A refletividade do material, R, calculada como o mximo da refletividade

inerente do dieltrico (ou de "estado estacionrio" Ree) e a refletividade do vidro mais a
refletividade do plasma Rp: R(r,t) = max(Ree,Rp). Os dois valores de refletividade so
obtidos a partir do ndice de refrao complexo do material de acordo com a equao de
Fresnel:

34
 Eq. 21

onde n e k so as componentes reais e imaginrias do ndice de refrao. Na ausncia de

plasma, a parte real do ndice de refrao n = 1.47, e a refletividade , por exemplo,
Ree = 0,0362 para a slica fundida e para um determinado comprimento de onda. Como a
densidade de eltrons na banda de conduo influencia diretamente a parte real e
imaginria do ndice de refrao, esses so calculados por:

Eq. 22

Eq. 23

A funo dieltrica do plasma calculada de acordo com o modelo de

Drude [100]:

Eq. 24

Eq. 25

onde o tempo de relaxao do eltron, a frequncia do laser com c

sendo a velocidade da luz no vcuo e o comprimento de onda do laser. a
frequncia de plasma dada por:

Eq. 26

A constante e a carga do eltron, me a sua massa, e a permissividade

no vcuo.

35
 Define-se que, na densidade crtica, a frequncia de plasma igual
frequncia do laser [101]. Se em algum ponto no material a densidade crtica ncr for
atingida, uma poro do material ser ablacionada.

A partir das Eq. 21 e Eq. 26, evidente que a refletividade do material

depende de duas variveis, o tempo de relaxao do eltron na banda de conduo
(do modelo de Drude) e a densidade de eltrons. Jiang e Tsai propuseram um modelo
para calcular o tempo de relaxao eletrnico baseado no tratamento quntico do calor
especfico e temperatura dos eltrons [102; 103]. A partir da investigao da
dependncia do tempo de relaxao eletrnico e da densidade de eltrons na banda de
conduo ne, pode ser mostrado que a refletividade depende fortemente da densidade de
eltrons livres, uma consequncia da gerao do plasma. Em contraste, a refletividade
varia pouco em funo do tempo de relaxao para pulsos maiores que 10 fs.
Experimentos realizados por Linde e colaboradores [104] mostraram
experimentalmente que a refletividade induzida pelo plasma de eltrons em materiais
como a safira e a slica tem um mximo de aproximadamente 70%. Para que o modelo
apresentado reproduza os valores de refletividade medidos em [104], o termo das
Eq. 24 e Eq. 25 pode ser escolhido para ser igual a trs. Essa aproximao j foi usada
anteriormente por Burakov e colaboradores [105].

A densidade de eltrons livres foi calculada usando as constantes obtidas da

literatura mostradas na Tabela 1.

36
Tabela 1 - Valores das constantes encontradas na literatura para a simulao do modelo

m (fs) (1) Ref.

SiO2 4.5 6 60 3,34 [106]

BK7 1.2 3 60 2,26 [106]

Safira 6 6 1000 2,97 [99]

Na simulao, a intensidade do laser na superfcie do material descrita por

uma distribuio gaussiana no tempo e no espao do pulso laser:

Eq. 27

onde a durao do pulso laser (FWHM), o raio do feixe na

superfcie da amostra, R a refletividade da superfcie. A fluncia pico do pulso que
corresponde densidade de energia depositada na superfcie por rea, Fpico dada por:

Eq. 28

onde, Epulso a energia total de um pulso e o raio na cintura do feixe.

A Figura 4.1 mostra a variao temporal da intensidade de um pulso com

forma temporal Gaussiana, com fluncia pico de 6 J/cm2 e com 100 fs de largura
temporal (curva vermelha). Na mesma figura, a linha verde mostra a intensidade do
pulso simulada considerando a refletividade calculada pela Eq. 21, que leva em
considerao a densidade eletrnica gerada na superfcie do material. A curva (verde)
de intensidade incidente menos refletida responsvel pela excitao eletrnica. Ela
representa o termo da Eq. 20 no eixo ptico (r=0). A linha azul mostra a

1
unidade do coeficiente de absoro multifotnica: , onde m a
ordem do processo.

37
densidade eletrnica gerada pela absoro do laser. importante notar que apenas no
final do pulso existe absoro significativa de energia (curva azul). No entanto, no final
do pulso a densidade eletrnica aumenta muito a refletividade inibindo a absoro do
feixe at que o pulso se acabe, os eltrons, ento, so absorvidos pela banda de valncia
e aquecem a rede (relaxao eletrnica).

A simulao foi feita usando o mtodo Runge-Kutta no programa

Mathematica.

1,10E+014 2,00E+021

1,00E+014

9,00E+013
1,50E+021

Densidade eletrnica (cm )

8,00E+013

-3
Densidade eletrnica
Intensidade (W/cm )
2

7,00E+013

6,00E+013
1,00E+021
5,00E+013
Intensidade pulso
4,00E+013

3,00E+013
5,00E+020
(Laser) - (Refletido)
2,00E+013
19
1,00E+013 nc=4,1x10
0,00E+000 0,00E+000
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Tempo (fs)

Figura 4.1 - Simulao da intensidade do laser (linha vermelha) e intensidade do laser

no centro do feixe menos a intensidade refletida (linha verde) pelo plasma eletrnico do
material no Suprasil irradiado com um pulso de 100 fs e 6 J/cm2 de fluncia. A linha
azul representa a densidade eletrnica na banda de conduo em funo do tempo.

Para o clculo do limiar de ablao terico definiu-se que quando a

densidade eletrnica atinge a densidade crtica nc (veja Tabela 1) o material
ablacionado. A Figura 4.2 apresenta a densidade eletrnica mxima atingida na Slica
fundida (Suprasil) em funo da fluncia pico (no centro do feixe r=0) de pulsos de 100
fs.

38
 2,00E+021

1,50E+021
ne(cm-3)

1,00E+021

Dano
5,00E+020
19 -1
nc=4,1x10 cm

0,00E+000
0 2 4 6 8 10

Fluncia (J/cm2)

Figura 4.2 densidade eletrnica mxima na banda de conduo do Suprasil gerados

pela irradiao de um pulso com diferentes fluncias e 100 fs de largura temporal.

Na Figura 4.2 possvel observar uma diminuio na eficincia de gerao

de eltrons livres na banda de conduo da Slica quando a densidade eletrnica gera
uma alta refletividade do material. Como mostrado anteriormente, a diminuio na
eficincia de absoro explicada pelo aumento da refletividade devido ao aumento da
densidade do plasma eletrnico. Isso mostra que irradiaes com fluncia muito acima
do limiar de ablao (dobro) perdem em eficincia de absoro devido reflexo do
feixe. Como o limiar de ablao definido quando a densidade atinge um valor da
ordem de 4,1x1019 eltrons/cm3 na banda de conduo no caso da Slica. Ou seja, a
densidade crtica para ablao do material no igual a densidade da freqncia de
plasma que define a refletividade do material, mas tem um valor especfico para cada
material. Como mostrado nos valores de nc da Tabela 1.

Fizeram-se os clculos do limiar de ablao para os diferentes materiais em

funo da largura temporal de pulso como se pode ser visto na Figura 4.3.

39
 8

Suprasil
Bk7
Limiar de Ablao (J/cm2) 6
Safira

0 50 100 150 200 250 300

Durao do Pulso (fs)
Figura 4.3- a) Simulao do Limiar de ablao em funo da largura temporal.

Pode-se observar no grfico da Figura 4.3 que o limiar de ablao para o

BK7 mais dependente da largura temporal dos pulsos laser que o Suprasil e a safira.
Isso explicado pela maior influncia da absoro multifotnica comparado ao efeito
avalanche em larguras temporais mais curtas. Haja vista que no BK7, a seco de
choque de absoro multifotnica maior (trs ftons) que a seco de choque para o
Suprasil e a Safira (seis ftons, Tabela 1).

A maior taxa de crescimento do limiar de ablao do BK7 em funo da

largura temporal dos pulsos quando comparado com os outros materiais tambm
explicada pelo menor valor do coeficiente de absoro por impacto no BK7 (avalanche).
Isso ocorre, porque, conforme o tempo de interao da radiao com a matria aumenta,
maior o efeito de crescimento exponencial dos eltrons devido ao efeito avalanche.
Assim a eficincia na excitao eletrnica por esse efeito maior para a safira e o
Suprasil.

Como o Suprasil e a safira possuem coeficientes de absoro multifotnico

prximos (6x108 e 8x109 respectivamente), e a principal diferena entre a taxa de
crescimento do limiar de ablao em funo do tempo devido taxa de decaimento
eletrnico ser mais lenta na safira (~ 1 ps) que no Suprasil (100 fs). Como os eltrons

40
ficam mais tempo na banda de conduo eles podem ser multiplicados com maior
eficincia pelo efeito avalanche. Isso explica a menor taxa de crescimento do limiar de
ablao na safira em funo da largura temporal.

A simulao com a simples equao de taxa mostrou-se importante para um

melhor entendimento da dinmica de interao com pulsos ultracurtos por materiais
dieltricos. Foi possvel observar como o limiar de ablao depende da largura temporal
e como os diferentes canais de absoro influenciam nessa dinmica. Essa simulao
est comparada no captulo 8.3 com os resultados experimentais do limiar de ablao
em funo da largura temporal no BK7.

41
5 Tcnicas para a medida do limiar de ablao

Como visto nas sees anteriores, o limiar de ablao definido como a

menor fluncia (energia/rea) necessria para que ocorra a ejeo de material de um
substrato, e se mostra de suma importncia no estudo da absoro de pulsos ultracurtos
por materiais transparentes.

Mesmo se utilizando experimentos similares, os valores de limiar de ablao

da slica medido por diferentes autores [40; 41; 107-110] variam de 2 a 12 J/cm2 quando
irradiados por pulsos nicos, com ~100 fs e 800 nm de comprimento de onda.
Infelizmente a disperso dessas medidas maior que o valor absoluto do limiar de
ablao, e dificulta uma determinao precisa desse valor. Sanner e colaboradores [6]
atriburam essa baixa reprodutividade alta sensibilidade do limiar de dano s
caractersticas da superfcie do material irradiado. Em outro trabalho, Uteza e
colaboradores [111] mostraram que o valor varia de 5 a 11 J/cm2 para uma mesma
amostra, mas com diferenas apenas no tipo de polimento das superfcies irradiadas.
Bloembergen [48] afirma que diferenas do limiar de dano (Electric Breakdown)
entre a superfcie e o bulk (volume do material) em dieltricos se devem qualidade da
superfcie. O autor cita que, no s impurezas so responsveis por essa diferena, visto
que mesmo amostras limpas com tcnicas como bombardeamento com ons de argnio
ou limpeza qumica da superfcie so responsveis por valores entre 2 e 5 vezes
menores na superfcie. Essa diferena explicada pela topografia da superfcie, que cria
campos eletrostticos mais intensos em poros, ondulaes, riscos, pelo efeito de
acmulo de carga (efeito de ponta). Esse argumento foi provado com experimentos com
amostras de quartzo super polidas e mostrou limiares de dano iguais para a superfcie e
o bulk [112]. Neste ltimo caso os experimentos foram realizados com pulsos de
nanossegundos, e pode-se dizer que o efeito de acmulo de cargas mais aparente j
que o efeito avalanche o principal efeito de gerao eletrnica no material.

Esses argumentos mostram que efeitos extrnsecos ao material dificultam a

reprodutividade das medidas de limiar e um consenso sobre um valor confivel do
limiar de dano em dieltricos.

42
 Alm de efeitos da superfcie, a escolha do tipo de lente para as medies se
mostra essencial para uma padronizao das medidas do limiar de dano, visto que o raio
do feixe na superfcie da amostra menores que w<10 m resultam em um valor
superestimado do limiar de dano em at uma ordem de grandeza [111] dependendo da
lente. Esse efeito ocorre devido a rea irradiada que quando menor diminui a
probabilidade de eltrons excitados termicamente, ou por defeitos.

Em medidas do limiar de dano estatstico apresentados por Sanner [6],

foram medidas as probabilidades de dano em funo da fluncia do pulso. Neste
procedimento, amostras so irradiadas com pulsos nicos com diferentes fluncias
prximas ao limiar de dano. Mede-se ento a probabilidade de dano em funo dessas
fluncias. Sanner e colaboradores mostraram que mesmo para pulsos de 100 fs ocorre o
efeito estocstico do limiar de dano e so encontradas variaes desse valor, inclusive
num mesmo tipo de material e polimento, de at Fth=1,6 J/cm2 [6]. Nesse caso, a
repetibilidade do experimento no dependeria de condies externas, mas da dinmica
de interao que interfere no processo de ablao.

Independentemente dos fatores intrnsecos (efeitos estocsticos da excitao

termoeletrnica), as variveis controlveis dos experimentos so primordiais para a
padronizao dessas medidas e a melhor confiabilidade dos resultados. Nesse sentido,
diferenas na amostra como estado da superfcie, posicionamento e caractersticas do
feixe, bem como a metrologia e o critrio de definio de dano e ablao devem ser bem
controlados.

Com o objetivo de determinar o limiar de ablao dos diversos dieltricos

nesse trabalho, duas tcnicas foram usadas. A primeira tcnica, denominada de Tcnica
da Regresso do Dimetro (TRD), foi introduzida por Liu [20], bem conhecida e
comumente usada na literatura para encontrar o limiar de dano usando feixes gaussianos
de pulsos ultracurtos. A segunda tcnica, o mtodo D-scan introduzido por Samad e
colaboradores [27], permite a obteno do limiar de dano atravs de uma varredura de
pulsos, diferenciando-se do mtodo tradicional em vrios aspectos. Uma extenso da
teoria da tcnica D-scan foi realizada nesse trabalho [113], o que permitiu o uso do D-
scan para medida do limiar de dano de pulsos sobrepostos longitudinalmente. Esta
extenso da tcnica foi essencial para a aplicao da tcnica D-scan em materiais
dieltricos, haja vista que esses materiais so sensveis a irradiaes precedentes de
43
pulso. Alm disso, a sobreposio de pulsos intrnseca ao D-scan. Os dois mtodos
juntamente com a extenso da tcnica D-scan so apresentados a seguir.

5.1 Tcnica de regresso do dimetro

Nesse mtodo suposto que o limiar de dano depende apenas do material e

da sobreposio de pulsos. Assim, o dimetro das marcaes para pulsos nicos, ou
sobrepostos, focalizados na superfcie do material segue a distribuio de fluncia do
pulso gaussiano utilizada em cada marcao.

Para perfil Gaussiano com raio definido em da fluncia pico ,a

fluncia em funo da distncia r ao centro do feixe (Figura 5.1):

2r 2
F (r ) F0pico exp 2 Eq. 29
0

Figura 5.1 perfil gaussiano com raio definido a 1/e2 da fluncia mxima

Seja D o dimetro da regio danificada, ento essa regio ter sido

ablacionada por uma fluncia F(D/2) de acordo com a Eq. 29. Considerando que o
material s pode ser danificado com fluncias maiores ou iguais fluncia de limiar,
Fth, ento:

44
 2( D / 2) 2 D2
Fth F0pico exp F pico
exp 2
w02
0 Eq. 30
2w0

D2 D2 F0pico
ln Fth ln F0pico ln Eq. 31
2w02 2w02 Fth

F pico
D 2 2w02 ln 0 Eq. 32
Fth

A fluncia pico relacionada com a energia do pulso por:

w02 F0pico 2 E pulso
2 rF (r )dr E pulso F0pico Eq. 33
0
2 w02

A determinao do limiar de ablao obtida com as medidas experimentais

dos dimetros das regies danificadas, relacionando-se o dimetro ao quadrado D2 da
zona danificada como funo da fluncia F do laser no ponto de interesse. Os dados
para os quais o dano evidente (D2 > 0) so colocados de acordo com a funo de
correspondncia. A extrapolao da curva da Eq. 32 para D=0 no grfico do Dimetro
ao quadrado por Fluncia representa o valor da fluncia local absoluta e igual
fluncia de limiar de ablao para um pulso. Para a medida do limiar de dano para
pulsos sobrepostos Fth,N, o mesmo procedimento realizado para a sobreposio de N
pulsos em cada sitio de interao.

5.2 Tcnica Diagonal-Scan (D-Scan)

Aqui ser descrito um mtodo de medida do limiar de ablao chamado

Diagonal-scan (varredura diagonal) ou D-scan [27]. Esse trabalho descreve um mtodo
simples e prtico para a medida do limiar de ablao por pulsos laser ultracurtos. A
descrio terica da tcnica introduzida em [27], contudo, no levava em considerao o
efeito de incubao quando se tem pulsos sobrepostos. A principal contribuio do
presente trabalho foi a extenso da teoria do D-scan para a quantificao do limiar de
ablao em diferentes sobreposies de pulso e a comparao com a tcnica da
regresso do dimetro que estabelecida.

45
 Devemos supor nos clculos a seguir que na interface entre a regio
ablacionada e no ablacionada a intensidade do feixe igual ao limiar para ablao do
material (ablao de baixa fluncia, sem zona afetada pelo calor), e depende apenas da
intensidade do pulso, sem efeitos trmicos colaterais.

O procedimento experimental consiste em irradiar a superfcie de uma

amostra plana, variando-se simultaneamentes sua posies longitudinal e transversal, ou
seja, variando-se a distncia ao foco (eixo z) e a sua posio lateral (eixo y) ao mesmo
tempo (Figura 5.2.)

Figura 5.2 Irradiao da amostra com o laser de femtossegundos

deslocando a amostra nos eixos z e y simultaneamente (Adaptado de [27]).

Para calcular o limiar devemos primeiramente calcular a geometria da

intensidade do feixe, que nesse caso um feixe gaussiano ortogonal superfcie de
interao. Em coordenadas cilndricas, a distribuio radial de intensidade (densidade
de potncia) do feixe gaussiano dada por [27]:

2r 2 2

2 P0
I (r , z )
w( z ) 0
2
e w( z )2
P0 rI (r, z)ddr Eq. 34
, 0 0

onde P0 a potncia do pulso, r e z so as coordenadas radial e longitudinal do feixe,

w(z) o raio do feixe onde a intensidade cai com 1 / e 2 do valor de pico, e dado por:

46
 1/ 2 1/ 2
M 2 z 2 z 2
w( z ) w0 1 2
w0 1 Eq. 35
w0 z R

onde o comprimento de onda do laser, w0 o raio mnimo, M 2 o fator de

qualidade, e z R w0 /(M ) o parmetro confocal do feixe.

2 2

Com a definio dada na expresso da Eq. 34, a densidade de energia pico

do laser I(r = 0) = 2 I , onde I a intensidade mdia do feixe definida por:

P0
I Eq. 36
w2

que a mdia espacial de intensidade.

