Dispositivos Electrónicos

Dispositivos
Electrónicos
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS 2
Prof. ORTIZ VERGARA, Martin William UNE

Índice
Presentación 5
Red de contenidos 7
Unidad de Aprendizaje 1
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DISCRETOS 9

1.1 Tema 1 : Los componentes electronicos 11
1.1.1 : Los sistemas electronicos 11
1.1.2 : Clasificacion de los componentes electronicos 12
1.1.3 : Importancia del Datasheet 14
1.2 Tema 2 Simbolos y diagramas electronicos 21

1.2.1 : Simbolos electrónicos mas comunes 21
1.2.2 : Los diagramas pictoricos 24
1.2.3 : Los diagramas esquematicos 28
1.2.4 : Los diagramas en bloques 29
1.3 Tema 3 Los semiconductores y el diodo 34

1.3.1 : Los semiconductores intrínsecos y extrinsecos 34
1.3.2 El diodo 34
1.3.3 : Tipos de diodo 38
1.3.4 : Funcionamiento básicos de los diodos 38
1.3.5 : La juntura PN 38
1.3.6 Polarizacion directa
1.3.7 Polarizacion inversa
1.3.8 Circuitos electrónicos con diodos
1.4 Tema 4 El diodo Zener

1.4.1 Caracterisitcas del diodo Zener
1.4.2 Mediciones del voltaje Zener
1.4.3 Circuitos electrónicos con diodos Zener
1.5 Tema 5 Circuitos Rectificadores

1.5.1 Rectificador de media onda
1.5.2 Rectificador de onda completa con derivación central
1.5.3 Rectificador de onda completa con Puente Graetz
1.5.4 Rectificador de onda completa con filtro por condensador
1.6 Tema 6 Multiplicador de Tensión

1.6.1 Duplicador de voltaje
1.6.2 Triplicador de voltaje
1.6.3 Cuadriplicador de voltaje

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS BIPOLARES BJT Y FET 41
2.1 Tema 7 : El transistor Bipolar o BJT 43
2.1.1 : Breve historia 43
2.1.2 : Clasificacion de los Transistores bipolares 43
2.1.3 : Polarizacion de lostransitores bipolares 45
2.1.4 : Identificación del punto de presencia 46
2.1.5 : Corrientes en un transistor
2.1.6 : Transistores en montajes superficiales
2.1.7 : Caracterisiticas eléctricas y fidicas de los transistores bipolares
2.2 Tema 8 : Polarizacion de transistores bipolares o BJT en función al 48

punto Q
2.2.1 : Polarizacion de corriente de base constante 48
2.2.2 : Polarizacion con realimentación por colector 48
2.2.3 : Polarizacion tipo H o universal
2.2.4 : Polarizacion con dos fuentes
2.3 Tema 9 : Circuitos amplificadores de audio con BJT

2.3.1 : Circuito aplicativo Nº1
2.4 Tema 10 : El transitor de Efecto de Campo (FET)

2.4.1 : El JFET
2.4.2 : El Mosfet
2.4.3 : Circuitos aplicativos
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE CUATRO CAPAS:TIRISTORES 81
3.1 Tema 11 : El SCR (Rectificador Controlado de Silicio) 72
3.1.1 : Funcionamiento del SCR 73
3.1.2 : Circuitos de diseño electronico con SCR 73
3.1.3 : Circuitos de aplicación 77
3.2 Tema 12 : El TRIAC 81

3.2.1 : Funcionamiento del TRIAC 81
3.2.2 : Circuito de aplicacion 83
3.3 Tema 13 : El DIAC 81

3.3.1 : Funcionamiento del DIAC
3.3.2 : Circuito de aplicacion
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS INTEGRADOS
4.1 Tema 14 : Reguladores lineales intregrados 81
4.1.1 : Modelos básicos de reguladores integrados.
4.1.2 : La serie LM78XX.
4.1.3 : Regulador fijo.
4.1.4 : La serie LM79XX
4.1.5 : Fuentes reguladas simétricas.

4.1.6 : Reguladores ajustables.

4.1.7 : Tabla de regulación.
4.2 Tema 15 : Amplificador operacional 81

4.2.1 : Amplificadores Operacionales.
4.2.2 : El Amplificador operacional ideal.
4.2.3 : Configuraciones básicas del Amplificado Operacional
4.2.4 : El Amplificador Operacional como comparador y la familia 311
4.2.5 : Aplicaciones de los Amplificadores operacionales.
4.3 Tema 16 : El temporizador 555 81

4.3.1 : El circuito temporizador
4.3.2 : Diagrama de bloques del IC 555
4.3.3 : Operación como monoestable y astable
4.3.4 : Aplicaciones del Timer 555

Presentación
Dispositivos Electrónicos pertenece a la línea de tecnología y se dicta en la
carrera de Electrónica Industrial. El curso brinda un conjunto de conocimientos y
estrategias técnicas que permite a los alumnos estar capacitados para diseñar e
implementar, a través de circuitos analógicos y digitales, aplicaciones
importantes para su carrera técnica profesional.
El manual para el curso ha sido diseñado bajo la modalidad de unidades de

aprendizaje, las que se desarrollan durante semanas determinadas. En cada una
de ellas, hallará los logros que debe alcanzar al final de la unidad; el tema
tratado, el cual será ampliamente explorado; y los contenidos que debe
examinar, es decir, los subtemas. Por último, encontrará las actividades que
deberá desarrollar en cada sesión, las cuales le permitirán reforzar lo aprendido
en la clase.
El curso aplica la metodología de taller, en ese sentido, recurre a técnicas de

metodología activa y trabajo cooperativo. Por esa razón, las actividades se
complementan con presentación de diapositivas, muestra de componentes o de
equipos completos para un mejor entendimiento. De este modo, se propicia la
activa participación del alumno y la constante práctica con el objetivo de lograr
una mejor interpretación del funcionamiento de los circuitos de aplicación.
Inmediatamente después de la presentación de cada tema, el alumno debe
transferir lo aprendido mediante ejercicios dirigidos, dinámicas individuales o
grupales, y tareas que se encuentran en el material de estudios desarrollado
para el curso.


Red de contenidos
Dispositivos Electrónicos
Unidad 1 Unidad 2 Unidad 3 Unidad 4
Dispositivos Dispositivos Dispositivos Dispositivos

Electrónicos Electrónicos Electrónicos Electrónicos
Discretos Bipolares BJT de cuatro Integrados
y FET capas:
Tiristores


UNIDAD
1
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS
DISCRETOS
LOGRO DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE
Al término de la unidad, el alumno diseña y arma circuitos de aplicación, haciendo
uso de dispositivos electrónicos discretos e instrumentos de medición.
1.1 Tema 1 : Los componentes Electrónicos

1.1.1 : Los sistemas electrónicos.
1.1.2 : Clasificación de los componentes electrónicos.
1.1.3 : Importancia del Datasheet.
1.2 Tema 2 : Símbolos y diagramas electrónicos

1.2.1 : Símbolos electrónicos más comunes.
1.2.2 : Los diagramas pictóricos.
1.2.3 : Los diagramas esquemáticos.
1.2.4 : Los diagramas en bloques.
1.3 Tema 3 : Los semiconductores y el diodo

1.3.1 : Los Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
1.3.2 : El diodo.
1.3.3 : Tipos de diodos.
1.3.4 : Funcionamiento básico de los diodos.
1.3.5 : La juntura PN.
1.3.6 : Polarización directa.
1.3.7 : Polarización Inversa.
1.3.8 : Circuitos electrónicos con diodos.
1.4 Tema 4 : El diodo Zener

1.4.1 : Características del diodo Zener
1.4.2 : Mediciones del voltaje Zener
1.4.3 : Circuitos electrónicos con diodos Zener

1.5 Tema 5 : Circuitos Rectificadores

1.5.1 : Rectificador de media onda.
1.5.2 : Rectificador de onda completa con derivación central.
1.5.3 : Rectificador de onda completa con puente Graetz.
1.5.3 : Rectificador de onda completa con filtro por condensador.
1.6 Tema 6 Multiplicadores de Tensión

1.6.1 : Duplicador de voltaje.
1.6.2 : Triplicador de voltaje.
1.6.3 : Cuatriplicador de voltaje.
ACTIVIDADES PROPUESTAS
 Los alumnos conoce la importancia de los sistemas electrónicos.

 Los alumnos dibujan los simbolos electrónicos más comunes.
 Los alumnos diferencian los diagramas pictóricos, esquematicos y en
bloques.
 Los alumnos realizan la polarización directa e inversa del diodo
semiconductor en el protoboard.
 Los alumnos realizan circuitos con diodos Zener en el protoboard.
 Los alumnos realizan circuitos rectificadores en el protoboard.
 Los alumnos realizan circuitos multiplicadores de tension en el
protoboard.

1.1. LOS COMPONETES ELECTRÓNICOS

En la electrónica, como en cualquier otra tecnología o actividad que desarrollaremos,
resulta mucho más fácil comprender el funcionamiento de un sistema si conocemos la
naturaleza y la función de cada uno de los elementos que lo conforman. Los
componentes electrónicos son los elementos básicos de los circuitos; dentro de estos,
cada componente cumple una función específica dependiendo de su tipo y de la forma
como este conectado con los demás.
1.1.1. Los sistemas electrónicos
Entendemos por sistema electrónico a un conjunto de dispositivos que se ubican

dentro del campo de la ingeniería y la física y que se encargan de la aplicación de los
circuitos electrónicos cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para
generar, recibir, transmitir y almacenar información.
La información de la que estamos hablando puede consistir en voz o música en un

receptor de radio, en números, en una imagen en la pantalla de televisión o en datos
que aparecen en una computadora. Los sistemas electrónicos ofrecen diferentes
funciones para procesar dicha información: amplificación de señales débiles para que
pueda utilizarse correctamente, generación de ondas de radio, extracción de
información, operaciones lógicas como los procesos electrónicos que se desarrollan
en los ordenadores, etc.
Si deseamos saber el comienzo de los sistemas electrónicos debemos retroceder sólo

un poco en la historia, la introducción de los tubos de vacío al comienzo del siglo XX
propició el fugaz crecimiento de la electrónica moderna, mediante estos dispositivos se
pudo lograr la manipulación de señales, algo que no podía realizarse en los antiguos
circuitos telefónicos y telegráficos. Mediante estos tubos de vacío se pudieron
amplificar las señales de radio y los sonidos débiles; el desarrollo de una amplia
variedad de tubos los cuales fueron diseñados para funciones específicas, posibilitó el
progreso de las primeras computadoras y el avance de la tecnología de comunicación
radial antes de la II Guerra Mundial.
Figura 1: Diferentes componentes electrónicos

Fuente.- Libro: Circuitos y Dispositivos Electronicos – Rodolfo N. SELVA

Figura 2: Ejemplo de un sistema electrónico – Amplificador de sonido 20W

Otros componentes
Pilas y Baterias: Almacenan y suministran energía eléctrica para que funcionen los
circuitos.
Figura 3: Diferentes pilas y baterias

Figura 4: Tipos de pilas

Fuente.- Tomado de http://www.duracell.com/en-us/

Fusibles: Son dispositivos de protección empleados para proteger los circuitos

electrónicos contra sobrecorriente.
Figura 5: Tipos de fusibles

Conductores: Transportan señales de corriente o de voltaje de un punto a otro.
Figura 6: Conductores

Bobinas: Se oponen a los cambios bruscos en la dirección de la corriente.
Figura 7: Bobinas
Podemos concluir entonces, que el estudio de la electrónica no es complicado porque:
a. Aunque los sistemas electrónicos están confromados por una gran cantidad de
componetes, estos son de muy pocos grupos o tipos.
b. Dichos componetes se encuentran agrupados en bloques llamados circuitos,
los cuales también son de muy pocos tipos.
1.1.2. Clasificación de los componentes electrónicos
Basicamentes todo los componetes electrónicos están clasificados dentro de dos

grandes grupos, componetes pasivos y componetes activos; y estos a su vez pueden
dividirse en otros grupos, dependiendo de sus caracterisiticas de funcionamiento.
Los componentes pasivos: son aquellos que no pueden contribuir con la ganancia
de energía o amplificación para un circuito o sistema electrónico. Estos no tienen
acción de control y no necesitan ninguna otra entrada más que una señal para ejeutar
su función. A este grupo pertenecen las resitencias, los condensadores, las bobinas,
los condensadores, los interruptores y los conductores. Pueden dividirse en:
 Componentes pasivos lineales: son llamados asi porque se comportan

linealmente con la corriente o el voltaje, es decir, si aumenta o disminuye el
voltaje, la corriente también aumenta en la misma proporción y viceversa. A
este grupo pertenecen las resitencias, los condensadores y las bobinas.

