Dispositivos Electrónicos. ETSII. GESTIÓN. GRUPO C. Curso 01/02.

Examen ordinario de Junio.

SOLUCIONES
TEORÍA:
1.- Explica por qué se utilizan las condiciones I ≥ 0 para I
I
comprobar que un diodo ideal conduce y V ≤ 0 para comprobar
que no conduce. (1 punto) _
+V 0,0
V

Respuesta: (Tema 4, transparencia 7: Curva característica del diodo y modelos)

En el modelo ideal se simplifica al máximo el comportamiento del diodo, y se utiliza la
característica I frente a V de la transparencia. Observa que la gráfica (tema 1, transparencia
1) es la misma que la de un cortocircuito en la parte positiva del eje I, es decir para I ≥ 0 , y
coincide con la de un circuito abierto en la parte negativa del eje V, es decir para V ≤ 0 .
2.- Regiones de corte y saturación en un transistor bipolar: explica el origen de
los modelos que se usan (no hace falta que expliques el origen de las condiciones
que se cumplen en cada región). (1 punto)

Respuesta: (Tema 5, transparencia 5: Regiones de saturación, de corte y activa

inversa)
n p n
VCE
E C
Emisor Colector
VBE

Base
VBE VBC

En la región de saturación tenemos las dos uniones p-n directamente polarizadas,

es decir se comportan como dos diodos en ON, y si las modelamos con una tensión
umbral cada una (transparencia 7, tema 4, modelo de diodo con tensión umbral),
tenemos el modelo:
VBC VCE VCE
VBE
E C E E
C C

VBE VBE
B
B B

En la región de corte tenemos a las dos uniones p-n inversamente polarizadas, y, como
hacíamos con el diodo, las podemos modelar con un circuito abierto.

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 E VCE C
E C

VBE B
3.- Explica cómo funciona la memoria ROM de la figura 1. (1 punto)

1
DECODIFICADOR

2
ENTRADAS

7
figura 1
SALIDAS
Respuesta:(tema 7, transparencia 3: ROM con MOS- matriz NOR)
Aquí se muestra una memoria ROM hecha con transistores MOS. Como ves, se llama
matriz NOR, y la razón es que cada columna es una puerta NOR hecha con transistores
MOS. Así, si una fila es seleccionada y hay un transistor en la columna que miramos
(fíjate por ejemplo en la señalada con línea discontinua) se realiza la operación NOR y
aparece un ’0’ a la salida de la puerta, es decir a la salida de la columna.
PROBLEMAS:
1.- Escribe el sistema de ecuaciones que
permite encontrar las intensidades y R1 V2
tensiones en el circuito de la figura 2. NO V1 R2
RESUELVAS EL SISTEMA.(1 punto) I1
figura 2

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 2.- Calcula la característica entrada (vi)-salida(vo) (característica de transferencia)
en el circuito de la figura 3. Considera que el diodo tiene una tensión umbral
V γ = 0.7V . (2 puntos)

figura 3

3.- En el circuito de la figura 4(a) se muestra un inversor RTL conectado a una

puerta OR hecha con diodos con tensión umbral V γ = 0.7V . Calcula la salida de la
puerta OR cuando la entrada del inversor vale ‘1’(vi = 5V) y ‘0’ (vi = 0V). (2 puntos)
Vcc=5V
D1
Rc=6KΩ vo β=50
VBEact=VBEon=0.7V
Rb=15KΩ
VBEsat=0.7V
QA D2
vi R=20KΩ V
CEsat=0.2V
figura 4(a)
Vγ=0.7V

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 4.- La figura 5(b) muestra una puerta NOR hecha con transistores MOS. Calcula
la tensión de salida para los valores de entrada VA = 5V (‘1’) y VB = 5V (‘1’)
(SÓLO PARA ESTOS VALORES). (2 puntos)
7V 5V
β=50µA/V2
Mt
Vo VT= 1V
VA VB
MA MB

figura 5(b)

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