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Eurinsa Approfondissement physique

Approfondissement physique

Le transistor MOSFET

Sommaire

1. Introduction...................................................................................................................2
1.1 Structure de base....................................................................................................2
1.2 Principe de fonctionnement...................................................................................3
2. La capacit MOS (Mtal Oxyde Silicon)................................................................3
2.1 Structure................................................................................................................3
2.2 Les rgimes de fonctionnement.............................................................................4
2.3 Modle lectrique de la capacit MOS et courbe C(V).........................................5
3. Les diffrents types de transistor MOS.........................................................................6
4. Process technologique CMOS.......................................................................................7
5. Modlisation du transistor NMOS enrichissement et modlisation lectrique..........9
5.1 Polarisation............................................................................................................9
5.2 Rgime bloqu (figure a).....................................................................................10
5.3 Rgime linaire ou ohmique ou non satur (figure b).........................................10
5.4 Rgime satur (figure c)......................................................................................11
5.5 Rgime de saturation forte (figure d)..................................................................11
5.6 Caractristiques statiques....................................................................................12
5.7 Modle petits signaux simplifi...........................................................................12
5.8 Comparaison des modles lectriques des transistor NMOS et PMOS..............13
6. Applications.................................................................................................................14
6.1 Inverseur numrique............................................................................................14
6.2 Amplificateur inverseur.......................................................................................14
6.3 Rsistance active.................................................................................................15
6.4 Miroir de courant simple.....................................................................................16
6.5 Paire diffrentielle...............................................................................................17
7. Bibliographie...............................................................................................................17

C. Gontrand, F. Calmon - version 0.2 draft 1


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1. Introduction

1.1 Structure de base


Le transistor MOSFET est constitu de :
- deux zones appeles : source et drain (rgions semi-conductrices de mme type de
dopage) relies leur lectrode respective. Source et drain sont raliss dans une rgion
(parfois directement le substrat) de type oppos.
- dune lectrode de commande appele grille qui surplombe la zone de canal
MOSFET = Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

VGRILLE
L
VSOURCE
Z VDRAIN

dioxyde de
silicium
source drain (SiO2)

substrat

VSUBSTRAT
RILLE

Structure du transistor MOS


D D
ID ID
G VDS G VDS
VGS VGS
S S

Symbole du NMOS Symbole du PMOS


Le courant dans les transistors MOS est un courant unipolaire de porteurs majoritaires :
- les lectrons dans le cas du transistor NMOS (source et drain sont de type N)
- les trous dans le cas du transistor PMOS(source et drain sont de type P)

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1.2 Principe de fonctionnement
La grille (G) permet de contrler le courant entre les deux lectrodes source
(S) et drain (D).
Le contrle se fait via le potentiel appliqu entre grille et source. Ce systme
constitu par une capacit MOS (Mtal Oxyde Silicon) permet une commande
avec de trs faibles courants consomms. On parle de transistors grille isole.
On peut assimiler le systme drain source une rsistance dont la valeur
varie entre R on (valeur min) lorsque le transistor est satur et R off (valeur max)
lorsque le transistor est bloqu.
On peut lutiliser :
dans les applications logiques (numriques) avec une utilisation en commutation
(le transistor est un interrupteur command en tension),
dans les applications analogiques, la rsistance drain source peut prendre toutes
les valeurs entre R on et R off .
Nous devons aborder tout dabord la capacit MOS (Mtal Oxyde Silicon) car ses
proprits dfinissent celles du transistor MOS.

2. La capacit MOS (Mtal Oxyde Silicon)

2.1 Structure
Elle est constitue dun empilement mtal oxyde silicium.

Mtallisation de grille
Dioxyde de silicium (SiO2)

silicium

Mtallisation

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2.2 Les rgimes de fonctionnement
On dfinit diffrents rgimes suivant la polarisation entre ces deux lectrodes.
Exemple de la capacit MOS sur substrat de type P.

Rgime daccumulation
VG < 0

----------------
++++++++++++ Accumulation de porteurs
majoritaires la surface du
silicium type P
silicium

Rgime de dpltion

VG > 0
Rgime de dpltion
++++++++++++
ou

- - - - - - - - xd appauvrissement la surface du
+ + + silicium :
silicium type P
les porteurs majoritaires sont
repousss en profondeur
Restent les ions ngatifs
fixes

Rgime dinversion

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VG > 0
Il se cre une couche
++++++++++++
dinversion la surface
xd max ----------------- porteurs minoritaires du silicum
- - - - - - - -
canal du futur
silicium type P
transistor MOS

2.3 Modle lectrique de la capacit MOS et courbe C(V)


La capacit MOS est quivalente deux capacits en srie : la capacit de loxyde ( Cox )
et la capacit du semi-conducteur ( CSC ).

Cox
eox

silicium
CSC

La capacit totale quivalente (par unit de surface) scrit : 1 1 1


C Cox CSC

Avec Cox constante ox ( r _ ox 3.9 )


eox
CSC sc ( r _SC 11 .7 )
xd

Accumulation Dpltion Inversion

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VG < 0 VG > 0 VG > 0

---------------- ++++++++++++ ++++++++++++


++++++++++++ xd max -----------------
- - - - - - - - xd - - - - - - - -
+ + +
silicium type P silicium type P silicium type P

CSC Cox 1 1 1 f(VG) 1 1 1 1


C Cox CSC C Cox CSC,min Cmin
CCox Cmax
C

Cmax = Cox

Cmin

VG

3. Les diffrents types de transistor MOS


Canal N Canal P
Transistor normalement bloqu. Transistor normalement bloqu.
Formation dun canal N Formation dun canal P
Enrichissement conducteur en ralisant la conducteur en ralisant la
condition dinversion la surface condition dinversion la surface
du matriau de type P du matriau de type N
Transistor normalement passant. Transistor normalement passant.
Appauvrissement Suppression du canal N Suppression du canal P conducteur
conducteur en ralisant la en ralisant la dsertion.
dsertion.

