P2 - Diodos 2012 - Pedro PDF

Captulo 3 (Ed.
5)
Diodos
2012
1
Diodos - Caractersticas IxV de um Diodo Ideal
Polarizaes reversa e direta de um diodo ideal
Figure 3.1 Diodo ideal: (a) diode circuit symbol; (b) iv characteristic; (c) equivalent circuit in the reverse direction; (d)
equivalent circuit in the forward direction. 2
Simbologia
A K
3
Polarizao direta e reversa dos diodos
Anlise baseada
no diodo ideal!
Figure 3.2 The two modes of operation of ideal diodes and the use of an external circuit to limit the forward current (a)
and the reverse voltage (b).
4
Diodos: Aplicao como retificador
Retificador de meia onda
Figure 3.3 (a) Rectifier circuit. (b) Input waveform. (c) Equivalent circuit when vI 0. (d) Equivalent circuit when vI
0. (e) Output waveform. 5
Exerccio
Forma de onda de vD
Forma de onda na carga R

Caracterstica de transferncia:
vO versus vI
Figure E3.1 6
Carregador de Baterias
No circuito abaixo, de um carregador de baterias de 12 V, a tenso vS
uma Vpsent = 24 Vp.
Determine a frao de um ciclo durante a qual o diodo conduz.
1. Determine o valor de pico da corrente no diodo.
2. Determine a tenso de pico inverso no diodo.
Figure 3.4 Circuit and waveforms for Example 3.1.

7
Diodos: Aplicao
Portas Lgicas com diodos
Determine a tabela verdade para cada um dos circuitos abaixo.
0 V nvel lgico zero e 5 V nvel lgico 1.
OR Y=A+B +C AND Y=A. B. C
Figura 3.5 DLG: (a) OR gate; (b) AND gate (in a positive-logic system).
8
Diodos: Aplicao
Exerccio-calcular I e V
Figure 3.6 Circuits for Example 3.2.

9
Diodos: Aplicao - Portas Lgicas com diodos
Exerccio 3.4 Determine os valores de I e V.
Figure E3.4
10
Diodos: Aplicao - Portas Lgicas com diodos
Exerccio 3.4 Determine os valores de I e V.
11
Diodos: Aplicao
Exerccio 3.5
A figura mostra o circuito para um voltmetro C.A. Ele utiliza um medidor de bobina
mvel que d uma leitura de fundo de escala quando a corrente mdia que circula
por ele for de 1 mA. O medidor tem uma resistncia igual a 50 . Calcule o valor de
R de modo que o medidor indique o fundo de escala para uma senoide de entrada
com 20 V pico a pico.
Figure E3.5
12
Diodos: caractersticas eltricas de um diodo de juno
Caracterstica i-v de um diodo real
Figura 3.7 Caracterstica V-I de um diodo de juno.

13
Caracterstica i-v de um diodo real
i I S (ev nVT 1)
IS corrente de escala
Polarizao direta
Escala
comprimida
Regio de ruptura Polarizao reversa Escala expandida
14
15
Regio de polarizao direta
Equao do diodo
i I S (e v nVT
1)
IS corrente de saturao ou corrente de escala:
da ordem de 10-15 A para pequenos diodos de sinais.
diretamente proporcional rea da seo transversal do diodo,

ou seja, diretamente proporcional capacidade de corrente do diodo,
aumentando a rea do semicondutor aumenta a corrente.
Dobra de valor a cada aumento de 5 oC na temperatura.
16
Equao do diodo
i I S (e v nVT
1)
kT
VT Tenso termicamente gerada 25 mV @ 20 oC
q
K constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 joules/kelvin.

