CARACTERISTICAS DEL DIODO

Practica 02

Luis Eduardo Mayorga Espejo Luis Carlos Diaz Soler

Facultad de Ingenieria Facultad de Ingenieria
Programa de Ingenieria Electronica extencion Tunja Programa de Ingenieria Electronica extencion Tunja
Universidad Pedagogica y Tecnologica De Colombia Universidad Pedagogica y Tecnologica De Colombia
Tunja, Boyaca Colombia Tunja, Boyaca Colombia
l.eduardome1997@gmail.com Luchosoler11@gmail.com

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I. INTRODUCCION
El Diodo es el primer dispositivo electrnico debido a su
sencillez. Debido a sus caractersticas, que pueden ser similares
a las de un interruptor desglosan de las mltiples aplicaciones
en el campo electrnico que varan su simplicidad desde las
ms bsicas hasta aplicaciones en circuitos muy elaborados.
Figura 1. Diodo polarizado en directa y su circuito
Primeramente el diodo es un elemento o componente equivalente
electrnico que su principal funcin es que al estar el
polarizacin directa permita el flujo de corriente y se
comporte (idealmente) como un corto circuito Figura 1 esto
quiere decir que cuando est conectado de esta forma su
resistencia interna sera igual a 0 Al estar en polarizacin inversa se comporte como un circuito
abierto impidiendo el paso de corriente en los circuitos.
0
= = = 0 (1)

Donde es la corriente y el voltaje de polarizacin directa

atreves del diodo. Cabe aclarar que esto es solo la propiedad
ideal ya que nunca se encontrara un diodo que no presente
alguna resistencia pero si con muy bajas razones de resistencia
esto es visible en los diodos de silicio que su voltaje de
polarizacin o de ruptura es 0.7V y en los diodos de germanio
que es de 0.3. Esto significa que estos valores de voltaje
primero el circuito debe tener ms de estos valores de voltaje
(sea el diodo de silicio o germanio) para que el circuito
funcione, si el caso no es ese los diodos se comportaran como
circuito abierto, y al ser superado ser el voltaje que consume Figura 2. Diodo polarizacin inversa y i respectivo circuito
el diodo y el resto de el voltaje de circuito ser entregado a la equivalente
carga.
 II. DESARROLLO DE LA PRACTICA
Esta prctica de laboratorio corresponde el reconocimiento de
las caractersticas y funciones del diodo, donde por medio de
ocho circuitos propuestos en este, desarrollndolos y
analizndolos con respecto a los materiales que los integran se
pretende cumplir con cada uno de los objetivos y puntos MONTAJE A.(b) Montaje respectivo al primer circuito
dispuestos en esta prctica. propuesto con diodo de germanio
Las caractersticas especficas de cada montaje se muestran a
continuacin:
A. Circuito con diodo de silicio y germanio en
polarizacion directa
En este montaje se necesito de 1 diodo 1N4004,1 diodo B. Circuito con diodo de silicio y germanio en
1N60P, 1 resistencia de 1k y 1 fuente independiente de polarizacion inversa
voltaje, como se muestra en la Figura 3 y la Figura 4. Una
vez reconocido los dos terminales del diodo con la banda inviertimos la conexin del diodo como se ilustra en la Figura
blanca que posee el diodo. Procedemos a verificar el estado 5 y Figura 6. Se haran las mismas mediciones del montaje
del diodo con el multimetro, conectando el terminal rojo al anterior pero esta vez vamos aumentando el voltaje de entrada
nodo y el negro al ctodo, registre la lectura del equipo. de 0 a 25V en pasos de 5V. Repitiendo en el diodo de
Invierta las conexiones y registre su observacin. Asi: germanio.
1N4004 = 0.56 v
1N60P = 0.264v
Hecho esto nos dirigimos a las hojas de caractersticas de los Montaje B. montaje respectivo al segundo circuito propuesto
dos diodos para encontrar los valores mximos de corriente y
voltaje en directa e inversa que soporta cada diodo

