SEMICONDUCTORES

fuera del EQUILIBRIO

Dr. Andrés Ozols

Facultad de Ingeniería
UBA
2007

Dr. A. Ozols 1
FENÓMENOS de TRANSPORTE de CARGA

ARRASTRE de PORTADORES
La densidad de carga moviéndose a una velocidad promedio de deriva o arrastre var

J ar = ρ var ρ >0

J en unidades de Coul/cm2 s

La densidad de corriente de huecos es

J par = ( ep ) varp

Dr. A. Ozols 2
ARRASTRE de PORTADORES

La velocidad de arrastre es proporcional al campo

varp = µ p E

µp es la movilidad de los huecos

La densidad de corriente de arrastre resulta

J par = ep µ p E
En cambio para los electrones que se desplazan en sentido contrario al campo.

varn = − µn E Con µn >0

J nar = ( −en )( − µn E ) = enµn E

Dr. A. Ozols 3
ARRASTRE de PORTADORES

Las magnitudes típicas de la movilidad de los electrones y huecos a 300 K

µn (cm2/Vs) µp (cm2/Vs)
Silicio 1350 480
Arseniuro de Galio 8500 400

Germanio 3900 1900

La densidad de corriente de arrastre debida a los dos tipos de

portadores de carga

J ar = J par + J nar = e ( pµ p + nµn ) E

Dr. A. Ozols 4
Efectos de la movilidad

La ecuación de movimiento de huecos en un campo eléctrico E es

dv
F =m a=m
*
p = eE
*
p
dt
La velocidad de la partícula, v, en el campo eléctrico E no incluye el efecto la
velocidad térmica aleatoria

La integración de la ecuación asumiendo eE

v= t
una velocidad de arrastre inicial nula *
mp

El movimiento térmico está caracterizado por un tiempo medio entre

colisiones τcp

Dr. A. Ozols 5
Efectos de la movilidad

La velocidad de arrastre máxima, previa a la colisión o dispersión

eE
varmáx = * τ Cp
mp
Su valor medio es la mitad
del valor máximo

eE
var ≈ *
τp
mp

Entonces la movilidad resulta Análogamente, para los

para los huecos electrones
varp
e varn e
µp = = * τp µn = = * τn
E mp E mn

Dr. A. Ozols 6
Efectos de la movilidad
Los mecanismos de interacción o dispersión de las cargas son:

a) Dispersión con la red cristalina

Los fonones (cuantos de vibración
que son generados por la
vibración térmica de los átomos
de la red) interactúan con los
portadores de carga
conduce a la dependencia con la T

3
−
µR ∝ T 2

Dr. A. Ozols 7
Efectos de la movilidad

b) Dispersión con las impurezas

Las impurezas son ionizadas a
temperatura ambiente de modo
existen interacciones
coulombianas con huecos y
electrones adicionales liberados,
que alteran la velocidad de
arrastre
3
2
T
µI ∝
NI
N I = N d+ + N a−

El número total de impurezas

Dr. A. Ozols 8
DIFUSIÓN de PORTADORES

Suponiendo que la concentración electrónica

varía en una dimensión

El flujo neto de electrones que cruzan el plano x = 0 ,y l es el camino libre

medio entre colisiones, λ, que tiene una velocidad térmica VTer

1 1 1
Fn = n ( −λ ) vTer − n ( + λ ) vTer = vTer ⎡⎣ n ( −λ ) − n ( + λ ) ⎤⎦
2 2 2

Esto corresponde a un desarrollo en serie en el entorno de x = 0

1 ⎧⎡ dn ⎤ ⎡ dn ⎤ ⎫ dn
Fn = vTer ⎨ ⎢ n ( 0 ) − λ ⎥ − ⎢ n ( 0 ) + λ ⎥ ⎬ = −vTer λ
2 ⎩⎣ dx ⎦ ⎣ dx ⎦ ⎭ dx

