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Dimensionnement et commande des onduleurs

multi-niveaux asymétriques
Sébastien Mariéthoz, Prof. Alfred Rufer
Laboratoire d’Electronique Industrielle (LEI)
Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL)
CH-1015 Lausanne EPFL, Suisse

sebastien.mariethoz@epfl.ch
http://leiwww.epfl.ch

Résumé— Cet article traite des onduleurs multi-niveaux asy-


métriques à cellule en série. Ces onduleurs sont constitués v o
de cellules onduleur, connectées en série et dont les tensions U i C
d’entrée sont différentes. La condition d’uniformité de ces
onduleurs et une condition plus restrictive permettant de
minimiser les commutations sont établies. Ces 2 conditions
facilitent le choix des tensions d’alimentations des cellules. C U i 2 U i 1 U i
A partir d’une approche géométrique, une stratégie de com- V o
mande adaptée à la minimisation des commutations et donc U i 2
des pertes associées est proposée, ainsi qu’une approche di-
gitale pour la commande des onduleurs multi-niveaux. Les
résultats présentés sont généraux.
U i 1

I. Introduction 0 0

Les onduleurs multi-niveaux permettent d’augmenter la (a) (b)


tension de sortie des convertisseurs statiques au delà des
limites des semi-conducteurs. Il y a 4 directions principales
pour réaliser un onduleur multi-niveaux : V O +
U V O + U
– le NPC (Neutral Point Clamped inverter) dont des i i,C

solutions à 3 niveaux [1], et à 5 niveaux [2] ont été


C C
réalisées Figure 1(a),
– les onduleurs multi-niveaux à cellules imbriquées [3] U i,2
Figure 1(b),
– l’addition des tensions de sortie avec un transforma- 2 2
teur [4] Figure 1(c), V
V U i,1 O -
– les onduleurs multi-niveaux à cellules en série Figure O -

1(d). 1 1
Ces topologies peuvent être combinées, récemment [5] a
notamment proposé une solution hybride entre les cellules (c) (d)
imbriquées et le NPC.
Les onduleurs multi-niveaux symétriques sont une alter-
native au NPC et aux cellules imbriquées pour augmenter Fig. 1 – (a) Une branche d’onduleur NPC. (b) Une branche
la tension de sortie d’un onduleur [6], [7]. Ils permettent d’onduleur à cellule imbriquée. (c) Addition avec transfor-
également d’alimenter un dispositif basse tension à par- mateur. (d) Onduleur à cellules en série.
tir d’une tension moyenne ou d’une tension élevée, par
exemple en traction [8]. Pour améliorer la résolution de
ces convertisseurs sans en augmenter le nombre de cel-
lules, il est possible d’alimenter les cellules avec des tensions
d’entrée différentes. [9] propose d’utiliser un facteur 2 entre de niveaux pour un nombre minimum de cellules. Cette
les tensions d’entrée des cellules, [10] propose un facteur 3. distinction montre clairement deux champs d’applications
Par opposition aux onduleurs multi-niveaux symétriques, différents : les onduleurs multi-niveaux dans le cadre des
ces onduleurs sont appelés onduleurs multi-niveaux asymé- hautes tensions ; les onduleurs multi-niveaux dans le cadre
triques. de la haute résolution. La frontière n’est évidemment pas
Choisir la même tension d’entrée pour toutes les cel- bien tracée.
lules permet d’obtenir la plus grande tension de sortie
avec un nombre minimum de cellules. Choisir des tensions Cet article traite des propriétés de ces onduleurs et des
d’entrées différentes permet d’obtenir le plus grand nombre méthodes pour les commander.

