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Chapitre III 2- Les diodes et leurs Applications
Chapitre III
2- Les diodes et leurs Applications
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Les diodes et leurs Applications
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Jonction PN polarisée

La jonction PN est alimentée par une tension continue externe Ve

réglable. La tension peut être appliquée dans les deux sens c'est-à- dire, en reliant le pôle positif de la pile à la zone P et le pôle négatif à la zone N ou inversement, en reliant le positif à la zone N et le

négatif à la zone P.

Dans le premier cas, on dit que la jonction (c'est-à-dire la diode) est polarisée en direct tandis que dans le second cas, la diode est polarisée en inverse.

direct tandis que dans le second cas, la diode est polarisée en inverse.  Polarisation inverse

direct tandis que dans le second cas, la diode est polarisée en inverse.  Polarisation inverse

Polarisation inverse

direct tandis que dans le second cas, la diode est polarisée en inverse.  Polarisation inverse

Polarisation directe

Les diodes et leurs Applications Si on applique une différence de potentiel positive entre la
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Si on applique une différence de potentiel positive entre la région p et la

région n, on diminue l’intensité du champ électrique interne =un plus grand nombre de porteurs majoritaires peuvent

franchir la région de déplétion ! Pour faire passer un trou de la région p vers la région n, il faut travailler contre le champ électrique interne , et fournir une tension qui peut vaincre la barrière de potentiel e *V0. (e = 1, 6 10 E -19 C est la charge électrique d’un trou).

Courant des majoritaires

Si on applique une différence de potentiel positive entre la région p et la

région n, on diminue l’intensité du champ électrique interne =un plus grand

nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la région de déplétion !

électrique interne = ⇒ un plus grand nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la région de
électrique interne = ⇒ un plus grand nombre de porteurs majoritaires peuvent franchir la région de
Les diodes et leurs Applications On peut montrer que:  Le courant des minoritaires est
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On peut montrer que:

Les diodes et leurs Applications On peut montrer que:  Le courant des minoritaires est inchangé
Les diodes et leurs Applications On peut montrer que:  Le courant des minoritaires est inchangé
Les diodes et leurs Applications On peut montrer que:  Le courant des minoritaires est inchangé

Le courant des minoritaires est inchangé le courant total est exprimé par la relation suivante

peut montrer que:  Le courant des minoritaires est inchangé le courant total est exprimé par
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Remarque

La figure 3-b illustre le cas où la tension continue Vd est inférieure

à la différence de potentiel Vo (figure 1-b), qui constitue la barrière de potentiel. Ainsi, tant que la tension Vd est inférieure ou égale

à Vo, le courant est pratiquement nul.

ou égale à Vo , le courant est pratiquement nul.  Ce courant n'existe pratiquement que

Ce courant n'existe pratiquement que lorsque la tension Vd dépasse

la valeur de Vo. Cette valeur est différente selon que la jonction est constituée par un cristal de germanium ou par un cristal de silicium : pour le germanium, cette valeur est normalement de 0,2 à 0,4 V alors que pour le silicium elle est de 0,6 à 0,7 V.

le germanium, cette valeur est normalement de 0,2 à 0,4 V alors que pour le silicium
Les diodes et leurs Applications Jonction PN en polarisation inverse 6
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Jonction PN en polarisation inverse

Les diodes et leurs Applications Jonction PN en polarisation inverse 6
Les diodes et leurs Applications Jonction PN en polarisation libres dans la zone P .Un
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Jonction PN en polarisation

libres dans la zone P.Un certain

nombre de porteurs minoritaires réussit

toujours à traverser la jonction. On constate donc la présence d'un courant très faible, circulant de l'extrémité N à l'extrémité P du cristal.

Ce courant est appelé courant inverse

(Ii).

inverse

La tension Vi appliquée aux bornes de la diode (figure 2) est dite tension inverse. Si l'on tient compte de ce qui a été dit précédemment, le courant circulant dans la diode(aux bornes de laquelle on a appliqué une tension inverse) devrait s'annuler rapidement. En réalité, le courant ne s'annule pas complètement du fait de la présence des porteurs minoritaires, c'est-à-dire de la présence de trous dans la zone N du cristal et d'électrons

des porteurs minoritaires, c'est-à-dire de la présence de trous dans la zone N du cristal et
des porteurs minoritaires, c'est-à-dire de la présence de trous dans la zone N du cristal et
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Caractéristique courant tension