Numa certa posio z, (z=0 a posio da cintura do feixe) dada a

distribuio I(r) e a intensidade de limiar de ablao Ith, a intensidade do feixe nessa
regio ser igual regio de limiar de ablao em (z ) , que a zona afetada pelo
pulso, ento:

2 ( z )2

2 P0 ( z )2
I th e Eq. 37
w( z ) 0
2

Para reas r2 com 0 r , a intensidade local do feixe ser maior que Ith,
e o material ser ablacionado pelo feixe; para raios maiores que o raio de dano, isto , r
> , no haver ablao. O raio da rea ablacionada uma funo da posio do feixe, e
para determinar essa dependncia coordenada longitudinal z apenas se isola (z ) da
Eq. 37:

w( z ) 2 2 P0
( z) ln . Eq. 38
w( z ) I th
2
2

Na Figura 5.3, desenhada a expresso da Eq. 38 e o perfil do feixe w(z) ao

longo da direo longitudinal. Onde foi considerado P0 6 Pcrit , e define-se a potncia

crtica como:

47
 1
Pcrit ew02 I th Eq. 39
2

possvel demonstrar que o raio de ablao igual ao raio ptico na

posio simtrica em torno de z = 0, onde a mdia da intensidade do feixe :

1 2
I e I th 3.7 I th Eq. 40
2

A curva definida pela expresso da Eq. 38 simtrica em torno de zero, e

para potencias P0 Pcrit , esse grfico tem dois pontos de mximo. Quando pulsos

ultracurtos so usados em baixa fluncia, o raio de ablao varia em funo de z de

acordo com a expresso da Eq. 38. Se o calor transferido de regies mais centrais para
o material, o raio de dano (z ) no ter mais o contorno de I th .

O dano no material comea a aparecer onde a intensidade local do feixe

igual ou maior que Ith, para uma posio longitudinal , onde .
Resolvendo a equao, tem-se:

2 P0
z0 1 Eq. 41
w02 I th

Figura 5.3 Grfico para . O plano representa a superfcie da

amostra irradiada. As linhas +w(z) e w(z) representam o raio do feixe onde a
intensidade tem 1/e2 do pico; as linhas +(z) e -(z), representam o raio de zona de
interao com o feixe. Adaptado de [27].

48
 Se a amostra deslocada longitudinalmente entre , a ablao
ocorre.

Derivando a expresso da Eq. 38 e igualando a zero, o mnimo e o mximo

da funo so encontrados. Devido simetria de w(z), o ponto de mnimo ocorre em z =
0, e o de mximo ocorre em com

2 P0
z0 1 Eq. 42
ew02 I th

Pode-se facilmente mostrar que o raio de dano mnimo, min e o mximo,

max , so:

1 2 P0
min ( z 0) w0 ln
2 w02 I th
Eq. 43

1 P0 P
max ( z ) 0.342 0 Eq. 44
e I th I th

Isolando o limiar de ablao da Eq. 44:

P0 P0
I th 0.117 Eq. 45
e 2
max max
2

A ltima expresso para o limiar de dano I th , simples, dependendo apenas

de dois parmetros: o mximo raio, max , e a potencia do laser P0 . Movendo a amostra

longitudinalmente atravs do feixe, comeando de uma posio z onde no h ablao,
para uma posio +z depois que a ablao para, o raio mximo da rea afetada ser
max , que pode facilmente ser medido. Nenhum outro parmetro geomtrico do feixe
laser ser necessrio.

Para calcular a fluncia de limiar simplesmente multiplica-se a equao

anterior pela largura temporal do pulso, assim, obtendo-se:

49
 E0 E0
Fth 0.117 Eq. 46
e 2
max max
2

O mtodo D-Scan supe que a rea ablacionada corresponde regio que

foi irradiada com intensidade igual ou maior que a intensidade de limiar. Porm, como
j foi estudado, o limiar de dano depende das irradiaes precedentes dos pulsos (efeito
de incubao), e a ablao do material com sobreposio de pulsos poder ablacionar
material mesmo abaixo da intensidade de limiar. Sendo assim preciso determinar
tambm a sobreposio utilizada nessas irradiaes.

A seguir ser mostrada a contribuio terica desse trabalho tcnica D-

scan.

Nesse caso ser considerada a sobreposio de pulsos longitudinal, j que a

rea ablacionada corresponder a uma varredura de pulsos na direo y como mostrado
na Figura 5.2.

Para determinar a fluncia do limiar de ablao para pulsos sobrepostos,

Fth,N, a sobreposio de pulsos que ablacionada max na posio precisa ser conhecida.
Supe-se que a sobreposio N na posio dada pela soma das intensidades geradas
nesse ponto por todos os pulsos que atingem a amostra durante uma varredura de D-
scan, normalizado pela intensidade do pulso centrado em Ento, para
determinar N, inicialmente calcula-se a intensidade gerada numa posio (,q) por um
nico pulso na posio (y,0), como indicado na Figura 5.4. Nessa figura, o eixo y
paralelo superfcie da amostra, e o eixo z, o eixo do feixe que transversal
superfcie. A distncia q do eixo y usada por generalidade.

Figura 5.4 - Coordenadas para derivao da sobreposio.

Quando um pulso atinge a amostra na posio y, esse tem uma cintura de

50
feixe w(z) dada pela Eq. 35 e uma distribuio de intensidade dada por pela Eq. 34
A intensidade gerada pelo pulso na posio y em (,q) ento:

q 2 ( y )2
2
2 P0
I ( q, y , z ) e w( z ) 2
. Eq. 47
w( z ) 2

Considerando-se agora que no tempo t0=0 um pulso atinge a amostra em

y=gerando a intensidade I(q, , z). Nesta posio, o feixe causa uma ablao com um
perfil mximo, max, e por definio, a amostra est localizada na posio z=no eixo
longitudinal, e consequentemente sua intensidade em q I(q, , ). O prximo pulso
atingir a amostra aps um intervalo 1/f, onde f a taxa de repetio, quando a amostra
se desloca de vy/f e vz/f nas direes y e z, respectivamente, com vy e vz sendo o a
velocidade de deslocamento nessas direes. Entretanto, a intensidade gerada em q pelo
vy
I (q, n , n f ) , dada por:
vz
n-simo pulso ao atingir a amostra I t 0 f
n
f

nv y 2
q 2 ( )
2
f

2 P0 w( f )
nv z 2

I t0 n e , Eq. 48
f
w( nv z 2
f
)

e a intensidade total em q, ITot, ser ento:

nv y
q 2 ( )2
2
f

2 P0 1
I
w( f z
nv
)2
I Tot t0
e . Eq. 49

n

n
f
n w( nvf ) 2 z

Para resolver a soma mostrada na Eq. 49, vamos considerar que o dimetro
do feixe no muda consideravelmente em torno de e pode ser considerado constante e
igual a w(Essa aproximao considera que as velocidades de deslocamento
transversal vy , longitudinal vz e o tamanho do foco devem ser escolhidos de tal maneira
que se produza um perfil de ablao alongado. Para isso as velocidades na direo y e z

devem ser ajustadas para que max , ou seja, vz v y durante a varredura e

variao do tamanho das marcaes adjacentes feitas por cada pulso seja minimizada

(ou ).

51
 Ainda, a aproximao leva em considerao que os pulsos, os quais tem
uma distribuio de intensidade espacial gaussiana contribuem pouco na posio (,q)
quando esses se afastam de uma distncia de poucos dimetros de feixe w da posio .

Substituindo a Eq. 45 em Eq. 42 temos:

2
max z0 1 Eq. 50
w02

e substituindo essa ltima na Eq. 35 temos:

1/ 2

2
2 2
( ) w0 1 max
1 2 max Eq. 51
w02

Como:

( ) 2 max Eq. 52

a equao Eq. 49 pode ser reescrita como:

2
q2 vy 2
n
P0
max
e f max
2
I Tot e
. Eq. 53
2
max n

Para obter a sobreposio N, a Eq. 53 tem que ser normalizada pela

intensidade I0 de um nico pulso centrado em Substituindo n=0 na Eq. 48 nos d o
valor de I0, o qual o termo da esquerda na somatria na Eq. 53, e consequentemente, a
razo N=ITot/I0 simplesmente:
2
vy 2
n

I Tot
N e f max
. Eq. 54
I0 n

O somatrio na equao Eq. 54 uma das definies da funo Teta de

Jacobi 3(,), permitindo que a equao seja reescrita como [113]:

52
 2

vy

N 3 (0, e Eq. 55
f max

),

Como vy/(f max) sempre positivo, o segundo argumento da funo theta de

Jacobi na Eq. 55 pode ser assumido como estando entre 0 e 1, e N limitado de 1 a
infinito, como esperado. Para altas taxas de repetio ou pequenas velocidades de
deslocamento, vy/(f max) 0 e o segundo argumento de 3 se aproxima da unidade;
nesse limite a funo theta de Jacobi para argumentos reais pode ser aproximada por:

3 (0, x) , para x 1. Eq. 56
1 x

Substituindo a identidade mostrada na Eq. 56 e na Eq. 55 simplifica-se para:

f max f vy
N 1.8 max , para 0, Eq. 57
vy vy f max

resultando em uma simples frmula para a determinao da sobreposio de pulsos na

posio a partir dos dados experimentais. Para altas velocidades de translao ou
pequenas taxas de repetio, vy/(f max) tende ao infinito e a Eq. 57 no mais vlida;
nesse caso a Eq. 55 deve ser usada resultando em um valor de N prximo de 1, como
esperado em sobreposies de poucos pulsos. Na Figura 5.5, mostrada a comparao
entre os valores calculados pela Eq. 55 e Eq. 57. Nessa figura, a linha vermelha o
clculo usando a funo Teta de Jacobi, Eq. 55, e a linha tracejada apresenta os
resultados para Eq. 57. Pode ser visto que eles divergem quando vy/(f max)>1, diferindo
por menos de 2,5% para valores desse argumento abaixo de 1,5. Isso mostra que a Eq.
57 pode ser usada para sobreposies acima de 2 pulsos.

Para garantir a validade da aproximao que considera o dimetro do

feixe constante na vizinhana de a Eq. 54 foi calculada numericamente para o caso no
qual o ndice do somatrio n limitado no intervalo de -m a m. Isso representa a
sobreposio de 2m+1 pulsos, e o resultado para m=1, 10, 100 e 1000 so mostrados na
Figura 5.5 pelas linhas azuis. Pode ser visto que a soma finita somente diverge da
funo (soma de - a +, linha vermelha no grfico) quando a sobreposio N
maior que m. Isso significa que somente 2m+12N pulsos devem ser considerados para

53
obter a sobreposio de N pulsos na posio uma vez que as condies experimentais
(velocidade de deslocamento, dimetro do feixe) para a gerao de um feixe alongado
seja satisfeita, esses 2N pulsos esto imediatamente na vizinhana de , e pulsos mais
distantes no contribuem significativamente para o efeito de incubao nessa posio.

A sobreposio N definida aqui pela Eq. 55 no a mesma usada pelo

mtodo tradicional, no qual os N pulsos esto completamente sobrepostos. Entretanto
admite-se que essas condies so equivalentes uma vez que o resultado numrico de
considerar um nmero finito de termos na Eq. 54 demonstra que somente pulsos
imediatamente na vizinhana de tm que ser considerados para se obter a
sobreposio com o mtodo D-scan, numa condio similar ao mtodo tradicional.
Adicionalmente, apresentou-se uma definio numrica que permite uma sobreposio
fracionada, significando que pulsos deslocados da posio tem uma contribuio que
adiciona linearmente ao efeito de incubao nesse ponto.

Figura 5.5 - a linha vermelha o clculo usando a funo theta de Jacobi, Eq. 55. A
linha tracejada apresenta os resultados para Eq. 57. As linhas azuis mostram o calculo
de N usando a Eq. 54 no intervalo de -m a m. Onde m=1, 10, 100 e 1000.

Usando a hiptese anterior, a determinao da fluncia de limiar necessita

apenas da execuo de uma varredura de D-scan na amostra e a medida da regio de
mxima ablao transversal; o uso das expresses Eq. 46 e Eq. 55 do o valor de limiar
Fth para N pulsos sobrepostos, quantificando o efeito de incubao nessa condio.

A principal hiptese desse trabalho afirma que a o limiar de ablao

encontrado com a tcnica D-scan e Tradicional so equivalentes, e que a quantificao

54
da sobreposio de pulsos na tcnica D-scan permite a equivalncia entre as tcnicas.
Essa hiptese foi testada e mostrada nesse trabalho para diferentes materiais.

55
6 Arranjo Experimental

Os experimentos utilizaram dois sistemas lasers diferentes em diferentes

perodos da realizao desse trabalho. O primeiro sistema foi um laser de Ti:safira de
femtossegundos amplificado pelo mtodo de amplificao por varredura de frequncia
(Odin Quantronix) que gera continuamente na sada do amplificador pulsos de 35 fs
(FWHM) com ~30 a 40 nm de largura de banda (FWHM) centrados em 800 nm com
taxa de repetio de 1000 Hz e energia menor <1 mJ. Esse primeiro sistema apresentou
flutuaes da energia dos pulsos em mais de 40% rms durante seu funcionamento. Esse
problema foi resolvido indiretamente e no atrapalhou nas medidas dos limiares de dano
e ser detalhado adiante. Logo aps alguns ensaios, esse laser foi substitudo por um
novo sistema mais estvel e garantiu uma maior repetibilidade da energia dos pulsos. O
novo sistema tambm um laser de Ti:safira de femtossegundo amplificado pelo
mtodo de amplificao por varredura de frequncia (Femtopower Compact Pro CE-
Phase HP/HR da marca Femtolasers) que gera continuamente pulsos de 25 fs (FWHM)
centrados em 775 nm com 40 nm de largura de banda (FWHM), taxa de repetio
mxima de 4 kHz e energias mxima por pulso de 750 J.

O feixe foi gerado no laboratrio T3 (Table-Top-Terawatt) no Centro de

Lasers (CLA) e Aplicaes do IPEN e percorreu aproximadamente 30 m (Figura 6.1)
at o sistema de guiamento de feixe existente no laboratrio de aplicaes industriais do
CLA. Nesse sistema, o feixe, polarizado linearmente, foi centrado em uma ris de 12
mm de dimetro. Aps passar por um obturador pneumtico controlvel, o feixe teve
seu dimetro reduzido em duas vezes por um expansor invertido para que pudesse ser
compatvel com uma ptica de 6 mm de dimetro livre. Para o controle da intensidade
na amostra, foi usada uma placa de meia onda para girar a polarizao seguida de um
polarizador Glan-Thompson para atenuar componentes perpendiculares ao polarizador.
A parte do feixe que atenuada pelo polarizador desprezada. Os pulsos ento sofrem
quatro reflexes consecutivas em dois espelhos (Chirped Mirror) que compensam parte
da disperso positiva adquirida durante a propagao pelo ar e pelos componentes
pticos. Mais compensao de disperso foi introduzida pelas grades de difrao na
sada do amplificador, pois os espelhos de correo no foram suficientes para
compensar toda a disperso positiva. Para evitar anisotropia da regio ablacionada

56
durante a usinagem, uma placa de 1/4 de onda foi usada para tornar o feixe
circularmente polarizado. Aps algumas reflexes em espelhos de guiamento, o feixe
foi focalizado na amostra de dieltrico. Nos mtodos com a TRD e D-Scan foram
utilizadas duas lentes com comprimento focal de 50 e 38 mm, e uma objetiva da marca
Mitutoyo do tipo long working distance com abertura numrica de 0,42 e distncia
de trabalho de 20 mm e comprimento focal 4 mm. Para as medidas e usinagem, o
posicionamento da amostra foi feito por um sistema CNC X-Y e mais um eixo de ajuste
em Z manual, ambos com preciso micromtrica [114].

Figura 6.1 Arranjo tico do sistema de entrega do feixe e visualizao.

Caracterizaes espaciais do feixe laser: A determinao do limiar de dano

usando a tcnica de regresso do dimetro, assim como o processo de usinagem
necessitaram do conhecimento das dimenses do feixe e da distribuio da energia
sobre a superfcie da amostra. Para isto, a propagao do feixe foi caracterizada pela
utilizao de um analisador de feixe da marca Coherent. Isto foi feito no foco, em
campo prximo e em campo distante usando uma lente de comprimento focal longo

57
(500 mm). A Figura 6.2 mostra o perfil espacial do feixe na regio do foco quando
focalizado com a lente de 500 mm.

Figura 6.2 - Perfil espacial do foco do feixe laser focalizado por uma lente de f=500
mm. O perfil se aproxima muito de um perfil Gaussiano.

A introduo de uma ris de dimetro de 12 mm no caminho do feixe laser

transformou o perfil gaussiano e perturbou o perfil do feixe no foco. Este perfil se
transformou em uma distribuio quase Gaussiana com uma leve ondulao ao redor
do centro [115] (veja Figura 6.2). Por terem pouca intensidade, estas ondulaes podem
ser desprezadas para os casos de ablao de materiais dieltricos. Assim, foi preciso um
cuidado especial para se manter a superfcie irradiada o mais prximo possvel do foco
para que a mesma distribuio espacial fosse mantida para a medida do limiar de dano e
para as usinagens.

Estimativa da fluncia: Considerando-se o modelo de propagao de um

feixe gaussiano, o valor terico do raio do feixe na superfcie [116]

w0= 2M2L / (.0)) Eq. 58

onde M2 o fator de qualidade do feixe, o comprimento de onda do laser, L o

comprimento focal da lente e0 o dimetro do feixe na entrada da lente.
58
 A quantificao da fluncia na amostra usando a Eq. 58, quando essa
posicionada na cintura do feixe, pode no ser precisa. Isso ocorreu por motivos
experimentais de dificuldade prtica em encontrar a posio da cintura do feixe, visto
que as lentes utilizadas (38 mm na maioria dos experimentos) possuem um parmetro
confocal de aproximadamente 170 m. No caso deste trabalho, esse posicionamento
primordial para a correta quantificao da fluncia na superfcie da amostra e deve ser
feita de forma precisa, ou seja, com preciso de pelo menos 10% do intervalo de
Rayleigh.

Nesse sentido, o posicionamento da amostra perto da regio focal foi feita

da seguinte maneira: a energia dos pulsos e a taxa de repetio foram ajustados para 100
J e 4 kHz respectivamente, nessas condies possvel visualizar a formao de
plasma no ar, ento, a superfcie da amostra posicionada manualmente prxima ao
ponto luminoso, visvel atravs dos culos de proteo. A energia dos pulsos ento
diminuda para 20 J e a taxa de repetio baixada para 5 Hz. Seguidamente so feitas
irradiaes sobrepostas de 5 pulsos em diferentes posies no eixo x e no eixo z com
deslocamentos de 50 m e 20 m respectivamente, veja Figura 6.3.

Figura 6.3 Exemplo do procedimento usado para posicionar o foco na superfcie da

amostra (para uma melhor visualizao, mostrado uma amostra de ao). As posies
focal e lateral so deslocadas, ento a posio focal de menor marcao usada para
realizao dos experimentos.

59
 Como cada marcao corresponde a uma posio focal diferente em torno
da posio ajustada manualmente, foi possvel encontrar, atravs de um microscpio, a
menor marcao que corresponde irradiao com o w o mais prximo possvel de w0
(cintura do feixe). Este plano focal ento usado no procedimento para irradiaes no
foco com o mtodo tradicional e para a usinagem dos microcanais. Esse procedimento
funcionou para encontrar as marcaes pela cintura do feixe com amostras dieltricas e
foi utilizado na maioria dos experimentos desse trabalho. A energia e o nmero de
pulsos usados neste procedimento podem variar dependendo do tipo de material usado.
possvel observar a formao de anis nas regies fora do foco, mostrando que,
quando o feixe passa pela ris existe efeito de difrao do feixe, justificando o uso do
feixe apenas na regio perto do foco na qual o perfil mais prximo do perfil
Gaussiano.

