UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
EE435M

INFORME FINAL Nº 1

TRANSISTORES DE POTENCIA, ANÁLISIS Y EXPERIMENTACIÓN

CON CIRCUITOS SCR

Profesor:

Ing. Fredy Chalco

Alumno:

Apaclla Zavala Giancarlo

Hidalgo Ortega Erick
Rojas Herrera Antonio
Trejo Mallqui Cristian

2 010-II
ANALISIS Y EXPERIMENTACIÓN DE CIRCUITOS DE DISPARO CON SCR

1. Circuito 1: Utilización del voltaje para alimentar el circuito de control de puerta y el

circuito de carga.

Fuente AC: Cuando el interruptor está abierto no es posible la circulación de corriente

hacia la compuerta. El SCR nunca pasará a conducción, de modo que es un circuito en
serie con la carga. Por tanto la carga esta desenergizada.

Cuando se cierra el SW, habrá corriente hacia la puerta cuando la fuente de voltaje sea
positiva. El ángulo de disparo está determinado por el valor de R2, la resistencia
variable. Si R2 es baja la corriente de puerta será suficientemente grande como para
cebar el SCR cuando la magnitud del voltaje de la fuente sea baja. Por tanto el ángulo
de disparo será pequeño y la magnitud del promedio de la corriente por la carga será
grande. SI R2 es alta, la fuente de voltaje debe subir a un valor alto para poder
entregar suficiente corriente de puerta para cebar el SCR. Esto aumenta el ángulo de
disparo y reduce la magnitud del promedio de la corriente de carga.

El propósito de R1 es el de mantener un valor fijo de resistencia en el terminal en caso

que R2 sea puesta a cero. Esto es necesario para proteger la compuerta de sobre
corrientes. R1 determina también el mínimo ángulo de disparo. En algunos casos se
inserta un diodo en serie con la puerta para proteger la unión puerta-cátodo contra
voltajes inversos altos.

Una desventaja de este circuito de disparo simple es que el ángulo de disparo puede
ajustarse solamente de 00 a 900. Este hecho puede entenderse si nos referimos a la
figura 2, en la cual se muestra que la corriente de puerta tiende a ser una onda
senoidal en fase con el voltaje a través del SCR.

En la figura 2, iG apenas si alcanza a IGT, la corriente de compuerta necesaria para cebar

el SCR. Bajo estas circunstancias el SCR se ceba a los 900 del ciclo. Puede suceder que si
iG fuese más pequeño no podría, de ninguna manera, cebarse el SCR. Por tanto ángulos
de disparo mayores a 900 no son posibles con este tipo de control de puerta.
En la Figura 2, iG es un poco más grande. En este caso, IG alcanza el valor IGT
relativamente pronto durante el ciclo, lo cual produce un pronto cebado del SCR.

Debemos entender que las formas de onda de iG de la figura 2 son idealizadas. Tan
pronto como el SCR de la Figura 1 se ceba, el voltaje de ánodo a cátodo cae casi a cero
(de echo de 1 a 2v para la mayoría de los SCR). Dado que el voltaje de puerta está
derivado del voltaje ánodo a cátodo, también caerá prácticamente a cero,
suspendiendo la corriente de puerta. Además, dado que la puerta está inversamente
polarizada durante el semiciclo negativo de la fuente ac de voltaje, realmente no hay
corriente negativa de puerta como se muestra en la figura 2. Entonces en realidad, la
curva iG es una onda senoidal en fase con la fuente de voltaje solamente en la región
comprendida entre 00 y el punto de disparo. En cualquier otro momento iG es cercana
a cero.

