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{PB /ENSEIRB-MATMECA / lire Electronique (2 ange 20122013, 8. Azzopardi Corrigé TD1 Convertisseurs non isolés Dans les convertisseurs non isolés, la charge et la source sur laquelle est prélevée I'énergie ont le méme potentiel de référence. Par exemple, dans les micro-ordinateurs de type PC, I'alimentation générale délivre une tension de 12V a partir de laquelle un convertisseur génére la tension d’alimentation du microprocesseur. La valeur de cette tension dépend du type de mictoprocesseur utilisé, mais cle est actuellement toujours inféricure a SV. Il n’est pas nécessaire d’introduire un isolement galvanique entre le microprocesseur et la sortie 12V de l’alimentation générale car celle-ci est «flottante ». De plus, le coat d’un convertisseur non isolé est inférieur celui d’un modéle isolé. Dans ces conditions, la « masse» de sortie 12V et la masse de V'alimentation du microprocesseur sont ‘au méme potentiel. Nous présentons ci-dessous I’étude de trois structures classiques de convertisseurs non isolés qui ne possédent qu'un interrupteur commandé. Cette étude est loin d’étre exhaustive car il existe de trés_nombreuses structures de convertisseurs non isolés. Néanmoins, les raisonnements présentés pourront étre appliqués de la méme maniére pour analyser le fonctionnement d’autres convertisseurs, Pour tous les convertisseurs étudiés, l'interrupteur commandé K est actionné pério a la fréquence f= 1/7. Il est fermé entre les instants 0 et a et les instants homologues et ouvert pendant le reste de la période, On se place en régime permanent, clest-A du montage évoluent de maniére périodique, ire que I’on suppose que les courants et tensions On suppose aussi que la capacité du condensateur de sortie C est suffisamment élevée pour pouvoir négliger l’ondulation de la tension de sortie devant sa valeur moyenne. Tous les composants sont supposés idéaux : pas de chute de tension directe dans les interrupteurs, pas de recouvrement inverse pour la diode, pas de pertes dans I’inductance, Selon que le courant iy s’annule ou pas au cours de la période de découpage, on distingue deux régimes de fonctionnement : conduction continue ou discontinue. Nous les étudions dans cet ordre en examinent au passage le régime de conduction critique, frontiére entre les deux régimes de fonctionnement, |B / ENSEIRE-MATMECA Fie Electronique 2" année 20122013, 8. Azzopardi 1. Le convertisseur abaisseur de tension (BUCK) 1.1, Conduction continue 4 SI, ‘Schéma du convertisseur BUCK Commande de K Lorsque le convertisseur fonctionne en régime de conduction continue, on observe deux phases de fonctionnement qui correspondent a l'état de I’interrupteur K © 0 0. ‘A chaque instant, I’équation de la maille de sortie s’écrit : v(t) = vi(t) + vst), soit en valeur moyenne V= Vi + Vs Calculons Vi 1 16, di yt LL (O)=5 fr.ar= 7 frSPat = zhao = Fico Or comme le courant i, (t) est périodiquei, (T) =i,(0), d’oa (v,()) =0 Done puisque la valeur moyenne de la tension aux bones d"une inductance parcourue par un courant périodique est nulle, V = Vs Comme v(t) > 0, V est un nombre positif et nous en déduisons que Vs > 0. Pendant la phase ©, K est fermé. La tension v est égale a Ve et la diode D est donc bloqueée. ‘A ouverture de K, D entre en conduction pour assurer la continuité de I, et v = 0 pendant la phase > Calculons la valeur moyenne de vp (t) (,o)=+ fra -7 hia {PB /ENSEIRB-MATMECA / Flee Eleetonige /2°* année 20122013 S. Azzopardi Comme Vs < Ve, le convertisseur est un montage abaisseur de tension et nous observons que sa tension de sortie est indépendante de la charge R. Pendant la phase 1, K est traversé par le courant i: qui croit linéairement a partir de 1; Puisque L voit a ses bornes la tension positive Ve - Vs Pendant la phase 2, D est traversée par le courant i qui décroit linéairement partir de Is Puisque L voit a ses bornes la tension négative -Vg Les variations correspondantes des courants et des tensions sont représentées en figure 2 0 oT T Courant et tersons en mode de conduction continue Calculons les valeurs moyennes des courants d’entrée et de sortie (0) = (4.0) +00) Calculons (i,.(t)) Guo) =F ficcoat =p ict, Fe favce Fb.-v,0] Or comme le courant i, (t) est périodique v, (T) = v,(0), d’ot (i) =0 Done puisque Ia valeur moyenne du courant parcourant un condensateur aux bones duquel la tension est périodique est nulle, alors (i, (t)) = (i,(t)) [PB /ENSEIRB-MATMECA / Fire Electronique" année 20122013 8. Azopasd De plu J,(on suppose un rendement de 100%, et aucune dissipation dans les composants actfs et passifS, done la puissance en entrée est retrouvée en totalité en sortie). ‘Le courant de sortie est supérieur a celui d’entrée, le montage est done élévateur en courant. Regardons les contraintes électriques maximales imposées aux composants interrupteurs (tension a leurs bornes et courant conduit) K: Tkmwx = et Vix = Ve D: Ipmex =I et Vmax = Ve 1.2. Conduction critique Le rapport cyclique a étant constant, si R augmente, Is diminue. Lorsque R = Re, li = 0 et on se trouve a la limite entre les régimes de conduction continue et discontinue. Dans ces conditions : Courant et tensions en mode de conduction eritique [PB /ENSEIRB-MATMECA /Flée Electronique /2 année 20122013 S. Azzopardi Représentons les variations de Iso en fonction de a. Pour a = 1/2, la courbe passe par un maximum 1,,, =1¥7 8L 0 02 94 Variation de Iso en fonction de a Le