Diodo
1N4004
1N60P

Implementamos el circuito de la Figura 3 y la Figura 4

respectivamente. Se realizan mediciones de los valores de
corriente, voltaje de entrada (Vi), voltaje de salida sobre la
resistencia (Vo) y voltaje de diodo (Vd). Se inicia desde 0V y C. Circuito con diodo de silicio y germanio en
aumentando hasta 4V en pasos de 0.2 V. corriente AC en polarizacin directa e inversa
Se implement el circuito mostrado en la figura 7 y
8 utilizando el generador de seales. Y se ajust a
una seal de salida de tipo triangular de 4Vpp,
1KHz y Voff=0V y con ayuda del osciloscopio se
observ las seales de voltaje de entrada (Vi) y de
salida (Vo). Y se hicieron mediciones de voltajes
pico, pico a pico, rms y promedio (avg) de cada
seal, y se repite el mismo proceso para los diodos
en inversa.
MONTAJE A.(a) Montaje respectivo al primer circuito
propuesto con diodo de silicio

III MATERIALES:
Para la prctica fue utilizada una fuente DC y un generador de
funciones para el suministro de energa de nuestro circuitos,
tambin fueron utilizados 2 diodos con referencias 1N4004 y
1N60P que seran los sujetos de comprobacin de las leyes o
postulados a demostrar, para este tambin se utiliz un
multmetro para poder corroborar los valors de Vo y Vd del
circuito y asi oder calcular la corriente en estos, y se utilizaron
herramientas bsicas para el estudio de las variables de un
circuito como, protoboard, conectores banana caimanes y
osciloscopio.
IV. PROCESAMIENTO DE INFORMACIN
Figura 6. Circuito con diodo 1N60P (germanio) y resistencia
de 1k en conexin inversa

Figura. 3. Circuito con diodo 1N4004 (silicio) y resistencia

de 1k en conexin directa
Figura. 7. Circuito con diodo 1N4004 (silicio) y resistencia
de 1k en conexin directa

Figura 4. Circuito con diodo 1N60P (germanio) y resistencia

de 1k en conexin directa
Figura. 8. Circuito con diodo 1N4004 (silicio) y resistencia
de 1k en conexin inversa

= 100

Dnde:
Figura. 5. Circuito con diodo 1N4004 (silicio) y resistencia V terico =Valor terico segn corresponda.
de 1k en conexin inversa V experimental=Valor experimental segn corresponda.