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II. Uniformité du pas des onduleurs +
multi-niveaux à cellules en série )
8 )
A. Niveaux et pas des onduleurs multi-niveaux
Un onduleur multi-niveaux peut être considéré comme 8 +

une source de tension contrôlable, capable de prendre un *


8 *
nombre limité de valeurs de tension de sortie. Nous appel-
lerons ces valeurs, les niveaux de l’onduleur, et la différence
entre 2 niveaux successifs, le pas de l’onduleur.
Lorsque les tensions d’entrée sont équilibrées, le pas des (a)
topologies d’onduleurs existantes est toujours uniforme. 15
1
Un pas uniforme permet d’obtenir des lois de commande 14
1
simples. Dans cette première partie, nous allons décrire les 13
1
12
conditions que les tensions d’entrées doivent respecter pour 11
1
obtenir l’uniformité du pas. 3 10
1
9 9
1 1
8
B. Condition d’uniformité du pas 8
1 1
7 7
1 1
Il a été établi que les facteurs 2 et 3 entre les tensions 6 6
1
d’entrée des différentes cellules [9], [10] étaient des cas par- 5
3 1
4
ticuliers permettant d’obtenir un pas uniforme. 1
3 ∆UB 3
1 ∆UB 1
2 2
B.1 Condition d’uniformité pour 2 cellules 1 1
1 1 ∆UA
∆UA 1 1
0 0
La Figure 2 permet de vérifier que, pour obtenir une cel-
lule à pas uniforme en associant 2 cellules à pas uniforme en VA VB VC ∆U VA VB VC ∆U
série, le pas de chacune des cellules doit respecter l’inégalité (b) (c)
suivante :
7.8
7 1
∆UA ≤ ∆UB ≤ a · ∆UA (1) 1 6.8
6 1
1 5.8
5.4 0.4
5 4.8 0.6
avec ∆UA et ∆UB le pas des cellules, a le nombre de ni- 1 4.4 0.4
4 1
veaux de la cellule ayant le plus petit pas. D’autre part, 1 3.4 0.4
3 3 0.6
1 2.4 0.4
∆UB doit être un multiple de ∆UA . 2 2
1 ∆UB 1
1 ∆UB 1
∆UA 1 ∆UA 1
B.2 Amplitude de la sortie et nombre de niveaux 0 0
VA VB VC ∆U VA VB VC ∆U
les 2 expressions suivantes permettent d’obtenir l’ampli-
tude maximale de la tension de sortie ∆Uok et le nombre (d) (e)
de niveaux N k d’un onduleur constitué de k cellules :
Fig. 2 – (a) connexion série de 2 cellules, il y a 4 cas
k
X possibles : (b) le pas de B, ∆UB est trop grand, (c) ∆UB est
∆Uok = (nj − 1) · ∆Uj (2)
à la limite de la condition, (d) ∆UB respecte la condition,
j=1
(e) ∆UB n’est pas un multiple de ∆UA et le pas résultant ne
Pk
(nj − 1) · ∆Uj peut pas être uniforme. (+ niveau de la cellule A, x niveau
k ∆Uok j=1
N = +1=1+ (3) de la cellule B, * niveaux résultants)
∆U1 ∆U1
B.3 Condition générale d’uniformité
A partir des relations (1) et (3), nous obtenons la condi-
tion d’uniformité pour un nombre quelconque de cellules : avec Ui,1 le pas de l’onduleur résultant et Ui,k la tension
d’entrée de la k ième cellule.
k
X
∆Uk ≤ ∆Uk+1 ≤ ∆U1 + (nj − 1) · ∆Uj (4)
j=1
III. Minimisation des pertes par commutation
avec ∆Uk et nk le pas et le nombre de niveaux de k ième
cellule; ∆U1 est également le pas de l’onduleur résultant. A. Représentation d’état
C. Condition d’uniformité du pas des onduleurs 3 niveaux
Il est possible de représenter les niveaux de sortie d’un
Un cas particulier intéressant est la combinaison série de onduleur composé de C cellules dans un espace à C dimen-
ponts en H à 3 niveaux. Dans ce cas, la condition d’unifor- sions. En associant à chacun des axes, la tension de sortie
mité peut-être exprimée en fonction des tensions d’entrée : des cellules composant l’onduleur, chaque état de l’ondu-
k leur est représenté par un point distinct dans cet espace.
X
Ui,k ≤ Ui,k+1 ≤ Ui,1 + 2 Ui,j (5) La tension de sortie de l’onduleur est alors la somme des
j=1 coordonnées de ce point, comme montré à la Figure 3.