Caracterizao Temporal: Os pulsos curtos utilizados no experimento

possuem uma banda de espectro de 40 nm. E a forma temporal de uma secante-
hiperblica. A transmisso desses pulsos atravs de alguns metros de ar e elementos
pticos dispersivos causa a disperso positiva e alarga-os temporalmente. As larguras
temporais tanto na sada do laser quanto no laboratrio a 30 m de distncia foram
medidas com um autocorrelador de pulso nico modelo SSA-F da Coherent inc. Mesmo
com os "Chirped Mirros" (Figura 6.2) ocorreu disperso positiva e mostrou-se um
alargamento temporal do feixe, de 25 fs na sada do laser para 56 fs na superfcie da
amostra devido ao caminho ptico percorrido pelos pulsos. A largura foi de 100 fs sem
os dois chirped mirrors. Para corrigir esse problema, em alguns casos, a largura
temporal foi controlada mudando a distncia entre as grades de difrao do amplificador
e mudando os atrasos de fases dos pulsos permitindo que o feixe chegasse com
aproximadamente 35 fs na superfcie da amostra no laboratrio de aplicaes
industriais. Quando os experimentos foram realizados no laboratrio T3 com apenas
poucos metros de distncia do laser a largura temporal usada foi de 25 fs.

Alm da disperso por atraso de fases, efeitos no lineares gerados pelas

altas potncias pico so responsveis pela autofocalizao do feixe. Esses tambm so
responsveis pela absoro no linear e a gerao de harmnicos, os quais provocam
distores espaciais e temporais dos pulsos. Aberraes, causadas por esses fenmenos
quando o feixe ainda se propaga pelo ar, podem influenciar no processo de ablao

60
quando esses pulsos atingem as superfcies das amostras. Para evitar esses tipos de
problemas, em todos os experimentos de irradiao com o foco do feixe perto da
amostra, a densidade de potncia I do feixe no ar foi mantida abaixo da densidade
crtica (I < Icritica,ar GW/cm2).

Como mencionado na introduo desse captulo, foram utilizados dois lasers

de diferentes marcas. O desvio padro da energia dos pulsos laser no primeiro sistema
laser, a partir de certo momento, foi maior que 40% rms. Essa instabilidade no
acarretou maiores problemas, pois foram feitas medidas individuais da energia de cada
pulso que irradiou a amostra e isso garantiu um menor nos resultados. Neste caso, a
incerteza foi relacionada apenas com o fotodetector do tipo piroeltrico que mede a
energia individual dos pulsos. No segundo laser, a energia dos pulsos teve alta
repetibilidade. A flutuao foi menor que 5% rms, permitindo o uso de um detector de
potncia, sendo que o valor da energia medido correspondeu potncia mdia dividida
pela taxa de repetio dos pulsos. A potncia mdia do feixe foi constantemente
controlada durante os experimentos por um medidor de potncia para evitar possveis
erros sistemticos gerados por um algum desalinhamento do sistema ptico de gerao e
entrega dos pulsos.

Tcnica da Regresso do Dimetro (TRD): Para a medida de limiar de

ablao, a superfcie da amostra foi irradiada com energia do pulso laser que foi
aumentada pouco a pouco. Esta variao de energia foi realizada em um largo intervalo
com incrementos pequenos, o que permitiu uma precisa determinao do limiar de
ablao para pulsos nicos. Para cada energia foram realizadas seis irradiaes em
diferentes regies da amostra, mantendo sempre o cuidado de posicionar a irradiao
distante da zona afetada pelo feixe anterior. O deslocamento da amostra foi feito de
maneira precisa atravs da mesa CNC de preciso micromtrica. O posicionamento foi
monitorado por um sistema de visualizao em tempo real do local constitudo por uma
objetiva acoplada a uma cmera CCD (veja Figura 6.1). O nmero de pulsos sobre o
alvo foi controlado por um obturador mecnico e por um seletor de nmero de pulsos.

Para examinar as amostras aps a irradiao e verificar a existncia de

possveis danos, foi utilizado um microscpio ptico da marca Leica com um aumento
de 500x para a anlise desses danos. O dano foi definido como qualquer modificao

61
visvel permanente sobre a superfcie. O menor dano observado foi de
aproximadamente 5 m de dimetro.

Usando as imagens digitais obtidas dos danos causados por diferentes

energias de pulsos foi possvel medir os dimetros das marcaes para diferentes
energias. O programa ImageJ permitiu a medida dos dimetro dos danos atravs da
medida do nmeros de pixels correspondentes aos dimetros na imagem, e o nmero de
pixel/m foi medido atravs de uma imagem de calibrao que correspondeu a uma
imagem com a mesma ampliao de um filme gravado numa escala micromtrica
fornecida pelo fabricante do microscpio.

O valor utilizado para os clculos foi a mdia das seis irradiaes para cada
energia e os respectivos desvios padres. Os dados foram ajustados num grfico mono-
log (D2 x Fluncia). A partir do ajuste da Eq. 37 foi possvel calcular o raio do feixe w
que proporcional ao coeficiente angular da reta no ajuste. A partir desse valor medido
de w, as fluncias foram recalculadas e corrigidas; um novo grfico de D2 x Fluncia foi
ento gerado e o limiar de ablao corrigido pode ser calculado.

As medidas de profundidade e de volume dos canais usinados foram feitas

atravs das imagens obtidas por OCT (Tomografia por Coerncia ptica) da marca
Thorlabs e modelo 930 sr localizado no laboratrio de OCT do Centro de Lasers e
Aplicaes do IPEN.

Limpeza: Um dos parmetros crticos que influenciam a medida do limiar de

ablao a limpeza da amostra. Impurezas na superfcie da amostra aumentam o
nmero mdio de eltrons livres na regio de irradiao, ou causam um acumulo de
carga, isso pode aumentar a probabilidade de fotoionizao mudando o valor do limiar
de ablao de forma aleatria e atrapalhar a confiabilidade das medidas. A fim de
padronizar a qualidade da superfcie, todas as amostras foram limpas com acetona em
um aparelho de ultrassom por cerca de trs minutos e em seguida secas com papel para
limpeza de superfcies pticas para eliminar qualquer resduo na superfcie do vidro. Os
parmetros de limpeza adotados foram mantidos fixos para todas as amostras.

Durante a realizao do trabalho desse perodo, a mesa de deslocamento

CNC micromtrica, que era usada para a usinagem dos microcanais e experimentos com
limiar de ablao foi danificada e parou de funcionar. O laboratrio dispunha de trs

62
eixos de deslocamento motorizados com preciso nanomtrica da marca Thor modelo
Z812B compreciso submicromtric. Este sistema possui interface com o programa
LabView, mas diferentemente do sistema que quebrou, no existia um programa para a
execuo de comandos CAD/CAM em linguagem ISO gerados pelo Mastercam.
Consequentemente, tornou-se difcil a execuo do mtodo suave de usinagem de
microcanais. Isso porque so necessrias as varreduras de muitas camadas com o laser,
um controle dinmico das velocidades e distncias laterais de varredura. O uso do ps-
processamento do caminho da ferramenta pelo programa Mastecam tornou-se essencial
para a continuao desse trabalho.

Durante o perodo em que a placa de controle do sistema inativo estava

sendo importada para correo do imprevisto, foi criado um programa para a execuo
de comandos ISO pelo sistema de posicionamento nanomtrico.

Usando programao em LabView, foi criado um programa que reconheceu

os comandos escritos pelo Mastercam e o controle numrico de dois eixos do sistema
nanomtrico foi possvel.

A elaborao do programa consistiu em trs sub-rotinas. A primeira parte do

programa l o arquivo ".txt" contendo o cdigo ISO gerado pelo Mastercam. As
informaes de posio, velocidades, nmeros de pulsos e acionamento do obturador
so extradas do arquivo e armazenadas em uma matriz. A segunda parte do programa
responsvel pela interpolao dos semiarcos em seguimentos de retas quando se tem um
comando para execuo de um arco pelo arquivo ISO. A terceira parte do programa
utiliza a matriz com as coordenadas de posio e velocidades para ativar as "VI's" (ou
"virtual instruments") fornecidas pela Thor para movimentao dos motores.

Esse trabalho levou a uma melhora do equipamento de deslocamento

nanomtrico permitindo que desenhos feitos em CAD/CAM fossem usados para a
usinagem micromtrica com preciso submicromtrica. E permitiu a continuidade dos
experimentos durante o trabalho.

63
7 Tcnica da regresso do dimetro com pulsos nicos

7.1 BK7 e Suprasil

Aqui so mostrados os resultados dos limiares de ablao medidos em BK7

e Suprasil para pulsos nicos usando a tcnica da regresso do dimetro (TRD). Seus
resultados sero apresentados na ordem cronolgica de realizao durante esse trabalho.
Isso facilitar a descrio do procedimento de realizao das medidas e solues dos
problemas encontrados durante sua execuo.

Numa primeira abordagem para testar a TRD, o tipo de lente, o intervalo de

fluncias e o procedimento de medida dos danos foram testados em dois ensaios numa
amostra de BK7. Duas lentes foram utilizadas, uma de 10 mm e outra de 38 mm de
distncia focal. Fez-se o grfico do dimetro ao quadrado em funo da fluncia de cada
pulso corrigida pela regresso do dimetro, que so mostrados na Figura 7.1. Os
resultados obtidos usando os dois comprimentos focais mostraram-se compatveis. O
limiar de dano encontrado para pulsos de 100 fs foi de 4,510,81 J/cm2 para lente de 38
mm e 3,840,14 J/cm2 usando a lente de 10 mm. A partir do resultado encontrado foi
possvel estabelecer um intervalo de energia adequado para o ajuste dos grficos
seguintes. Essas duas medidas serviram tambm para se escolher um padro de lente a
ser usado na medio do limiar de dano que fosse mais conveniente em termos
experimentais. A lente de 38 mm foi escolhida devido as seguintes caractersticas: tem
um parmetro confocal maior que a lente de 10 mm, implicando em um posicionamento
da amostra perto da cintura do feixe facilitado (que se mostrou muito complicado em
termos prticos no comeo desse trabalho); a rea afetada maior, o que implica no uso
de maiores energias (entre 10 50J ) para uma mesma fluncia comparada com a lente
de 10 mm, o que garantiu uma medida da energia dos pulsos dentro de um intervalo de
medida mais confivel do detector. E por fim, os dimetros medidos foram maiores, o
que facilitou a medio das imagens dos danos proporcionando maior preciso na
medida.

A medida dos dimetros ablacionados foi feita como descrito no captulo

Descrio experimental. A incerteza na medida com o microscpio foi estimada em 1
m. Dentre os dois tipos de detectores, o de potncia e o de energia, foi escolhido o

64
detector de potncia. A energia dos pulsos foi obtida pela diviso da potncia mdia
medida pela taxa de repetio do laser. Os desvios padres dos dimetros foram usados
como barras de erro no ajuste.

Comparao entre as lentes - A3

200 38 mm
Equao 2*(wo^2)*LN(F/Fth)
Dimetro ao quadrado (m )
2

Value Desvio
Padro
38 mm Fth 4,51 0,81
wo 8,61 0,25
10 mm Fth 3,84 0,14
100 wo 3,231 0,053

10 mm

0
1 10
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.1 Fluncia mdia x D2 com a lente de 10 e 38 mm, primeiros testes na amostra
A3.

Depois desse primeiro teste, foi possvel realizar as medidas de limiar de

dano para o BK7 e o Suprasil utilizando os parmetros adequados para sua realizao.
Cada medida foi feita em uma amostra diferente, portanto, para as amostras de BK7, os
ensaios sero referidos por (An) onde n representa o nmero da amostra. No caso do
Suprasil ser (Suprasiln). Como foi esclarecido no captulo 6, foram usados dois lasers
diferentes. Os diferentes tipos de laser sero referidos por laser1 e laser2 de acordo com
a ordem em que foram usados.

Amostra A4 - Usando a lente de 38 mm fez-se uma medida do limiar usando

mais pontos experimentais. Como nos primeiros ensaios, foram consideradas as
incertezas dos valores dos dimetros D como sendo o desvio padro da mdia dos
dimetros (D). A incerteza do valor do dimetro ao quadrado foi de 2DD; Foi
considerada a energia mdia, e a incerteza na energia dos pulsos levou em conta a
flutuao do laser que foi medida pelo detector sendo <5% rms. Entretanto, no foi

65
considerada na propagao de erros para a medida do limiar de ablao pelo fato de
contriburem muito menos na incerteza final em relao ao desvio padro do dimetro
dos danos.

250
Amostra A4
Equao D^2=2w^2LN(F/Fth)
200 Valor
38 mm Fth 4,43 0,11
Dimetro ao quadrado (m )
2

wo 9,27 0,18

150

100

50

5 10 15
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.2 Grfico do D2 X Fluncia mdia usando mais pontos experimentais com
intervalos menores de energias. Limiar de ablao: 4,43 J/cm2

O valor do limiar de ablao obtido para o BK7-A4 foi de (4,430,11)

J / cm 2 . O valor do raio do feixe na amostra encontrado foi de w= (9,270,18) m.
Suprasil 1 - Mais medidas foram feitas do limiar de ablao para pulsos
nicos no Suprasil.

Durante o perodo de realizao desse experimento com a irradiao de

pulsos nicos, o laser1 apresentou problemas de instabilidade na energia dos pulsos. A
energia mdia dos pulsos flutuou em mais que 10% em perodos de tempo de alguns
minutos, enquanto que o desvio rms chegou a 40%.

Em termos de confiabilidade, o procedimento usado at tinha sido

comprometido. Isso ocorreu porque a fluncia de cada ponto no ajuste correspondeu a
uma mdia de 6 irradiaes, e devido grande instabilidade do laser, o desvio padro da
mdia de seis irradiaes foi cerca de 30 a 40% do valor da mdia dos dimetros.
Consequentemente, a confiabilidade do resultado final do limiar de ablao foi

66
prejudicada. O grfico da Figura 7.3 mostra os pontos correspondentes s mdias dos
dimetros ao quadrado com um alto desvio padro.

Amostra Suprasil 1
300
Equao 2*(wo^2)*LN(F/Fth)
Valor Desv. Pad.
Dimetro ao quadrado (m )
2

Fth 2,69 0,43

200 wo 7,71 0,86

100

5 10
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.3 - Limiar de dano calculado para o Suprasil com o laser1

apresentando instabilidades na energia. possvel observar um maior desvio dos dados
devido flutuao na energia dos pulsos.

Para resolver esse problema foi realizado um procedimento experimental

diferente com o objetivo de diminuir os erros de medidas. Portanto foram realizadas
medidas diretas da energia de cada pulso que irradiou a amostra, e no apenas a medida
da energia mdia dos pulsos que so gerados pelo laser. Assim eliminou-se a flutuao
da energia do laser que foi intrnseca ao sistema laser.

A medida direta da energia foi possvel devido mudana do sistema de

entrega do feixe que permitiu total automatizao das irradiaes e da medida das
energias dos pulsos. Com esse novo sistema de entrega, cada pulso que irradia a
amostra teve sua energia medida e armazenada num computador e comparada com as
imagens da zona ablacionada.

Mesmo com o laser apresentando instabilidades, o novo aparato

experimental permitiu uma nova serie de medidas do limiar de dano para pulsos nicos
e foi testada no BK7 antes de ser realizada novamente no Suprasil.

67
 A Figura 7.4 mostra um maior nmero de pontos experimentais (15 pulsos)
para cada energia mdia, num total de 12 energias (12 linhas). Cada linha representa um
conjunto de mesma energia mdia, contudo, cada pulso irradiado foi medido
individualmente, eliminando a incerteza na flutuao da energia. A incerteza dos
dimetros considerados nesse arranjo experimental foi de 10%. A propagao de erros
foi feita como nos procedimentos anteriores.

Figura 7.4 - Irradiaes com pulsos nicos. Cada linha representa energias mdias
diferentes, mas cada irradiao foi medida individualmente.

O limiar de dano da amostra Suprasil 2 foi encontrado usando o grfico da

Figura 7.5 e o valor foi de ) J/cm2 para pulsos de 100 fs, e o valor do
raio de (7,14 m.

68
 200
Suprasil 2

Equao D^2=2w0*LN(F/Fth)
Dimetro ao quadrado (m ) 150 L=38 mm Fth 6,894 0,013
2

wo 7,138 0,051

100

50

10 15 20 25 30
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.5 - Fluncia em funo do dimetro ao quadrado de pulsos nicos irradiados no

BK7. Medidas individuais da energia de cada irradiao foram feitas.

Amostras BK7-A6 e Suprasil 3 - Nessas amostras o laser2 foi utilizado.

Esse laser apresentou melhor estabilidade (5% rms) e maior energia por pulso que o
laser1, energia mxima chegando a 150 J.

As medidas das energias dos pontos experimentais foram feitas usando o

detector de potncia como nos primeiros ensaios antes que laser1 apresentasse
instabilidades. Cada ponto experimental tambm utiliza o valor da fluncia mdia
corrigida pelo coeficiente angular (2w02), e o quadrado da mdia dos dimetros de seis
irradiaes com suas respectivas incertezas propagadas do desvio padro dos dimetros.

O limiar de dano encontrado na amostra A6 de BK7 foi de (4,710,21)

J/cm2 para 100 fs (Figura 7.6).

69
 250
Bk7 - A6

Dimetro ao quadrado (m )
2

Equao D^2=2w0*LN(F/Fth)
200
Valor Desv. Pad.
L=38 mm Fth 4,71 0,21
wo 6,62 0,12
150

100

50

10 20 30 40 50 60
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.6 Ajuste para o clculo do limiar de ablao da amostra BK7 A6.

No Suprasil 3 foi possvel irradiar a amostra com energias de pulso de at

150 J, o que possibilitaria testar um possvel regime de ablao de alta fluncia. Esse
regime, como explicado no capitulo 3.3.2, caracteriza-se por uma interao trmica, ou
seja, o dano provocado relacionado exploso de fase e a taxa de remoo de material
aumentada. Alm disto existe influncia trmica significativa do plasma formado na
superfcie durante a interao. A partir de uma fluncia especfica, a zona afetada pelo
laser no mais definida pelo limiar de ablao de baixa fluncia como calculado at
aqui, mas segue o limiar de alta fluncia. Nesse regime, o calor gerado pelo pulso e pelo
plasma em regies centrais do feixe gaussiano difunde-se e ablaciona uma regio que
no teria fluncia suficiente para ser ablacionada. A consequncia disso um dano com
um dimetro maior que o previsto pelo modelo da Eq. 32. Portanto, o dimetro do feixe
no segue mais a distribuio gaussiana de intensidade, mas tem-se um "raio" do feixe
efetivo, que est relacionado difuso trmica da energia do pulso, e um novo limiar
de dano para altas fluncias maior que para baixas fluncias.

No grfico da Figura 7.7 so mostrados todos os pontos medidos at com

fluncias maiores que 70 J/cm2. Para fluncias maiores que 50 J/cm2 os dimetros ao
quadrado crescem acima do ajuste do modelo terico e mostram uma tendncia de

70
crescimento da taxa de remoo de material comparado com os danos para fluncias
menores. Mesmo com essa tendncia, a incerteza dos pontos e o pequeno intervalo de
energias (apenas 4 pontos) em que essa tendncia ocorre, no se permite concluir que
exista um regime de alta fluncia nesse intervalo de fluncias. O limiar de ablao
encontrado foi: 4,530,63 para 100 fs. O valor compatvel com os valores encontrados
na literatura para a slica: 4 J/cm2 a 100 fs [110].

