LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA

PRACTICA 6. AMPLIFICACION CON TRANSISTORES BIPOLARES

Francisco Javier Garca

Yuly Alejandra Prez Ruiz
Figura 1. Circuito 1.
Resumen El transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales -emisor, colector y base, puede ser de dos tipos:
NPN y PNP. El NPN la flecha apunta hacia fuera del
transistor; en un PNP la flecha apunta hacia dentro.
Adems, en funcionamiento normal, dicha flecha indica el
sentido de la corriente que circula por el emisor del
transistor

I. OBJETIVOS

Comprobar si los BJT se encuentran en zona de

amplificacin.
Hallar Ri, Gv, Av, Ro y Vs (Mx) en los circuitos.
Observar la variacin existente entre el emisor comn
con resistencia y sin ella.

II. INTRODUCCION

El transistor su descubrimiento a principios del siglo XX

(1947) marc el comienzo de la era de la electrnica. En Figura 2. Simulacin circuito 1.
apenas 60 aos el desarrollo experimentado y como han
avanzado la tecnologa gracias a ellos, en la vida cotidiana ha
sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo sera la vida
sin los ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha .
sido, precisamente, el descubrimiento del transistor el
culpable de esta revolucin tecnolgica Variable Valor Valor % error
prctica simulacin relativo

III. DESARROLLO DE CONTENIDOS VC 10.44 V 10.56 V 1.12

VB 7.21 V 7.031 V 2.66

1. Realizar el montaje de la Figura 1 y comprobar si el VE 6.63 V 6.359 V 4.26

transistor se encuentra en zona activa.
VCB 3.83 V 3.541 V 7.71

IC 1.39 mA 1.353mA 2.73

2. Realice el montaje de la Figura 2. Halle Gv, Av, Vi,

Vo, Vo(min), Vo(max), Vs(max) , Ri y Ro.

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Perfecta combinacin entre energa e intelecto
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8.0uA

(74.562u,5.3955u)

4.0uA

0A

-4.0uA
(24.561u,-5.6300u)

-8.0uA
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
-I(C2)
Time

Figura 7. Corriente de entrada.

Variable Valor Valor % error

prctica simulacin relativo
Figura 2. Circuito 2.
Gv 9.879 7 41.12
14V

(74.562u,12.457)

12V Av 109.42 104.41 4.79

Vs(max) 200 mVpp 232 mVpp 13.79

10V

(26.561u,8.5051)

8V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(R2:1)
Time Ri 3.1 k 3.65 k 15.06

Figura 3. Tensin de salida Vo.

Ro 2 k 2.64 k 24.24
7.06V

(26.561u,7.0459) Vo(min) 6.8 V 6.54 V 3.97

7.04V

Vo(max) 14.1 V 13.86 V 1.73

7.02V

(76.562u,7.0098)

7.00V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(C2:2)
Time

Figura 4. Tensin de entrada Vi 3. Realice el circuito de la Figura 2, pero agregndole

una resistencia de 300 en el terminal del emisor.
14V

(74.562u,13.864)
Halle Vs(max), Ro, Ri, Vi, Vo, Gv,Av.
12V

10V

8V

(24.561u,6.5483)

6V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(R2:1)
Time

Figura 5. Tensin Vo deformada.

2.5mA

(26.561u,2.1740m)

2.0mA

1.5mA

1.0mA

(74.562u,581.383u) Figura 8. Circuito 3

0.5mA
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
IC(Q1)
Time

Figura 6. Corriente de salida.

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7.15V

(24.561u,7.1423)
El emisor comn sin resistencia en serie tiene una
7.10V
mayor ganancia de voltaje.
7.05V

Para un emisor comn con resistencia, el Vs (mx) se

7.00V
(74.562u,6.9697)
reduce en un 25% con respecto al emisor sin
6.95V
resistencia.
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(R3:1)
Time

No existe mucha variacin de la impedancia de salida

Figura 9. Tensin de entrada. entre el emisor comn con y sin resistencia.
11.5V

(74.562u,11.473)
En el emisor comn sin impedancia, la impedancia de
11.0V
entrada es de un alto valor, sin embargo, en el emisor
10.5V
con resistencia su Ri aumenta hasta 10 veces su valor.
(24.561u,10.152)

10.0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
Un transistor de emisor comn se usa en la entrada de
V(R2:1)

un sistema porque su Ri es muy grande, esto significa

Time

Figura 10. Tensin de salida. que puede aguantar altas tensiones.

Variables Valor Valor % error En estos circuitos, al aplicarle una seal ms alta que
prctica simulacin relativo el Vs (max), las seales que se obtienen tiende a
recortarse.
Gv 3.8 3.3 15.15
Las fuentes de error asociadas a este laboratorio se
Av 8.9 7.6 17.10 pueden deber a la calibracin de los instrumentos, a
la falta de precisin en el valor de las impedancias.
Vs(max) 56 mVpp 46 mVpp 21.73

Ri 23.7 k 25.08 k 5.50 V. REFERENCIAS

[1] R. O. V. Casado, Circuitos elctricos bsicos para el
Ro 2.06 k 2.47 k 16.59 estufiante. Un enfoque a la frecuencia compleja.,
Bucaramanga: Universidad Industrial de Santander,
2008.
[2] Unicrom.com, [En lnea]. Available:
http://www.unicrom.com/TuT_codigocolores.asp.
IV. CONCLUSIONES [3] http://www.circuitoselectronicos.org/2007/11/el-
multmetro-digital-tester-digital-o_10.html, [En
El transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales gracias al cual es posible controlar una lnea].
[4] M. S. y. C. Alexander, Fundamentos de Circuitos
gran potencia a partir de una pequea.
Entre los terminales de colector (C) y emisor (E) se electricos, Mc Graw Hill.
aplica la potencia a regular, y en el terminal de base
(B) se aplica la seal de control gracias a la que
controlamos la potencia.
Con pequeas variaciones de corriente a travs del
terminal de base, se consiguen grandes variaciones a
travs de los terminales de colector y emisor.
Si se coloca una resistencia se puede convertir esta
variacin de corriente en variaciones de tensin
segn sea necesario.
Si el circuito se encuentra en zona activa, est en
zona de amplificacin.

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