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4. Process technologique CMOS


Prsentation dun process technologique simple CMOS (cest dire permettant de raliser
conjointement des transistors NMOS et PMOS dans le mme substrat).

Elaboration dun substrat N

Oxydation photogravure et
diffusion Bore du caisson P
du MOS canal N

Photogravure et diffusion de Bore


des caissons source et drain du MOS
canal P

Oxydation photogravure et
diffusion phosphore des caissons
source et drain du MOS canal N

Photogravure des grilles et


oxydation de grille

Ouverture contact, mtallisation


et photogravure de la mtallisation

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Amlioration : technologie auto aligne, les zones de source et drain (cres par
implantation ionique) sont ralises aprs le dpt de la grille en polysilicium (servant de
masque)

phosphore et/ou arsenic

P
N

bore

N N

P
N

NMOS PMOS

N N P P

P
N

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5. Modlisation du transistor NMOS enrichissement et


modlisation lectrique

5.1 Polarisation
VG > 0
L
Z VD > 0

source N drain N

substrat P

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5.2 Rgime bloqu (figure a)
VG 0 alors pas de canal alors ID 0 quel que voit VD

5.3 Rgime linaire ou ohmique ou non satur (figure b)


On suppose le canal prform :
VDS Ze
ID VDS
R canal L ( R L
S )

ID ZqneVDS 1
( nq )
L

QCVG oxyde ZLVG ( SurfaceZL )


eoxyde
Q
ZL Cox VG
Qqn ZLe

Q
ZL qne

do ID ZCox VG VDS
L
En ralit, il faut crer le canal dinversion, do la notion de tension de seuil VT , et

lexpression du courant est : ID ZCox VG VT VDS VDS


L R MOS

Modle larges signaux :

G ID D

VGS RMOS VDS

R MOS L
avec ZCox VG VT

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5.4 Rgime satur (figure c)
Pour VDS VDS sat => il apparat le pincement du canal, partir de cette valeur de VDS , la
densit de porteurs arrivant sur le drain tend vers une constante.
Pour VG VT et VDS proche de VG VT :
Z 2
VDS
ID C ox VG VT VDS
L 2

5.5 Rgime de saturation forte (figure d)


Pour VG VT et VDS lev :

ID Z Cox VDS(sat) Z Cox VG VT


2 2
2L 2L
en prenant un degr de raffinement supplmentaire :

ID(sat) Z Cox VG VT 1 VDS


2
2L

Modle larges signaux

G ID(sat) D

VGS IMOS RMOST VDS

avec IMOS Z Cox VG VT 2


2L
2L
et R MOS
ZCox VG VT 2

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5.6 Caractristiques statiques

ID rgime rgime de saturation


linaire

VG ID f VDS VG cste

VDS

ID ID f VG VDS cste

Rgime linaire (ohmique) :


ID VG VT

Rgime de saturation :
ID VG VT 2
VT VG

5.7 Modle petits signaux simplifi

G ID D

VGS gm VGS 1/gd VDS

ID
gm : transconductance gm
VG VDScste

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ID
gd : conductance du canal gd
VD VG cste

Rgime ohmique (linaire) Rgime de saturation


gm ZCox VDS gm ZCox VG VT car VDS 1
L L
2Z
gm Cox ID
L

5.8 Comparaison des modles lectriques des transistor NMOS et


PMOS
PMOS NMOS
Rgime bloqu : VG VT Rgime bloqu : VG VT
ID 0 ID 0

Rgime ohmique : VG VT VDS 0 Rgime ohmique : VG VT VDS 0


Z 2
VDS Z 2
VDS
ID C ox VG VT VDS ID C ox VG VT VDS
L 2 L 2

Rgime sature : VDS VG VT 0 Rgime sature : VDS VG VT 0

ID(sat) Z Cox VG VT 1VDS ID(sat) Z Cox VG VT 21 VDS


2
2L 2L

6. Applications

6.1 Inverseur numrique

VDD
Niveau logique 1
VOUT
VDD

VIN VOUT
Niveau logique 0
VSS
VSS
VIN

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6.2 Amplificateur inverseur

VCC

VOUT

VIN

Equation du circuit : VOUT VCC R ID


VIN VT => ID 0 => VOUT VCC

VIN VT au dpart VDS VOUT VCC

VG VT VDS => MOSFET en saturation

ID Z Cox VG VT 2
2L
VOUT VCC R ID VCC R Z Cox VG VT
2
2L
passage en rgion linaire VOUT VG VT

ID ZCox VG VT VDS
L
VOUT VCC R ID VCC R ZCox VG VT VOUT
L
VOUT(min) VCC R ID(max) VCC R ZCox VCCVT VOUT(min)
L

ID
VOUT
VCC

VDS VIN

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6.3 Rsistance active
Une rsistance est difficilement intgrable, on la remplace par une rsistance active
ralise par un transistor NMOS ou PMOS dont on relie la grille au drain.

rsistance NMOS PMOS


VDS VG VG VT => rgime de saturation

ID Z Cox VG VT Z Cox VDSVT


2 2
2L 2L
2 ID L
VDS VT
ZCox

VCC

VOUT

VIN

Calculs dvelopps en TD

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6.4 Miroir de courant simple

Calculs dvelopps en TD

6.5 Paire diffrentielle

VIN1 VIN2

Calculs dvelopps en TD

7. Bibliographie
- Cours dpartement Sciences et Gnie des Matriaux : K. Souifi, M. Lemiti
- Cours dpartement Gnie Electrique
- Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, A. Vapaille, R. Castagn, Dunod.

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