Dr. A. Ozols 9
DIFUSIÓN de PORTADORES

La densidad de corriente de difusión electrónica desde la zona de alta a la de

baja densidad
dn
J n = −eFn = evTer λ
dx

dn
J J Dn = −eFn = eDn
dx

Dn Coeficiente de Difusión de
electrones

Dr. A. Ozols 10
DIFUSIÓN de PORTADORES

Análogamente, la densidad de corriente de difusión de huecos desde la zona de

alta a la de baja densidad

dp
J Dp = −eFp = −eD p
dx
Dp Coeficiente de Difusión de huecos

Dr. A. Ozols 11
DIFUSIÓN de PORTADORES
El flujo de difusión, F, tiene la dirección del gradiente de concentración de
partículas, pero sentido inverso
G G Ley de Fick
F = − D∇.n
La densidad de corriente de difusión tendrá sentido definido por la carga, q
G G G
J D = −eF = − qD∇.n

DENSIDAD de CORRIENTE TOTAL

La densidad de corriente de (difusión + arrastre)
G G G G G G G
( ) (
J = J D + J ar = J Dn + J Dp + J arn + J arp )
G G G G G
( ) (
J = eDn∇n − eD p ∇p + enµn E + ep µ p E )
Dr. A. Ozols 12
Efectos de la movilidad
Si ambos procesos de dispersión son independientes, la probabilidad
de que ocurran en un intervalo dt es aditiva:

dt dt dt
= +
τ τI τR
var e
Entonces la movilidad que tiene la forma µ= = * τ Cp
E m

El aporte de todos los mecanismos de dispersión conducirá

1 1 1
= +
µ µI µR

Dr. A. Ozols 13
 SECONDUCTOR fuera del EQUILIBRIO

Concentración de electrones
Exceso de electrones en la
en el equilibrio
banda de conducción +
Concentración de huecos en
Exceso de huecos en la
el equilibrio
banda de valencia

Dr. A. Ozols 14
 SEMICONDUCTOR en EQUILIBRIO

GENERACIÓN: proceso de RECOMBINACIÓN: proceso de

creación de huecos o ≠ aniquilación de huecos o
electrones electrones

Velocidad de generación Gn 0 = G p 0 Velocidad de generación

térmica de electrones térmica de huecos

Partículas/cm3s

Dr. A. Ozols 15
SEMICONDUCTOR en EQUILIBRIO

Velocidad de Rn 0 = R p 0 Velocidad de
recombinación térmica recombinación
de electrones térmica de huecos

Velocidad de Velocidad de
generación térmica = recombinación térmica

Rn 0 = R p 0 = Gn 0 = G p 0

Dr. A. Ozols 16
GENERACIÓN y RECOMBINACIÓN de PORTADORES en EXCESO

Símbolo Definición

n0, p0 Concentración de electrones y huecos en equilibrio

térmico (independiente del tiempo y la posición)
n, p Concentración total de electrones y huecos (pueden
ser dependiente del tiempo y la posición)
δn = n-n0 Concentración en exceso de electrones y huecos
(pueden ser dependiente del tiempo y la posición)
δp = p-p0
g´n, g´p Velocidades de generación de electrones y huecos en
exceso
R´n, R´p Velocidades de recombinación de electrones y
huecos en exceso
τn0, τp0 Tiempos de vida de electrones y huecos en exceso

Dr. A. Ozols 17
 GENERACIÓN de PORTADORES en EXCESO

n = n0 + δ n

Los excesos son

g =g
´ ´ p = p0 + δ p
generados en pares n p
hueco-electrón
np ≠ n0 p0 = n 2
i

Dr. A. Ozols 18
RECOMBINACIÓN de PORTADORES en EXCESO

En estado estacionario no hay un

crecimiento continuo de las
concentraciones debido a la
recombinación de los portadores

Rn´ = R´p
dn ( t )
El cambio neto de la = α r ⎡⎣ ni2 − n ( t ) p ( t ) ⎤⎦
concentración electrónica dt
n ( t ) = n0 + δ n ( t )
p ( t ) = p0 + δ p ( t )
Dr. A. Ozols 19
GENERACIÓN y RECOMBINACIÓN de PORTADORES en EXCESO

dn ( t )
El cambio neto de la = α r ⎡⎣ ni2 − n ( t ) p ( t ) ⎤⎦
concentración electrónica dt
Velocidad de
recombinación en
n ( t ) = n0 + δ n ( t ) equilibrio térmico
p ( t ) = p0 + δ p ( t )
La recombinación
ocurre en pares
δ p (t ) = δ n (t )
dn ( t ) d (δ n ( t ) )
= = α r ⎡⎣ ni2 − ( n0 + δ n ( t ) ) ( p0 + δ p ( t ) ) ⎤⎦
dt dt
d (δ n ( t ) )
= −α rδ n ( t ) ⎡⎣( n0 + p0 ) + δ n ( t ) ⎤⎦
dt
Dr. A. Ozols 20
GENERACIÓN y RECOMBINACIÓN de PORTADORES en EXCESO