T = temperatura absoluta em graus kelvins = T(oC) + 2730C.
q = carga do eltron = 1,60 x 10-19 C
n - constante do processo de fabricao.
n = 1 diodos em circuitos integrados.
n = 2 diodos discretos.
17
Sejam (I1 ,V1) e (I2 ,V2) dois pontos da caracterstica do diodo, na regio de
polarizao direta, ento:
i IS e
v
nVT I1 I S eV1 nVT
I 2 I S eV2 nVT
i
v nVT ln
IS
I2
eV2 V1 nVT
I1
I2 I
V2 V1 nVT ln 2,3VT log 2
I1 I1
18
Variao da caracterstica tenso-corrente do diodo com a temperatura
0.2
0.1
I (mA)
0
300 K
310 K
320 K
-0.1
-70 -20 30 80 V (mV)
kT
VT
q
Figura 3.9 Dependncia da temperatura para um diodo em conduo
direta. A corrente constante, a variao de 2mV para cada 10C de
temperatura.
19
V VT
I I 0 e 1
0,15
I (mA)
kT
0,05 VT
qe
Io I0 < mA
0,2 0,4 0,6 0,8
-0,05
V (V)
VT(3000 K) = 25,85 mV I0: Corrente inversa de saturao

k (Constante de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1
20
Curiosidade
Sensores de temperatura so baseados
em junes semicondutores polarizadas
diretamente.
Fotodiodos e outros sensores de

radiao luminosa so baseados em
junes semicondutoras polarizadas
reversamente.
21
Regio de polarizao reversa do diodo
I1 I S e V1 nVT
+ -
Direta
Na polarizao reversa,
v negativo, e:
i I S
Em diodos reais, a corrente inversa de diodos muito maior que IS, devido a
correntes parasitas que circulam externamente ao diodo.
A corrente inversa aumenta com o aumento da tenso reversa
A corrente reversa total dobra de valor para cada 10 oC de aumento da temperatura.

22
Se V igual a 1V a 20 oC, determine o valor de V a 40 oC e a 0 oC.
Figura E3.9
23
Modelos matemticos para curva caracterstica do diodo
Regio Direta: Modelo exponencial
VDD VD
ID ISe VD nVT
ID
R
Figure 3.10 A simple circuit used to illustrate the analysis of circuits in which the diode is forward conducting.
24
Anlise grfica - Utilizando o modelo exponencial
VDD VD
ID ISe VD nVT

R
Figure 3.11 Graphical analysis of the circuit in Fig. 3.10 using the exponential diode model.
25
Anlise Interativa utilizando-se o modelo exponencial
Exemplo 3.4
Determine a corrente ID e a tenso no diodo VD para o circuito da figura com VDD = 5V e
R = 1K. Assuma que o diodo tem uma corrente de 1 mA com uma tenso de 0,7 V e
que sua tenso cai de 0,1 V para cada dcada de variao de corrente.
VDD VD 5 0,7
ID 4,3mA
R 1 5 0,763
ID 4,237mA
1
I2 I
V2 V1 nVT ln 2,3VT log 2
I1 I1
4,237
V2 0,763 0,1ln 0,762V
4,3
2,3nVT 0,1V
I2
V2 V1 0,1ln
I1
4,3
V2 0,7 0,1ln 0,763V
1
26
Modelo por segmentos lineares
Anlise rpida
iD 0, vD VD 0
iD vD VD 0 rD ,
I
V
rd vD VD 0
I
Figura 3.12 Approximating the diode forward characteristic with two straight lines: the piecewise-linear model. 27
V
rd
I
Figure 3.13 Piecewise-linear model of the diode forward characteristic and its equivalent circuit representation.
28
VDD VD 0
ID
R rD
5 0,65
4,26mA
1 0,02
VD VD 0 I D rD
0,65 4,26 0,02 0,735V
VD0=0,65 V e rD=20
Figure 3.14 The circuit of Fig. 3.10 with the diode replaced with its piecewise-linear model of Fig. 3.13.
29
Modelo de queda de tenso constante
Figure 3.15 Development of the constant-voltage-drop model of the diode forward characteristics. A vertical straight line (B) is used to approximate
the fast-rising exponential. Observe that this simple model predicts VD to within 0.1 V over the current range of 0.1 mA to 10 mA.
30
Modelo de queda de tenso constante
Figure 3.16 The constant-voltage-drop model of the diode forward characteristics and its equivalent-circuit representation.
31
Execcio 3.12
Projete o circuito para fornecer uma tenso de sada igual a 2,4 V. Assuma que o
diodo tem uma corrente de 1 mA com uma tenso de 0,7 V e que sua tenso cai de
0,1 V para cada dcada de variao de corrente.
Figure E3.12
32
Resumo dos modelos
ID
Diodo ideal
(1 aproximao)
VD
ID
VDo
Modelo simplificado
(2 aproximao)
VU VD
ID
VDO rD RD
Modelo linear
(3 aproximao)
VU VD
33
Afinal, qual modelo utilizar?
A questo sobre a escolha do modelo numa