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1 −2 1 4 FET où les fréquences de commutation admissibles ne sont
pas les mêmes pour les différentes cellules.
Uo,1
0 −3 0 3
1

0.75

0.5
−1 −4 −1 2
−3 0 3 0.25
Uo,2

uo
0

−0.25

Fig. 3 – Représentation des états et transitions pos- −0.5

sibles ainsi que des niveaux associés. Onduleur asymétrique −0.75

−1
2C9N. Il y a 8 transitions possibles parmi lesquelles 2 im- 0 1 2 3 4 5 6

plique la commutation simultanées de 2 cellules (−2 ↔ −1 (a)


1 1
and 1 ↔ 2) et les 6 autres la commutation d’une seule
0.75 0.75
cellule. 0.5 0.5

0.25 0.25

uo,2

uo,1
0 0

−0.25 −0.25
B. Représentation des commutations dans l’espace d’état −0.5 −0.5

B.1 Hypothèse de signal lent −0.75 −0.75

−1 −1
0 1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6
La plupart du temps, la référence de la tension de sor-
tie de l’onduleur varie lentement, par conséquent elle ne (b) (c)
commute qu’entre 2 niveaux adjacents, de sorte que pour Fig. 4 – Génération d’une sinusoı̈de d’amplitude 0.49 avec
étudier et optimiser la commutation, il suffit de prendre en un onduleur 9 niveaux à 2 cellules : (a) tension de sortie (b)
considération les transitions entre niveaux adjacents. Cette tension de sortie de la grande cellule (c) tension de sortie
approximation convient parfaitement pour la plupart des de la petite cellule. Pour générer la sortie (a), la grande
applications, telles que les moteurs électriques où des varia- cellule module entre 0 et 0.75 en même temps que la petite
tions importantes ne surviennent que pendant les régimes cellule module entre -0.25 et 0.25. Ce qui cause des pertes
transitoires. importantes et une sortie présentant des impulsions.
B.2 Représentation des transitions
Compte tenu de l’hypothèse précédente §III-B.1, nous al-
1
lons étudier les commutations entre les états permettant de
moduler 2 niveaux adjacents. Sur la représentation d’état 0.67

de la Figure 3, nous ajoutons les commutations entre les ni- 0.33

veaux adjacents. Lors de la poursuite d’une référence, l’état


uo

de l’onduleur ne changera que selon ces 8 transitions. −0.33

−0.67
B.3 Fréquence de commutation
−1
0 1 2 3 4 5 6
La représentation de ces transitions soulève un des points
(a)
faibles des onduleurs asymétriques. Dans notre exemple, 6 1 1

des transitions possibles n’impliquent la commutation que 0.67 0.67


d’une cellule (la plus petite) comme dans le cas des ondu-
0.33 0.33
leurs symétriques, mais 2 impliquent la commutation simul-
uo,2

uo,1

0 0
tanées des 2 cellules. A cause de la difficulté de commuter
−0.33 −0.33
les cellules simultanément, la tension de sortie de l’ondu-
leur va présenter des impulsions qui peuvent être gênantes. −0.67 −0.67