convertisseur fonctionnant en régime de conduction continue (point P), lorsque R augmente, Is diminue. Lorsque Is devient inférieur a Iso, i, s’annule au cours de la période de découpage. La courbe de la figure 4 matérialise la frontiére entre ces deux modes de fonctionnement du convertisseur, 1.3. Conduction discontinue Le rapport eyclique a étant fixe, on augmente R. On observe que I, s"annule a t= ty et que la tension de sortie prend une valeur supérieure 4 aVp car bien que Is soit inférieur Iso, R est supérieure 4 Ro. Dans ce cas, on observe trois phases de fonctionnement : * 0t> Av, On est done amené a prendre un condensateur de capacité plus importante que nécessaire pour avoir une résistance série plus faible. On peut y parvenir en connectant n condensateurs identiques en paralléle. Dans ces conditions, le condensateur équivalent présente une inductance et une résistance série n fois plus faible et une capacité n fois plus élevée que celle du condensateur élémentaire. Notons cependant que la fréquence d’autorésonnance du condensateur équivalent est identique & celle du condensateur élémentaire. En général, la fréquence de découpage du montage est supérieure @ la fréquence d’autorésonnance du condensateur de sortie mais cela ne géne pas le fonctionnement du montage. 1B / ENSEIRB-MATMECA / ii Elcsonigue 2" année 2012-2013, S.Aazopasdt 2. Le convertisseur élévateur de tension (BOOST) 2.1. Conduction continue u Vo ir, py ede reed ty vel vel \ L J» Rl rd ic} 1 a Commande de K ‘Schéma du convertisseur BOOST Lorsque le convertisseur fonctionne en régime de conduction continue, on observe deux phases de fonctionnement qui comespondent & l'état de linterrupteur K: . 0 0. ‘A chaque instant nous avons: i, (t) = i, (t)+i,(t) soit en valeur moyenne (i,(t))= (c(t) +(i,(0) dans le condensateur est nulle. Comme la valeur moyenne du courant dans la diode est un nombre positif, il sen suit que Vs > 0. vy, Fz Puisque la valeur moyenne du courant ‘Avec ce type de convertisseur, contrairement au cas précédent, la source Ve fournit constamment de 'énergie. Lorsque l'interrupteur K est fermé, la tension vx est nulle et Ve est appliquée aux bornes de L. Le courant iy, croit linéairement a partir de I; et la diode D est bloquée. ‘A Touverture de K, D entre en conduction et vx = Vs La tension Ve-Vs est appliquée aux bornes de L et iy décroit linéairement jusqu'a I; puisqu'il est périodique. II s'en suit que Vs >Ve. [PB /ENSEIRB-MATMECA / Filtre Electronique /2°* année 20122013 S. Azzopardi Courants et tensions en mode de conduction continue Calculons la valeur moyenne de v«: 0) Ce rapport a une valeur supérieure & 1 (d’ot le nom de convertisseur élévateur) et est indépendant de R. Intéressons nous aux valeurs moyennes des courants d'entrée et de sortie. Il apparait immédiatement que Je montage est abaisseur en courant, Les composants de la cellule de commutation sont soumis aux contraintes électriques maximales suivantes: K : Tkmax = 12 et Vimax = Vs D2 Imax =p et Vimax = Vs [PB /ENSEIRB-MATMECA /Fiie Electronique /2"* année 2022013 8. Azzopardi 2.2. Conduction critique La valeur de a étant fixée, si on augmente R. la puissance fournie a la charge diminue et le aussi. Lorsque I = 0 on atteint le régime de conduction critique. aL 0 aT T Courants et tensions en mode de conduction eritique Les valeurs moyennes des courants d'entrée et de sortie sont alors respectivement égales a: 1V,._1T eg =+2a(1-a)v, ae spo oY, seat a 2™: Ibo passe par un maximum égal a -[-* pour a= 0, 5 pee RLY Iso passe par un maximum égal a =~ pour a= 1/3 [PB / ENSEIRB-MATMECA /Flée Electronique /2™* année 20122013 S. Azzopardi Lorsque Is diminue, le convertisseur quitte le fonctionnement en régime de conduction continue lorsque le point de fonctionnement P franchit la ligne Iso Variation de Io €t Igo en fonction de a 2.3. Conduction discontinue Le rapport eyclique a étant fixe, on augmente R. On observe que i tension de sortie prend une valeur supérieure a MV Courant et tensions en mode de conduction discontinue Dans ce cas, on observe trois phases de fonctionnement IB /ENSEIRB-MATMECA / File leronique / 2°" année 20122013 S. Azzopardi © 0 0,5, De plus, il apparait que: [M| = Muck X Migoss selon la valeur de a le montage sera élévateur ou abaisseur de courant. Les composants de la cellule de commutation sont soumis aux contraintes suivantes: K : Tkmax = Io et Vimax = Vi -Vs et D : Ipmax = Ia et Vomax = Vi -Vs 3.2, Conduction critique Si R augmente & @ constant, la puissance fournie a la charge diminue, Ir et Ii aussi. Lorsque 1; = 0, on atteint le régime de conduction critique (figure 18). ‘Courants et tensions en mode de conduction critique [PB / ENSEIRB-MATMECA / ile Electronique /2"" année 2012-2013, 8. Azopasd Calculons la valeur moyenne de i, oat Mor 2 2L A chaque instant, on a i,(t)=i,(t)+i,(t), 4 08 (i, (0) Par suite, ILo = Io ~Iso Exprimons Iso en fonction des autres grandeurs: ho 5 pour a= 0 (valeur toute théorique car si a= 0, il nly a plus de transfert d’énergie), d'oit les expressions de Iso et Ito: Iso atteint sa valeur maximum I, Iy= Iso =Isou (1a)? 