aplicao particular algo que o projetista
enfrenta repetidamente, no somente com
diodos mas com qualquer elemento de
circuito. O problema est em encontrar um
compromisso adequado entre exatido e
complexidade. A capacidade de escolher o
modelo apropriado para um dispositivo
aumenta com a prtica e com a experincia.
34
Caracterstica do diodo real - especificaes
1N4148
35
1N4148
36
1N4148
37
1N4148
38
1N400x
39
1N400x
40
1N400x
41
1N400x
42
Modelos do diodo em pequenos sinais
Aplicao do modelo em pequenos sinais
I D I S eVD nVT
Figure 3.17 Development of the diode small-signal model. Note that the numerical values shown are for a diode with n = 2. 43
Corrente de polarizao do diodo
(V D v d )
ID ISe VD nVT
i D (t ) I S e nVT
v D (t ) VD vd (t ) VD vd
iD (t ) I S e nVT
e nVT
vd vd
Para << 1
nVT
i D (t ) I D e nVT
x1 x 2
e 1 ...
x
para x 0
1! 2!
I resistncia
v
iD I D id i D (t ) I D (1 d )
nVT
id (t ) D vd
nVT
incremental
do diodo
id I nVT
ID D rd
iD (t ) I D vd vd nVT ID
nVT
44
Exemplo 3.6 - A fonte V+ tem um valor mdio igual a 10 V e um sinal senoidal
superposto de 1V de amplitude e frequncia igual a 60Hz. Calcule a tenso contnua
nos terminais do diodo e a amplitude da senoide que aparece em seus terminais. O
diodo apresenta uma queda de tenso de 0,7V em 1 mA e n = 2. R = 10 K.
Figure 3.18 (a) Circuit for Example 3.6. (b) Circuit for calculating the dc operating point. (c) Small-signal equivalent circuit. 45
Uso da queda de tenso direta para regulao de tenso
Exemplo: Trs diodos so utilizados para fornecer uma tenso constante de 2,1 V.
Calcule a variao da tenso de sada causada por:
a) Um variao de 10% na tenso da fonte de alimentao.
b) Conexo de uma carga de 1K. ----- Considere n=2
Figure 3.19 Circuit for Example 3.7. 46

Resolva o Ex. E3.16
Figure E3.16
47
Modelo para o diodo na Regio de Polarizao direta
Table 3.1 Modeling the Diode Forward Characteristic

48
Modelo para o diodo na Regio de Polarizao direta
Table 3.1 (Continued)

49
Operao na regio de ruptura inversa Os diodos ZENER
Figure 3.20 Circuit symbol for a zener diode. 50

Os diodos ZENER especificao e modelo
VZ VZ 0 rz I Z
Figure 3.21 The diode iv characteristic with the breakdown region shown in some detail. 51
Caracterstica do diodo zener - especificaes
1N47xx
52
Caracterstica do diodo zener - especificaes
1N47xx
53
Uso do diodo zener como regulador balanceado
Exemplo 3.8
O diodo Zener da figura tem VZ = 6,8 V em IZ = 5 mA, rz = 20 e IZK = 0,2 mA.
A fonte V+ igual a 10 V e pode variar de 1 V.
Pede-se:
1. Determine VO sem carga e V+ nominal.
2. Determine a variao de VO devido a uma