Suprasil 3
250
Equao D^2=2wo^2*LN(F/Fth)
Valor Desv. Pad.
Dimetro ao Quadrado (m )
2

L=38 mm Fth 4,53 0,63

200
wo 6,29 0,22

150

100

50

0
10 20 30 40 50 60 70 80
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.7 - Grfico da fluncia x dimetro ao quadrado - limiar de dano do Suprasil

para pulsos nicos (regime de baixa e alta fluncia).

7.2 Safira e Ti:Safira

Safira pulsos nicos TRD: A Figura 7.8 mostra o grfico do dimetro ao

quadrado em funo das fluncias das irradiaes de pulsos nicos em Safira
monocristalina. Utilizou-se o laser 2 e o detector de potncia para medida da energia
mdia e cada ponto no grfico corresponde mdia do dimetro de seis irradiaes e
seus respectivos desvios padres assim como nos primeiros experimentos com o BK7.
Os dados do grfico da Figura 7.8 apresentaram um comportamento diferente dos
resultados obtidos anteriormente de limiar em BK7 e Suprasil para pulsos nicos. Estes
dados apresentaram uma descontinuidade a partir de 40 J/cm2 na taxa de remoo de
material. Esse comportamento j foi observado antes em outro trabalho com a safira
[117] e correspondem aos dois regimes de ablao: o gentle ablation (ou baixa
fluncia) responsvel por ablacionar pequenas volumes de material, no caso da safira,

71
~55 nm por pulso, e o strong ablation (alta fluncia) com taxas maiores de ablao da
ordem de 500 nm por pulso[117].

O limiar de ablao no regime de baixa fluncia encontrado foi de

, o coeficiente angular do grfico retorna o valor do raio do feixe
na amostra que compatvel com o valor esperado do raio
(como medido nos experimentos anteriores).

Atravs da extrapolao da reta ajustada no regime de alta fluncia, que

pode ser visto na Figura 7.8-a, o valor de limiar de ablao de alta fluncia
encontrado pela TRD foi de .

O regime de alta fluncia definido no intervalo onde a taxa de remoo de

material maior que o no de baixa fluncia. Em alta fluncia, o calor gerado pelo
decaimento eletrnico grande o suficiente para que seja possvel uma transformao
de fase no material, juntamente com difuso trmica e efeito de espalao para alm
da regio da fluncia de limiar para baixa fluncia, superestimando o dimetro das
zonas ablacionadas. Assim, o coeficiente 2w2 da Eq. 32 no se relaciona mais com a
distribuio espacial de intensidade do feixe gaussiano, mas sim como uma convoluo
entre essa distribuio do feixe e uma difuso trmica. Alm disso, o plasma gerado no
processo de ablao em alta fluncia normalmente tem durao de alguns
nanossegundos e pode transferir uma quantidade de calor para o material suficiente para
ajudar no processo trmico e gerar uma zona termicamente afetada. Portanto o raio do
feixe medido pela TRD deve ser maior (superestimado) no regime de alta fluncia. O
coeficiente angular do grfico retorna o valor do raio do feixe na amostra
superestimado: .

72
 600
Safira - Baixa e Alta Fluncia
550

500
Limiar baixa (b) e alta fluncia (a)
450
-- -- Valor erro
400 Limiar (b) Fth 5,59 0,52
350 raio w 6,58 0,93
D (m )
2

Limiar (a) Fth 21,6 1,1

300
raio w 12,08 0,33
2

250

200

150 (a)
100
(b)
50

10 100
2
Fluence (J/cm )

600
Ti:Safira - Baixa e Alta Fluncia
550
Limiar: Baixa (b) e Alta (a)
500
-- -- Valor Erro
Dimetro ao quadrado (m )
2

450
Limiar (b) Fth 3,35 0,73
400 raio w 5,95 0,36
350
Limiar (a) Fth 34,2 1,3
300 raio w 15,24 0,33
250

200

150

100

50

10 100
2
Fluncia (J/cm )

Figura 7.8 a) Dimetro ao quadrado x Fluncia para pulsos nicos em safira,

mostrando os regimes de baixa e de alta fluncia, bem como o limiar de ablao. b) Ti:
Safira.

73
 A Figura 7.9 mostra os dois regimes de ablao.

Figura 7.9 Efeito da baixa e alta fluncia na safira.

O aparecimento dos dois regimes de interao claramente observado na

safira. Como este material possui um tempo longo de relaxao eltron-fnon (~1 ps), o
tempo de aquecimento da rede estende-se por tempos maiores que a durao do pulso
de 55 fs. Estes eltrons permanecem excitados na banda de conduo at sua relaxao
para a banda de valncia, gerando fnons numa taxa relacionada ao tempo de
decaimento de 1 ps da safira, e que independe da durao do pulso pois muito maior
que esta. Durante a relaxao, o calor tem tempo para se difundir no material, afetando-
o colateralmente antes de causar uma exploso de fase.

A ausncia do regime de alta fluncia no BK7 e no Suprasil nas fluncias

estudadas aqui pode ser explicada pela dinmica de relaxao dos eltrons livres. Ou
seja, devido ao forte acoplamento eltron-fnon nesses materiais (~100 fs) o
aquecimento da rede ocorre quase que simultaneamente durao do pulso (~100 fs).
Alm disso, a menor difusividade trmica comparada com a safira no permite que
ocorra difuso trmica significativa (veja Tabela 2). Dessa forma, o dimetro da regio
ablacionada relaciona-se com a distribuio gaussiana do feixe e no possvel
observar uma descontinuidade na relao da Eq. 32 no dado intervalo de energias
utilizadas, mesmo em altas fluncias (<80 J/cm2). Portanto no caso do Suprasil e do
BK7 o regime trmico se sobrepe ao regime no trmico deslocando o intervalo de
fluncias do regime de altas fluncias para valores mais elevados do que na Safira.

74
Tabela 2 Difusividade e ponto de vaporizao dos dieltricos.
Material
Difusividade (mm2/s) Ponto de vaporizao
(C)

Si02 1.4 2950

Safira 14 2980

Ti:safira 14,6 -

BK7 0,548 -

Ti:Safira - Para a anlise das medidas feitas com o Ti:safira, deve-se

entender como ocorre o processo de absoro nesse material, visto que ele no se
comporta como a safira monocristalina.

O Ti:safira produzido pela mistura de Ti2O3 em Al2O3 fundido, onde uma

pequena parte do Al3+ na safira substitudo por Ti3+. O Ti3+ possui apenas um eltron,
e consequentemente, apenas dois nveis de energia possveis. Esses dois nveis geram
um par de bandas pela interao vibrnica entre a banda de conduo e a banda de
valncia. A absoro ocorre em comprimentos de onda de 400 nm e 600 nm pela banda
mais energtica, conforme mostrado na Figura 7.10. Os eltrons excitados nos nveis da
segunda banda podem criar fnons na prpria banda e depois decair para a primeira
banda vibracional do Ti3+ menos energtica. Isso permite uma emisso com banda no
infravermelho entre 650 nm a 1050 nm. Portanto, os pulsos ultracurtos gerados pelo
Ti:safira no so absorvidos linearmente pelo prprio Ti:safira, haja vista que o laser de
Ti:safira um laser de quatro nveis.

O limiar de dano do Ti:Safira (Figura 7.8-b) tambm foi medido para pulsos
nicos pela TRD. O valor do limiar de dano foi (3,35 0,73) J/cm2 em baixa fluncia e
(34,21,3) J/cm2 em alta fluncia. O raio do feixe encontrado no regime de baixa
fluncia foi de (5,950,33) m e compatvel com o valor esperado do raio na
superfcie, mostrando o regime de baixa fluncia.

75
 O limiar de dano para baixas fluncias neste caso, foi menor que o limiar da
safira monocristalina. A dinmica de gerao de eltrons livres no Ti:safira diferente e
poderia ser explicada pelas bandas vibrnicas geradas pelo Ti3+ na rede da safira e ser
detalhada a seguir.

Todos os processos de ionizao estudados nesse trabalho (ablao da

safira, slica e do BK7) no ocorrem por absores lineares (absoro de ftons nicos).
No caso da safira, por exemplo, a absoro multifotnica responsvel pela excitao
do material. O Ti:safira tambm transparente (780 nm), e absoro tambm s
permitida no caso de absores no lineares, com mais de um fton. Porm, as bandas
vibracionais criadas funcionam como "pontes" de ionizao para um efeito
multifotnico de menor ordem. Consequentemente, menos ftons so necessrios para
os eltrons serem excitados a nveis intermedirios, o que torna o efeito mais provvel.
Estes nveis servem como pontes para absores multifotnicas e gerao de eltrons
sementes na banda de conduo mais eficientemente. Quanto mais rpida a criao de
eltrons na banda de conduo, maior ser o efeito avalanche (ionizao por impacto) e
maior o efeito fotoeltrico durante a irradiao do laser. Ento, o aumento do efeito
fotoeltrico implica na ampliao da carga positiva superficial no material, e isso
responsvel pela diminuio do limiar de dano no regime de baixa fluncia.

J o regime de alta fluncia, como discutido anteriormente, est relacionado

exploso trmica juntamente com difuso trmica, efeito de e spalao e influncia
do plasma. A potncia de calor absorvida pela rede proporcional taxa de decaimento
destes eltrons excitados em fnons na rede. Um dos caminhos provveis de decaimento
dos eltrons no Ti:Safira, gerados por absoro multifotnica e efeito avalanche na
banda de conduo, ocorre diretamente da banda de conduo para a base da banda de
valncia criando fnons ou ftons. Outra possibilidade o decaimento por nveis
vibracionais interbandas que emitem na banda de emisso (fluorescncia) do Ti:safira
(650 a 1050 nm). Esse caminho alternativo que os eltrons percorrem na relaxao pode
ser responsvel por um desvio da energia, que na safira monocristalina usada para a
gerao de fnons e o aquecimento do material, e sendo assim o limar de alta fluncia
no Ti:safira menor.

76
Figura 7.10 - diagrama das bandas vibrnicas geradas no Ti:safira pelos ons Ti3+. O
Ti:safira absorve linearmente ftons aproximadamente entre 400 e 600 nm, e irradia
numa banda larga que vai de 650 a 1050 nm.

A Tabela 3 mostra um resumo de todos os experimentos realizados para

encontrar o limiar de dano de baixa e alta fluncia para pulsos nicos. Todos os valores
foram representam a fluncia de pico (que equivale ao dobro da fluncia mdia):

Tabela 3- Limiares de dano (pico) encontrado para BK7 e Suprasil com diferentes lasers
e sistema de aquisio de medidas.
2 2
Amostra Fth(b)(J/cm ) Fth(a)(J/cm ) L (fs) Laser Comentrio w0 (m)
Bk7-A3 4,510,81 - 100 1 8,6
Bk7-A4 4,6020,014 - 100 1 9,3
Bk7-A5 - - 100 1 apenas N>1
Bk7-A6 4,710,21 - 100 2 m. est. 6,6
Suprasil
2,690,43 - 100 1 7,7
1
Suprasil
6,8940,013 - 100 1 m. est. 7,1
2
Suprasil
4,530,63 - 100 2 6,3
3
Safira 5,590,52 21,61,2 55 2 6,6
Ti:safira 3,350,73 34,21,3 55 2 6,0
Bk7 5,100,08 - 200 [118]
Slica 4 100 [109]

Laser1: Experimentos usando o primeiro laser - Esse laser ao longo do tempo de

apresentou instabilidades na forma espacial do feixe e na preciso da gerao de
pulsos com mesma energia.

77
 Melhor estatstica (m. est.): Para lidar com a alta instabilidade inerente ao laser
foi utilizado outro procedimento experimental que mede a energia individual de
cada irradiao. Esse mtodo automatizado de aquisio de medidas possibilitou
melhor confiabilidade estatstica mesmo com grandes flutuaes na energia do
laser,

Laser 2: Experimentos usando o laser novo (laser 2 - com melhor confiabilidade

dos parmetros).

As medidas feitas com a tcnica da regresso do dimetro puderam ser

comparadas e validadas com valores da literatura para slica, BK7 e Safira. No caso da
amostra Suprasil 3 o valor encontrado foi de (4,530,63) J/cm2 para 100 fs e
compatvel com os resultados encontrados nas referncia [110] de 4 J/cm2 e na
2
referncia [118] de 3,7 J/cm , ambos medidos com pulsos de 800 nm e 100 fs.

Os valores encontrados nas amostras de BK7-A3 (4,510,81) J/cm2, A4

(4,6020,014) J/cm2 e A6 (4,710,21) J/cm2 tiveram repetibilidade. Porm, o nico
experimento encontrado na literatura para o limiar de ablao no BK7 foi para pulsos de
largura temporal de 200 fs com um valor de limiar de 5,100,08 J/cm2 [119].Como no
presente trabalho o a largura temporal foi de 100 fs, espera-se que o limiar de ablao
seja tambm menor (veja simulao no captulo 4).

O limiar de ablao da safira medido para pulsos de 55 fs foi de (5,590,52)

J/cm2. Este valor compatvel com o resultado encontrado na literatura em safira
monocristalina irradiada com pulsos de 45 fs e 800 nm que de 4,5 J/cm2 [120].

No caso do Suprasil 1 o valor encontrado para limiar de ablao foi

excepcionalmente menor (2,69 J/cm2) e poderia ser explicado pela flutuao do laser1 e
o grande desvio padro das medidas dos dimetros para o ajuste do grfico da Figura
7.3. No Suprasil 2 um valor superestimado foi encontrado de 6,8940,013J/cm2.
Nesse caso, outros parmetros alm da energia podem ter flutuado como, por exemplo,
a largura temporal do laser e a forma espacial do feixe, que seriam responsveis pelo
aumento do limiar de dano.

As medidas dos limiares de ablao para pulsos nicos na safira e no

Ti:Safira mostraram uma diferena significativa em seus valores. Esta diferena foi
discutida e atribuda banda de absoro do Ti:Safira que diminui a ordem do processo
78
de absoro para gerao de eltrons livres na banda de conduo, diminuindo o limiar
de ablao.

Na safira e no Ti:safira, foram observados dois regimes de ablao, um de

baixa e outro de alta fluncia. Diferentemente, na slica e no BK7 os dois regimes no
puderam ser observados. A explicao dada para essa diferena se deve ao tempo de
relaxao eltron-fnon e a difusividade trmica serem muito menores no BK7 e no
Suprasil, o que no permite a diferenciao entre os dois regimes neste intervalo de
fluncias.

A definio do limiar de ablao de alta fluncia no a mesma que o de

baixa fluncia, visto que ele no depende somente da fluncia do feixe da superfcie e
das caractersticas do material, mas depende da difuso trmica no material e da
influncia trmica do plasma. O regime de alta fluncia serve ento para mostrar que a
partir de certa fluncia, o efeito trmico no bem localizado, e a ablao pode ter
influncias espaciais para alm da distribuio espacial do laser, diferentemente do
modelo simplista de quantificao da densidade eletrnica permitido pelo uso de pulsos
ultracurtos. Mostrando que mesmo para pulsos ultracurtos existe a possibilidade de zona
afetada pelo calor.

Partes dos objetivos propostos foram cumpridas nesse capitulo. A tcnica de

regresso do dimetro pde ser testada e validada em diferentes materiais. Seus valores
foram comparados com os encontrados na literatura e foi confirmada a reprodutibilidade
e repetibilidade do procedimento realizado nesse trabalho com a tcnica da regresso do
dimetro. Isso permitiu utilizar essa tcnica para as medidas do limiar de ablao de
pulsos sobrepostos para a comparao do mtodo D-scan.

79
8 Medida do limiar de dano para pulsos sobrepostos.

A quantificao da sobreposio N na varredura de D-scan feita nesse

trabalho possibilitou a comparao dos dados de limiar de ablao obtidos com o D-
scan e com o modelo tradicional (TRD). Nesse sentido, a hiptese central desse trabalho
que prope equivalncia dos dois mtodos pde ser testada.

A fim de verificar a equivalncia das tcnicas, medidas do limiar de ablao

com pulsos sobrepostos usando a tcnica tradicional (TRD) e medidas de D-scan para
diferentes sobreposies foram realizadas em BK7, Suprasil e Safira.

8.1 BK7

As medidas dos limiares de ablao para diferentes sobreposies, feitas

com a tcnica TRD, utilizaram o mesmo procedimento usado para pulsos nicos. Neste
caso, contudo, N pulsos foram sobrepostos. Outro detalhe, que a correo da fluncia
pelo coeficiente angular do grfico (2w02) s foi feita para sobreposies de at 2
pulsos; esse mesmo valor de correo foi utilizado nos outros ajustes com maior
sobreposio. Esse procedimento justificado, pois, a correo do raio do feixe na
superfcie da amostra s pode ser realizada quando no existe zona afetada pelo calor (1
ou 2 pulsos no mximo). Isto no ocorre quando se tem pulsos sobrepostos, visto que o
regime de alta fluncia predominante nesses casos [117], e o raio acabaria sendo
superestimado. Esse efeito pode ser visto na safira, Figura 8.1, que mostra regies
ablacionadas com pulsos de mesma energia, mas diferentes sobreposies: N=1, 4 e 16
pulsos. Na sobreposio com 4 pulsos possvel observar o aparecimento da regio de
exploso trmica no centro do dano; na sobreposio de 16 pulsos a ablao trmica
dominante e aparece em todo o stio irradiado.

80
Figura 8.1 Imagem de regies ablacionadas com pulsos de mesma energia em safira.
Sobreposio de 1, 4 e 16 pulsos, da esquerda para a direita. possvel observar a
transio da ablao no trmica para uma ablao trmica

O aparecimento do regime de ablao trmica para pulsos sobrepostos

explicado pelo efeito de incubao que diminui o limiar de ablao por gerar mais
eltrons livres, aumentando a absoro do laser Alm disso causa um aumento da
seco de choque eltron-fnon criada pelos centros de cor, o que aumenta taxa com
que os eltrons relaxam e geram calor na rede [23].

Descrio do mtodo Tradicional: As irradiaes mltiplas foram realizadas

usando um sistema automtico de contagem de pulsos. O sistema de movimentao X-
Y, comandado por CNC, o obturador e o detector foram acoplados a um mesmo
computador. A taxa de repetio do laser foi reduzida para poucos Hertz (1 Hz para
sobreposies de 1 a 16 pulsos; 10 Hz para 32 e 128 pulsos; e 50 Hz entre 510 e 1020
pulsos) a fim de evitar erro na obturao de pulsos devido a uma possvel falta de
sincronia do obturador. Finalmente, um programa foi feito para gerar o conjunto de
irradiaes nas amostras como no exemplo da Figura 8.2.

Para uma mesma energia mdia, foi feito um conjunto de 6 pontos de dano
para cada sobreposio. As sobreposies foram de 1, 2, 4, 16, 32, 120, 510, 1020
pulsos (linhas na Figura 8.2); matrizes com pontos como os da Figura 8.2 foram
repetidas para diferentes energias. Para cada sobreposio foi ajustado um grfico para
o clculo do limiar de dano como feito para pulsos nicos.

A Figura 8.3 mostra uma imagem de microscopia ptica da zona afetada no

BK7 com sobreposio de 510 pulsos (linha 1) e 1020 pulsos (linha 2).

81
Figura 8.2 Matriz de pontos com mesma energia variando a sobreposio (linhas)
cada linha contem 6 elementos repedidos com mesma sobreposio.

Figura 8.3 - Imagem de microscopia ptica da zona afetada no BK7 com sobreposio
de 510 pulsos (linha 1) e 1020 pulsos (linha 2).

