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MINISTERE DE L'ENSEIGNEMENT SUPERIEURE

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITE DE BECHAR

Département des Sciences


Laboratoire de Physique des dispositifs à semiconducteurs (L.P.D.S)
http://www.univ-bechar.dz/lpds/

PHYSIQUE DES
SEMICONDUCTEURS
Notes de cours
AVEC
Exercices

Par : Dr. HASSANE BEN SLIMANE

1
INTRODUCTION

Conforme aux programmes du LMD, ce cours s’adresse aux étudiants de troisième année de

l’université dans le domaine des Sciences de la Matière. Dans cette première partie de ce

cours, une analyse simple de la statistique des porteurs de charge de semi-conducteurs

intrinsèques et extrinsèques de type N et P est exposés. Le cours qui présente les principales

notions à comprendre et à connaître est accompagné des exercices d’applications directes afin

d’assimiler immédiatement les notions traitées.

2
Statistique des porteurs de charge

RESUME DU COURS

La description phénoménologique des modes de production des porteurs de charges est très

importante dans la physique des semiconducteurs. Il est indispensable de chiffrer les résultats

de cette production est donc de déterminer la concentration des électrons et trous. Nous nous

intéressons ici à analyser le semiconducteur non dégénérer.

1. DENSITE DES ETATS QUANTIQUE :

Soit un cristal de volume unité (V=1)

Dans l’intervalle E & E+dE on a :

dz états d’énergies (état quantiques).

N(E) : densité d’états quantique dans l’intervalle [E , E+dE] par unité d’énergie par unité de

volume.

dz
N( E ) = (1)
dE

L’énergie de l’électron est donnée par la loi de dispersion :

h 2k 2 (2)
E( k ) = E C +
2m n *
h PZ
h= (avec h est le constant de Planck)
27
k: vecteur d’onde

m *n : masse effective de l’électron.


E+dE
E
dVp = 47p 2 dp

PY

PX

Fig. 1. Le nombre des états dans la couche [E , E+dE]

3
p2
E(k ) - E C = (3)
2 m* n
Pare ce que l’impulsion p = hk

Nous pouvons écrire :

p = 2m*n (E - E C ) (4)

Donc :

2m * dE
dp =
2 2m * ( E - E C )

m* dE (5)
dp =
2 ( E - EC )
Alors :

dVp
dz = 2
@Vp
h 3 , avec V=1
@Vp =
V

@Vp : Le volume d’un état quantique et le 2 signifie 2 spins

Le nombre dz est exprimé comme :

4 7 × 2m * ( E - E C ) m * dE
dz = 2 (V=1)
h3 2 ( E - EC )

2 m * 3/ 2
dz = 47( ) ( E - E C )1/ 2 dE
h2

Finalement la densité d’états quantique N(E) dans la bande de conduction du semiconducteur

est
dz
N( E ) =
dE

2m n * 3 / 2
N( E ) = 4 7( 2 ) ( E - E C )1/ 2 (6)
h

4
Par analogie et pour la densité d’états d’énergies dans la bande de valence
h 2k 2
E(k ) = E V - (7)
2m*p
2m p *
N(E) = 47( 2 )3 / 2 (E V - E )1/ 2 (8)
h

m p* : masse effective des trous.

2. CONCENTRATION DES ELECTRONS DANS LA BANDE DE CONDUCTION :


∞ (9)
n = ∫f ( E, F )N( E )dE
EC

fn(E,F) est la fonction de distribution des électrons en énergie E

1 (10)
f n (E, F) = (distribution de Fermi-Dirac)
E-F
1 + exp( )
kT

F : niveau de Fermi, E = E(k) est la loi de dispersion des électrons

Alors,

2m*n 3 / 2

1 (11)
n = 47(
h 2 ) ∫
E C 1 + exp(
E - F
(E - E C )1/ 2 dE
)
kT

2m*

(E - E C )1/ 2 (12)
n = 47( 2 n )3 / 2 ∫ dE
h E C 1 + exp(
E-F
)
kT
E - EC dE
Posons = x ⇒ dx =
kT kT

F - EC
= I , E - F = (E - E C ) + (E C - F)
kT

D’où,

E - F E - EC F - EC
= - = x - I ce qui permet d’écrire l’équation (12) sous la forme suivante :
kT kT kT

2 m*

(kT)1/ 2 x1/ 2 (13)
n = 47( 2 n )3 / 2 ∫ kTdE
h 0
1 + exp(x - I )

5
27m*n kT 3 / 2 2 x 1/ 2
∞ (14)
7∫
n = 2( ) dE
h2 0
1 + exp(x - I )

27m*n kT 3 / 2 x1/ 2
On pose : N C = 2(
h2
) et L1/ 2 ( I ) = ∫0 1 + exp(x - I) dx
L1/ 2 (I ) : Intégrale de Fermi d’indice 1/2.