variao de V+ de 1 V.
3. Determine a variao de VO resultante da

colocao de uma carga que solicita 1 mA.
4. Determine o valor de VO quando RL = 2 K.
5. Determine o valor de VO quando RL = 0,5 K.
54
Uso do diodo zener como regulador balanceado
Exemplo 3.8
V VZ 0 V0 rZ I Z
IZ I
R rz 20 3,4 68mV
10 6,7
6,35 mA
0,5 0,02
V0 VZ 0 I Z rz
6,7 6,35 0,02 6,83V
rz
V0 V
rz R
20
1 38,5 mV
20 500
V0 rZ I Z
20 1 20mV
V0
Reg. carga 20 mV
I L mA
Figure 3.23 (a) Circuit for Example 3.8. (b) The circuit with the zener diode replaced with its equivalent circuit model. 55
Circuitos Retificadores
Transformador
Figure 3.24 Block diagram of a dc power supply.
56
1
VCC VP

VP VD VP 0,7
1 1
VCC

Figura 3.25 (a) Retificador de meia onda. (b) Circuito equivalente. (c) Caractersticas de transferncia de um retificador. (d) Formas de onda de
entrada e de sada em regime permanente 58
R R
v0 vS VD 0 ;
R rD R rD
para vS VD 0 PIV VS
v0 vS VD0
59
Retificador de onda completa
Com secundrio a Tap central
PIV 2VS VD
Figure 3.26 Retificador de onda completa com transformador com secundrio tap-central; Caractersticas de transferencia de um retificador.
60
(c) Formas de onda de entrada e de sada
Retificador de onda completa
Retificador em ponte
PIV VS 2VD VD VS VD
Figure 3.27 Retificador em ponte: (a) circuit; (b) input and output waveforms. 61
Retificador de meia onda com filtro capacitivo
No Transitrio?
Figure 3.28 (a) Retificador com filtro capacitivo. (b) Formas de onda. 62
63
iD iC iL
dvI Vp
c iL IL
dt R
1
V0 VP Vr
2
t

vo (t ) V p e RC
T t
T
V p Vr V p e RC e RC
1
RC
T VP IL
Vr VP Vr
RC f RC fC
64
Vp cost Vp Vr Tempo em que o diodo conduz

2V p
i Dav I L (1 )
cost 1 t
1 2 Vr
2
Corrente mdia no diodo
t 2Vr V Vr << V p
p
Intervalo de conduo do diodo

2V p
i Dmx I L (1 2 )
Qcar iCavt Vr
Qdesc CVr Corrente mxima no diodo
como iD iC iL
iCmed iDmed I L
65
Retificador de onda completa com filtro capacitivo
Vp
Vr
2 fCR
Vp Vp
i Dav I L (1 ) i Dmx I L (1 2 )
2Vr 2Vr
Figure 3.30 Waveforms in the full-wave peak rectifier.
66
Aplicaes
67
Fontes de alimentao com circuito regulador de tenso
Capacitor eletroltico
Vo=15V Vin=Vo+7V. Capacitor poliester 220nF
VSEC
Vin 2 0,7
Vsec
2
Vin=Vo+7V. Vo=15V
69
Para uma tenso de +5V na sada, utilize o 7805 Utilize o retificador com tap
central como mostrado abaixo.
9Vef
9Vef +12V
Vin 0,7
Vo=5V Vin=Vo+7V. Vsec
2
Vin.= 12V Vsec 9Vef
70
Fonte simtrica com tenso de sada REGULADA.
72
Diodos emisores de luz (LED)
74
GaAs dopado com Zn
GaP dopado com Zn IR
I
GaAs0.6P0.4
GaAs0.35P0.65
GaAs0.15P0.85
GaP dopado com N
1 2 3 V (V)
SiC, ZnSe
1,8V
2,3V
2,8V
75
Emisso de luz (LED)
76
10 V 2 k
0.7 V
7V
i i
35 k
77
Circuitos Limitadores e Grampeadores
Como podem ser realizados estes circuitos??
Figure 3.32 General transfer characteristic for a limiter circuit.