A Figura 8.4 mostra um ajuste para o clculo do limiar de ablao para 510
pulsos no BK7. Foram feitos tambm ajustes grficos com a TRD para todas as outras
sobreposies no BK7, no Suprasil e na safira. Os resultados de limiar de ablao para
pulsos sobrepostos sero apresentados juntamente com os resultados medidos com a
tcnica de D-scan.

82
 Bk7 - A5
800
Equao D^2=2*w0^2=LN(F/Fth)
Value Erro
A Fth 0,85 0,13
A w 14,9 1,3
600
D ( m )
2
2

400

200
1 2 3 4 5 6
2
Fluncia (J/cm )

Figura 8.4 Limiar de ablao para sobreposio de 520 pulsos em BK7.

D-scan: Para realizao do experimento com a tcnica de D-Scan no BK7,

amostras semelhantes s utilizadas nos outros experimentos foram usadas. O laser foi
focalizado com a mesma lente de 38 mm. Trs energias de pulso foram escolhidas para
a ablao das amostras: 134, 71 e 31 J. Para cada energia 9 diferentes velocidades de
deslocamento no eixo y (6, 12, 25, 50 e 100 mm/min) foram utilizadas (seco 5.2),
assim como vrias taxas de repetio do laser f (50, 100, 500, 1000, 2000 Hz). A razo
vy/vz foi mantida constante para produzir perfis de ablao com o mesmo comprimento.
Algumas combinaes de f e vy resultaram em sobreposies fracionadas. O valor de
max usado foi a mdia da medida de duas varreduras de D-scan irradiadas com os
mesmos parmetros. A incerteza na medida de max foi estimada a partir da regio
irregular na borda das varreduras. Alm disso, a teoria prev que o perfil ablacionado
deve ser simtrico [27], mas assimetrias so claramente vistas na Figura 8.5. Isso
ocorreu porque a parte esquerda do perfil foi ablacionada quando a amostra estava
localizada antes da cintura do feixe, onde o plasma formado no ar. Esse plasma
distorce a frente de onda do feixe, modificando-o, o que resulta em um perfil
assimtrico. Por essa razo, max foi medido esquerda do trao, e o valor do limiar de
83
ablao, Fth, foi calculado usando a Eq. 46. A Figura 8.5 mostra duas micrografias dos
perfis ablacionados por diferentes sobreposies nas quais as medidas foram feitas. O
software Mathematica foi usado para calcular os valores das sobreposies N usando a
funo Teta de Jacobi, Eq. 55.

Figura 8.5 Micrografias de amostras ablacionadas pelo mtodo D-scan. a) 1267.3

pulsos sobrepostos para E0 = 71J. b) para E0 = 31J, os perfis superiores representam a
sobreposio de 1.12 pulsos, e o perfil mais baixo um perfil para pulsos nicos.

TRD
D-Scan - 134 J
Limiar de Ablao (J/cm2)

D-Scan - 71 J
D-Scan - 31 J

1 10 100 1000

Sobreposio N

84
Figura 8.6 - Medidas do limiar da ablao do BK7 em funo da sobreposio de pulsos
usando a TRD e o D-scan com diferentes energias de pulso.

A Figura 8.6 mostra a comparao entre os dois mtodos, com a mesma

largura temporal de 100 fs sendo usada pelas duas tcnicas. possvel observar uma
grande concordncia entre os mtodos D-scan e TRD. Da mesma maneira, os ajustes do
modelo de incubao da EEq. 19 (linhas coloridas no grfico da Figura 8.6) em todos os
dados experimentais apresentam uma tima compatibilidade com os dados
experimentais (Tabela 4). O perfil de diminuio do limiar de ablao em funo da
sobreposio de pulsos e uma saturao de defeitos mostra uma estabilizao na
diminuio do limiar. Alm disso, os valores para pulsos com sobreposio maior que
1500 pulsos chegam a ser 7 vezes menores que o valor para pulso nico. Esse
comportamento compatvel com o modelo terico do parmetro de incubao [23]
apresentado no captulo 3.4.

Estes resultados demonstram que a sobreposio definida nesse trabalho

equivalente tradicional na qual os pulsos se sobrepem totalmente. Esses resultados
comfirmam a hiptese principal desse trabalho no caso do BK7.

Tabela 4 - Limiar de ablao para um pulso nico, parmetro de incubao e limiar de

saturao calculado pelo modelo de incubao exponencial (100 fs).

Mtodo Fth,1 (J/cm2) k Fth, (J/cm2)

TRD 2,440,25 0,0400,014 0,8670,075

D-scan 134 J 2,720,36 0,0400,010 0,800,037

D-scan 71 J 2,660,35 0,0390,010 0,7550,042

D-scan 31 J 2,660,45 0,0340,015 0,9230,015

As imagens da Figura 8.7 mostram a microscopia ptica dos perfis de D-

scan irradiados com alta sobreposio e diferentes energias. Cada trao foi fotografado

85
lateralmente e paralelamente superfcie da amostra. Assim foi possvel observar a
profundidade de ablao em cada regio do trao. Foi possvel notar que a regio
ablacionada mais profunda se localiza onde o foco do laser est abaixo da superfcie do
vidro. Isso mostra a importncia da posio do foco na taxa de remoo de material e
deve ser levado em conta nos experimentos de micro usinagem dos microcanais.

Figura 8.7 - Micrografia dos traos irradiados com o mtodo D-scan. Vista da superfcie
(figuras de cima) e viso lateral (figuras de baixo).

8.2 Suprasil e Safira

No uso da tcnica do D-scan tanto no Suprasil como na safira, diferentes

velocidades de varredura foram utilizadas para diferentes sobreposies, e foi definida a
velocidade transversal como sendo o dobro da velocidade longitudinal (vx =2vz). Essa
ltima condio foi necessria para permitir o uso da aproximao feita pelo modelo
descrito na seco 5.2 para garantir uma marcao de D-scan alongada. O procedimento
para calcular o valor de limiar Fth, e a sobreposio N com o mtodo D-scan tanto na
safira quanto no Suprasil foi o mesmo que o usado no BK7 explicado no captulo 5.2.

Suprasil: No Suprasil com na tcnica TRD foi utilizada lente de 38 mm e

largura temporal de 55 fs, e no procedimento com o D-scan foram usadas energias por
pulso de aproximadamente 94 J, lente de focalizao de 50 mm e largura temporal de
25 fs.

86
 Safira: No uso da tcnica TRD na safira foi utilizada a lente de 38 mm e
largura temporal de 35 fs. No procedimento com o D-scan, a lente de focalizao e a
largura temporal dos pulsos foram as mesmas utilizadas no Suprasil, 50 mm e 25 fs
respectivamente. Porm a energia por pulso foi de 126 J.

A diferena entre os principais parmetros nas duas tcnicas so resumidas

na Tabela 5.

Tabela 5 Principais parmetros entre os dois mtodos

D-scan TRD

Material Lente (mm) L. Temporal (fs) Lente (mm) L. Temporal (fs)

Suprasil 50 25 38 55

Safira 50 25 38 35

Na Figura 8.8 e Figura 8.9 so mostradas as medidas do limiar de dano do

Suprasil e da safira monocristalina, respectivamente, em funo da sobreposio usando
as duas tcnicas.

No Suprasil, os parmetros obtidos pelos ajustes da EEq. 19 no

apresentaram diferenas estatsticas no valor do parmetro de incubao e no limiar de
ablao para pulsos nicos (veja Figura 8.8). Porm existe uma diferena significativa
entre os valores de saturao do limiar de ablao obtidas pelas duas tcnicas.

87
 7 Suprasil
6
Limair x N
5 Equation y = Finf+(F1-Finf)*exp(-k*(x-1))

Limiar de ablao (J/cm2)

Valor Erro
4 D-scan F1 5,14 0,15
Finf 1,926 0,055
k 0,06414 0,0082
3 TRD F1 4,67 0,26
Finf 1,03 0,11
k 0,0595 0,012

D-Scan - 25 fs
TRD - 55 fs
1

1 10 100 1000 10000

Sobreposio N
Figura 8.8 - Limiar de ablao do Suprasil em funo da sobreposio para Suprasil -
comparao entre os dois mtodos.

Na safira, Figura 8.9, encontrada uma diferena menos significativa nos

valores de limiar de ablao saturados, e pode-se dizer que os resultados foram
compatveis dentro do erro experimental.

7 Safira
6 Limiar x N
Equao y = Finf+(F1-Finf)*exp(-k*(x-1))
5 Valor Erro
D-scan F1 4,15 0,11
Limiar de Ablao (J/cm2)

4 Finf 1,492 0,041

k 0,022 0,0028
TRD F1 5,11 0,31
Finf 2,16 0,11
3 k 0,135 0,021

D-scan - 25 fs
TRD - 35 fs
1

1 10 100 1000 10000

Sobreposio N
Figura 8.9Limiar de ablao da Safira em funo da sobreposio - comparao entre
os dois mtodos.

88
 Com base nos resultados e na confiabilidade dos mesmos, duas hipteses
so levantadas para explicar a diferena entre as duas tcnicas encontrada no caso do
Suprasil.

A primeira hiptese afirma que os dois mtodos so equivalentes, e apenas a

diferena na largura temporal utilizada nos dois mtodos, 25 e 55 fs, o motivo da
diferena. O fato da largura dos pulsos na tcnica TRD ser duas vezes maior que no
mtodo com o D-scan, pode resultar em um efeito mais eficiente na produo de
eltrons pelo processo de avalanche. Este efeito seria significante apenas quando se tem
linhas de absoro interbandas devido aos defeitos, o que teria um efeito de mudana no
limiar de dano apenas para pulsos com maior sobreposio. Mas no explicaria por que
os valores so prximos em baixas sobreposies.

A segunda hiptese considera que a diferena dos limiares entre os dois

mtodos para pulsos com alta sobreposio se deve ao efeito colateral trmico, devido
diferente distribuio espacial da energia entre os mtodos. Ou seja, com a tcnica
TRD, o feixe tem sempre uma distribuio espacial fixa devido ao procedimento que
fixa a posio da cintura do feixe na superfcie da amostra. Isso faz com que o gradiente
de fluncia entre o centro do feixe e a regio medida seja maior que no D-scan. Isso
provoca no caso da TRD um regime de alta fluncia com zona afetada pelo calor,
subestimando o limiar de ablao para pulsos sobrepostos.

Para embasar essa hiptese deve-se calcular e comparar a distribuio de

intensidades tpicas usadas pelos dois mtodos. Alm disso, o gradiente de fluncias ao
longo da superfcie na direo radial deve ser quantificado.

Define-se nesse trabalho, o gradiente de fluncia na direo radial entre a

borda do dano e o centro do feixe como sendo:

Eq. 59

onde Fpico a fluncia pico do centro do feixe e Fth a fluncia de limiar responsvel
pela ablao da borda do dano.

No caso da TRD a fluncia no centro do feixe igual fluncia pico dada

pela Eq. 33, e a fluncia medida na borda do dano simplesmente Fth dada pela prpria

89
definio do mtodo que diz que na regio de medida do dimetro do dano a fluncia
igual Fth. A partir da Eq. 29:

Eq. 60

Logo,

Eq. 61

Onde a distncia do centro borda da regio ablacionada e w o raio do

feixe que fixo na superfcie da amostra na TRD.

Para calcular o gradiente de fluncia no mtodo D-scan, deve-se tambm

calcular a fluncia pico em funo da distncia da borda da regio ablacionada. A partir
da Eq. 46 tem-se que o limiar de ablao depende apenas da energia do pulso e da
largura mxima de um trao de D-scan:

Eq. 62

Usando o valor da fluncia de pico,

Eq. 63

A razo entre a fluncia pico e a fluncia de limiar vale:

Eq. 64

a partir da Eq. 52 sabe-se que na regio da medida de :

Eq. 65

Ento, a razo entre a fluncia de pico e a fluncia de limiar entre qualquer

varredura D-scan vale:

90
 Eq. 66

A Figura 8.10 mostra uma comparao qualitativa das distribuies de

fluncia envolvidas entre os mtodos TRD e D-Scan. possvel observar que para a
realizao das irradiaes no mtodo TRD, so necessrias vrias irradiaes com
diferentes fluncias de pico vrias vezes maiores que o limiar de ablao do material
para ser possvel ajustar um grfico de D2 em funo da fluncia. Por outro lado, numa
varredura D-scan, a fluncia pico mxima atingida sempre (e.Fth) como visto na Eq.
66.

Figura 8.10 Comparao entre o D-scan e o TRD da distribuio de fluncias tpicas

para a medida do limiar de ablao. Cada trao no eixo y equivale a Fth.

A partir das Eq. 61, Eq. 59 e Eq. 66 possvel calcular o gradiente de fluncias entre os
dois mtodos e as fluncias pico em funo da distncia da borda da regio
ablacionada at o centro. O mdulo do gradiente das fluncias normalizado por Fth em
funo de nas tcnicas TRD e D-scan, respectivamente, so:

Eq. 67

91
 Eq. 68

O grfico da Figura 8.11 mostra uma comparao da fluncia de pico e o

gradiente de fluncia em funo da distncia do centro borda utilizada nos dois
mtodos. O raio utilizado para a simulao w = 6 m, para ser compatvel com os
resultados obtidos por esse trabalho com a lente de 38 mm. possvel observar que um
aumento exponencial da fluncia pico e do gradiente na TRD so necessrios para
aumentar a distncia do dimetro D (ou 2) da regio ablacionada. Por outro lado, as
curvas do comportamento da fluncia no D-scan mostram que a fluncia pico sempre
constante, e com o aumento do tamanho de max (que depende de Epulso e Fth) o gradiente
de fluncia inversamente proporcional distncia max.

20 10

Gradiente entre o centro e a borda (J.cm .m )

19

-1
18 9
Fluncia pico normalizada por Fth (J/cm )
2

17 Fluncia pico D-scan

-2
16 Fluncia pico TRD 8
15 Gradiente D-scan
14 7
13
Gradiente TRD
12 6
11
10 5
9
8 4
7
6 3
5
4 2
3
2 1
1
0 0
0 2 4 6 8 10

Distncia da borda ao centro do dano (m)

Figura 8.11 Clculo da fluncia pico e do gradiente de fluncia utilizada pelos

mtodos TRD e D-scan. Devido caracterstica intrnseca de cada mtodo, o gradiente
de fluncia e a fluncia pico so distintos em comportamento e valores em funo do
tamanho da distncia entre a borda do dano e o centro do feixe.

Estas consideraes podem ser usadas para embasar a hiptese de que no

caso do Suprasil possa estar ocorrendo influncia trmica da parte mais central do feixe
na regio onde se tem a ablao ou do plasma formado em regies onde existe maior
fluncia. Ou seja, no caso com a TRD, o maior gradiente de fluncia entre o centro e a

92
borda pode estar ablacionando material mesmo com fluncias abaixo do limiar de dano
(regime de alta fluncia). Nesse caso com o Suprasil, somente com grande sobreposio
esse efeito trmico tem influncia. No mtodo D-scan o gradiente trmico menor para
marcaes maiores que 4 m no caso da lente de 38 mm (o que foi atingido por todas as
varreduras D-scan nesse trabalho).

A Figura 8.12 mostra imagens de MEV que evidenciam o efeito colateral

devido ao alto gradiente de fluncia. No caso do Suprasil possvel observar a
formao de uma regio quebradia na borda dos danos. Essa regio de borda onde o
material foi arrancado provavelmente est abaixo do limiar de ablao do material para
esses parmetros. O efeito da ejeo de material de regies centrais poderia contribuir
para arrancar material na periferia e esse seria um efeito de espalao [66]. Portanto,
esse efeito ocorre preferencialmente para pulsos com maior sobreposio apenas no
Suprasil, a medida da marcao com um dimetro superestimado poderia subestimar os
valores do limiar de ablao para pulsos com maior sobreposio com a TRD somente
no Suprasil.

Diferentemente, as Figura 8.13 e Figura 8.14 mostram o detalhe da borda de

um trao de D-scan na safira. possvel observar a formao de ripples; isso mostra
que o regime de ablao no trmico e caracterizado pelo efeito Coulomb na borda
do trao [43; 57].

93
Figura 8.12 Evidncia de zona colateral afetada devido ao alto gradiente de fluncias
durante a irradiao para a TRD no Suprasil. Na safira no foi possvel observar efeito
colateral.

Figura 8.13 Imagem de microscopia eletrnica de varredura da regio onde feita a

medida de max.

94
Figura 8.14 Imagem de MEV mostrando o detalhe da borda de um trao de D-scan.
possvel observar a presena de ripples na borda do trao sem trincas. Ou seja,
exploso Coulombiana.

A partir da definio do gradiente de fluncia radial mostra-se que a

influncia de um regime de alta fluncia pouco provvel com o mtodo D-scan. Por
outro lado, o alto gradiente de fluncias usado pela tcnica TRD pode atrapalhar na
medida do limiar de ablao por uma influncia colateral regio central ablacionando
material mesmo para fluncias abaixo do limiar de ablao, subestimando-o para altas
sobreposies. Nesse caso o mtodo D-scan mais adequado para calcular o limiar de
ablao sem influncias colaterais do feixe no Suprasil, independentemente da energia
dos pulsos e da sobreposio.

O mtodo D-scan mostra trs caractersticas vantajosas em relao TRD.

Primeiramente, a varredura dos pulsos na medida do limiar de ablao intrnseca ao
D-scan, o que faz o processo de medida se aproximar de um processo de usinagem real
no qual os pulsos no se sobrepem totalmente e a varredura de pulsos necessria. A
segunda caracterstica o menor gradiente de fluncias em relao a TRD, o que evita
um dano ou trmico, ou devido ao plasma colateral, mascarando a regio ablacionada de
limiar. E por fim, uma tcnica mais rpida, simples que a TRD e no necessita de um
arranjo experimental mais sofisticado para sua execuo. Ou seja, apenas uma lente de
focalizao e um sistema de varredura com velocidade controlvel.

95
8.3 Limiar de Ablao com a tcnica D-scan em funo da largura temporal dos
pulsos

A varredura D-scan foi utilizada para a medida do limiar de ablao do BK7

com diferentes larguras temporais de pulso.

O arranjo experimental o mesmo utilizado nos experimentos anteriores

com o Suprasil e a safira. Na Figura 8.15 so mostrados os traos de D-scan no BK7
para pulsos de 152 fs. possvel observar que a posio de max na Figura 8.15 varia de
acordo com a sobreposio, mostrando o comportamento de incubao e a necessidade
de quantificar a sobreposio de acordo com a Eq. 55 (Teta de Jacobi).

Figura 8.15 Microscopia ptica dos traos de D-scan realizados com pulsos de 152 fs
e energia de 207 J. possvel observar as diferentes posies das medies de max
para diferentes sobreposies.

Neste experimento a incerteza na medida da largura da marcao feita pelo

D-scan foi de 6 m. A lente de focalizao utilizada foi de 50 mm de comprimento
focal. Alm disso, a largura temporal dos pulsos pde ser controlada atravs da insero
dos prismas do compressor do feixe na sada do amplificador do laser. Atravs do ajuste
do posicionamento das grades foi possvel mudar a disperso das fases das diferentes
componentes espectrais do pulso. Isso permitiu que a largura temporal dos pulsos fosse
ajustada de 25 a 150 fs. As larguras temporais foram medidas com a tcnica FROG
[121].