Un punto más debemos mencionar. Antes del disparo, la forma de onda de vAK es
prácticamente idéntica a la forma de onda de la fuente ac, debido a que la caída de
voltaje en la carga, en la Figura 1 es despreciable antes del disparo. El voltaje en la
carga es pequeño debido a que la resistencia de la carga en circuitos como éste, es
mucho más pequeña que la resistencia en el circuito de control de puerta. La
resistencia de la carga casi siempre es menor que 100 Ω y alguna veces menor que
10Ω. La resistencia fija en el circuito de control de compuerta, típicamente es de varios
miles de ohmios. Cuando estas dos resistencias se conectan en serie, como sucede
antes del disparo, el voltaje a través de la pequeña resistencia de carga, es
naturalmente menor. Esto hace que casi la totalidad del voltaje de la fuente aparezca
en los terminales del SCR.

Fuente DC: Cuando SW se cierra, el SCR se ceba. La resistencia en el terminal de puerta

debe seleccionarse para que esto ocurra. Una vez cebado, el SCR permanecerá en
conducción y la carga permanecerá energizada hasta tanto se suprima la fuente de
voltaje. El SCR permanece en conducción aún si el SW se abre, debido a que no
necesita una corriente de puerta para mantener el SCR en conducción.
 Grafica Obtenida en la simulación

R3

V V+ V-
100 R1
10k
V1
VOFF = 0
VAMPL = 220 X1
FREQ = 60 2N5064
R2
1MEG

250V

200V

150V

100V

50V

0V

-50V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(V1:+,X1:A)
Time

En la simulación anterior se muestra la tensión de entrada sinusoidal y superpuesta se

encuentra la tensión en la carga de un 1KΩ.

El SCR 2N5064 tiene It(rms)=0.8A Igt= 200uA Vrmm=200V

Primero suponiendo que el SCR esta apagado (OFF); entonces para que dispare sucederá lo
siguiente:

V1-V2= (R2+R3)*Igt = (10K+1000K)(0.2mA)=202V , esto significa que cuando la tensión de

entrada sea aproximadamente de 202V el SCR será disparado y conducirá hasta la tensión de
entrada sea negativa como se observa en la simulación anterior.
Graficas Obtenidas en el laboratorio para el circuito 1

Forma de onda entre los terminales ánodo- cátodo del SCR (𝑉𝐴𝐾 )

Forma de onda en la carga, donde se observa un pequeño ángulo de disparo.

Modificación del circuito 1

Grafica obtenida en la simulación

R1

100
V

R3 V
10K
V1
VOFF = 0
FREQ = 60
VAMPL = 311

R2 X1
1M 2N5064

Grafica obtenida en el laboratorio

Al cambiar la posición de la carga la corriente que llega a la compuerta crece más

rápido comparado con el circuito original, originando un ángulo de disparo menor.

Esta modificación no es práctica en aplicaciones industriales debido a que la corriente

puede ser muy alta y dañar los componentes.
2. Circuito 2: Retardo en el disparo usando condensadores

El método más simple para mejorar el circuito de control de puerta es adicionando un

condensador en el extremo inferior de la resistencia del terminal de compuerta, tal
como se muestra en la figura 3. La ventaja de este circuito es que el ángulo de disparo
puede ajustarse a más de 900.

Esto puede entenderse si nos centramos en el voltaje a través del condensador C.

Cuando la fuente ac es negativa, el voltaje inverso a través del SCR es aplicado al
circuito de disparo RC, cargando el condensador con su placa superior negativa y su
placa inferior positiva. Cuando la fuente entra en su semiciclo positivo, el voltaje
directo a través del SCR tiende a cargar C en la polaridad opuesta. Sin embargo, la
formación del voltaje en la dirección opuesta es retardada hasta cuando la carga
negativa sea removida de las placas del condensador. Este retardo en la aplicación de
un voltaje positivo a la puerta, puede extenderse más allá de 900. Cuanto mayor sea la
magnitud de la resistencia del potenciómetro, más tiempo toma C en cargar
positivamente su placa superior, y más tarde se cebará el SCR. Esta idea puede
ampliarse utilizando cualquiera de los circuitos de disparo de la Figura 4. En la Figura
4(a), se ha adicionado una resistencia en el terminal de puerta, y se requiere por tanto
que el condensador se cargue por encima de 0.6 V para disipar el SCR. Con la
resistencia conectada, el voltaje del condensador debe alcanzar un valor lo
suficientemente alto para inyectar la corriente necesaria (IGT) a través de la resistencia
y hacia el terminal de puerta. Dado que C ahora se carga a un voltaje más alto, el
disparo es aun más retardado.

