Jatlaoui

THSE
En vue de l'obtention du
DOCTORAT DE LUNIVERSIT DE TOULOUSE

Dlivr par L'Institut National Polytechnique de Toulouse
Discipline ou spcialit : Microondes, lectromagntisme et optolectronique
Prsente et soutenue par Mohamed Mehdi JATLAOUI

Le 20 Avril 2009
Titre : Capteurs Passifs

Transduction Electromagntique Pour la Mesure Sans Fil de La Pression
JURY
Thierry Monediere Professeur (XLIM Universit de Limoges) Prsident de jury

Herv Aubert Professeur (INP-ENSEEIHT) Directeur de thse
Patrick Pons Charg de recherche (LAAS-CNRS) Co-Directeur de Thse
Serge Toutain Professeur (Universit de Nantes) Rapporteur
Sylvain Ballandras Directeur de recherche (Femto ST) Rapporteur
Pierre Temple Boyer Charg de recherche (LAAS-CNRS) Membre
Martin Paulet Ingnieur AIRBUS (Toulouse) Membre
Stephane Buschaert Ingnieur ANDRA Membre
Sbastiano Brida Ingnieur AUXITROL Membre
Ecole doctorale : GEET

Unit de recherche : LAAS-CNRS
mes chers parents, Hdi et Kalthoum,
mes surs, Imne et Yosra,
mon frre, Chiheb
3
4
ma chre Farah,
5
6
Remerciements
REMERCIEMENTS
Le travail prsent dans ce mmoire a t effectu au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture

des Systmes (LAAS) du Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) de Toulouse,
au sein du groupe MIcro et Nanosystmes pour les Communications sans fils (MINC) et
Microdispositifs et Microsystmes de Dtection (M2D).
Je tiens tout dabord remercier Monsieur Raja CHATILA, Directeur du LAAS pour mavoir
accueilli dans le laboratoire.
Je suis profondment reconnaissant mes directeurs de thse, Monsieur Herv AUBERT,

Professeur lInstitut National Polytechnique de Toulouse, et Monsieur Patrick PONS,
charg de recherche au CNRS pour mavoir tout dabord fait confiance en me proposant une
thse pluridisciplinaire et motivante au sein du Laboratoire, et ensuite pour leurs soutiens,
leurs conseils, leurs disponibilits et les changes scientifiques que nous avons eu.
Je remercie vivement Monsieur Serge TOUTAIN, Professeur luniversit de Nantes et

Directeur de lInstitut de Recherche en Electrotechnique et Electronique de Nantes Atlantique
(IREENA), et Monsieur Sylvain BALLANDRAS, Directeur de recherche chez Femto - ST,
pour lintrt quils ont port ce mmoire en acceptant dtre les rapporteurs de mes
travaux.
Je voudrais tmoigner ma reconnaissance Monsieur Thierry Monediere, Professeur

luniversit de Limoges, qui ma fait lhonneur de prsider mon jury de thse.
Je remercie galement Monsieur Pierre TEMPLE BOYER responsable du groupe M2D et

Monsieur Robert PLANA, responsable du groupe MINC.
Jexprime galement ma reconnaissance Messieurs Martin Paulet, Ingnieur AIRBUS

(Toulouse), Stphane Buschaert, Ingnieur ANDRA et Sbastiano Brida, Ingnieur
AUXITROL, pour avoir accept dexaminer mes travaux de thse et de participer au jury de
thse.
Un grand MERCI lensemble du personnel du LAAS pour son aide et plus spcialement
les membres du service TEAM et les membres du service Sysadmin.
Je ne saurais oublier de remercier lensemble du service administratif du LAAS, ainsi que le

service documentation.
7
Je noublie pas galement mes amis et collgues de bureau qui mont aid en crant une
ambiance agrable et amicale tout au long de ces annes de thse : Franck CHEBILA, Jean
Franois LE NEAL, Sbastien PACCINI, Euloge TCHKAYA, Mohamed LAMHAMDI, Hikmat
ACHKAR, Fabienne PENNEC, Fabio COCCETTI, DRAGOMIRESCU Daniela, Gustavo
Adolfo ARDILA RODRIGUEZ, Fadi KHALIL. Michael KRAMER, Jinyu RUAN, Ali Ahmed,
BADR EL DIN SHAARAWY Heba, BOUAZIZ Sofiene, OUAGAGUE Badreddine,
LECOINTRE Aubin, HENAUT Julien, AL BAHRI Mohamed, HALLIL Hamida, OLSZACKI
Michal et Rodrigo SAAD.
8
Table Des Matires
9
Table des matires
Table des matires

REMERCIEMENTS.................................................................................................................... 7
Table Des Matires .................................................................................................................... 9
I. Introduction et problmatique .............................................................................................. 13
I.1. Introduction :...................................................................................................................... 15
I.2. Les Principaux types de capteurs sans fil: ......................................................................... 15
I.2.1. Les capteurs Actifs :.............................................................................................................16
I.2.2. Les capteurs passifs :............................................................................................................16
I.2.2.1. Les capteurs Inductifs : ......................................................................................... 17
I.2.2.2. Les capteurs RFID : .............................................................................................. 17
I.2.2.3. Les SAW : ............................................................................................................ 18
I.3. Problmatique lie aux capteurs sans fil : .......................................................................... 19
I.4. Conclusion : ....................................................................................................................... 21
II. Principe de fonctionnement, Modlisation, Conception et Simulation du capteur ............. 29
II.1. Introduction : .................................................................................................................... 31
II.2. Conception du capteur transduction EM: ...................................................................... 31
II.2.1. Principe de fonctionnement :.............................................................................................31
II.2.2. Contraintes de conception et choix prliminaires :.........................................................32
II.2.2.1. Choix de la frquence de travail :........................................................................ 33
II.2.2.2. Choix des matriaux : .......................................................................................... 33
II.2.2.3. Choix du rsonateur : .......................................................................................... 34
II.2.3. Modle dune ligne coplanaire : permittivit effective et champ lectromagntique :
...........................................................................................................................................................35
II.2.3.1. Etude dune ligne coplanaire place au dessous dun milieu Air/Dilectrique : 35
II.2.3.2. Reprsentation de la distribution du champ lectrique pour la ligne coplanaire
(interface Air/Dilectrique) :............................................................................................. 42
II.2.4. Dimensionnement du rsonateur millimtrique :............................................................47
II.2.5. Dimensionnement de la membrane :................................................................................51
II.2.5.1. Proprits mcaniques de la membrane: ............................................................. 51
II.2.5.2. Profil de la dformation de la membrane : .......................................................... 52
II.3. Simulations lectromagntiques : ..................................................................................... 53
II.3.1. Prsentation du logiciel HFSS :........................................................................................53
II.3.2. Cas dune membrane dplacement vertical uniforme :...............................................54
II.3.2.1. Simulation du rsonateur lignes couples quart dondes : ............................... 54
II.3.2.2. Simulation de linfluence de lpaisseur de la membrane : ................................ 57
10
Table des matires
II.3.3. Cas dune membrane ayant un profil en forme de cne :..............................................60

II.4. Conclusion : ...................................................................................................................... 65
III. Fabrication et caractrisation du capteur transduction EM .......................................... 69
III.1. Introduction : ................................................................................................................... 71
III.2. Fabrication : .................................................................................................................... 71
III.2.1. Ralisation des masques :.................................................................................................72
III.2.2. Gravure humide du pyrex :...............................................................................................74
III.2.3. Dpt et structuration des lignes :...................................................................................77
III.2.4. Gravure RIE du Silicium haute rsistivit:....................................................................80
III.2.5. Assemblage Pyrex/Silicium:............................................................................................83
III.2.6. Discrtisation et libration des cellules de mesure:......................................................84
III.3. Description des Bancs de test :........................................................................................ 89
III.3.1. Banc de test RF :................................................................................................................89
III.3.2. Banc de test en pression (PPM) :.....................................................................................90
III.4. Dplacement vertical uniforme de la membrane : .......................................................... 95
III.4.1. Rappel :...............................................................................................................................95
III.4.2. Comparaison entre les rsultats de caractrisation et de simulation pour un Gap dair
(h=3m) :.........................................................................................................................................95
III.4.3. Comparaison entre les rsultats de caractrisation et de simulation pour diffrentes
paisseurs de la couche dair :.......................................................................................................96
III.5. Membrane avec dflexion relle : ................................................................................... 99
III.5.1. Les rsultats de mesures :.................................................................................................99
III.6. Conclusion : .................................................................................................................. 101
IV. Conclusion gnrale ......................................................................................................... 105
Liste des figures ..................................................................................................................... 112
Liste des Tableaux.................................................................................................................. 115
Liste des publications ............................................................................................................. 116
Annexe A ............................................................................................................................... 117
Rapide tat de lart sur les capteurs de pression..................................................................... 117
Annexe B ................................................................................................................................ 124
Proprits du Pyrex ................................................................................................................ 124
Proprits du silicium ............................................................................................................. 124
Annexe C ................................................................................................................................ 125
Expression analytique des modes f n ( ) nN
= TE ,TM
........................................................................ 125
Annexe D ............................................................................................................................... 126
11
Table des matires
Pointes de mesures RF ........................................................................................................... 126

Annexe E ................................................................................................................................ 127
Topologie et technologie des filtres ....................................................................................... 127
12
I. Introduction et problmatique
13
I. Introduction et problmatique............................................................................................... 13
I.1. Introduction : ...................................................................................................................... 15
I.2. Les Principaux types de capteurs sans fil:.......................................................................... 15
I.2.1. Les capteurs Actifs : ............................................................................................................. 16
I.2.2. Les capteurs passifs : ............................................................................................................ 16
I.2.2.1. Les capteurs Inductifs : ......................................................................................... 17
I.2.2.2. Les capteurs RFID : .............................................................................................. 17
I.2.2.3. Les SAW : ............................................................................................................. 18
I.3. Problmatique lie aux capteurs sans fil : .......................................................................... 19
I.4. Conclusion : ....................................................................................................................... 21
14
I.1. Introduction :
Les capteurs sont largement utiliss dans une multitude de domaines et sont employs dans la
vie de tous les jours pour transformer des vnements mcaniques, chimiques ou thermiques
en signal lectrique. Ils forment ainsi une partie centrale et fondamentale de linterface entre
le monde physique et le monde lectrique. Les cinquante dernires annes et plus
spcialement la premire dcennie du XXIme sicle ont t le sige dun rel progrs
technologique et dnormes avances dans les activits capteurs, allant des premiers
composants en silicium micro-usin (Annexe A) pour aboutir aux microcapteurs sans fil
intgrs sur substrat [1]. On a, galement, assist la multiplication des types de capteurs
(pression, gaz, contraintes, acclration, temprature) autonomes sans fil qui sappuient sur la
disponibilit dune part dlments sensibles, petits et performants et dautre part sur de
nouveaux circuits lectroniques de communication faible cot entre 300MHz et 3GHz. Ces
composants rpondent la demande croissante pour des rseaux de capteurs communicants
autonomes pour des applications distribues de surveillance, danalyse ou encore de
diagnostic [2]-[7]. De plus, un aperu du march mondial des capteurs [8]-[12] et des
composants MEMS montre tous les besoins et les enjeux conomiques lis ces units de
mesure, qui deviennent des lments essentiels pour la vie de tous les jours. Ces demandes
mergentes consistent en une simplicit du capteur et le souhait dun systme de mesure sans
fil qui ne ncessite pas de contact physique. Ainsi, les dveloppeurs qui sont chargs de la
mise au point de ce type de capteurs doivent tenir compte de toutes ces exigences dans le but
dextraire linformation cruciale partir de lunit de mesure. Mais, comme il va tre
dmontr un peu plus loin dans cette partie, cela ne se fait pas sans mal : un problme et un
dfi de taille viennent compliquer la tche des concepteurs de rseaux de microcapteurs qui,
de ce fait, sont contraints de mettre en uvre des solutions de plus en plus complexes.
I.2. Les Principaux types de capteurs sans fil:
Le capteur, premier lment d'une chane de mesure, a pour fonction essentielle de traduire
une grandeur physique, objet de la mesure et que lon nomme le mesurande (m), en une autre
grandeur physique, gnralement lectrique (S) image de la grandeur physique et de ses
variations. La grandeur, ainsi transforme, doit tre utilisable par l'homme directement ou par
le biais d'un instrument appropri (Fig I. 1). Le capteur est donc le dispositif physique qui,
soumit laction du mesurande, non lectrique, produit la fonction lectrique :
S = F (m) (q I.1)
15
Fig I. 1. Schma synoptique dun capteur [13]
Cette quation thorique est troitement lie aux lois physiques qui conditionnent le mode de
fonctionnement du capteur. Le mesurande peut appartenir lune des grandeurs physiques
suivantes : chimique, radiative, mcanique, thermique, lectrique et magntique.
Selon leur complexit et leur principe de fonctionnement, les capteurs sont fonds sur un
lment sensible appel transducteur. Ce dispositif constitue la partie la plus importante du
systme de mesure. Le transducteur permet de dtecter toute variation de la grandeur
physique en entre du capteur. Sa conception est troitement lie au domaine dapplication
pour lequel le capteur sera utilis.
En adoptant une approche fonde sur la consommation nergtique, on peut classifier tous les
capteurs sans fil en deux types: actif et passif [14]-[15].
I.2.1. Les capteurs Actifs :

Gnralement, un capteur actif est un systme de mesure qui ncessite une source dnergie
embarque, la plupart du temps assure par une batterie, et ce pour la ralisation de la phase
de traitement au cours de laquelle le signal est filtr (nettoy), amplifi et converti dans un
format compatible et exploitable. Dans ce cas, le capteur doit non seulement mesurer des
proprits physiques mais doit galement effectuer des tches additionnelles au travers de
circuits de traitement et de communication intgrs [16]. Ce type de capteur est surtout utilis
pour assurer des mesures continues en temps rel.
I.2.2. Les capteurs passifs :
Les capteurs passifs sont des dispositifs qui ne possdent pas de source dnergie embraque
et prsentent lavantage dtre facilement intgrables. Ce type de capteur est utilis dans des
applications spcifiques (surveillance environnementale [17], des instruments de suivis spatial
et aronautique [18], des applications lies la sant [19]-[21]) qui ncessitent des units de
mesure miniatures, passives, de grande prcision et fiables. Lobjectif est dassurer des
mesures distance des grandeurs physiques [22]-[35]. Dans ce cas, deux diffrentes
technologies peuvent tre utilises pour la transmission sans-fil de donnes : la transmission
inductive et la transmission radio base sur la rflexion (transpondeur passif). Dans ce qui
suit, on prsente brivement les composants les plus rpandus fonds sur ces types de
technologies.
16
I.2.2.1. Les capteurs Inductifs : [36]-[41]
Les capteurs inductifs sont des dispositifs composs dun lment sensible et dune antenne.
Le capteur lui-mme ne contient pas de source d'nergie, mais on y a intgr un condensateur
et une inductance pour raliser un circuit rsonateur LC srie pour la communication sans fil.
Le capteur est interrog distance avec une ou deux antennes boucles moyennant un couplage
inductif mutuel. Le couplage inductif est fond sur un couplage magntique entre la bobine
interne et lautre externe. Ces bobines forment un systme de transformateur et de
linformation peut tre transfre par modulation de puissance. Le champ magntique gnr
par la boucle dmission induit une force lectromotrice au sein de la bobine relie au capteur,
qui son tour gnre une FEM vers la boucle extrieure. Vu que le capteur contient un circuit
rsonant LC srie, la FEM du capteur est maximale la frquence de rsonance. Donc, la
FEM de retour est aussi maximale cette frquence l. La frquence de rsonance du circuit
LC change lorsque la valeur de la capacit change. Cette variation est rcupre distance et
se traduit par une variation dans les proprits du couplage inductif. Le taux du transfert
nergtique dpend aussi de la position et de l'orientation de la bobine interne par rapport la
bobine externe. Le transfert nergtique est maximal quand les axes des bobines concident. Il
est dtrior si on a un mauvais alignement angulaire ou latral. Dans le cas pratique, les deux
boucles doivent tre places des courtes distances (quelques centimtres une dizaine de
centimtre) lune par rapport lautre.
I.2.2.2. Les capteurs RFID : [42]
Fig I. 2. Principe de fonctionnement dun dispositif RFID
Les dispositifs RFID, connus essentiellement pour leur utilisation dans lidentification
dobjets, peuvent tre galement exploits pour des applications de mesure. Le dispositif se
prsente sous la forme dun microprocesseur (connect un lment sensible) dot d'une
antenne (Fig I .2). Ltiquette reoit de lnergie lectrique par son antenne. Lorsquil reoit
suffisamment dnergie pour tre activ, le systme RFID renvoie un message au lecteur, qui
a la fonction de dcodage.
17
Les performances dun systme RFID sexpriment en termes de distance et de vitesse de

lecture. On peut classer les RFID en quatre catgories selon les bandes de frquences dans
lesquelles ils fonctionnent :
- Les tiquettes BF (frquence infrieure 135 kHz) avec une distance de lecture de quelques
centimtres.
- Les tiquettes HF (frquence de 13,56 MHz) avec une distance de lecture de quelques
dizaines de centimtres. La plupart des puces passives utilisent cette bande de frquences.
- Les tiquettes UHF (868-950 MHz) avec une distance de lecture de l'ordre du mtre.
- Les tiquettes UHF 2,45 GHz.
I.2.2.3. Les SAW :
Fig I. 3. Principe de fonctionnement dun capteur SAW
Au dbut des annes 1980, de nouveaux types de capteurs passifs ont t tudis en utilisant
des composants ondes acoustiques de surface (SAW) [43]-[63]. Le principe de
fonctionnement (Fig I.3) est le suivant : une onde lectromagntique (signal provenant dun
lecteur RF), transmise par lantenne dun systme dmission rception (E/R), est reue par
lantenne du transducteur SAW passif. Ensuite, cette onde est transforme en une onde
acoustique de surface via un transducteur interdigit (IDT) plac sur un substrat pizo-
lectrique connect lantenne [64]. La propagation de cette onde acoustique peut tre
modifie par les conditions environnementales (temprature, contrainte, gaz, ...) ou en
chargeant la ligne SAW avec un capteur utilis comme une impdance variable. Les ondes
acoustiques gnres subissent une rflexion au sein du composant avant dtre reconverties
en ondes lectromagntiques et retransmises lunit dmission/rception. Lanalyse de
londe lectromagntique rflchie par le capteur permet dobtenir une information sur la
grandeur qui a modifi la propagation de londe acoustique. La frquence (lectromagntique
et acoustique) de fonctionnement du capteur est fixe par le pas des lectrodes inter-digites.
Typiquement un pas de 5m (0,5m) permet dobtenir une frquence de lordre de 300MHz
(3GHz). La distance dinterrogation pour ce genre de dispositif est de lordre dune dizaine de
mtres. La figure (Fig I. 4) qui suit montre une photo MEB de deux paquets dondes mis par
un transducteur interdigit (IDT). Inversement, vu quon a un phnomne linaire, des ondes
acoustiques gnrent une distribution de charge lectrique au sein de lIDT et on obtient un
signal RF en sortie.
18
Fig I. 4. Photo MEB dun transducteur interdigit et de deux pulsations ondes

acoustiques [65]
I.3. Problmatique lie aux capteurs sans fil :