Para cada diferente largura temporal, foi feito um grfico do limiar de

ablao em funo da sobreposio no BK7. Foram utilizadas 23 diferentes velocidades

96
de varredura para cada largura temporal. Ento, com ajuste da EEq. 19 foi possvel
obter os limiares de ablao de pulsos nicos, saturados e o parmetro de incubao em
funo da largura temporal. As Figura 8.16 e Figura 8.17 mostram os limiares de
ablao para pulsos de 22,8 fs e 144 fs. possvel observar a diferena nos valores
ajustados pela funo de incubao. O mesmo grfico foi feito para 8 larguras temporais
diferentes e a mesma funo foi ajustada.

Figura 8.16 Limiares de ablao em funo da sobreposio obtida pelo mtodo D-

scan. BK7 22,8 fs.

Figura 8.17 Limiar de ablao em funo da sobreposio obtida pelo mtodo D-scan.
BK7 144 fs.

97
 A seguir so apresentados os resultados dos ajustes das trs grandezas em
funo da largura temporal em todas as larguras temporais medidas. No grfico da
Figura 8.18 alm dos resultados experimentais mostrada a simulao do limiar de
ablao para pulsos nicos em funo da largura temporal (detalhada no captulo 4).

6
Bk7 - Pulsos nicos

5
Limiar de Ablao (J/cm )
2

2
Limiar de ablao experimental
Simulao terica

1
0 50 100 150
Largura Temporal (fs)

Figura 8.18 Limiar de ablao para pulsos nicos obtidos atravs do ajuste da EEq. 19
dos valores de limiar de diversas medidas de D-scan e simulao do limiar de ablao
no BK7.

98
 1,2
Limiar de saturao

Limiar de dano de saturao (J/cm2)

1,1

1,0

0,9

0,8

0,7

0,6

0,5

0,4

0,3

0,2

0 50 100 150 200

Lagura temporal dos pulsos (fs)

Figura 8.19 Limiar de ablao de saturao obtidos atravs do ajuste da EEq. 19 dos
valores de limiar de diversas medidas de D-scan.

Prmetro de incubao
0,05
Parmetro de Incubao

0,04

0,03

0,02

0,01

0 50 100 150 200

Largura temporal dos pulsos (fs)

Figura 8.20 Parmetros de incubao obtidos atravs do ajuste da EEq. 19 dos valores
de limiar de diversas medidas de D-scan.

Os resultados mostram claramente uma tendncia de aumento do limiar de

ablao para os pulsos nicos, infinitos pulsos e o parmetro de incubao. Alm disso,

99
esses dados mostram que a variao de poucos fs na largura temporal mudar em at
duas vezes o limiar de ablao de pulso nico, e at quatro vezes o limiar de ablao de
saturao. Tambm possvel observar uma tima concordncia entre o modelo terico
(simulao) de quantificao da densidade eletrnica e os resultados experimentais.

Na simulao mostrada na Figura 8.18, o aumento do limiar de ablao em

funo da largura temporal est relacionado a uma diminuio na produo total de
eltrons livres na banda de conduo. O que compatvel com a definio do modelo da
simulao que define o limiar de dano quando a densidade eletrnica atinge um valor
crtico ncr.

Os resultados apresentados aqui mostram que o comportamento esperado do

aumento do limiar de ablao em funo da largura temporal foi verificado no BK7. Os
resultados do limiar de ablao para pulsos nicos puderam ser comparados com uma
simulao terica e os resultados foram compatveis.

Diferentemente da maioria dos trabalhos publicados na literatura para

medidas de limiar de ablao com a TRD, nesse trabalho foi mostrado um grande
conjunto de pontos experimentais (duas dezenas por largura temporal). Isso foi possvel
devido simplicidade e rapidez da tcnica D-Scan comparada ao modelo tradicional,
tanto devido irradiao quanto nas medidas das reas ablacionadas.

100
9 Microcanais

A manipulao precisa e controlada de pequenas quantidades de fludos

torna necessria a produo de montagens qumicas e biolgicas com dimenses cada
vez menores. Conjuntos chamados de microfludicos, com dimenses micromtricas
tm sido produzidos j em escala comercial para atender a esta necessidade.
Normalmente so bidimensionais e produzidos na superfcie de materiais transparentes,
mas podem ser tridimensionais e produzidos em qualquer tipo de material [122]. A
estrutura bsica mais utilizada um canal com dimenses micromtricas chamados de
microcanais. Geralmente sua seo transversal arredondada, com dezenas a poucas
centenas de micra, e comprimentos que podem chegar a alguns centmetros. As
aplicaes vo desde analisadores de DNA [123] at reatores qumicos microscpicos
[124]. O mtodo mais utilizado para confeco destes microcanais o de fotolitografia,
onde uma sensibilizao ptica combinada com um ataque qumico capaz de produzir
uma estrutura micromtricas com grande preciso e timo acabamento superficial. Este
mtodo, contudo muito trabalhoso, tornando caro e demorado o processo de
fabricao. A diminuio do custo e aumento da produtividade s obtida quando da
produo em massa de uma pea vinda da mesma mscara matriz.

Uma alternativa muito interessante produo destes microcanais a

usinagem com pulsos laser ultracurtos [125; 126]. Com este mtodo, o desenho da
estrutura pode ser facilmente modificado para cada pea individual. Praticamente no h
restrio para o tipo de material, as dimenses podem ser controladas com preciso, e a
razo de aspecto (largura / profundidade) pode ser de at algumas dezenas.

Por ser um mtodo relativamente recente e extremamente complexo, a fsica

da interao de pulsos laser ultracurtos com a matria ainda objeto de intensos
estudos. Embora ainda no sendo um processo totalmente dominado, a usinagem com
este tipo de pulsos tem sido utilizada para a produo de estruturas micromtricas em
diversos tipos de materiais. No existe uma metodologia e uma carta de processos
estabelecida para a remoo de material, mas apenas modelos de interao para pulsos
nicos, o que obviamente precisa ser corrigido quando da usinagem de cavidades que
necessitam de uma sobreposio grande de pulsos laser. Neste contexto, este trabalho
buscou obter uma relao entre a remoo de material e o nmero de pulsos laser

101
sobrepostos em um mesmo ponto, levando em conta o parmetro de incubao. Isto
possibilitou a usinagem de microcanais em BK7 com dimenses controladas e grandes
profundidades mesmo sem a ocorrncia de uma zona afetada termicamente.

9.1 Estratgias de usinagem Controle da forma

O conhecimento do parmetro de incubao mostra a necessidade da criao

de uma estratgia de usinagem de microcanais que leve em considerao o processo de
sensibilizao e acmulo de danos no material por irradiaes precedentes. Nesse
sentido foram testadas duas diferentes estratgias de usinagem: A usinagem direta
(intensa) e a usinagem suave ou "Smooth Ablation" [127].

Em ambas as estratgias as varreduras foram feitas longitudinalmente aos

canais (Figura 9.1). Os parmetros variados foram:

sobreposio lateral das varreduras (d);

sobreposio longitudinal (variando-se a velocidade de varredura v):
N
energia dos pulsos: Epulso

Figura 9.1 - Esquema do trajeto feito pelo laser para formar uma "camada" de
usinagem. A polarizao possui a mesma direo da varredura do laser. As varreduras
foram feitas longitudinalmente aos canais com velocidade .

Parte das anlises foi feita com o uso do OCT (Tomografia de Coerncia
ptica). Essa tcnica permite o mapeamento tomogrfico de alteraes feitas no

102
material transparente. possvel medir alteraes do ndice de refrao no material
induzida pelo laser.

9.1.1 Primeira estratgia: Usinagem Direta

Nesta estratgia utilizou-se uma grande sobreposio longitudinal com o

objetivo de ablacionar uma grande quantidade de material em cada varredura. Sendo
assim, o objetivo dessa anlise preliminar foi comparar canais de mesma largura final
com suas formas finais em funo apenas da variao da distncia lateral de cada
varredura do laser. Para tanto, quatro diferentes canais foram usinados.

A largura total escolhida, de 100 m, foi obtida por varreduras longitudinais

ao canal como mostrado no esquema da Figura 9.1, e o nico parmetro variado em
cada canal foi a sobreposio lateral (ou distncia entre as varreduras). Os
deslocamentos laterais foram variados de d = 10, 20, 30 e 40 m permitindo uma
diferente sobreposio lateral em cada canal. Todos os canais tiveram a mesma
sobreposio longitudinal de 500 pulsos e a mesma energia de 33 J por pulso,
correspondendo a 22 J/cm2 (considerando 0 = 6,7 m com lente de 38 mm). O nmero
N de pulsos sobrepostos longitudinalmente (ao longo do canal) foi determinado pela
relao entre a velocidade de varredura v, o raio do feixe na superfcie da amostra w0 e a
taxa de repetio f dos pulsos:

Eq. 69

Assim, com uma taxa de repetio de 1000 Hz a velocidade de varredura

utilizada nessa estratgia foi de 1,6 mm/min.

Apesar da irradiao controlada e uniforme, assimetria e conicidade foram

verificadas nos perfis dos canais usinados. Pode se notar na imagem de OCT da Figura
9.2 uma regio esbranquiada cnica, muito profunda e afetada logo abaixo do canal
usinado. Esta regio corresponde a uma mudana do ndice de refrao do material
causado pela absoro no linear do feixe. Do ponto de vista da utilizao prtica destes
canais, tal defeito no implicaria em um problema. No entanto, o resultado
correspondente nos mostra que a energia do pulso no est sendo eficientemente

103
utilizada para a remoo de material, e parte dela penetra para alm do fundo do canal.
Assim, conforme as camadas de usinagem se sobrepem umas s outras, uma camada
abaixo da superfcie usinada no ablacionada, contudo sua estrutura cristalina
modificada (modificando o ndice de refrao). A assimetria transversal e a mudana do
ndice de refrao abaixo dos canais usinados podem ser explicadas pela alta
sobreposio longitudinal utilizada em cada varredura. Nesta condio, a usinagem das
varreduras paralelas posteriores foi influenciada pelas anteriores, ou seja, ao se deslocar
a amostra para as prximas varreduras o feixe focalizado no encontrou uma superfcie
plana e uniforme (Figura 9.2). Como na primeira varredura, apenas encontrou uma
parede inclinada originada da usinagem precedente. Logo, essa parede contribuiu para
refletir e espalhar o feixe laser o que diminuiu a eficincia de ablao e no permitiu
uma ablao simtrica do canal.

A geometria de usinagem, somada ao perfil espacial gaussiano dos pulsos

laser levam ento estrutura verificada na Figura 9.2-b:

z Primeira estratgia:
x y

Varredura anterior
Varredura atual

Reflexo do feixe

Mudana no ndice de refrao

Figura 9.2 - a) Esquema de usinagem resultante da aplicao da usinagem direta.

Apenas uma camada usada e a sobreposio longitudinal suficientemente alta para
alcanar a profundidade desejada. b)Imagens de OCT.

104
9.1.2 Usinagem suave

Esta estratgia usa o mesmo princpio de irradiao apresentado na Figura

9.1 na qual so feitas varreduras paralelas ao canal, porm, buscou-se neste caso,
diminuir a sobreposio longitudinal de cada varredura. Assim foi preciso mais que um
conjunto de varreduras para garantir a mesma fluncia total (soma de toda energia
depositada por rea na amostra) em cada canal. Por conseguinte, vrias camadas de
usinagem como mostrado no esquema da Figura 9.1 so necessrias para se atingir a
profundidade escolhida para cada canal. Diferente do ocorrido no primeiro caso, as
distncias entre as varreduras foram escolhidas de acordo com as larguras de cada trao
usinado previstas pelo parmetro de incubao. A largura dos traos D calculada a
partir da Eq. 70 e uma funo da sobreposio N e da fluncia pico de cada pulso.
Nesse experimento N foi calculado de acordo com a equao Eq. 69, mas poderia ser
calculado de acordo com a equao Eq. 57 substituindo max por . A largura do
trao usinado :

Eq. 70

A Eq. 70 fornece o valor da largura dos traos D( N , F0pico ) para a N-sima

sobreposio longitudinal em funo da fluncia mdia F0pico dos pulsos. Definimos a

sobreposio lateral entre cada trao como d. Para distncias de varredura iguais a D,
l=1 e para sobreposio total de dois traos l=0. Para isso a distncia usada entre cada
varredura l.D. A profundidade total foi obtida dividindo-se o processo em camadas
formadas por traos paralelos usinados como descrito na Figura 9.1. Nesta segunda
estratgia em particular, canais de 100 m de largura tambm foram usinados, com uma
sobreposio lateral de 20% (l=0,8) em todas as camadas de material arrancado. Para a
primeira camada foi escolhida uma sobreposio longitudinal de 4 pulsos, e a distncia
lateral entre as varreduras foi de l.D(4, F0pico ) , que corresponde largura relativa a
quatro pulsos sobrepostos vezes a sobreposio lateral l. Para a prxima camada de
varredura a sobreposio longitudinal (velocidade) e a sobreposio lateral
(deslocamento lateral) foram recalculados com base na Eq. 70. Neste caso, por
exemplo, uma sobreposio longitudinal de 16 pulsos foi escolhida e sendo assim, essa

105
segunda camada teve traos com sobreposio de 12 pulsos para atingir o total
predeterminado de 16 pulsos. O mesmo foi feito com as camadas seguintes at 128
pulsos sobrepostos longitudinalmente. Isso significa que a largura do dano aumenta com
o nmero de sobreposies de pulsos, isto , para cada camada esse efeito deve ser
levado em considerao para manter fixas as distncias entre as bordas de cada trao
usinado. No presente caso, dividiu-se a usinagem num conjunto de quatro camadas,
onde, para cada uma delas, a velocidade e a sobreposio lateral foram modificadas
levando-se em conta o parmetro de incubao para garantir uma sobreposio lateral
de cada trao de 20%. Na Figura 9.3-b a imagem de OCT mostra canais usinados com
esse procedimento. mostrado nessa ltima imagem dois conjuntos de canais usinados
com energias constantes de 10 e 33 J. Em ambos os conjuntos foram feitas irradiaes
com apenas
z
uma camada de NT=4, canais com duas camadas NT=16 e at canais com
quatro camadas
x
completando uma sobreposio total NT=128 pulsos sobrepostos.
y

Segunda estratgia:
Ablao Suave

Primeira camada
Segunda camada
d

Ablao da superfcie suave Mudana no ndice de refrao

Figura 9.3 - a) mtodo da ablao suave - O canal usinado formado por

vrias camadas onde a sobreposio lateral e longitudinal so variadas em cada camada
para levar em considerao o dimetro de cada trao. b) Imagem de OCT dos canais
usinados. Cada canal tem uma sobreposio total de N pulsos (soma das camadas igual
a N). Duas energias so mostradas 33 e 10 J.

106
 O procedimento de ablao suave foi responsvel pela incubao
homognea da regio ablacionada, permitindo que o canal usinado por varreduras
paralelas tenha uma superfcie homognea e livre de assimetrias como mostrado na
Figura 9.3-b. Fica ntido no s a melhora no perfil dos traos bem como a ausncia de
uma regio afetada abaixo do fundo dos canais. A usinagem suave proporcionou uma
superfcie mais plana ao longo de toda usinagem e um perpendicularismo maior do
feixe no fundo do canal ao longo de toda usinagem. Isto permitiu melhor controle da
simetria final dos canais j que os traos anteriores no foram profundos o suficiente
para espalhar o feixe como observado na primeira estratgia. As altas velocidades
aplicadas em cada varredura e a necessidade de vrias camadas de usinagem permitiram
um melhor aproveitamento da energia j que reflexes nas paredes dos traos puderam
ser evitadas. Em todos os canais usinados foi possvel observar uma grande simetria e
perpendicularismo das bordas .

Figura 9.4 Microscopia eletrnica de varredura dos canais usinados com o mtodo
Smooth ablation. Cada figura (a,b,c,d) mostram um mesmo canal de N=128 e 200 m
de largura com diferentes ampliaes.

107
9.2 Controle da profundidade

Para projetar um microcanal, contudo, preciso conhecer a taxa de remoo

de material em funo da sobreposio e energia a fim de controlar a profundidade e sua
forma. Para esse fim, nessa seo, so mostradas perfilometrias tomogrficas atravs de
imagens de OCT de canais usinados em BK7 pelo mtodo suave em funo da energia e
sobreposio longitudinal como definido na Eq. 55. As profundidades mximas dos
microcanais foram medidas e so apresentadas na Figura 9.5 juntamente com os perfis
medidos com OCT Figura 9.7.

400

350 30 J
45 J
300 60 J
70 J
Profundidade (m)

250

200

150

100

50

0
0 50 100 150 200 250
Sobreposio

Figura 9.5 - Profundidade em funo da sobreposio longitudinal de canais de 100 m

usinados em BK7 usando o mtodo suave para diferentes energias.

108
 250

Profundidade (m) 200

150

100
30 J Foco fixo
30 J Variando o foco
50

0
0 50 100 150 200 250
Sobreposio

Figura 9.6 - Profundidade em funo da sobreposio longitudinal N com pulsos de 30

J. Pontos vermelhos: ajustou-se a posio focal para ficar na superfcie da regio
usinada. Pontos verdes: a posio focal permaneceu na superfcie da amostra durante a
usinagem.

Figura 9.7 - Imagem de OCT de microcanais de 100 m de largura usinados com o

mtodo suave e 30 J por pulso. O conjunto de canais de cima corresponde irradiao
sem variar o foco, abaixo os canais foram usinados com o foco ajustado para ficar na
superfcie em cada camada.

109
Figura 9.8 - Imagem de MEV do canal com variao do foco e sobreposio total de
104 pulsos.

No procedimento de usinagem desses canais, o foco foi mantido fixo na

superfcie da amostra durante toda a usinagem. Isso significa que na superfcie do fundo
do canal o feixe possui caractersticas diferentes do feixe no comeo da usinagem
(parmetro confocal ~170 m), e, devido ao caminho ptico do feixe at o fundo do
canal a distribuio de intensidade alterada. Para estudar uma possvel diferena na
qualidade de usinagem e na taxa de remoo de material durante a usinagem dos canais,
o mesmo mtodo suave com energia de 30 J foi usado, porm, usando os valores
previamente medidos de profundidade apresentados na Figura 9.6 e a posio focal foi
ajustada durante a usinagem para que em cada camada usinada, a cintura do feixe se
encontrasse o mais prximo possvel fundo do canal. A comparao da profundidade
entre os dois procedimentos mostrado na Figura 9.7 e no possvel observar
diferena significativa na profundidade mxima para sobreposies prximas nos
diferentes processos. Porm, analisando as imagens de OCT da Figura 9.7 pode-se
observar uma diferena sutil no perfil dos microcanais. Nos canais usinados com o foco
posicionado no fundo do canal em cada varredura, os perfis finais possuem uma forma
mais arredondada (Figura 9.7 o canal produzido pela sobreposio de 104 pulsos)
enquanto que nos usinados como foco fixo os perfis apresentam uma forma em "V".

Na Figura 9.9 so apresentados os mesmos valores da Figura 9.6 (pontos

vermelhos) que correspondem aos valores da profundidade final de canais usinados com

110
30 J de energia de pulso, com o mtodo suave. Juntamente nesse mesmo grfico, so
apresentadas as profundidades mximas de traos nicos, ambos usinados com
diferentes sobreposies longitudinais.

