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CAPTULO 15
MEMRIAS SEMICONDUTORAS
INTRODUO
MEMRIAS RAM's
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Captulo 15 Memrias Semicondutoras 2
Uma memria RAM normalmente tem pinos com as seguintes funes de entradas ou de sadas:
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permanecer selecionando leitura; s selecionaro escrita quando tiver certeza de que os outros
sinais esto corretamente colocados.
a) Tempo de Acesso
o tempo requerido para a memria apresentar dados vlidos aps
firmados os sinais de endereo e seleo.
A maioria das memrias so construdas com flip-flops bipolares (TTL) ou MOS. As memrias
bipolares so todas estticas. Tais memrias so muito rpidas e so usadas em sistemas de
alta velocidade, exigindo somente uma fonte de +5 volts.
Existem na linha TTL 74 vrias memrias RAM, entre as quais pode-se citar a 7481 (16 palavras
de 1 bit), a 74LS170 (4 palavras de 4 bits), a 7489 (16 palavras de 4 bits), a 74201 (256 palavras
de 1 bit), etc. Estas memrias tm pequena capacidade de armazenagem e, portanto, o custo de
produo por bit alto. Por este motivo, esto deixando de ser produzidas por alguns
fabricantes.
O aperfeioamento da tecnologia MOS possibilitou a construo de memrias estticas HMOS e
HCMOS que possuem caractersticas de alta performance relativos a baixo consumo e altas
velocidades.
A seguir ser abordada a memria 6116 (2048 x 8 bits).
A memria esttica 6116 uma memria na tecnologia CMOS, contendo 2048 palavras de 8 bits
e possuindo baixo consumo, o que possibilita operao com baterias de backup e no requer
nenhum circuito de refrescamento. A reteno de dados garantida para alimentao de at 2
volts no mnimo. Para tal capacidade, esta memria tem 8 pinos (M = 8) para bits de dados,
operando como entrada/sada (I/01 at I/08), 11 pinos (N = 11) para endereamento (A at
A10) e 3 pinos para operaes de controle lgico.
Possui as seguintes caractersticas:
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Captulo 15 Memrias Semicondutoras 4
CS OE WE I/1-8 OPERAO
H X X Alta Impedncia Desabilitado
L L H Sada Leitura
L H L Entrada Escrita
L L L Entrada Escrita
A figura 4 mostra o diagrama em blocos resumido de uma memria de 4096 palavras de 8 bits,
usando duas memrias 6116 de 2048 palavras de 8 bits.
A finalidade do CI 74LS155 operar como decodificador de endereos, ou seja, dependendo do
endereo especificado pelo bit mais significativo (MSB), este CI selecionar uma das memrias
6116.
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Figura 4 - Memria de 4096 palavras x 8 bits construda com 2 memrias de 2048 palavras
x 8 bits
MEMRIAS ROM
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Pode-se encarar a ROM como um codificador, no sentido de que para uma nica entrada ativada
de cada vez h um conjunto de sadas correspondente a esta entrada. A figura 5 a tabela de
um codificador de 4 entradas e 4 sadas.
ENTRADAS SADAS
A B C D S4 S3 S2 S1
1 1 1
1 1 1
1 1 1
1 1 1
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No caso da ROM da figura 6, tem-se uma memria de 4 palavras e cada palavra de 4 bits. A
figura 7 mostra a execuo deste codificador na forma de PROM com matriz de diodos e elos
fusveis. Se as memrias fossem feitas como a das figuras 6 ou 7, o nmero de pinos
necessrios para enderear a memria teria de ser igual ao nmero de palavras endereadas.
Ento, no seria possvel fazer-se estas memrias na forma de circuitos integrados, os quais tm
um nmero limitado de pinos. A fim de se diminuir o nmero de entradas de endereamento,
usa-se um circuito chamado decodificador, em que para cada combinao das entradas do
decodificador uma nica entrada de endereamento da memria ativada. A tabela da figura 8
a de um decodificador adequado a memria da figura 6. Normalmente, as memrias j vem com
o decodificador incorporado.
ENTRADAS SADAS
E1 E2 A B C D
1
1 1
1 1
1 1 1
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Captulo 15 Memrias Semicondutoras 8
OBJETIVO
MATERIAL NECESSRIO
PROCEDIMENTO
A experincia relatada neste captulo est pronta na placa ED15. Para sua utilizao basta
encaixar esta placa no mdulo, como descrito a seguir.
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F 0 0 0 0 0 0 0 G H I J
+5V +5V
24 19 22 23 1 2 3 4 5 6 7 8 24 19 22 23 1 2 3 4 5 6 7 8
VCC A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 VCC A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A
20 20 12
6116 - 0 OE OE 6116 - 1 GND
12
GND
CS WE I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1 CS WE I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 I/O2 I/O1
18 21 17 16 15 14 13 11 10 9 18 21 17 16 15 14 13 11 10 9
L0
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
3 5 7 9 12 14 16 18
13 7 2Y4 2Y3 2Y2 2Y1 1Y4 1Y3 1Y2 1Y1
1Y0
A 6
1Y1
+5V
16
VCC 1G 1
74LS244
2G 19 A
74LS155
1 9 2A4 2A3 2A2 2A1 1A4 1A3 1A2 1A1
1C 2Y0
15 10
A 2C 2Y1 17 15 13 11 8 6 4 2
2G GND B 1G F B C D E
1 - LEITURA
14 8 3 2
A
0 - ESCRITA
Figura 11 Acoplamento de memrias 6116 (2048 x 8 bits) para formar uma memria de
4096 palavras de 8 bits
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Captulo 15 Memrias Semicondutoras 10
COMENTRIOS:
1) Escrita nas 16 palavras iniciais de 6116-
2) Escrita nas 16 palavras iniciais de 6116-1
3) Leitura das 16 palavras iniciais de 6116-1
4) Leitura das 16 palavras iniciais de 6116-
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Captulo 15 Memrias Semicondutoras 11
Observao: os endereos usados nos itens c e d foram escolhidos de forma a evitar corridas.
Deve-se obedecer as seqncias de mudanas das chaves, conforme experincia anterior.
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