1. =ho = hom (I-a) Variation de Iso/Isou et Iuo/lyowen fonction de a Partant du point de fonctionnement P. lorsque R augmente, on change de régime de fonctionnement lorsque P franchit les courbes limites 3.3. Conduction discontinue Le rapport cyclique a étant fixe, on augmente R. On observe que iy s’annule a t= tl et que la tension de sortie prend une valeur supérieure MV (supérieure en valeur absolue) Dans ce cas, on observe trois phases de fonctionnement : [PBJ ENSEIRB-MATMECA / Flite Electronique 2" année 20122013 S. Azzopandh © 0St= t): dés que Ves= Via, le transistor MOSFET commence a conduire (fort Vps et faible Iprary: zone active) et Ipgam croit linéairement, Tant que Ipraw t;: la croissance de Vos reprend jusqua atteindre la valeur de Voc (tension @alimentation du circuit de commande fournissant Ig). => Pour faire passer Vo: charge égale & Qo. 0A Vecle suit de commande a du fournir une quantité de 2°. On souhaite faire fonctionner le transistor @ sa fréquence de commutation maximale. Diaprés le tableau 1, indiquer quelle est la valeur de cette fréquence ? On a remarqué sur les formes d’onde de la figure 3, que la commutation ne se faisait instantanément. Il existe un temps de commutation pour le passage de l’etat bloqué a I’etat passant (ct aussi pour le passage de l'état passant & I’état bloqué) comme indiqué dans le tableau I (extrait de la fiche technique du MOSFET) et la figure 5. oa Tain-On Daay Tine == Vos= av te Rize Time [a8 T=] pg | 19 = 198 tan | Turn 08 Deny Tine =p Ag = 180 le Fail time =o t= Riy= 1.80 See Fig. 10 Tableau 1 IPB /ENSEIRB-MATMECA / Filtre Electronique /2"* année 20122013 S. Azzopardi Figure 5 Si l'on souhaite faire commuter le transistor a sa fréquence maximale de fonctionnement, il est alors nécessaire de prendre en compte le temps a l’amorgage et le temps au blocage D’oli: finax = 1/(tdon + tr + tdoff + tf). On trouve fmax = 7,87MHz. 3°- On souhaite imposer une vitesse de commutation de tdon = 400ns et une tension Vos = 7,5V. Déterminer la quantité de charge de grille (annexe 2) qui doit étre apportée au transistor pour qu'il puisse commuter dans ces conditions, En déduire le courant de grille Ig. On donne Ip = 10A ; Vos = 28V 3 Vescru = 3,7V; Veo = 20V. La charge de grille (Qq) que doit fournir le circuit de commane va étre déterminée & aide de la figure 6. La quantité de charge de grille varie en fonction du courant de drain Ip et le tension Vps. Pour obtenir la valeur de Qo, il faut se placer a Ves = Vec = 7,5V, couper la droite Vos = 28V puis couper l’axe des abscisses. On peut lire : Qg = 17nC. Sachant que Qo = Iq * ton d’oi Ig = 42,5mA, [PB / ENSEIRB-MATMECA / File Electronique /™ annge S. Azzopardi Vgg 1 Sale-o-Source Voltage (V) FOR TEST CIRCUIT ‘SEE FIGURE 13 a 10 20 0 0 Qg, Total Gate Charge (nC) Figure 6 Comme le montre la figure 7, nous voyons bien que le courant de grille n'existe que lors des phases de transition, Figure 7 4°- Déterminer la valeur de la résistance de grille Rg a insérer sur la grille du transistor pour obtenir un temps de commutation taom Ona Vee = Verat + Ro*le + Ves ike Avec Vera: = 0,2V (saturation du transistor bipolaire NPN de la figure 2), Voc = 20V, Ig =42,5mA (pour le temps de commutation minimal) et Vesinivsie = OV. D’oit Rg = 4662. 5°. Proposer une solution pour que le temps de commutation & Vouverture soit différent du temps de commutation é la fermeture. 1B /ENSEIRB-MATMECA / Fire Eleronigue 2°" année 20122013 8. Azzopasdt Nous remarquons sur le tableau 1 que le temps de commutation est différent & l’'amorgage et au blocage. De ce fait, un courant de grille différent sera nécessaire pour la phase de blocage et done une résistance de grille différente. Afin de pouvoir obtenir un temps de commutation différent lors des transitions, le montage amélioré suivant est proposé : Feat & Ht Figure 8 La figure 8 montre un circuit de commande bipolaire (tensions symétriques +Vcc, ou +Vcc et =Vss) élémentaire, constitué d'un push-pull a deux transistors MOSFET de_ signal complémentaire (inverseur) et un circuit de commande bipolaire dont I’étage de sortie est constitué d’un push-pull & deux transistors bipolaires NPN et PNP. Sur le premier circuit ont été indiquées les résistances Roos et Roo permettant de contrdler séparément les vitesses de mise en conduction et de blocage. Le transistor MOSFET Te assure le décalage du niveau des tensions de commande et permet de commander le transistor Tp entre + Vec ici. A noter que la polarisation négative de grille (habituellement choisie entre ~5V et ~15 V pour les transistors 2 commande standard) améliore considérablement l'immunité du circuit de commande aux perturbations. Elle est indispensable pour les transistors utilisés dans les bras de pont 4 cause des dV/dt trés élevés que subissent les transistors, mais est également fortement conseillée dans toutes les autres applications. 6°. Evaluer la puissance dissipée dans le circuit de commande. Dans le cas de circuit de commande unipolaire (alimentation simple), on pourrait montrer que seule la phase de mise en conduction nécessite un apport d’énergie Wo de la part du circuit de commande rapprochée avec We = Vec.Qe Lors du blocage I’énergie necessaire & la décharge de la capacité d’entrée est entigrement dissipée dans la résistance de grille. Ainsi, la puissance Pg que devra fournir le circuit de commande a la fréquence de découpage f, vaut : Pe = f.Vec-Qe, Si on considére la fréquence de découpage maximale obtenue a la question 2°), on aura done Po = 2,67W (ce qui est énorme pour un circuit intégré). Si l'on considére une commutation de V'ordre de 200kHz, on aura Pg = 68mW (plus raisonnable). 