TRANSISTORES BIPOLARES

DE JUNTURA (BJT)

Ing. Raúl Rojas Reátegui

Historia del Transistor

El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia

de transferencia").

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, etc.

Es considerado uno de los mejores inventos del siglo XX, permitió el desarrollo de
la electrónica y de sus múltiples aplicaciones, ya que este superó ampliamente las
dificultades que presentaban sus antecesores, las válvulas.
Uno de los mayores inconvenientes de las
válvulas, era su alto consumo de
energía. Esto era causado porque calientan
eléctricamente un filamento (cátodo) para
que emita electrones que luego son atraídos
por el electrodo (ánodo) estableciéndose así
una corriente eléctrica. Luego, por medio de
un pequeño voltaje (frenador), aplicado entre
una grilla y el cátodo, se logra el efecto
amplificador, controlando el valor de la
corriente, de mayor intensidad, entre cátodo y
ánodo.
Los transistores, desarrollados en 1947 por los físicos Shockley, Bardeen y
Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino,
mismo que, junto con otras invenciones –como la de los circuitos integrados–
potenciarían el desarrollo de las computadoras. Y todo a bajos voltajes, sin
necesidad de disipar energía (como era el caso del filamento), en dimensiones
reducidas y sin partes móviles o incandescentes que pudieran romperse.
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS
 Los materiales empleados para su fabricación son: Germanio, Silicio. Estos
tienen la propiedad de acelerarse grandemente el movimiento de los electrones
por medio de una corriente eléctrica.
 El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío.
 En cuanto a su estructura, se encuentran formados por tres elementos:
 Emisor: Emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor
es la equivalente al cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
 Base: Controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la
equivalente a la rejilla cátodo en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.
  Colector: Capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su
labor es la equivalente a la placa en los tubos de vacío o "lámparas"
electrónicas.
 Posee amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación).
 Sirve como generador de señal (osciladores, generadores de ondas,
emisión de radiofrecuencia)
 Permite la conmutación, actuando como interruptores (control de relés,
fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas).
 Es detector de radiación luminosa (fototransistores).
 El consumo de energía es sensiblemente bajo.
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT)

 BJT de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junción Transistor).

 Son aquellos que utilizan la corriente como elemento de control para obtener la
señal y su comportamiento como dispositivo conmutador.
 Estos solo funcionan cuando están en polarización directa (se dice que están en
saturación) y en polarización inversa no funcionan (se dice que están en corte). A
base de estos se construyen los circuitos integrados y otros tipos de transistores.
 El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan
en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.
 No es simétrico: la concentración de portadores en E es generalmente bastante
mayor que en C
 Pueden ser de dos tipos:

 La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o "huecos" (cargas positivas).
 La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las
otras dos al emisor y al colector.
 Dos de los tres terminales actúan como terminales de entrada (control).
 Dos de los tres terminales actúan como terminales de salida. Un terminal es
común a entrada y salida.
 Su diferencia entre un transistor NPN y PNP, radica en la dirección del flujo de la
corriente, en la base, colector y emisor que se muestra en ambos gráficos
 La potencia consumida en la entrada es menor que la controlada en la
salida.
 La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento
eléctrico de la salida.
 La salida se comporta como:
 Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
 Corto circuito (saturación).
 Circuito abierto (corte).
Magnitudes y curvas

Corriente en cada terminal: IC, IB , IE

Diferencias potencial entre terminales: VBE, VBC , VCE
Dos ecuaciones de comportamiento
Ecuaciones comportamiento: análisis experimental
Simplificando: punto operación del transistor Q(IB, IC, VBE, VCE)
Curvas características: dos

I B  g(VBE , VCE )

• VCE poca influencia. Se simplifica. IB  g(VBE )

IB IB

VBE VBE
IC  f (VCE , I B )
mA
IC IB  100 mA
12
IB  80 mA
10

8 IB  60 mA

6
IB  40 mA
4
IB  20 mA
2

0 V CE
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 V
• Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IB ,VBE)

IB

VBE

• Obtenemos punto de operación de entrada: (IBQ ,VBEQ)

• Circuito de salida
V CC
IC
RC
C
+
"ca rga" de l
circu ito de V
CE
salida
E –

V CC  RC IC  VCE

RECTA DE CARGA de salida

VCC 1
IC    VCE
RC RC
• Dibujando esa recta sobre el mismo plano que la curva (IC ,VCE)

IC IB5
IB4
IB3

IB2 =IBQ

IB1

VCE
• Obtenemos punto de operación de salida
• Con ambos puntos, tenemos el punto de operación del transistor
Modelo de Ebers-Moll

IB 
βF

I S VBE /UT
e I

 1  S eVBC /UT  1
βR


IC   
I S VBC /UT
βR
e  
 1  I S eVBE /UT  eVBC /UT 

 IC

βR

I S VBC /UT
e 1 
VBC
IB 
Modelo circuital


I S eVBE /UT  eVBC /UT 
genérico VBE

βF

I S VBE / UT
e 1 
 IE
Transistor BJT
Modelos circuitales simplificados
ZAD: VBE > 0, VBC < 0  IC