SC TIPO N n0  p0 baja n0  δ p
inyección

CONDICIÓN de
BAJA INYECCIÓN
de carga

baja
SC TIPO P p0  n0 inyección p0  δ n

Dr. A. Ozols 21
GENERACIÓN y RECOMBINACIÓN de PORTADORES en EXCESO

Caso SC TIPO P d (δ n ( t ) )
p0  n0 ≈ −α rδ n ( t ) p0
dt
Baja inyección de carga p0  δ n
La solución δ n ( t ) ≈ δ n ( 0 ) e −α r p0 t
= δ n ( 0 ) e − t /τ n 0
1
Tiempo de vida de portadores τ n0 =
minoritarios en exceso α r p0
− d (δ n ( t ) ) δ n (t )
La velocidad de recombinación R =´
= α r p0δ n ( t ) =
n
dt τ n0

δ n (t )
La recombinación de huecos y electrones R =R =
´ ´
n
τ n0p

Dr. A. Ozols 22
GENERACIÓN y RECOMBINACIÓN de PORTADORES en EXCESO

Caso SC TIPO N p0  n0

δ p ( t )  p0
con baja inyección

La recombinación de huecos y electrones

δ p (t )
R =R =
´ ´
n
τ p0
p

Dr. A. Ozols 23
ANÁLISIS MATEMÁTICO del EXCESO de PORTADORES

ECUACIÓN de CONTINUIDAD
Elemento de volumen
Flujo de huecos (número de huecos/cm2 s)
Fpx+ ( x ) Fpx+ ( x + dx )
+
∂F ( x)
F+
( x + dx ) = F ( x ) +
+ px
dx
∂x
px px

El incremento del número de huecos

∂p ∂Fpx+ ( x )
dxdydz = ⎡⎣ Fpx+ ( x + dx ) − Fpx+ ( x ) ⎤⎦ dydz = − dxdydz
∂t ∂x
Considerando la generación y recombinación

px ( x )
∂p ⎡ ∂F +
p⎤
dxdydz = ⎢ − + g p − ⎥ dxdydz
∂t ⎢⎣ ∂x τ pt ⎥⎦
τ pt Tiempo de vida de portadores en equilibrio térmico
Dr. A. Ozols 24
ECUACIÓN de CONTINUIDAD

La ecuación de continuidad

∂p ∂Fpx ( x )
+
p
=− + gp −
∂t ∂x τ pt

Similarmente para electrones

∂n ∂Fnx ( x )
−
n − Flujo de electrones
=− + gn − F (número de
∂t ∂x τ nt nx
electrones/cm2s)

Dr. A. Ozols 25
ECUACIÓN de DIFUSIÓN DEPENDIENTE del TIEMPO

Las densidades de corrientes

de huecos y electrones

∂p Jp ∂p
J p = eµ p pE − eD p
+
F = = µ p pE − D p
∂x
p
∂x e
El flujo de partículas
∂n Jn ∂n
J n = eµn nE + eDn
−
Fn = = − µn nE − Dn
∂x −e ∂x

La divergencia del flujo de huecos

∂Fp+ ∂ ∂ ∂p
= µp ( pE ) − Dp ⎜⎛ ⎟⎞ ∂p
− + gp −
p ∂ ∂ ⎛ ∂p ⎞
= µ p ( pE ) − D p ⎜ ⎟
∂x ∂x ∂x ⎝ ∂x ⎠
∂t τ pt ∂x ∂x ⎝ ∂x ⎠
Pero
∂Fpx+ ( x ) ∂p p ∂p ∂ ∂2 p p
= − + gp − = − µ p ( pE ) + D p 2 + g p −
∂x ∂t τ pt ∂t ∂x ∂x τ pt