No grfico da Figura 9.9, os pontos verdes representam traos nicos

usinados com apenas uma varredura do feixe, e as diferentes sobreposies so obtidas
por diferentes velocidades de varredura. Os traos representados pelos pontos pretos
foram usinados com vrias sobreposies de varreduras nicas com uma mesma
velocidade num mesmo caminho, e as diferentes sobreposies se devem soma da
sobreposio de cada camada de varredura. A partir da comparao da profundidade
alcanada por sobreposies finais iguais, no foi possvel observar diferena entre os
dois procedimentos. Uma hiptese de que efeitos de incubao dinmicos
(recombinao de defeitos) pudessem diferenciar os resultados das duas abordagens
descritas acima pode ser descartada dentro do erro experimental.

A diferena entre a profundidade final dos microcanais e dos traos nicos

foi significativamente grande. Essa diferena esperada, visto que na usinagem dos
traos nicos, aps um valor de sobreposio N, o feixe no irradia uma superfcie
plana, isso provoca reflexes nas paredes do trao usinado, alm do mais, a distribuio
gaussiana do feixe no permite uma distribuio uniforme da energia e um perfil em
"V" inevitvel (Figura 9.10) e isso limita a profundidade desses traos.

Contrariamente, no mtodo de usinagem suave (canais 100 m), a usinagem

em mltiplas camadas permite que o feixe encontre uma superfcie plana mesmo a
grandes profundidades, at que o efeito de borda (reflexes do feixe) se torne
significante e prejudique a eficincia de ablao em profundidades maiores. Esse efeito
claro mesmo para os canais de 100 m quando a profundidade grande.

111
 30 J
200

Profundidade (m) 150

Traos nicos: sobrepostos

100 Trao nico: vrias velocidades
Mtodo suave microcanais 100 m

50

0 100 200 300 400 500 600

Sobreposio N
Figura 9.9 - Profundidade em funo da sobreposio. Pontos verdes: Microcanais de
100 m usinados com o mtodo suave com pulsos de 30 J. Pontos pretos: traos nicos
sobrepostos com mesma velocidade de varredura. Pontos vermelhos: traos nicos
sobrepostos com apenas uma varredura, as diferentes sobreposies so alcanadas com
diferentes velocidades de varredura.

Figura 9.10 - Exemplo de alta e baixa sobreposio em traos usinados no BK7 fora do
foco (dimetro do feixe ~100 J). a) Alta sobreposio forma em "V" reflexes laterais.
b) Baixa sobreposio forma mais arredondada.

112
 Eficincia de incubao (m/N)
3

1
30 40 50 60 70

Energia (J)
Figura 9.11 - b) eficincia de incubao na usinagem com o mtodo suave.

A eficincia de incubao com o mtodo suave foi obtida atravs do

coeficiente angular do grfico da profundidade em funo da sobreposio. Os valores
de eficincia para as diferentes energias so mostrados na Figura 9.11 e mostram, como
esperado, um aumento na eficincia de incubao com o aumento da energia dos pulsos.

Na usinagem dos microcanais a sobreposio lateral tem um importante

papel no processo de incubao, pois o caminho de varredura do feixe est sendo
incubado por varreduras paralelas laterais. Esse efeito permite que a profundidade (no
caso dos parmetros usados nesse experimento) cresa linearmente com a sobreposio
como pode ser visto na Figura 9.9 (pontos vermelhos). Diferentemente, em varredura de
traos nicos, apresentam um caminho de saturao mais rpido e uma eficincia baixa
(mesmo para pequenas profundidades, Figura 9.9 pontos verdes e pretos). Mostrando
que a usinagem suave permitida pelas vrias camadas de usinagem garante a maior
eficincia na taxa de remoo de material e permite que a razo de aspecto dos canais
usinados seja maior sem que efeitos de borda atrapalhem o processo de ablao.

Esses resultados permitiram que a profundidade dos microcanais usinados

com o mtodo suave fossem controlados eficientemente. Isso proporcionou a usinagem
de alguns circuitos microfludicos para aplicaes.

claro que este procedimento ainda uma aproximao. Ele no leva em

conta a retirada de material quando do clculo do acmulo de pulsos (N), e tambm no
113
corrige a posio focal. Ainda apresenta limitao de forma quando da usinagem de
traos estreitos e profundos. Mesmo assim, este mtodo representa um avano e se
mostrou bastante til e para uma microusinagem de preciso.

O procedimento de ablao suave de microcanais, ou "Smooth Ablation",

foi apresentado na forma oral no congresso internacional: " Laser in Manufacturing" em
Munique no comeo de 2011. Um trabalho completo tambm foi publicado no
peridico desse mesmo congresso [127].

114
10 Microfludica

Para as aplicaes em microfludica foram desenvolvidos conectores para o

acoplamento dos microcanais com bombas de injeo de lquidos controladas por
computador. O sistema de injeo de lquidos dos microcanais consistiu em motores de
passo conectados a micrmetros de acoplamento. Os torques dos motores foram
transferidos atravs de polias e correias para os micrmetros, atravs dos quais foi
possvel movimentar os mbolos de seringas mdicas de 1 ml. Os motores de passo
foram comandados por placas controladoras de motor de passo da marca Akiyama.
Cada controlador possui duas entradas de sinal digital (0 - 5 V), uma entrada de sentido
de movimento e outra de "clock", ou frequncia de execuo dos passos. Os sinais
digitais de 0 e 5 V foram gerados por um microcontrolador da marca Microchip
modelo PIC 18f4550 que foi interfaceado usando uma conexo USB e programado.
Atravs de um programa desenvolvido em LabView foi possvel a gerao de pulsos
pelo microcontrolador para execuo dos comandos de direo e frequncia da placa
controladora dos motores. Essa interface permitiu um controle preciso da injeo de
lquidos em microcanais com resoluo de dezenas de nanolitros.

As conexes das mangueiras nos microcanais foram feitas lateralmente. Isso

foi possvel atravs de canais de 600 m de largura e profundidade usinados nas laterais
dos substratos, permitindo a conexo entre os microcanais e tubos metlicos (Figura
10.1). Os tubos metlicos foram fixados com cola resina nas laterais do BK7. O
confinamento do lquido nos microcanais foi feito pelo uso de uma pelcula de um
Silicone elastmero chamado PDMS (polydimethylsiloxane), evitando qualquer
vazamento, (Figura 10.1 e Figura 10.2). O PDMS fica entre o substrato com os
microcanais na superfcie e uma lmina de BK7 que o pressiona contra o substrato.

A Figura 10.3, esquerda, mostra o acoplamento das mangueiras nos

microcanais usinados, direita mostrado o sistema microfludico com o programa em
LabView, sistema de bombeamento, e visualizao dos microcanais.

115
Figura 10.1 - Esquema do sistema de acoplamento das mangueiras fludicas com o
circuito microfludico.

Figura 10.2 - Imagem da conexo feita usando a tcnica desenvolvida nesse trabalho.

Figura 10.3 - Sistema de acoplamento microfludico com sistema de visualizao e

controle de fluxo.

116
 Para demonstrao do sistema, foi bombeada gua colorida por um circuito
microfludico em forma de cruz com trs entradas de lquido e uma sada. Foi possvel
observar o fluxo laminar devido dimenso microscpica do fluxo e o controle
adequado de bombeamento (Figura 10.4). A Figura 10.5 mostra os canais sendo
usinados.

Figura 10.4 - Fluxo laminar de gua colorida injetada nos microcanais usinados por
laser.

Figura 10.5 - Microusinagem de canais de 100 m em BK7 em forma de cruz.

O desenvolvimento do equipamento para controle microfludico foi

importante para testar os microcanais usinados. Esses sero usados futuramente por esse
Grupo de pesquisa para a realizao de diversos experimentos de microfludica. Para
isso ser necessrio um controle automatizado do fluxo de lquidos que deve ser
precisamente controlado e interfaceado com outros programas em LabView para uma
correta sincronia.

117
11 Concluses

Atravs do estudo dos principais fenmenos fsicos envolvidos no processo

de ablao por pulsos ultracurtos, uma simulao para a quantificao da densidade do
plasma eletrnico foi feita na safira, Suprasil e BK7 e seu resultado pde ser comparado
com os resultados experimentais apresentando tima concordncia.

A tcnica de regresso do dimetro (TRD) foi usada em todos os materiais

propostos e foi encontrada compatibilidade com os valores reportados na literatura. A
medidas com a TRD do limiar de ablao para pulsos nicos na Safira e no Ti:safira
mostraram um regime de alta fluncia com zona afetada pelo calor. Esse regime pode
ser verificado pela divergncia do tamanho das regies ablacionadas em relao ao
esperado pelo modelo a partir de certa fluncia. Aqui foi sugerido que esse efeito
decorrente do calor residual ocasionado pelo alto gradiente de fluncias intrnseco
TRD. Alm disso, o limiar de ablao encontrado para o Ti:safira foi menor que o
encontrado para safira. Esse resultado pde ser explicado pela dinmica da absoro
multifotnica que facilitada pela absoro de linhas interbanda presentes no Ti:safira.

O mtodo para a medida do limiar de dano, o D-scan, teve seu formalismo

expandido para a quantificao da sobreposio de pulsos. Seus resultados de
varreduras de D-scan foram comparados com os valores de pulsos sobrepostos medidos
com a TRD. Os resultados dessas medidas mostraram uma tima compatibilidade entre
os dois mtodos nas medidas feitas no BK7 e Safira. Entretanto, no Suprasil houve uma
diferena significativa entre os valores de limiar de dano para pulsos com grande
sobreposio (N>10) entre as duas tcnicas. Foram levantadas duas hipteses para
explicar essa incompatibilidade. A diferena nas larguras temporais utilizadas ou algum
efeito colateral devido s altas fluncias utilizadas na TRD (10x maiores que a Fth).
Alm disso, com a TRD, o Suprasil apresentou efeito colateral como trincas e ejeo de
material por espalao para altas sobreposies. O que indica que o processo de
ablao com a TRD prejudicado por esses efeitos colaterais. Para comprovar essas
hipteses, esses resultados sero comparados com trabalhos futuros de medidas do
limiar de ablao em funo da largura temporal para diversas sobreposies na safira e
Suprasil, isso poder comprovar se alguma das hipteses levantadas explica a
divergncia nos resultados com o Suprasil.

118
 Ainda utilizando a tcnica de D-scan, foram realizadas as medidas do limiar
de ablao para pulsos com diferentes larguras temporais e diferentes sobreposies no
BK7. A grande quantidade de pontos experimentais de sobreposio (23) e larguras
temporais (8) indita na literatura e foi possvel devido rapidez e simplicidade da
tcnica D-scan. Foi possvel observar uma clara influncia da largura temporal no limiar
de ablao para pulsos, sobreposio saturada e parmetro de incubao.

No contexto da microusinagem de microcanais, a utilizao do

conhecimento do parmetro de incubao se mostrou muito importante na dinmica de
ablao com pulsos sobrepostos. Assim, uma tcnica que utiliza uma ablao suave
composta de vrias camadas de varredura do laser e incubao de defeitos como
parmetro de usinagem foi desenvolvido e possibilitou a criao de canais sem zona
afetada pelo calor, trincas ou respingos de material. Medidas da profundidade dos traos
quando se utiliza essa tcnica foram experimentadas,e possibilitando o controle
adequado de profundidade e forma para a criao de microcanais para aplicao em
microfludica.

Alm da carta de processo para o desenvolvimento de microcanais, o

prottipo de um sistema microfludico foi desenvolvido para que os primeiros
experimentos em microfludica tivessem incio.

Finalmente, foram realizadas medidas do ndice de refrao no linear do

BK7 com a tcnica Z-scan de amostras irradiadas e no irradiadas com pulsos
ultracurtos. A presena de centros de cor gerados pelos pulsos ultracurtos
proporcionaram uma mudana no ndice de refrao no-linear, aumentando seu valor
em duas vezes.

119
12 Trabalhos publicados

Esse trabalho possibilitou a publicao de dois trabalhos completos em

peridicos internacionais e dois trabalhos completos em congresso nacional.

Machado, L. M. ; Samad, Ricardo Elgul ; de Rossi, Wagner ; Junior, Nilson

Dias Vieira . D-Scan measurement of ablation threshold incubation effects for ultrashort
laser pulses. Optics Express, v. 20, p. 4114, 2012. [113]

Machado, L.M. ; Samad, R.E. ; Freitas, A.Z. ; Vieira, N.D. ; de Rossi, W. .

Microchannels Direct Machining using the Femtosecond Smooth Ablation Method.
Physics Procedia, v. 12, p. 67-75, 2011. [127]

Machado, L. M.; SAMAD, R. E. ; Vieira Jr., N. D; BERRETTA, J. R. ;

ROSSI, W. ; FREITAS, A.Z ; Neves . Corte de metais por ablao com pulsos laser
ultracurtos. In: 4 Congresso Brasileiro de Engenharia de Fabricao, 2007, Estncia de
So Pedro. 4 Congresso Brasileiro de Engenharia de Fabricao, 2007. v. 4. p. 83-83.

Machado, L. M. ; SAMAD, R. E. ; FREITAS, A.Z ; VIDAL, J. T. ; Vieira

Jr., N. D ; NOGUEIRA, G. E. C. ; ROSSI, W. . Usinagem de microcanais com laser de
femtossegundos para uso em microfludica. In: 6 CONGRESSO BRASILEIRO DE
ENGENHARIA DE FABRICAO, 2011, Caxias do Sul - RS. 6 CONGRESSO
BRASILEIRO DE ENGENHARIA DE FABRICAO, 2011.

Trabalhos aceitos para publicao:

Captulo de livro: Ultrashort Laser Pulses Machining que ser publicado

pela INTECH.

Trabalhos completos: 7 Congresso Brasileiro de Engenharia de Fabricao:

Usinagem de circuitos microfludicos com laser de pulsos ultracurtos

120
 Physics Procedia 7th International Conference on Photonic Technologies:
D-scan measurement of the ablation threshold and incubation parameter of optical
materials in the ultrafast regime

121
13 Referncias

1
MAIMAN, T. H. Stimulated Optical Radiation in Ruby. Nature, v. 187, n. 4736, p.
493-494, 1960.

2
P. MAKER, R. T., AND C. SAVAGE, P. GRIVET, AND N. BLOEMBERGEN.
Proceedings of the Third International Conference on Quantum Electronics, v.
Proceedings of the Third International Conference on Quantum Electronics, p. 15559,

3
HERCHER, M. Laser-induced damage in transparent media. J. Opt. Soc. Am., v. 54, p.
563, 1964.

4
KASAAI, M. R. et al. The interaction of femtosecond and nanosecond laser pulses
with the surface of glass. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 319, p. 129-135, 2003.

5
JANDELEIT, J. et al. Fundamental investigations of micromachining by nano- and
picosecond laser radiation. Applied Surface Science, p. 885-891, 1998.

6
SANNER, N. et al. Measurement of femtosecond laser-induced damage and ablation
thresholds in dielectrics. Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 94,
p. 889-897, March 1, 2009 2009.

7
STRIGIN, M. B.; CHUDINOV, A. N. Cutting of glass by picosecond laser radiation.
Optics Communications, v. 106, p. 223-226, 1994. >.

8
GOWER, M. C. Industrial applications of laser micromachining. Opt. Express, v. 7, n.
2, p. 56-67, 2000.

9
MATSUSAKA, S.; WATANABE, T. Micro-machinability of silversodium ion-
exchanged glass by UV nanosecond laser. Journal of Materials Processing
Technology, v. 202, p. 514-520, 2008.

10
STRICKLAND, D.; MOUROU, G. Compression of amplified chirped optical pulses.
Optics Communications, v. 56, n. 3, p. 219-221, Dec 1985.

11
DIELS, J.-C.; RUDOLPH, W. Ultrashort laser pulse phenomena : fundamentals,
techniques, and applications on a femtosecond time scale. 2nd. Burlington, MA:
Academic Press, 2006.

122
12
KELLER, U. Ultrafast solid-state laser oscillators: a success story for the last 20 years
with no end in sight. Applied Physics B-Lasers and Optics, v. 100, p. 15-28, Jul 2010.

13
PERRY, M. D. et al. Ultrashort-pulse laser machining of dielectric materials. Journal
of Applied Physics, v. 85, n. 9, p. 6803-6810, 1999.

14
SUNDARAM, S. K.; MAZUR, E. Inducing and probing non-thermal transitions in
semiconductors using femtosecond laser pulses. Nat Mater, v. 1, n. 4, p. 217-224,
2002.

15
GAMALY, E. G. et al. Ablation of solids by femtosecond lasers: Ablation mechanism
and ablation thresholds for metals and dielectrics. Physics of Plasmas, v. 9, n. 3, p.
949-957, 2002.

16
CHICHKOV, B. N. et al. Femtosecond, picosecond and nanosecond laser ablation of
solids. Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 63, n. 2, p. 109-115,
1996.

17
KAISER, A. et al. Microscopic processes in dielectrics under irradiation by
subpicosecond laser pulses. Physical Review B, v. 61, n. 17, p. 11437-11450, 2000.

18
HALLO, L. et al. Model and numerical simulations of the propagation and absorption
of a short laser pulse in a transparent dielectric material: Blast-wave launch and cavity
formation. Physical Review B, v. 76, n. 2, p. 024101, 2007.

19
BULGAKOVA, N. M. et al. Electronic transport and consequences for material
removal in ultrafast pulsed laser ablation of materials. Physical Review B (Condensed
Matter and Materials Physics), v. 69, n. 5, p. 054102-12, 2004.

20
LIU, J. M. Simple technique for measurements of pulsed Gaussian-beam spot sizes.
Opt. Lett., v. 7, n. 5, p. 196-198, 1982.

21
CHIMIER, B. et al. Damage and ablation thresholds of fused-silica in femtosecond
regime. Physical Review B, v. 84, n. 9, p. 094104,

22
ZHOU, Y. et al. Near-field enhanced femtosecond laser nano-drilling of glass
substrate. Journal of Alloys and Compounds, v. 449, p. 246-249, 2008.

23
ASHKENASI, D.; ROSENFELD, A.; STOIAN, R. Laser-induced incubation in
transparent materials and possible consequences for surface and bulk micro-
structuring with ultrashort pulses. Society of Photo-Optical Instrumentation
Engineers (SPIE) Conference Series. April 1, 2002, 2002. 90-98 p.

123
24
GROJO, D. et al. Exciton-seeded multiphoton ionization in bulk SiO2 . Physical
Review B, v. 81, n. 21, p. 212301,

25
The effect of damage accumulation behaviour on ablation thresholds and damage
morphology in ultrashort laser micro-machining of common metals in air. Appl. Surf.
Sci., v. 233, n. 1-4, p. 275, 2004.

26
LIM, Y. C. et al. Direct-write femtosecond laser ablation and DNA combing and
imprinting for fabrication of a micro/nanofluidic device on an ethylene glycol
dimethacrylate polymer. Journal of Micromechanics and Microengineering, v. 21, n.
1, p. 015012,

27
SAMAD, R.; VIEIRA, N. Geometrical method for determining the surface damage
threshold for femtosecond laser pulses. Laser Physics, v. 16, n. 2, p. 336-339, 2006.

28
JONES, S. C. et al. Recent progress on laser-induced modifications and intrinsic bulk
damage of wide-gap optical materials. Optical Engineering, v. 28, p. 1039-1068,
October 1, 1989 1989.

29
ARNOLD, D.; CARTIER, E. Theory of laser-induced free-electron heating and impact
ionization in wide-band-gap solids. Physical Review B, v. 46, n. 23, p. 15102, 1992.

30
A. PROKHOROV, V. K., I. URSU, AND I. MIHAILESCU. Laser Heating of Metals.
Adam Hilger, Bristol, 1990.

31
VIDAL, F. et al. Critical-Point Phase Separation in Laser Ablation of Conductors.
Physical Review Letters, v. 86, n. 12, p. 2573-2576, 2001.