Figura 8: Componentes pasivos lineales

 Componentes electromecánicos: son componentes pasivos que ejecutan

funciones eléctricas simples a partir de movimientos mecanicos externos o
internos. A este grupo también pertenecen los dispositivos que tienen funciones
de soporte mecánico y de interconexión eléctrica. Podemos contar entre estos
a los conductores, los interruptores, los conectores y los circuitos impresos
entre otros.
Figura 8: Componentes pasivos lineales


Los componentes activos: son aquellosque tiene la capacidad de controlar voltaje o

corrientes y quepueden crear una acción de amplificación o de conmutación, esta es el
intercambio de una señal entre dos estados en el circuito al que pertenecen. Entre
ellos tenemos los diodos, los transistores, los tiristores y los circuitos integrados entre
otros.
Los diodos no se consideran un verdadero componente activo ya que no producen

amplificación. Sin embargo, están más relacionados con estos por su natutaleza
semiconductora.
En la electrónica en general y dentro de los componentes activos los más importantes

son los semiconductores; están basados en la propiedad que tienen ciertos materiales
de comportarce como conductores o aislantes bajo determinadas condiciones o
estimulos externos. Son llamados también dispositivos de estado solidos y son los
verdaderos responsables de la revolución electrónica moderna. Entre los más
empleados tenemos, los diodos, los transistores, los tiristores y los circuitos
integrados.
Figura 9: Semiconductores
Los transductores: son componentes activos que convierten señales eléctricas en

otra forma de nergia o viceversa y permiten que los sistemas electrónicos pueden
interactuar con el mundo externo. A ellos pertenecen las pilas y las baterías, los
micrófonos, los parlantes, las lámparas, los motores, etc.
Figura 10: Transdusctores


1.1.3. Importancia del Datasheet
Un datasheet es un documento que resume el funcionamiento y otras características

de un componente (por ejemplo, uncomponente electrónico) o subsistema (por
ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un
ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.
Comienza típicamente con una página introductoria que describe el resto
del documento, seguido por los listados de componentes específicos, con la
información adicional sobre la conectividad de los dispositivos. En caso de que
hayacódigo fuente relevante a incluir, se une cerca del extremo del documento o se
separa generalmente en otro archivo.
Información típica
 Datos del fabricante

 Número y denominación
 Lista de formatos con imágenes y códigos
 Propiedades
 Breve descripción funcional
 Esquema de conexiones. Habitualmente es un anexo con indicaciones
detalladas.
 Tensión de alimentación, consumo.
 Condiciones de operación recomendadas
 Tabla de especificaciones, tanto en corriente continúa como alterna
 Esquemas
 Medidas
 Circuito de prueba
 Información sobre normas de seguridad y uso.

Resumen
1. Un sistema electrónico a un conjunto de dispositivos que se ubican dentro del
campo de la ingeniería y la física y que se encargan de la aplicación de los
circuitos electrónicos cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones para
generar, recibir, transmitir y almacenar información.
2. Los componentes pasivos, son aquellos que no pueden contribuir con la

ganancia de energía o amplificación para un circuito o sistema electrónico.
Estos no tienen acción de control y no necesitan ninguna otra entrada más que
una señal para ejeutar su función.
3. Los componentes activos, son aquellosque tiene la capacidad de controlar

voltaje o corrientes y quepueden crear una acción de amplificación o de
conmutación, esta es el intercambio de una señal entre dos estados en el
circuito al que pertenecen.
4. Los transductores, son componentes activos que convierten señales eléctricas

en otra forma de nergia o viceversa y permiten que los sistemas electrónicos
pueden interactuar con el mundo externo.
Pueden revisar los siguientes enlaces para ampliar los conceptos vistos en esta
unidad:
 https://www.youtube.com/watch?v=h1UllP9UmMg
 https://www.youtube.com/watch?v=JG8UAYETm4s
 https://www.youtube.com/watch?v=yN2wygaXNBI

1.2. SíMBOLOS Y DIAGRAMAS ELECTRÓNICOS
Debido a la nesecidad de dibujar los componentes electrónicos agrupados formando

circuitos, y teniendo en cuenta los dispendioso y poco practico que es dibujarlos tal y
como son en la realidad, se estableció la necesidad de representarlo mediante un
símbolo grafico universal que facilite las labores de diseño y elaboración de diagramas
que se utilizan ampliamente para el estudio de esta tecnología, para la fabricación y
reparación de los aparatos.
1.2.1. Simbolos electrónicos más comunes
Figura 11: Simbolos electrónicos mas comunes





1.2.2. Los diagramas pictóricos
Son la forma más elemental de representación de los circuitos electrónicos. Son muy
utilizados para transmitir informacion técnica a personal no especializado como
aficionados, reparadores casuales o simples usuarios de productos electrónicos,
debido a la gran claridad que ofrecen en las conexiones.
Caracteristicias:
 Los componetes están dibujados como son realmente, con sus dimensiones
generalmente a escala.
 Muestra como luce o debe lucir el circuito una vez armado.

Figura 13: Diagrama pictórico

1.2.3. Los diagramas esquemáticos
El diagrama esquemático es una representación gráfica de los circuitos electrónicos,

están construidos por líneas y símbolos que representan las conexiones y los
componentes reales que se encontrarán en el circuito.
Caracteristicas
 Los componentes se representan mediante su símbolo.

 Los conductores o las conexiones entre componentes se representan mediante
 líneas rectas horizontales o verticales.
 Para indicar que dos o más líneas están conectadas entre si, se dibujan un
punto en su intersección.
 Para indicar que dos líneas cruzadas no están conectadas entre si,
simplemente no se coloca punto en la intersección o se dibuja un pequeño
semicírculo o arco en una línea que se cruzan.
 Los componetes están identificados por medio un símbolo alfa-numerico
conformado por una o varias letras que corresponda a su naturaleza y un
numero que individualiza cada componente.
Nota importante: La ubicación de los componentes en el diagrama esquematico no

indica necesariamente la posición real en el circuito, ni su símbolo esta representado
por el tamaño físico.

Figura 13: Diagrama esquemático

1.2.4. Los diagramas de bloques
Representan en forma simplificada la forma como se relacionan los circuitos que

componen un sistema, sin detallar su estructura interna. Se utilizan principalmente
para clarificar el funcionamiento de un sistema, establecer cuales circuitos lo
conforman y cual es el flujo o dirección de las diferentes señales que intervienen en el
funcionamiento del aparato.
Caracteristicas
 Cada bloque representan un circuito o etapa.

 Los bloques están unidos entre si por medio de líneas y colocados de tal forma
que la dirección del flujo de las señales sea de izquierda a derecha y de arriba
hacia abajo, o también la dirección de las señales se indica mediante flechas
colocadas sobre las líneas de conexión.
 Cada estapa esta marcada según su función.
 El diagrama no da ninguna infromacion sobre los elemtos empleados en cada
etapa.
Figura 14: Diagrama de bloques


Resumen
1. El diagrama pictórico es la forma más elemental de representación de los
circuitos electrónicos. Son muy utilizados para transmitir informacion técnica a
personal no especializado como aficionados, reparadores casuales o simples
usuarios de productos electrónicos, debido a la gran claridad que ofrecen en
las conexiones.
2. El diagrama esquemático es una representación gráfica de los circuitos

electrónicos, están construidos por líneas y símbolos que representan las
conexiones y los componentes reales que se encontrarán en el circuito.
3. El diagrama en bloques representa en forma simplificada la forma como se

relacionan los circuitos que componen un sistema, sin detallar su estructura
interna. Se utilizan principalmente para clarificar el funcionamiento de un
sistema, establecer cuales circuitos lo conforman y cual es el flujo o dirección
de las diferentes señales que intervienen en el funcionamiento del aparato.
Pueden revisar los siguientes enlaces para ampliar los conceptos vistos en esta
unidad:
 https://www.youtube.com/watch?v=P3oV4NK84vw
 https://www.youtube.com/watch?v=hEyVD44KJrM
 https://www.youtube.com/watch?v=GQYOSis9URc

1.3. LOS SEMICONDUCTORES Y EL DIODO
Hoy en dia, nos resulta difícil, mejor dicho imposible, el imaginar nuestras vidas sin
que en ellas intervengan los dispositivos electrónicos: radios, relojes, televisores,
tablets, teléfonos, ordenadores, consolas, por citar algunos. Todos ellos son posibles
gracias a un tipo de materiales, los semiconductores.
Como su nombre indica, los semiconductores son materiales con coeficientes de

resistividad de valores intermedios entre los materiales conductores y los aislantes.
Dicho de otro modo, son materiales que en circunstancias normales no conducen la
electricidad, pero que al aumentar la temperatura se vuelven conductores (a diferencia
de los materiales conductores).
1.3.1. Los semiconductores intrínsecos y extrinsecos
Semiconductor intrinseco
Un material semiconductor hecho sólo de un único tipo de átomo, se

denomina semiconductor intrínseco.
Los más empleados históricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo éste
último el más empleado (por ser mucho más abundante y poder trabajar a
temperaturas mayores que el germanio).
Cada átomo de un semiconductor tiene 4 electrones en su órbita externa (electrones

de valencia), que comparte con los átomos adyacentes formando 4 enlaces
covalentes. De esta manera cada átomo posee 8 electrones en su capa más externa.,
formando una red cristalina, en la que la unión entre los electrones y sus átomos es
muy fuerte. Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan fácilmente,
y el material en circunstancias normales se comporta como un aislante.
Figura 15: Semiconductor intrinseco

Fuente.- Libro: Dispositivos Electronicos – Juan B. ROLDAN

Sin embargo, al aumentar la temperatura, los electrones ganan energía, por lo que
algunos pueden separarse del enlace e intervenir en la conducción eléctrica. De esta
manera, la resistividad de un semiconductor disminuye con la temperatura (su
conductividad aumenta). A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia
absorben suficiente energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a
través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, se
les somete al potencial eléctrico, como por ejemplo de una pila, se dirigen al polo
positivo. Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la
red cristalina un hueco, cuyo efecto es similar al que provocaría una carga positiva.
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. La conducción eléctrica
a través de un semiconductor es el resultado del movimiento de electrones (de carga
negativa) y de los huecos (cargas positivas) en direcciones opuestas al conectarse a
un generador. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes eléctricas: una debida al movimiento de los electrones libres de la estructura
cristalina, y otra debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia,
que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos. Los
electrones libres se dirigen hacia el polo positivo de la pila (cátodo), mientras que los
huecos pueden considerarse como portadores de carga positiva y se dirigen hacia el
polo negativo de la pila, llamado ánodo (hay que considerar que por el conductor
exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica; los huecos
sólo existen en el seno del cristal semiconductor).
Semiconductor extrinseco
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de

impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros elementos
con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominará
semiconductor extrínseco. Según la impureza (llamada dopante) distinguimos:
Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia)

como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4
electrones necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red cristalina
éstos átomos presentarán un defecto de electrones (para formar los 4 enlaces
covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan el paso de electrones
que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P también se le denomina
donador de huecos (o aceptador de electrones).
Figura 16: Semiconductor Tipo P


Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5

electrones de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se
moverán fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De ese modo,
el material tipo N se denomina también donador de electrones.
Figura 17: Semiconductor Tipo N

1.3.2. El diodo
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación

de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido.1 Este término generalmente
se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de
una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de
vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un
tubo de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.
De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones:

por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica
muy pequeña. Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores,
ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como
paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de
funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas
termoiónicas constituidas por dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal,
con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado
en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en
observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Figura 18: Simbolo universal del diodo


Figura 19: Formas físicas de diodos rectificadores

1.3.3. Tipos de diodo
Según su fabricación, funcionamiento y caracterisiticas eléctricas, hay diferentes tipos

de diodos los cuales podríamos dividir en dos grupos principales. Los más comunes o
utilizados en todo tipo de apratos electrónicos son: los diodos rectificadores, los diodos
LED y los diodos Zener, y los otros, no tan comunes, como los diodos láser, tunnel,
Schottky, PIN, Gunn y los fotodiodos.
Figura 20: Simbolos de diodos mas comunes


Figura 21: Clasificacion de los diodos, sus simbolos y aspectos físicos de algunos de ellos
1.3.4. Funcionamiento básico de los diodos
Se puede decir que un diodo es una compuerta de una sola via, es decir, que solo deja
pasar a través de el la corriente eléctrica o flujo de electrones en un solo sentido; si se
aplica la corriente en el sentido contrario, el diodo no conduce. Teniendo en cuenta
que la electrónica es la tecnología que utiliza el control del flujo de los electrones para
manejar todo tipos de información y otros efectos, como la voz, imagen, datos,
movimientos, etc., este principio parece muy elemental; sin embargo, es la base de
toda la electrónica moderna ya que un transistor esta formado por dos diodos y un
circuito integrado puede contener desde unos cientos hasta varios millones de
transistores; por lo tanto, el diodo es el elemento constructivos básicos de toda la
electrónica y de ahí su gran importancia. Tener encuenta que los materiales P y N en
forma individual no tenían mucha aplicación practica, pero si los unimos se producen
fenómenos muy interesantes.
Figura 21: Funcionamiento básico del diodo


1.3.5. La juntura PN
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el

semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando
una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el
lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas allá
de los límites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son
empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través
del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al
lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P
son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se
mueven y en consecuencia no hay corriente. El diodo se puede hacer trabajar de 2
maneras diferentes:
Figura 22: Funcionamiento básico del diodo

1.3.6. Polarizacion directa
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo P y el terminal

negativo de la fuente está conectado al material tipo N, diremos que estamos en
"Polarización Directa".
La conexión en polarización directa tendría esta forma:
Figura 23: Polarizacion directa


En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente
obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los
electrones libres hacia la unión, se crean iones positivos en el extremo derecho de la
unión que atraerán a los electrones hacia el cristal desde el circuito externo.
Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir
hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre
contrario al del electrón.
Figura 24: Polarizacion directa

Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra

por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón
libre. En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia.
Se desplaza a través de la zona p como electrón de valencia. Tras abandonar el
extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la fuente.
1.3.7. Polarizacion inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el

terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al n, esta conexión se
denomina "Polarización Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexión en inversa:
Figura 25: Polarizacion inversa


El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los
electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la z.c.e.
se ensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión deja

de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada
(V), entonces los electrones y huecos dejan de alejarse de la unión.
A mayor la tensión inversa aplicada mayor será la z.c.e.
Figura 26: Polarizacion inversa

Existe una pequeña corriente en polarización inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco, lo que hace que halla pequeñas concentraciones
de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los
mayoritarios pero los que están en la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la
unión y tenemos así una pequeña corriente.
La zona de deplexión empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la

izquierda, se crea así una la "Corriente Inversa de Saturación"(IS) que depende de la
temperatura.
Además hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas
del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la
tensión de la pila (V ó VP).