Pendant ces dernires annes, les technologies de capteur ont beaucoup volu. On a assist
une amlioration de la sensibilit ainsi qu une rduction des dimensions et par consquent
une rduction du prix des units de mesures. Par contre, les principes fondamentaux de la
conception des capteurs sont rests inchangs. Linconvnient majeur li aux capteurs sans fil
rside dans la limitation de leur autonomie nergtique. En effet, dans le cas des capteurs
piles (actifs), les transducteurs utiliss pour convertir la grandeur mesurer en signal
lectrique exploitable utilisent gnralement une transduction impdancemtrique (capacit,
rsistance) qui ncessitent une alimentation lectrique. Le signal doit ensuite tre conditionn,
amplifi, numris pour tre finalement envoy. Ces diffrentes fonctions sont ralises
laide de circuits lectroniques dont la consommation dpend du type de transduction, de
conditionnement mais aussi de la quantit dinformation transmettre et de la distance de la
liaison. La plupart des recherches visant augmenter lautonomie de ces capteurs se focalise
dune part sur la rduction de la consommation des cellules sensibles et des circuits
lectroniques et dautre part sur la disponibilit de lnergie embarque. Dans ce cas plusieurs
axes sont explors : la rcupration de lnergie environnante (photovoltaque, mcanique,
thermolectrique, lectromagntique), le dveloppement de nouvelles sources lectriques
miniatures (lectrochimique, nuclaire, thermolectriques, thermoonique, ). Bien que
sduisantes, toutes ces solutions prsentent des inconvnients majeurs tels que la complexit
19
des dispositifs mettre en uvre, des faibles courants disponibles ou encore une quantit
dnergie stocke peu importante. Outre la limitation de lautonomie, cette lectronique lie
au capteur peut lever son cot et ajouter un poids et un volume considrables lunit de
mesure. Le capteur actif est donc viter si lon veut apporter une solution au problme
nergtique. On se tourne alors vers lautre type de capteurs. Bien que trs attrayants, les
capteurs inductifs et les RFID souffrent dune faible distance dinterrogation, comme le
montre la figure (Fig I. 5) : lorsquon passe des RFID fonctionnant la frquence de
869MHz aux RFID 2.45 GHz et pour une puissance dmission fixe, cette distance est
nettement diminue.
Fig I. 5. Distance dinterrogation pour les RFID (869 MHz et 2.45 GHz) en fonction de la
puissance [66]
En ce qui concerne les capteurs SAW, on remarque que la distance dinterrogation (une
dizaine de mtre) est plus grande compare aux capteurs inductifs et RFID. Mais, elle reste
infrieure aux besoins exprims (quelques dizaines de mtre). On peut noter, aussi, que la
contrainte majeure lie aux SAW rside dans lefficacit de transduction due la double
conversion dondes : le signal dinterrogation lectromagntique doit tre converti une
premire fois en ondes acoustiques puis reconverti de nouveau en ondes lectromagntiques.
De plus, ce mme signal doit couvrir deux fois la distance entre lmetteur/rcepteur et le
capteur, et ce sans amplification. Dans ce cas, lattnuation est deux fois plus importante
compare un systme de capteur aliment par batterie. Il en rsulte que lamplitude du
signal reu par lE/R est beaucoup plus faible que lamplitude du signal dinterrogation mis
au dpart [67].
20
I.4. Conclusion :
Le dfi le plus important auquel les concepteurs de rseaux de microcapteurs, prvus pour
fonctionner pour une longue priode, doivent faire face, cest le besoin de rductions
significatives de la consommation d'nergie. Cette nergie est principalement dissipe par
llectronique de conditionnement du signal. Pour remdier ce problme, une des approches
de conception consiste en une optimisation des capteurs en terme de consommation
nergtique. Cette optimisation se fait en jouant sur la rcupration de lnergie environnante,
ou bien par une optimisation de la priodicit de lenvoi des donnes. Donc, les voies
explores jusqu maintenant consistent en une optimisation tous les niveaux de la
hirarchie du systme de mesure sans modifier le principe de conception. Lautre approche,
plus intressante, rside dans le fait deffectuer des mesures passives distance : cest la
capacit de mesurer sans fil certaines proprits physiques dtectes grce des capteurs sans
utiliser dalimentation. Cette approche permet de supprimer toute la partie de traitement du
signal au niveau du capteur et par consquent la majorit des consommations en nergie. Ceci
demande une mission, par les outils dinterrogation, et une haute sensibilit de dtection du
signal RF de retour.
Cette dmarche captivante a t suivie dans le cadre de cette thse o lon sest intress au
cas particulier des capteurs de pression. En comparaison avec les autres solutions passives
existantes, lobjectif de ce travail de recherche consiste repenser compltement le principe
de conception du capteur en dveloppant un nouveau mode de transduction compltement
passif qui ne ncessite pas dnergie embarque et qui peut tre interrog grande distance
(plusieurs mtres quelques dizaines de mtres) par radar. Cette solution est base sur
llectromagntisme. Le principe du capteur se base sur la perturbation de la distribution du
champ lectromagntique prsent linterface entre un rsonateur planaire, de frquence de
rsonance fr, et une membrane (Fig I.6). Le capteur est dautant plus sensible que la variation
du champ est rapide et le couplage mcanique/lectromagntique est fort pour de faible
mouvement de membrane (quelques m).
Fig I. 6. Principe de fonctionnement du capteur transduction lectromagntique
21
Lambition de ce travail de recherche est dvaluer la faisabilit de ce nouveau mode de

transduction. Le microcapteur de pression a t donc conu, modlis, fabriqu, et caractris.
Ce projet est ce titre particulirement original et se situe la frontire de plusieurs
disciplines : les microtechnologies, la mcanique, les capteurs et les circuits hyperfrquences.
Ce manuscrit est structur de la manire suivante :
Le chapitre qui suit est consacr aux tapes de conception et de simulation du microcapteur de
pression. Dans un premier temps, on prsentera le principe de fonctionnement de ce nouveau
mode de transduction lectromagntique suivi dune validation thorique apporte par une
tude base sur la mthode danalyse transverse. Dans un second temps, on prsentera les
rsultats des simulations lectromagntiques qui viennent apporter une estimation de la
sensibilit du capteur et une meilleure interprtation du phnomne physique li ce type de
transduction.
Le dernier chapitre est ddi la fabrication et la caractrisation des microcapteurs. Dans une
premire partie, on sintressera aux tapes technologiques ncessaires la fabrication des
cellules. Ensuite, on prsentera les bancs de mesures utiliss pour la caractrisation sur
plaquettes des units de mesure. Enfin, les rsultats de caractrisation hyperfrquence seront
exposs dans un premier temps pour une membrane dformation uniforme et dans un
deuxime temps pour une membrane dflexion relle. Des comparaisons entre rsultats de
simulations et de mesure seront progressivement dveloppes.
Enfin, on conclura ce manuscrit par une synthse des rsultats obtenus et on prsentera les
perspectives qui en dcoulent.
22
Rfrences
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26
27
28
II. Principe de fonctionnement,
Modlisation, Conception et
Simulation du capteur
29
II. Principe de fonctionnement, Modlisation, Conception et Simulation du capteur
II. Principe de fonctionnement, Modlisation, Conception et Simulation du capteur ............. 29

II.1. Introduction : .................................................................................................................... 31
II.2. Conception du capteur transduction EM: ...................................................................... 31
II.2.1. Principe de fonctionnement :..............................................................................................31
II.2.2. Contraintes de conception et choix prliminaires :.........................................................32
II.2.2.1. Choix de la frquence de travail : ........................................................................ 33
II.2.2.2. Choix des matriaux : .......................................................................................... 33
II.2.2.3. Choix du rsonateur : .......................................................................................... 34
II.2.3. Modle dune ligne coplanaire : permittivit effective et champ lectromagntique :35
II.2.3.1. Etude dune ligne coplanaire place au dessous dun milieu Air/Dilectrique :. 35
(interface Air/Dilectrique) : ............................................................................................. 42
II.2.4. Dimensionnement du rsonateur millimtrique :............................................................47
II.2.5. Dimensionnement de la membrane :.................................................................................51
II.2.5.1. Proprits mcaniques de la membrane: ............................................................. 51
II.2.5.2. Profil de la dformation de la membrane : .......................................................... 52
II.3. Simulations lectromagntiques : ..................................................................................... 53
II.3.1. Prsentation du logiciel HFSS :.........................................................................................53
II.3.2. Cas dune membrane dplacement vertical uniforme :................................................54
II.3.2.1. Simulation du rsonateur lignes couples quart dondes : ............................... 54
II.3.2.2. Simulation de linfluence de lpaisseur de la membrane :................................. 57
II.3.3. Cas dune membrane ayant un profil en forme de cne :...............................................60
II.4. Conclusion : ...................................................................................................................... 65
30
II.1. Introduction :
Dans ce chapitre, on prsentera le principe de fonctionnement du capteur transduction
lectromagntique. Ensuite, on illustrera ce principe de fonctionnement travers un modle
simple de ligne coplanaire. Ce modle est une tape intermdiaire qui va nous permettre de
vrifier le phnomne physique sur lequel est fonde la transduction lectromagntique. Par la
suite, on prcisera ltape de conception en discutant les critres et les choix qui ont t faits
notamment en termes de frquence de fonctionnement et de la nature des matriaux. Enfin, le
modle du capteur est mis en uvre laide dun logiciel 3D de simulation lectromagntique
HFSS (High Frequency Structure Simulator) et lon prsentera les rsultats de simulations RF
de la cellule de mesure de pression. Pour ces simulations et vue la complexit de la structure
du capteur, on va adopter une dmarche progressive.
II.2. Conception du capteur transduction EM:
II.2.1. Principe de fonctionnement :
Des tudes antrieures [1] sur la conception de rsonateur ont permis de constater que
lutilisation de rsonateurs microondes pour la mesure de pression tait envisageable. En
effet, lors de ces tudes, on a remarqu que tout changement du milieu qui entoure le
rsonateur agit sur ce dernier en modifiant ses proprits lectriques savoir la frquence de
rsonance et le facteur de qualit. Pour la mesure de la pression, lide originale exploite ici
consiste combiner les microondes et la mcanique lchelle micromtrique. Le rsultat
obtenu est un microsystme mcanique qui utilise la transduction lectromagntique comme
moyen de dtection de la variation de pression. Le principe, comme le montre la figure (Fig
II. 1), est le suivant : un rsonateur est plac dans une cavit soude une membrane. Une
variation de pression environnante entraine la dflexion de la membrane qui se dforme et
vient se placer proximit du rsonateur. Le mouvement de la membrane provoque une
variation de la permittivit effective du milieu et donc une variation de la distribution du
champ lectromagntique dans la cavit. Ce changement agit sur les paramtres lectriques du
rsonateur, savoir la frquence de rsonance et le facteur de qualit. Ainsi, un rsonateur
conu pour fonctionner une frquence centrale, voit celle-ci se dcaler en fonction de la
variation du gap dair, qui spare le rsonateur et la membrane. Des mesures hyperfrquences,
ralises laide dun analyseur de rseaux, nous permettent de suivre ce dcalage frquentiel
et dtablir une relation directe entre la variation de pression et le dcalage en frquence
observ. On ralise, de la sorte, une mesure de pression via une transduction
lectromagntique.
31
Fig II. 1. Schma synoptique du capteur EM
II.2.2. Contraintes de conception et choix prliminaires :
Avant de procder la phase de conception du capteur, il est ncessaire de prendre en compte

les conditions et les contraintes lies aux tapes de fabrication et de caractrisation. On se doit
de fixer, en premier lieu, la gamme de frquences de travail. Ensuite, on doit faire le choix de
la nature des matriaux utiliser en prvision du procd technologique suivre. Enfin, on
doit dterminer les parties de la structure qui doivent tre adaptes aux instruments de mesure
(accs coplanaires, impdance, gamme de pression, prcision) pour la phase de
caractrisation.
Fig II. 2. Contraintes lies la conception du capteur transduction lectromagntique
32
II.2.2.1. Choix de la frquence de travail :
On sest fix une frquence de travail de 30 . A cette frquence, les dimensions des
circuits hyperfrquences sont de quelques millimtres. Ainsi on peut envisager de raliser des
capteurs de pression assez compacts pour diverses applications (automobiles,
aronautiques,..). Il faut noter aussi qu cette frquence , on est en parfaite adquation avec
des gammes de frquences utilises pour les systmes de dtection Radar : une combinaison
du capteur avec un Radar (FMCW), fonctionnant dans la bande millimtrique, peut tre
envisage pour raliser des capteurs passifs interrogeables sur quelques dizaines de mtres.
II.2.2.2. Choix des matriaux :
Le capteur est constitu de quatre parties :
- La membrane, lment important de la transduction radio frquence, sera en silicium poli

double face et de haute rsistivit (>3 K.cm). Ce matriau possde une permittivit
lectrique de 11,6. Lpaisseur de la plaque de silicium est de 400m 25m. Le choix du
silicium sexplique par la bonne connaissance des proprits mcaniques ainsi que la maitrise
des techniques dlaboration de membranes. La forme gomtrique de la membrane sera fixe
par la forme dfinie par la cavit. Le silicium sera soud au Pyrex par une soudure anodique.
Les proprits du silicium sont donnes par le tableau (Tab II.1). (Annexe B).
Caractristiques
Coefficient de
Matriaux
Epaisseur Diamtre Rsistivit dilatation
thermique
Silicium
<100> Polie
Haute rsistivit > 3
Type : P Double 400 25 m 10 cm 2,33 ppm/C
kcm
Dopage : face
B
Tab II. 1. Principales caractristiques du silicium utilis pour fabriquer le capteur

- Le substrat, sur lequel sera dpos le filtre, est en Pyrex de type borosilicate (CORNING
7740). Ce matriau prsente de faibles pertes RF. Il possde une permittivit lectrique de 4,6.
Ce matriau permet un assemblage facile avec le silicium. Il prsente un coefficient de
dilation voisin de celui de la membrane en silicium. Le pyrex est rsistant aux chocs
thermiques, rsistant aux bains dacide et peut tre envisag pour des applications sous hautes
tempratures. Ce matriau, cause des traitements quil va subir en phase de fabrication, est
le candidat idal pour servir de support au filtre. De plus, le procde de micro usinage de ce
verre est bien maitris. On peut, ainsi, crer la cavit dans laquelle sera dpos le rsonateur.
Lpaisseur du substrat en pyrex est fixe par les plaquettes qui sont fournies dans le
commerce. On dispose de plaque ayant une paisseur de 1000 m. Les proprits du pyrex
sont donnes par le tableau (Tab II.2). (Annexe B).
33
Caractristiques
Coefficient de
Matriaux
Epaisseur Diamtre Rsistivit dilatation
thermique
3,2 10 cm 3,25 ppm/C entre 0

Pyrex* 7740 1 mm 10 cm
20C et 1 Mhz et 300C
Tab II. 2. Principales caractristiques de pyrex utilis pour fabriquer le capteur
- Pour la ralisation des circuits hyperfrquences, le matriau conducteur idal demeure lor
compte tenu de sa faible rsistivit lectrique qui tend minimiser leffet de lpaisseur de
peau. Ce conducteur est caractris aussi par son excellente tenue aux bains chimiques les
plus violents. Dans notre cas, on ne pourra cependant pas lutiliser car dans la phase
dassemblage entre Pyrex/Silicium (qui sera dtaille par la suite) on monte en temprature
jusqu 370C et donc on risque davoir des problmes de diffusion de lor. Notre choix se
pose sur un autre conducteur, qui rsiste aussi bien aux bains chimiques, savoir laluminium.
Ce mtal prsente de faibles pertes rsistives. Il est de faible cot. Ce type de conducteur ne
prsentera pas de problmes notamment des problmes de diffusion vu quil diffuse partir
de 600C. On fixe lpaisseur du mtal 1m.
- Le dilectrique qui sera prsent dans la cavit est constitu dair, donc une permittivit
lectrique 1.
II.2.2.3. Choix du rsonateur :
Pour la ralisation du circuit rsonateur, plusieurs technologies de lignes microondes peuvent

tre envisages [2]-[6]: la technologie microruban, la technologie coplanaire, la technologie
multicouches et la technologie sur membrane. Dans notre cas, le rsonateur doit tre ralis en
technologie coplanaire. En effet, une structure coplanaire prsente lavantage davoir une
rpartition des lignes de champ qui est en adquation avec le principe de la transduction
lectromagntique. Ces lignes de champ seront prsentes dans la couche dair au dessus du
rsonateur et favorisent, ainsi, linteraction avec la membrane en silicium. Les lignes
coplanaires prsentent galement lavantage davoir sur le mme plan, la masse et le signal.
En comparaison avec les autres technologies de ligne, la technologie coplanaire prsente plus
de souplesse au niveau de la conception : pour une mme valeur dimpdance on peut avoir
plusieurs dimensionnements possibles. Les lignes coplanaires offrent une meilleure
adaptabilit pour faire des mesures RF avec des pointes GSG (Ground Signal Ground). Pour
les autres types de technologie un retour la masse ncessite la ralisation de trous mtalliss
(Via Holes) ayant une hauteur de 1mm. Dans ce cas on se heurte un problme de faisabilit.
Le rsonateur sera constitu dun filtre lignes couples quart donde fonctionnant autour de
30 . Le filtre lignes couples quart donde peut prsenter les mmes performances
34
(bande passante, slectivit, Q,) quun filtre interdigit mais ce sera en dpit de la
compacit [7]-[10]. Pour le reste de ltude, on adoptera une structure fonde sur un filtre
avec un seul lment rsonant. La raison principale de choisir un seul lment rsonateur
consiste dans le fait que plus on augmente le nombre de lignes demi-ondes plus le couplage
interlignes est fort et plus le champ est confin entre ces lignes. On est en prsence dun
champ en mode vanescent. Donc pour quil y ait une bonne interaction, il faut rapprocher la
membrane de silicium le plus prs possible des lignes. Ceci induit une dtrioration de la
sensibilit. De plus, en augmentant le nombre dlments rsonants, on augmente les pertes
dinsertion.
La figure (Fig II. 3) rsume les choix effectus au niveau des matriaux et donne une vue en
coupe de la cellule de mesure de la pression.
Fig II. 3. Vue en coupe de la cellule de mesure de la pression
II.2.3. Modle dune ligne coplanaire : permittivit effective et champ

lectromagntique :
Cette section a pour but dapporter des lments de comprhension du phnomne physique
li la transduction lectromagntique et den vrifier rapidement le principe sans passer par
une tape de conception pousse. On va dcrire le fonctionnement du capteur laide dun
modle analytique en considrant un dilectrique, ayant une certaine permittivit r 2 , se
rapprochant dune ligne de transmission avec un dplacement uniforme. Pour cette tude, on
sest bas sur la mthode de rsonance transverse [11]. Cette mthode permet lextraction des
paramtres cls tels que : la permittivit effective du milieu, la frquence de rsonance du
capteur et la distribution du champ lectrique total.
II.2.3.1. Etude dune ligne coplanaire place au dessous dun milieu Air/Dilectrique :
La figure (Fig II. 4) reprsente une section droite de la structure tudie : une ligne coplanaire
est place dans une cavit renfermant de lair. Un dilectrique avec une certaine paisseur est
plac par-dessus la cavit. Pour cette tude, on choisit des matriaux ayant les mmes
proprits lectriques que les matriaux fixs plus haut par les contraintes de conception. Les
conditions aux limites sont invariantes par translation suivant laxe Oz. Le plan de
discontinuit xOz prsente un plan mtallique sur lequel ont t pratiques deux fentes
parallles de longueur infinie (pour reprsenter les lignes coplanaires). Le substrat
dilectrique, dpaisseur t, sur lequel repose ce plan de discontinuit est caractris par une
35
permittivit relative r 1 . Au dessus de la ligne, figure une couche dair dpaisseur h. Au

dessus, une autre couche de dilectrique dpaisseur = (b-h-t) et de permittivit r2 (voir
FigII.4). Les pertes mtalliques et dilectriques seront ngliges tout au long de cette analyse.
Parois mtalliques
Plan
(y = 0)
Fig II. 4. Section droite dune ligne coplanaire dans un botier mtallique
Calculons lquation de dispersion du mode fondamental dans cette ligne coplanaire. Pour
cela, on dtermine les relations de fermeture au niveau de la surface de discontinuit (plan
y=0) :
Dans la rgion 1 ;
Dans la rgion 2 ;
- et tant le champ lectrique et le courant dans les deux rgions.

