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CAPTEURS A EFFET PHOTOELECTRIQUE:

4-1 - L’effet photoélectrique:


La photoélectricité ou effet photoélectrique est un phénomène causé par les effets d’un rayonnement
électromagnétique sur un matériau. Lorsqu’un métal est frappé par un rayonnement dont les photons ont
un niveau d’énergie suffisamment élevé, cela entraine l’émission d’électrons excités hors du métal. Il en résulte
un déplacement d’électrons, donc un courant i dont l’intensité dépend du rayonnement Φ

Donc se sont Capteurs qui convertissent l’énergie lumineuse en énergie électrique

Il existe deux grandes familles de détecteurs :

-Détecteurs photoniques

Absorption de l’énergie du photon provoque la création d’une charge électrique (un courant)

-Détecteurs thermiques Élévation de température provoque la modification des propriétés électriques du


matériau (la résistance)
Les photorésistances:
Une photorésistance est une résistance dont la valeur varie en fonction du flux lumineux qu'elle reçoit.
Exemple:
 Obscurité : R0 = 20 MΩ (0 lux) unité de l’ Éclairement lumineux
 Lumière naturelle : R1 = 100 kΩ(500 lux)
 Lumière intense : R2 = 100 Ω (10000 lux).
Caractéristique lumière/résistance:

Avantage :

 Bonne sensibilité
 Faible coût et robustesse.
 Facile à mettre en œuvre.

Inconvénients :

 Non linéaire.
 Temps de réponse élevé (de l'ordre de 35 ms et temps de descente de l'ordre de 10 ms).
 Bande passante étroite.
 Sensible à la chaleur.
 La vitesse de variation de R avec l'éclairement est faible et non symétrique
Applications :
Déclenchement automatique d'éclairage (éclairage public), détecteur de présence, relais optique ...

4-3- Les photodiodes:


Une photodiode est une diode dont la jonction PN peut être soumise à un éclairement lumineux.
Quand un semi-conducteur est exposé à un flux lumineux, les photons sont absorbés à condition que
l’énergie du photon ( ) soit supérieure à la largeur de la bande interdite (Eg). Ceci correspond
à l'énergie nécessaire que doit absorber l'électron afin qu'il puisse quitter la bande de valence vers la
bande de conduction, le rendant ainsi mobile et capable de générer un courant électrique.

Une photodiode peut être représentée par une source de courant Iph (dépendant de l’éclairement),
en parallèle avec la capacité de jonction Cj et une résistance de shunt Rsh (En réalité cette résistance
est comprise entre 100 kΩ et 1 GΩ selon la qualité de la photodiode.) d'une valeur élevée
(caractérisant la fuite de courant), l'ensemble étant en série avec une résistance interne R s (peut
varier entre 10 et 500Ω selon la surface de la photodiode)

Type n

Jonction pn

Type p

Contact arrière

(a) (b)

Courbe : Le graphe I = f(U) pour une photodiode dépend de l'éclairement en (Lux) de la jonction PN.
70
2
G=1000W/m
4 G=1000W/m 2 T=25°C
60 G=800W/m
2
T=25°C
G=800W/m 2
2
G=600W/m
3 50
Puissance [W]

2
G=400W/m
Courant [A]

G=600W/m 2 40 G=200W/m
2

2
30
G=400W/m 2
20
1 G=200W/m 2
10

0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Tension [V] Tension [V]
On constate que lorsque la diode est éclairée, elle peut se comporter en générateur (I = 0, U= 0,7V pour 1000lux). On a
donc une photopile (effet photovoltaïque).
70
4 G=1000W/m2 T=0°C
60 T=25°C
T=50°C
3 50
Puissance [W] T=75°C
Courant [A]

40
G=1000W/m2
2
30
T=0 ° C
20
1 T=2 5 ° C
T=5 0 ° C 10
T=7 5 ° C
0 0
0 5 10 15 20 25 0 5 10 15 20 25
Tension [V] Tension [V]

Avantages :
Bonne sensibilité
Faible temps de réponse (bande passante élevée).
Inconvénients :
Coût plus élevé qu'une photorésistance
Nécessite un circuit de polarisation précis
Utilisations :

Transmission de données

Télécommande IR

Détection de passage
Mesures d'angle et de vitesse
Comptage d’impulsions
(souris de PC)

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