Entonces la corriente en inversa (I ó IR) será la suma de esas dos corrientes:
1.3.8. Circuitos electrónicos con diodos
Arme los siguientes circuitos y mida las corrientes y voltajes.
Polarización Directa. Realice el siguiente circuito y apunte las medidas.
D1 330 Ω
9V LED
VD1 = ………………… VR1 = ………………… VLED = …………………
ID1 = …………………IR1 = ………………… ILED = …………………
a. ¿Como es su comportamiento del diodo D1 en el circuito?
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
b. Según su tensión de trabajo del diodo, podemos deducir de que material es?
…………………………………………………………………………………………

Polarización Inversa. Realice el siguiente circuito y apunte las medidas.
D1 330 Ω
9V LED
VD1 = ………………… VR1 = ………………… VLED = …………………
ID1 = …………………IR1 = ………………… ILED = …………………
¿Como es su comportamiento del diodo D1 en el circuito?
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
…………………………………………………………………………………………
Características del diodo. Realice el siguiente circuito y anote las medidas.
D1 330 Ω
2 V - 9V LED
VOLTAJE DE ENTRADA
2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V
VD1
VR1
VLED
ID1

Resumen
1. El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor más sencillo y se
puede encontrar, prácticamente en cualquier circuito electrónico. Los diodos se
fabrican en versiones de silicio (la más utilizada) y de germanio.
2. Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P,

separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de
0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el
diodo de silicio.
3. Polarizacion directa escuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta
de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al cátodo. En este caso la corriente
atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente como un
corto circuito.
Puede revisar los siguientes enlaces para ampliar los conceptos vistos en esta unidad:
 https://www.youtube.com/watch?v=cy50YR7kr8c
 https://www.youtube.com/watch?v=lYAIJo26rMk
 https://www.youtube.com/watch?v=X0RyGd9C75U

1.4. EL DIODO ZENER
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado1 que se ha construido para

que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr.
Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de
tensión casi constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones
de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos

similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Además si el
voltaje de la fuente es inferior a la del diodo éste no puede hacer su regulación
característica.
Figura 27: Simbolos del diodo zener

Figura 28: Formas físicas y símbolo del diodo zener


1.4.1. Caracterisiticas del diodo Zener
Si a un diodo Zener se le aplica una tensión eléctrica positiva del ánodo respecto a
negativa en el cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo
rectificador básico (la mayoría de casos), pero si se le suministra tensión
eléctrica positiva de cátodo a negativa en el ánodo (polarización inversa), el diodo
mantendrá una tensión constante. No actúa como rectificador sino como un
estabilizador de tensión
En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado inversamente para que adopte su
característica de regulador de tensión. En la siguiente figura se observa un circuito
típico de su uso como regulador de tensión:
Figura 29: Regulador de tensión utilizando diodo Zener

Variando la tensión V a valores mayores que la tensión de ruptura del zener, Vz se

mantiene constante.
Su símbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los lados. Se
deberá tener presente, que el diodo zener al igual que cualquier dispositivo
electrónico, tiene limitaciones y una de ellas es la disipación de potencia, si no se
toman en consideración sus parámetros, el componente se quema.
Figura 29: Curva característica de un diodo zener


1.4.2. Mediciones del voltaje Zener.
Para medir el voltaje de regulación de un Diodo Zener se procede del siguiente modo:
 Conecte el siguiente circuito.

 Aumente el voltaje V hasta que el voltímetro (en DC) marque una lectura
constante.
 La lectura del voltímetro será el “voltaje zener”.
Figura 30: Mediciones del voltaje Zener

VALORES COMERCIALES DE LOS DIODOS ZENER

Voltaje de trabajo (en voltios)
2.4 2.5 2.7 2.8 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1
5.6 6.0 6.2 6.8 7.5 8.2 8.7 9.1 10 11.5 12
13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 25
27 28 30 33 36 39 43 45 47 50 51
52 55 56 60 62 68 75 82 87 91 100
105 110 120 123 130 140 150 160 170 175 180
190 200
Potencia 400mW 0.5W 1W 2W 5W 10W 50W 100W
Figura 31: Tabla de valores comerciales de los diodos Zener

Fuente.- Libro: Coquito de la electrónica 1 – Martin William ORTIZ VERGARA

1.4.3. Circuitos electrónicos con diodos Zener.
 Arme el siguiente circuito y mida el voltaje en el diodo zener
Figura 32: Circuito fuente con zener

Fuente.- http://unicrom.com/fuente-de-voltaje-sin-transformador/
 Realice el diseño y compruebe armando el siguiente circuito: Fuente de voltaje

sin transformador.
Tener una fuente de voltaje sin transformador, es posible. En el caso que se

presenta tenemos una fuente que al final se regula con ayuda de un diodo
zener. Esto significa que esta fuente de voltaje podrá dar corriente en un rango
limitado (habrá un máximo y un mínimo de corriente posibles). Esta fuente de
voltaje sin transformador se diseña alimentar un circuito específico y
normalmente no se utiliza para cambiarle o modificarle la carga (circuito que se
desea alimentar) debido a que, como se dijo antes, no permite grandes
variaciones en la corriente que puede entregar. El circuito consiste de:
Un diodo zener (D3): que mantendrá el voltaje constante para la carga. Dos
diodos semiconductores (D1 y D2) que se utilizan para rectificación y que
conforman un rectificador de 1/2 onda. Un capacitor C2): que es el filtro básico
para “aplanar” la salida que viene de los diodos (rectificación de 1/2 onda),
antes de aplicarla al diodo zener. El resistor R2 y el capacitor C1: que en su
conjunto sirven para reducir le voltaje de entrada (110 / 220 Voltios A.C., 50 / 60
Hertz) al nivel que sea aceptable para el diodo zener.
Figura 33: Fuente sin tranformador

Fuente.- http://unicrom.com/fuente-de-voltaje-sin-transformador/

Resumen
1. El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado1 que se ha
construido para que funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por
su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener.
2. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi

constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la
tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura.
3. En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado inversamente para que

adopte su característica de regulador de tensión. En la siguiente figura se
observa un circuito típico de su uso como regulador de tensión.
 https://www.youtube.com/watch?v=zKnXQAPyIUg
 https://www.youtube.com/watch?v=nDKuMaU0-xM
 https://www.youtube.com/watch?v=mIPVzd9iHn4

1.5. CIRCUITOS RECTIFICADORES
La mayoría de los dispositivos electrónicos, televisores, radios, computadores etc.

necesitan una corriente continua para funcionar correctamente. Como las líneas de
servicio eléctrico son de corriente alterna (AC) esta se debe convertir corriente
continua (CC).
Figura 34: a) Voltaje de señal senoidal b) Señal de voltaje directo

Como se aprecia en la figura 34. La corriente alterna se diferencia de la continua en

que cambia su sentido de circulación periódicamente y, por tanto, su polaridad. Esto
ocurre tantas veces como frecuencia en Hertz (Hz) tenga. A la corriente continua
también se le llama corriente directa (DC).
La parte dentro del equipo electrónico que provee esta tensión continua se llama
fuente de poder o de alimentación y dentro de las fuentes de alimentación hay circuitos
que permiten que la corriente fluya sólo en una dirección. Estos circuitos se llaman
rectificadores.
Circuito Rectificador: Es un circuito que tiene la capacidad de convertir corriente

alterna en CC pulsante, transformando así una corriente bidireccional a una
unidireccional. Al proceso de convertir AC en CC se le denomina rectificación y los
diodos rectificadores son los componentes electrónicos empleados para realizar dicha
conversión.
Figura 35: Representación de un diagrama por bloques de una fuente de alimentación de energía

Voltajes de RL en rectificadores
 Rectificador de media onda
Figura 36: Forma de onda en la salida del Circuito Rectificador de Media Onda
 Rectificador de onda completa con derivación central.

Figura 37: Forma de onda en la salida del Circuito Rectificador de Onda Completa
 Rectificador de onda completa con puente Graetz.
Figura 37: Forma de onda en la salida del Circuito Rectificador de Onda Completa

1.5.1. Rectificadores de media onda
 Arme el siguiente circuito: “Rectificador de Media Onda”. Use un transfromador

de 220V a 12 o 24V. El RL es a 1/2W. D1 es un diodo 1N4001 o remplazo.
D1
RL
VPRI VSEC 1kΩ
 Calcúle los valores teoricos y contraste con las mediciones practicas.
VALORES TEORICOS VALORES PRACTICOS

VRL =
IRL =
WRL =
 Usando el osciloscopio, mida y dibuje el voltaje de RL.

VOL/DIV : ……………………………..
TIME/DIV : ………………………….….
 Arme el siguiente circuito y grafique la onda.
D1
RL
VPRI VSE
1 KΩ
C
1.5.2. Rectificador de onda completa con derivación central
 Arme el siguiente circuito: “Rectificador de onda completa con derivación

central”. Use un transformador de 220V a 12V 0V 12V o 24V 0V 24V. El RL es
a 1/2W. D1 y D2 son del codigo 1N4001 o remplazo.


VRL =
IRL =
WRL =
 Use el osciloscopio y mida y dibuje el voltaje de RL.
VOL/DIV : ……………………………..
TIME/DIV : ………………………….….
 Arme el siguiente circuito y grafique la onda.
D1
VSEC RL
VPRI 1 KΩ
VSEC
D2

1.5.3. Rectificador de onda completa con puente Graetz
 Arme el siguiente circuito: “Rectificador de onda completa con puente Graetz”.

Use un transformador de 220V a 12V o 24V. El RL es a 1/2W. D1, D2, D3 y D4
son del codigo 1N4001 o remplazo.
220 VAC 24V
RL
1kΩ

VRL =
IRL =
WRL =

VOL/DIV : ……………………………..
TIME/DIV : ………………………….….
1.5.4. Rectificador de onda completa con filtro por condensador
 Al siguiente circuito conecte un condensador electrolítico de 2200uf a 35V

paralelo al RL. Respete la polaridad del condensador.
220 VAC 24V
RL
1kΩ
VALORES PRACTICOS
VRL =
IRL =
WRL =
VOL/DIV : ……………………………..

TIME/DIV : ………………………….….
Resumen
1. Un circuito rectificador, que tiene la capacidad de convertir corriente alterna en
CC pulsante, transformando así una corriente bidireccional a una
unidireccional. Al proceso de convertir AC en CC se le denomina rectificación y
los diodos rectificadores son los componentes electrónicos empleados para
realizar dicha conversión.
2. Existen dos tipos de rectificación: Rectificación de media onda y Rectificación

de onda completa.
3. El rectificador de media onda es muy sencillo porque utiliza un mínimo de

componentes. Sin embargo, no es muy eficiente, porque solo permite que
circule corriente a través de la carga durante los semiciclos positivos de tensión
alterna.Podemos decir que un rectificador de onda completa es un circuito
capaz de proporcionar corriente a la carga durante los semiciclos positivos y
negativos de la tensión alterna de entrada.
 https://www.youtube.com/watch?v=lVgfiiieosE
 https://www.youtube.com/watch?v=HUR-lR7rZnc
 https://www.youtube.com/watch?v=fovZSHRrA6Y

1.6. MULTIPLICADORES DE TENSIÓN
Un Multiplicador de tensión es un circuito eléctrico que convierte tensión desde una

fuente de corriente alterna a otra de corriente continua de mayor voltaje mediante
etapas de diodos y condensadores.
También se les llama "bombas de tensión", pudiendo proporcionar tanto tensiones

positivas como negativas. Su principal inconveniente consiste en que sólo permitan
corrientes medias bajas, debido a que utilizan condensadores como elementos de
paso de corriente y con valores razonables de condensadores, se obtienen
impedancias bastante elevadas.
Advertencia: Un multiplicador de tensión sin cargar con una impedancia se comporta

como un condensador, pudiendo proporcionar transitorios de elevada corriente, lo que
los hace peligrosos cuando son de alta tensión. Habitualmente se agrega una
resistencia en serie con la salida para limitar este transitorio a valores seguros, tanto
para el propio circuito como ante accidentes eventuales.
Voltaje de ruptura
Mientras esta configuración puede ser utilizada para generar miles de voltios a la
salida, los componentes de las etapas individuales no requieren soportar toda
la tensión sino solo el voltaje entre sus terminales, esto permite aumentar la
cantidad de etapas según sea necesario sin aumentar los requerimientos
individuales de los componentes.
Usos
Este circuito se utiliza para la generación del alto voltaje requerido en los tubos de
rayos catódicos (TV B/N y Color, monitor de PC, osciloscopio), tubos de rayos
X, para alimentar fotomultiplicadores para detectores de rayos gamma.
También se utiliza para la generación de altos voltajes para experimentos de
física de alta energía.
1.6.1. Duplicador de voltaje
 Arme el siguiente circuito y anote las medidas. Tenga mucho cuidado con la
descarga de los condensadores.

Voltaje Pico de entrada:
Vint =………………………
Voltaje Pico de salida:
Vout =………………………
 ¿Cuál es la función del siguiente circuito?
………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………….
 Desconecte todo el circuito y saque con mucho cuidado los condensadores, luego
con la ayuda de un destornillador haga cortocircuito del (+) y el (-). Explique lo que
sucede.
………………………………………………………………………………………………….
………………………………………………………………………………………………….
1.6.2. Triplicador de voltaje
Vint =………………………

Vout =………………………
1.6.3. Cuadriplicador de voltaje
Vint =………………………
Vout =………………………
 Diseñe y arme el circuito de un quintuplicador de tensión.

