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LABORATORIO DE ELECTRONICA I
PRACTICA #1
SEXTO A
FECHA: 02/05/2017
Universidad Tecnolgica Israel
Carrera de Electrnica - Laboratorio de Electrnica I
1. TTULO
2. OBJETIVOS
2.1. GENERAL
Entender el funcionamiento del Diodo de unin N-P.
2.2. ESPECFICOS
Comprobar el mecanismo de conduccin de corriente.
Examinar valores de conduccin en la curva caracterstica del Diodo.
3. MARCO TERICO
Figura 1.1
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Figura 1.2
Dnde:
=Tensin umbral,
=Tensin de saturacin,
=Tensin de ruptura,
OA= Zona de baja polarizacin directa, pequea corriente;
AB=Zona de Conduccin,
OC=Corriente inversa de saturacin A partir de C, Zona de Avalancha.
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Curso Prctico de Electrnica Moderna CEKIT
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Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. R.L Boylestad, L. Nashelsky. 8Edicin. Captulo 1, pg.26
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caso, existen conjuntos de datos especficos que deben incluirse para una
correcta utilizacin del dispositivo, e incluyen:
Preparatorio:
1. Monte el circuito como se ilustra en la Figura 1.
2. Simule el circuito en el Qucs y obtenga los valores en DC para los datos de la
Tabla 1; llene dicha tabla.
3. Resuelva el circuito tericamente y llene la Tabla 2.
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Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. R.L Boylestad, L. Nashelsky. 8Edicin. Captulo 1, pg.29
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Prctica:
5. Arme el circuito de la Figura 1 en el protoboard y utilizando el multmetro, mida
y llene los datos en la Tabla 3.
6. Mediante las ecuaciones 1 y 2, determine los porcentajes de error de los valores
obtenidos en la Tabla 1, 2 y 3. Llene la Tabla 4.
6. DIAGRAMAS Y FIGURAS
7. TABULACIONES Y RESULTADOS
() () () () ()
1 0,273 2,45e-05 0,727 1,11e-04
1.5 0,4 0,000726 1,1 3,3e-03
2 0,525 0,0206 1,45 9,38e-02
2.5 0,61 0,197 1,69 0,897
3 0,648 0,55 1,8 2,5
3.5 0,6 0,969 1,86 4,4
4 0,684 1,41 1,9 6,43
4.5 0,695 1,87 1,93 8,52
5 0,703 2,34 1,96 10,6
() () () () ()
1 0,7 0,3 0 1,36
3 0,7 0,6 1,7 2,72
5 0,7 2,2 2,1 10
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() () () () ()
1 0,07 0 0,76 0
1.5 0,15 0,01mV 1,25 0,66 uA
2 0,38 1,9 mV 1,64 4,36 uA
2.5 0,57 0,12 1,82 0,56
3 0,63 0,47 1,9 2,09
3.5 0,66 0,88 1,95 4,09
4 0,68 1,38 2 6,12
4.5 0,69 1,77 2,05 8,3
5 0,7 2,21 2,09 10
Dnde:
VCC: Voltaje de la fuente variable.
VD: Voltaje en el diodo 1N4005.
VR: Voltaje en la resistencia de 220.
VLED: Voltaje en el diodo LED.
ID: Corriente en el diodo.
8. SIMULACIONES
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9. CLCULOS
Voltaje y Corriente
Para = :
Si = 0.7 y = 2.1;
Entonces,
= = 2,2
= = = 2,2
220
= 10
Para = :
Si = 0.7 y = 1.7;
Entonces,
= 0,6
0,6
= = = 220 = 2,72
Para = :
Si = 0.7 y = 0;
Entonces,
= 0,3
0,3
= = = 220 = 1,36
Aplicando Ecuacin 1:
% = %
Para = :
0.7 0.7
(%) = 100% = 0%
0.7
10 10
(%) = 100% = 0%
10
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Para = :
0.7 0.63
(%) = 100% = 10%
0.7
2,72 2,9
(%) = 100% = 6,64%
2,72
Para = :
0,7 0,07
(%) = 100% = 90%
0,7
2,72 0
(%) = 100% = 100%
2,72
Aplicando Ecuacin 2:
% = %
Para = :
0.703 0.7
(%) = 100% = 0,42%
0.7
10.6 10
(%) = 100% = 5,66%
10,6
Para = :
0.648 0.63
(%) = 100% = 2,77%
0.648
2,5 2,9
(%) = 100% = 6,64%
2,72
Para = :
0,273 0,07
(%) = 100% = 74,35%
0,273
1,11 04 0
(%) = 100% = 100%
1,11 04
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El diodo no conduce mientras el voltaje sea cero y para que pueda conducir la
corriente se debe superar un voltaje denominado Tensin umbral, que de acuerdo
a su fabricacin es diferente ejemplo silicio 0,7 V siempre y cuando este
polarizado directamente. Una vez superado la Tension umbral, a pequeos
incrementos de tensin, se conducir mayor cantidad de corriente.
Cuando se aplica un voltaje de 0,7V al diodo de Silicio este aumenta su corriente,
tal como se muestra en las diferentes tablas.
11. BIBLIOGRAFA
12. ANEXOS
PREGUNTAS
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