- et tant les vecteurs orthogonaux au plan de discontinuit (XOZ) pour chacune des
rgions.
La figure (Fig II. 5) donne une reprsentation, par un schma lectrique quivalent, des
conditions aux limites de la structure tudie.
Fig II. 5. Reprsentation par un schma quivalent des conditions aux limites
Le plan y = 0 est identifi comme un plan de discontinuit D. Soit une source virtuelle
dfinie dans le domaine DI (relatif aux fentes de la ligne coplanaire). Notons sa grandeur
36
duale. Soient et les oprateurs admittances respectivement de la rgion 1 et de la

rgion2.
A partir de ce schma lectrique quivalent, on peut formuler le problme aux limites suivant:
^ ^
Y 1 + Y 2 Ee = 0 dans DI (q II.1)

^
( )
^
Avec Y 1 + Y 2 = f n Y1 n + Y2 n f n . Cest la rpartition des oprateurs admittances sur

=TEn,TM
la base modale (f n ) nN . Lexpression analytique des modes (f n ) nN est donne en
= TE ,TM = TE ,TM
(Annexe C). Les expressions analytiques des admittances Y1n ( )

nN
=TE ,TM
et (Y )

N
2 n n= TE ,TM
,
relatives respectivement la rgion 1 et la rgion 2, sont les suivantes :
Dans la rgion 1
Y YM, coth t avec k (q II.2)
TE TM
YM, et YM, (q II.3)

Dans la rgion2
(Y )
2 n n=TE
N
,TM
reprsente ladmittance, relative un court-circuit, ramene au plan de
discontinuit Dcomme le montre la figure (Fig II. 6):
h h1
Y Y
Fig II. 6. Admittance ramene au plan de discontinuit
37
En se fondant sur la thorie des lignes, lexpression de ladmittance devient :
Y YM,
Y Y YM, avec k (q II.4)
YM, Y
Y YM, coth h avec k (q II.5)
YM,TE avec
,
(q II.6)

, avec ,
(q II.7)
Aprs avoir obtenu lexpression des admittances, on applique la mthode de Galerkin : On

pose E e = e g e (x ) . Le problme aux limites admet alors une solution autre que la solution
triviale si et seulement si :
g e f n
2
(Y
1n

)
+ Y2 n = 0 (q II.8)
n
=TE ,TM
Le mode fondamental dans la ligne est dit pair ou symtrie magntique: cela signifie que
linsertion dun mur magntique dans le plan de symtrie de la structure guidante, i.e., dans le
plan x = a 2 , ne perturbe pas les lignes de champ de ce mode. Par ailleurs, en premire
approximation, le champ lectrique dans les fentes est suppos uniforme. On pose dans ces
conditions Ee (x ) = e g e (x ) . La composante longitudinale g ez (x ) est prise nulle pour
x [0,a ] , tandis que la composante transverse g ex (x ) dite fonction dessai est donne
par la figure (Fig II. 17)
g ex (x )
w
1
s
w
0
a x
1
Fig II. 7. Allure de la fonction dessai
38
La fonction dessai peut tre mise sous la forme suivante :

a-s a-s a + s a + s
0 pour x w; ; + w
2 2 2 2

a-s a-s
g ex (x ) = 1 pour x w;
2 2
g e (x ) = (q II.9)
a + s a + s
1 pour x ; + w
2 2

g ez (x ) = 0 pour x [0;a ]

En calculant les produits scalaires prsents dans la srie, on dveloppe les quations
suivantes :
a a+s
+w

2
g *e ( x ).f nTE ( x )dx = 2
2
n ( 1)( j )
* pour n impair : 2 a
cos n x dx
a
n
2
0 a+s
= +
2
g e f nTE 2
a
(q II.10)

* pour n pair :
0
1, pour n = 0
n = . Ainsi, dans le cas o n est impair :
2, pour n 0
w
sin n
j w n 1 s+w (q II.11)
g e f nTE = 2
2
( 1) 2 sin n 2 a
a 2 a w

2
n
n +
2
2 a
a

n
Sachant que f nxTM (x ) = a f nxTE (x ) , nous pouvons dduire le produit scalaire g e f nTM :
j

n
g e f nTM = a g e f nTE (q II.12)
j
39
En dveloppant davantage ces quations, on obtient lquation de dispersion suivante :
n w
n s w sin
0 sin 2 a
n 2 a n w
, , , 2 a
a
YM,TE coth h YM,TE th t

YM,TE TE
YM, coth h (q II.13)
YM,TE YM,TE coth h th t
n
a YM,TM coth h YM,TM th t
YM,TM TM
YM, coth h
YM,TM YM,TM coth h th t
Pour sassurer de lexactitude du rsultat trouv, on reprend lexemple dune ligne coplanaire
tudie [12]. On retrouve la mme courbe de dispersion qui a t obtenue par les auteurs.
On va tudier, prsent, leffet de la variation de lpaisseur de la couche dair h sur la
frquence de rsonance de la ligne de transmission. La solution de lquation de dispersion
calcule plus haut nest rien dautre que la constante de propagation . La frquence de
rsonance de la ligne est dtermine comme suit :
Pour une longueur de ligne l fixe, on obtient une rsonance si la longueur de la ligne
g 2
l= = = donc pour l = . (q II.14)
2 2
Or Avec c = clrit de la lumire dans le vide (q II.15)

h = paisseur de la couche dair
Donc la frquence de rsonance du premier mode est dtermine par :
(q II.16)
2
40
La courbe de la figure (Fig II.8) prsente la variation obtenue de la frquence de rsonance en

faisant varier lpaisseur de la couche dair de 0,3m 3m et ce pour deux topologies de
lignes de transmission (coplanaire et microruban). Dans le modle, le passage dune ligne
coplanaire une ligne microruban se fait en prenant une grande distance entre la ligne
centrale et les plans de masse. Daprs cette courbe, une ligne coplanaire prsente un dcalage
une fois et demi plus grand en frquence quune ligne microruban. Elle prsente, de ce fait,
une meilleure sensibilit la variation de lpaisseur de la couche dair h.
Fig II. 8. Comparaison entre une ligne coplanaire et une ligne microruban (interface
Air/Dilectrique)
41

(interface Air/Dilectrique) :
Le but de la section suivante est dtudier leffet de la variation de lpaisseur de la couche

dair h sur la permittivit effective du milieu qui entoure la ligne de transmission et de
visualiser le comportement du champ vis--vis de cette variation du gap dair. On tracera la
distribution du champ lectrique pour la structure prsente par la figure (Fig II. 4).
En se fondant sur les quations tablies auparavant et en remplaant les permittivits dans les
deux rgions de la structure par des permittivits de 4,6 dans la rgion 1 (pyrex) et 11,6 dans
la rgion 2 (silicium), on dtermine le profil de variation de la permittivit effective en
fonction de lpaisseur de la couche dair h (Fig II. 9).
(3m)
(10m)
(50m) (100m)
Fig II. 9. Variation de la permittivit rlative en fonction de lpaisseur du gap dair
Lorsque le dilectrique de la rgion 2 se rapproche de la ligne, on observe une augmentation

de la permittivit effective du milieu environnant. On observe une diminution de la
permittivit dans le cas contraire.
Il serait intressant de visionner linfluence de la variation de lpaisseur de la couche dair
sur la distribution du champ au dessus de la ligne (la reprsentation sera faite pour les points
A, B, C et D). Pour cela, il nous faut dterminer lexpression du champ lectrique dans les
trois principales rgions qui forment la structure.
42
Dans le pyrex:
sin sinh
, 4 1 sin 2 cos
2 sinh
, , , 2
,
sin n cosh
4 1 sin 2 sin
2 a sinh
, , , 2

Dans le silicium:

,
1 sin sinh 1
4 sin 2 cos
2 sinh sinh
, , , 2
1

coth coth coth coth
,
1 sin sinh 1
4 sin 2 sin
2 sinh sinh
, , , 2
1
coth coth coth coth
sin cosh
, 4 1 sin 2 sin
2 sinh
, , , 2
43
1
coth
coth
et
Dans la couche dair:

sin sinh
, 4 1 sin 2 cos
2 sinh
, , , 2
n w
w 1 n s w sin 2 a n sinh y 1
4 sin n w cos x
a n 2 a a sinh h sinh
, , , 2 a
a
n 1

coth h coth h a coth h coth h

,
n w
jwn 1 n s w sin 2 a n sinh y 1
4 sin n w sin x
a n 2 a a sinh h sinh h
, , , 2 a
a
1
coth h coth h coth h coth h

,
n w
wn n s w sin 2 a n cosh t y
4 1 sin n w sin x
a 2 a a sinh h
, , , 2 a
n w
wn n s w sin 2 a n cosh y 1
4 1 sin n w sin x
a 2 a a sinh h coth h
, , , 2 a coth h

On peut voir sur la figure (Fig II. 10), la distribution du champ lectrique pour la ligne
coplanaire pour diffrentes valeurs dpaisseur de couche dair (A, B, C et D). Pour des
grandes valeurs de h (C,D), le champ lectrique possde une distribution propre aux lignes
44
coplanaires : le champ est prsent entre les fentes formes par la ligne centrale et les deux
plans de masse. En rapprochant le dilectrique (Si), le changement du milieu de propagation
fait progressivement migrer le champ au dessus de la ligne. Ce dernier devient de plus en plus
confin entre le silicium et le conducteur central de la ligne coplanaire (A, B). Ce changement
de distribution sexplique par un changement de la permittivit effective du milieu qui
englobe la structure. Suite cette variation de permittivit, une variation de la frquence de
rsonance peut tre observe (comme indiqu au dbut de ltude). Cette variation en
frquence peut tre exploite pour la mesure de la pression en remplaant le dilectrique
suprieur par une membrane en Silicium qui subit une dformation suite une application de
pression. Cette dformation peut tre corrle la variation de frquence : cest le principe
exploit ici pour la transduction lectromagntique.
A (h=3m)
(a)
B (h=10m)
(b)
45
C (h=50m)
(c)
D (h=100m)
(d)
Fig II. 10. Distribution du champ lectrique total pour diffrents paisseurs de couche
dair
Pour visualiser la distribution du champ (Fig II. 10), un code t implment sous Matlab
partir des quations qui ont t dveloppes. On a t amen dvelopper ce code suite la
difficult quon a rencontr pour la reprsentation du champ en utilisant les logiciels de
commerce. partir du rsultat trouv au cours de cette tude, on peut avoir une meilleure
interprtation physique du phnomne qui se produit et qui sera par la suite adopt pour la
ralisation du capteur de pression transduction lectromagntique. Les rsultats retrouvs
reprsentent une tape intermdiaire vers le cas tridimensionnel o on aura non pas une
simple ligne de transmission mais un rsonateur millimtrique au dessus duquel sera place
une membrane avec un profil de dformation mcanique bien particulier.
46
II.2.4. Dimensionnement du rsonateur millimtrique :
Le principe de la transduction Radio frquence est fond sur la corrlation entre la frquence
de rsonance dun circuit microonde et le mouvement dune membrane qui subit une
dformation proportionnelle une pression exerce. Aprs avoir effectu les choix des
matriaux, de la technologie et la topologie du rsonateur, on passe maintenant ltape de
dimensionnement des diffrentes parties du capteur transduction EM. Ce dernier est
compos de trois parties : la structure rsonante sous silicium et deux accs coplanaires en
espace libre. Comme le montre la figure (Fig II. 11) le rsonateur doit tre connect des
lignes coplanaires entre/sortie en espace libre. Ces lignes daccs serviront positionner les
pointes de mesures RF quon utilisera dans la phase de caractrisation. Les pointes de mesures
sont calibres sur 50.
Fig II. 11. Transition air silicium : vue en coupe et de dessus

Au niveau de ces accs, on peut observer une discontinuit du milieu de propagation du
champ o lon a une transition abrupte de lair libre vers un milieu contenant du silicium
haute rsistivit. Il faut tenir compte de cette transition lors du dimensionnement des lignes
daccs coplanaires sous silicium. Il faut aussi prendre en considration le fait que, pour des
raisons technologiques, la distance minimale entre deux lignes doit tre suprieure 10m.
Une autre contrainte rside dans le fait que la distance entre la ligne centrale et les deux plans
de masse doit tre suffisante pour correspondre lcartement des sondes de mesure RF (la
distance maximale qui spare les deux pointes externes) qui est gnralement de 150m.
(Annexe D).
A prsent, connaissant la structure globale et la nature des lments qui composent lunit de
mesure, les paramtres dterminer sont:
- Les dimensions des lignes coplanaires entre/sortie : largeur du ruban central et des fentes,
- Les dimensions des lignes quart donde couples : largeur du ruban central, largeur des
fentes, le gap entre les deux lignes couples et la longueur des lignes,
- La gomtrie et les dimensions du plan de masse,
- Les dimensions des ouvertures raliser dans la membrane pour effectuer les mesures sous
pointes.
47
Pour calculer les dimensions de ces lignes, la dmarche consiste dterminer dans un premier
lieu limpdance caractristique relative chaque ligne. Ensuite, ayant les proprits
lectriques des matriaux qui composent la cellule de mesure, on dtermine les proprits
gomtriques des lignes.
- En espace libre :
On commence par le dimensionnement des lignes en espace libre : Comme le montre la figure
(Fig II. 11), les lignes de transmission subissent une transition air/silicium. Les dimensions
des lignes doivent tre accordes de manire avoir 50 en espace libre et 50 sous le
silicium. Dans ce cas, on minimise les rflexions au niveau de la transition et on assure une
bonne adaptation de la structure.
Pour le calcul des dimensions des lignes coplanaires (Fig II. 12) en espace libre, on utilise le
module Linecalc dADS.
Fig II. 12. Calcul des dimensions pour la ligne coplanaire
On introduit les paramtres quon a fixs auparavant (permittivit, paisseure,) et pour

50, on trouve les valeurs suivantes (Tab II. 3) :
Impdance ( ) W (largeur du ruban central) (m) G (fente)(m)

50 177 25
Tab II. 3. Dimensions des lignes coplanaires en espace libre
- Sous Silicium :
Sous le silicium, le circuit est compos, dune part, de lignes coplanaires qui relient les lignes
daccs en espace libre au circuit rsonant et dautre part, du circuit rsonant lui-mme. Dans
ce qui suit, les dimensions sont calcules pour une paisseur de couche dair h=3m.
Pour les lignes de transition, on procde de la mme manire que pour les lignes en espace
libre, et lon obtient les dimensions suivantes (Tab II. 4):
48
Impdance ( ) W (largeur du ruban central) (m) G (fente)(m)

50 162 25
Tab II. 4. Dimensions des lignes coplanaires sous silicium
Pour le rsonateur millimtrique constitu dun filtre lignes couples quarts dondes, la
conception suit la mthode de synthse des filtres classiques: la synthse du filtre passe par un
prototype de filtre passe bas idal (Annexe E). On choisit un filtre de Chebychev avec un seul
lment rsonant ayant des oscillations de 0,01. On trouve, dans la littrature [13], les valeurs
des coefficients de Chebychev normaliss,g 1;g 0,0960;g 1. partir du
prototype passe bas idal, on calcule les impdances des modes pair et impair. Cette tape est
ralise avec loutil Linecalc dADS en prenant des modles de lignes couples coplanaires et
des modles de lignes en circuit ouvert de longueur nulle (Fig II. 13). Ensuite, on calcule les
valeurs des impdances paires et impaires des lignes.
Fig II. 13. Modles de lignes (coplanaires couples et de longueur nulle) utiliss pour le
calcul des dimensions du rsonateur sous Silicium
Ltape daprs consiste remplacer les lignes coplanaires idales par des lignes coplanaires
qui tiennent compte de la nature du substrat. On repasse par linecalc pour le calcul des
dimensions des lignes couples coplanaires en introduisant les valeurs des impdances paires
et impaires dtermines et les proprits lectriques du substrat. On obtient les dimensions
suivantes (Tab II. 5).
Proprits des lignes
49
W (m) : largeur de la ligne 300

G (m) : fente entre une ligne et la masse 25
S (m) : fente entre deux lignes couples 45
L (m) : longueur dune ligne quart dondes 700
( ) : Impdance mode pair 74
( ) : Impdance mode impair 34
( ) : Impdance dune ligne couple 50
Tab II. 5. Dimensions des lignes couples coplanaires qui forment le rsonateur
Les dimensions calcules, pour la ligne 50 et les lignes couples coplanaires, sont parfois
irralisables pour des raisons technologiques (<10m). La souplesse de conception en
technologie coplanaire nous permet davoir diffrentes dimensions pour une mme impdance
de ligne. Ainsi, on arrive trouver des dimensions ralisables tout en assurant la fonction de
filtrage. Le dtail important prendre en considration est quavec linecalc le calcul se fait
pour des lignes en espace libre. Cet outil de conception ne permet pas de prendre en compte la
prsence du silicium au dessus des lignes. On na pas donc de moyen de vrification thorique
ou par calcul des impdances des lignes une fois dposes dans la cavit. Par contre, on sait
que la prsence de silicium augmente la permittivit effective du milieu. Donc, pour assurer
une impdance de 50, on doit rduire la largeur des lignes. Seule une analyse
lectromagntique nous permet de vrifier si lon a une bonne adaptation, et donc 50 tout au
long de la structure, ou pas.
Parmi les paramtres dterminer, il reste la gomtrie du plan de masse et les dimensions
des ouvertures dans le silicium. Pour le plan de masse, la gomtrie est conditionne par la
forme de la cavit ralise et par la forme de la membrane. Une membrane de forme circulaire
a t choisie pour la ralisation du capteur de pression transduction lectromagntique.
Concernant les ouvertures, elles doivent tre assez larges pour pouvoir introduire les pointes
de mesure RF travers 400m de silicium. Des dimensions de 2000m x 1500m ont t
choisies.
La figure (Fig II. 14) prsente le premier prototype du capteur transduction

lectromagntique o les contraintes gomtriques, cits plus haut, ont t prises en
considration. Le plan de masse aura une forme circulaire pour adapter le filtre la gomtrie
de la cavit.
50
Pression Applique
Fig II. 14. Premier prototype du capteur transduction EM
II.2.5. Dimensionnement de la membrane :
II.2.5.1. Proprits mcaniques de la membrane [14]:
Suivant lpaisseur de la membrane, sa forme et ses dimensions, on peut dfinir plusieurs

gammes de pression. La dformation dune membrane soumise une pression hydrostatique
est gouverne par une quation diffrentielle du 4me ordre. Pour des dflexions de faibles
valeurs (c.--d. trs petites devant lpaisseur de la membrane), les solutions sont de type
semi-analytique dans le cas dune membrane rectangulaire et analytique dans le cas dune
membrane circulaire. Pour une approximation axisymtrique, la dflection totale, W(r), de la
membrane est donne par :
(q II.17)
O est la dflection maximale au centre de la membrane directement proportionnelle la

pression applique, tandis que dsigne une fonction indpendante de la pression. Pour
une membrane circulaire de rayon R, dpaisseur uniforme e et totalement encastre aux
bords, et scrivent sous la forme :

; 1 (q II.18)
51
P dsigne la pression hydrostatique diffrentielle applique entre les deux cots de la

membrane. E est le module de Young et est le coefficient de poisson. Pour une pression
donne, la membrane subit une dflexion et dans ce cas lpaisseur de la couche dair
vaut : . h tant lpaisseur initiale de la couche dair lorsquaucune pression
nest applique (h=3m).
La figure (Fig II. 15) montre le capteur en fonctionnement avec une dflexion de la membrane
en silicium.
Fig II. 15. Schma en coupe du Capteur en fonctionnement
II.2.5.2. Profil de la dformation de la membrane :
La figure (Fig II. 16) montre une cartographie de la dflexion dune membrane circulaire de
50m dpaisseur, avec un rayon R=1400m.
Fig II. 16. Reprsentation de la dflexion totale de la membrane
La figure (Fig II. 17) prsente les valeurs maximales de dflection W(0,0) de la membrane
circulaire en fonction de la pression applique pour diffrentes valeurs de lpaisseur e.
Suivant la hauteur de la cavit et lpaisseur de la membrane, le capteur fonctionne sur une
gamme de pression allant de 0 7 bars.
52
Fig II. 17. Variation de la dflexion maximale du centre dune membrane (circulaire de
diamtre d=2800m) en fonction de la pression pour diffrentes paisseurs
II.3. Simulations lectromagntiques :

Le but de cette partie est de simuler le fonctionnement du capteur transduction EM et
deffectuer une tude paramtrique en fonction de lpaisseur de la couche dair h et de
lpaisseur du silicium haute rsistivit. Cette tude est ncessaire puisque lobjectif de ces
travaux de recherche consiste dvelopper des capteurs avec des membranes actionnables.
Pour des raisons de simplicit, une dmarche progressive a t adopte : Dans un premier lieu
des structures dplacement uniforme avec 400m dpaisseur de SiHR sont simules. On a
choisi cette paisseur pour des raisons technologiques. Dans un deuxime lieu, on simule
leffet de la variation de cette paisseur sur le fonctionnement du capteur. Dans un troisime
lieu, on passe au cas dun dplacement rel de membrane. Les simulations sont effectues
laide du logiciel de simulation lectromagntique HFSS dont on fait la prsentation ci-
dessous
II.3.1. Prsentation du logiciel HFSS [15] :

HFSS est un simulateur lectromagntique pour les modles en 3D. Il intgre des simulations,
des visualisations et une interface automatise facile utiliser pour rsoudre rapidement et de
faon efficace les problmes lectromagntiques 3D. Son code de calcul est fond sur la
53
mthode des lments finis (mthode frquentielle). Ce logiciel peut tre utilis pour calculer
des paramtres tels que les paramtres S, les frquences de rsonance et les champs. C'est un
outil permettant le calcul du comportement lectromagntique d'une structure. Le simulateur
possde des outils de post traitement pour une analyse plus dtaille. Il permet le calcul des :
- Quantits de base : champ proche, champ lointain