Resumen
1. Un Multiplicador de tensión es un circuito eléctrico que convierte tensión desde
una fuente de corriente alterna a otra de corriente continua de mayor voltaje
mediante etapas de diodos y condensadores.
2. Un multiplicador de tensión sin cargar con una impedancia se comporta como

un condensador, pudiendo proporcionar transitorios de elevada corriente, lo
que los hace peligrosos cuando son de alta tensión. Habitualmente se agrega
una resistencia en serie con la salida para limitar este transitorio a valores
seguros, tanto para el propio circuito como ante accidentes eventuales.
3. Este circuito se utiliza para la generación del alto voltaje requerido en los tubos
de rayos catódicos, tubos de rayos X, para alimentar fotomultiplicadores para
detectores de rayos gamma. También se utiliza para la generación de altos
voltajes para experimentos de física de alta energía.
 https://www.youtube.com/watch?v=Jw8dTXtHzIE
 https://www.youtube.com/watch?v=c1zInIGN56M
 https://www.youtube.com/watch?v=UNOQb1h045w


UNIDAD
2
BIPOLARES BJT Y FET
Al término de la unidad, el alumno diseña y arma circuitos de aplicación,
haciendo uso de dispositivos bipolares BJT y FET.
TEMARIO
2.1 Tema 7 : El transistor bipolar o BJT
2.1.1 : Breve historia
2.1.2 : Clasificación de los Transistores Bipolares
2.1.3 : Polarización de los transistores bipolares
2.1.4 : Corrientes en un transistor
2.1.5 Transistor en montaje superficial
2.1.6 Características eléctricas y físicas de los transistores bipolares
2.2 Tema 8 : Polarizacion de transistores bipolares o BJT en función al

punto Q.
2.2.1 : Polarización de corriente de base constante
2.2.2 : Polarización con realimentación por colector
2.2.3 : Polarización tipo H o universal
2.2.4 : Polarización con dos fuentes
2.3 Tema 9 : Circuitos amplificadores de audio con BJT

2.3.1 : Circuito aplicativo 1
2.3.4 Circuito aplicativo 4
2.4 Tema 10 : El transistor de Efecto de campo (FET)

2.4.1 : El JFET
2.4.2 : El MOSFET
2.4.3 : Circuito aplicativo

 Los alumnos conocen el funcionamiento del transistor BJT

 Los alumnos diseñan y arman circuitos amplificadores con transistor BJT.
 Los alumnos arman amplificadores de audio de 1/4W, 1/2W, 1W y 2W.
 Los alumnos conocen el funcionamiento del transistor FET.

2.1. EL TRANSISTOR BIPOLAR O BJT
El transistor, inventado el 16 diciembre del 1947 es, sin duda uno de los adelantos
más significativos de nuestra era y uno de los componentes más versátiles e
importantes de la electrónica moderna. Para ratificar esta importancia, podemos
mencionar que todos los circuitos integrados, que son los componetes
fundamentales de los aparatos electrónicos actuales, se fabrican con transistores.
Figura 38: Diferentes formas físicas de transistores

http://www.wisegeek.com/what-is-a-transistor-checker.htm
Figura 39: Tipos de transistores

Fuente.- Libro: Circuitos y Dispositivos Electronicos – Lluis PRAT VIÑAS

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus

siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica
digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.
Figura 40: Simbolos de los transistores NPN y PNP


2.1.1. Breve historia
La fecha exacta fue 16 de diciembre de 1947, cuando William Shockley, John Bardeen
y Walter Brattain armaron el primer transistor. Poco después, un computador
compuesto por estos transistores pesaba unas 28 toneladas y consumía alrededor de
170 MW de energía. La invención del transistor hizo ganar el premio Nobel de física a
los inventores en el año 1956.
Figura 41: Inventrores del transistro

Más adelante en los laboratorios de la Bell Telephone en E.U.A convertía esos

transistores de tubos en interruptores eléctricos, desatando una serie de pujas y
rivalidades entre los involucrados en el tema. Pero lo cierto es, que, gracias a este
trascendental invento, hoy en día puede usted leer esta información en una pantalla de
computadora.
El desarrollo de la electrónica y de sus múltiples aplicaciones fue posible gracias a la

invención del transistor, ya que este superó ampliamente las dificultades que
presentaban sus antecesores, las válvulas o tubos al vasió. En efecto, las válvulas,
inventadas a principios del siglo XX, habían sido aplicadas exitosamente en telefonía
como amplificadores y posteriormente popularizadas en radios y televisores.
Figura 42: Diferentes tipos de Tubos al vasió

Fuente.- http://timerime.com/en/event/3327036/Se+inventan+los+Tubos+al+Vaci/

Sin embargo, presentaban inconvenientes que tornaban impracticables algunas de las

aplicaciones que luego revolucionarían nuestra sociedad del conocimiento. Uno de sus
mayores inconvenientes era que consumían mucha energía para funcionar. Esto era
causado porque las válvulas calientan eléctricamente un filamento (cátodo) para que
emita electrones que luego son colectados en un electrodo (ánodo), estableciéndose
así una corriente eléctrica. Luego, por medio de un pequeño voltaje (frenador),
aplicado entre una grilla y el cátodo, se logra el efecto amplificador, controlando el
valor de la corriente, de mayor intensidad, entre cátodo y ánodo.
Los transistores, desarrollados en 1947 por los físicos Shockley, Bardeen y Brattain,
resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino, mismo que, junto con
otras invenciones como: los circuitos integrados, potenciarían el desarrollo de las
computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin necesidad de disipar energía (como era el
caso del filamento), en dimensiones reducidas y sin partes móviles o incandescentes
que pudieran romperse. El filamento no sólo consumía mucha energía, sino que
también solía quemarse, o las vibraciones lograban romperlo, por lo que las válvulas
terminaban resultando poco confiables.
Además, como era necesario evitar la oxidación del filamento incandescente, la

válvula estaba conformada por una carcasa de vidrio, que contenía un gas inerte o
vacío, haciendo que el conjunto resultara muy voluminoso.
Figura 43: Esquema del triodo (válvula) donde se detallan sus distintos componentes
Fuente.- http://www.tecnologiahechapalabra.com/tecnologia/genesis/articulo.asp?i=1793
Los transistores se basan en las propiedades de conducción eléctrica de materiales

semiconductores, como el silicio o el germanio. Particularmente, el transporte eléctrico
en estos dispositivos se da a través de junturas, conformadas por el contacto de
materiales semiconductores, donde los portadores de carga son de distintos tipos:
Huecos (tipo P) o electrones (tipo N).
Las propiedades de conducción eléctrica de las junturas se ven modificadas

dependiendo del signo y de la magnitud del voltaje aplicado, donde, en definitiva, se
reproduce el efecto amplificador que se obtenía con las válvulas: Operando sobre una
juntura mediante un pequeño voltaje se logra modificar las propiedades de conducción
de otra juntura próxima que maneja un voltaje más importante. Los diez años
posteriores a la invención del primer transistor vieron enormes adelantos en este
campo:
 Se inventaron distintos tipos de transistores (de punto, de juntura, de campo),

basados en distintas propiedades básicas.
 Se emplearon distintos materiales, inicialmente el germanio (1948) y
posteriormente el silicio (1954), el cual domina la industria semiconductora de
la actualidad.

 Se logró construir una gran cantidad de transistores, otros elementos y los

circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de silicio, a lo que se le
dio el nombre de circuito integrado (1958).
En estos primeros circuitos integrados, los transistores tenían dimensiones típicas de

alrededor de 1 cm. En 1971 el microprocesador de Intel 4004 tenía unos 2000
transistores, mientras que hoy en día, un "viejo" Pentium IV tiene unos 10 millones de
transistores, con dimensiones típicas de alrededor de 0.00001 cm. Desde 1970, cada
año y medio, aproximadamente, las dimensiones de los transistores se fueron
reduciendo a la mitad (Ley de Moore). Si se los hace aún más pequeños, usando la
tecnoilogía actual, dejarán de funcionar como esperamos, ya que empezarán a
manifestarse las leyes de la mecánica cuántica. Para seguir progresando, se ha
concebido una nueva generación de microprocesadores basados en las propiedades
que la materia manifiesta en las escalas nanométricas.
Todos estos desarrollos respondieron en cada caso al intento de resolver un problema

concreto atacado tanto del punto de vista teórico como experimental. Muchos de los
físicos que participaron en esta aventura del transistor y en sus desarrollos posteriores
dieron lugar al nacimiento de nuevas invenciones (y de empresas como Texas
Instruments, Intel y AMD) que hoy día dominan la escena en la que se desarrollan las
tecnologías de información y comunicaciones.
Es su comunicado de prensa en el 2008 "Intel celebra el 60 aniversario del

transistor", Intel Corporation anota que entre sus más recientes microprocesadores el
"...Intel® Core™ Duo puede realizar cerca de 1.000 millones de operaciones en un
parpadeo o concluir 4 millones de operaciones en el tiempo que una bala recorre una
pulgada. Y el consumo de energía promedio de un procesador Intel Core Duo es
menos de 1.1 watts"
Figura 44: Evolucion de las válvulas, transistor hasta el microprocesador

2.1.2. Clasificacion de los transistores bipolares

Los transitores bipolares se clasifican en:
a. Por la disposición de sus capas
 Transistor PNP
 Transistor NPN
Figura 45: Símbolo de los transistores PNP y NPN

b. Por el material semiconductor empleado
 Transistores de Silicio
 Transistores de Germanio
c. Por la disipación de potencia
 Transistores de baja potencia

 Transistores de media potencia
 Transistores de alta potencia
Figura 46: Forma física de un transistor de baja potencia


Figura 47: Forma física de un transistor de mediana potencia

Figura 48: Forma física de un transistor de alta potencia

d. Por la frecuencia de trabajo
 Transistores de baja o Audio Frecuencia (AF)

 Transistores de alta o Radio Frecuencia (RF)
2.1.3. Polarizacion de los transistores bipolares
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente es necesario polarizarlo de tal

forma que:
 La junta Base-Emisor este polarizada directamente.

 La junta Colector-Base este polarizada inversamente.
Emeplo: Para un transistor NPN, la Base debe de tener un voltaje positivo con
respecto al Emisor y el Colectro debe de tener un voltaje también positivo pero, mayor
que la base. En caso de un transistro PNP ocurre todo lo contrario.

Figura 49: Polarizacion de los transistores bipolares

2.1.4. Corrientes en un transistor
Los transistores amplifican corriente, por ejemplo pueden ser usados para amplificar la
pequeña corriente de salida de un circuito integrado (IC) lógico de tal forma que pueda
manejar una bombilla, un relé u otro dispositivo de mucha corriente. Un transistor
puede ser usado como un interruptor (ya sea a la máxima corriente, o encendido ON,
o con ninguna corriente, o apagado OFF) y como amplificador (siempre conduciendo
corriente). La cantidad amplificada de corriente es llamada ganancia de corriente, β o
HFE.
Figura 50: Corrientes en un transistor


Figura 51: Relacion de B y α

Figura 51: Corrientes en un transistor NPN y PNP

2.1.5. Transistores Darlington
En electrónica, el transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductorque

combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en
un único dispositivo.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue
inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell, Sidney Darlington quien solicitó la
patente el 9 de mayo de 1952. La idea de poner dos o tres transistores sobre
un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de
transistores que originaría la idea moderna de circuito integrado.

Figura 52: Configuracion del transistor Darlington

2.1.6. Transistores en montaje superficial
La Dispositivos de Montaje Superficial, más conocida por sus siglas SMD del inglés
Surface Mount Technology, es el método de construcción de dispositivos electrónicos
más utilizado actualmente.
Se usa tanto para componentes activos como pasivos, y se basa en el montaje de los
mismos (Surface Mount Component, SMC) sobre la superficie del circuito impreso.
Tanto los equipos así construidos como los componentes de montaje superficial
pueden ser llamados dispositivos de montaje superficial o SMD (Surface Mount
Device).
Figura 53: Formas físicas del transistor SMD


2.1.7. Caracterisiticas eléctricas y físicas de los transistores bipolares
 Voltaje colector – emisor (VCE).

 Voltaje colector – base (VCB).
 Corriente de colector (IC)
 Potencia disipada (PD)
 Ganancia de corriente (hfe)
 Frecuencia de trabajo o de corte (ft)
 Encapsalado

Resumen
1. El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales.
2. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al

desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
3. Los transistores son semiconductores que constan de 3 terminales: emisor,

colector y base. Aquí tienes imágenes de transistores.
 https://www.youtube.com/watch?v=xGeHqRoKXU4
 https://www.youtube.com/watch?v=-Qn0o1LMrPM
 https://www.youtube.com/watch?v=l_EG544soDg

2.2. Polarizacion de transistores bipolares o BJT en función al

punto Q.
La palabra transistor se deriva del termino transfer resitor (resitencia de transferencia)

y designa en forma genérica, a un componente electrónico de tres terminales cuya
resistencia es una función del nivel de corriente o voltaje aplicado a uno de sus
terminales.
Aprovechando esta propiedad, los transistores se utilizan como fuentes de corriente

controladas en amplificadores, interruptores y muchas otras aplicaciones.
2.2.1. Polarizacion de corriente de base constante
a) Arme el siguiente circuito “Polarizacion de corriente de base constante” y mida los

parámetros eléctricos del transistor en el siguiente cuadro.