1B /ENSEIRB-MATMECA / lize Electronique /2™ année 20122013 S. Azzopardi Corrigé TD4 Commutation de la diode et du transistor de puissance 1°. Commentaire sur la commutation de la diode et le transistor & partir du schéma de la figure 1 et de Vannexe I. Comme cela a été vu en cours, la topologie du circuit présenté par la figure 1 est celle d’un convertisseur abaisseur de tension ou hacheur série. Ce type de circuit est souvent utilisé pour alimenter des moteurs & courant continu 4 excitation série. En effet, les interrupteurs alternativement bloqués puis passant, et ceci de maniére opposée, permettent d’assurer une tension moyenne aux bornes du moteur (charge RL) proportionnelle & sa vitesse de rotation. “|r L Figure I : schéma du hacheur série Remarque sur la commutation de la diode (figure 2) La diode étant parcourue par le courant Ip, a t= 0, on ferme Vinterrupteur T. Le courant dans la diode décroit linéairement a partir de Ip avec la pente E/L (on suppose que E >> Vee): Simultanément, la tension aux bornes de la diode décroit faiblement & partir de Ven A t=to, le courant dans la diode est nul, mais il continue a décroitre jusqu’a Inv (qui est aus souvent noté Ire), valeur qu’il atteint a t= th). Il croit ensuite pour s’annuler t= ty Ente les instants t9' et ty’, difdt ~ E/L et ip <0 alors que vp > 0. La diode conduit en inverse alors que sa tension vp est toujours positive et c'est le circuit extérieur qui impose la loi «’évolution du courant. A partir de ty, la tension aux bornes de la diode diminue pour atteindre E a 'instant t= t, of di/dt = 0. La diode commence a retrouver son pouvoir de blocage et va maintenant imposer la loi d’évolution du courant dans la maille. Selon le type de diode, la croissance du courant sera plus ou moins rapide. Cette croissance entraine l'apparition d'une tension Ldifdt > 0 aux bomes de L et la décroissance de la tension aux bornes de la diode, A la fin de la commutation, la tension aux bornes de la diode est égale 4 E, Lorsque la diode conduit le courant Ir, elle est en régime de forte injection et dans la zone i faiblement dopée (cf. cours ECE), on a p =n >> Np. Pour que la diode retrouve son pouvoir de blocage, il faut évacuer les charges en exces, propres aux composants de type bipolaires. [PB /ENSEIRB:-MATMECA / Fie Electronique 2 année 20122013 S. Azzopardi C’est ce qui se produit entre les instants tg et tet la durée tre = t2 ~ ty est appelé temps de recouyrement inverse de la diode. L’aire correspondante entre l’axe des temps et le graphe est égale & Qre, opposé de la charge stockée dans la diode La charge stockée augmente avec Ir, di/dt et T;, Elle est responsable des pertes en commutation observées dans la maille. Test a noter que le courant négatif lié au phénoméne de recouvrement inverse dans la diode se retrouve dans le transistor (dépassement en courant par rapport au courant circulant dans la charge) comme cela est illustré en figure 3. odes apes 200 1000 ns Aides wlarapies 20 100 ns (@Pertes dans la mall: P=Q.Ef a (© Surtension (avalanche 7) Figure 2 : commutation de la diode — phénoméne de recouvrement inverse 2°. A partir des données techniques du transistor et de la diode (annexe 2 é 5), représenter ix(D, inf), vx(O et vol) Le graphe suivant illustre les allures des formes d’onde classiques courant et tension aux bomes de la diode et du transistor de puissance. Il est nécessaire de quantifier chaque grandeur. PR / ENSEIRB-MATMECA / ire Eleconique /2™ année S, Azzopasd Vine Figure 3 : allure des courants et des tensions pour la diode et le transistor Liste des grandeurs & déterminer > Pour la diode * typ temps de recouvrement inverse * Trey: courant inverse maximum = toag: temps pour lequel ip > 0 © tboq : on admettra pour simplifier l'étude que toy ton = ty: temps de fin du phénoméne de recouvrement inverse (t+ tout) = ty: temps pour lequel ip(t) = Team Von : chute de tension & I’état passant de la diode Vou : tension maximale aux bornes de la diode > Pour le transistor + Roson: résistance I’état de passant du transistor + Voson : chute de tension & I’état passant du transistor * gue? courant maximum dans le transistor * Via: tension maximale aux bornes du transistor 20122013 [PB /ENSEIRB-MATMBCA / Pitre Electronique 2" année 20122013 S- Azzopardi - Détermination de try On suit par hypothése que [eo D’aprés I'annexe 2 de la data sheet de la diode BYV29, pour 7; = 100°C et [>=10A, on lit tye = 195ns. 25Apst 4000 tet ns 10 (Ts 250—| Tj = 1000—— 25 100 1 1 10 dlFrat (Aus) Figure 4 : temps de recouvrement inverse = Détermination de Tense On sait par hypothése que fee) Diaprés I’annexe 3 de la data sheet de la diode BYV29, pour 7; = 100°C et [n=10A, on lit Tren= SA,us! Inm JA o4 Ta2c——| | ‘ie ll | 1 10 25 100 -clF ict (Alas) Figure 5: courant de recouvrement inverse 0.01 [PB / ENSEIRB-MATMECA / ive Electronique 2 année 20122013 S. Azzopardi Détermination de thog Jy __10 > tog eB dt 10% D’oi: tow = 400ns = Détermination de tm thug St Sly ipl) i ai-(0) Jew 3 vol), IB a 10% D* by = 1200s = Détermination de ty On en déduit la valeur de t= ty + tpog= 595ns ~ Détermination de Von D'aprés l'annexe 4 de la data sheet de ta diode BYV29, on s'apergoit qu’il n'y a pas de caractéristiques pour T; = 100°C. On peut done prendre le pire cas présenté pour T; = 150°C (courbe «max ») et extrapoler Ia caractéristique manquante. L’erreur d’appréciation reste relativement minime et n’aura que de trés faibles conséquences sur la suite des calculs. 