7
exp I pour - ∞ < I ≤ 1 (semiconducteur non dégénéré)
2
7 1
L1/ 2 (I ) pour 1 < I ≤ 5 (cas intermédiaire)
2 0.25 + exp(-I )

2 3/ 2
I pour 5 < I < ∞ (semiconducteur dégénéré)
3

Alors la concentration des électrons peut s’écrire comme

NC (15)
n=2 L (I )
7 1/ 2

NC : la densité d’états effectives dans la bande de conduction

m*n 3 / 2 T (°K ) 3 / 2
19
N C = 2.5 ×10 ( ) ( )
m0 300

3. CONCENTRATION DES TROUS DANS LA BANDE DE VALENCE :

De même manière :
EV (16)
p = ∫(1 - f (E, F)) N(E)dE
-∞
(1 - f (E, F)) : la probabilité de trouver un trou (le trou=l’absence de l’électron)

EV

p = ∫(1 - f (E, F)) N(E)dE


-∞

EV
2m*p (E V - E)1/2
p = 47(
h2 ∫ )
-∞ 1 + exp(
3/ 2
E-F
dE
)
kT
E -E dE E V - F
Posons V = x ⇒ dx = - , =Q ,
kT kT kT

2m*p kT x1/2
p = 4 7(
h2
) 3/ 2
∫0 1 + exp(x - Q) dx

6
NV (17)
p=2 L (Q)
7 1/ 2

Avec la densité d’états effectives dans la bande de valence Nv est :

2 7m*p kT
N V = 2( )3 / 2
h2

4. CAS D’UN SEMICONDUCTEUR NON DEGENERE :

Un semiconducteur non dégénéré est caractérisé par

E >> F sa veut dire que x >> I

EC
F
Eg = EC-EV
Ei

EV

Fig.2. Semiconducteur non dégénéré

Donc L1/ 2 (I ) = ∫exp(x - I ) x1/ 2dx


0

L1/ 2 (I ) = exp(I ) ∫x1/ 2 exp(-x )dx


0

7
L1/ 2 (I ) = exp(I )
2

Cette expression permet de réécrire l’équation (15) comme

NC 7 F - EC
n=2 exp(I ) = N C exp( )
7 2 kT

F - EC (18)
n = N C exp( )
kT

Dans la bande de valence,

EV - F (19)
p = N V exp( )
kT

7
Dans un semiconducteur pur (intrinsèque) la concentration des électrons est égale à celle des

trous donc :

ni = n = p

EV - EC
n i2 = n.p = N C N V exp( )
kT
- Eg (20)
n i = N C N V exp( )
2kT

Eg : la largeur de la bande interdite du semiconducteur (ou encore, le gap du semiconducteur)

La concentration intrinsèque peut être écrite d’une autre manière,

Fi - E C E -F
n i = N C exp( ) = N V exp( V i )
kT kT

Cette équation permet d’exprimer le niveau de Fermi intrinsèque Fi :

E C + E V kT NC E C + E V 3kT m*n (21)


Fi = - Ln( )= - Ln( * )
2 2 NV 2 4 mt

La relation (21) montre que le niveau de Fermi intrinsèque est décalé par rapport au milieu de
EC + EV 3kT m*n
la bande interdite , d’une quantité Ln( * ) .
2 4 mt
le niveau de Fermi n’est exactement au milieu de la band interdite que si est seulement si
3kT m*
m*n = m*t . La quantité Ln( n* ) est généralement assez petite, ce qui permet de supposer
4 mt
que dans un semiconducteur intrinsèque, le niveau de Fermi est au milieu de la band interdite.

5. SEMICONDUCTEUR EXTRINSEQUE :

Pour calculer la concentration n et p à partir des formules (18 et 19) il faut savoir la position

du niveau de Fermi par rapport à l’énergie de l’électron E.

Soit un semiconducteur contenant des atomes donneurs de concentration Nd et d’énergie Ed

8
n

EC
Ed
F

p EV

Fig.3. Semiconducteur de type n

L’équation de neutralité pour un semiconducteur est

(n + n ) (p + p ) = N
d a d Na (22)

n et p sont les concentrations des électrons et trous dans les bandes de conduction et de

valence.

N d et N a sont les concentrations des atomes donneurs et accepteurs.

n d et p a sont respectivement les concentrations des électrons et trous dans les niveaux

donneurs et accepteurs.