Ecu. 01. Expresin mediante la cual se calcula el error

porcentual de las medidas tomadas en el laboratorio, para cada
Circuito.
Tabla 1. Valores en polarizacin directa en el diodo de silicio 2.6 2.415 0.305 2415
voltaje de entrada, voltajes en la resistencia, voltaje en el
diodo y corriente en el circuito 2.8 2.577 0.308 2577
3 2.707 0.309 2707
silicio 3.2 2.949 0.313 2949
Vi(v) Vo(v) Vd(v) Id(mA) 3.4 3.313 0.315 3313
0.2 0 0.264 0 3.6 3.406 0.318 3406
0.4 0 0.45 0 3.8 3.586 0.32 3586
0.6 0.181 0.516 181 4 3.832 0.322 3832
0.8 0.367 0.547 367
Tabla 3. Valores del diodo en polarizacin inverza
1 0.508 0.561 508
1.2 0.665 0.574 665
1.4 0.932 0.589 932 inversa
1.6 1.055 0.595 1055 silicio germanio
1.8 1.235 0.602 1235 Vi(v) Vo(v) Vd(v) Vi(v) vo (v) Vd(v)
2 1.503 0.611 1503 5 0 4.96 5 0 5.05
2.2 1.708 0.618 1708 10 0 10.05 10 0 10.14
2.4 1.858 0.622 1858 15 0 15.08 15 0 15.1
2.6 2.055 0.626 2055 20 0 19.94 20 0 20.14
2.8 2.224 0.63 2224 25 0 25.16 25 0 24.95
3 2.39 0.633 2390
3.2 2.615 0.638 2615
Tabla 4. Valores en polarizacin directa con alimentacin AC
3.4 2.8 0.64 2800
3.6 3 0.644 3000 directa
3.8 3.18 0.646 3180 silicio grmanio
4 3.38 0.649 3380 vp vp
p vp vrms vavg p vp vrms vavg
Tabla 2. Valores en polarizacin directa en el diodo de v 1.9 -6.46E- 3.9 1.9 -6.60E-
germanio voltaje de entrada, voltajes en la resistencia, voltaje o 4 1 1.15 02 2 1 1.14 02
en el diodo y corriente en el circuito
1.4 1.3 4.54E- 2.17E- 1.7 1.6 6.14E- 3.38E-
germanio vi 4 6 01 03 2 3 01 01
Vi(v) Vo (v) Vd(v) Id(mA)
0.2 0.05 0.195 50
0.4 0.324 0.24 324
0.6 0.416 0.252 416 Tabla 5. Valores en polarizacin inversa con alimentacin AC
0.8 0.618 0.263 618 inversa
1 0.828 0.271 828 silicio grmanio
1.2 0.954 0.276 954 vp vp v
p vp vrms vavg p p vrms vavg
1.4 1.181 0.283 1181
v 3.9 1.9 -3.55E- 3.9 1.14E+ -3.42E-
1.6 1.358 0.287 1358
o 6 6 1.15 02 6 2 00 02
1.8 1.556 0.291 1556 1.4 5.07E- -3.00E- 1.7 6.60E- -4.00E-
2 1.851 0.296 1851 vi 4 0 01 01 5 0 01 01
2.2 1.921 0.298 1921
2.4 2.21 0.3 2210
 Id vs Vd silicio Id vs Vd germanio
4000 1
3000 0.8
2000 0.6
0.4
1000
0.2
0
0
-1000 0 0.2 0.4 0.6 0.8
0 5 10 15 20 25 30

Grafica 1. Comportamiento Id vs Vd en el diodo de silicio Grafica 4. Comportamiento de la corriente contra el voltaje

en directa en el diodo de germanio en inversa

Vo vs Vi
Id vs Vd germanio 4
5000 3
4000
2
3000
2000 1
1000 0
0 0 1 2 3 4 5
-1
0 0.1 0.2 0.3 0.4

Grafica 2. Comportamiento de la corriente contra el voltaje

en el diodo de germanio en directa
Grafica 5 comportamiento del voltaje en la resistencia
respecto al voltaje de entrada en el diodo de silicio en
polarizacin directa
Id vs Vd silicio
1
vo
0.8 5
0.6 4
0.4 3
0.2
2
0
0 10 20 30 1
0
Grafica 3. Comportamiento de la corriente contra el voltaje 0 1 2 3 4 5
en el diodo de silicio en inversa
Grafica 6 comportamiento del voltaje en la resistencia
respecto al voltaje de entrada en el diodo de germanio en
polarizacin directa
 Vo vs Vi Vd vs Vi
1 0.4
0.8 0.3
0.6
0.2
0.4
0.2 0.1

0 0
0 10 20 30 0 1 2 3 4 5

Grafica 7 comportamiento del voltaje en la resistencia Grafica 11 comportamiento del voltaje en el diodo
respecto al voltaje de entrada en el diodo de silicio en respecto a la resistencia en el diodo de germanio en directa
polarizacin inversa

Vo vs Vi Vd vs Vi
1
30
0.8 25
0.6 20
0.4 15
0.2 10
5
0
0
0 10 20 30
0 5 10 15 20 25 30
Grafica 8 comportamiento del voltaje en la resistencia
respecto al voltaje de entrada en el diodo de germanio en Grafica 12 comportamiento del voltaje en el diodo
polarizacin inversa respecto a la resistencia en el diodo de silicio en inversa

Vd vs Vi Vd vs Vi
0.8 30
25
0.6
20
0.4 15
10
0.2
5
0 0
0 1 2 3 4 5 0 5 10 15 20 25 30

