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Problema 4.4
Del circuito de la figura, si la resistencia en D y S del FET est dada en funcin de la tensin
y se tiene que el transistor tiene un = 200 adems se sabe que el transistor es de silicio y su
resistencia dinmica entre base y emisor = 2.5

a) Encontrar 1 , 2 , de manera que el punto de trabajo del transistor sea = 6,

= 1

Al realizar el anlisis en DC, los condensadores de acoplamiento se comportan como circuito

abierto. Entonces redibujando el circuito queda:
En la rama izquierda aplicamos el teorema de thevenin:

a) Como el punto de operacin del transistor BJT es = 6, = 1,

empleamos la segunda ley de Kirchhoff en la rama derecha.

12 = + + 1 (1)
+1 201
Sabemos que: = = 200 1 = 1.005

Observamos que:
Reemplazando en la ecuacin (1): 12 = + 6 + 1
Luego: = 5
b) Aplicamos segunda ley de Kirchhoff en la malla:
= + 0.7 + (1 )

= ( ) + 0.7 +

1
= ( ) + 0.7 + 1
200
De las condiciones del problema:


1



1
+1
200
Entonces podemos asumir que = 10
= 10
 = 1.75

12
1 = =68.57
2 12
=
1 + 2
2 1
= 2 = =11.70
1 + 2 1
12

Observamos que el FET acta en la zona hmica, por lo cual se considera que actua
como una resistencia variable.

Entonces:
1
=
1 +
= 5
Tambien: = + = + ( + 1)
5 5
= = =
+ ( + 1) + ( + 1)
De aqu notamos que la ganancia de voltaje depende de que es la resistencia
equivalente en paralelo de y 1K, entonces depende la resistencia de el FET ( )

Observamos que =

Reemplazando:
5
=
+ 1 + ( + 1)

Problema 4.26
La figura siguiente muestra un circuito CMOS. Determine la curva de transferencia
conforme cambia de 0 a

El anlisis corresponde a un circuito inversor CMOS el cual se caracteriza por su bajo

consumo.
EL circuito est comprendido por un MOSFET de enriquecimiento canal P y otro
MOSFET de enriquecimiento canal N.
Anlisis Esttico
Considerando que un MOSFET no conduce si su tensin de entrada es menor que su
tensin umbral.
Tenemos 4 casos;

Caso 1:
Observamos que que 2 estar debajo del valor umbral, por lo que se comportar
como circuito abierto, adems 1 estar por encima por encima de la tensin
umbral, entonces se formar el canal, actuando como resistencia.
Se cumple = = 12

Caso 2:
Sabemos que = , entonces
Tambien: = 1 + = 1 + 12
Entonces: : , se forma el canal.
Ahora analizaremos en que zona se encuentran:
Eso depende de comparar y ( )

Entonces si Q1 esta en saturacin se cumple que:
y
En donde se observa que Q2 soporta mayor tensin.


=
= ( )
= +
=

= [( )( ) ]

Reemplazando:
( )
= [( )( ) ]

= ( )

Se cumple tambin por la primera ley de K:

=

Caso 3: Cuando ambos transistores operan en la zona de saturacin

Se cumple:
= ( )
= ( )
=
Despejando:

+ +

=

+

: =
Caso 4:
La regin de operacin se invierte, Q1 estar en la regin de saturacin y Q2 en la
regin hmica.

= [( )( ) ]


= [( + )( ) ]

= ( + )
= ( )
Ademas:
=
Despejando:
= ( ) [( ) ( ) ]
Caso 5:
9
Deducimos que Q1 no conducir (zona de corte)
= 0
 Grfico:

Vo