Pour un semiconducteur de type n (Na=0 et pa=0) il nous reste que :

n + nd - p = Nd (23)

Aux très basses températures, les seuls électrons qui sont dans la bande de conduction

proviennent du niveau donneur sous l’effet de l’ionisation thermique. Par contre, et dans ces

très basses température, les électrons de la bande de valence ne peuvent pas quitter leurs

niveaux vers la bande de conduction c’est-à-dire : la concentration des trous p=0, alors

l’équation de neutralité devient :

n + n d = Nd (24)

Le calcule de nd, la concentration des électrons sur le niveau donneur nécessite la fonction de

distribution des électrons sur le niveau d’impuretés.

9
1
fe =
1 E -F
exp i +1
gi kT
gi: degré de dégénérescence du niveau d’impuretés

Pour Ei=Ed (centre donneurs) alors gi=2.

Pour Ei=Ea (centre accepteurs) alors gi=1/2.

Donc la fonction de distribution des électrons sur le niveau donneur fed est :

1
f ed = ,
1 Ed - F
exp +1
2 kT
Pour les trous sur le même niveau : f td = 1 - f ed

La fonction de distribution des électrons sur le niveau accepteur fea est :

1
f ea = ,
E -F
2 exp a +1
kT
Pour les trous sur le même niveau : f ta = 1 - f ea

Alors,
Nd (25)
nd =
1 E -F
exp d +1
2 kT

5.1. Concentration des électrons aux basses températures :

a/ Aux très basses températures

L’équation de neutralité,

n + n d = Nd

Nd Nd
n+ = Nd ⇒ n =
1 E -F F - Ed
exp d +1 2 exp +1
2 kT kT

L’équation (18) nous permet d’écrire

F - EC Nd
N C exp( )= (26)
kT F - Ed
2 exp +1
kT
F
Posons : x = exp( ) , L’équation (26) devient :
kT
10
1 E N E + Ed
x 2 + ( exp( d )) x - d exp( C )=0
2 kT 2N C kT

La solution de cette équation est :

1 E 8N @E
x = ( exp d )Ln[ 1 + d exp( d ) - 1] (27)
4 kT NC kT

avec @E d = E C - E d

Aux très basses températures (T ) alors NC est très petite, alors 8Nd>>NC. D’autre part

@E d >> kT .

8N d @E
Donc, exp( d ) >> 1 , ce qui permet de simplifier l’expression de x (équation 27)
NC kT
On trouve finalement le niveau de Fermi à partir de x comme :

E C + E d kT N
F= + Ln ( d )
2 2 NC
Avec l’équation (18)

On trouve facilement :

NC Nd @E d (28)
n= exp(- )
2 2kT

La concentration des trous dans ce cas est exprimée à partir de la loi d’action de masse :

ni2
p=
n

b/ Températures modérées :

Dans ce cas NC devient supérieur à Nd (expression 27)

8N d @E
<< 1 et exp( d ) proche de l’unité
NC kT
Alors,

8N d @E 1
1+ exp( d ) ⇔(1 + T)1/ 2 ≈ 1 + T
NC kT 2

d’où,

11
8N d @E 8N d @E
1+ exp( d ) - 1 = exp( d )
2N C kT NC kT

En utilisant l’équation (27) comme précédemment, on peut arriver à exprimer F et n

Nd
F = E C + kTLn
NC
Alors,

n = Nd (29)

ni2 ni2
p= =
n Nd

5.2. Concentration des électrons aux températures élevées :

Dans le domaine de haute température, n d ≈ 0 , et les trous commencent à apparaitre dans la

bande de valence. L’équation de neutralité (23) devient :

n - p = Nd (30)

On sait que,

n.p = n i 2

ni2
Alors, n - = Nd ⇒ n 2 - N d n i 2 - n i2 = 0
n

Nd 4n i 2 F - EC
n= (1 + 2 + 1) = N C exp( )
2 Nd kT
Ce qui donne,
Nd 4n i 2
F = E C + kTLn[ (1 + + 1)]
2NC N d2
a/ Températures modérées :

n i << N d

D’où,
Nd
F = E C + kTLn ( )
NC
et,
F - EC
n = N C exp( )
kT

12
n = Nd

b/ Hautes températures :

Dans ce cas : n i >> N d

ni
F ≈ E C + kTLn ( ) on trouve,
NC
n = ni

En utilisant l’équation (17), on peut retrouver,

E C + E V kT N
F= + Ln( V )
2 2 NC
Dans un semiconducteur extrinsèque non dégénéré, le nombre de porteurs varie

considérablement avec la température, les trois régime distingué précédemment sont montrée

dans le tableau suivant :

13
EC La concentration électronique :
Ed NC Nd @E d
n= exp(- )
F 2 2kT
La concentration des trous
EV
ni2
p=
n
Régime d’ionisation des impuretés

La concentration électronique :
EC
Ed
n = Nd
F
La concentration des trous
ni2
p=
n
EV

Régime de saturation

EC La concentration électronique :
Ed n = ni
F La concentration des trous
p = n = ni
EV

Régime intrinsèque

La figure suivante montre la variation de la concentration des électrons dans un

semiconducteur, les trois régimes de température sont bien visibles.