- Impdances caractristiques des ports et leurs constantes de propagation
- Paramtres S normaliss par rapport une impdance de port spcifique
Afin de gnrer une solution du champ lectromagntique, HFSS emploi la mthode des
lments finis [16]. En gnral, cette mthode divise l'espace de rsolution du problme,
suivant la capacit de calcul et la prcision rehcerche, en plusieurs milliers de rgions plus
petites et reprsente le champ dans chaque sous rgion (lment) avec une fonction locale. La
gomtrie du modle, tudi sous HFSS, est automatiquement divise en un grand nombre de
ttradres. La valeur d'un vecteur champ (E ou H) en un point l'intrieur d'un ttradre est
calcule par interpolation polynomiale des valeurs des champs dans les sommets du ttradre.
Ainsi, en reprsentant les valeurs des champs de cette manire, HFSS transforme les
quations de Maxwell en quations matricielles rsolues par les mthodes numriques
classiques. En divisant la structure en plusieurs petites rgions, HFSS calcule les champs
sparment dans chaque lment en fixant des critres de convergence. Plus les lments sont
petits, plus la solution est prcise mais plus le temps de calcul est long.
On a utilis ce logiciel pour simuler le comportement lectromagntique du capteur de

pression transduction lectromagntique. On cherchera valider, par simulation, le principe
de fonctionnement du capteur par analyse des paramtres S de la structure lorsquon fait
varier lpaisseur de la couche dair h au dessus du rsonateur. Ces analyses permettront de
quantifier, par simulation, la sensibilit en (Ghz/m) du capteur. On a aussi adopt une
dmarche progressive : Dans un premier temps, on adoptera une structure avec une membrane
dflexion uniforme ayant une paisseur de 400m. Cette premire hypothse permettra
galement dtudier linfluence de lpaisseur de la membrane sur le fonctionnement du
capteur. Dans un deuxime temps, on adoptera un profil de membrane sous forme de cne qui
permettra dapporter des explications plus approfondies et progressives pour passer au cas
dune dformation relle rgie par les lois mcaniques de dformation de membrane.
II.3.2. Cas dune membrane dplacement vertical uniforme :
II.3.2.1. Simulation du rsonateur lignes couples quart dondes :
La figure (Fig II. 18) prsente la cellule simule sous HFSS, avec un substrat en pyrex de
1mm, 400m de Silicium haute rsistivit et une couche dair h=3m. On peut voir aussi les
rsultats des simulations lectromagntiques du capteur. Le gabarit obtenu, pour les
paramtres S, prsente une frquence de rsonance de 30Ghz en parfaite concordance avec
ltape de conception.
54
(a)
(b)
Fig II. 18. (a) Structure simule ; (b) Rsultats des simulations de la cellule de mesure
pour une paisseur de couche dair de 3m
On simule, prsent, le mouvement vertical et uniforme de la membrane au dessus du

rsonateur coplanaire. La figure (Fig II. 19) prsente le schma en coupe de la cellule de
mesure ainsi que les coefficients de transmission obtenus pour diffrentes valeurs de
lpaisseur de la couche dair h. Daprs les rsultats trouvs, une augmentation de
lpaisseur h provoque une variation du coefficient de qualit et un dplacement de la
frquence de rsonance, propre au rsonateur, vers les frquences hautes. En augmentant h,
on loigne le silicium haute rsistivit par rapport aux lignes et on diminue ainsi la
permittivit effective du milieu. La frquence de rsonance tant proportionnelle linverse
de la racine carre de la permittivit effective, cette dernire a tendance augmenter. On
observe une sensibilit simule de lordre de 1GHz/m.
55
(a)
(b)
Fig II. 19. (a) Section droite de la cellule de mesure ; (b) Effet de la variation de
lpaisseur de la couche dair sur le coefficient de transmission du rsonateur
partir des simulations lectromagntiques ralises, on est arriv identifier deux zones de
fonctionnement. Une premire zone (Fig II. 20(a)), comprise entre 0,3 m et 3m, pour
laquelle la variation de la frquence de rsonance en fonction de la pression possde un
comportement linaire (une sensibilit de ~1 GHz/m). Cette zone constitue une zone
dexploitation favorable pour le capteur. Dans la deuxime zone, la linarit est perdue
progressivement en augmentant lpaisseur de couchedair (Fig II. 20(b)). On remarque aussi
qu partir dune certaine hauteur, la frquence de rsonance et la permittivit effective ne
subissent plus de variation significative et lon assiste une dgradation de la sensibilit. Ces
rsultats, peuvent avoir un rle important dans loptimisation du fonctionnement du capteur
56
transduction lectromagntique, vu quun comportement linaire est toujours recherch pour

le fonctionnement des units de mesure.
(a)
(b)
Fig II. 20. Dtermination des zones de sensibilit du capteur EM
II.3.2.2. Simulation de linfluence de lpaisseur de la membrane :
Dans ce qui suit, on va sintresser linfluence de lpaisseur de la membrane de silicium sur

le comportement du rsonateur. La figure (Fig II. 21) montre la variation de la frquence de
rsonance en fonction de lpaisseur de la membrane. Pour ces rsultats, on fixe lpaisseur de
la couche dair h 3m.
57
Fig II. 21. Influence de lpaisseur de la membrane sur la frquence de rsonance du

capteur
Lanalyse de cette courbe permet de constater que lpaisseur de la membrane de silicium

joue un rle important dans la dfinition de la frquence de fonctionnement du capteur. La
variation de la frquence de rsonance est due au changement du milieu de propagation des
lignes de champ. Linfluence de lpaisseur de la membrane sexplique du fait de linteraction
de ces ondes lectromagntiques avec le silicium et de leur degr de pntration dans ce
dilectrique. Pour des membranes de faibles paisseurs, le champ traverse le silicium et
repasse en air libre. Ceci explique la diminution de la permittivit effective et laugmentation
de la frquence de rsonance en comparaison avec des capteurs ayant des membranes plus
paisses.
Les figures (Fig II. 22 ((a) et (b)) prsentent une comparaison du comportement frquentiel de
la cellule de mesure, dans les deux zones de fonctionnement, pour diffrentes paisseurs de
membrane (50m, 100m, 400m et 800m). Daprs ces figures, la cellule avec une
paisseur de membrane de 50m prsente une meilleure dynamique et une meilleure
sensibilit que les autres. Ce phnomne peut tre expliqu physiquement par le fait quil y ait
une double discontinuit subit par le champ lectromagntique : une premire discontinuit au
niveau de la face infrieure de la membrane (face dencastrement) et une deuxime
discontinuit au niveau de la face suprieure et le repassage en air libre. On est en prsence d
ondes stationnaires qui perturbent la distribution du champ lectromagntique dans la couche
dair et de ce fait augmentent la sensibilit. La sensibilit S est nettement rduite dans le
cas de la membrane avec 800m de silicium.
58
S= 2,13 GHz / m
S= 1,63 GHz / m
S= 0,95 GHz / m
S= 0,63 GHz / m
(a)
(b)
Fig II. 22. Simulations et comparaisons du fonctionnement de diffrentes cellules avec

diffrentes paisseurs de membrane dans les zones de sensibilit ((a), (b))
59
II.3.3. Cas dune membrane ayant un profil en forme de cne :
Les rsultats trouvs dans la section prcdente ont permis de mieux comprendre le
phnomne dinteraction qui se produit entre les lignes de champ et la membrane en silicium.
Le dcalage de la frquence de rsonance a t observ. La variation de la frquence en
fonction de lpaisseur de la membrane a permis, ensuite, de constater que pour de fines
paisseurs de membrane on arrive amliorer la sensibilit du capteur transduction
lectromagntique. Du point de vue conception, ce phnomne ajoute un degr de libert la
conception. Il peut tre vu comme un avantage car il donne la possibilit datteindre une
gamme de pression plus grande. Dans cette partie, on va adopter une structure avec une
couche dair dpaisseur h= 6m o la cellule de mesure possde une membrane en silicium
ayant une paisseur de 50m. Comme le montre la figure (Fig II. 23) cette membrane est
forme dune part, dune partie fixe qui comprend les accs et les zones dencastrement avec
la cavit en pyrex. Et dautre part, dune structure en forme de cne quon va faire bouger
pour simuler le mouvement dune membrane au dessus du rsonateur. Les paramtres qui
dimensionnent le cne sont : le diamtre du disque suprieur, le diamtre du disque infrieur
et lpaisseur du disque. Pour assurer une paisseur de membrane constante de 50m, on
utilisera une combinaison de deux cnes qui seront superposs. Pour simuler une dformation
de membrane, on jouera sur lpaisseur et le diamtre du disque infrieur du cne. Avec ces
deux paramtres, on peut visualiser dune part leffet du rapprochement de la membrane sur la
frquence de rsonance (en modifiant lpaisseur) et dautre part, pour mieux comprendre
linteraction entre le champ lectromagntique et le silicium, on peut analyser leffet de la
variation de la surface de silicium, qui est prsente en regard de la ligne centrale (en
modifiant le diamtre du disque infrieur), sur la distribution du champ et donc sur la
frquence de rsonance.
(a) (b)
Fig II. 23. Structure avec une membrane ayant un profil en forme de cne ; (a): vue en
3D ; (b): vue suivant le plan (YOZ)
60
La figure (Fig II. 24) illustre la rpartition gomtrique de la membrane, pour diffrentes
valeurs du diamtre du disque infrieur, au dessus du circuit rsonant. On peut y distinguer la
surface de silicium mise en regard avec llment rsonant central.
2000m 1400m
700m 100m
Fig II. 24. Rpartition gomtrique de la membrane au dessus du circuit rsonant pour
diffrentes valeurs du diamtre du disque infrieur du cne
La figure (Fig II. 25) prsente une vue en coupe du profil de la membrane pour deux
diamtres diffrents du disque infrieur. Pour la configuration prsente, on a une dflexion
maximale au centre de 5,7m. On peut y distinguer la diffrence de volume de silicium
prsente au dessus de la ligne.
Fig II. 25. Vue en coupe du profil de la membrane pour deux diamtres diffrents
61
La structure, telle que prsente dans la figure (Fig II. 23), a t simule pour diffrentes
valeurs du diamtre d du disque infrieur et pour diffrentes valeurs de dflexion maximale
au centre w. Les rsultats de simulations sont prsents dans la figure (Fig II. 26).
Fig II. 26. Effet du profil de la membrane sur le fonctionnement du capteur EM (pour
une membrane dpaisseur 50m et une couche dair de 6m)
Les rsultats prsents en figure (Fig II. 26) sont intressants analyser, parce quils
permettent de comprendre, encore plus, le phnomne physique qui se produit lorsquon
rapproche la membrane du rsonateur. On peut faire une premire constatation : pour des
dflexions identiques de membrane, le dcalage en frquence (par rapport au cas o la
dflexion est nulle) devient plus important lorsque le rsonateur, et plus prcisment la ligne
centrale, voit plus de matire (silicium). La sensibilit est dans ce cas maximale. Lautre
constatation rside dans le fait que pour des diamtres assez grands du disque infrieur
(d2800, d2000 et d1400) et pour les mmes valeurs de dflexion, la frquence de rsonance ne
varie quasiment pas. Mais en rduisant le diamtre et partir dune certaine valeur (d1200),
on observe un changement de la frquence de rsonance et une dtrioration de la sensibilit.
Le dcalage devient plus prononc pour les grandes valeurs de dflexion. Ce rsultat est
prvisible et sexplique par le fait que le volume de silicium a tendance diminuer lorsque le
diamtre du disque infrieur diminue. Cette diminution de volume saccompagne dune
diminution de la permittivit effective et donc dune augmentation de la frquence de
rsonance. On sest intress visualiser la distribution du champ lectrique et du courant
surfacique pour deux cellules avec des diamtres pour lesquels on observe un dcalage en
frquence. La figure (Fig II. 27) prsente les simulations lectromagntiques pour une
62
dflexion maximale au centre de 4m et des diamtres d, du disque infrieur,

respectivement de 700m et 1400m.
Distribution du (a) Distribution du

champ lectrique courant de surface
(b)
Fig II. 27. Distribution du champ lectrique et du courant surfacique la rsonance

pour deux capteurs avec une dflexion de membrane de 4m et des diamtres de : (a)
700m et (b) 1400m
Les rsultats de simulation montrent que lors de la rsonance, linteraction entre le champ
lectrique et le silicium se produit au niveau des extrmits de la ligne centrale. Le diamtre
de 1400m couvre toute la ligne de rsonance. En rduisant le diamtre de moiti, on
remarque que les lignes de champ se propagent et suivent le silicium vers le milieu de la
structure. Le champ ne rencontre pas directement le silicium. Il repasse dans la couche dair
avant dinteragir avec le dilectrique. Donc, le milieu dans lequel se propagent les lignes de
champ possde une permittivit effective plus petite que dans le cas dun diamtre de
1400m. Ceci explique le dcalage de la frquence de rsonance en direction des hautes
frquences et la diminution de la dynamique (Fig II. 26).
63
Une approche a t tente, avec des logiciels multiphysiques commerciaux, pour la simulation
de capteurs avec une membrane dflexion relle. Ces derniers nont permis de simuler que
des structures de lignes de transmission simples. Lorsquon passe au modle du rsonateur
choisit pour le capteur EM, on est confront des problmes de simulation. Ces problmes ne
sont pas lis la mcanique de la structure mais plutt laspect hyperfrquence qui nest
pas suffisamment dvelopp sur ce genre de logiciel. On a cherch importer le profil de
dformation de la membrane partir dautres logiciels qui modlisent assez bien laspect
mcanique de la structure. Mais, un autre problme de format et de compatibilit est survenu.
De mme, le logiciel HFSS na pas permis la gnration du profil 3D de la membrane.
On a, donc, essayer danalyser et destimer le comportement frquentiel de lunit de mesure,

en comparant le profil de dformation relle de la membrane avec les profils de dformation
en forme de cnes (Fig II.28). La membrane est circulaire de rayon R = 1400m. On a pris le
cas dune dflexion maximale au centre de 4m.
Fig II. 28. Comparaison du profil de dformation de la membrane
En Comparaison avec les autres profils, une dformation relle de membrane aura des
frquences de rsonances simules qui se rapprocheront du cas o on a des diamtres
infrieurs de d=500m et d=100m. Ces frquences de rsonance pourraient tre plus
leves et ceci sexplique par le fait que dans le cas dune membrane dflexion relle, le
profil prsente moins de volume de silicium. Donc la permittivit effective sera moins grande.
64
II.4. Conclusion :
Au cours de ce chapitre on a procd une prsentation du principe de fonctionnement du
capteur de pression transduction lectromagntique. On a dtaill ltape de conception du
capteur. On a argument les choix de frquence, des matriaux et de technologie du
rsonateur quon a adopts pour la cellule de mesure. Ensuite, une tude thorique, fonde sur
la mthode danalyse transverse, t effectue et vient apporter les premires explications et
interprtations du phnomne physique li au mode de transduction prsent. Aprs, on sest
intress au dimensionnement de lunit de mesure.
Dans un premier temps, on a trait le ct lectromagntique o lon a dimensionn les lignes

de transmission et le circuit rsonateur lignes couples quart dondes. Dans un deuxime
temps, on a tabli les proprits mcaniques de la membrane et on a prcis la gamme de
pression atteignable en fonction de lpaisseur de membrane choisie. La fin du chapitre a t
consacre ltape de simulation lectromagntique. On a adopt une approche progressive
en deux phases. Lors de la premire phase, on a considr une membrane dplacement
vertical uniforme. Cette phase a permis dtudier linfluence de lpaisseur de la membrane
sur le fonctionnement du capteur. Une sensibilit simule de ~1GHz/m a t obtenue. La
deuxime phase, avec un profil de membrane en forme de cne et une paisseur de 50m, a
permis une meilleure comprhension du principe de transduction EM. La reprsentation de la
distribution du champ a contribu lidentification des zones dinteraction entre les lignes de
champ lectromagntique et le silicium.
Au travers de ce chapitre, on est arriv valider par simulation le dcalage en frquence et

donc le principe de la transduction lectromagntique. Les simulations effectues ont permis
dapporter progressivement des lments de rponse quant au principe de fonctionnement du
capteur. Ces tapes de simulation ont dvoil aussi les limites des outils commerciaux de
modlisation et de simulation face la complexit de la structure tudie et son aspect
multiphysique. On a rencontr des problmes dordre gomtrique lis lintersection entre
plusieurs matriaux. Dautres problmes, quon a d rsoudre, se rapportent au maillage et la
convergence des solutions. Malgr lditeur dquations quil propose, HFSS na pas permis
la modlisation 3D de la membrane dflexion relle.
65
Rfrences
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Dielectric Permittivity At Microwave and Millimeter-Wave Frequencies, 5mes Journes
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Bandpass Filters, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, March
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IEEE Press, May 2002
66
67
68
III. Fabrication et Caractrisation du Capteur
III. Fabrication et caractrisation du

capteur transduction EM
69
III. Fabrication et caractrisation du capteur transduction EM .......................................... 69

III.1. Introduction : ................................................................................................................... 71
III.2. Fabrication : .................................................................................................................... 71
III.2.1. Ralisation des masques :.................................................................................................72
III.2.2. Gravure humide du pyrex :...............................................................................................74
III.2.3. Dpt et structuration des lignes :...................................................................................77
III.2.4. Gravure RIE du Silicium haute rsistivit:.....................................................................80
III.2.5. Assemblage Pyrex/Silicium:............................................................................................83
III.2.6. Discrtisation et libration des cellules de mesure:.......................................................84
III.3. Description des Bancs de test : ....................................................................................... 89
III.3.1. Banc de test RF :................................................................................................................89
III.3.2. Banc de test en pression (PPM) :.....................................................................................90
III.4. Dplacement vertical uniforme de la membrane : .......................................................... 95
III.4.1. Rappel :...............................................................................................................................95
III.4.2. Comparaison entre les rsultats de caractrisation et de simulation pour un Gap dair
(h=3m) :.........................................................................................................................................95
III.4.3. Comparaison entre les rsultats de caractrisation et de simulation pour diffrentes
paisseurs de la couche dair :.......................................................................................................96
III.5. Membrane avec dflexion relle : ................................................................................... 99
III.5.1. Les rsultats de mesures :.................................................................................................99
III.6. Conclusion : .................................................................................................................. 101
70
III.1. Introduction :
Ce chapitre est consacr aux tapes de fabrication et de caractrisation du capteur
transduction lectromagntique. Dans un premier temps, on passera en revue les tapes
technologiques ncessaires pour la ralisation des cellules de mesure. Deux types de
structures seront raliss : des structures avec diffrentes profondeurs de cavit (pour simuler
le dplacement uniforme de la membrane) et des structures avec membrane actionnable.
Ensuite, on procdera une description des bancs de mesure qui serviront la caractrisation
RF et la caractrisation en pression des microcapteurs. Enfin, on prsentera les rsultats de
mesure obtenus sur des structures avec des membranes dplacement uniforme (400 m) et
avec des membranes dformation relle (50 m). Des comparaisons entre les rsultats de
simulation et de mesure seront dveloppes.
III.2. Fabrication :
La figure (Fig III. 1) prsente une vue 3D du capteur transduction lectromagntique quil
faut raliser. Un rappel concernant la forme gomtrique de la cellule de mesure est aussi
prsent.
(a)
Accs rsonateur Accs
(b)
Fig III. 1. (a) Vue 3D de la structure; (b) Les diffrents lments du circuit rsonant
71
Pour la fabrication de ce capteur de pression, on a adopt le mme procd technologique

quutilis dhabitude pour fabriquer des capteurs capacitifs [1]-[14].
III.2.1. Ralisation des masques [15]:
Dans un premier temps, on fabrique les masques en chrome utiliss durant les diffrentes
tapes du procd. Le masque est constitu dune plaque de verre ou de quartz mtallise au
chrome. Les formes gomtriques en chrome dfinissent les dimensions des dispositifs
raliser. La fabrication ncessite un jeu de trois masques. Ces derniers sont dessins par
lintermdiaire du logiciel Clwin. Le masque complet consiste en une rptition des cellules
(composants, motifs dalignements, chemin de dcoupe) selon une cartographie bien dfinie.
La figure (Fig III. 2) montre le rsultat final : une superposition des trois diffrents masques.
Fig III. 2. Masques de la plaquette raliser
Une fois les masques prpars, les tapes de fabrication continuent en respectant le schma
synoptique donn par la figure (Fig III. 3(a)). Un descriptif de ces tapes est donne dans la
figure (Fig III. 3(b))
72
(a)
(b)
Fig III. 3. (a) Schma synoptique du procd de ralisation des cellules de mesure ; (b)
Bref descriptif des tapes technologiques
73
Dans ce qui va suivre, on va dcrire, avec plus de dtails, chacune de ces tapes.
III.2.2. Gravure humide du pyrex :
Le substrat de Pyrex [16]-[17] est usin pour raliser les cavits dans lesquelles on placera le
rsonateur lignes couples quart dondes. La premire tape consiste nettoyer les plaques
vierges avec du Teepol. Ensuite, les plaques sont rinces et plonges dans un bain de
trichlorthylne puis dans un bain dactone. Enfin, un tuvage 200C pendant 30 minutes
est ncessaire avant le dpt du masquage pour la gravure. Le matriau de masquage utilis
pour ces attaques est constitu par 0,5 m dor et 0,04 m de chrome comme couche
accrochage. Aprs avoir dpos la couche Cr/Au, la rsine utilise est lAZ 5214 dpaisseur
2,7m. On lutilise comme rsine ngative (cest--dire avec une phase dinversion) car les
zones graver (dans notre cas ce sont les cavits) sont opaques sur le masque. Vu que la
rsine sera dpose sur lor et sur toute la surface de la plaquette, il nest pas ncessaire de
faire un dpt dHMDS (Promoteur dadhrence) car la rsine adhre bien sur les mtaux. Le
tableau (Tab.III.1) donne les conditions de dpt et dattaque du masque Cr/Au. La figure
(Fig III. 4), montre ltape de ralisation de la cavit.
Etape Conditions
Enduction AZ 5214 Vitesse (tr/min) Acclration (tr/min/sec) Temps (sec)
Epaisseur = 2,7 m 1000 5000 30
Prcuit 105C pendant 55 sec
Insolation
Insolation de lAZ 5214
+ +
Recuit dinversion 110C pendant 55 sec
+ +
Insolation pleine plaque Insolation pleine plaque
Dveloppement AZ Developper (1/1) temprature ambiante
Post recuit final 105C pendant 30 sec

