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ING. FÍSICA.
1. OBJETIVOS
2. INTRODUCCIÓN
MARCO TEÓRICO
Diodo
El diodo es un dispositivo de semiconductor compuesto por una unión P-N, es un material
extrínseco que adquiere unas propiedades específicas dependiendo del dopado o las
impurezas que han sido añadidas a una configuración molecular, en la parte práctica es
utilizado en el área de la electricidad con el objetivo de modificar diferentes señales de
voltaje, regular el voltaje, emitir luz y muchas otras aplicaciones que no se abordan en
este informe. este diodo es el más común en la actualidad se forma a partir de la unión de
dos cristales semiconductores la unión P-N posee una zona llamada zona de juntura.
El diodo es polarizado en directa, es decir el terminal P(ánodo) se conecta con un
potencial positivo y el terminal N(cátodo) con uno negativo, para que el diodo entre en
conducción la diferencia de potencial entre el cátodo y el ánodo debe superar un umbral
para que los electrones y huecos logren separar una barrera de potencial producida por la
zona de juntura. esa diferencia de potencial umbral depende del tipo de material con que
sean fabricados los semiconductores, en el caso del silicio la barrera umbral es de 0.7 V y
en el caso del germanio la barrera umbral es de 0.3 V. De manera contraria , el diodo
puede ser polarizado de manera inversa si el potencial en el ánodo es negativo y el del
cátodo positivo; aquí el diodo no conducirá a menos que la diferencia de potencial entre el
ánodo y el cátodo supere el umbral de ruptura y el diodo entra en zona de avalancha ,
donde se produce la ruptura de la zona de juntura y posteriormente puede ocurrir la
destrucción del diodo.
Los diodos rectificadores son dispositivos electrónicos que se utilizan para controlar
la dirección del flujo de corriente en un circuito eléctrico. Dos materiales comúnmente
utilizados para los diodos son el germanio y el silicio. Mientras que ambos diodos
realizan funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser
tomadas en consideración antes de instalar uno u otro en un circuito electrónico.
Diodos de silicio
La construcción de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del
diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del ánodo y arsénico o fósforo en el
lado del cátodo), y la articulación donde las impurezas se unen se llama la "unión p-n".
Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez
que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo
empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unión p-n. Cuando el
diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unión p-n detendrá la conducción
de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica. Debido
a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, los diodos de
silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.
Diodos de germanio
Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los
diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas
impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una
tensión de polarización directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco común
que se encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata.
Debido a su rareza, los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces
más caros) que los diodos de silicio.
Para analizar con precisión un circuito con diodos se necesita saber la resistencia
interna del diodo. La fórmula para calcular la resistencia interna es:
Polarización Directa
El diodo permite la circulación de corriente sólo cuando se encuentra polarizado en
forma directa, que es cuando el terminal ánodo tiene polaridad positiva con respecto
al terminal cátodo; en este caso, se dice que el diodo se comporta como un conductor ,
y se produce una circulación de corriente por el circuito, en el sentido convencional.
Polarización inversa
Las zonas directas e inversa quedan descritas de manera unificada por la siguiente
expresión matemática.
3. MONTAJE EXPERIMENTAL
● 1 diodo de silicio
● 1 diodo de germanio
● 1 resistor 240 Ω a 5 W
● 1 fuente de voltaje
● 2 multímetros
4. RESULTADOS Y DISCUSIÓN
1. Diodo de Germanio:
Tabla 1.1 POLARIZACION DEL DIODO
3 0,71 V 0 -1,32 KΩ
4 Directa: 547
Inversa: 240 KΩ
0,2 0 0 0
0,3 0,001 -3 0
0,4 0,019 -5 0
0,5 0,094 -7 0
0,6 0,255 -9 0
V -11 0
1 1,251 -17 0
2. Diodo de Silicio:
2 0,22 V 0 8,33 KΩ
3 0,208 V 0 6,53 KΩ
4 Directa: 731
Inversa : 180 KΩ
0 0 0 0
0,038 0 -3 0
0,08 0 -5 00,8
0,12 0 -7 3,72 mA
0,16 0 -9 11,27 mA
V -11 19,08 mA
Germanio 1108,87 ∞
Silicio ∞ ∞
➢ GERMANIO:
➢ SILICIO:
Germanio 239,81
Silicio 831,35
ANÁLISIS:
Cuanto más se disminuya la barrera, esto se logra aumentando el voltaje como se puede
corroborar en la tabla 1.2 CARACTERÍSTICAS VOLTAJE-CORRIENTE para el diodo de
germanio, más portadores mayoritarios la podrán superar y difundirse hacia el otro lado
de la unión y por tanto mayor será la corriente si se observa la gráfica 1, a medida que el
voltaje aumenta se disminuye la barrera del diodo por ende la corriente también aumenta
comienzan a 0,2V con una corriente de 0 mA a medida que aumenta el voltaje
exponencialmente aumenta la corriente hasta llegar a 1,2V con una corriente de 1,726mA
. En definitiva, la corriente que atraviesa la unión es debida al movimiento de electrones y
huecos inyectados a cada lado de la unión donde son minoritarios. los huecos que circulan
de izquierda a derecha constituyen una corriente en el mismo sentido que los electrones
que se mueven de derecha a izquierda, y, por lo tanto, la corriente resultante que
atraviesa la unión es la suma de las corrientes de los huecos y de los electrones
minoritarios que puede llegar a ser importante o significativa, sin superar el voltaje
estipulado en el datasheet 1N60.
Cuando la zona de deplexión ya no puede crecer más dentro del diodo, habrán
electrones que se posicionarán en los pocos huecos disponibles que quedan, los otros
electrones que no alcanzaron a tomar un hueco y quedaron por fuera del diodo
adquieren un aumento en su energía cinética gracias a la excitación de la fuente
haciendo que traspasen la barrera de potencial y como cuentan con una gran energía
cinética estos al llegar al material de tipo N rompen los enlaces covalentes que
golpean dejando ahora más electrones libres y estos a su vez rompen otros enlaces
covalentes dejando una gran cantidad de electrones libres que se sentirán atraídos
por la placa positiva de la fuente creando el efecto avalancha, a la magnitud de este
potencial cuando ocurre el efecto avalancha se le conoce como voltaje de ruptura, el cual
no se sobrepaso en la práctica ya que suele ser mayor a 30 o 40 voltios para diodos
rectificadores.
5. CONCLUSIONES
6. BIBLIOGRAFÍA
● http://www.nxp.com/documents/data_sheet/1N4148_1N4448.pdf
● http://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-diodo-germanio-del-
diodo-silicio-lista_153695/
● http://www.academia.edu/8495120/INFORME_DE_ELECTR%C3%93NICA_B
%C3%81SICA_DIODOS_RECTIFICADORES_Tabla_de_contenido
● http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema3/Paginas/Pagina
11.htm
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