La Figura 4(b) muestra una red RC doble para el control de puerta. En este esquema,
el voltaje retardado de C1 es utilizado para cargar C2, resultando aún más retardo en la
formación de voltaje de puerta. Los condensadores de la Figura 4 generalmente están
en el rango de 0,01 a 1uF.
 Para la magnitud dada de los condensadores, el mínimo ángulo de disparo (máxima
corriente de carga), se determina sustancialmente por la magnitud de la resistencia
variable R2.

En términos generales, cuando estos circuitos de control se utilizan con una fuente de
ac de 60 Hz, la constante de tiempo RC de la Figura 4(a), el producto (R 1 + R2)C1 , debe
estar en el rango de 1x10-3 a 30x10-3. Para el circuito doble RC de la Figura 4(b), (R1 +
R2)C1 debe estar comprendido en este rango, lo mismo que R3C2. Este método de
aproximación causará que la operación de cebado se suceda en un punto del rango. La
operación de cebado exacta que se desee, puede conseguirse experimentalmente
ajustando estos valores aproximado de los componentes.

a) Dependencia de la temperatura. Un SCR tiende a cebarse a más baja corriente a

medida que aumente la temperatura (IGT se baja). Por tanto con cualquiera de los
circuitos discutidos antes, un cambio en la temperatura produce un cambio en el
ángulo de disparo y de hecho, un cambio en la corriente de carga. En muchas
aplicaciones industriales este comportamiento es inaceptable.
b) La operación de cebado es inconsistente entre varios SCR del mismo tipo. El SCR al
igual que los transistores presenta desviaciones en sus características eléctricas con
respecto al grupo al cual pertenecen. Es decir dos SCR de un tipo dado pueden tener
diferencias grandes en sus características. La variación en IGT es la diferencia más seria.

El siguiente circuito muestra cómo puede eliminarse estas dificultades.

 El diodo de 4 capas de la Figura 5 tiene un cierto voltaje de disparo (ruptura positiva).
Si el voltaje a través del condensador está por debajo del punto de disparo, el diodo de
cuatro capas actúa como un interruptor abierto. Cuando el voltaje del condensador
alcanza el punto de disparo, el diodo de cuatro capas conduce y actúa como un
interruptor cerrado. Esto produce una gran inyección instantánea de corriente hacia la
puerta, lo cual proporciona un cebado seguro del SCR.

La ventaja del diodo de cuatro capas es su independencia de la temperatura y el

voltaje de disparo puede mantenerse consistente en todas las unidades del mismo
tipo. Por tanto, las imperfecciones del SCR no tienen importancia, dado que es el diodo
de cuatro capas quien determina el punto de disparo. En lugar del diodo de 4 capas se
pueden usar UJT, SBS, USS y DIAC que tienen similares características.

Grafica Obtenida en la simulación

R1

100
V+ V-

R2
V1 20k X3
VOFF = 0 2N6403
VAMPL = 220
FREQ = 60
R3V
90K

C1
0.22U

1.0V

-0.0V

-1.0V

-2.0V
V(R3:2)
400V

200V

0V

SEL>>
-200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(R1:1,X3:A)
Time
 Grafica obtenida en el laboratorio

Forma de onda entre los terminales ánodo- cátodo del SCR (𝑉𝐴𝐾 )

Forma de onda en la carga

3. Circuito 3: Circuito de disparo con UJT (Sincronizado con la línea) para un SCR.

El método clásico para disparar un SCR con un transistor monojuntura se muestra en la

Figura 6. En este circuito el diodo zener DZ1 recorta la forma de onda de VS al voltaje
zener (generalmente del orden de 20V para ser utilizado con una fuente ac de 120V)
durante el semiciclo positivo de la línea ac. Durante el semiciclo negativo, DZ1 está
directamente polarizado y mantiene a VS cercano a 0 V. La forma de onda de VS se
muestra en la Figura 7 (a).