20 Hees, ete esr cee et 10 Figure 6 : caractéristique directe de la diode D'ott: Vbon= 1,15V [DB / ENSEIRB-MATMECA / Fire Electronique 2" année 20122013 S. Azzopardi - Détermination de Roson Rosee(T)) Rosn(T, = 25°C) PRs mate = et Rosen, = 25°C) = 0,042 DYaprés I’annexe 5 de la data sheet du transistor IRFZ34N : Rosa T, 0004 00°C) PRs amass = TASQ = Rose T, = 100°C) = 145 *[Roseslomtce * [ip 28a] + Drain-to-Source On Resistance Vag = 10v so «5 2) 0 30 40 69 ab 100 120 140 700 190 Ty , Junetion Temperature (°C) Figure 7 ; résistance normalisée 4 l'état passant du transistor MOSFET en fonction de la température D’ot: Rasonuey = S8mQ - Détermination de Vson Voson = Rosoed os = 1,058" 10 D'ott: Vson = 0,58V = Détermination de Vw = 204115 Vea =Ve + Von Diod : Vaw=21,15V + Détermination de Ixse Daag = Ly + Tagg = 1043 [PB /ENSEIRB-MATMECA / Fite Eleconign 2" année 20122013 Azzopardi D’ott: Iew= 134. = Détermination de Vou La diode se trouve a état bloquée lorsque le transistor est passant, La tension inverse aux ‘bores de la diode sera de |Vpad = |Ve + Vason| = 20,58V. 3°- Représenter dans le plan Ix ‘commutations (Vx), la trajectoire suivie par le point (Ix, Vx) lors des ‘Afin de pouvoir représenter l’évolution de la trajectoire, nous allons considérer une représentation simplifiée du tracé Ix= f(Vx), pour laquelle les variations du courant et de la tension sont instantanées (pas de croissance ou décroissance limitée. . t Figure 8 : représentation simplifiée des formes d’ondes lors de la commutation du transistor D’oii Ia trajectoire du point de fonctionnement du transistor issue de ces caractéristiques idéalisées. Figure 9 : trajectoire du point de fonctionnement du transistor [PB / ENSEIRB-MATMECA / ise Electronique /2 année 20122013 S. Azzopardi A titre indicatif, on pourrait aussi s*intéresser a la trajectoire de commutation de la diode pendant les deux phases de commutation Figure 11 : représentation simplifiée des formes d’ondes lors de la commutation de la diode D’ou Ia trajectoire du point de fonctionnement de la diode issue de ces caractéristiques idéalisées, Figure 12 : trajectoire du point de fonctionnement du transistor 4°- Représenter Vallure des pertes p(t) dans le transistor et la diode En se basant sur les graphes de commutation relevés a la question 2, on admettra que les formes d’ondes de la puissance dissipée dans la diode et le transistor ont pour représentation celle indiquée par la figure 13. Tl faut surtout retenir que la forme d’onde est d’allure triangulaire au moment des ‘commutations. Les valeurs a prendre en considération, et qui donneront une estimation haute des pertes, sont les valeurs maximales du courant et de la tension & I’instant considéré [PB | ENSEIRB-MATMECA (Flee Eleeroniqu /2°* année 20122013 5. Azzopardi ot Mou To Vow 22 sag ‘Au niveau des applications numériques : © Ve" Tkw=260W © Ve*lp=200W © Roson "Ip? = 5,8W © [Vial * Trew = 61,740 © Vo: * I= 11,5W [PB / ENSEIRB-MATMECA /Fliée Bleeronigue 2" année aor22013 S- Azzopardi, Corrigé TDS Calcul de pertes dans la diode et dans le transistor de puissance / Dimensionnement de radiateur Analyse électrique 1% Calculer pour le transistor et la diode étudiés précédemment, et pour des fréquences de travail de f = 10kHz, SOkH:, 100kHz, 200kHz et 500kHz, les valeurs moyennes des pertes par commutation Peommusion des pertes par conduction Peonaucion et enfin des pertes totales. ‘Afin de pouvoir calculer les valeurs moyennes des pertes dans le transistor et dans la diode, nous allons considérer le graphe de la figure 1 11 faut noter = Au niveau du transistor, et pour des raisons de simplification, la non prise en compte de la zone entre ty ct ty au niveau de la commutation (on confond cette zone avec la zone de conduction). 3 zones & considérer : K1, K2 et K3. ~ Au niveau de la diode, la non prise en compte des pertes par commutation & Pamorgage (négligeables). 2 zones a considérer : D1 et D2. Figure I : Calcul des pertes en commutation et en conduction par approche graphique Calcul de la valeur moyenne des pertes dans le transistor 1 (ral) = Ef relate Tf relat = Maire, omnes +Are tn * Ate tone (Pel) = Aldtiree epee + Aire pmae)* AME, ante]=S [dite main + AIC nice] On peut identifier deux types de pertes : = les pertes en commutation [PB ENSEIRB-MATMECA / Fire Elstonique /2 année 20122013 S. Azzopardi = Wet tilt Ve * ly * tome Pome fet fea] (2 13* (400+ 120)* 10" =67,6*10%* 2 | f *Ip* tom | _ ¢| 20*10*400*10" | _ sng igee A | pete in | 40* 10° * f Pr conmutoion = 107,6* 10° * f - _ Ies pertes en conduction a ~ [Ro sa(Z i )fesers -[f-201 i} Calcul des pertes en fonction de la fréquence : f= lke W. Px snorage = 3,38W f= SOkHz Px commuaton = 5,38W Pk conduction = 2,75 W. Pk commutation = 10,76W. 3W PK conduction = 2,6W_ fq= 200kHz, [Pk canmtin= 21.52W Px t= 23,82W Px snr 3.80, fa= S00kHz Px commutation = 53,8W Px contusion = 1,39W. Px cout = 55,19W. Tableau 1: pertes dans le transistor PB /ENS IRB: MATMBCA / ilsre Bectronique 2" année 20122013, S. Azzopardi 60,00 10,00 0,00 conduction mblocage amorgage 110000 '59000 1100000 200000 500000 Fréquence de découpage (Hz) Figure 2 : évolution des pertes dans le transistor en fonction de la fréquence On remarque que Les pertes en commutation dans le transistor augmentent considérablement avec augmentation de la fréquence de découpage. Notons que l’amorgage du transistor est Jig au recouvrement inverse dans la diode générant des pertes augmentant aussi avec la croissance de la fréquence. Les pertes en conduction dans le transistor sont Iégérement réduites avec Paugmentation