IC (mA) IE (mA) IB (μA) VCE VC VB VE
Q1
 Dibuje la Recta de Carga para Q1.
b) Arme el siguiente circuito “Polarizacion de corriente de base constante con RE” y

mida los parámetros eléctricos del transistor en el siguiente cuadro.


Q2
2.2.2. Polarizacion con realimentación por colector

a) Arme el siguiente circuito “Polarizacion con realimentación por colector” y mida

los parámetros eléctricos del transistor en el siguiente cuadro.

Q3
b) V Arme
el
siguiente circuito “Polarizacion con realimentación por colector con RE” y mida los
parámetros eléctricos del transistor en el siguiente cuadro.


Q3
2.2.3. Polari
V zacio
n tipo
H o universal
a) Arme el siguiente circuito “Polarizacion tipo H o universal” y mida los parámetros

eléctricos del transistor en el siguiente cuadro.

Q1
V
2.2.4.
Polarizacion con dos fuentes
a) Arme el siguiente circuito “Polarizacion con dos fuentes” y mida los parámetros
eléctricos del transistor en el siguiente cuadro.

Q1
Resumen V
1. Una de las aplicaciones mas tipicas del BJT es su uso como amplificador de
corriente alterna. Dicha aplicación consiste en un sistema capaz de amplificar
la señal de entrada en un factor de ganancia determinado, que sera la relación
de salida sobre la entrada.
2. En terminos de señales del voltaje, se habla de ganancia de voltaje Av = Vo/Vi.

Para que este sistema funcione, el BJT debe estar polarizado en zona activa.
Esto significa que simultaneamente conviven elementos de corriente continua
(CC) y corriente alterna (CA).
3. La incorporación de señales de corriente alterna en el circuito un circuito con

transistores define el uso de la recta de carga para CA, o también llamada
recta de carga dinamica. Este nuevo elemento permite describir el
comportamiento de las variables del BJT cuando éste recibe señales tipo CA,
pues establece los valores entre los cuales fluctuara la corriente IC y el voltaje
VCE.

 https://www.youtube.com/watch?v=l_EG544soDg
 https://www.youtube.com/watch?v=iBL6ZA_2RxY
 https://www.youtube.com/watch?v=MEZLniKZmPM
2.3. Circuitos amplificadores de audio con BJT.
Los amplificadores son circuitos que elevan la potencia de una señal con una
distorsión mínima y proporcionan la ganancia acústica necesaria para un sistema de
sonido.
12 V
2.3.1. Circuito aplicativo Nº1
 Arme el siguiente circuito.
220kΩ 10kΩ
10uF
150kΩ 16 V
+
4Ω ó
10uF 8Ω
-
16 V
BC548

 Mida los parámetros eléctricos del transistor en el amplificador en

funcionamiento.
Q1
2.3.2. Circuito aplicativo Nº2
12 V
4.7kΩ
1MΩ
TIP32
10uF
16 V
TIP31
+
4Ω ó
8Ω
-


funcionamiento.
Q2
TIP 31
Q3
TIP 31
2.3.3. Circuito aplicativo Nº3.
12 V
2.2kΩ
TIP32
1 MΩ 10uF
16 V
0.1uF 10Ω
16 V 5W
2N3904
22kΩ +
4Ω ó
8Ω
-


funcionamiento.
Q4
2N3904

+12V
Q5
TIP 32
2.3.4. Circuito aplicativo Nº4 180Ω

TIP31
1N4001 470 uF 16 V
+
4Ω ó
10 uF 1N4001 8Ω
16 V -
TIP32
5.6 kΩ
2N3904
1 kΩ


funcionamiento.
Q6
2N3904
Q7
TIP 32
Resumen
1. La impedancia de entrada de la etapa está formada por las resistencias de
polarización y la impedancia de entrada a la base. Cuando la fuente de señal
no es constante comparada con esta impedancia de entrada, la tensión de
entrada es menor a la tensión de la fuente.
2. La ganacia global de tensión es igual al producto de las ganacias individuales.

La impedancia de entrada de la etapa de la segunda etapa es la resistencia de
carga de la primera etapa. Dos etapas en EC producen una señal amplificada
en fase.
3. Acoplando las resitencias de emisor conseguimos realimentación negativa.

Estos estabilizan la ganancia de tensión, aumenta la impedancia de entrada y
disminuye la distorcion para señales grandes.

 https://www.youtube.com/watch?v=qF9eorl07Jc
 https://www.youtube.com/watch?v=KFbEmFSHKao
 https://www.youtube.com/watch?v=x8E3TC8Z-Ds
2.4. El transistor de efecto de campo FET
2.4.1. El JFET
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son

particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-
oxido semiconductor (MOSFET). Estos son dispositivos controlados por tensión y
tienen alta impedancia de entrada (1012Ω). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos
digitales y analógicos como amplificadores o como conmutadores. Sus características
eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura físicas son totalmente
diferentes.

Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)
Figura 54: Simbolos JFET canal N y P

Ventajas del FET:
 Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012Ω).
 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
 Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
 Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT, pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un circuito integrado.
 Los FET se comportan como resistencias controladas por tensión para valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET:
 Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta

capacidad de entrada.
 Los FET presentan una linealidad muy pobre y, en general, son menos lineales
que los BJT.
 Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
En este apartado, se estudiarán las características de ambos dispositivos orientadas,

principalmente, a sus aplicaciones analógicas.
Características eléctricas del JFET
El JFET de canal N está constituido por una barra de Silicio de material semiconductor
de tipo N con dos regiones de material tipo P situadas a ambos lados. Es un elemento
de tres terminales, los cuales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta
(gate). En la siguiente figura, se describe un esquema de un JFET de canal N, su
símbolo y el símbolo de un JFET de canal P.

Figura 55: Simbolos JFET canal N y P

Fuente.- http://unicrom.com/fet-de-juntura-o-jfet-transistor-efecto-de-campo/
La polarización de un JFET exige que las uniones P-N estén inversamente

polarizadas. En un JFET de canal N, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor
que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal. Además, la
puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión P-N se
encuentre polarizada inversamente. Ambas polarizaciones se indican en la siguiente
figura:
Figura 56: Caracterisiticas de un NJFET

Fuente.- Libro: Dispositivos electrónicos 2014 – Cibertec Perú
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas de
los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por
tensión, a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a
source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión drain o
drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte,
lineal, saturación y ruptura. A continuación, se realiza una descripción breve de cada
una de estas regiones para el caso de un NJFET.
Región de corte
En esta región, la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID = 0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es lo suficientemente negativa, ya que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas, se denomina a esta tensión como de estrangulamiento o
pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS (off)
= -2 voltios.

Región lineal
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada
en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por
tensión. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (Rds (on))
para diferentes valores de VGS.
Región de saturación
En esta región, de similares características que un BJT en la región lineal, el JFET

tiene unas características lineales que son utilizadas en amplificación. Se comporta
como una fuente de intensidad controlada por la tensión V GS, cuya ID es prácticamente
independiente de la tensión VDS. La ecuación que relaciona la ID con la VGS se conoce
como ecuación cuadrática o ecuación de Schockley que viene dada por
donde Vp es la tensión de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de saturación.

Esta corriente se define como el valor de ID cuando VGS = 0, y esta característica es
utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (I DSS).
La ecuación anterior en el plano ID y VGS representa una parábola desplazada en Vp.
Esta relación junto a las características del NJFET mostrados en la figura anterior
permiten obtener gráficamente el punto de trabajo Q del transistor en la región de
saturación. La siguiente figura muestra la representación gráfica de este punto Q y la
relación existente en ambas curvas, las cuales permiten determinar el punto de
polarización de un transistor utilizando métodos gráficos.
Figura 57: Caracterisiticas de un JFET

Región de ruptura

Una tensión alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a
través de la unión de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensión
de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente. Esta
tensión se designa por BVDSS y su valor está comprendido entre 20 y 50 voltios. Las
tensiones de polarización nunca deben superar estos valores para evitar que el
dispositivo se deteriore.
Por último, debemos comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las
ecuaciones desarrolladas anteriormente para el JFET son válidas para el PJFET, si
consideramos el convenio de signos indicados en la siguiente tabla:
Figura 58: Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NJET y PJFET

2.4.2. El MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de

efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear un canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET, ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. Existen dos tipos de
transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su
vez, estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement) o deflexión
(deplexion). En la actualidad, los segundos están prácticamente en desuso y aquí,
únicamente, serán descritos los MOS de acumulación (también conocidos como de
enriquecimiento). En la figura siguiente, se indica los diferentes símbolos utilizados
para describir los transistores MOS.

Figura 59: Estructura MOS

Figura 60: Estructura MOSFET de canal N

Figura 60: Simbolos eléctricos de los MOSFET de enriquecimiento

Figura 61: Simbolos eléctricos de los MOSFET de enpobrecimiento

En el gráfico que aparece a continuación, se describe la estructura física de un

MOSFET de canal N con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y
substrato. Normalmente, el sustrato se encuentra conectado a la fuente. La

puerta, cuya dimensión es (W x L), está separada del substrato por un dieléctrico
(Si02) y forma una estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar
una tensión positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversión)
en la superficie del substrato y se crea un camino de conducción entre los
terminales drenador y fuente.
Figura 62: Estructura física de un MOSFET de canal N con sus cuatro terminales
Fuente.- Libro: Dispositivos Electronicos – Cibertec 2014 Peru
La tensión mínima para crear esa capa de inversión se denomina tensión umbral o
tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del transistor. Si la VGS < VT,

la corriente de drenador-fuente es nula. Valores típicos de esta tensión son de 0.5

voltios a 3 voltios.
Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura física muy diferente pero sus
ecuaciones analíticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen
las mismas regiones de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. En la siguiente
figura, se muestran las curvas de características eléctricas de un transistor NMOS con
las diferentes regiones de operación que son descritas brevemente a continuación.
Figura 63: Curvas de características de un NMOS

Fuente.- Libro: Dispositivos Electronicos – Cibertec 2014 Peru
Región de corte
Se verifica que VGS < VT y la corriente ID es nula.
Región lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensión.
Región saturación
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión VGS.
2.4.3. Circuitos aplicativos

Figura 64: Conexión directa de un Mosfet a un microcontrolador

Fuente.- http://www.inventable.eu/como-conectar-un-mosfet-a-un-microcontrolador/
Figura 65: Conexión directa de un Mosfet a un microcontrolador

Figura 66: Ejemplo de conexión de un mosfet no "logic level" de canal N


Figura 67: Ejemplo de conexión de un mosfet no "logic level" de canal P

Figura 68: Transistores MOSFET


Figura 68: MOSFET como amplificador

Fuente.- Libro: Coquito de la electronica – Martin William ORTIZ VERGARA
Figura 69: Acoplamiento de BJT y MOSFET


Figura 70: Circuito sugerido para exitar cargas a través de un transistor MOSFET
Fuente.- http://www.servisystem.com.ar/NEOTEO/PWM/PWM.htm
Figura 71: Optocoplador con MOSFET canal P

Figura 72: Optocoplador con MOSFET canal N


Figura 73: 555 con MOSFET canal N

Resumen
1. El Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor o
MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es
un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
2. El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),

drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin embargo, el
sustrato generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por
este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
3. El MOSFET de potencia, básicamente es una resitencia varaible comandada

por tensión.
 https://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY

 https://www.youtube.com/watch?v=5dNvnTPTwRo
 https://www.youtube.com/watch?v=wwIRXd8zX04

UNIDAD
3
DE CUATRO CAPAS: Tiristores

Al término de la unidad, el alumno diseña y arma circuitos de aplicación, haciendo uso
de dispositivos llamados tiristores.
TEMARIO
3.1 Tema 11 : El SCR

3.1.1 : Funcionamiento del SCR
3.1.2 : Funcionamiento del SCR
3.1.3 : Circuitos de diseño electrónico con SCR
3.1.4 : Circuitos de aplicación

3.2 Tema 12 : El TRIAC

3.2.1 : Funcionamiento del TRIAC
3.2.2 : Circuitos de aplicación
3.3 Tema 13 : El DIAC

Funcionamiento del DIAC
Circuitos de aplicación
 Los alumnos identifican los tiristores más importantes.

 Los alumnos diseñar y armar circuitos con SCR.
 Los alumnos diseñar y armar circuitos con TRIAC.
 Los alumnos diseñar y armar circuitos con DIAC.
3.1. El SCR
Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el Rectificador Controlado de Silicio (SCR)

es, sin duda, de gran interés en la actualidad. Se presento por primera vez en 1956
por los laboratorios Bell Telephone. Alguna de de las muchas áreas de aplicación de
los SCRs incluyen controles de relevadores, circuitos de retardo de tiempo, fuentes de
alimentación reguladas, interruptores estáticos, controles de motores, recordadores
inversores, ciclos-convertidores, cargadores de batería, circuito de protección,
controles de calefacción y controles de fase.
En años resientes, lo SCRs se han diseñando controlar potencias de hasta 10 MW con

niveles individuales tan altos como 2000 a 1800 V. Su rango de frecuencia de
aplicación también se ha extendido hasta cerca de 50 khz, lo que ha permitido algunas
aplicaciones de alta frecuencia como calefacción inductiva y la limpieza ultrasónica

Figura 74: Estructura interna de un dispositivo PNPN

Figura 75: Simbolo universal del SCR

ÁNODO
PUERTA
CÁTODO
Figura 76: Composicion del SCR con dos transitores BJTs

Prof. ORTIZ VERGARA, Martin William BT151 UNE

Figura 77: Formas fisicas de los SCRs mas comunes

3.1.1. Funcionamiento del SCR
Rectificador de Silicio Controlado (SCR), es un interruptor de estado solidó

unidireccional que puede funcionar con corriente continua o corriente alterna. El SCR,
es como su nombre lo indica, es un rectificador de silicio que posee un tercer terminal
llamado compuerta o GATE para propósitos de control.
K = Cátodo
A = Ánodo
G = Gate o compuerta
Figura 78: Formas fisicas de SCRs

Cuando no se le aplica corriente a la compuerta, el SCR se comporta como un

interruptor abierto en cualquier dirección.
Para que el SCR conduzca, entre Ánodo y Cátodo, se requiere de un cierto nivel de
corriente (pulso positivo), aplicado entre la compuerta y el Cátodo. Dicho nivel de
corriente depende de la sensibilidad de la compuerta o GATE del SCR.