Ln (n)
Régime d’ionisation

Régime de saturation
des impuretés
Régime intrinsèque

1/Ti 1/TS 1/T

Fig 4. Concentration des électrons en fonction de la température

14
EXERCICES

Exercice 1

Quelle doit être à 300°K la différence minimale d’énergie entre le niveau EC et le niveau de
fermie F pour qu’on puisse utiliser l’approximation f b (E) = exp[ -(E-F)/kT] à la place de la
fonction de Fermi-Dirac et ne commettre qu’une erreur de 1%.

Solution :

f b (E) = exp[ -(E-F)/kT] (Distribution de Boltzmann)

1 (Distribution de Fermi-Dirac)
f n (E, F) =
E-F
1 + exp( )
kT
L’erreur r égale à :

fn - fb E-F
r= = exp( )
fn kT
E-F 1 E-F
Ln r = , r= ⇒ = -2Ln10
kT 100 kT

F-E
⇒ = 2Ln10 ⇒ F = E + 4.6kT
kT
La valeur minimale de E est E=EC ⇒ F - E C = 4.6kT

EXERCICE 2

Soit un semiconducteur (n-Ge), on augmente la température à partir du 0°K, calculer la


température à laquelle 10% des atomes donneurs sont ionisés. On
16 3
donne N d = 10 cm ,E d = E c 0.01eV .

Solution

Aux basses températures l’expression qui donne la concentration des électrons n

est donné par l’équation (28):

NC Nd @E d
n= exp(- )
2 2kT

La concentration des atomes donneurs est égale à Nd

15
EC
Ed
F
10%
T?

EV

On cherche la température T pour laquelle 10% des atomes sont ionisés, c’est-à-dire la

Nd
température où n =
10

Nd NC Nd @E d
= exp(- )
10 2 2kT

N d2 N C N d @E d
= exp(- )
100 2 kT

Nd @E d
= N C exp(- )
50 kT
On a pour le Ge ( m*n = 1.58m 0 )
m*n 3 / 2 T(°K ) 3 / 2
( NC = 2.5 ×1019 ( ) ( ) )
m0 300
Après le calcule on trouve N C = aT 3 / 2 où, a= 9.55 105cm-3

donc on peut écrire

Nd @E d
= aT 3 / 2 exp(- )
50 kT

Nd 3 @E d
Ln ( ) = LnT -
50a 2 kT

@E d
Si on pose @E d = kT0 T0 ==
k
Alors la relation précedente peut écrire comme

Nd 3 T
Ln ( ) = LnT - 0
50a 2 T

Nd 3 T T
Ln ( ) = Ln ( .T0 ) - 0 -
50a 2 T0 T
Nd 3 T T
Ln ( 3/ 2 ) = - Ln ( 0 ) - 0
50aT0 2 T T

16
T0
Posons : =x
T

L’équation devient

Nd 3
Ln ( 3/ 2 ) = - Ln ( x ) - x
50aT0 2
A.N :
2
Ln ( x ) = 7.33 - x
3
La solution de cette équation est exprimée graphiquement comme suit :

10

4
Y

-2
0 2 4 6 8 10
X

2
Le point d’intersection entre y = Ln( x ) et y = 7.33 - x est x = 7.97
3
T0 116
Alors = 7.97 ⇒ T = = 14.55°K
T 7.97

Exercice 3

Trouver la position du niveau de Fermi et la concentration en fonction de T dans de un semi-

conducteur intrinsèque. Comment change la concentration si on augmente la température de


4
200 à 300K. On donne : E g (eV) =0.785 - 4.10 T.

17
EXERCICE 4
15
La concentration des électrons dans un semi-conducteur intrinsèque à 400K est 1.38 10
3
cm- , calculer le produit des masses effectives des électrons et des trous si :
-4
Eg(eV) = 0.785 - 4 .10 T .

EXERCICE 5

Donner la liaison entre la concentration et le niveau Fermi dans un semi-conducteur si la loi -

de dispersion est sous la forme de E n (k ) = E c +(1 - a k 2 ) h 2 k 2 2m n , a est constant

EXERCICE 6

Trouver l'intervalle de température dans lequel la concentration des électrons est constante est

égale à la concentration des donneurs. Trouver les limites de cet intervalle dans le cas du Ge

dopé avec une concentration de 21015 cm 3


atomes donneurs qui constituent un niveau

énergétique E d = E c - 0.01eV , si la largeur de la bande interdite change par la loi

E g = 0.785 - 4.10 4 TeV .

18