de la fréquence bien que la résistance & I’état passant augmente avec la ‘température. Calcul de la valeur moyenne des pertes dans la diode {polt) 1 ff ro@ae= sf rp War = [Airey cmtnion + AIC sage] T On peut identifier les deux types de pertes : Po seas ™ fb brome fine o(E les pertes en commutation, qui se résument aux pertes au blocage les pertes en conduction [PB /ENSEIRB-MATMECA / ii Elecronigue/ 2" année 2012-2013, S. Azzopardi Calcul des pertes en fonction de la fréquence = 10kKe P commutation = 0,12W_ f= 50k 7 conduction : aoe Zx00 la diode Pertes dans 1,00 10000 50000 1100000 200000 500000 Fréquence de découpage (H2) Figure 3 : évolution des pertes dans la diode en fonction de la fréquence On peut remarquer que : - Les pertes en commutation dans la diode augmentent légerement avec l’augmentation de la fréquence de découpage. Ces pertes sont fortement dépendantes du phénoméne de recouvrement inverse lié au courant direct, a la décroissance du courant au moment du blocage et a la température de jonction du composant. - Les pertes en conduction dans la diode sont relativement importantes sont en diminution avec l'augmentation de la fréquence du fait qu’d un niveau de courant IPB ENSEIRB-MATMECA /Flite Eleetonique/2" année 20120013 S.Azampar donné, la chute de tension aux bores de la diode diminue avec la température de jonetion. 2° Caleuler le rendement du convertisseur pour les cing fréquences de découpage ci- dessus. Le rendement se calcule en effectuant un bilan des puissances transmises et dissipées. 7 — fan -_Vels at, 1, 0,5* 20*10 7 "py Vole peries aV,1,+¥.pertes 0,5*20* 10+). pertes Calcul des pertes en fonetion de la fréquence : f= 1OkKz = 91.59%. f= 50KKz n= 88,27% fy = 100kKz n= 84,45% fa = 200kKKz. n= 77,71%. fa = 500kKz. = 62,7% Tableau 3 : rendement Rendement (%) a — ° 1100000 200000 300000 ©=«#00000 == so0000 «600000 Fréquence de découpage (Hz) | Figure 4 : évolution du rendement avec la fréquence de commutation On s’apergoit que si I’on augmente fortement la fréquence de découpage, on va avoir une diminution du rendement directement lié 4 ’augmentation des pertes dans les composants. On ne tient pas compte ici des pertes dans les composants passifs. La fréquence intervenant dans Ie volume occupé par les composants passifs (inductance et condensateur), il faudra done faire un compromis en termes de dimensionnement. [PB /ENSEIRB-MATMECA / Fire Eleonique 2" année 20122013 S. Azzopardi Analyse thermique 3°- Quelques commentaires sur Vassemblage hybride représenté en annexe I. On rappelle sur la figure 5 l'agencement d’un assemblage de puissance mettant en évidence les différentes couches de matériaux : ~ la puce silicium d’épaisseur de ordre de 380m qui est le composant actif (diode ou transistor), ~ la puce est reportée & l'aide d'une brasure (souvent appelé soudure par abus de langage) qui assure la connexion électrique de la puce (la face inferieure étant une électrode), la tenue mécanique et le transfert thermique par conduction, ~ Ie substrat (circuit imprimé double face cuivre dont la face supérieure est gravée, la face inférieure est pleine) qui est composé de deux couches de cuivre et d’une couche disolant électrique (époxy, céramique ...), - le substrat est connecté & la semelle qui sert de dissipateur (surtout dans les applications moyennes et fortes puissances), - 'interface thermique assure une connexion thermique optimisée entre la semelle et le radiateur. Elle minimise la résistance thermique de contact, - le radiateur assure une bonne dissipation thermique. Sa résistance thermique dépend fortement de sa structure, nombre d’ailettes = g ; “ Cae] j Retint 3 Rthrad Transfert thermique par conduction (90%) Figure 5 : coupe de l'assemblage de puissance Afin détablir le schéma thermique équivalent, on peut noter deux chemins thermiques : l'un par conduction et l'autre par convection et rayonnement. On définit aussi les éléments suivants - Raye : résistance thermique jonction-boitier ou « junction to case » - Ranvr: résistance thermique de l’interface thermique YAS ~ Rarap : résistance thermique du radiateur - Raca : résistance thermique boiter-ambiant « case to ambiant » - Ty: température de jonction ou « junction » = Tc: température du boitier ou « case » = Ta: température de 'ambiante [PD / ENSEIRB-MATMECA / Flite Eleeronigu 2" année 20122013 S. Azzopardi Exemple d’assemblage faible puissance : boitier T0220 (référence BUP213, transistor IGBT 32A@1200V). ae Figure 8 : coupe du boitier mettant en évidence les différents couches de l'assemblage IPB / ENSEIRB-MATMECA / Fire Eleoronigue 2°" année 20122013 S.Azopand Pour la diode 4°. Sachant que pour une fréquence de découpage de 100kH:, la puissance totale dissipée est P= 5,06W, calculer la température du boitier et la résistance thermique correspondante au systéme de refroidissement. On donne Tj=100°C et T, = 50°C. On donne la valeur de Ruse = 2,6K/W. Dans cette question, on parle du systéme de refroidissement (dissipation par conduction, convection et rayonnement traduit par la résistance thermique Ryyea), et non pas seulement la résistance thermique boitier-ambiante Rac qui traduit le phénoméne de convection et de rayonnement. Ona donc le schéma thermique suivant Reb b Te Ret, T, Figure 9 : schéma thermique équivalent pour la diode et son assemblage T-T, Ruse + Raves Les grandeurs P (puissance totale = puissance dissipée en commutation + puissance dissipée en conduction), Rise, T; et