Gravure dAu KI + I2 + H2O
Temprature ambiante pendant 25 sec
Gravure du chrome Microform Chromium Etchant V

Temprature ambiante pendant 25 sec
Gravure humide du verre HF dilu 2,5 %
74
Elimination dAu KI + I2 + H2O
Elimination du chrome Microform Chromium Etchant V
Tab III. 1. Conditions de dpt de rsine et dattaque du masque Cr/Au pour la gravure
du pyrex
Au
Au
Fig III. 4. Ralisation de la cavit
La gravure est ralise par attaque chimique en phase liquide, dans un bain dacide
fluorhydrique dilu 2.5 % ou 12,5. Les paramtres de gravure sont donns dans le tableau
(Tab III.2).
Gravure humide du verre HF (2,5%) HF (12,5%)

Concentration HF(50%) + eau DI 1 : 19 HF(50%) + eau DI 1 : 3
Vitesse dattaque 650 /min 5600 /min
Temprature Ambiante
Tab III. 2. Paramtres de gravure du Pyrex par du HF dilu 2,5% et 12,5%
Un profilomtre mcanique de type KLA-Tencor a t utilis afin de mesurer les profondeurs

des cavits graves. La mesure de la marche est assez simple. Un balayage avec un stylet
entre la zone grave et protge permet de mesurer lpaisseur.
Le tableau (Tab III.3) donne les uniformits de gravure obtenues pour les deux bains dHF
pour des profondeurs graves identiques voisines de 4,2 m. La valeur donne est la moyenne
obtenue sur un grand nombre de cavits graves.
Gravure humide du verre HF (2,5%) HF (12,5%)

Uniformit (cart type normalis) < 2% < 4%
Tab III. 3. Uniformit de la vitesse de gravure du pyrex
75
Le bain 2,5% permet damliorer luniformit de gravure dun facteur 2 environ mais en
divisant la vitesse de gravure par un facteur 9. Pour la fabrication des capteurs, le bain
(2,5%) sera utilis vu que les cavits raliser sont de lordre de quelques micromtres.
Les rugosits obtenues avant et aprs gravure sont donnes dans le tableau (Tab III.4). Sur les
plaques traites, il a t constat que la gravure lHF dtriore peu la qualit de la surface
initiale du Pyrex et ce quelle que soit la solution utilise.
Paramtres Valeurs (mm)
Verre non usin Verre usin (HF 2,5%) Verre usin (HF
12,5%)
Ru(Rugosit)
0,35 0,52 0,47
Max Ru
0,49 0,61 0,61
Rq (RMS)
0,45 0,65 0,61
Rp(Peak)
1,56 2,13 2,21
Rt(peak/valley)
3,36 3,82 4,17
Tab III. 4. Diffrents paramtres concernant la rugosit du Pyrex obtenue avant et

aprs gravure (avec les deux concentrations dHF)
Dans le tableau (Tab III.5), on procde une comparaison entre les valeurs estimes et
mesures aprs gravure humide. La diffrence sexplique par une variation de temprature
ambiante, des bains de gravure ou bien une lgre variation des concentrations.
Temps Attendu (m) Mesure Tencor (m)

4230 3 3,30
6154 4 4,40
7045 5 5,25
Tab III. 5. Comparaison entre les hauteurs de cavits fixes et mesures
76
III.2.3. Dpt et structuration des lignes :
La principale technique de dpt de laluminium est le dpt par vaporation sous vide. Les
dpts dAl sont slectifs et se font au travers dun masque de rsine qui doit avoir peu prs
trois fois lpaisseur des lignes raliser (AZ 5214 ou AZ 1529 de ~3m dpaisseur) et ce
par Lift-off .
Le dpt par vaporation est une technique qui consiste bombarder et vaporer le matriau
dposer grce un faisceau dlectrons. Les atomes vaporiss se propagent ensuite dans
lenceinte et se condensent sur les substrats. Ces derniers sont ports sur un dispositif
plantaire ou sphrique, mis en rotation afin de garantir une bonne uniformit des dpts. Le
procd retenu pour la ralisation du Liftoff [18] repose sur lutilisation dune couche de
rsine en AZ5214 (Fig. III.5). Lpaisseur de cette couche de rsine est de 2,7m et reste ainsi
suffisante pour dposer le mtal en respectant la condition du lift-off .
Fig III. 5. Ralisation des lignes par lift-off
Le Lift-off est ralis selon les conditions du Tableau (Tab III.6). Pour la ralisation des
conducteurs, on sest fix une paisseur de 1m. Les motifs des lignes sont opaques sur le
masque.
Etape Conditions
Dpt dHMDS ltuve Programme1
Enduction AZ 5214 Vitesse (tr/min) Acclration (tr/min/sec) Temps (sec)
Epaisseur = 2,7 m 1000 5000 30
Prcuit 105C pendant 55 sec
Insolation
Insolation de lAZ 5214
+ +
Recuit dinversion 110C pendant 55 sec
+ +
Insolation pleine plaque Insolation pleine plaque
77
Dveloppement AZ Developper (1/1) temprature ambiante
Post recuit final 105C pendant 30 sec

Dpt daluminium Par vaporation (1m)
Elimination de la rsine et Actone au bain dultra son

de laluminium du lift off
Tab III. 6. Conditions de dpt des lignes rsonantes par lift-off
La figure (Fig III. 6) montre le dpt des lignes dans la cavit en pyrex.
Fig III. 6. Dpt du mtal

Au LAAS, les tapes denduction et dinsolation peuvent tre ralises ou bien manuellement
(Fig III. 7) ou bien en tant assist de faon automatique par des machines telles que lEVG
620 (Fig III. 8).
Fig III. 7. Tournette pour enduction manuelle ( gauche en bas), Machine pour
insolation par proximit, par contact :MA 150 [19]
La MA 150 est une machine semi automatique permettant un alignement par le mplat du
substrat 20m prs. Elle permet aussi : lexposition en chambre vide (en contact et en
proximit), une insolation alterne et la possibilit dun alignement double face.
78
Fig III. 8. Machine denduction et de dveloppement de rsine automatique (EVG 620)
Le profilomtre optique est une technique de caractrisation non destructive vu que la mesure
seffectue sans application de charges. Elle permet ainsi de raliser les mesures sur des
structures fragiles de types membranes, poutres, anneaux
Le profilomtre optique est utilis pour :
- Mesurer des hauteurs de marche allant de quelques nanomtres jusqu 1mm. Par exemple,
cette mthode a t utilise pour contrler et mesurer la profondeur des cavits du silicium
suprieure 300m. Cependant, la mesure des marches peut prsenter des anomalies lorsque
le film est transparent.
- Mesurer sans contact des dformations 3D de structures mobiles (vibration) ou statiques
(pression), et raliser des topographies de surfaces.
- Calculer la rugosit en surface de lchantillon.
Le profil 3D est obtenu en scannant verticalement l'objectif et en redessinant les iso-altitudes
en fonction de laltitude. La rsolution verticale de ce mode est voisine de 5nm. La rsolution
latrale dans les axes (Ox, Oy) est conditionne par les objectifs utiliss (de 2,5X 100X).
Elle varie de 4,7 0,3m. La figure (Fig III. 9) donne des mesures ralises au profilomtre
optique de la cellule aprs la phase de dpt des lignes.
Fig III. 9. Profil 3D des premiers prototypes de la cellule de mesure
79
La figure (Fig III. 10) montre une plaque de Pyrex sur laquelle on a grav les cavits et on a
dpos les circuits rsonants.
Fig III. 10. Plaque de Pyrex avec des circuits rsonants dposs dans des cavits graves
III.2.4. Gravure RIE du Silicium haute rsistivit:
On passe maintenant au silicium haute rsistivit. Les plaquettes de silicium doivent tre
nettoyes en effectuant un cycle de nettoyage RCA. Ce nettoyage utilis gnralement lors de
la fabrication de structures MOS, permet dliminer les charges organiques et mtalliques
prsentes la surface du silicium. Leffet de la prsence des charges est li la dgradation de
la rsistivit du silicium, et donc laugmentation des pertes dilectriques. On a opt pour une
gravure sche du silicium cause du profil flanc droit quon obtient avec cette technique. Ce
profil est souhait pour ne pas gner le positionnement des pointes de mesures
hyperfrquences lors de la phase de caractrisation.
La gravure sche du silicium DRIE (Deep Reactive Ions Etching) sest dveloppe au dbut
des annes quatre vingt dix pour remplacer les techniques de gravure humide corrosive et
contaminatrice, et pour rpondre aux demandes de miniaturisation des circuits [20]-[23]. Le
principe consiste crer un plasma de haute densit dans un milieu basse pression, et
diriger ensuite les ions et radicaux issus de ce plasma vers la surface usiner. Les espces
volatilises sont ensuite vacues du systme par pompage (Fig III. 11).
Fig III. 11. Principe de la gravure RIE
80
Le tableau (Tab III.7) rsume les diffrentes tapes de la gravure RIE.
Etape Formation plasma Gravure

1. Arrive des gaz Ractions de surface
2. Collisions lectrons gaz Bombardement ionique
3. Formation radicaux et ions Dsorption produits de ractions
4. Adsorption en surface du wafer Pompage des produits volatils
Tab III. 7. Les tapes de gravure RIE
Le tableau (Tab III.8) prsente les conditions de gravure RIE du silicium.
Gravure Gaz Puissance Pression Vbias Temprature Vitesse

RIE du dattaque
SiHR SF6 800W 30 m Torr 100V 20c 2,8 3 m/min
Tab III. 8. Conditions de gravure RIE du Si
Afin de garantir un aspect anisotrope et une gravure profonde rapide, le principe de base
repose sur lutilisation dune phase de passivation et de gravure. La phase de passivation
consiste dposer isotropiquement une couche qui inhibe le bombardement ionique sur les
parois latrales de louverture. La phase de gravure limine successivement la couche de
passivation puis le silicium sur le plan horizontal. Le principe de la mthode est illustr sur la
figure (Fig III. 12).
Fig III. 12. Principe de la gravure DRIE
Ainsi, la directionnalit du bombardement ionique et linhibition de la gravure latrale conduit

une gravure fortement anisotrope et qui ne dpend pas des plans cristallographiques. Les
ouvertures du masque de photolithographie correspondent directement la forme et aux
dimensions des accs pour la mesure hyperfrquence. La figure (Fig III. 13) montre le profil
rugueux des murs de silicium obtenu par le procd dcrit ci-dessus.
81
Fig III. 13. Rugosit des plans de gravure DRIE [24]

La figure (Fig III. 14) montre des photos de lenceinte de gravure RIE ainsi que lcran de
contrle.
Fig III. 14. Machine de gravure RIE (cot salle blanche) et lcran de contrle process
La figure (Fig III. 15) montre une photo de la plaque de silicium aprs gravure RIE. Les
ouvertures, ralises dans 400 m dpaisseur, prsentent une bonne prcision de gravure et
un profil droit.
Fig III. 15. Plaquette de SiHR aprs gravure RIE
82
III.2.5. Assemblage Pyrex/Silicium:
Pour former le capteur de pression, il faut assembler les deux plaques (SiHR et verre) (Fig III.
16). Lassemblage devant tre rsistant mcaniquement, tanche et durable dans le temps,on
choisit de procder une soudure thermolectrique [25]-[30]. Cette mthode permet dassurer
lassemblage des deux plaques des tempratures peu leves (400 C), en appliquant une
tension continue de lordre de 600V entre les deux matriaux dans une atmosphre pression
contrle. Les conditions exprimentales utilises sont regroupes dans le tableau (Tab III.9).
Fig III. 16. Assemblage Si / Pyrex
Atmosphre Vide
Pression 10^(-4)
Tension 600 V
Temprature 370c
Tab III. 9. Conditions exprimentales de lassemblage Si /Pyrex
La procdure dassemblage a t ralise, au sein de la salle blanche du LAAS, laide de

lAML. Un pralignement a t effectu pour cette phase. Cette machine permet de faire des
soudures Verre/Silicium avec des platines molybdnes. Les proprits de lAML sont
regroupes dans le tableau (Tab III.10).
Vide pression Vide limite 2x10^(-6) mbar

Pressurisation : 1bar
Temprature Contrle des rampes de monte et descente (1c), uniformit (2c)
450c sous vide 375c en surpression
Alignement 2,5m en visible
10m en IR
Mires symtriques sur le substrat, Distance 67mm 5mm
Haute tension Jusqu 2500V
Procds En temprature
Sous vide
En surpression
Tab III. 10. Proprits de lAML
83
La figure (Fig III. 17) prsente lappareil de soudure AML utilis dans la phase de soudure
anodique.
Fig III. 17. Photo de lappareil dassemblage AML[31]
III.2.6. Discrtisation et libration des cellules de mesure:
Ltape de discrtisation vient en dernier lieu pour librer les structures ralises durant le
procd. Comme le rsume le tableau (Tab.III.11), il existe plusieurs techniques de
discrtisation.
Clivage Scribbing Scie Laser Jet deau Plasma

Avantages Rapide Reproductibilit Reproductibilit Reproductibilit Collectif
Mise en uvre Varit des Matriaux durs Matriaux durs propre
Sec procds
Cout
Pli optique
Inconvnients Axes de Poussires Humide Qualit dcoupe Humide Mise en

discrtisation Reproductibilit Poussires Poussires Poussires uvre
Positionnement Matriaux durs Cout quipements Cout Cout Cout
Reproductibilit Mise en uvre quipement dquipement quipement
Matriaux durs Bilan thermique Mise en uvre
Mise en uvre
Tab III. 11. Les diffrentes techniques de discrtisation [32]
84
Pour la libration des capteurs transduction lectromagntique, on a opt pour une

discrtisation la scie diamante (Fig III. 18). Cette dernire est utilise pour la dcoupe de
matriaux lastiques (Si, Verre, Ferrite, etc.) en crant des microfractures.
Fig III. 18. Schma descriptif dune scie diamante ( gauche), scie diamante : DAD
321 semi automatique ( droite)
Une fois dcoups, les composants sont rcuprs par extension du film adhsif par un
jecteur face arrire ensuite le film subit un traitement UV. La figure (Fig III. 19) nous montre
les premiers prototypes fabriqus et librs.
Fig III. 19. Photos des premiers prototypes du capteur de pression transduction
lectromagntique
Dans le cas des capteurs avec membrane dformable, le procd cit ci-dessus est modifi
pour la formation des membranes de 50m dpaisseur. Donc seule ltape de gravure du
silicium est modifie : on vient effecteur un micro usinage volumique du silicium haute
rsistivit. Dans ce cas, deux solutions peuvent tre envisages : La gravure, par voie sche
(RIE qui garantie des flancs droit) et la gravure par voie humide (dans une solution
dhydroxyde de potassium (KOH) de molarit 10M 90C) [33]-[35]. Dans le cas dune
gravure par voie humide, la gravure dpend de lorientation cristallographique du substrat.
Cette gravure non verticale implique une adquation entre l'paisseur de la plaque et le
masque utilis pour raliser la photogravure. La vitesse de gravure du silicium (100) varie
85
entre 90 m/h pour une solution sature et 120 m/h pour une solution rcemment prpare.
Cette vitesse est obtenue par la mesure diffrentielle de la profondeur de la cavit laide
dun profilomtre mcanique. La Figure (Fig III. 20) montre le profil du silicium obtenu aprs
gravure KOH :
Fig III. 20. Profil de gravure humide KOH du silicium

Sur la figure prcdente, on peut voir quun matriau de masquage est utilis pour effectuer la
gravure. En gnral, un dpt classique de nitrure de silicium par LPCVD de quelques
centaines de nanomtres est utilis comme masque. Dans notre cas, les membranes sont
ralises par gravure humide du silicium dans du KOH. La figure (Fig III. 21) dcrit le
procd de fabrication qui a t suivi pour cette tape.
Silicium
(a)
Nitrure
(b) Silicium
KOH
(c) Silicium
Ouverture
Membrane
Silicium
(d)
Fig III. 21. Procd de fabrication des membranes pour les capteurs de pression
transduction lectromagntique (vue en coupe)
86
La fabrication des membranes est donc rgie par les tapes suivantes :
a) Aprs avoir nettoy la plaque de SiHR, un dpt dune couche de nitrure par LPCVD est
effectu simultanment sur les deux faces de la plaque. Ce dpt va servir de masque pour la
gravure du SiHR par voie humide.
b) Cette tape est ralise en deux temps. Dans un premier temps, on traite la face suprieure
du SiHR. On dpose une couche de rsine AZ5214, ensuite on ralise une gravure RIE pour
graver le nitrure et raliser les ouvertures dans le silicium. On fait de mme sur lautre face.
c) Ltape daprs consiste plonger la plaque entire dans du KOH. Lattaque se fait
simultanment sur les deux faces avec la mme vitesse de gravure. Cest ainsi quon arrive
raliser les ouvertures (pour pouvoir effectuer les mesures hyperfrquences), les membranes
sous lesquelles viendront se loger les circuits rsonants et on garde une paisseur de 400m
de Si sur le reste de la plaque ce qui confre une rigidit pour manipuler et raliser aisment
lassemblage.
e) En dernier lieu on effectue un nettoyage de dcontamination de la plaquette comme suit :
- Rinage dans leau dsionise pendant 10 minutes.