81
Circuitos Limitadores
Figure 3.33 Applying a sine wave to a limiter can result in clipping off its two peaks.
82
Como podem ser realizados estes circuitos??

Figure 3.34 Soft limiting.
83
84
85
Para os diodos ideais, esboar a caracterstica de transferncia do circuito.
Figure E3.27
86
VARISTOR.
87
VARISTOR.
88
VARISTOR.
VARISTOR do ingls: voltage-dependent resistor VDR (resistor

dependente da tenso).
Componentes caracterizados pela no linearidade em relao Lei de Ohm.
Tambm so chamados de MOV (metal-oxide varistor ou movistor) e SIOV
(Siemens metal-oxide varistor).
89
Circuitos Grampeadores
Circuito restaurador de nvel C.C.
Figure 3.36 The clamped capacitor or dc restorer with a square-wave input and no load.
90
Circuitos Grampeadores
Circuito grampeador com carga resistiva
Figure 3.37 The clamped capacitor with a load resistance R.

91
Circuito Dobrador de tenso
Figure 3.38 Voltage doubler: (a) circuit; (b) waveform of the voltage across D1.
92
Circuito Triplicador de tenso
D4 1N1183 C1 2,2u D2 1N1183

C4 2,2u
C2 2,2u
+
C5 2,2u
D5 1N1183
+
D1 1N1183
VG2 VG1
C3 2,2u
D3 1N1183
93
Operao Fsica dos diodos
Figure 3.39 Simplified physical structure of the junction diode. (Actual geometries are given in Appendix A.)
94
Figure 3.40 Two-dimensional representation of the silicon crystal. The circles represent the inner core of silicon atoms,
with +4 indicating its positive charge of +4q, which is neutralized by the charge of the four valence electrons. Observe how
the covalent bonds are formed by sharing of the valence electrons. At 0 K, all bonds are intact and no free electrons are
available for current conduction.
95
Figure 3.41 At room temperature, some of the covalent bonds are broken by thermal ionization. Each broken bond gives
rise to a free electron and a hole, both of which become available for current conduction.
96
Figure 3.42 A bar of intrinsic silicon (a) in which the hole concentration profile shown in (b) has been created along the x-axis
by some unspecified mechanism.
97
Figure 3.43 A silicon crystal doped by a pentavalent element. Each dopant atom donates a free electron and is thus called a
donor. The doped semiconductor becomes n type.
98
Figure 3.44 A silicon crystal doped with a trivalent impurity. Each dopant atom gives rise to a hole, and the
semiconductor becomes p type.
99
Figure 3.45 (a) The pn junction with no applied voltage (open-circuited terminals). (b) The potential distribution along an
axis perpendicular to the junction.
100
Figure 3.46 The pn junction excited by a constant-current source I in the reverse direction. To avoid breakdown, I is kept
smaller than IS. Note that the depletion layer widens and the barrier voltage increases by VR volts, which appears between
the terminals as a reverse voltage.
101
Figure 3.47 The charge stored on either side of the depletion layer as a function of the reverse voltage VR.
102
Figure 3.48 The pn junction excited by a reverse-current source I, where I > IS. The junction breaks down, and a voltage VZ ,
with the polarity indicated, develops across the junction.
103
Figure 3.49 The pn junction excited by a constant-current source supplying a current I in the forward direction. The depletion
layer narrows and the barrier voltage decreases by V volts, which appears as an external voltage in the forward direction.
104
Figure 3.50 Minority-carrier distribution in a forward-biased pn junction. It is assumed that the p region is more heavily
doped than the n region; NA @ ND.
105
Figure 3.51 The SPICE diode model.
106
Figure 3.52 Equivalent-circuit model used to simulate the zener diode in SPICE. Diode D1 is ideal and can be
approximated in SPICE by using a very small value for n (say n = 0.01).
107
Figure 3.53 Capture schematic of the 5-V dc power supply in Example 3.10.
108
Figure 3.54 The voltage vC across the smoothing capacitor C and the voltage vO across the load resistor Rload = 200 in
the 5-V power supply of Example 3.10.
109
Figure 3.55 The output-voltage waveform from the 5-V power supply (in Example 3.10) for various load resistances: Rload
= 500 , 250 , 200 , and 150 . The voltage regulation is lost at a load resistance of 150 .
110
Figure E3.35 (a) Capture schematic of the voltage-doubler circuit (in Exercise 3.35).
111
Figure E3.35 (Continued) (b) Various voltage waveforms in the voltage-doubler circuit. The top graph displays the input
sine-wave voltage signal, the middle graph displays the voltage across diode D1, and the bottom graph displays the voltage
that appears at the output.
112
Figure P3.2
113
Figure P3.3
114
Figure P3.4 (Continued)
115
Figure P3.4 (Continued)
116
Figure P3.5
117
Figure P3.6
118
Figure P3.9
119
Figure P3.10
120
Figure P3.16
121
Figure P3.23
122
Figure P3.25
123
Figure P3.26
124
Figure P3.28
125
Figure P3.54
126
Figure P3.56
127
Figure P3.57
128
Figure P3.58
129
Figure P3.59
130
Figure P3.63
131
Figure P3.82
132
Figure P3.91
133
Figure P3.92
134
Figure P3.93
135
Figure P3.97
136
Figure P3.98
137
Figure P3.102
138
Figure P3.103
139
Figure P3.105
140
Figure P3.108
141