D’autre part, les pertes par commutation vont être plus im- −1
0 1 2 3 4 5 6
−1
0 1 2 3 4 5 6

portantes puisque le nombre de cellules commutées est plus (b) (c)


grand. Dans notre exemple, lors d’une modulation entre les
niveaux 1 et 2 ou entre les niveaux −2 et −1, ce problème Fig. 5 – Génération d’une sinusoı̈de d’amplitude 0.49 avec
peut s’avérer gênant, ce qui est le cas pour la génération de un onduleur 7 niveaux à 2 cellules : (a) tension de sortie (b)
signaux d’amplitude moyenne comme illustré à la Figure tension de sortie de la grande cellule (c) tension de sortie
4. Les deux cellules commutent à une fréquence presque de la petite cellule.
aussi élevée que le signal de sortie. Elles doivent donc être
dimensionnées pour supporter cette fréquence de commu-
tation, alors que dans le cas des onduleurs multi-niveaux
symétriques, la fréquence de commutation de chacune des C. Règle de dimensionnement d’une solution adaptée aux
cellules est la fréquence totale de commutation divisée par commutations
le nombre des cellules. Moyennant un compromis sur la résolution et une straté-
Ce problème est d’autant plus pointu dans le cas d’une gie adaptée, le problème des commutations soulevé au pa-
combinaison hybride telle que GTO- IGBT ou IGBT- MOS- ragraphe précédent peut-être résolu.

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Les seules transitions posant problème sont celles im- 1 1 3
pliquant la commutation simultanée de plusieurs cellules.
Les autres transitions permettent de moduler 2 niveaux 0 3 0 2
adjacents en ne commutant qu’une cellule, celle qui est la
plus adaptée aux commutations et les segments formés par 2 1
ces transitions seront appelés segments de modulation. Les (a ) 2 C 9 N (b ) 2 C 7 N
commutations simultanées ne peuvent pas être évitées tant
que l’onduleur est asymétrique, en revanche en diminuant Fig. 6 – En ajoutant des niveaux redondants, le problèmes
un peu la résolution par rapport à un cas à asymétrie maxi- des commutations simultanées pendant la modulation peut-
male, des niveaux redondants sont ajoutés comme à la Fi- être supprimé. (a) Onduleur 9 niveaux sans redondance.
gure 6. Dans ce cas, il est possible de moduler n’importe (b) Onduleur 7 niveaux avec redondance. La modulation
quel couple de niveaux adjacents en se déplaçant unique- entre les niveaux 1 et 2 peut être effectuée en ne commutant
ment le long d’un segment de modulation, c’est à dire sans qu’une seule cellule.
faire de commutations simultanées de plusieurs cellules en
même temps.

C.1 Stratégie de commande La condition de modulation (6) est tout à fait générale.
Par exemple, pour un onduleur constitué d’une cellule 2
Dans le cas avec asymétrie maximale comme à la Fi- niveaux et de 2 cellules 3 niveaux, dont une branche est
gure 6(a), les états de l’onduleur peuvent être associé di- représentée à la Figure 7, elle permet d’établir que la plus
rectement aux niveaux. Dans les autres cas, pour minimiser grande asymétrie des pas permettant une modulation avec
les commutations, il faudra se déplacer conformément aux peu de pertes par commutation est 6 ∆U , 2 ∆U , ∆U ce
flèches de la Figure 6(b). Les transitions le long de seg- qui donne 13 niveaux, alors que la plus grande asymétrie
ments de modulations pourront être parcourues dans les conservant l’uniformité du pas est 9 ∆U , 3 ∆U , ∆U ce qui
2 sens, elles pourront donc être utilisées pour la modula- donne 18 niveaux. La représentation des états et des ni-
tion, alors que les transitions impliquant des changements veaux et transitions associées est montrée à la Figure 8.
de segment ne seront parcourues que dans un sens, le retour Par ailleurs, la loi de commande se résume à énoncer
s’effectuant par une autre transition de manière à minimi- qu’il faut se déplacer le plus longtemps possible le long
ser les pertes. Les flèches définissent l’état que l’onduleur des segments de modulations, ce qui permet d’ajouter à la
doit prendre de manière univoque. représentation d’état, le sens de parcours des transitions
impliquant des commutations simultanées. En divisant en
C.2 Condition de modulation
deux cette représentation, nous obtenons une trajectoire à
De la même manière que l’inégalité (4) permet de définir suivre pour les niveaux croissant et une trajectoire à suivre
la condition d’uniformité, l’inégalité suivante permet de pour les niveaux décroissant comme montré à la Figure 9.
définir quelles conditions les pas des cellules doivent res- A partir de ces représentations, la connaissance de l’état de
pecter, pour que n’importe quelle couple de niveaux puisse l’onduleur et du sens de variation de la tension de référence
être modulé, en ne commutant qu’une seule cellule : permet de déterminer l’état à appliquer à l’onduleur pour
minimiser les commutations.
k
X
∆Uk ≤ ∆Uk+1 ≤ (nj − 1) · ∆Uj (6)
j=1 $ 7 7 7