- Rinage dans de lacide actique dilue dans leau pendant 10 minutes.
- Rinage final dans leau dsionise pendant 10 minutes.
Ensuite on attaque la couche de nitrure et on rince la plaquette dans de leau dsionise puis
dans lthanol pour le schage.
Le tableau (Tab III.12) rsume les paramtres de la gravure KOH effectue :
Temprature du bain 90C

Concentration (dilution dans leau) 8 Kg de KOH pour 15 l deau (0,53Kg /litre)
Vitesse dattaque 110 m/h
Tab III. 12. Paramtres de la gravure KOH
87
La figure (Fig III.22) montre une plaquette la fin du procd de fabrication. Cette plaquette
contient des capteurs avec une membrane dflexion relle. Le wafer est compos dune
plaque de pyrex (avec des cavits de 6m de profondeur) qui a t soude une plaque de
silicium haute rsistivit. Avant la soudure, la plaque de silicium a t plonge dans du KOH
pour raliser une gravure humide sur les deux cots du silicium. On a pu, ainsi, raliser les
ouvertures ncessaires pour introduire les pointes de mesure RF. En mme temps, on a ralis
quatre zones avec des membranes de 50 m dpaisseur (Fig III. 22). Une phase dalignement
a t effectue avant de coller les deux substrats.
Fig III. 22. Premiers prototypes de capteurs avec membrane (50m dpaisseur)
88
III.3. Description des Bancs de test :

Le procd technologique, dtaill dans la section prcdente, a permis de raliser des
plaquettes avec des capteurs ayant 400m dpaisseur de silicium. Pour ces plaquettes,
diffrentes profondeurs de cavit (3,1m; 4m; 5m; 6,4m) ont t effectues. Ensuite, en
modifiant la dernire phase du procd, des capteurs avec membrane ont t labors. Le but
de cette section est de caractriser et valider le dcalage en frquence exprimentalement. On
fera une description des bancs de test utiliss pour la caractrisation des deux types de cellules
de mesure raliss. Une comparaison avec les rsultats de simulation et les rsultats obtenus
par la mthode de rsonance transverse sera effectue.
III.3.1. Banc de test RF :
Sur la figure (Fig III. 23), on peut distinguer le banc de mesure hyperfrquence utilis pour
caractriser sur substrat les capteurs raliss. La caractrisation exprimentale consiste
mesurer les paramtres S des cellules de mesure de pression. La mesure des ces paramtres
est effectue laide de lanalyseur du rseau vectoriel Anritsu 37397C et dune station sous
pointes coplanaires Karl Suss, dans une gamme de frquence allant de 40MHz 67GHz. Afin
de saffranchir des pertes ramenes par les cbles de connection, un calibrage SOLT (Short,
Open, Load, Thru) est ralis avant chaque mesure.
Fig III. 23. Dispositif de mesure sur wafer
89
III.3.2. Banc de test en pression (PPM) :

Le banc de test utilis pour la caractrisation en pression et en frquence des capteurs
membrane comprend trois parties principales (Fig III. 24):
un dispositif de gnration et de mesure de pression.
une station sous pointes.
un analyseur du rseau vectoriel Anritsu 37397C.
Fig III. 24. Photo du banc de mesure en frquence et en pression
90
Le module de pression est utilis pour tester, sous plaques, des dispositifs en pression absolue
(par exemple des capteurs scells hermtiquement) ou bien en pression relative. Pour tester
des capteurs en pression diffrentielle un plateau spcial est ncessaire. Le plateau contient
des ouvertures pour faire le vide et maintenir ainsi la plaquette fixe pendant les mesures. Ce
module de pression peut tre utilis en mode manuel ou semi-automatique.
La gnration de la pression hydrostatique est ralise grce un systme qui permet de
contrler la pression applique. La pression introduite dans le systme est sous forme dazote.
Lasservissement du gnrateur de pression est ralis grce une unit de contrle installe
au sein mme du module. La pression applique est dtermine grce un systme de retour
de pression. La gamme de pression mesurable avec 85 mbar de prcision se situe entre 1 et
7 bars. La Figure (Fig III. 25) montre le mcanisme de ce module de pression.
Fig III. 25. Conception mcanique du module de pression

La pression est applique au dessus de la membrane dun microsystme plac sur substrat et
ce travers un nez fin (comme montr sur la figure Fig III. 25). Les dimensions du nez
dpendent essentiellement du diamtre de la membrane. Le diamtre interne du nez doit tre
plus grand que le diamtre de la zone active de la membrane. Le nez se place typiquement
40m de la surface du substrat et donc il ny a pas de contact mcanique avec le substrat et
ainsi on ne risque pas dendommager les structures. La distance dz permet dappliquer une
91
pression effective Pe plus faible que la pression en entre Pf. La pression Pe est fortement lie
la distance dz.
En maintenant la distance dz constante, la pression effective Pe est applique avec une bonne
prcision grce lanalyse de la pression de retour. De plus, en ayant une pression Pf
constante, on peut ajuster Pe en faisant varier le gap dz.
La figure (Fig III. 26) nous montre un zoom sur le bras qui supporte le nez pour lapplication
de la pression. Des vis micromtriques permettent le dplacement en X et Y. Le dplacement
suivant laxe Z est motoris et pilot par le logiciel de commande.
Fig III. 26. Systme de positionnement et bras pour lapplication de la pression

La figure (Fig III. 27) montre le positionnement du nez au dessus de la membrane pour
lapplication de la pression.
Fig III. 27. Positionnement du nez au dessus de la membrane
92
La figure (Fig III. 28) montre lunit de contrle de pression.
Fig III. 28. Ct arrire de l'unit de pression

La figure (Fig III. 29) donne une vue de la fentre du logiciel de contrle du module de
pression. Cette fentre permet le suivi en temps rel des valeurs de pression et le
positionnement du nez au dessus de la membrane.
Fig III. 29. Outil de contrle logiciel
93
Avant dutiliser le module de pression, ce dernier doit tre calibr et align. Le calibrage
automatique du module de pression utilise un contact lectrique (court-circuit) entre le nez et
le support pour la dtection de la hauteur du contact. La corrlation entre la pression en entre
Pf, la pression effective Pe et la distance de travail est par la suite tablie.
La figure (Fig III. 30) montre les courbes relatives la pression en entre Pf et la pression
effective applique Pe pour une calibration avec 40 points de mesure entre 1000 et 5000 mbar
de pression absolue et ce en fonction de la distance qui spare le nez de la position de contact.
Fig III. 30. La pression souhaite et la pression effective (lors de la calibration de 1

5bar) [36]
94
III.4. Dplacement vertical uniforme de la membrane :

III.4.1. Rappel :
Dans le deuxime chapitre, on a simul des structures avec des membranes dplacement
vertical uniforme. Pour simuler le rapprochement du silicium proximit du rsonateur, on a
simul des structures avec diffrentes profondeurs de cavits. Une sensibilit de ~1GHz/m a
t observe par simulation. La mme dmarche a t utilise pour les mesures: on a fabriqu
des cellules avec des membranes de 400m dpaisseurs et avec diffrentes profondeurs de
cavit. Dans ce qui suit, on prsente les rsultats de caractrisation en frquence et on fait une
comparaison avec les simulations.
III.4.2. Comparaison entre les rsultats de caractrisation et de simulation

pour un Gap dair (h=3m) :
Lanalyseur de rseau vectoriel permet de fournir le module et largument des coefficients de

transmission et de rflexion (les paramtres S) des cellules de mesures fabriques. La figure
(Fig III.31) montre une superposition des paramtres S simuls et mesurs pour une paisseur
de couche dair de ~3m.
Fig III. 31. Comparaison entre les paramtres S simuls et mesurs pour un gap dair de
3m
95
On observe un dcalage en frquence entre les rsultats simuls et mesurs. Ce dcalage peut
tre expliqu par une diffrence de la permittivit effective du milieu qui entoure le
rsonateur. Cette diffrence pourrait tre due des valeurs de permittivit lgrement
diffrentes entre le matriau rel (utilis pour la fabrication) et celui figurant dans la
bibliothque des matriaux du logiciel de simulation HFSS. On remarque aussi, toujours sur
cette mme figure, la prsence de pertes dinsertion sur les paramtres S mesurs. Ces pertes
sont probablement dues aux transitions Air/Silicium au niveau des accs (Fig. III.32). Le
simulateur narrive pas prendre en considration leffet de cette transition et le changement
de dimension qui se produit en passant sous le silicium (h=3m).
Fig III. 32. Transition air/silicium
III.4.3. Comparaison entre les rsultats de caractrisation et de simulation

pour diffrentes paisseurs de la couche dair :
Quatre plaquettes, avec quatre paisseurs de couche dair diffrentes, ont t ralises. La
valeur de lpaisseur est dduite par mesures des profondeurs de cavit graves dans le pyrex,
desquelles on a retranch lpaisseur de la mtallisation (1m). Le tableau (Tab III.13)
prsente les frquences de rsonance mesures en fonction de lpaisseur du gap dair.
Gap dair mesur (m) Frquence de rsonance mesure (GHz)
2,1 30,1
3 30,8
4 32,2
5,4 33,5
Tab III. 13. Evolution des frquences de rsonance mesures en fonction de lpaisseur
du gap dair
96
La figure (Fig III. 33) permet de constater quon a un dcalage en frquence de ~1GHz/m.
Ces rsultats de mesure prsentent une sensibilit similaire celle trouve par les simulations
effectues sous HFSS.
Fig III. 33. Rsultats de mesure pour une membrane dplacement uniforme
(SiHR=400m)
Comme pour le cas de h=3m, les frquences de rsonance mesures sont dcales par
rapport aux simulations (Fig III.34). Ceci peut sexpliquer par les incertitudes sur lpaisseur
de la membrane et sur la profondeur de cavit.
Fig III. 34. Comparaison des rsultats de mesure, de simulation et du modle de ligne
97
Lanalyse de la figure (Fig III.34) permet de constater que les rsultats de mesure se
rapprochent des rsultats de simulation. On remarque galement quavec la mthode de
rsonance transverse, on a des frquences de rsonance plus leves. Ceci sexplique du fait
quon a une diffrence entre le modle de ligne simple et le rsonateur (prsence des accs,
des lignes couples). On note aussi quon a des frquences de rsonance mesures plus
grandes que celles trouves par simulation. Cette diffrence est due une modlisation non
parfaite de certains aspects qui favorisent la perturbation de la distribution du champ EM (par
exemple : laugmentation de la conductivit linterface du SiHR).
La figure (Fig III.35) prsente les courbes de sensibilit extraite partir des rsultats de la
figure (Fig III.34) par normalisation par rapport la frquence de rsonance pour h=2m.
Variation de la frquence de rsonance
(GHz)
Fig III. 35. Comparaison des rsultats de sensibilit de mesure, de simulation et du

modle de ligne
Lanalyse de ces rsultats permet de noter quon a une sensibilit plus grande avec le modle
de ligne en comparaison avec les simulations et les mesures. Ceci est d la prsence de la
mtallisation (parois du guide donde) au dessus du SiHR. On observe aussi une sensibilit
mesure plus grande en comparaison avec les simulations: des aspects qui favorisent la
perturbation du champ lectromagntique, et par consquence la sensibilit, ne sont pas pris
en compte lors des simulations.
98
III.5. Membrane avec dflexion relle :
III.5.1. Les rsultats de mesures :
La figure (Fig. III.36) montre la configuration du nez de mesure au dessus de la membrane :

pour une application uniforme de la pression, le diamtre intrieur du nez doit tre suprieur
celui de la membrane.
Fig III. 36. Positionnement du nez au dessus de la membrane
Les cellules fabriques possdent une membrane circulaire ayant un diamtre de 2800m. Un
nez de mesure de diamtre intrieur dint 2800m a t utilis pour les premires mesures.
Mais un problme dinterfrence au niveau des accs entre le nez et les pointes RF a t
observ (Fig III.37). Un autre nez, disposition, de 700x700m a t utilis pour les
mesures. Vu la taille du nez utilis, la pression est applique de manire localise au milieu de
la membrane. Les dimensions du nez tant infrieures celles de la membrane, la dformation
de la membrane mesure est diffrente de celle rgie par les quations thoriques.
Nez circulaire de
Nez carr diamtre dint 2800m
700x700m
Fig III. 37. Dimensions et configuration des nez de mesure
99
Le tableau (Tab III.15) prsente les rsultats de mesure effectus avec le deuxime banc de
test.
Pression relative applique (mbar) Frquence de rsonance (GHz)
0 39,32
150 39,29
450 39,24
1600 38,96
2100 38,56
2400 38,45
3000 38,23
Tab III. 14. Variation de la frquence de rsonance en fonction de la pression applique
La figure (Fig III.38) prsente les mesures de la variation de la frquence de rsonance en

fonction de la pression applique.
Fig III. 38. Mesures de la variation de la frquence de rsonance en fonction de la

pression
En augmentant la pression, on observe un dcalage de la frquence de rsonance vers les

basses frquences. La sensibilit mesure est de 0,37 GHz/bar.
100
III.6. Conclusion :
Dans ce troisime chapitre, on a abord le procd technologique pour la ralisation des
microcapteurs transduction lectromagntique. Dans une premire partie, on sest intress
au cas des structures avec une membrane dplacement vertical uniforme. Ensuite, dans une
deuxime partie, on a trait le cas des capteurs avec une membrane dflexion relle.
Laspect fabrication des membranes a t prsent. Une description des bancs de test t
ralise. Un banc de test spcial a t mis en place pour la caractrisation hyperfrquence des
premiers microcapteurs membrane. Ce banc de mesure prsente la spcificit de pouvoir
appliquer une pression relative tout en pratiquant des mesures hyperfrquences sous pointes.
La pression est applique par lintermdiaire dun module de pression qui vient sencastrer
dans la station sous pointes. Toute une gamme de pression a t applique, mais dune
manire localise au centre de la membrane. Ces bancs de mesure ont permis la
caractrisation des premiers prototypes de microcapteurs transduction lectromagntique.
Le dcalage en frquence a t observ et vient valider exprimentalement le principe de
fonctionnement des cellules de mesure. Les rsultats de mesure ont prsent des frquences
dcales par rapport aux simulations.
On a vu, par simulation, que le champ lectromagntique tait sensible la deuxime

discontinuit rencontre lors de son passage du silicium vers lair libre. Les bancs de mesure
peuvent donc comporter des lments perturbateurs tels que le module de pression avec le nez
mtallique qui vient se positionner 40 m au dessus de la membrane. Tous ces facteurs
doivent tre identifis et doivent tre pris en considration pour les phases doptimisation et
pour les gnrations futures de capteurs de pression hermtiquement scells.
101
Rfrences
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103
104
IV. Conclusion gnrale
105
106
Le dveloppement des rseaux de capteurs sans fil a mis en vidence les limitations, en
termes de dure de vie, des units de mesure dont on dispose actuellement. Outre sa fonction
de mesure, le capteur doit traiter, conditionner et envoyer distance les donnes mesures.
Tous ces traitements se font par lintermdiaire dune lectronique gourmande en nergie et
qui vient ajouter plus de volume, de poids et de complexit la cellule de mesure. Devant
lintrt conomique et scientifique li la rduction de la consommation nergtique, les
solutions fondes sur des capteurs actifs ont t vite abandonnes pour laisser la place des
solutions passives. Linconvnient majeur des capteurs passifs existants, qui se basent sur les
mmes principes de fonctionnement que les capteurs classiques, consiste en une faible
distance dinterrogation (quelques mtres).
Dans ce contexte, le Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systmes a dbut dans le

cadre de cette thse, le dveloppement dun capteur de pression pour lequel le principe de
conception a t compltement repens. Ce capteur est fond sur un nouveau mode de
transduction compltement passif qui ne ncessite pas dnergie embarque et peut tre
interrog grande distance (plusieurs mtres quelques dizaines de mtres) par radar.
Aprs avoir introduit le capteur transduction lectromagntique, on a dcrit son principe de

fonctionnement original. Ce dernier est bas sur une combinaison, lchelle micromtrique,
entre une membrane en silicium et un rsonateur microonde. Par la suite, on a recens
lensemble des contraintes de conception. Des choix de frquence et de matriaux ont t
effectus en consquence. La complexit de la structure a t mise en vidence pendant la
phase de dimensionnement. Contrairement aux circuits microondes classiques, pour lesquels
des formules empiriques et des modles de conception peuvent exister, la structure tudie a
due tre dveloppe en faisant des itrations entre simulation et dimensionnement. En
labsence de logiciels multiphysiques fiables, la fois, de point de vue mcanique et RF, on a
d adopter une approche progressive pour les simulations lectromagntiques. Les
simulations intermdiaires ont permis une meilleure comprhension du principe de la
transduction lectromagntique. Les zones dinteraction des lignes de champs avec le silicium
ont t identifies. Un passage en salle blanche a donn naissance aux premiers prototypes de
microcapteurs membrane. Un banc de test en pression et en frquence a t dvelopp pour
la caractrisation de ces units de mesure. Un certain cart, dans les frquences de rsonance,
a t observ entre les rsultats de mesure et de simulation. Cet cart peut tre li la
complexit de lincrmentation de la structure au niveau du simulateur lectromagntique. Ce
travail de recherche a t intressent et enrichissant parce quil a pass en revue toute la
chaine ncessaire la mise en uvre des capteurs de pression transduction EM : partant de
lide originale de fonctionnement, des lments de rponse thorique et par simulation ont
t apports. Ensuite, laspect fabrication a t trait. Enfin, ce travail a prsent des solutions
pour la caractrisation des cellules par lintermdiaire dun banc utilis ici pour la premire
fois.
107
Parmi les lments de rponse apports par ce sujet de thse, les rsultats les plus importants
retenir restent la validation et la faisabilit du principe de la transduction lectromagntique.
Une sensibilit de ~1GHz/m a t mesure pour des structures avec des membranes
dplacement vertical uniforme. Dans le cas des capteurs avec des membranes dflexion
relle, une sensibilit de 370 MHz/bar a t mesure. Ce travail de recherche et les articles,
qui en dcoulent, reprsentent les seuls travaux qui ont t raliss pour comprendre et
explorer ce nouveau type de transduction.
De ces recherches, trois axes devront tre amliors. Le premier concerne la conception. Un
soin particulier devrait tre consacr au design des transitions Air/Silicium. Ces transitions
produisent des pertes qui peuvent gner le fonctionnement de la cellule. Un profil de
transition progressif aiderait minimiser ces pertes. Plusieurs paramtres conditionnent,
galement, le fonctionnement du capteur, parmi lesquels on peut citer: lpaisseur et la
gomtrie de la membrane en silicium, la hauteur de la cavit et la longueur de la ligne
rsonante centrale. partir dune combinaison entre ces paramtres et le circuit rsonateur,
on peut extraire un schma lectrique quivalent, qui permettrait dune part une
miniaturisation du capteur, dautre part, une amlioration de linteraction entre le champ
lectrique et la membrane, et ainsi, une amlioration de la sensibilit.
Le deuxime axe vise les simulations mcaniques et lectromagntiques de la structure.