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Retificador de meia onda

Forma de onda na carga R

Figure 3.4 Circuit and waveforms for Example 3.1.

OR Y=A+B +C AND Y=A. B. C

Figure 3.6 Circuits for Example 3.2.

Figura 3.7 Caracterstica V-I de um diodo de juno.

Regio de ruptura Polarizao reversa Escala expandida

IS corrente de saturao ou corrente de escala:

da ordem de 10-15 A para pequenos diodos de sinais.

diretamente proporcional rea da seo transversal do diodo,

Dobra de valor a cada aumento de 5 oC na temperatura.

K constante de Boltzmann = 1,38 x 10-23 joules/kelvin.

n - constante do processo de fabricao.

n = 1 diodos em circuitos integrados.

VT(3000 K) = 25,85 mV I0: Corrente inversa de saturao

Fotodiodos e outros sensores de

A corrente inversa aumenta com o aumento da tenso reversa

A corrente reversa total dobra de valor para cada 10 oC de aumento da temperatura.

Afinal, qual modelo utilizar?

A questo sobre a escolha do modelo numa

Figure 3.19 Circuit for Example 3.7. 46

Table 3.1 Modeling the Diode Forward Characteristic

Table 3.1 (Continued)

Figure 3.20 Circuit symbol for a zener diode. 50

1. Determine VO sem carga e V+ nominal.

2. Determine a variao de VO devido a uma

3. Determine a variao de VO resultante da

4. Determine o valor de VO quando RL = 2 K.

5. Determine o valor de VO quando RL = 0,5 K.

Figure 3.24 Block diagram of a dc power supply.

Vp cost Vp Vr Tempo em que o diodo conduz

Intervalo de conduo do diodo

Figure 3.30 Waveforms in the full-wave peak rectifier.

Vo=15V Vin=Vo+7V. Capacitor poliester 220nF

GaAs dopado com Zn

GaP dopado com Zn IR

GaP dopado com N

Como podem ser realizados estes circuitos??

Figure 3.32 General transfer characteristic for a limiter circuit.

Como podem ser realizados estes circuitos??

VARISTOR do ingls: voltage-dependent resistor VDR (resistor

Figure 3.37 The clamped capacitor with a load resistance R.

D4 1N1183 C1 2,2u D2 1N1183

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