Una vez se ha estabilizado el voltaje de VS, lo cual ocurre prontamente cuando la línea
ac cruza por cero hacia positivo, CE comienza a cargarse a través de RE. Cuando CE
alcanza el valor pico del UJT, el UJT se dispara produciendo un pulso de voltaje a través
de R1. Este pulso ceba al SCR; de este modo hace que fluya corriente por la carga
durante el resto del semiciclo positivo. Las formas de onda de VR, y Vcarga se muestran
en la Figura 7(b) y (c) respectivamente.
Este circuito proporciona una sincronización automática entre el pulso de disparo del
UJT y la polaridad del SCR. Es decir cada vez que el UJT entregue un pulso hay garantía
de que el SCR se encuentre con el voltaje de ánodo a cátodo en la polaridad correcta,
para que pase al estado de conducción. Un oscilador de relajación simple y alimentado
con una fuente DC, no proporciona dicha sincronización; los pulsos del UJT tienen la
misma probabilidad de ocurrencia tanto para el semiciclo negativo como para el
positivo. Desde luego, los pulsos que ocurran durante el semiciclo negativo, serán
inútiles.

La potencia en la carga se controla por medio del potenciómetro RE. Cuando RE es baja,
CE se carga rápidamente, lo cual produce un disparo temprano del UJT y de hecho del
SCR. Cuando RE es grande, CE se carga más lentamente lo cual produce un disparo
retardado y de hecho un bajo promedio de corriente de carga.
 Grafica Obtenida en la simulación

R6

100
V+ V- R1
2.2K

R2 R3
0.1 1k

V1
VOFF = 0 X2
VAMPL = 220
FREQ = 60 X1
MU10 2N6403
10k
R7 V+

C1
D2 9n R4
D1N968A 100

V-
0

800mV

400mV

0V

SEL>>
-400mV
V(X1:G,0)
400V

200V

0V

-200V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(R6:1,R6:2)
Time

Grafica obtenida en el laboratorio

Forma de onda en la carga

4. Circuito 4:

En el circuito 4 tenemos una forma distinta de obtener la tensión de disparo del

tiristor. En este caso la carga está conectada en el cátodo y no en el ánodo como en los
circuitos anteriores. Se utiliza un divisor resistivo y un diodo para obtener la tensión
requerida.

Grafica Obtenida en la simulación

X1

BT151
V+ V-
R1
V+ 10k

V+
V OFF = 0 V1 C2 POT D1
V A MPL = 311 R2 Rcarga
FREQ = 60 20n
20k D1N4004 78.6

AC = 1
D2
V-
V- D1N4004

0
 400V

0V

-400V
V(X1:A,0)
400V

0V

SEL>>
-400V
V(X1:A,X1:K)
400V

0V

-400V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(X1:K,0)
Time

Grafica obtenida en el laboratorio

Grafica de la señal en los bornes del motor, donde se nota la presencia del ruido
debido a que el motor que era de una lustradora producía vibraciones.

5. Circuito 5: Interruptor con cruce por cero

La conmutación por cruce de cero es la técnica que siempre conmuta al estado de

conducción un SCR en el instante mismo en que el voltaje de la fuente es cero. Esto es
deseable por dos razones (a) Evita que se demande una gran cantidad de corriente lo
cual ocurre cuando un voltaje relativamente alto se aplica de improviso a una carga de
baja resistencia. Por tanto previene choques térmicos en la carga. (b) Elimina
interferencias electromagnéticas, la cual es el resultado de los grandes picos en la
corriente de carga.
La Figura 8 muestra un circuito de conmutación por cruce de cero. El promedio de la
corriente de carga se controla por medio del ancho de pulso de la onda rectangular del
generador de pulsos.