Lutilisation de logiciels multiphysiques permettrait une meilleure prise en compte du profil
de dformation relle de la membrane. Il faut, aussi, explorer les potentialits que peuvent
offrir des simulations par ingnierie inverse. Cette technique qui permet de raliser des
rtrosimulations partir de la forme relle des structures fabriques. Une telle modlisation,
trs fine de la ralit, laisse le champ libre pour de nombreuses amliorations.
Le troisime axe implique la caractrisation des capteurs. Le nez qui a t utilis a permis
dappliquer localement de la pression au centre de la membrane. Un nez circulaire, avec un
diamtre suprieur celui de la membrane, doit tre utilis pour lapplication dune pression
uniforme sur toute la surface. Les accs doivent tre adapts, en consquence, pour quil ny
ait pas dinterfrences qui viennent gner les mesures. La ralisation dun kit de calibration
qui prend en considration les transitions Air/Silicium peut tre envisag. Il permettrait de
dplacer les plans de rfrences au niveau de lentre de la structure et ce directement sous le
silicium. On saffranchie, ainsi, des pertes occasionnes par ces transitions. La caractrisation
en temprature des capteurs devrait tre effectue. Mais, vu les proprits des matriaux
utiliss et en se basant sur des mesures, antrieures, effectues sur des capteurs de pression
capacitifs [1], on prvoit davoir une faible drive en temprature des capteurs de pression
transduction lectromagntiques raliss.
108
On peut citer, comme autre perspective pour ce travail de recherche, le dveloppement de

solutions pour lextraction, distance, de la valeur de la pression mesure au niveau du
capteur. Des ides commencent tre tudies. Ces solutions sont bases sur lutilisation dun
radar FMCW (Frequency Modulated Continuous Wave) [2]-[4] ondes continues modules
en frquence et sur lanalyse de la signature quivalente radar (SER) du systme de mesure
(Capteur + antenne) (Fig. IV.1). Un radar FMCW en bande Ka a t conu et ralis, pour
linterrogation sans fil du capteur, par Franck Chebila (doctorant au LAAS-CNRS) dans le
cadre de sa thse. Le fonctionnement du radar a t valid et on a pu dtecter des objets dans
la bande Ka [5].
Fig IV. 1. Chaine de mesure Radar
Pour la mesure de la pression, une ide intressante consiste envoyer, par radar, une onde
module une frquence fixe autour de la frquence de rsonance du systme de mesure.
Comme on la expliqu dans les chapitres prcdents, une variation de la pression se traduit
par un dcalage en frquence au niveau du capteur, donc pour diffrentes valeurs de la
pression on aura des frquences de rsonance diffrentes au niveau du systme de mesure.
Londe retourne nous renseigne, dune part, sur la distance laquelle se trouve la cellule de
mesure (grce la frquence de battement) et dautre part sur le changement de niveau de
SER (Fig. IV.2). En effet, on obtient un niveau de SER maximum lorsque le systme de
mesure rsonne exactement la frquence . Puis, avec la variation en pression, on a une
baisse de SER de part et dautre de cette frquence de fonctionnement. Cette premire
technique nous permet donc de dterminer avec exactitude lemplacement du systme de
mesure ainsi que la dtection de la variation de pression mais reste limite pour ce qui est de
la dtermination de la frquence exacte de rsonance. Dautres solutions complmentaires
sont en cours dinvestigation pour rsoudre cet aspect.
109
Fig IV. 2. SER de la cible capteur+antenne pour diffrentes pressions appliques et

une distance donne d, la frquence centrale F0 du radar FMCW
Pour finir ce manuscrit, on a voulu souligner le fait que ce travail de recherche a ouvert les
voies pour ltude de la faisabilit dautres types de capteurs (gaz, contraintes,
temprature,) bass sur le principe de la transduction lectromagntique.
110
Conclusion gnrale
Rfrences
[1] Mohamad Al Bahri, Influence de la temprature sur le comportement statique et

dynamique des capteurs de pression capacitifs au silicium, Thse de doctorant de
lINSA de Toulouse, Mai 2005
[2] Merrilli I. Skolnik, Radar Handbook, second edition, 1990
[3] Bassem R.Mahfaza, Radar Systems Analysis and design using Matlab, 2000
[4] Igor V.Komarov, Sergey M.smolskiy, Fundamentals of short range FM radar, Artech
House.
[5] M. M. Jatlaoui, F. Chebila, P. Pons, H. Aubert, Pressure Sensing Approach Based On
Electromagnetic Transduction, Asia Pacific Microwave Conference 2008, 16-19
December 2008, Hong Kong China
111
Liste des figures
Liste des figures

Fig I. 1. Schma synoptique dun capteur ............................................................................................ 16
Fig I. 2. Principe de fonctionnement dun dispositif RFID ................................................................... 17
Fig I. 3. Principe de fonctionnement dun capteur SAW ...................................................................... 18
Fig I. 4. Photo MEB dun transducteur interdigit et de deux pulsations ondes acoustiques ............ 19
Fig I. 5. Distance dinterrogation pour les RFID (869 MHz et 2.45 GHz) en fonction de la puissance20
Fig I. 6. Principe de fonctionnement du capteur transduction lectromagntique.............................. 21
Fig II. 1. Schma synoptique du capteur EM ........................................................................................ 32

Fig II. 2. Contraintes lies la conception du capteur transduction lectromagntique .................... 32
Fig II. 3. Vue en coupe de la cellule de mesure de la pression.............................................................. 35
Fig II. 4. Section droite dune ligne coplanaire dans un botier mtallique........................................... 36
Fig II. 5. Reprsentation par un schma quivalent des conditions aux limites .................................... 36
Fig II. 6. Admittance ramene au plan de discontinuit ........................................................................ 37
Fig II. 7. Allure de la fonction dessai ................................................................................................... 38
Fig II. 8. Comparaison entre une ligne coplanaire et une ligne microruban (interface Air/Dilectrique)
............................................................................................................................................................... 41
Fig II. 9. Variation de la permittivit rlative en fonction de lpaisseur du gap dair ......................... 42
Fig II. 10. Distribution du champ lectrique total pour diffrents paisseurs de couche dair .............. 46
Fig II. 11. Transition air silicium : vue en coupe et de dessus .............................................................. 47
Fig II. 12. Calcul des dimensions pour la ligne coplanaire ................................................................... 48
Fig II. 13. Modles de lignes (coplanaires couples et de longueur nulle) utiliss pour le calcul des
dimensions du rsonateur sous Silicium................................................................................................ 49
Fig II. 14. Premier prototype du capteur transduction EM ................................................................. 51
Fig II. 15. Schma en coupe du Capteur en fonctionnement ................................................................. 52
Fig II. 16. Reprsentation de la dflexion totale de la membrane ......................................................... 52
Fig II. 17. Variation de la dflexion maximale du centre dune membrane (circulaire de diamtre
d=2800m) en fonction de la pression pour diffrentes paisseurs ...................................................... 53
Fig II. 18. (a) Structure simule ; (b) Rsultats des simulations de la cellule de mesure pour une
paisseur de couche dair de 3m ........................................................................................................ 55
Fig II. 19. (a) Section droite de la cellule de mesure ; (b) Effet de la variation de lpaisseur de la
couche dair sur le coefficient de transmission du rsonateur ............................................................... 56
Fig II. 20. Dtermination des zones de sensibilit du capteur EM ........................................................ 57
Fig II. 21. Influence de lpaisseur de la membrane sur la frquence de rsonance du capteur............ 58
Fig II. 22. Simulations et comparaisons du fonctionnement de diffrentes cellules avec diffrentes
paisseurs de membrane dans les zones de sensibilit ((a), (b)) ........................................................... 59
Fig II. 23. Structure avec une membrane ayant un profil en forme de cne ; (a): vue en 3D ; (b): vue
suivant le plan (YOZ) ............................................................................................................................ 60
Fig II. 24. Rpartition gomtrique de la membrane au dessus du circuit rsonant pour diffrentes
valeurs du diamtre du disque infrieur du cne ................................................................................... 61
Fig II. 25. Vue en coupe du profil de la membrane pour deux diamtres diffrents ............................. 61
Fig II. 26. Effet du profil de la membrane sur le fonctionnement du capteur EM (pour une membrane
dpaisseur 50m et une couche dair de 6m) .................................................................................... 62
112
Liste des figures
Fig II. 27. Distribution du champ lectrique et du courant surfacique la rsonance pour deux capteurs
avec une dflexion de membrane de 4m et des diamtres de : (a) 700m et (b) 1400m.................. 63
Fig II. 28. Comparaison du profil de dformation de la membrane ...................................................... 64
Fig III. 1. (a) Vue 3D de la structure; (b) Les diffrents lments du circuit rsonant ......................... 71
Fig III. 2. Masques de la plaquette raliser ......................................................................................... 72
Fig III. 3. (a) Schma synoptique du procd de ralisation des cellules de mesure ; (b) Bref descriptif
des tapes technologiques ..................................................................................................................... 73
Fig III. 4. Ralisation de la cavit.......................................................................................................... 75
Fig III. 5. Ralisation des lignes par lift-off .......................................................................................... 77
Fig III. 6. Dpt du mtal ...................................................................................................................... 78
Fig III. 7. Tournette pour enduction manuelle ( gauche en bas), Machine pour insolation par
proximit, par contact :MA 150 [19]..................................................................................................... 78
Fig III. 8. Machine denduction et de dveloppement de rsine automatique (EVG 620) .................... 79
Fig III. 9. Profil 3D des premiers prototypes de la cellule de mesure ................................................... 79
Fig III. 10. Plaque de Pyrex avec des circuits rsonants dposs dans des cavits graves .................. 80
Fig III. 11. Principe de la gravure RIE .................................................................................................. 80
Fig III. 12. Principe de la gravure DRIE ............................................................................................... 81
Fig III. 13. Rugosit des plans de gravure DRIE [24] ........................................................................... 82
Fig III. 14. Machine de gravure RIE (cot salle blanche) et lcran de contrle process...................... 82
Fig III. 15. Plaquette de SiHR aprs gravure RIE ................................................................................. 82
Fig III. 16. Assemblage Si / Pyrex ........................................................................................................ 83
Fig III. 17. Photo de lappareil dassemblage AML[31] ....................................................................... 84
Fig III. 18. Schma descriptif dune scie diamante ( gauche), scie diamante : DAD 321 semi
automatique ( droite) ........................................................................................................................... 85
Fig III. 19. Photos des premiers prototypes du capteur de pression transduction lectromagntique 85
Fig III. 20. Profil de gravure humide KOH du silicium ........................................................................ 86
Fig III. 21. Procd de fabrication des membranes pour les capteurs de pression transduction
lectromagntique (vue en coupe) ......................................................................................................... 86
Fig III. 22. Premiers prototypes de capteurs avec membrane (50m dpaisseur) ............................... 88
Fig III. 23. Dispositif de mesure sur wafer ............................................................................................ 89
Fig III. 24. Photo du banc de mesure en frquence et en pression ........................................................ 90
Fig III. 25. Conception mcanique du module de pression ................................................................... 91
Fig III. 26. Systme de positionnement et bras pour lapplication de la pression ................................. 92
Fig III. 27. Positionnement du nez au dessus de la membrane .............................................................. 92
Fig III. 28. Ct arrire de l'unit de pression ....................................................................................... 93
Fig III. 29. Outil de contrle logiciel..................................................................................................... 93
Fig III. 30. La pression souhaite et la pression effective (lors de la calibration de 1 5bar) [36]....... 94
Fig III. 31. Comparaison entre les paramtres S simuls et mesurs pour un gap dair de 3m .......... 95
Fig III. 32. Transition air/silicium ......................................................................................................... 96
Fig III. 33. Rsultats de mesure pour une membrane dplacement uniforme (SiHR=400m) .......... 97
Fig III. 34. Comparaison des rsultats de mesure, de simulation et du modle de ligne....................... 97
Fig III. 35. Comparaison des rsultats de sensibilit de mesure, de simulation et du modle de ligne . 98
Fig III. 36. Positionnement du nez au dessus de la membrane .............................................................. 99
Fig III. 37. Dimensions et configuration des nez de mesure ................................................................. 99
Fig III. 38. Mesures de la variation de la frquence de rsonance en fonction de la pression ............ 100
113
Liste des figures
Fig IV. 1. Chaine de mesure Radar ..................................................................................................... 109

Fig IV. 2. SER de la cible capteur+antenne pour diffrentes pressions appliques et une distance
donne d, la frquence centrale F0 du radar FMCW ........................................................................ 110
Fig A. 1. Schma synoptique dun capteur de pression ...................................................................... 118

Fig A. 2. Diffrents types de manomtres ........................................................................................... 119
Fig E. 1. Gabarit et rponse lectrique dun filtre passe-bande ........................................................... 128

Fig E. 2. Prototype passe-bas .............................................................................................................. 128
Fig E. 3. Modification du prototype du filtre passe-bas : (a) rsonateurs sries ................................. 129
Fig E. 4. Transformation passe-bas passe-bande................................................................................. 130
Fig E. 5. Filtre passe-bandes stubs quart dondes ............................................................................. 130
Fig E. 6. Filtre combline en ligne de transmission idale.................................................................... 131
Fig E. 7. Filtres interdigits en lignes de transmissions idales .......................................................... 131
Fig E. 8. Filtre passe-bande lignes couples quart dondes .............................................................. 132
114
Liste des Tableaux
Liste des Tableaux

Tab II. 1. Principales caractristiques du silicium utilis pour fabriquer le capteur ............................. 33
Tab II. 2. Principales caractristiques de pyrex utilis pour fabriquer le capteur ................................. 34
Tab II. 3. Dimensions des lignes coplanaires en espace libre ............................................................... 48
Tab II. 4. Dimensions des lignes coplanaires sous silicium .................................................................. 49
Tab II. 5. Dimensions des lignes couples coplanaires qui forment le rsonateur ................................ 50
Tab III. 1. Conditions de dpt de rsine et dattaque du masque Cr/Au pour la gravure du pyrex ..... 75
Tab III. 2. Paramtres de gravure du Pyrex par du HF dilu 2,5% et 12,5% ..................................... 75
Tab III. 3. Uniformit de la vitesse de gravure du pyrex....................................................................... 75
Tab III. 4. Diffrents paramtres concernant la rugosit du Pyrex obtenue avant et aprs gravure (avec
les deux concentrations dHF) ............................................................................................................... 76
Tab III. 5. Comparaison entre les hauteurs de cavits fixes et mesures............................................. 76
Tab III. 6. Conditions de dpt des lignes rsonantes par lift-off ......................................................... 78
Tab III. 7. Les tapes de gravure RIE .................................................................................................... 81
Tab III. 8. Conditions de gravure RIE du Si.......................................................................................... 81
Tab III. 9. Conditions exprimentales de lassemblage Si /Pyrex ......................................................... 83
Tab III. 10. Proprits de lAML .......................................................................................................... 83
Tab III. 11. Les diffrentes techniques de discrtisation [32] ............................................................... 84
Tab III. 12. Paramtres de la gravure KOH........................................................................................... 87
Tab III. 13. Evolution des frquences de rsonance mesures en fonction de lpaisseur du gap dair 96
Tab III. 15. Variation de la frquence de rsonance en fonction de la pression applique ................. 100
Tab A. 1. Exemple de critres de choix pour capteurs ........................................................................ 120
115
Liste des publications
Liste des publications
- New Electromagnetic Transduction Micro-sensor Concept For Passive Wireless Pressure

Monitoring Application
M. M. Jatlaoui, F. Chebila, I.Gmati, P.Pons, H.Aubert
The 15th Conference on Solid-State Sensors, Actuators & Microsystems, Transducers
2009, June 21-25 2009, Denver, Colorado, USA
- Reconfigurable Multi-band Scatterers For Micro-Sensors Identification
F. Chebila, M. M. Jatlaoui, P.Pons, H.Aubert
IEEE International Symposium On Antennas and Propagation, June 1-5 2009,
Charleston, SC USA
- Interrogation Radar de Micro-Capteur de Pression Transduction Electromagntique
F. Chebila, M. M. Jatlaoui, P.Pons, H.Aubert
16me Journes Nationales Microondes, 27-29 Mai 2009, Grenoble, France
- Pressure Sensing Approach Based On Electromagnetic Transduction
M. M. Jatlaoui, F. Chebila, P. Pons, H. Aubert
Asia Pacific Microwave Conference 2008, 16-19 December 2008, Hong Kong China
- Pressure Microsensor Based On Radio Frequency Transducer
M. M. Jatlaoui, P. Pons, H. Aubert
International Microwave Symposium, Atlanta, 15-20 June, 2008-10-24
- Utilisation de la RF pour la mesure de la pression : Application un nouveau type de
Micro-Capteur
M. M. Jatlaoui
Journe de lcole doctorale GEET, 20 Mars 2008, Toulouse, France
- Radio Frequency Pressure Transducer
The 37th European Microwave Conference, European Microwave Week 2007, Munich 8-
12 October
- Capteur de Pression transduction Radio Frequence
M. M. Jatlaoui, P. Pons, P. F. Calmon, H. Aubert, M. Al. Bahri
15me Journes Nationales Micro-ondes (JNM2007), Toulouse (France), 23-25 Mai 2007
2me prix du meilleur papier tudiant
- Planar Circuits For The Accurate Measurement Of Dielectric Permittivity At Microwave
and Millimeter-Wave Frequencies
5mes Journes Maghreb-Europe sur les Matriaux et leurs Applications aux Dispositifs
et Capteurs, (MADICA2006), Mahdia (Tunisie)
116
Annexe A
Annexe A
Rapide tat de lart sur les capteurs de pression

1- Dfinition de la pression :
La pression est la force applique par unit de surface.
Elle se dfinit comme suit :
F : Force en Newton (N).
P : Pression en N/m (1 Pa = 1N/m).
S : Surface en m.
La pression est souvent exprime en bar (1bar = 10 Pa).
2- Les diffrents types de pression :
On distingue diffrents types de pression :
Pression absolue : Cest la pression mesure au dessus du vide total ou du zro absolu. Le
zro absolu reprsente une absence de pression.
Le vide : il correspond thoriquement une pression absolue nulle. Il ne peut tre atteint, ni
mme dpass. Quand on sen approche, on parle alors de vide pouss.
Pression atmosphrique (ou baromtrique) : La pression atmosphrique au niveau de la mer

est de 1,012 bar. Elle peut varier de +/-25 mbar avec la pluie ou le beau temps. La valeur de la
pression atmosphrique dcroit lorsque laltitude augmente.
Pression relative : Cest la pression au dessus de la pression atmosphrique. Elle reprsente la

diffrence positive entre la pression mesure et la pression atmosphrique existante.
Pression diffrentielle : Cest la diffrence de deux pressions ou la diffrence de grandeur

entre une valeur de pression donne et une pression de rfrence.
Pression hydrostatique : Cest la pression exerce au dessous de la surface dun liquide par le
liquide situ au dessus, quand le fluide est au repos. A lintrieur dune colonne de fluide se
cre une pression due au poids de la masse de fluide sur la surface considre.
117
Annexe A
Pression hydrodynamique : Elle rsulte de la vitesse du fluide en mouvement. Un fluide qui

se dplace cre une pression P supplmentaire :
0,5
Avec v : la vitesse de dplacement du fluide en m/s
: la masse volumique du fluide en kg/m3
3- Quest ce quun capteur de pression :
Principe dun capteur de pression :
Dans tous les cas, un capteur de pression peut se ramener au schma synoptique ci-dessous :
Fig A. 1. Schma synoptique dun capteur de pression
Le corps dpreuve est llment mcanique qui, soumis aux variations de la grandeur
mesurer, a pour rle de transformer celle-ci en grandeur physique mesurable.
On distingue deux grandes familles de capteurs de pression:
Les capteurs utilisant un liquide
Les capteurs dformation de solide
Capteurs utilisant un liquide :
On trouve, parmi ces instruments, le plus simple de tous les indicateurs de pression de
lindustrie, le manomtre liquide. Lorsque les pressions statiques sont faibles et que seule
une indication visuelle est requise, on se sert de manomtres visuels. La figure (Fig A. 2) ci-
dessous montre respectivement les trs simples manomtres tube en U, puits (ou rservoir)
et inclin.
Dans le cas de pressions leves, on se sert de mercure comme liquide. Cest la position dun
flotteur la surface du mercure qui dfinit le niveau de mercure, lequel son tour dfinit la
pression requise pour lui faire atteindre ce niveau.
118
Annexe A
Fig A. 2. Diffrents types de manomtres
Capteurs dformation de solide :
On utilise ces capteurs lorsquon a besoin dune indication ou dun enregistrement direct de la
pression diffrentielle et l o un fluide de remplissage sera nocif pour le procd.
Sous laction de la pression, un solide se dforme de manire lastique. Diffrents matriaux
sont utiliss, caoutchouc, matires plastiques, alliages mtalliques, acier inoxydable.
La membrane peut tre soumise une pression sur lune de ses faces ou deux pressions (une
par face). La pression peut agir directement sur la membrane ou indirectement par
lintermdiaire dune tige ou dune liaison hydraulique.
Le tableau (Tab A. 1) ci-dessous rappelle quelques critres de choix pour ce type de capteurs.
Principe Type Sous type Critres