Pour des ponts en H à 3 niveaux, cette expression peut être


exprimée en fonction des tensions d’entrée :
k
X
Ui,k ≤ Ui,k+1 ≤ 2 Ui,j (7)
j=1
Fig. 7 – Schéma d’une branche d’onduleur 3C13N

La Figure 5 permet de vérifier que, conjointement à la


stratégie proposée, cette solution permet de résoudre le
IV. Méthode digitale de commande des
problème mis en évidence à la Figure 4. Il n’y a plus que
onduleurs multi-niveaux
la cellule avec la plus petite tension d’entrée qui effectue la
modulation. Cela permet également de mettre en évidence La méthode traditionnelle pour commander un onduleur
un des aspects des onduleurs multi-niveaux asymétriques multi-niveaux consiste à utiliser un ensemble de porteuses
respectant la condition de modulation (6). Lors de la mo- triangulaires qui permettent, comparées à une référence
dulation, les commutations sont partagées entre les cel- continue, de générer les signaux de commande de l’ondu-
lules alimentée par une petite tension, ce qui signifie que leur.
ces cellules doivent être dimensionnées pour être perfor- Ces méthodes peuvent être implantées de manière analo-
mantes en commutations, alors que les cellules alimentées gique ou digitale, mais leur nature est plutôt analogique et
par des tensions plus élevées ne devront être performantes elles deviennent rapidement compliquées, voire irréalisables,
qu’en conduction puisqu’elles ne seront que peu sollicitées avec l’augmentation de la complexité de l’onduleur et de
en commutation. la modulation. D’autre part, la plupart des systèmes ac-