El voltaje de la carga siempre aparece como semiciclos completos y que el número de

semiciclos en conducción versus el número de semiciclos bloqueados puede variar.
Esta es la esencia del control por detección de cruce de cero.

El condensador de 0.22 uF se carga durante el semiciclo negativo. El condensador es

por tanto la fuente de energía para cebar el SCR2 cuando la línea ac pasa por cero hacia
positivo.

Grafica Obtenida en la simulación

 Grafica obtenida en el laboratorio

Forma de onda en la carga

CONCLUSIONES:

 La combinación de los distintos dispositivos de potencia nos brinda una mejor

característica del control.
 Se observo una mejora respecto al control del ángulo de disparo en forma progresiva.
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ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
EE435M

INFORME PREVIO Nº 2

CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS USADOS EN LOS

CIRCUITOS DE DISPARO: UJT, PUT, ACOPLANADORES OPTICOS
Y MAGNÉTICOS

Profesor:

Ing. Fredy Chalco

Alumno:

Apaclla Zavala Giancarlo

Hidalgo Ortega Erick
Rojas Herrera Antonio
Trejo Mallqui Cristian

2 010-II
 CARACTERIZACIÓN DE DISPOSITIVOS USADOS EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO: UJT,
PUT, ACOPLADORES ÓPTICOS Y MAGNÉTICOS

1. FUNDAMENTO TEÓRICO.

UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un

dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un
dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN

Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones

eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un
conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.

En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando

así una unión PN. Ver el siguiente gráfico

Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la
Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp
= 0.7 + n x VB2B1

Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

La fórmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7
dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Nota:
- Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y
B1 para que el UJT se dispare = Ip.
- Es importante hacer notar que también se ha construido el UJT donde la barra es de material
tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de
igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revés

PUT

El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del

transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3
terminales como otros transistores y sus nombres son: cátodo K, ánodo A, puerta G.
A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de
RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son
controlados por la terminal G. Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción
(hay corriente entre A y K y la caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la
corriente de A a K es muy pequeña.
Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Del gráfico, se ve que cuando IG = 0,

VG = VBB * [ RB2 / (RB1 + RB2) ] = n x VBB

donde: n = RB2 / (RB1 + RB2)

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las

resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que
el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden modificarse.

Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es más débil que en el UJT y la tensión mínima de
funcionamiento es menor en el PUT.

Funcionamiento:

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy
pequeña) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del
voltaje en la compuerta G. Sólo hasta que la tensión en A alcance el valor Vp, el PUT entrará
en conducción (encendido) y se mantendrá en este estado hasta que IA corriente que
atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o
reduciendo el voltaje entre G y K

Opto acopladores

También se denominan opto aisladores o dispositivos de acoplamiento óptico. Basan su

funcionamiento en el empleo de un haz de radiación luminosa para pasar señales de un
circuito a otro sin conexión eléctrica.Fundamentalmente este dispositivo está formado por una
fuente emisora de luz, y un foto sensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del
emisor luminoso.

TIPOS:

Existen varios tipos de opto acopladores cuya diferencia entre sí depende de los dispositivos
de salida que se inserten en el componente. Según esto tenemos los siguientes tipos:

Fototransistor: o lineal, conmuta una variación de corriente de entrada en una variación de

tensión de salida. Se utiliza en acoplamientos de líneas telefónicas, periféricos, audio ...

Optotiristor: Diseñado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una señal
lógica y la red.

Optotriac: Al igual que el Optotiristor, se utiliza para aislar una circuitería de baja tensión a la
red

En general pueden sustituir a relés ya que tienen una velocidad de conmutación mayor, así
como, la ausencia de rebotes.
2. SIMULACIONES.