Dr. A. Ozols 26
ECUACIÓN de DIFUSIÓN DEPENDIENTE del TIEMPO

La divergencia del flujo de electrones

∂Fn− ∂ ∂ ⎛ ∂n ⎞
= − µn ( nE ) − Dn ⎜ ⎟ ∂n n ∂ ∂ ⎛ ∂n ⎞
∂x ∂x ∂x ⎝ ∂x ⎠ − + gn − = − µn ( nE ) − Dn ⎜ ⎟
∂t τ nt ∂x ∂x ⎝ ∂x ⎠
Pero

∂Fnx− ( x ) ∂n n ∂n ∂ ∂2n n
= − + gn − = µn ( nE ) + Dn 2 + g n −
∂x ∂t τ nt ∂t ∂x ∂x τ nt

Además
∂ ∂p ∂E
( pE ) = E + p
∂x ∂x ∂x

Dr. A. Ozols 27
ECUACIÓN de DIFUSIÓN DEPENDIENTE del TIEMPO

Las ecuaciones de difusión resultan entonces

∂2 p ⎛ ∂p ∂E ⎞ p ∂p
Dp 2 + µ p ⎜ E +p ⎟ + g − = ∂p ∂ (δ p )
∂x ⎝ ∂x ∂x ⎠
p
τ pt ∂t =
pero ∂x ∂x
∂p ∂ (δ p )
∂2n ⎛ ∂n ∂E ⎞ n ∂n =
Dn 2 + µn ⎜ E + n ⎟ + gn − = ∂t ∂t
∂x ⎝ ∂x ∂x ⎠ τ nt ∂t

En función de los excesos

∂ 2 (δ p ) ⎛ ∂ (δ p ) ∂E ⎞ p ∂ (δ p )
Dp + µp ⎜ E +p ⎟ + gp − =
∂x 2
⎝ ∂x ∂x ⎠ τ pt ∂t

∂ 2 (δ n ) ⎛ ∂ (δ n ) ∂E ⎞ n ∂ (δ n )
Dn + µn ⎜ E +n ⎟ + gn − =
∂x 2
⎝ ∂x ∂x ⎠ τ nt ∂t
Dr. A. Ozols 28
TRANSPORTE AMBIPOLAR
El campo eléctrico total E = Eap + Eint

El campo interno es generado e (δ p − δ n ) ∂Eint

∇.Eint = =
por los excesos de carga εs ∂x

Esto complica la determinación de las

concentraciones de los excesos!!

Podría aproximarse
Esto es aceptable en
Eint  Eap la situación de δ p ≈δn ∇.Eint ≈ 0
neutralidad de carga

Dr. A. Ozols 29
TRANSPORTE AMBIPOLAR
Son definidas la generación y recombinación de los excesos
g p = gn = g
p n
Rp = = = Rn = R
τ pt τ nt

∂ 2 (δ p ) ⎛ ∂ (δ p ) ∂E ⎞ ∂ (δ p )
Dp + µp ⎜ E +p ⎟+ g −R = ec. 1
∂x 2
⎝ ∂x ∂x ⎠ ∂t

∂ 2 (δ n ) ⎛ ∂ (δ n ) ∂E ⎞ ∂ (δ n ) ec. 2
Dn + µn ⎜ E +n ⎟+ g −R =
∂x 2
⎝ ∂x ∂x ⎠ ∂t

Realizando la combinación µn n ec. 1 + µ p p ec. 2

Dr. A. Ozols 30
TRANSPORTE AMBIPOLAR

∂ 2 (δ p ) ∂ (δ p )
( µn nDp + µ p pDn ) ∂x 2 + µ p µn ( p − n ) E ∂x
∂E ∂ (δ p )
+ µ p µn ( np − pn ) + ( µn n + µ p p ) ( g − R ) = ( µn n + µ p p )
∂x ∂t

Dividiendo por (µ n + µ p)
n p

( µ nD + µ pD ) ∂ (δ p ) + µ µ
2
∂ (δ p ) ∂ (δ p )
n p p n
( p − n) E p n
+ ( g − R) =
( µ n + µ p ) ∂x ( µ n + µ p )
n p
2
n
∂x p
∂t

Dr. A. Ozols 31
TRANSPORTE AMBIPOLAR

Definiendo el coeficiente de difusión y la movilidad ambipolares

( µ nD + µ pD ) µ p µn ( p − n )
µ =
*
=
(µ n + µ p)
* n p p n
D
(µ n + µ p)
n p n p

