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COD: 1094279418
DOCENTE
UNIVERSIDAD DE PAMPLONA
06/09/2017
Caractersticas:
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el
entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se
llama amplificacin.
Este factor de amplificacin se llama (beta) y es un dato propio de cada
transistor. Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic = x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) x Ib, pero se
redondea al mismo valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al
transistor y en el otro caso de sale l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc.
Ventajas:
Ofrecen una buena ganancia de amplificacin
Los FET representan una linealidad muy pobre y en general son menos
lineales que los BJT.
Los BJT presentan una respuesta en frecuencia alta debido a la baja
capacidad de entrada. Respecto a los FET.
Desventajas:
Generan un nivel de ruido muy alto con respecto a los FET
Generan gran temperatura a comparacin de los FET
Los BJT tiene una baja impedancia de entrada a comparacin con los FET
que tienen una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) M.
El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto por que la elevada
concentracin de impurezas del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas
tenciones (5 a 10)V
Caractersticas:
Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar , combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Ventajas:
Alta capacidad de manejo de corrientes propias de un transistor bipolar,
con la facilidad del control de conduccin por tensin que ofrece un
MOSFET.
Desventajas:
encontramos que tienen una relativamente baja velocidad de respuesta
(20Khz) en comparacin con el MOSFET.
TRANSISTOR MOSFET:
El JFET de canal n est constituido por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
Caractersticas:
Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las
curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta a source o fuente) y
VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones
bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. A continuacin se
realiza una descripcin breve de cada una de estas regiones para el caso de un
NJFET.
Ventajas:
Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada
muy elevada (107 a 1012ohmios).
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin valores
pequeos de tensin drenaje-fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Desventajas:
Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este
apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos
dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.
Caractersticas:
En la figura inferior de muestra la dependencia entre el voltaje de conmutacin y
la corriente de compuerta. Cuando est polarizado en inversa se comporta como
un diodo comn (ver la corriente de fuga caracterstica que se muestra en el
grfico). En la regin de polarizacin en directo, se comporta tambin como un
diodo comn, siempre que ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.
Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de
nodo a ctodo es menor (VC).
Ventajas
La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les utiliza
como rectificadores es que su entrada en conduccin estar controlada
por la seal de puerta.
Requiere poca corriente de gate para disparar una gran corriente directa
Puede bloquear ambas polaridades de una seal de A.C.
Bloquea altas tensiones y tiene cadas en directa pequeas
Desventajas
El dispositivo no se apaga con Ig=0
No pueden operar a altas frecuencias
Pueden dispararse por ruidos de tensin
Tienen un rango limitado de operacin con respecto a la temperatura
Caractersticas:
Son semiconductores discretos que actan como interruptores completamente
controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier
momento con una seal de compuerta positiva o negativa respectivamente. Un
tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de una
seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una
seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se
construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR.
Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se
desactiva mediante un pulso negativo corto. La simbologa para identificarlo en
un circuito es la que se muestra en la figura.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en la compuerta, el
dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente
de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea
hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe
un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada
por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en
inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe.
Ventajas
Ventajas de los GTO sobre los SCR
Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que
da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen.
Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin
de bobinas de induccin en la conmutacin.
Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms
altas.
Una eficiencia mejorada de los convertidores.
Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.
Ms alta capacidad de voltaje de bloqueo.
Alta relacin de corriente de pico controlable a corriente promedio.
Alta relacin de corriente de pulsacin pico a corriente promedio,
tpicamente de 10:1.
Caractersticas:
La parte positiva de la onda (semiciclo positivo) pasar por el triac siempre y
cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circular de arriba hacia abajo (pasar por el tiristor que apunta hacia
abajo), de igual manera:
La parte negativa de la onda (semiciclo negativo) pasar por el triac siempre y
cuando haya habido una seal de disparo en la compuerta, de esta manera la
corriente circular de abajo hacia arriba (pasar por el tiristor que apunta hacia
arriba). Para ambos semiciclos la seal de disparo se obtiene de la misma patilla
(la puerta o compuerta).