Ta sont connues et valent respectivement : 5,06W ; 2,6K/W ; 100°C et 50°C. A partir de ce graphe, on a la relation suivante: P On sait que T=100°C et que Pp.ioat = Po commustin + Pp_conncion. On peut donc trouver la A valeur de Te sachant que Pp yg) = a © ce qui donne Te = 86,84°C. De ce fait, on peut en déduire la valeur de Ruvca avec Rye, = 22 = Cod Ravea = 7,28°C/W. On note que ce systme de reffoidissement n'est pas trés efficace, ce qui explique la forte température de jonction (T; = 100°C) au niveau de la puce silicium. Remarque : la valeur de Riyca n'incluant pas de radiateur est beaucoup plus élevée que quelques °C/W (voir polycopié de cours). Une valeur faible de cette résistance peut indiquer que Rica tient aussi compte du systéme de refroidissement et done correspond & la résistance thermique Rwca. 5°- On se place dans le cas particulier d’une mono impulsion de durée 100ms (annexe 3). Quelle élévation de température de jonction obtient-on (annexe 4) ? On considéra la méme puissance et le méme systeme de refroidissement qu’é la question 4°. 1B /ENSEIRB-MATMECA / ili Electronique 2 année 20122013 S. Azzopardi Les graphes de la figure 10 illustre I’évolution de la température au sein du composant actif en fonction du temps de conduction (ou rapport cyclique) du composant. UBULU, oor 5 Uno q enti xy Poeun Zapata Rene etn preface Pa nZen jf -000 i a a we rs) . te 7 ro ro Figure 10—Variation de la température de jonetion ‘en fonction de la durée de l'impulsion de puissance Dans les cas (a) et (b), les régimes permanents thermiques sont atteints et la température de jonction se stabilise autour d'une valeur moyenne. Dans ces cas, la valeur de I’impédance thermique a la fin de 'impulsion de puissance est identique a la valeur de la résistance thermique. Dans le cas de la mono-impulsion avec une période qui temps vers l'infini (cas c), on ne parle pas de résistance thermique mais d’impédance thermique. Ce test permet en fonction de la durée de l'impulsion appliquée, de déterminer la faculté de l'assemblage & évacuer la chaleur et de tester I’échauffement d’un assemblage. Dans le cas de l'exercice, on suppose que P = 5,06W et la durée de 'impulsion est de 100ms. On peut alors déterminer la valeur de impédance thermique Zisc (équivalent & Zyy.ve) et ainsi remonter & la valeur de l’élévation en température de la diode en se basant sur le graphe de la figure 11 et en utilisant l’équation suivante : AT = 7, -T, = 9 Tiansien! thermal impedance, 2h -mb (KN) 1 0.01 E COM Mart yy LUT ari us 10us 100us ims 10ms 100mé ts ‘pulse width, tp (=) Figure 11 — Evolution de V'impédance thermique en fonction de l'impulsion de puissance et du rapport cyclique On lit : Zaye = 2K/W d’ot AT = La température de jonction sera done T, sw Zysc = 5106 * 2 = 1012°C 6+ Po sat Zaye = 60,12°C [PB /ENSEIRB-MATMECA Fie Elecronigue 2 année 20122013 S. Azzopardi Pour le transistor 6°. En utilisant la courbe de variation de la résistance Rpsjon) normalisée en fonction de la température présentée en annexe 5, tracer la courbe P =. Dans le transistor circule un courant dont la forme d’onde peut étre assimilée a celle présentée par la figure 12, Dans le cas présenté ici, et pour avoir une approche plus simplifige, on néglige le courant de recouvrement inverse de la diode. 1 1 Figure 12 ~ Allure du courant dans le transistor MOSFET A I’état passant, le transistor MOS de puissance se caractérise par sa résistance équivalente Rosen qui a la particularité d’étre fortement dépendante de la température comme le montre le graphe de la figure 13. i TE i HT Zé — | é “Ty { a I veg tov Ty , Junction Temperature (°C) Figure 13 : Rosoy normalisée du transistor MOSFET en fonction de la température La puissance dissipée dans le composant lorsque celui-ci est a I’état passant est de la forme Px totai(Ts) = Roson * Inert” avec Inerr valeur efficace de Ip. Le calcul de la valeur de Ipeq? est basée sur le calcul de la valeur efficace a partir de la forme d’onde en courant de la figure 12. bet IPB / EXSEIRB-MATMECA / Filtre Eleewonigue /2 année 20122013 S. Azzopardi Sachant que le temps de conduction du transistor est tas = 0,5*T, alors Ipeqr = 50 A®, Et done Px soai(Ts) = $0 * Rosow)(Ts)- La valeur de Rosox est obtenue & partir du graphe de la figure 13 qui illustre I"évolution de la . oie Zi ars ‘ résistance drain-source normalisée R241) 4 1 état passant en fonction de la température de jonction du composant silicium, Tl est done nécessaire de trouver Ia valeur de référence pour laquelle cette courbe a été tracée. Cette valeur de référence est donnée pour un rapport égal A 1. On a donc Tarr = 25°C ct la valeur de Rosox pour T; = 25°C est donnée dans Pénoneé, avec Rysox = 0,040. 