LEY DE MOORE

En 1965 Gordon Moore afirm que el nmero de transistores por centmetro cuadrado en un
circuito integrado se duplicaba cada ao y que la tendencia continuara durante las siguientes
dos dcadas.

Ms tarde, en 1975, modific su propia afirmacin y predijo que el ritmo bajara, y que la
densidad de transistores se duplicara aproximadamente cada 18 meses.

Figura 1 Evolucin de los circuitos integrados

Esta progresin de crecimiento exponencial de la densidad de transistores, o sea, el duplicar la

capacidad de los microprocesadores cada ao y medio, es lo que se considera actualmente como
la Ley de Moore. En abril de 2005 se cumplieron 40 aos de la ley de Moore y la industria de la
microelectrnica estima que seguir siendo vlida al menos otros 20 aos. Para todos nosotros
realmente es difcil imaginar la enorme cantidad de transistores que constituyen actualmente
un circuito integrado o un microprocesador de computadora. En la Figura 1 se muestra la
evolucin en los circuitos integrados desde 1961 a la fecha, donde el microprocesador Itanium
2 de Intel est constituido por la inimaginable cantidad de 410 millones de transistores.

La cantidad de transistores en un procesador de computadora se puede ver en la Figura 2

Figura 2 Transistores en un procesador de computadora

 Figura 3 Ley de Moore

http://www.revista.unam.mx/vol.6/num7/art65/jul_art65.pdf

TECNOLOGIAS DE FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Las dos tecnologas existentes hoy en da se establecen en base al tipo de transistor utilizado a
la hora de fabricar las puertas lgicas. Si se han utilizado transistores de unin bipolar (BJT),
entonces el Circuito Integrado ser de Tecnologa Bipolar. Si por el contrario se utilizan
transistores de efecto de campo (MOSFET), el Circuito Integrado ser de Tecnologa MOS.

Tecnologa bipolar
Dentro de la tecnologa bipolar, se distinguen tres tipos de tecnologas dependiendo del
tipo de transistor bipolar utilizado y de su forma de utilizacin.
o TTL (Transistor-Transistor Logic): Lgica Transistor-Transistor. Es la tecnologa
ms popular. Se caracteriza por su alta velocidad de respuesta e inmunidad al
ruido. Sin embargo, la escala de integracin no puede ser muy grande debido a
que requiere de la utilizacin de muchas resistencias para conseguir las puertas
lgicas.
o ECL (Emitter- Coupled Logic). Lgica de emisores acoplados. Es la tecnologa ms
rpida de las TTL, ya que los transistores no llegan a saturarse, es por ello que
es la tecnologa que ms consume.
o IIL (Integrated- Inyection Logic). Tecnologa de Inyeccin Integrada. Es la que
permite mayor densidad de integracin, consume menos que la TTL, pero es
algo ms lenta. Para ello, se basa en la utilizacin de transistores multicolector
en lugar de los transistores con unin base-emisor en paralelo
Tecnologa MOS (Metal Oxido Semiconductor)

Dentro de la tecnologa MOS, se distinguen tres tipos de tecnologas dependiendo del

tipo de transistor bipolar a utilizar y de su forma de utilizacin.

o PMOS: basada en transistores MOS de canal P. Obsoleta.

o NMOS basada en transistores MOS de canal N. Es ms rpida que PMOS.
Empleada en el micro 68000 de Motorola y el 8085 de Intel.
o CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor, "Semiconductor
Complementario de xido Metlico) basada en transistores MOS de los dos
 tipos. Domina en el campo de los MSI, aunque tb se emplea en LSI. Se
caracteriza por su bajo consumo (solo consume en las transiciones de estado) y
margen de alimentacin 3V-15V.
o HCMOS. Es una CMOS de alta velocidad es decir, versin mejorada del CMOS.
Se caracterizan por la compatibilidad de patillaje con muchos CI TTL y CMOS.
o HMOS (High performance N-channel MOS" o tecnologa MOS de canal N de alto
rendimiento. Es MOS de alta velocidad y gran densidad de integracin. Con esta
tecnologa se fabrican los modernos microprocesadores. Se utiliza en VLSI, hasta
3.000.000 de transistores en un chip: Pentium de Intel.

https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2696/mod_page/content/1/Tema_3/3_3.pdf