Una vez activado el SCR (el voltaje entre Ánodo y Cátodo se reduce a 1 voltio), esta
seguirá conduciendo aun con la compuerta suprimida. Para que el SCR deje de
conducir es necesario que la corriente de Ánodo se reduzca a un inferior a IH (I Hold)
o se invierta la polarización entre Ánodo y Cátodo del SCR.
Según la curva característica del SCR, encontramos los siguientes puntos importantes:
IH : Corriente de mantenimiento (valor mínimo necesario para que e SCR

permanezca activado)
VH : Voltaje de mantenimiento
VFM : Voltaje máximo de ruptura directa (voltaje de encendido del SCR),

cuando IGATE =0.
VRM : Voltaje máximo de ruptura inversa (cuando se aplica un voltaje mayor

que VRM, el SCR se destruye).
IAK
VRM
IH
VAK
VH VFM
VALORES COMERCIALES DEL SCR
Voltaje (V) 25, 30, 50, 60, 100, 150, 200, 250, 300, 400, 500, 600,
800
Corriente (A) 0.8, 4, 5, 6, 8, 10, 16, 20, 25, 35

Figura 79: Curvas caracterisitca de disparo del SCR y tabla de valores comerciales SCR
Un SCR se compra indicando el código o el voltaje y la corriente del dispositivo
A
El SCR es el tiristor que más se usa. Puede conmutar
corrientes muy elevadas y, por ello, se emplea en
control de motores, hornos, sistemas se aire
acondicionado y calentadores de inducción.
3.1.2. Circuitos de diseños electrónicos con SCR
 Calcule el valor de R1, la potencia de R1, y el VX. El valor de IGT=10mA.
R1 =………………..
WR1 =…………….….
VX =…………….….
+12V
R1
LED
VX
A
G SCR
1KΩ

 Calcule el valor de Rx, la potencia de R X, sabiendo que IGT=15mA. Sabiendo que el

foco esta encendido, calcular la corriente del foco.
RX =………………..
PRX =…………….….
IFOCO =…………….….
FOCO 100W
+12V
D1 RELE
RX 220 VAC
A
G SCR
K

3.1.3. Circuitos de aplicaciones

 Arme el siguiente circuito y realizar las siguientes medidas:
ILED = ………….. IG = ………….. IK= …………..
VLED = ………….. VAK= ………….. V220 Ω =………….. V1KΩ =…………..

IC = ………….. IE = ………….. IB= ………….. ILED= …………..
VB = ………….. VC = ………….. VE = ………….. VCE = …………..
VBE = ………….. VD LED = …………..
VAK =………….. VG =………….. VA =…………..

ILED = ………….. IG = ………….. IK= …………..
VLED = ………….. VAK= ………….. V220 Ω = ………….. V33KΩ -1 = …………..
V33KΩ -2 = ………….. VD1 = ………….. VC 0.1μF =…………..
Resumen
1. Rectificador de Silicio Controlado (SCR), es un interruptor de estado solidó
unidireccional que puede funcionar con corriente continua o corriente alterna.
El SCR, es como su nombre lo indica, es un rectificador de silicio que posee un
tercer terminal llamado compuerta o GATE para propósitos de control.
2. El SCR es el tiristor que más se usa. Puede conmutar corrientes muy elevadas
y, por ello, se emplea en control de motores, hornos, sistemas se aire
acondicionado y calentadores de inducción.
3. Dentro de la familia de dispositivos pnpn, el rectificador controlado de silicio

(SCR) es, sin duda, de gran interés en la actualidad. Se presento por primera
vez en 1956 por los laboratorios Bell Telephone. Alguna de de las muchas
áreas de aplicación de los SCRs incluyen controles de relevadores, circuitos de
retardo de tiempo, fuentes de alimentación reguladas, interruptores estáticos,
controles de motores, recordadores inversores, ciclos-convertidores,
cargadores de batería, circuito de protección, controles de calefacción y
controles de fase.
 https://www.youtube.com/watch?v=qpS74Nn2spU
 https://www.youtube.com/watch?v=Lm4beERRKH4
 https://www.youtube.com/watch?v=IwiQ3g6H6qs

3.2. El TRIAC
3.1.4. Funcionamiento del TRIAC
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que el
TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían dos

SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la
denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El disparo del TRIAC se realiza
aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.
Figura 79: Simbolo universal del TRIAC


Figura 79: Conromacion del TRIAC con dos SCRs

Figura 80: Estructura interna de un TRIAC

8.2 kΩ
3.1.5. Circuitos de aplicación M L1
250 kΩ
A2
 Arme el siguiente circuito
TRIAC
G
DIAC
8.2 kΩ
A1
100 nF 47 nF
400V 400V

L2
Dibuje la forma de Onda en el motor
MOTOR ON MOTOR OFF
Dibuje la forma de Onda entre A1 y A2 del TRIAC

MOTOR ON MOTOR OFF
L1
M
100 kΩ
A2 100 Ω
47 kΩ 5W
BT137
47 kΩ
G
A1 0.1 uF
0.1 uF 0.1 uF
L2
Dibuje la forma de Onda en el motor

MOTOR ON MOTOR OFF
Dibuje la forma de Onda entre A1 y A2 del TRIAC
MOTOR ON MOTOR OFF
Mediciones del motor ON:
IM : ………………………….
VM : ………………………….
WM : ………………………….

Figura 81: Interruptor de CA con TRIAC

Fuente.- http://www.forosdeelectronica.com/f12/interruptor-ca-triac-15310/

Figura 82: Oprtocopladores con TRIAC para luces secuenciales

Resumen
1. Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de
la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse
que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
2. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían

dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso
pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (gate). El disparo del
TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo de gate/puerta.
3. Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas

ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.

 https://www.youtube.com/watch?v=vb1VnKBIfNQ
 https://www.youtube.com/watch?v=I1JWTs1652c
 https://www.youtube.com/watch?v=V7YJuCZf3Cs
3.3. El DIAC
3.1.6. Funcionamiento del DIAC
El DIAC (Diodo Internacional de Activación Constante) es un dispositivo semiconductor

doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la
corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la
corriente circulante no sea inferior al valor triple de volts característico para ese
dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La
mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor de 30
V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.
Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para

autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, ánodo 1 y ánodo 2. Actúa

como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa cuando el
voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o accionado, dicho
voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la potencia del proceso de fabricación

Figura 83: Estructura interna del DIAC y símbolo del DIAC

Existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base y con las
regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del colector. Esto
inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, produciéndose un
efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en antiparalelo, lo

que le da la característica bidireccional.
3.1.7. Circuitos de aplicacion

Figura 84: Circuitos de aplicación con DIAC

Fuente.- http://www.forosdeelectronica.com/f21/pwm-motor-lavadora-107649/index7.htm
Resumen
1. El DIAC (Diodo Internacional de Activación Constante) es un dispositivo
semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional
autodisparable que conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión
de disparo alternativa, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor
triple de volts característico para ese dispositivo.
2. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente. La

mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor
de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.
3. Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para

autocompletar el ritmo variado del disparo de un triac, otra clase de tiristor. Es
un dispositivo semiconductor de dos terminales amenos, ánodo 1 y ánodo 2.
Actúa como una llave semicircular interruptora bidireccional la cual se activa
cuando el voltaje entre sus terminales variables alcanza el voltaje de quema o
accionado, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts según la potencia del
proceso de fabricación

 https://www.youtube.com/watch?v=YC6sFzGRa8A
 https://www.youtube.com/watch?v=Cy3gH-MzNTk
 https://www.youtube.com/watch?v=cQWCmWnULIQ

UNIDAD
4
INTEGRADOS


Al término de la unidad, el alumno diseña y arma circuitos de aplicación, haciendo uso de
dispositivos electrónicos integrados.
TEMARIO
3.1 Tema 11 : Reguladores Lineales Integrados

3.1.1 : Modelos básicos de reguladores integrados
3.1.3 : Regulador fijo
3.1.5 : Fuentes reguladas simétricas
3.1.6 : Reguladores ajustables
3.1.7 : Tabla de regulación
3.2 Tema 12 : Amplificador Operacional

3.2.1 : Amplificadores Operacionales.
3.2.2 : El Amplificador operacional ideal.
3.2.3 : Configuraciones básicas del Amplificado Operacional.
3.2.4 : El Amplificador Operacional como comparador y la familia 311.
3.2.5 : Aplicaciones de los Amplificadores operacionales.
3.3 Tema 13 : El Temporizador 555

: El Circuito Temporizador
: Diagrama de bloques del IC555
: Operación como monoestable y astable
: Aplicaciones del Timer 555
 Los alumnos identifican los disposostivos electrónicos integrados

 Los alumnos diseñar y armar circuitos con reguladores lineales
integrados.
 Los alumnos diseñar y armar circuitos con amplificadores operacionales.
 Los alumnos diseñar y armar circuitos con temporizadores 555.

4.1. REGULADORES LINEALES INTEGRADOS
Existen una gran variedad de circuitos integrados lineales para regulación de tensión
con un numero de pines que van de 3 a 14. Todos son reguladores serie dado que
tienen un rendimiento mayor que los reguladores en derivación. Los reguladores
integrados usados mayoritariamente son los que tienen únicamente tres pines: uno
para tensión de entrada sin regular, otro para la tensión regulada y un tercero de toma
de tierra.
4.1.1 Modelos básicos de reguladores integrados
La mayoría de los reguladores integrados tienen alguno de los siguientes tipos de

salida: positiva fija, negativa fija o ajustable. Los reguladores integrados con salidad
fijapositiva o negativa están ajustados de fabrica para obtener diferentes tensiones
fijas en un rango que va desde los 5 a los 24V. Los reguladores integrados con salida
variable pueden cambiar los valres de la tensión de salida desde menos de 2V hasta
más de 40V.
4.1.2 La serie LM78XX

La serie LM78XX (donde XX= 05, 06, 08, 10, 12, 15, 18 o 24) esta compuesta por
reguladores de tensión típicos de tres terminales. El 7805 produce un salida de +5V, el
7806 una de +6V, el 7808 una de +8V, etc., hasta el 7824, que produce una salida de
+24V.
Figura 85: Circuitos de aplicación del 7805 y forma física del 7812
Fuente.- http://electronica-teoriaypractica.com/reguladores-de-tension-7805-7812-7815-y-7824/
4.1.3 Regulador fijo
En el mercado existen una serie de circuitos integrados dedicados a regular la tensión

con estos valores tensiones de salida 5, 6, 8, 9, 10, 11, 12, 15, 18 y 24V, esta serie es
la LM78XX siendo los valores mas usados (7805, 7812, 7815, 7824). La intensidad
máxima en todos los casos es de 1 A.
El encapsulado normal es el TO220 y DPAK en el caso de formato en SMD.

Figura 86: 7805 encapsulado en TO-220

Figura 87: 7805 encapsulado en DPAK

Aunque está diseñado principalmente para suministrar una tensión fija, estos
reguladores pueden ser utilizados con componentes externos para obtener voltajes y
corrientes ajustables. Una característica de este dispositivo es que dispone de
protección térmica y limitación de corriente por si se producen cortocircuitos, esto hace
que si en algún momento nos sobrepasamos en sus características el regulador de
tensión queda protegido.
4.1.4 La serie LM79XX
La serie LM79XX es un grupo de reguladores de tensión fija negativa con tensiones

ajustadas en -5, -6, -8, -8, -10, -12, -15, -18 y -24. Por ejemplo un LM7905 produce
una tensión de salida regulada de -5V. En el otro extemo, un LM7924 producira una
salida de -24V. Con la serie LM79XX, la corriente por la carga posible esta cercana a
1A.
4.1.5 Fuentes reguladas simétricas

Figura 88: Fuente regulada simetrica

Fuente.- http://www.profesormolina.com.ar/electronica/componentes/fuente_reg/reg_int.htm
4.1.6 Reguladores ajustables
Algunos reguladores integrados (LM31, LM337, LM338 y LM350) son ajustables.