32
ANISIMOV S.I., K. B. L., PEREL'MAN T.L. Sov. Phys. JETP, v. 66, p. 776-781,
1974.

33
M. I. KAGANOV, I. M. L., AND L. V. TANATAROV, "," VOL. , PP. 232-237,
ENGLISH TRANSLATION IN, VOL. 4, PP. 173-178, 1957. . Relaxation between
electrons and the crystalline lattice. Soviet Physics. JETP, v. 4, p. 173-178, 1957.

34
ALLEN, P. B. Theory of thermal relaxation of electrons in metals. Physical Review
Letters, v. 59, n. 13, p. 1460-1463, 1987.

35
JIANG, L.; TSAI, H.-L. Improved Two-Temperature Model and Its Application in
Ultrashort Laser Heating of Metal Films. Journal of Heat Transfer, v. 127, n. 10, p.
1167-1173, 2005.

124
36
SINGH, N. Relaxation between electrons and surface phonons of a homogeneously
photoexcited metal film. Pramana, v. 63, n. 5, p. 1083-1087, 2004.

37
BULGAKOVA, N. M. et al. A general continuum approach to describe fast electronic
transport in pulsed laser irradiated materials: The problem of Coulomb explosion.
Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 81, n. 2, p. 345-356, 2005.

38
A.A. MANEKOV, A. M. P. Sov.Phys.Usp, v. 29, p. 104, 1986.

39
STUART, B. C. et al. Nanosecond-to-femtosecond laser-induced breakdown in
dielectrics. Physical Review B, v. 53, p. 1749-1761, January 1, 1996.

40
DU, D. et al. Laser-induced breakdown by impact ionization in SiO2 with pulse widths
from 7 ns to 150 fs. Applied Physics Letters, v. 64, n. 23, p. 3071-3073, 1994.

41
VAREL, H. et al. Laser-induced damage in SiO2 and CaF2 with picosecond and
femtosecond laser pulses. Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 62,
p. 293-294, March 1, 1996 1996.

42
STUART, B. C. et al. Optical ablation by high-power short-pulse lasers. J. Opt. Soc.
Am. B, v. 13, n. 2, p. 459-468, 1996.

43
REIF, J. et al. Femtosecond Laser Interaction with Solid Surfaces: Explosive Ablation
and Self-Assembly of Ordered Nanostructures. In: (Ed.). Advances In Atomic,
Molecular, and Optical Physics: Academic Press, v.Volume 53, 2006. p.227-251.

44
Keldysh et al., Sov. Phys-JETP, v. 20, p. 1307, 1965.

45
SCHAFFER, C. B.; BRODEUR, A.; MAZUR, E. Laser-induced breakdown and
damage in bulk transparent materials induced by tightly focused femtosecond laser
pulses. Measurement Science and Technology, v. 12, p. 1784-1794, November 1,
2001 2001.

46
HOLWAY, L. H. F., D. W. Electron avalanche breakdown by laser radiation in
insulating crystals. Journal of Applied Physics, v. 46, n. 1, p. pp. 279-291, 1975.

47
SEAH, M. P.; DENCH, W. A. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: A
standard data base for electron inelastic mean free paths in solids. Surface and
Interface Analysis, v. 1, n. 1, p. 2-11, 1979.

125
48
BLOEMBERGEN, N. Laser-induced electric breakdown in solids. Quantum
Electronics, IEEE Journal of, v. 10 n. 3, p. 375 - 386, Mar 1974.

49
D. DU, X. L., G. KORN, J. SQUIER, AND G. MOUROU. Laser-induced breakdown
by impact ionization in SiO2 with pulse widths from 7 ns to 150 fs Appl. Phys.
Lett., v. 64, p. 3071, 1994.

50
JESCHKE, H. O.; GARCIA, M. E.; BENNEMANN, K. H. Microscopic analysis of the
laser-induced femtosecond graphitization of diamond. Physical Review B, v. 60, n. 6,
p. R3701-R3704, 1999.

51
JESCHKE, H. O. et al. Laser ablation thresholds of silicon for different pulse
durations: theory and experiment. Applied Surface Science, n. 0, p. 839-844, 2002.

52
COSTACHE, F.; KOUTEVA-ARGUIROVA, S.; REIF, J. Subdamagethreshold
femtosecond laser ablation from crystalline Si: surface nanostructures and phase
transformation. Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 79, n. 4, p.
1429-1432, 2004.

53
REIF, J.; VARLAMOVA, O.; COSTACHE, F. Femtosecond laser induced
nanostructure formation: self-organization control parameters. Applied Physics A:
Materials Science & Processing, v. 92, n. 4, p. 1019-1024, 2008.

54
ROUSSE, A. et al. Non-thermal melting in semiconductors measured at femtosecond
resolution. Nature, v. 410, n. 6824, p. 65-68, 2001.

55
STOIAN, R. et al. Coulomb explosion in ultrashort pulsed laser ablation of Al2O3.
Physical Review B, v. 62, n. 19, p. 13167-13173, 2000.

56
DRITS, M. E. Properties of Elements: Handbook Moscow, Metallurgiya 1985.

57
REIF, J. R. et al. Ripples revisited: non-classical morphology at the bottom of
femtosecond laser ablation craters in transparent dielectrics. Applied Surface Science,
n. 0, p. 891-895, 2002.

58
STOIAN, R. et al. Laser ablation of dielectrics with temporally shaped femtosecond
pulses. Applied Physics Letters, v. 80, n. 3, p. 353-355, 2002.

59
STOIAN, R. et al. Surface Charging and Impulsive Ion Ejection during Ultrashort
Pulsed Laser Ablation. Physical Review Letters, v. 88, n. 9, p. 097603, 2002.

126
60
BORGHESI, M. et al. Measurement of highly transient electrical charging following
high-intensity laser--solid interaction. Applied Physics Letters, v. 82, n. 10, p. 1529-
1531, 2003.

61
NOLTE, S. et al. Ablation of metals by ultrashort laser pulses. J. Opt. Soc. Am. B, v.
14, n. 10, p. 2716-2722, 1997.

62
KELLY, R.; MIOTELLO, A. Contribution of vaporization and boiling to thermal-spike
sputtering by ions or laser pulses. Physical Review E, v. 60, n. 3, p. 2616-2625, 1999.

63
KELLY, R et al.. Comments on explosive mechanisms of laser sputtering. Applied
Surface Science, n. 0, p. 205-215, 1996.

64
CHENG, C.; XU, X. Molecular dynamic study of volumetric phase change induced by
a femtosecond laser pulse. Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 79,
n. 4, p. 761-765, 2004.

65
YOO, J. H. et al. Evidence for phase-explosion and generation of large particles during
high power nanosecond laser ablation of silicon. Applied Physics Letters, v. 76, n. 6,
p. 783-785, 2000.

66
ZHIGILEI, L. V. Dynamics of the plume formation and parameters of the ejected
clusters in short-pulse laser ablation. Applied Physics A: Materials Science &
Processing, v. 76, n. 3, p. 339-350, 2003.

67
LORAZO, P.; LEWIS, L. J.; MEUNIER, M. Short-Pulse Laser Ablation of Solids:
From Phase Explosion to Fragmentation. Physical Review Letters, v. 91, n. 22, p.
225502, 2003.

68
PEREZ, D.; LEWIS, L. J. Molecular-dynamics study of ablation of solids under
femtosecond laser pulses. Physical Review B, v. 67, n. 18, p. 184102, 2003.

69
VON DER LINDE, D.; SOKOLOWSKI-TINTEN, K.; BIALKOWSKI, J. Laser solid
interaction in the femtosecond time regime. Applied Surface Science, n. 0, p. 1-10,
1997.

70
WILLIAMS, R. T.; SONG, K. S. The self-trapped exciton. Journal of Physics and
Chemistry of Solids, v. 51, n. 7, p. 679-716, 1990.

71
SCHMID, A.; KELLY, P.; BRUNLICH, P. Optical breakdown in alkali halides.
Physical Review B, v. 16, n. 10, p. 4569-4582, 1977.

127
72
COSTACHE, F.; ECKERT, S.; REIF, J. Near-damage threshold femtosecond laser
irradiation of dielectric surfaces: desorbed ion kinetics and defect dynamics. Applied
Physics A: Materials Science & Processing, v. 92, n. 4, p. 897-902, 2008.

73
LIU, M.; KIM, H. K. Strain-induced channel waveguiding in bulk sapphire substrates.
Applied Physics Letters, v. 79, n. 17, p. 2693-2695, 2001.

74
AONO, K. et al. Annealing effects on luminescence from Ce-implanted Al2O3.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam
Interactions with Materials and Atoms, v. 175-177, p. 580-584, 2001.

75
NAGABHUSHANA, H. et al. Photoluminescence studies of 1MeV Ni8+ ion irradiated
Al2O3 single crystals. Spectrochimica Acta Part A: Molecular and Biomolecular
Spectroscopy, v. 73, n. 4, p. 637-641, 2009.

76
AL GHAMDI, A.; TOWNSEND, P. D. Ion beam excited luminescence of sapphire.
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam
Interactions with Materials and Atoms, v. 46, p. 133-136, 1990.

77
CAULFIELD, K. J.; COOPER, R.; BOAS, J. F. Luminescence from electron-irradiated
sapphire. Physical Review B, v. 47, n. 1, p. 55-61, 1993.

78
AOKI, Y. et al. Luminescence of sapphire and ruby induced by He and Ar ion
irradiation. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam
Interactions with Materials and Atoms, v. 114, p. 276-280, 1996.

79
LEE, K. H.; CRAWFORD, J. H., JR. Luminescence of the F center in sapphire.
Physical Review B, v. 19, n. 6, p. 3217-3221, 1979.

80
SAETA, P. N.; GREENE, B. I. Primary relaxation processes at the band edge of SiO 2.
Physical Review Letters, v. 70, n. 23, p. 3588-3591, 1993.

81
ZOUBIR, A. et al. Laser-induced defects in fused silica by femtosecond IR irradiation.
Physical Review B, v. 73, n. 22, p. 224117, 2006.

82
SKUJA, L. Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon
dioxide. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 239, p. 16-48, 1998.

83
PETITE, G. et al. Conduction electrons in wide-bandgap oxides: a subpicosecond time-
resolved optical study. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, v. 107, p. 97-101, 1996.

128
84
DICKINSON, J. T. et al. Color center formation in soda lime glass and NaCl single
crystals with femtosecond laser pulses. Applied Physics A: Materials Science &
Processing, v. 79, n. 4, p. 859-864, 2004.

85
FENG, Q. et al. Theory and simulation on the threshold of water breakdown induced
by focused ultrashort laser pulses. Quantum Electronics, IEEE Journal of, v. 33, n. 2,
p. 127-137, 1997.

86
JAMSHIDI-GHALEH, K.; MASALEHDAN, H. Modeling of nonlinear responses in
BK7 glass under irradiation of femtosecond laser pulses. Optical and Quantum
Electronics, v. 41, n. 1, p. 47-53, 2009.

87
PAPAZIAN, H. A. Color center defects: An alternative view. Solid State Ionics, v. 38,
p. 5-8, 1990.

88
EFIMOV, O. M. et al. Color-center generation in silicate glasses exposed to infrared
femtosecond pulses. J. Opt. Soc. Am. B, v. 15, n. 1, p. 193-199, 1998.

89
STOLZ, C. J. et al. Influence of BK7 substrate solarization on the performance on
hafnia and silica multilayer mirrors. Laser-Induced Damage in Optical Materials:
2002 and 7th International Workshop on Laser Beam and Optics Characterization.
Boulder, CO, USA: SPIE, 2003. 38-47 p.

90
APOSTOLOVA, T.; HAHN, Y. Modeling of laser-induced breakdown in dielectrics
with subpicosecond pulses. Journal of Applied Physics, v. 88, n. 2, p. 1024-1034,
2000.

91
VATSYA, S. R.; NIKUMB, S. K. Modeling of laser-induced avalanche in dielectrics.
Journal of Applied Physics, v. 91, n. 1, p. 344-351, 2002.

92
HOLWAY, L. H. Temporal Behavior of Electron Distributions in an Electric Field.
Physical Review Letters, v. 28, n. 5, p. 280, 1972.

93
HOLWAY, J. L. H. High-frequency breakdown in ionic crystals. Journal of Applied
Physics, v. 45, n. 2, p. 677-683, 1974.

94
TIEN, A.-C. et al. Short-Pulse Laser Damage in Transparent Materials as a Function of
Pulse Duration. Physical Review Letters, v. 82, n. 19, p. 3883, 1999.

95
RAJEEV, P. P. et al. Field Dependent Avalanche Ionization Rates in Dielectrics.
Physical Review Letters, v. 102, n. 8, p. 083001-4, 2009.

129
96
OTOBE, T. et al. First-principles electron dynamics simulation for optical breakdown
of dielectrics under an intense laser field. Physical Review B (Condensed Matter and
Materials Physics), v. 77, n. 16, p. 165104-5, 2008.

97
BRENK, O.; RETHFELD, B. Electron dynamics in transparent materials under high-
intensity laser irradiation. In: EXARHOS, G. J.;GRUZDEV, V. E., et al (Ed.). Laser-
Induced Damage in Optical Materials: 2011. Bellingham: Spie-Int Soc Optical
Engineering, v.8190 (Proceedings of SPIE).

98
RETHFELD, B. Unified Model for the Free-Electron Avalanche in Laser-Irradiated
Dielectrics. Physical Review Letters, v. 92, n. 18, p. 187401, 2004.

99
WU, B.; SHIN, Y. C. A simplified predictive model for high-fluence ultra-short pulsed
laser ablation of semiconductors and dielectrics. Applied Surface Science, v. 255, n. 9,
p. 4996-5002, 2009.

100
CAMPBELL, S. et al. Single-pulse femtosecond laser machining of glass. Journal of
Optics A: Pure and Applied Optics, v. 7, n. 4, p. 162, 2005.

101
STUART, B. C. et al. Laser-Induced Damage in Dielectrics with Nanosecond to
Subpicosecond Pulses. Physical Review Letters, v. 74, n. 12, p. 2248-2251, 1995.

102
JIANG, L.; TSAI, H. L. Prediction of crater shape in femtosecond laser ablation of
dielectrics. Journal of Physics D: Applied Physics, v. 37, n. 10, p. 1492, 2004.

103
JIANG, L. et al. Energy transport and material removal in wide bandgap materials by a
femtosecond laser pulse. International Journal of Heat and Mass Transfer, v. 48, p.
487-499, 2005.

104
LINDE, D. V. D.; SCHLER, H. Breakdown threshold and plasma formation in
femtosecond laser solid interaction. J. Opt. Soc. Am. B, v. 13, n. 1, p. 216-222, 1996.

105
BURAKOV, I. M. et al. Theoretical investigations of material modification using
temporally shaped femtosecond laser pulses. Applied Physics A: Materials Science &
Processing, v. 81, n. 8, p. 1639-1645, 2005.

106
HELTZEL, A. et al. Nanostructuring Borosilicate Glass With Near-Field Enhanced
Energy Using a Femtosecond Laser Pulse. J Heat Transfer, v. 129, n. 1, p. 53-59,
2007.

130
107
ROSENFELD, A. et al. Ultrashort-laser-pulse damage threshold of transparent
materials and the role of incubation. Applied Physics A: Materials Science &
Processing, v. 69, n. 7, p. S373-S376, 1999.

108
TIEN, A.-C. et al. Short-Pulse Laser Damage in Transparent Materials as a Function of
Pulse Duration. Physical Review Letters, v. 82, n. 19, p. 3883-3886, 1999.

109
CHOWDHURY, I. H. et al. Ultra-fast laser absorption and ablation dynamics in wide-
band-gap dielectrics. Applied Physics A: Materials Science & Processing, v. 81, n. 8,
p. 1627-1632, 2005.

110
GIGURE, D. et al. Laser ablation threshold dependence on pulse duration for fused
silica and corneal tissues: experiments and modeling. J. Opt. Soc. Am. A, v. 24, n. 6, p.
1562-1568, 2007.

111
UTEZA, O. et al. Laser-induced damage threshold of sapphire in nanosecond,
picosecond and femtosecond regimes. Applied Surface Science, v. 254, p. 799-803,
December 1, 2007.

112
FRADIN, D. W.; BASS, M. Comparison of laser-induced surface and bulk damage.
Applied Physics Letters, v. 22, n. 4, p. 157-159, 1973.

113
MACHADO, L. M. et al. D-Scan measurement of ablation threshold incubation effects
for ultrashort laser pulses. Opt. Express, v. 20, n. 4, p. 4114-4123,

114
VIDAL, J. T. Desenvolvimento de um sistema opto-mecnico para usinagem com laser
de femtossegundo. (Dissertao de Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energticas e
Nucleares, So Paulo, 2010.

115
BELLAND, P.; CRENN, J. P. Changes in the characteristics of a Gaussian beam
weakly diffracted by a circular aperture. Appl. Opt., v. 21, n. 3, p. 522-527, 1982.

116
SIEGMAN, A. E. Lasers. University Science Books, 1986.

117
ASHKENASI, D.; STOIAN, R.; ROSENFELD, A. Single and multiple ultrashort laser
pulse ablation threshold of Al2O3 (corundum) at different etch phases. Applied
Surface Science, v. 154155, n. 0, p. 40-46, 2000.

118
ASHKENASI, D. et al. Surface damage threshold and structuring of dielectrics using
femtosecond laser pulses: the role of incubation. Applied Surface Science, v. 150, n.
14, p. 101-106, 1999.

131
119
BEN-YAKAR, A.; BYER, R. L. Femtosecond laser ablation properties of borosilicate
glass. Journal of Applied Physics, v. 96, n. 9, p. 5316-5323, 2004.

120
LI, X. et al. Ablation induced by femtosecond laser in sapphire. Applied Surface
Science, v. 225, n. 14, p. 339-346, 2004.

121
TREBINO, R. Frequency-Resolved Optical Gating: The Measurement of
Ultrashort Laser Pulses. Kluwer Academic, 2000.

122
KRISHNA C., et al. Shape control of microchannels fabricated in fused silica by
femtosecond laser irradiation and chemical etching. OPTICS EXPRESS, v. 17,
n. 10 2009

123
BURNS, M. A. et al. An Integrated Nanoliter DNA Analysis Device. Science, v. 282,
n. 5388, p. 484-487, October 16, 1998.

124
TRIPATHI, A. Microfluidics Reactors for Diagnostic Applications. Annual Review of
Biomedical Engineering, v. 13, n. 1,

125
AGUILAR, C. A. et al. Direct micro-patterning of biodegradable polymers using
ultraviolet and femtosecond lasers. Biomaterials, v. 26, n. 36, p. 7642-7649, 2005.

126
SUGIOKA, K.; HANADA, Y.; MIDORIKAWA, K. 3D integration of
microcomponents in a single glass chip by femtosecond laser direct writing for
biochemical analysis. Applied Surface Science, v. 253, n. 15, p. 6595-6598, 2007.

127
MACHADO, L. M. et al. Microchannels Direct Machining using the Femtosecond
Smooth Ablation Method. Physics Procedia, v. 12, Part B, n. 0, p. 67-75,

128
RANKA, J. K.; SCHIRMER, R. W.; GAETA, A. L. Observation of Pulse Splitting in
Nonlinear Dispersive Media. Physical Review Letters, v. 77, n. 18, p. 3783-3786,
1996.

132