La caractéristique d'une diode est la relation existant entre

l'intensité i du courant traversant la diode et la tension u aux

bornes de celle-ci ou la différence de potentiel entre l’anode et la cathode. Cette relation peut se noter comme une fonction f , ce qui

donne : i=f(v)

de potentiel entre l’anode et la cathode. Cette relation peut se noter comme une fonction f
de potentiel entre l’anode et la cathode. Cette relation peut se noter comme une fonction f
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Interprétation de la

la caractéristique,

La caractéristique directe peut être assimilée à une droite passant par E 0 , l’équation de cette droite s’écrire :

caractéristique

La croissance du courant en fonction de la tension est d’abord

exponentielle, puis tend à devenir

linéaire,

est d’abord exponentielle, puis tend à devenir linéaire,  Cette déformation est due à la résistance

Cette déformation est due à la résistance non négligeable du semi- conducteur situé de part et d’autre

de la zone de jonction,

Par ailleurs, on constate la présence d’un seuil de tension à partir du quel la croissance du courant devient importante,

Ce seuil est appelé, seuil de

redressement, est généralement défini par l’intersection de l’axe des tensions avec la partie rectiligne de

de l’axe des tensions avec la partie rectiligne de  V 0 :Valeur de seuil de

V 0 :Valeur de seuil de redressement (barrière de potentiel)

K : une constante ayant les dimensions d’une résistance que l’on appelera R d

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Résistance dynamique et tension de seuil

Par définition la résistance dynamique est le rapport d’une petite variation de la tension ( U) par la variation

petite variation de la tension ( U) par la variation I) V0 correspondante du courant (
I)
I)
V0
V0
petite variation de la tension ( U) par la variation I) V0 correspondante du courant (

correspondante du courant (

autour du point de fonctionnement.

du courant ( autour du point de fonctionnement. Tension de seuil  On appelle tension de

Tension de seuil

On appelle tension de seuil d’une diode,

la tension directe à partir de la quelle la conduction de cette diode devient nette,

Graphiquement, c’est l’intersection du prolongement de la partie linéaire de la

caractéristique directe avec l’axe des tensions,

la tension seuil est de 0,4V pour les diodes au germanium et de 0,6V pour les diodes au silicium,

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Limite d’utilisation d’une diode à jonction

6.1. Echauffement des diodes

Dans le sens direct, la puissance : P d = U d I d , se transforme entièrement en chaleur dans tout le cristal. Il ne faut pas dépasser une valeur limite de la température,

Exemple : un cristal de germanium supporte une température

Exemple : un cristal de germanium supporte une température maximale de 75°C, alors que celle du

maximale de 75°C, alors que celle du silicium est de 150°C,

6.2. Courant direct maximal

La d.d.p U d étant très faible, c’est e courant I d qui peut prendre des valeurs considérables . Le constructeur donne le courant direct maximum que peut supporter la diode,

6.3.Tension inverse maximale

En sens inverse, la puissance dissipée généralement est très faible (P u <<P d ), mais il ne faut pas atteindre la tension de claquage de la jonction, le constructeur précise également la valeur a ne pas dépasser,

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Remarque

Une étude plus complète de la diode à jonction montre que les

recombinaisons des porteurs en transit dans la région de déplétion modifient le courant aux faibles tensions.

En pratique, la caractéristique i =f(v) est exprimée sous la forme

la caractéristique i =f(v) est exprimée sous la forme semi- empirique où le facteur n varie

semi-empirique où le facteur n varie entre n ≈ 1 aux tensions

moyennes et n ≈ 2 aux trés faibles tensions.

tensions moyennes et n ≈ 2 aux trés faibles tensions.  n varie également en fonction

n varie également en fonction du semi-conducteur et des

dimensions de la diode.

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le semi-conducteur est riche en impuretés, plus faible est le champ électrique nécessaire à la rupture des liaisons covalentes, donc plus

faible est le seuil de claquage de la

Phénomène de Claquage de jonction

Ce claquage est le résultat de deux

effets successifs : l’effet Zener,

puis l’effet d’avalanche. On a vu que le champ électrique résultant croit avec la tension inverse appliquée. Au-delà d’une

certaine valeur, (figure 1) ce champ

provoque la rupture de liaisons

covalentes qui unissent les atomes

de cristal. Il y alors augmentation importante de la concentration en porteurs minoritaires, donc

accroissement important de courant

inverse. Cet effet statique, par le

champ électrique est appelé effet Zener.

jonction.

Par dopage on règle ainsi les seuils de claquage en fonction de l’utilisation de la jonction.

de claquage en fonction de l’utilisation de la jonction.  Le seuil de tension, pour lequel
de claquage en fonction de l’utilisation de la jonction.  Le seuil de tension, pour lequel

Le seuil de tension, pour lequel se produit le claquage, dépend

essentiellement du dopage en

impuretés du semi-conducteur. Plus

Les diodes et leurs Applications Redressement simple alternance 14
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Les diodes et leurs Applications Redressement simple alternance 14

Redressement simple alternance

Les diodes et leurs Applications Redressement simple alternance 14
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Redressement double alternance avec filtrage
Redressement double alternance avec filtrage
Redressement double alternance avec filtrage 16