Tienen corrientes de cargas máximas que van desde 1.5 a 5ª. Por ejemplo, el LM317
es un regulador de tensión positiva de tres terminales que puede proporcionar 1.5 A de
corriente de carga sobre un rango de tensión de salida ajustable de 1.25 a 37V.
Figura 89: Fuente regulada simetrica

Fuente.- http://www.electronica2000.info/2012/05/23/regulador-lm317/
4.1.7 Tabla de regulación

NUMERO VOUT (V) IMAX (A)

LM7805 5 1.5
LM7806 6 1.5
LM7808 8 1.5
LM78012 12 1.5
LM7815 15 1.5
LM7818 18 1.5
LM7824 24 1.5
LM78L05 5 100 mA
LM78L12 12 100 mA
LM2931 3a4 100 mA
LM7905 -5 1.5
LM7912 -12 1.5
LM7915 -15 1.5
LM317 1.2 a 37 1.5

LM337 -1.2 a -37 1.5
LM338 1.2 a 32 5
Resumen
1. En la mayoría de las aplicaciones se requiere una tensión fija y estable de un
determinado valor. La línea de reguladores ideales para este tipo de
necesidades es la conocida como LM78XX. Las primeras letras y dos números
corresponden a la denominación, mientras que las dos últimas XX deben ser
reemplazados por la tensión de salida requerida.
2. Cada uno de estos dispositivos posee sólo tres terminales, uno corresponde a
la entrada de tensión no regulada, otro es la salida regulada y el restante es la
masa, común a ambos. En cuanto al encapsulado, conviene aclarar que, si
bien están disponibles en varios tipos, generalmente se los suele encontrar en
el encapsulado del tipo TO-220, correspondiente a una corriente de salida de 1
A.
3. La serie es la 79XX. Donde nuevamente las X son reemplazadas por los

valores de salida negativa.

 https://www.youtube.com/watch?v=J1O2yaxrS14
 https://www.youtube.com/watch?v=hUH6vtLLdcI
 https://www.youtube.com/watch?v=neHP_Sle8Sc
4.2. AMPLIFICADORES OPERACIONALES
4.2.1 Amplificadores Operacionales
El término de amplificador operacional (operational amplifier o OA o op amp) fue

asignado alrededor de 1940 para designar una clase de amplificadores que permiten
realizar una serie de operaciones tales como suma, resta, multiplicación, integración,
diferenciación, etc., que eran importantes dentro de la computación analógica de esa
época.
La aparición y desarrollo de la tecnología integrada, que permitía fabricar, sobre un

único substrato monolítico de Silicio, gran cantidad de dispositivos, dio lugar al
surgimiento de amplificadores operacionales integrados que desembocaron en una
revolución dentro de las aplicaciones analógicas. El primer OA fue desarrollado por
R.J. Widlar en Fairchild. En 1968, se introdujo el famoso OA 741 que desbancó a sus
rivales de la época con una técnica de compensación interna muy relevante y de
interés incluso en nuestros días. Los amplificadores basados en tecnología CMOS han
surgido como parte de circuitos VLSI, de mayor complejidad, aunque sus
características eléctricas no pueden competir con los de la tecnología bipolar. Si bien
su campo de aplicación es más restrictivo, su estructura es sencilla. Ello sumado a su
relativa baja área de ocupación los hace idóneos en aplicaciones donde no se
necesitan altas prestaciones como en el caso de los circuitos de capacidades
conmutadas (switched-capacitor). Combinando las ventajas de los dispositivos CMOS
y bipolares, la tecnología Bi-CMOS permite el diseño de excelentes OAs.

Figura 90: Funciones funcionales de un OA

Fuente.- Libro: Dispositivos Electronicos – Cibertec Peru 2014
Los OAs integrados están constituidos por muy diversas y complejas

configuraciones que dependen de sus prestaciones, y de la habilidad del
diseñador a la hora de combinarlas. Tradicionalmente, un OA está formado por
cuatro bloques bien diferenciados que están conectados en cascada: amplificador
diferencial de entrada, etapa amplificadora, adaptador y desplazamiento de nivel y
etapa de salida. Podemos ver estas etapas en el gráfico anterior. Estos bloques
están polarizados con fuentes de corrientes, circuitos estabilizadores, adaptadores
y desplazadores de nivel.
La etapa diferencial presenta las siguientes características: tiene dos entradas

(inversora y no inversora), su relación de rechazo en modo común es muy alto, las
señales van directamente acopladas a las entradas y presentan una deriva de
tensión de salida muy pequeña. El amplificador intermedio proporciona la
ganancia de tensión suplementaria. Suele ser un emisor común con carga activa y
está acoplada al amplificador diferencial a través de un seguidor de emisor de
muy alta impedancia de entrada, a fin de minimizar su efecto de carga. El
adaptador permite acoplar la etapa intermedia con la etapa de salida que
generalmente es una clase AB.
La siguiente figura describe el esquema del OA 741. Este OA mantiene la filosofía

del diseño de circuitos integrados: gran número de transistores, pocas resistencias
y un condensador para compensación interna. Esta filosofía es el resultado de la
economía de fabricación de dispositivos integrados donde se combina el área de
Silicio, la sencillez de fabricación y la calidad de los componentes. El 741 requiere
dos tensiones de alimentación que normalmente son de ±15 voltios. La masa del
circuito es el nudo común a las dos fuentes de alimentación.

Figura 91: Estructura interna de un OPAM

La figura 92, describe la versión simplificada con los elementos circuitales más
importantes. En este circuito, se observa la etapa diferencial constituida por los
transistores Q1 y Q2, la etapa amplificadora intermedia compuesta por Q16, Q17
y Q23, y la etapa de salida push-pull conformada por Q14 y Q20.
Figura 92: Esquema simplificado de OA 741

El OA es un amplificador de extraordinaria ganancia. Por ejemplo, el μA741 tiene una

ganancia de 200.000 y el OP-77 (Precision Monolithics) de 12.000.000. En el gráfico,
se muestra el símbolo de un OA. Aunque no se indica explícitamente, los OA son
alimentados con tensiones simétricas de valor ±Vcc. Recientemente, han sido puestos
en el mercado OA de polarización simple (single supply).

Figura 93: Simbolo de OA

Las entradas, identificadas por signos positivos y negativos, son denominadas

entradas invertidas y no invertidas. Si denominamos Vp y Vn a las tensiones aplicadas
a la entrada de un OA, se define la tensión de entrada en modo diferencial (Vd) y
modo común (Vc) como
Vd = Vp – Vn
Vc = (Vp + Vn) / 2
La tensión de salida se expresa como
Vo = Ad.Vd + Ac.Vc
Ad es la ganancia en modo diferencial. Viene reflejada en las hojas de

características del OA como Large Signal Voltage Gain o Open Loop Voltage
Gain.
Ac es la ganancia en modo común. No se indica directamente, sino a través del
parámetro de relación de rechazo en modo común o CMRR (Common-Mode
Rejection Ratio).
CMRR = Ad / Ac
4.2.2 El Amplificador operacional ideal
Un OA ideal, indicado esquemáticamente en la siguiente figura, presenta las siguientes

características:
1. Resistencia de entrada ∞.
2. Resistencia de salida 0.
3. Ganancia en tensión en modo diferencial ∞.
4. Ganancia en tensión en modo común 0 (CMRR = ∞).
5. Corrientes de entrada nulas (Ip = In = 0).
6. Ancho de banda ∞.
7. Ausencia de desviación en las características con la temperatura.

Figura 94: OA ideal

Las características 1) y 2) definen, desde el punto de vista de impedancias, a un

amplificador de tensión ideal que no está afectado por el valor de la carga que se
conecta a su salida. Por otra parte, las características 4) y 5) aplicadas a la ecuación
de Vo, crean una indeterminación, ya que, al ser Ad = ∞, resultaría que el producto
Ad.Vd debería ser infinito. Sin embargo, esa indeterminación se resuelve cuando Vd =
0; por lo tanto, el producto Ad.Vd da como resultado un valor finito. Por ello, las
entradas del OA ideal tienen corrientes nulas (Ip=In=0) y verifican que Vp=Vn (en el
caso de realimentación negativa). Este modelo simplifica mucho el análisis de circuitos
basados en el OA. El modelo del OA ideal solo es un concepto idealizado del OA real
que, sin embargo, resulta muy práctico y se acerca con mucha exactitud al
comportamiento real de estos circuitos.
4.2.3 Configuraciones básicas del Amplificado Operacional
Amplificador inversor. La ganancia en tensión del amplificador inversor se obtiene

analizando el circuito y aplicando las características del OA ideal.
Figura 95: Amplificador inversor

Si las corrientes a través de las líneas de entrada son nulas, se cumple que
(Vi – Vn) / R1 = (Vn – Vo) / R2
En el OA ideal, Vn = Vp. Pero, en este caso, Vp = 0; por lo tanto, Vn = 0 y, por ello, a

este nudo se le denomina masa virtual, ya que tiene una tensión igual a 0. Al sustituir
Vn = 0 en la ecuación anterior resulta que la ganancia vale
A = Vo / Vi = – R2 / R1
El término inversor es debido al signo negativo de esta expresión que indica un

desfase de 180º entre la entrada y salida. La impedancia de entrada de este circuito es
R1.

Amplificador no-inversor. La ganancia en tensión del amplificador no-inversor se

resuelve de manera similar al caso anterior a partir de las siguientes ecuaciones:
Figura 96: Amplificador no-inversor

Vn / R1 = Vo / (R2 + R1)
Vn = Vp = Vi
A = Vo / Vi = 1 + R2 / R1
La impedancia de entrada es ∞.
Amplificador Seguidor. Por último, la configuración del amplificador como seguidor

tiene una ganancia AV=1, pero la impedancia de entrada y salida de este circuito valen
Zi ≅ Ad.Ri y Zo ≅ Ro/Ad, siendo Ri y Ro las impedencias de entrada y salida del OA.
Por ejemplo, el 741 tiene las siguientes características: Ad=200.000, Ri=1MΩ y

Ro=75Ω. Aplicando las anteriores relaciones, se obtiene que las impedancias de
entrada y salida del seguidor valen Zi=2 10e10Ω y Zo=3.7 10e-4 Ω.
Figura 96: Amplificador seguidor

Otras configuraciones básicas del OA
 Amplificador sumador. El siguiente circuito permite sumar algebraicamente

varias señales analógicas. La tensión de salida se expresa en términos de la
tensión de entrada de la siguiente manera:

Figura 97: Amplificador sumador

 Amplificador restador. Este circuito permite restar las señales de entrada

cumpliéndose las siguientes expresiones:
Figura 98: Amplificador restador

2.2.4. El Amplificador Operacional como comparador y la familia 311
Los comparadores son circuitos no lineales que, como su nombre indica, sirven para
comparar dos señales (una de las cuales generalmente es una tensión de referencia) y
determinar cuál de ellas es mayor o menor. La tensión de salida tiene dos estados
(binaria) y se comporta como un convertidor analógico-digital de 1 bit. Su utilización en
las aplicaciones de generación de señal, detección, modulación de señal, etc., es muy
importante. Además, constituye un bloque analógico básico en muchos circuitos.

Figura 99: Comparador de tensión

La función del comparador es comparar dos tensiones obteniéndose como resultado

una tensión alta (VOH) o baja (VOL). En el gráfico anterior, se presenta el símbolo para
representar comparadores, que es el mismo que el utilizado para amplificadores
operacionales. La tensión de salida Vo cambia dependiendo de las tensiones de
entrada. Así, tenemos que
Vo = VOH si Vp < Vn
Vo = VOL si Vp > Vn
En el caso de que la tensión Vn esté fijada a 0, entonces, la tensión de salida Vo=V OL

o Vo=VOH en función de si Vp<0 o Vp>0, respectivamente. El comparador acepta
señales analógicas a la entrada y proporciona señales binarias a la salida. Este
elemento constituye un nexo de unión entre el mundo analógico y digital.
Los OAs pueden actuar como comparadores cuando la ganancia diferencial en lazo
abierto sea alta (>10.000) y la velocidad no sea un factor crítico. Como ejemplo, el OA
741 se comporta como un elemento de entrada lineal si la tensión de entrada, en
modo diferencial, está comprendida entre los siguientes valores: –65μV<Vd<+65μV.
Fuera de ese rango la etapa de salida del amplificador entra en saturación y puede
comportarse como comparador.
Figura 100: Comparador de tensión

En estos gráficos, se muestra una aplicación sencilla del OA 741 como comparador. El
amplificador carece de realimentación y la gráfica de Vo versus Vi indica que siempre
que Vi > VT; entonces, la salida es baja (-15 voltios) y si Vi<VT la salida es alta (+15
voltios). Los límites alto y bajo de Vo son establecidos por las tensiones de
alimentación. En este caso, ±15 voltios, los cuales son los voltajes de la fuente. La
figura también muestra un ejemplo del comportamiento de este circuito a una entrada
Vi analógica.
Aunque los OAs, funcionalmente, pueden actuar como comparadores, sus limitaciones
hacen que sean inservibles para muchas aplicaciones. Tienen una limitación
importante en alta frecuencia, ya que generan retrasos tan elevados que únicamente
son válidas sus aplicaciones a frecuencias bajas. Además, los OAs están pensados
para actuar como amplificadores e incluyen técnicas de compensación en frecuencia
que no son necesarias cuando operan como comparadores. A veces, es necesario

añadir una circuitería adicional cuando los niveles de tensión tienen que ser
compatibles con TTL, ECL o CMOS. Por estas limitaciones, se han desarrollado
comparadores monolíticos especialmente concebidos para aplicaciones de
comparación.
Comparadores de tensión monolíticos
Los comparadores monolíticos tienen una estructura similar a los OAs, excepto que
utilizan unas técnicas circuitales especiales que mejoran la velocidad y facilitan la
interfase de salida para hacerlo compatible con otros circuitos. Un parámetro
importante de un comparador es su respuesta temporal, la cual está definida como el
tiempo necesario en alcanzar el 50% del nivel de salida cuando se aplica un escalón a
la entrada. Los comparadores típicos tienen tiempos que varían entre 50 y 200ns. Sin
embargo, los convertidores A/D, como por ejemplo los convertidores flash, precisan de
comparadores de muy alta velocidad con tiempos de respuesta del orden de 10ns.
Tales circuitos se pueden lograr usando configuraciones basadas en las familias

lógicas ECL y Schottky TTL. Ejemplos de este tipo de comparadores son el LM361
(14ns) de National Semiconductor, ME521 (12ns max) de Signetics, el LT1016 (10ns)
de Linear Technology y el Am-685 (6.5ns) de Avanced Micro-Devices.
Por último, ciertos comparadores monolíticos tienen incorporados líneas de strobing a

la entrada para habilitar/deshabilitar el dispositivo y biestables a la salida para retener
el resultado de la última comparación. Estas aplicaciones son muy útiles en
determinados convertidores A/D y en interfases con microcomputadores.
La Familia 311
La serie 311 de National Semiconductor es una de las familias más populares en

comparadores integrados. Puede operar con tensiones duales de ±15 voltios o con
tensión simple de +5V. La salida es en colector abierto (open-colector) con tensiones
de alimentación independientes para seleccionar los niveles de tensión de salida.
Posee, además, un circuito de protección que limita la intensidad máxima de salida a
50mA. Las correcciones de offset se pueden realizar mediante un potenciómetro
variable conectado a las entradas 5 y 6, que es similar a la técnica utilizada en
amplificadores operacionales.
Figura 101: Caracterisiticas del comparador LM311


Las formas más sencillas de utilizar este comparador se muestran en las siguientes
figuras:
Figura 102: Polarizacion de la etpa de salida del LM311

En el gráfico, vemos que el transistor de salida tiene conectado una resistencia RL en

el colector y dos tensiones de polarización independientes. Los niveles de tensión de
salida son
Vo = VOH ≅ VEE si Vp < Vn (Transistor en saturación)
Vo = VOH = VCC si Vp > Vn (Transistor en corte)
En la otra parte del gráfico, el amplificador de salida, se implementa con el transistor

que está en configuración de seguidor de emisor, el cual es muy útil cuando se precisa
de interfases a masa tal como sucede en los SRC. Los niveles de tensión de salida
son
Vo = VOL ≅ VCC si Vp < Vn (Transistor en saturación)
Vo = VOH = VEE si Vp > Vn (Transistor en corte)
El seguidor de emisor presenta una polaridad contraria a la de resistencia de colector y

su rango de tensiones de entrada en modo diferencial es mucho mayor.