I S VBE /UT
 IC VBC IB  e
IB  βF
βF IB

I S VBC /UT
 IC  β F I B
X
e 1 
βR VBE
VBC
I E  (β F  1) I B
 IS 
X
IB 


IS e VBE / UT
e
VBC / UT 
 βF


VBE  IE

βF
e
X
I S VBE / UT
1  IC

 IE
VBC
IB 
βF IB

VBE ,ZAD
VBE ,ZAD

 IE
Transistor BJT
IC
Modelos circuitales simplificados 
ZAI: VBE < 0, VBC > 0  IS 
 
 βR 
I S VBC / UT
 IC VBC IB  e
IB  βR

X
βR IB
βR

I S VBC /UT
e 1 
VBE
I E  β R I B
I C  (β R  1) I B
VBC

X
IB 


I S eVBE /UT  eVBC /UT   IE
VBE


I S VBE / UT
βF
e 
1
X 
IC

 IE
VBC ,ZAI

IB 
VBC ,ZAI βR IB

VBE
VBC ,ZAI  VBE ,ZAD
 IE
β R  β F
Transistor BJT
 IC
Modelos circuitales simplificados
Saturación: VBE > 0, VBC > 0 I S VBC / UT
e
βR

IC VBC
 IB 

I S eVBE /UT  eVBC /UT 
X

βR

I S VBC /UT
e 1 VBE
VBC
IB 


I S eVBE /UT  eVBC /UT  I S VBE / U T
βF
e
 IE
VBE

βF
e
X
I S VBE / UT
1  IC

 IE
VBC
IB 
VCE,sat

VBE ,sat VCE,sat 

VBE ,sat  VBE ,ZAD

 IE
Transistor BJT Modos de operación

Modelos circuitales simplificados

Corte: VBE < 0, VBC < 0
 IC

 IC
VBC
 X
I S VBC /UT
βR
e 1  IB 

VBC VBE

X X
IB 


I S eVBE /UT  eVBC /UT  IE
VBE

 X
I S VBE / UT
βF
e 
1

 IE
 Estados del transistor

Los estados del transistor se pueden resumir en la siguiente tabla:

Polarización de las uniones

Estado Base emisor Base colector
Activo directo Directa (vBE > Vg) Inversa (vBC < Vg)
Transistor inverso Inversa (vBE < Vg) Directa (vBC > Vg)
Cortado Inversa (vBE < Vg) Inversa (vBC < Vg)
Saturado Directa (vBE > Vg) Directa (vBC > Vg)
 Dicho de otra manera

Modo Unión E-B Unión C-B

Corte Inverso Inverso
Activo Directo Inverso
Saturación Directo Directo

SATURACIÓN
DIRECTA
ZAD

CORTE
CORTE
SATURACIÓN
ZAI INVERSA
 Resumen
Zona Activa Zona de Corte Zona de Saturación
-IC -IC -IC

R R R
VCB + VCB + VCB +
P - P - P
-
-IB -IB -IB
N N N
P P P
VEB VBE VEB
IE V1 IE V1 IE V1

VCB < 0
IC  0, IE  0 VCB > 0 (VCE  0)
-IC  a·IE y -IB  (1-a)·IE
-IC  -b·IB y IE  -(1+b)·IB y IB  0 -IC  V1/R
 Circuitos Equivalen del transistores

is +

Zona Activa is
+ Vs
-
Vs = -

is is
Zona de +
Saturación
-
Vs = Vs=0

is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
- ATE-UO Trans 04
Configuraciones del BJT
Esta configuración se utiliza para propósitos de acoplamiento de impedancias.
Pues tiene alta impedancia de entrada y baja de salida, al contrario de las
otras dos configuraciones.
Para todos los propósitos prácticos las características de salida de esta
configuración son las mismas que se usan para EMISOR común.
 Encapsulado de transistores
Encapsulado Encapsulado
Encapsulado
TO-126 (SOT-32) TO-220
TO-92

BC548 (NPN)
BC558 (PNP)

Encapsulado BD135 (NPN)

TO-3 BD136 (PNP) MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)

2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 74
 Forma real de los transistores
Antiguo transistor PNP de Transistor NPN plano de
aleación doble difusión

N-
SiO2
B E
E C
P+ N+ P-

P N

N+
B

ATE-UO Trans 75
 Resistencia de base
Parte que realmente actúa
B E como transistor

P+ Existe una resistencia

N-
relativamente alta al estar
P la base poco dopada. La
llamamos RB.

VEB VCB
IE + - - + IC
P+
E IF IR C

C aR·IR IB B’ aF·IF

Modelo de Ebers-Moll modificado RB

B
ATE-UO Trans 76