11 est donc maintenant possible de tracer I’évolution de P en fonetion de T; (figure 14). On rappelle que les valeurs réalistes de T; varient plutdt de 40 a 150°C. Il est trés peu probable de trouver des T; négatives du fait que lorsque le composant est en fonctionnement les pertes dissipées engendrent un auto-échauffement qui fait croitre la température de jonction. Pour aspect mathématique, la courbe est tracée pour -40°C < Ty < +140°C. tT [40 [20 [o [20 [25 [40 [oo [80 [100 | 120 _| 140 Rosm | 0,028 | 0,031 | 0,035 | 0,039 | 0,04 | 0,044 | 0,048 | 0,053 | 0,058 | 0,064 | 0,071 Pru [L4 [158 [1,76 | 1,94 |2 [22 [24 [2,66 [2,92 |3,2 | 3,56 Tableau 4 : puissance dissipée dans le transistor MOSFET (loi électrique) * = z / zg i pee ©» ws » wo wo w wo mo Wo 10 Température) Figure 14 : évolution de la puissance dissipée & l'état passant en fonction de la température de jonction du transistor MOSFET (équation de linéarisation fournie par EXCEL : Px.soto(T) 10118*T y+ 1,7637) [PB /ENSEIRB-MATMECA / Flix Electronique /2"* année 20122013 8. Azzopardi 7°. On prend en compte maintenant les résistances thermiques Ruse et Rurcu Sachant que Ja température ambiante est T, = 50°C et que Rusc= 2,2K/W, déterminer T; dans les trois cas suivants : Roca = 24 KW, Raves = 8 K/W et Res = 30 KW (valeur un peu extréme). Discuter les résultats obtenus. On s'intéresse maintenant au systéme en considérant I’aspect thermique. Dans cette question, fon considére comme dans la question 4 de la partie sur la diode, que Rayca représente ensemble du systéme de refroidissement. On a done de nouveau le schéma thermique suivant Ri ihe, T, Figure 15 : schéma thermique équivalent pour le transistor et son assemblage On va caleuler P(T)) a partir de la relation P, avec Ruyca qui sera égale soit & 2,4K/W soit SK/W soit 30 K/W. Pour Rwvea = 2.4K/W. 1 {-40_[-20 ]o [20 [25 [40 [60 [80 [100 [120 [140 Ps wea_|-19,56 | 15,22 | -1087 | -6,52 | -$.43 | -217 [217 | 6,52 | 10,87 115,22 119,37 Pour Rayca= T|40_[-20 To 20 [25 [40 [0 [80 [100 [120 | 140 Pr wou |-8,82 | -6,86 [-49 [-2.94 [2.45 |-0,98 [098 [2.94 [4.9 | 6,98 | 882 Pour Ryvca = 30K/W. T 40-20 [o [20 [25 [40 [60 [80 [100 [120 [140 Prot |-28 1-217 [155 | -0.93 | -078 [-0.37 [0,37 [093 [155_|217 128 Tableau 5 : puissance dissipée dans le transistor MOSFET (lois thermiques) En reportant les courbes issues des lois thermiques sur le graphe précédent (figures 16 et 17), il apparait que seules deux courbes de loi thermique coupent la courbe répondant a 1a loi électrique issue de la question 6. De ce fait, seuls les systémes qui auront un point commun. avec Ia loi thermique pourront justifier dun point d’équilibre. Ce point commun est un point de repos thermique pour le systéme. Il en résulte que la valeur de T; cherchée pour les trois cas considérés Ravea: Reva 59°C. 78°C. Ty L’intersection de la loi électrique avec la loi thermique pour Rwca= 30K/W pourrait se faire mais pour des températures T; trop élevée pour que le systéme puisse fonctionner (environ 180°C). On rappelle que Timm est de ordre de 150%C pour les composants de puissance (donnée constructeur). [PB /ENSEIRB-MATMECA / Fire Electronique 2" année 20122013 8. Azzopardi Pulssancedssipée (WW) sais a= = RAL ae Me rnca2|_| [-e-rincas Température (°C) Figure 16 : tracés des lois thermiques et intersection avec la loi électrique Puissance dissipge (W) 0 4 2 0 2% 4 6 80 100 120 140 160 ‘Température(°C) Figure 17 : tracés des lois thermiques et intersection avec la loi électrique (zoom) [PB /ENSEIRB-MATMECA Fie Elestonique 2°" année 2012-2013 S. Azzopardi 8°. On souhaite détailler le systeme de refroidissement. Déterminer la longueur minimale du radiateur (on dispose des profilés CO190P et CO8S4P donnés en annexe 6) @ utiliser pour limiter la température du transistor & Ts = 60°C. On prendra en compte la présence d'une interface thermique de résistance thermique égale & 0,7 K/W. Dans cette question, on s’intéresse au calcul de Réyss (résistance thermique du radiateur) pour limiter Ia valeur de Tj. L’obtention de la valeur de Rama permettra de dimensionner la Iongueur (suivant l’axe z) du radiateur de type CO190P et CO8S4P dont les coupes sont données ci-aprés. Profilé CO190P Profilé CO8S4P- Figure 18 : Profilés disponibles Commentaires : On rappelle que la résistance thermique est inversement proportionnelle & la surface du radiateur. Cette dernigre peut étre considérablement augmentée par le rajout dailettes mais cela va aussi impacter sur l'augmentation du cout du radiateur. Pour cette question, le schéma thermique qu’il faut considérer maintenant est le suivant : Rthye Raber t Te Tra % 1, Figure 19 : nouveau schéma thermique d considérer La température de jonetion ne doit pas dépasser 60°C. Sur le graphe de la figure 18, on peut en déduire la valeur de la puissance dissipée pour Ty; = 60°C. En s’aidant de I’équation de linéarisation, on obtient Px. wa = 2,47W. Les valeurs de Rayc et de Rais sont données dans I’énoneé (Rac = 2,2K/W et Rese = 0,7K/W) ainsi que la valeur de Rca qui est fournit dans la notice technique du transistor MOS de puissance. On peut lire Rosa (oo Rasa = Rasc + Raca Sans radiateur) qui a pour valeur maximale 62K/W. D’oti une valeur de Risca = 59,8K/W. IPB / EXSEIRB-MATMECA (Flite Eleewoniqu 2°" année 20122013 S. Azzopardi -T, Rave * Bucs “Rain + Rerat) valeur de Rang et donc remonter & la valeur de la longueur des profiles sélectionnés. Aprés calcul, il vient que Rsraa = 1,3K/W. Une approximation qui consisterait 4 ne pas considérer les effets liés & la convection et le rayonnement nous donnerait Rawsa = 1,1SK/W (erreur relative de 11,68%). En utilisant Ia formule suivante Py gay = on peut caleuler la — Puissancedissipée (W) re ee ee Températur®PO) Figure 20 : obtention de la valeur de la puissance limitant T; 4 60°C En reportant la valeur de Rayna = 1,3K/W sur les deux graphes de la figure 21 pour obtenir la Iongueur des profilés nécessaires pour maintenir T; = 60°C, on remarque que ces deux radiateurs peuvent satisfaire le cahier des charges. On lit Rawraa(conor) = 55mm et Riraacosssn) = 159mm. 50100150200 so 100150200, Profilé CO190P Profilé CO8S4P Figure 22 : résistance thermique des profilés disponibles