Colonne de Manomtre -indicateur
liquide tube en U -faibles pressions
Manomtre -mesures des trs faibles pressions
tube inclin -plus grande prcision que le tube en U
119
Annexe A
Manomtre -indicateur aiguille

tube de -peut fonctionner en dprimomtre
Bourdon -peut tre quip de contacts mini et maxi
pour une utilisation en pressostat
Manomtre -mesure de la pression atmosphrique jusqu
soufflet des pressions de 25 bars avec une bonne
Dformation prcision
de -peut tre associ un tambour enregistreur
solide Capteur -dlivre un signal analogique fonction de la
jauge de dformation de la jauge sous la pression
contrainte -traitement dun signal faible et influence de
la temprature augmente la complexit et le
Manomtre cot du capteur
membrane Capteur -mesure dune pression diffrentielle (courant
transfo. induit par le dplacement de la membrane)
Diffrentiel* -robuste et prcision (-1%)
-non conseill pour les variations rapides de
pression (quelques Hz)
Capteur -la capacit lectrique varie en fonction de la
effet dformation de la membrane
capacitif -mesure des trs faibles pressions
-excellent temps de rponse
Pizo Capteur - -la pression applique au quartz fait varier sa
lectrique** pizo- frquence de rsonance
lectrique -temps de rponse trs rapide
-peu sensible (quelques millibars)
-cot avantageux pour des pressions > 100
mbar
Tab A. 1. Exemple de critres de choix pour capteurs
Le transformateur diffrentiel : Il se compose dun enroulement primaire, de deux

enroulements secondaires et dun noyau magntique mobile. Suivant la position du noyau, le
primaire induit une f.e.m dans chacun des deux secondaires. Le dplacement du noyau
entrane des variations inverses de ces deux f.e.m. La diffrence des ces deux f.e.m constitue
le signal de sortie
La pizo-lectricit : est la particularit que possdent certains cristaux (quartz, cramique,

titanate de baryum) de se polariser lectriquement lorsquils sont soumis des contraintes
mcaniques. La quantit de charges lectriques produites est proportionnelle sur une large
plage aux efforts appliqus.
120
Annexe A
Histoire et volution des capteurs de pression: De Galile la pizorsistivit
1594 : Galile obtient un brevet sur une machine destine pomper leau dune rivire pour
irriguer les terres. Galile a dcouvert que la limite jusquo leau montait dans la pompe
aspirante tait de 10 mtres, sans toutefois pouvoir expliquer ce phnomne. Les scientifiques
se sont alors attachs dcouvrir la cause de ce phnomne.
1644 : Evangelista Torricelli (Torr), physicien italien, a rempli de mercure un tube de 1 m de

long, hermtiquement ferm une extrmit, et la plac la verticale en plongeant
lextrmit ouverte dans une cuve pleine de mercure. La colonne de mercure descendait
invariablement jusqu environ 760 mm, laissant un espace au-dessus de cette limite.
Torricelli attribuait ce phnomne une force pesant sur la surface de la Terre, sans savoir
do elle provenait. Il en a galement conclu que lespace laiss dans la partie suprieure du
tube tait vide, quil ny avait rien dedans et la appel un vide.
1648 : Blaise Pascal, philosophe, physicien et mathmaticien franais, ayant entendu parler
des expriences de Torricelli, cherchait lorigine des dcouvertes de Galile et de Torricelli. Il
est parvenu la conviction que la force qui maintenait la colonne 760 mm tait le poids de
lair situ au-dessus. Ainsi, sur une montagne, la force devait tre diminue du poids de lair
existant entre la valle et la montagne. Il a prvu que la hauteur des colonnes diminuerait, ce
quil a prouv par ses expriences menes sur le Puy de Dme, au centre de la France. En
partant de la diminution ainsi constate, il a pu calculer le poids de lair. Pascal a galement
tabli que cette force, quil a appele pression, agissait uniformment dans tous les sens.
1656 Otto von Guericke, n Magdeburg en Allemagne. La conclusion de Torricelli selon

laquelle il y avait un vide ou le nant sopposait la doctrine dun Dieu omniprsent ; elle a
donc t attaque par lEglise. Guericke a mis au point de nouvelles pompes air permettant
dvacuer des volumes plus importants et a prsent une exprience spectaculaire
Magdeburg en expulsant lair de deux hmisphres en mtal que lon avait assembles en
nutilisant rien dautre que de la graisse. 8 chevaux disposs de chaque ct nont pas suffi
sparer les deux hmisphres ainsi assembles.
Technologies mcaniques de mesure
1843 Lucien Vidie, mcanicien franais, invente et fabrique le baromtre anrode, qui
utilise une capsule la place dun liquide pour mesurer la pression atmosphrique.
Lextension de la capsule sous laction de la pression atmosphrique est amplifie par un
dispositif mcanique sur un systme aiguille indicatrice. En utilisant la mthode aiguille
indicatrice de Vidie, Eugne Bourdon a brevet en 1849 le manomtre de Bourdon pour les
hautes pressions.
121
Annexe A
Technologies lectriques de mesure
1930 Les premiers capteurs de pression taient des mcanismes de transduction dans
lesquels les mouvements des membranes, ressorts ou tubes de Bourdon taient convertis en
grandeur lectrique. Par exemple, une membrane constituant larmature mobile dune capacit
ou bien, le dplacement de laiguille dun manomtre comme commande dun potentiomtre.
1938 Les jauges de contrainte colles ont t mises au point indpendamment par E. E.
Simmons, du California Institute of Technology et par A.C. Ruge, du Massachusetts Institute
of Technology. Simmons a t plus rapide dposer une demande de brevet.
1955 Les premires jauges de contrainte pelliculaires ont fait leur apparition. Dotes dun
pont de mesure rsistif, elles permettent daccder, lorsque colles sur une membrane, aux
contraintes locales.
1965 La liaison par collage des jauges sur la membrane a toujours t lorigine dhystrsis
et dinstabilit. Dans les annes 1960, Statham a mis au point les premiers transducteurs
couche mince de bonne stabilit et de faible hystrsis. Aujourdhui, cette technologie est un
acteur de premier plan sur le march de la mesure des hautes pressions.
1973 William R. Poyle a dpos un brevet sur des transducteurs capacitifs base de verre ou
de quartz, puis plus tard en 1979, Bob Bell de Kavlico, base de cramique. Cette
technologie a combl un vide dans les basses pressions, au point qu'elle reprsente
aujourd'hui, allie aux rsistances sur membranes cramiques, la technologie la plus rpandue
pour les matires risque.
The sensor age
1967 Au Centre de Recherches Honeywell de Minneapolis (Etats-Unis), en 1967 : Art R.

Zias et John Egan ont dpos une demande de brevet sur la membrane en silicium contrainte
de bordure. En 1969, Hans W. Keller a dpos une demande de brevet portant sur le capteur
silicium fabriqu par lots. Cette technologie profite des normes avances de la technologie
des circuits intgrs.
2000 Un lment sensible la pression moderne pse de lordre de 0,01 g. Si toutes les
membranes non cristallines prsentent une hystrsis intrinsque, la limite de prcision de cet
lment nest pas dcelable par les moyens daujourdhui. La technologie pizorsistive est la
plus universellement rpandue. Elle sapplique aux plages de pression allant de 100 mbar
1500 bars en modes absolu, relatif et diffrentiel.
122
Annexe A
Les microcapteurs de pression constituent les premiers types de microcapteurs silicium

micro usins dvelopps entre 1950 et 1960. Donc, les microcapteurs de pression reprsentent
probablement les composants silicium micromcaniques les plus matures avec une large
diffusion commerciale.
123
Annexe B
Annexe B
Proprits du Pyrex
Mechanical Properties
Density (at 20 C/68 F): 2.23 g/cm
Knoop Hardness: 418 kg/mm2
Young's Modulus: 64 GPa
Flexural Strength: 69 MPa @R.T.
Poisson's Ratio: 0.20
Shear Modulus: 2.67 x 103 kg/mm2
Thermal Properties
Thermal Coefficient of Expansion (0/300 C): 32.5 x 10-7/C
Thermal Conductivity: 1.1 W/mK @R.T.
Specific Heat: 0.18 cal/g-C @R.T.
Strain Point: 510C/950F
Annealing Point: 560C/1040F
Softening Point: 821C/1509.8F
Optical Properties
Refractive Index (l=589.3nm): 1.473
Chemical Properties
Hydrolytic resistance: class 1
Acid resistance: class 1
Alkali resistance: class 2
Electrical Properties
Dielectric Constant: E=4.6 1MHz @R.T.
Dielectric Strength: 0.5 kV/mm
Resistivity: 8 x 1010 ohm/cm @R.T.
Proprits du silicium
qualit : type "prime"
diamtre : 4 pouces ; 100mm ( 0.5mm)
orientation: 100 ( 1)
paisseur: 400m ( 25m)
surface : DSP
TTV: <10m
Bow: 40m
type: P
dopage: 10e12 (rsistivit : >3Kohm.cm)
124
Annexe C
Annexe C
Expression analytique des modes (f )

nN
n = TE ,TM
n
n j nx n a nx
f nxTE = cos f nxTM = cos
a n
2
a a n
2
a
+ +
2 2
a a
n
n a nx n j nx
f nzTE = sin f nzTM = sin
a n
2
a a n
2
a
+ +
2 2
a a
125
Annexe D
Annexe D
Pointes de mesures RF
126
Annexe E
Annexe E
Topologie et technologie des filtres
Le rsonateur constitue llment essentiel de la cellule de mesure. En effet, le choix de la

topologie et de la technologie du filtre qui le compose est important. Ce choix doit rpondre
un certain nombre de critres de nature :
Electriques Physiques Economique

Largeur de bande passante Encombrement
Frquence centrale Poids
Ondulation dans la bande Tenue en puissance Cot de conception
Attnuation hors bande Stabilit mcanique Cot de production
Pertes dans la bande passante Sensibilit en temprature
Pour la ralisation des fonctions de filtrage, et selon le type dapplication quon envisage,
deux technologies peuvent tre adoptes, savoir : les technologies volumiques et planaires.
Les technologies volumiques Avantages inconvnients

Guides dondes rectangulaires ou
circulaires Faibles pertes Encombrement
Rsonateurs dilectriques Dilectrique : air Poids important
Cavits mtalliques Faibles pertes par effet Fabrication, usinage
Adaptes au filtrage bande troite joule Cot lev
pour les signaux de forte puissance
Les technologies planaires Avantages inconvnients

Microruban, coplanaire, multicouche
Faible encombrement
et membrane
Cout de fabrication Pertes
Ne concerne pas les signaux de forte
puissance
Pour notre tude seule la technologie planaire peut tre envisage et ce pour des raisons de
compacit et dinteraction avec la membrane. Dans ce qui suit, on prsente un bref tat de
lart en ce qui concerne les topologies et synthses des filtres passe-bande planaires.
127
Annexe E
Il y a deux catgories de filtres passe-bande, on trouve des filtres large bande/bande

moyenne et bande troite. Dans la littrature, diverses topologies sont numres et des
formules de synthse sont tablies et permettent, partir dun gabarit donn, de dfinir un
prototype de filtre idal. Ce prototype permet de retrouver les valeurs des impdances des
lignes qui composent le filtre et les longueurs lectriques qui dfinissent la frquence centrale.
Avec la frquence centrale, les pertes dinsertion, la largeur de la bande passante, les
ondulations et le niveau de rjection constituent les paramtres fondamentaux qui dfinissent
le gabarit et la rponse lectrique du filtre.
Fig E. 1. Gabarit et rponse lectrique dun filtre passe-bande

La figure (Fig E. 2) prsente le prototype du filtre passe bas idal lments localiss partir
du quel on peut synthtiser tout type de filtre (passe bande, coupe bande,...). Ce prototype est
compos dun enchainement de rsonateurs sries et parallles. La figure (Fig E. 3) donne une
autre reprsentation du filtre idal aprs modification et dcomposition en circuits rsonateurs
srie, forms dinverseurs dimpdances idaux , et dinductances srie, et parallle,
forms dinverseurs dadmittance , et de capacits parallles.
Fig E. 2. Prototype passe-bas
128
Annexe E
Fig E. 3. Modification du prototype du filtre passe-bas : (a) rsonateurs sries ; (b)

rsonateurs parallles
Les inverseurs utiliss sont caractriss par leur matrice chane :
A B 0 j 0 jK
=
J = j
C D jJ 0 K
0

On obtient les relations suivantes pour les inverseurs d'impdances :
Gc C1' C k' C k' +1 C L C n'

J 01 = J k ;k +1 = J n;n +1 =
g 0 g1 g k g k +1 g n g n +1
Pour les inverseurs d'admittance, on obtient:

Rc L1' L'k L'k +1 RL L'n
K 01 = K k ;k +1 = K n,n +1 =
g 0 g1 g k g k +1 g n g n +1
Pour passer du filtre passe-bas au filtre passe-bande, il faut effectuer la transformation en
frquence suivante :
Avec , la bande passante, et 0, la pulsation centrale, dfinies comme suit :

w0 w
= = 0
w2 w1 w
w0 = w1w2
Ainsi, le filtre passe-bas normalis (c=1) est transform en fonction passe-bande de
frquence de coupure 1 et 2 (1<2).
Par cette transformation en frquence :
- Les rsistances ne subissent aucune transformation.
- Les capacits sont transformes en circuits rsonants parallles :
129
Annexe E
Cp
- Les inductances sont transformes en circuits rsonants sries :
Lp
Fig E. 4. Transformation passe-bas passe-bande
Parmi les filtres passe bande, on peut citer les filtres large bande passante et bande
moyenne : Ils sont caractriss par des bandes passantes comprises entre 20% et 80%. La
figure (Fig E. 5) montre un filtre large bande stubs quart dondes. Les lments de ce filtre
sont dtermins partir du filtre passe bas idal. On calcule les admittances caractristiques
des lignes composant le filtre. Les impdances sont ainsi dduites. Ce qui nous permet,
finalement, de dimensionner le filtre.
Fig E. 5. Filtre passe-bandes stubs quart dondes
Les filtres bande troite constituent lautre filire des filtres passe bande. Ces filtres utilisent
de lignes couples. Il existe, principalement, trois topologies pour ce genre de filtrage : le
filtre combline, le filtre interdigit et le filtre lignes couples quart donde.
- Le filtre combline
Comme indiqu sur la figure (Fig E. 6), le filtre est constitu de lignes couples disposes en
parallle. Ces lignes possdent deux terminaisons : un court circuit et une capacit. La
propagation du signal se fait par couplage interligne. A la rsonance la longueur des
rsonateurs est infrieure /4 vu la prsence des charges capacitives.
130
Annexe E
Fig E. 6. Filtre combline en ligne de transmission idale

Les proprits des lignes, les largeurs de rubans et des gaps entre lignes, sont dtermines par
des transformations aprs avoir calculer les capacits propres et mutuelles des rsonateurs.
Linconvnient de ce genre de filtre est quil faut fournir un niveau de couplage assez lev
conduisant des problmes de faisabilit.
-Le filtre interdigit
Comme cest le cas pour le filtre combline, pour un filtre interdigit (Fig E. 7) la propagation
du signal se fait par couplage entre les lignes daccs et les rsonateurs. Par contre, ces lignes
se terminent alternativement par un circuit ouvert et un court circuit.
La rponse lectrique du filtre interdigit est parfaitement symtrique ce qui conduit en termes
de phase de meilleures caractristiques lectriques. Compar au filtre combline, le niveau de
couplage assurer est faisable.
Fig E. 7. Filtres interdigits en lignes de transmissions idales

- Le filtre lignes couples quart donde
La figure (Fig E. 8) reprsente un filtre lignes couples quart donde. Avec ce type de filtre
on peut avoir une bande passante infrieure 20%. On peut jouer sur le niveau de couplage
pour avoir de meilleures performances en slectivit. Si on veut avoir des bandes passantes
plus importantes, il faut augmenter le niveau de couplage ce qui conduit des problmes de
faisabilit.
131
Annexe E
Fig E. 8. Filtre passe-bande lignes couples quart dondes

Pour synthtiser un filtre passe bande lignes couples quart dondes, on peut prendre comme
rfrence les travaux de Matthaei et Cohn. Les dimensions des lignes (largeurs er fentes) sont
dtermines partir des impdances des modes pairs et impairs pour chaque quart de lignes
couples symtriques. Lorsque les potentiels des deux lignes couples ont la mme valeur, on
est en mode pair. Dans le cas o les lignes ont des potentiels oppos, on est en mode impair.
Pour la synthse du filtre, on a besoin de connaitre les caractristiques lectriques suivantes :
la frquence centrale , la bande passante relative , l'impdance de normalisation du filtre
et les coefficients de Tchebycheff normaliss du prototype passe-bas .
Par dfinition :
w
1 =
1
2 2
Pour les lignes daccs du filtre (k=0 et k=n) :
1
J k ,k +1 =
g k g k +1
J
(Z )
a
00 k , k +1 = Z a k ,k +1 h + 1
Za
(Z ) a
oe k ,k +1 = 2Za Zooa ( ) k ,k +1
tan J 2

k , k +1
(Z )
b
( )
= Z a
+ hZ a
2
1
+ Z a
Z a
oe k , k +1 oe k , k +1

(Z )b
oo k ,k +1 ( )
= Z oeb k ,k +1
( )
+ Zooa k , k +1
( )
Zoea k ,k +1
J k ,k +1 1
=
Za g k g k +1
2
J tan 2 1
M k ,k +1 = k ,k +1 +
Za 4
J k , k +1
(Z oe )k ,k +1 = hZ a M k ,k +1 +
Z a
impdance mode pair
132
Annexe E
J k , k +1
(Z oo )k ,k +1 = hZ a M k ,k +1
Z a
impdance mode impair
Le paramtre h dfinit un degr de libert (sans dimension) et permet de rgler le niveau
d'impdance des diffrentes sections de lignes couples autour de 50 .
1
h= 2
tan 1 J 01
+
2 Za
133

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THSE

DOCTORAT DE LUNIVERSIT DE TOULOUSE

Prsente et soutenue par Mohamed Mehdi JATLAOUI

Titre : Capteurs Passifs

Thierry Monediere Professeur (XLIM Universit de Limoges) Prsident de jury

Ecole doctorale : GEET

mes surs, Imne et Yosra,

mon frre, Chiheb

Le travail prsent dans ce mmoire a t effectu au Laboratoire dAnalyse et dArchitecture

Je suis profondment reconnaissant mes directeurs de thse, Monsieur Herv AUBERT,

Je remercie vivement Monsieur Serge TOUTAIN, Professeur luniversit de Nantes et

Je voudrais tmoigner ma reconnaissance Monsieur Thierry Monediere, Professeur

Je remercie galement Monsieur Pierre TEMPLE BOYER responsable du groupe M2D et

Jexprime galement ma reconnaissance Messieurs Martin Paulet, Ingnieur AIRBUS

Je ne saurais oublier de remercier lensemble du service administratif du LAAS, ainsi que le

Table des matires

II.3.3. Cas dune membrane ayant un profil en forme de cne :..............................................60

Annexe D ............................................................................................................................... 126

Pointes de mesures RF ........................................................................................................... 126

I.2. Les Principaux types de capteurs sans fil:

Fig I. 1. Schma synoptique dun capteur [13]

I.2.1. Les capteurs Actifs :

I.2.2. Les capteurs passifs :

I.2.2.1. Les capteurs Inductifs : [36]-[41]

I.2.2.2. Les capteurs RFID : [42]

Fig I. 2. Principe de fonctionnement dun dispositif RFID

Les performances dun systme RFID sexpriment en termes de distance et de vitesse de

I.2.2.3. Les SAW :

Fig I. 3. Principe de fonctionnement dun capteur SAW

Fig I. 4. Photo MEB dun transducteur interdigit et de deux pulsations ondes

I.3. Problmatique lie aux capteurs sans fil :

Fig I. 6. Principe de fonctionnement du capteur transduction lectromagntique

Lambition de ce travail de recherche est dvaluer la faisabilit de ce nouveau mode de

Ce manuscrit est structur de la manire suivante :

II. Principe de fonctionnement, Modlisation, Conception et Simulation du capteur ............. 29

II.2. Conception du capteur transduction EM:

II.2.1. Principe de fonctionnement :

Fig II. 1. Schma synoptique du capteur EM

II.2.2. Contraintes de conception et choix prliminaires :

Avant de procder la phase de conception du capteur, il est ncessaire de prendre en compte

Fig II. 2. Contraintes lies la conception du capteur transduction lectromagntique

II.2.2.1. Choix de la frquence de travail :

II.2.2.2. Choix des matriaux :

Le capteur est constitu de quatre parties :

- La membrane, lment important de la transduction radio frquence, sera en silicium poli

Tab II. 1. Principales caractristiques du silicium utilis pour fabriquer le capteur

3,2 10 cm 3,25 ppm/C entre 0

Tab II. 2. Principales caractristiques de pyrex utilis pour fabriquer le capteur

II.2.2.3. Choix du rsonateur :

Pour la ralisation du circuit rsonateur, plusieurs technologies de lignes microondes peuvent

Fig II. 3. Vue en coupe de la cellule de mesure de la pression

II.2.3. Modle dune ligne coplanaire : permittivit effective et champ

permittivit relative r 1 . Au dessus de la ligne, figure une couche dair dpaisseur h. Au

- et tant le champ lectrique et le courant dans les deux rgions.

duale. Soient et les oprateurs admittances respectivement de la rgion 1 et de la

(Annexe C). Les expressions analytiques des admittances Y1n ( )

Fig II. 6. Admittance ramene au plan de discontinuit

En se fondant sur la thorie des lignes, lexpression de ladmittance devient :

Y YM, coth h avec k (q II.5)

Aprs avoir obtenu lexpression des admittances, on applique la mthode de Galerkin : On

Fig II. 7. Allure de la fonction dessai

La fonction dessai peut tre mise sous la forme suivante :

En dveloppant davantage ces quations, on obtient lquation de dispersion suivante :