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6
5 4

5 4
3 2
0
4 3 2 1
1
0
1
−1 −2
2 1 0
−1 −2
0
−3 −4

−4 0 −1 3
−2 −3 2
−1 3 −5
2
−4 −5 0 0
0 0 −6

−6 −2 −3
−2 −3
(a)
(a) 6

4 3
1
1
2 1
−1
0
0
0
−2 −3
−1 3
−1 3 2
2 −4 −5

0 0
0 0

−2 −3
−2 −3
(b)
(b)
Fig. 9 – Pour l’implantation logicielle de la stratégie il y
Fig. 8 – (a) Représentation d’état de l’onduleur 3C13N : le
a une trajectoire pour les référence croissante (a) et une
niveau à la fin d’un segment de modulation (segment verti-
autre pour les trajectoires décroissantes (b)
caux) et au début du suivant est le même. (b) La stratégie
.
consiste à se déplacer dans les 2 sens le long des segments
de modulation (marqué en gras) et à respecter le sens de
parcours des segments à sens unique (sens marqué par une
flèche). Cette représentation permet une implantation lo- les niveaux disponibles.
gique directe par machine d’état. Si un seul état de commande de l’onduleur permet d’at-
teindre cette tension, une simple association permet de
déterminer les signaux de commande de l’onduleur, comme
tuels sont basés sur des solutions entièrement digitales avec c’est le cas, pour les onduleurs avec asymétrie maximale.
micro-contrôleur ou DSP. L’approche entièrement digitale En revanche, si plusieurs états de commande permettent
permet de simplifier l’implantation de l’ensemble des fonc- d’atteindre cette tension, comme c’est le cas avec les solu-
tions de commande de l’onduleur multi-niveaux. tions performantes en modulation qui respectent la condi-
tion (6), il faut un bloc qui implante la stratégie proposée.
A. Description fonctionnelle de la commande d’un ondu- C’est le rôle du bloc C qui effectue l’association entre la
leur multi-niveaux tension à appliquer et l’état de commande de l’onduleur.
La seule connaissance de la tension à appliquer ne suffit
La Figure 10 représente le schéma fonctionnel de la com- pas, il faut également connaı̂tre l’état de commande actuel
mande d’un onduleur multi-niveaux. (rétroaction de l’état précédent).
Le bloc A effectue la fonction de réglage du système, avec Le bloc D permet d’appliquer les signaux de commande à
à son entrée toutes les grandeurs permettant de régler le l’onduleur. Ce bloc appliquera la trame des niveaux définie
système, et à sa sortie la tension à appliquer au dispositif à par le modulateur B avec les états définis par le bloc d’as-
régler. Pour le régulateur, l’action sur le système à régler est sociation C.
effectuée avec une source de tension idéale, éventuellement
bornée et discrète. En conséquence, il délivre une tension
B. Implantation des blocs fonctionnels
de référence. L’onduleur doit appliquer une tension dont
l’effet sur le système, sera le plus proche de celui de cette Il y a des fonctions de réglage propres à l’onduleur multi-
tension de référence. Les effets importants seront définis niveaux, tels que l’équilibrage des tensions d’alimentation,
par le cahier des charges : la dynamique, la distorsion har- si ces dernières sont unidirectionnelles ou si certaines sont
monique, ou la minimisation d’effet parasites tels que par simplement constituées d’un élément passif tel qu’un conden-
exemple les couples oscillants pour un moteur, etc. sateur, mais nous ne discutons ici que du réglage du disposi-
La tension réellement appliquée aux bornes du dispositif tif à commander, d’autre part l’implantation du régulateur
physique à régler est générée par le biais du bloc B, le ne diffère pas de celle d’un autre système, elle n’est donc
bloc modulateur qui construit la trame à appliquer avec pas décrite dans cet article.