Grafica 10 comportamiento del voltaje en el diodo Grafica 13 comportamiento del voltaje en el diodo
respecto a la resistencia en el diodo de silicio en directa respecto a la resistencia en el diodo de germanio en inversa
Imagen 1. Medidas de diodo de silicio con corriente AC en
inversa
Imagen 2. Medidas de diodo de silicio con corriente AC en
directa
Imagen 3. Medidas de diodo de germanio con corriente AC en
inversa
Imagen 2. Medidas de diodo de germanio con corriente AC en
directa
Mediante el anlisis teorico del circuito se encontr que la
ecuacin de relacin de este mismo es:
= 0.707 (4)
= 1.41
Ecuacin 4. Ecuacin de voltaje efectivo
Respecto a lo calculado por el oscilos copio que es
= 1.15
Tenemos un error de 18%
V. ANLISIS DE RESULTADOS
Como podemos ver, existe cierta variacin entre los valores
tericos y los valores prcticos, esta variacin que se representa
como el porcentaje de error, el cual se encuentra en las dos
tablas realizadas para la toma del voltaje y la corriente. Este
porcentaje de error se debe a varios factores, uno de ellos
puede ser la tolerancia de cada una de las resistencias, puesto
que no se tom el valor real de la resistencia, sino que un valor
aproximado por el cdigo de colores, este valor fue el que se
tom en cuenta en la elaboracin del circuito. Los valores
mximos de corriente y voltaje se puede ver que estn
directamente relacionados con la ubicacin de la fuente de
voltaje, para este caso gracias a las fuentes de alimentacin las
corrientes de malla I4 e I6, y los voltajes V1 y V2, son los
valores mximos en el circuito, esto se debe tambin a la
ubicacin del nodo de referencia. La cantidad de componentes
y valor resistivo en una malla es al igual determinante en la
corriente de esta, puesto que entre ms componentes tenga con
una resistencia alta, menor ser la corriente producida en el
circuito malla.
CONCLUSIONES
Las resistencias tienen un valor de tolerancia, el cual puede
aumentar con facilidad el porcentaje de error producido en el
montaje.
Los valores de corriente dados en el circuito estn
estrictamente ligados con el nmero de componentes y su valor
resistivo los cuales componen la malla, al igual que los valores
de voltaje en los nodos va a variar dependiendo de la ubicacin
del nodo de referencia
Los valores de mximos de carga y descarga del condensador
no tuvieron mucho porcentaje de error ms sin embargo los
valores intermedios si, probablemente por la mala calibracin
manual de las escalas en el osciloscopio.
En la prctica se desarrollaron diferentes habilidades bsicas y
necesarias para el buen uso de algunos instrumentos
electrnicos y tcticas terico practicas tanto para el anlisis
correcto de los circuitos implementados como para todos los
posteriores en general, como lo es la identificacin de valores y
tolerancias de resistencias mediante el cdigo de colores el cual
es utilizado para la decodificacin de informacin en cada una
de estas y representada mediante franjas alrededor de estos
componentes; pudiendo as tomar de lado izquierdo a lado
derecho las dos primeras franjas como las cifras del valor, la
tercera como el mltiplo de esta cifra, y as la ltima siendo la
tolerancia (margen de error).
Se refuerzan conocimientos y procedimientos para el anlisis
de circuitos tales como nodales y de malla necesarios para el
desarrollo de estos tanto como para el voltaje y la corriente que
se encuentra presente en cada uno de ellos. El funcionamiento
de implementos electrnicos como lo son resistencias,
capacitores entre otros donde encontramos gracias a ellos
diferentes valores y condiciones aplicadas a los circuitos
elctricos como resistividad, paso de corriente y voltaje, carga
y descarga del condensador. As tambin el uso y manejo
correcto de herramientas y equipos de laboratorio
desarrollando y ampliando an ms las habilidades y
conocimientos de estos y sus aplicaciones dentro de este y
otros campos de la electrnica.
VI. BIBLIOGRAFIA
[1] Boylestad, Robert L y Nashelsky, Louis Electrnica:
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos, 8, Ed. Pearson
Education. Mxico, pp. 130137, Octubre de 2016.
[2] Floyd, Thomas L. Dispositivos Electrnicos, 8, Ed.
Pearson Educacin. Mxico, pp. 164-168, Enero de 2017