Figura 103: Detector de cruce por cero

4.2.4 Aplicaciones de los Amplificadores operacionales
Figura 104: Circuito de OPAM con termistor


Figura 105: Circuito de OPAM con termistor

Figura 105: Voltimetro a LED


Figura 106: Amplificador de Audio

Fuente.- http://www.proyectoelectronico.com/amplificadores-audio/amplificadores-operacionales.html

Resumen
1. Estos circuitos integrados lograron un gran salto en la electrónica, ya que
habrieron muchas posibilidades en el diseño de equipos de audio,
comparadores de voltaje, etc. aunque al principio se diseñaron pensando en
otros usos (Calculadoras analógicas).
2. Los amplificadores operacionales de uso general están formados por muchos

transistores, algunos utilizan JFETs o MOSFETs y hay amplificadores
operacionales fabricados completamente con la tecnología CMOS como
LinCMOS ® (Marca registrada de Texas Instruments).
3. La mayoría de amplificadores operacionales trabajan bien con sonido, es muy

utilizado el JRC4558, que son dos operacionales en un chip de 8 patillas,
similar al LM358. Tambien se utiliza el LM348 de 4 operacionales en un chip
con 14 patillas similar al LM324. Y además de las presentaciones con solo un
operacional que tiene ajuste de "offset" como el LM741.
 https://www.youtube.com/watch?v=ff7CeEOKZuk
 https://www.youtube.com/watch?v=ujv1coOXgwM
 https://www.youtube.com/watch?v=0-crjZ6GNUo

4.3. EL TEMPORIZADOR 555
Los circuitos temporizadores son muy utilizados en la industria y en aplicaciones

caseras. Podemos implementar diversos circuitos temporizadores pero el más sencillo
y menos preciso está conformado por una resistencia y un condensador. A partir de
aquí se puede contar con un sinfín de opciones y posibilidades. Cuando necesitamos
un temporizador, lo primero que debemos considerar es la necesidad de precisión en
el tiempo, base importante para determinar los elementos que vamos a utilizar en su
concepción y diseño.
Un temporizador, básicamente, consiste en un elemento que se activa o desactiva

después de un tiempo más o menos preestablecido. De esta manera, podemos
determinar el parámetro relacionado con el tiempo que ha de transcurrir para que el
circuito susceptible de temporizarse se detenga o empiece a funcionar o simplemente
cierre un contacto o lo abra.
4.3.1 El Circuito Temporizador
Es un circuito relativamente complejo. Contiene un total de 27 transistores bipolares y

10 resistencias, que sirven para constituir un par de comparadores, un biestable RS y
un circuito de descarga, tal como se aprecia en el diagrama en bloques de este
temporizador o timer.
Figura 107: Diagrama de Bloques del temporizador 555


Todos estos componentes vienen contenidos en un circuito integrado de 8 terminales,
cuatro a cada lado, tal como podemos apreciar en el siguiente gráfico, donde se indica
la función de cada terminal.
Figura 108: Forma física del 555

Para comprender el funcionamiento básico del circuito es imprescindible comprender,

primero, la operación que realiza el biestable o flip-flop RS.
Flip-flops RS
Básicamente, éste es un circuito digital cuya salida depende no solo de las entradas
actuales, sino del estado anterior. Sus entradas son R y S y la salida Q y /Q, las cuales
cambian de la siguiente manera:
• Si se aplica una entrada alta en S y baja en R podremos setear a la salida Q, por lo

que ésta se pone en nivel alto, mientras que en /Q tendremos un nivel bajo.
• Por otro lado, con una entrada alta en R y una entrada baja en S, lograremos
resetear la salida Q, por lo que su nivel se mantendrá bajo y /Q en nivel alto.
• Ninguna de las otras dos combinaciones de entrada posibles produce cambio alguno
de la salida.
Funcionamiento básico de la temporización
La siguiente figura permite analizar el funcionamiento de la temporización. Para ello

supongamos que Q está a “0” en el estado inicial. En ese caso, el transistor T estará
en corte y el condensador C se cargará a través de R2. Observe que la configuración
del circuito hace que la tensión control sea mientras que la tensión threshold irá
creciendo con el tiempo. En teoría, tal crecimiento podría llevar esta tensión hasta V CC;
sin embargo, cuando la tensión de threshold cruza el valor de control, la salida del
comparador se hace igual a “1”, el transistor entra en su zona de alta conducción y
descarga, casi de manera inmediata, el condensador.

V c
o nt
ro l
= 2
.
V C
C /
3
Figura 109: Operación del temporizador

Si se aplica un pulso, de corta duración, en la entrada RESET del biestable, esto

provoca un reseteo del mismo, que fuerza la salida Q a “0”. El transistor se apaga y el
condensador empieza a cargarse de acuerdo con la expresión
V threshold = VCC (1 – e – t / Ƭ) Ƭ = R2 . C
de manera que evolucionaría desde V threshold = 0 hacia V threshold = VCC. Sin

embargo, para V threshold > 2 . VCC / 3, el comparador cambia su salida, SET
cambia a “1” y obliga a que Q tome el valor igual a “1”, con lo que se descarga el
condensador. El tiempo que ha estado en bajo la señal Q es, claramente, el tiempo
que ha tardado V threshold en alcanzar el valor (2/ 3)xVCC partiendo desde 0. Esto es
TD ≅ Ƭ. ln (3) = 1.1 Ƭ
que, como podemos ver, resulta independiente de la duración del pulso en el terminal
de R del biestable RS.
4.3.2 Diagrama de bloques del IC555

El siguiente gráfico muestra el diagrama en bloques simplificado. Observe que el

comparador Z1 tiene sus dos entradas accesibles mientras que el comparador Z2 sólo
nos muestra (al exterior) su entrada negativa.
Figura 110: Diagrama de bloques del IC555

En la mayoría de las aplicaciones prácticas, el nudo control se deja “flotante”, por lo

que la tensión de control viene dada por
Vcontrol = (VCC – VEE). 2 / 3
En el símbolo del flip-flop RS, podemos observar la aparición de un terminal nuevo

llamado RESET (no confundir con R). Este terminal bloquea la operación del flip-flop
cuando la tensión aplicada es baja. Esta opción es útil en algunas aplicaciones. Por
último, los terminales VCC y VEE son las alimentaciones, positivas y negativas,
respectivamente, del circuito. Por lo general, los 555 trabajan con cualquier diferencia
VCC - VEE entre 4.5 y 16 voltios.
4.3.3 Operación como monoestable y astable
Operación como monoestable

El siguiente circuito muestra la configuración monoestable más elemental para el

IC555.
Figura 111: Configuracion monoestable

El funcionamiento del circuito puede comprenderse fácilmente en virtud de lo explicado

anteriormente. Cuando la entrada de TRIGGER del circuito es ligeramente inferior a
VCC / 3, el comparador Z2 proporciona una salida alta “1”, lo que produce un RESET
en el Flip-Flop. El transistor de descarga T se apaga y el nudo threshold —
cortocircuitado con discharge con este propósito— comienza a cargarse según la ley
exponencial anteriormente citada
V threshold = VCC (1 – e – t / Ƭ) Ƭ = R2 . C
Cuando el proceso de carga hace que la tensión threshold suba por encima de 2 .
VCC / 3, el comparador Z1 proporcionará un valor alto “1”, mientras que Z2 dará un
valor bajo “0”. Esto crea una condición de SET en el flip-flop de manera que Q = “1”,
con lo que el condensador será descargado muy rápidamente debido a que el
transistor T habrá entrado en la zona de alta conducción. El ancho del pulso de salida
puede calcularse tal como hicimos anteriormente y resulta ser
TD ≅ Ƭ. ln (3) = 1.1 Ƭ
Observe que el terminal de control quedó libre, de manera que el umbral de duración
del pulso queda fijado a 2 VCC / 3. El condensador de 10 nF añadido sólo se incluye
para filtrar ruido en la tensión de control.
Operación como astable
El circuito de la siguiente figura muestra al 555 en la configuración de oscilador o

astable.

Figura 112: Configuracion monoestable

La operación es fácil de entender. Cuando la salida Q del flip-flop RS está en bajo, el

transistor T está cortado y la tensión threshold crecerá de acuerdo a la expresión.
V threshold = VCC (1 – e – t / Ƭ) Ƭ = (Ra + Rb). C
con lo que la condición de V threshold = (2 / 3) VCC se alcanza en un tiempo,
TR = (Ra + Rb). C. ln (3)
Una vez alcanzado este valor, el comparador Z1 da una salida alta que produce una
condición de SET en el flip-flop, de manera que el transistor T entra en la zona de alta
conducción y empieza a descargar el condensador C.
Observe que esa descarga se produce a través de Rb. Por tanto, la constante de
tiempo durante esta segunda parte de la evolución temporal estará dada por Ƭ=
Rb.C. En concreto, la evolución de la tensión de threshold es
V threshold = (2 / 3) VCC e – t / Ƭ
de manera que el nudo threshold y el nudo TRIGGER —que están cortocircuitados—

se van descargando.
Cuando la tensión en el nudo trigger alcanza un valor ligeramente inferior a VCC / 3, el

comparador Z2 produce una salida en alto —una condición de RESET del flip-flop RS
—; el transistor T entrará en corte; y el nudo threshold empezará a cargarse de
nuevo. De este modo, se vuelve a las condiciones del principio. Así, el circuito
proporcionará una salida oscilante, cuyo periodo será la suma del tiempo de carga TR
y el tiempo de descarga TF. Este último viene dado por el tiempo que tarda la
expresión anterior en alcanzar un valor V threshold = VCC / 3, partiendo desde V threshold
= (2 / 3) VCC.
TF = (Rb.C). Ln (2)

de manera que, sustituyendo, se puede llegar a una expresión aproximada para la

frecuencia de oscilación de salida
fosc = 1 / (TR + TF)
para TR debe considerarse la carga desde VCC /3 y no desde 0, por lo tanto
TF = ((Ra + Rb).C). ln (2)
Finalmente, obtenemos la frecuencia de oscilación así:
fosc = 1.44 / [( Ra + 2 Rb ). C]
Por último, hemos de hacer hincapié en el hecho de que este oscilador no proporciona
una salida que dura el mismo tiempo en el estado alto y en el estado bajo (TR ≠ TF). Al
cociente entre el tiempo en alto y el periodo se le conoce como duty cycle o ciclo de
trabajo. Ajustando los valores de Ra y Rb podremos obtener duty cycles de algo más
del 50% hasta valores cercanos al 100%.
4.3.4 Aplicaciones del Timer 555
Figura 113: Circuito con 555

Fuente.- https://www.electronicafacil.net/circuitos/Comprobador-de-555.html

Figura 114: Luces intermitentes

Figura 114: Luces secuenciales


Resumen
1. El temporizador IC 555 es un circuito integrado (chip) que se utiliza en la
generación de temporizadores, pulsos y oscilaciones.
2. El 555 puede ser utilizado para proporcionar retardos de tiempo, como un

oscilador, y como un circuito integrado flip flop. Sus derivados proporcionan
hasta cuatro circuitos de sincronización en un solo paquete
3. El circuito integrado 555 es uno de los integrados más utilizados en el mundo

de la electrónica por su bajo costo y su gran fiabilidad y es capaz de producir
pulsos de temporización (modo monoestable) muy precisos y que también
puede ser usado como oscilador (modo astable). Fue desarrollado y construido
en el año 1971 por la empresa Signetics con el nombre: SE555/NE555 y se lo
llamó:”The IC Time Machine" ("Circuito integrado la máquina del tiempo").
 https://www.youtube.com/watch?v=HPJ3qnQv8RM
 https://www.youtube.com/watch?v=gZ9DQF2PaOw
 https://www.youtube.com/watch?v=GmlogLEu9kc

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