CIRCUITO A:

La idea de este circuito es la de medir el coeficiente “n” de por lo menos 3 UJT razón por la
cual se implemente una etapa de rectificación a fin de poder capturar el valor de Vp para
luego reemplazar en la ecuación Vp=n*Vb1b2+Vd

Bajo la condición establecida es necesario que R1+P1 sea un valor elevado, y también el valor
de C2 debe ser mayor al de C1 a fin de que la descarga sea mas lenta.

12Vdc
V1

R1 R5
25k 1

D1N4004
D1
X1

V V
R3 2N2646
150k

C1 C2
220n 88n
R2 R4
50k 0.1

0 0
 8.0V

6.0V

4.0V

2.0V

0V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
V(C1:1) V(C2:1)
Time

80uA

60uA

40uA

20uA

0A
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
-I(R2)
Time

CIRCUITO B:

El siguiente circuito corresponde a un regulador de velocidad de un motor AC monofasico, el

control de la velocidad del motor se hace a través del control del voltaje eficaz en el motor y
para ello se controla el ángulo de disparo del triac a través de un circuito de disparo
implementado con un PUT, además se utiliza un circuito rectificador y un diodo tener para
regular la tensión y obtener un voltaje DC que va a alimentar al circuito oscilador por lo cual
una vez implementado el circuito solo requiere de una fuente alterna monofásica para
trabajar.
Los parámetros son:

Del oscilador:

Tmin = 1/Fmax = Rmin * C ln (1/(1- ))

Tmax = 1/Fmin = Rmax * C ln (1/(1- ))

 : Relación intrínseca del PUT

Rmin=27k ; Rmax=(50+27)k ; C=0.1uF ; Vzener=9.1V

Tmin = 1/Fmax = 27, 000* 0.1 X 10 -6 * ln (1/(1-0.65) = 2.83 mS

Tmax = 1/Fmin = 77, 000* 0.1 X 10 -6 * ln (1/(1-0.65) = 80.84 mS

Respuesta obtenida:

Voltaje en el motor

Señal obtenida en la salida del PUT

CIRCUITO C1:

Este circuito ya está establecido, lo que se busca es encontrar el diagrama de bode es decir la
respuesta en frecuencia para el caso de usar un dispositivo de acople óptico, con ello
podremos tener una idea cualitativa del rango de frecuencias con el que podemos ingresar
una entrada tal que exista una respuesta del opto acoplador.

V1
10Vdc

R1
R2 R3 1k
520 5k
OFFTIME = 4mSDSTM1
ONTIME = 4mS CLK
DELAY =
I U1
STARTVAL = 0
OPPVAL = 1 1 PS2501 4

2
I

3
0

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
-I(R2) I(U1:C)
Time

Para una onda cuadrada con periodo 0.8ms se tiene:

3.0mA

2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
-I(R2) I(U1:C)
Time
Para una onda con periodo 0.8us empiezan a surgir problemas; la señal de salida es:
2.0mA

1.0mA

0A

-1.0mA
0s 2us 4us 6us 8us 10us 12us 14us 16us
-I(R2) I(U1:C)
Time

CIRCUITO C2:

Este circuito es muy similar al anterior; para este caso analizaremos la respuesta en frecuencia
del opto acoplador pero en conjunto con una compuerta lógica AND, nos servirá como
referencia ya que el disparo de los circuitos ligados a SCR, TRIACs están accionados bajo una
lógica de control de ompuertas.

V1
10Vdc

R1
R6 270
1k R5
5.6k
R2
Q1
OFFTIME = 2.5s DSTM1 3.3k
ONTIME = 2.5s CLK U1
DELAY = U2 1 PS2501 4
STARTVAL = 0 Q2N2222 1
OPPVAL = 1 3 2
2
V
3

0 AND2

R4V
4.7k
OFFTIME = 0.1ms
DSTM2
ONTIME = 0.1msCLK
DELAY = 0
STARTVAL = 0
OPPVAL = 1

10V

5V

0V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms
V(U2:O) V(R4:2)
Time