La ecuación de difusión ambipolar

D * ∂ 2
( δ p)
+µ E
* ∂ (δ p )
+ ( g − R) =
∂ (δ p )
∂x 2
∂x ∂t

Dr. A. Ozols 32
 LÍMITE de DOPAJE EXTRÍNSECO y de BAJA INYECCIÓN de CARGA

Las relaciones de Einstein relacionan la movilidad con los coeficientes de difusión

µn µp e
= =
Dn Dp kT

El coeficiente de difusión resulta

e e
µn nD p + µ p pDn Dn kT nD p + D p kT pDn Dn D p ( n + p )
D =
*
= =
µn n + µ p p Dn
e
n + Dp
e
p Dn n + D p p
kT kT

Dn D p ( n0 + δ n + p0 + δ n )
D =*

Dn ( n0 + δ n ) + D p ( p0 + δ n )

Dr. A. Ozols 33
LÍMITE de DOPAJE EXTRÍNSECO y de BAJA INYECCIÓN de CARGA

a) semiconductor es de tipo P p0  n0 Baja inyección de carga p0  δ n

Dn D p ( n0 + δ n + p0 + δ n ) Dn D p p0
D =
*
 = Dn
Dn ( n0 + δ n ) + D p ( p0 + δ n ) D p p0

µ p µn ( p − n ) µ p µn ( p0 − n0 ) µ p µn p0
µ =
*
=  = µn
µn n + µ p p µn ( n0 + δ n ) + µ p ( p0 + δ n ) µ p p0

δ p ≈δn Hipótesis de neutralidad de carga

La ecuación ambipolar se reduce a la correspondiente al exceso del portador

minoritario
∂ 2 (δ n ) ∂ (δ n ) ∂ (δ n )
Dn + µn E + ( g − R) =
∂x 2
∂x ∂t

Dr. A. Ozols 34
LÍMITE de DOPAJE EXTRÍNSECO y de BAJA INYECCIÓN de CARGA

La generación y recombinación del exceso minoritario

g − R = g n − Rn = ( Gno + g n´ ) − ( Rn 0 + Rn´ )

generación del equilibrio y del exceso recombinación del equilibrio y del

exceso

En equilibrio térmico G p 0 = Gn 0

δn
g − R = g n´ − Rn´ = g n´ −
τn

Dr. A. Ozols 35
LÍMITE de DOPAJE EXTRÍNSECO y de BAJA INYECCIÓN de CARGA

Ecuación ambipolar para SC fuertemente extrínseco tipo P

∂ 2 (δ n ) ∂ (δ n ) δ n ∂ (δ n )
Dn + µn E +g −
´
=
∂x 2
∂x τn ∂t

Análogamente, la ecuación ambipolar para SC fuertemente extrínseco tipo N

∂ 2 (δ p ) ∂ (δ p ) δ p ∂ (δ p )
Dp + µpE +g −
´
=
∂x 2
∂x τp ∂t

Dr. A. Ozols 36
APLICACIONES de la ECUACIÓN de TRANSPORTE AMBIPOLAR

∂ (δ n ) ∂ (δ p )
Estado estacionario =0=
∂t ∂t

Distribución uniforme de ∂ 2 (δ p ) ∂ 2 (δ n )
Dp = 0, Dn =0
portadores en exceso ∂x 2
∂x 2

∂ (δ p ) ∂ (δ n )
Campo eléctrico nulo µpE = 0, µn E =0
∂x ∂x

No hay generación en volumen de g´ = 0

pares hueco-electrón

Dr. A. Ozols 37
 APLICACIONES de la ECUACIÓN de TRANSPORTE AMBIPOLAR
Situaciones frecuentes

a) Distribución uniforme de
δ p ∂ (δ p )
t
−
portadores en exceso
δ p (t ) = δ p (0) e
τp
− =
No hay generación en volumen de
τp ∂t
pares hueco-electrón

b) Estado estacionario
∂ 2 (δ p ) δ p −
x x

− =0 δ p ( x ) = Ae + Be
Lp Lp
Dp
Campo eléctrico nulo ∂x 2
τp
No hay generación en volumen de
pares hueco-electrón LP = D pτ p Longitud de Difusión

Dr. A. Ozols 38