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B.1 Modulateur V. Conclusions
Pour définir la trame et implanter le modulateur, la va- Les règles qui permettent d’obtenir un pas uniforme avec
leur moyenne de la tension générée sur une trame est im- des onduleurs à cellules en série ont été décrites d’une
posée égale à la tension de référence : c’est ce qui est réalisé manière générale. Le problème des commutations simul-
par la plupart des modulateurs. Il est judicieux de moduler tanées de certaines solutions, en terme de choix des ten-
les 2 niveaux les plus proches de la tension de référence. sions d’alimentation a été soulevé. Une règle plus restric-
Le rapport cyclique est alors obtenu à partir de l’identité tive que la condition d’uniformité, permettant d’éliminer
suivante : ce problème, la condition de modulation a été établie.
Uref = (1 − D) V1 + D V2 (8) Lorsque la sortie de l’onduleur est contrôlée par un mo-
dulateur, il convient de respecter la condition de modula-
V1 et V2 étant les niveaux de l’onduleur les plus proches tion alors que lorsque la sortie de l’onduleur est de type
de la tension de référence Uref . L’ordre des niveaux V1 et quantifiée, il suffit de respecter la condition d’uniformité.
V2 est choisi en fonction du niveau précédent, ce qui laisse Ces 2 règles facilitent le choix des tensions d’entrées d’un
une grande liberté dans le choix du type de modulation et onduleur multi-niveaux. Finalement, une stratégie adaptée
ce qui est aisément implanté à l’aide d’une machine d’état. à la minimisation des commutations a été proposée, ainsi
qu’une méthode digitale de commande des onduleurs multi-
B.2 Association entre les niveaux et l’état de commande niveaux.
de l’onduleur
Références
La représentation d’état avec les transitions et leur sens, [1] A.Nabae and H.Akagi, “A new neutral-point-clamped PWM in-
correspond à la représentation d’une machine d’état. Par verter,” IEEE Transactions on Industry Applications, vol. 17,
exemple, la représentation des transitions possibles de la pp. 518–523, September 1981.
Figure 8 peut directement être implantée dans un circuit [2] P. R.W.Menzies and J.K.Steinke, “Five-level GTO inverters for
large induction motor drives,” IEEE Transactions on Industry
logique programmable (FPGA). La condition permettant Applications, vol. 30, pp. 938–944, July 1994.
d’effectuer une transition est alors d’augmenter ou de di- [3] T.Meynard and H.Foch, “Multi-level choppers for high voltage
minuer la tension. Pour les grandes variations dépassant applications,” Applications,EPE Journal, vol. 2, no. 1, pp. 45–
50, 1992.
un pas, les états à moduler peuvent également être di- [4] P.K.Steimer, H.Grüning, and J.Werninger, “State-of-the-art ve-
rectement appliqués. Pour une implantation logicielle, la rification of the hard driven GTO inverter development for a 100
représentation de la Figure 9 peut directement être trans- MVA intertie,” PESC’96, no. 2, pp. 1401–1407, 1994.
posée, en 2 tables d’association des 2 niveaux à moduler [5] L.Delmas, T.Meynard, H.Foch, and G.Gateau, “Smc : Stacked
multicell converter,” PCIM 2001, vol. 43, pp. 63–69, 2001.
aux 2 états de commande. Le choix de la table est effectué [6] P.Hammond, “A new approach to enhance power quality for me-
en fonction du sens croissant ou décroissant de la tension dium voltage AC drives,” IEEE Transactions on Power Electro-
de référence. Les 2 tables sont indexées par l’état actuel de nics, vol. 33, pp. 202–208, January 1997.
[7] N.P.Schibli, T.Nguyen, and A.C.Rufer, “A three-phase multi-
l’onduleur. Le traitement des grandes variations est simi- level converter for high-power induction motors,” IEEE Tran-
laire. sactions on Power Electronics, vol. 13, pp. 978–986, September
1998.
B.3 Application des signaux de commande [8] N. Schibli, Symmetrical multilevel converters with two quadrant
DC-DC feeding. PhD thesis, EPFL, 2000.
Les états de commande de l’onduleur sont appliqués à [9] M.D.Manjrekar and T.A.Lipo, “A hybrid multilevel inverter to-
pology for drive applications,” IEEE-APEC’98, pp. 523–529,
l’onduleur à l’aide d’un multiplexeur commandé par un 1998.
modulateur PWM à 2 niveaux dont le rapport cyclique est [10] A.Rufer, M.Veenstra, and K.Gopakumar, “Asymmetric multi-
défini par l’expression (8). Il ne faut plus qu’une seule por- level converter for high resolution voltage phasor generation,”
teuse triangulaire, alors que dans l’approche traditionnelle, EPE’99, 1999.
il en faut autant que de niveaux (à un près).

D S P F P G A
U r e f
r é g la g e r a p p o r t D
g é n é r a te u r
V 1 P W M
c y c liq u e 2 -n iv e a u x
n iv e a u x V 2
a d ja c e n ts

-1
z a s s o c ia tio n
S 1
S
é ta t S 2
o n d u le u r s ig n a u x
m u x c o m m a n d e

-1
z
A B C D

Fig. 10 – Schéma de commande fonctionnel d’un ondu-


leur multi-niveaux. La répartition des blocs dans un DSP
et dans un circuit logique programmable FPGA est un des
choix possibles d’implantation.

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