1.

a. En el clculo de bandas de energa de un slido cristalino. Bosqueje como

vara la densidad de carga elctrica (positiva y negativa) y la energa potencial
elctrica (el potencial cristalino por la carga (-e))

b. Considere la energa potencial del slido cristalino V(r) como una funcin
peridica. Proponga un desarrollo en serie de Fourier para V(r) y con este
proponga la ecuacin de Schrdinger que describa el comportamiento
electrnico en el slido cristalino. Identifique las magnitudes que se
determinan al resolver la ecuacin de Schrdinger.

c. Explique cmo y por qu se forman las bandas de energa en un slido

cristalino (2 formas).

d. Explique por qu se forman las bandas de energa prohibida (2 formas).

e. Explique que es un fonn.

2.
a. En un semiconductor intrnseco de banda directa explique de cuantas
maneras es posible determinar la banda prohibida de energa (3 formas).

b. Durante la excitacin de electrones de la banda de valencia a la banda de

conduccin se genera un par electrn/hueco e-/h+. Explique las 5
propiedades fundamentales que se le asignan al hueco.

c. Cmo explica usted la existencia de un material conductor, de un

semiconductor y de un aislante. En su explicacin utilice magnitudes tales
como T, concentracin de portadores de carga n(e-), p(h+), Eg, Ev, Ec, etc.

3.
a. Explique cmo se forma un material semiconductor tipo n y un material
semiconductor tipo p.

b. En una unin entre un material semiconductor tipo p y uno tipo n describa:

Cmo se forma la regin de agotamiento

Cmo se forma la barrera de potencial
Por qu y cmo se da el curvamiento de bandas en los niveles de
energa de ambos semiconductores
 c. En un cristal de GaAs se impurifica este material con tomos de Se
perteneciente al grupo VI que entra a sustituir al As. La constante dielctrica
del GaAs es =13.13
i. Calcule la energa de ionizacin del nivel de donador Ed de la
impureza de Se en la red de GaAs.
ii. Calcule el radio de Bohr de dicho nivel.

d. Considere una poblacin de tomos donadores de Se Nd=1019 tomos/cm3.

Calcule la concentracin de electrones en la banda de conduccin cuando la
temperatura del cristal de GaAs se incrementa a 300 K. Considere que la
masa efectiva del electrn me es igual a la masa del electrn libre.

4. Considere un cristal de Ge (IV) el cual se impurifica con tomos de aluminio Al (III).

La constante dielctrica del Ge es = 15.8.

a. Calcule la energa de ionizacin de nivel de aceptor Ea de la impureza de la Al

en la red de Ge.

b. Calcule el radio de Bohr de dicho nivel.

c. Considere una concentracin de tomos tipos aceptor NA = 1019 tomos/cm3.

Calcule la concentracin de huecos en la banda de valencia cuando la
temperatura del Ge se incrementa a 200 K.

5. Explique el comportamiento del ln n en la siguiente grfica para un semiconductor

tipo n
Ln n

1/T

6.
a. Qu es una celda solar?
b. Explique minuciosamente el efecto fotovoltaico
c. Explique cmo se forma la barrera Schottky