Ventajas:
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto,
requiriendo as un solo circuito de control ya que solo dispone de un
terminal de puerta.
Desventajas:
una desventaja de este dispositivo es que al estar as fabrica, es un
dispositivo de baja capacidad de control de potencias muy reducidas.
en general solo puede soportar voltajes de 1000 V y corrientes mnimas de
15 A.
Fuentes de mando forzada y fuente de mando no forzada; entre las que tenemos
conmutacin forzada del scr y red snubber, disparo resistivo, disparo rc, disparo
con diac, disparo lineal para el control de ca, disparo lineal para un
semiconvertidor, disparo por cruce de cero, disparo por transformador de
impulso, disparo con oscilador de relajacin, integrado temporizador 555
(forzada).
5. Que entiende usted por fuente de mando por fase. Explique el principio de
trabajo de esta fuente de mando por fase.
A veces por diferentes motivos, la tensin entre los terminales del SCR
pueden cambiar en forma repentina y de manera evidente (el cambio de
tensin es grande). Para evitar este inconveniente, se utiliza un circuito
RC en paralelo con el tiristor como se muestra en el grfico anterior. Este
circuito limita la velocidad de subida de la tensin en los terminales del
tiristor.
8. Tipos de rectificadores CA/CD. Esquemas elctricos de los tres tipos de
rectificadores ms utilizados en la industria.
Dnde:
Momento de la carga a cualquier velocidad.
Momento de la carga en condiciones nominales
Momento inicial de la carga .
Para los diferentes instantes que podran existir x puede tomar los siguientes
valores:
(1) Si el momento no vara se mantiene constante a cualquier velocidad
Ejemplo: Elevadores, transportadores.
(2) Si caracterstica mecnica no lineal decreciente
Ejemplo: Torno.
(3) Si caracterstica mecnica no lineal creciente o parablico
Ejemplo: Ventiladores y compresores.
(4) Si caracterstica mecnica lineal creciente
Ejemplo: Generadores
Carcter de la carga: Se dice que es una Carga Pasiva cuando slo consume
energa del accionamiento elctrico y que es una Carga Activa cuando puede
tanto consumir como entregar energa al accionamiento elctrico.
Ejemplo:
Carga Activa: un ascensor
Carga Pasiva: un ventilador
Podemos observar que la tensin y corriente del inducido son positivas, debido a
que el par y la velocidad tambin lo son, al igual de la potencia mecnica que sale
del motor.
Segundo cuadrante:
La energa elctrica producida por los motores es disipada en forma de calor por
medio de un banco de resistencias.
Fig. 22
El sentido de giro del rotor de un motor trifsico asncrono, se determina por el
sentido del campo magntico giratorio. Cuando el motor est funcionando en un
sentido de giro determinado a velocidad de rgimen, si se invierten las
conexiones ese dos de los conductores de fase del estator, el sentido de campo
giratorio es opuesto al sentido de giro del rotor y el deslizamiento resulta superior
a la unidad. Esta circunstancia provoca un enrgico par de frenado, ya que el
campo giratorio tiende a arrastrar al rotor en sentido contrario al de su marcha.
19. Que entiende usted por ISO en los motores elctricos. Ponga ejemplos de
tipos de ISO. Significado de ISO=Clase F.
20. Explique los pasos a seguir para construir la caracterstica mecnica del M
de CD.
1. Mirar y registrar los datos de la placa caracterstica del motor
2. Calcular la eficiencia
3. Resistencia nominal
4. Resistencia de armadura
5. Velocidad nominal
6. Hallar k
7. Momento nominal
8. Velocidad inicial
9. Graficar puntos (Wn,Wo,Mn).
21. Construya la caracterstica mecnica del motor de CD con los siguientes
datos en placa: , , ,
IP=24, ISO=B.
24. Calcule que resistencia de frenado dinmico se necesita para parar a este
motor cuando gira a 1200rpm con carga nominal. Represente este proceso
utilizando las caractersticas mecnicas.
b)
c)
b)
c)
Bibliografa: