Informe

Memoria EPROM, EEPROM Y FLASH

Francisco Sánchez, Sebastián Zúñiga & Danilo Cuichan

13 de enero 2018.

Universidad de las Fuerzas Armadas - ESPE.

Sistemas Digitales – NRC: 2156
Ing. Pablo Molina

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 Introducción

Las memorias de un ordenador son dispositivos electrónicos y mecánicos que permiten la

memorización temporal o definitiva de las informaciones y de los resultados de las

elaboraciones.

Existen numerosos tipos de memorias con diferentes características y con diferentes

reacciones ante los acontecimientos inesperados como, por ejemplo, un corte de corriente

eléctrica.

Las memorias se subdividen habitualmente en las siguientes categorías:

 Memorias ROM

 Memorias RAM

 Memorias de masa

Memorias ROM

ROM son las iniciales de Read Only Memory, es decir, memoria de sola lectura.

Físicamente, la memoria ROM está constituida por algunos circuitos integrados en los que

están permanentemente memorizadas las informaciones de base del ordenador, es decir, todo

lo que la máquina necesita para el correcto funcionamiento y para el reconocimiento de todos

los periféricos a ella conectados.

La característica de la memoria ROM es la de no sufrir por los cortes inesperados de

corriente, golpes accidentales o virus; esté tranquilo, por tanto, ya que si su ordenador se

cayera en medio de un corte de luz inesperado, es muy difícil que la memoria ROM corra el

riesgo de ser dañada.

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Memorias RAM

RAM son las iniciales de Random Access Memory, o sea, memoria de acceso casual.

Físicamente la memoria RAM está constituida por algunos circuitos integrados en los que se

memorizan los programas en ejecución y todos los datos transitorios, o sea, los resultados

intermedios de las elaboraciones.

En caso de un corte de luz, incluso de pocos segundos de duración, todo el contenido de la

RAM se perderá.

Memorias de masa

Las memorias de masa están constituidas por lo general por soportes de forma y grandeza

diferentes, transportables como disquetes o que también pueden estar conectados con el

ordenador permanentemente como es el caso del disco duro. Este tipo de memorias tiene la

ventaja de tener capacidades de memorización muy variables y por soportes como los discos

duros y los CD-Rom, también muy grandes.

La memoria di masa que usa todos los días con su ordenador de forma más o menos

consciente es precisamente el disco duro.

EPROM

• Una EPROM (erasable programmable read only memory), es una memoria borrable y

programable, o lo que es lo mismo reprogramable. Esto quiere decir que puede guardarse

información en la memoria, luego borrarla e introducir otra. Esto permite realizar de

manera sencilla modificaciones, ampliaciones y correcciones del contenido de la

memoria.

• Es un tipo de chip de memoria ROM inventado por el ingeniero Dov Frohman que retiene

los datos cuando la fuente de energía se apaga. En otras palabras, es no volátil. Está

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 formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide

Semiconductor) o transistores de puerta flotante. Cada uno de ellos viene de fábrica sin

carga, por lo que es leído como un 1.

• La EPROM dispone, como cualquier memoria de un bus de direcciones y de un bus de

datos. Internamente cada bit se almacena en una matriz de células de memoria. Cuando la

EPROM está activa y en modo de lectura, se produce la decodificación de las direcciones

y el contenido de las células de memoria seleccionadas se entrega a la salida.

Bus de direcciones

El bus de direcciones dispone de tantas líneas como sean necesarias para seleccionar cada una

de las posiciones de memoria. Puesto que el bus de datos normalmente tiene una longitud de

palabra de 8 bits, 1 byte, cada posición de memoria direccionada selecciona 8 células de

memoria a la vez. Por ejemplo, una memoria de 2KB, (2048 bytes o 2048 posiciones de

memoria) dispone de un bus de 11 bits, (2 elevado a 11 son 2048) y una memoria de 32KB,

32768 bytes, tiene 15 líneas de dirección (2 elevado a 15 son 32768).

Bus de datos

El bus de datos, normalmente de 8 bits para presentar palabras de 1 byte, presenta en las

patillas D0 a D7, el contenido de la memoria en el modo de lectura y recibe datos en el modo

de programación. Por esta doble función dispone de salida triestado. En modo de lectura las

patillas de los datos entregan el contenido de la dirección seleccionada o bien, mediante una

señal de control, permanecen en estado de alta impedancia. En modo programación las

patillas de datos actúan como entrada.

Programación

Antes de realizar la programación, la EPROM debe estar completamente borrada, si no es así

solo se podrán pasar los bits que estén a 1 a 0.El borrado de la EPPROM es la única manera

de cambiar los bits de 0 a 1.Una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente, de

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manera que por más pequeña que fuese la eventual modificación a realizar en su contenido,

inevitablemente se deberá borrar y reprogramar en su totalidad, a no ser que sólo sea

necesario pasar 1 a 0, si bien se recomienda en cualquier caso realizar el borrado y la nueva

programación. Una EPROM borrada tiene todas las posiciones con el dato FFh de manera

que es necesario verificar que todos los bytes contienen FFh antes de programar. Si después

de media hora de borrado una EPROM contiene todavía bits puestos a 0, debe desecharse.

Sólo puede escribirse una posición de memoria al mismo tiempo.

Borrado

Para borrar una EPROM es necesario "descargar" las células de memoria mediante una fuerte

irradiación con luz ultravioleta. A este efecto, la EPROM va provista de una ventana de

cuarzo, transparente a los rayos UV. Al incidir éstos se produce una corriente fotoeléctrica

que evacua la carga de todas las células de memoria. Para conseguir un borrado total y que el

tiempo de exposición no sea excesivamente largo, conviene tener en cuenta:

 Longitud de onda de la fuente UV, 253,7 nanómetros.

 Lámpara de ultravioletas con una potencia de 12 mW/cm2.

 Tiempo de borrado de EPROM de 15 a 20 minutos.

 Distancia entre la fuente de UV y la EPROM, de 2 a 3 centímetro

El tiempo de borrado puede aumentarse hasta 30 minutos en caso de que la memoria haya

sufrido varias reprogramaciones. Existen en el mercado aparatos borradores de EPROM

que garantizan estas condiciones y además permiten borrar varias memorias

simultáneamente.

Funcionamiento interno

La EPROM tiene tantas celdas de memoria como bits deban alnmacenarse, así una memoria

de 2KB tiene 16384 celdas de memoria (2048x8bits).La EPROM almacena los bits en celdas

formadas a partir de transistores de tipo FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-

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Oxide Semiconductor) un tipo de MOSFET cuya puerta está rodeada por óxido de silicio y,

en consecuencia, totalmente aislada.La cantidad de carga eléctrica almacenada sobre la puerta

aislada o flotante determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdas cargadas

son leídas como un 0, mientras que las que no lo están son leídas como un 1. Tal como las

EPROMs salen de fábrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit

asociado es un 1; de ahí que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas

sus direcciones.

Cuando un bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, con la ayuda de

una tensión relativamente alta (la tensión de programación Vpp), se crea un campo eléctrico

mediante el cual algunos electrones ganan suficiente energía como para atravesar la capa que

aísla la puerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la puerta flotante,

esta toma una carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.

Uso practico

Una vez grabada una EPROM con la información pertinente, por medio de un "programador"

se instala en el sistema correspondiente donde será utilizada como dispositivo de lectura

solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificación en la

información contenida o bien para ser utilizada en otra aplicación, la EPROM se retira del

sistema, se borra mediante la exposición a luz ultravioleta, se programa con los nuevos datos,

y se vuelve a instalar en el sistema de uso como una memoria de lectura solamente.

Tipos de memoria EPROM

Última dirección
Tipo de EPROM Tamaño — bits Tamaño — bytes Longitud (hex)
(hex)

1702, 1702A 2 Kibit 256 100 000FF

2704 4 Kibit 512 200 001FF

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 2708 8 Kibit 1 KiB 400 003FF

2716, 27C16 16 Kibit 2 KiB 800 007FF

2732, 27C32 32 Kibit 4 KiB 1000 00FFF

2764, 27C64 64 Kibit 8 KiB 2000 01FFF

27128, 27C128 128 Kibit 16 KiB 4000 03FFF

27256, 27C256 256 Kibit 32 KiB 8000 07FFF

27512, 27C512 512 Kibit 64 KiB 10000 0FFFF

27C010, 27C100 1 Mibit 128 KiB 20000 1FFFF

27C020 2 Mibit 256 KiB 40000 3FFFF

27C040 4 Mibit 512 KiB 80000 7FFFF

27C080 8 Mibit 1 MiB 100000 FFFFF

Señales de control de la memoria 2716

CE, (chip enable, activo a nivel bajo)

Esta entrada habilita o activa a la memoria. Sirve para disminuir el consumo de esta al entrar

en "modo de espera" o "standby".

/OE (output enable, activo a nivel bajo)

Esta entrada controla la salida y activa o desactiva los "drivers" de salida de la memoria.

Cuando es 0, el dato está disponible suponiendo que /CE ha estado a 0 y la dirección ha

permanecido estable durante un tiempo pequeño. Cuando es 1 coloca las salidas en estado de

alta impedancia.

Vpp (Tensión de programación)

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 • Esta entrada permite aplicar a las células de memoria una tensión relativamente alta y

que crea el campo eléctrico que permite cargar la puerta flotante de los transistores

FAMOS y así grabar la EPROM.

• Las tensiones de programación varían en función tanto del dispositivo, como del

fabricante, así nos encontramos con tensiones de programación de 12,5V, 13V, 21V y

25V.

• IMPORTANTE: Superar la Vpp requerida por la EPROM en 1,5 o 2 voltios puede

dañarla.

PGM (Programación)

Cuando se aplica un pulso de una duración determinada a esta entrada es cuando se hace

efectiva la grabación de la posición de memoria direccionada. De hecho, en la programación

de la EPROM puede mantenerse aplicada la Vpp o tensión de programación y el pulso en

PGM efectúa la programación.

Consideraciones de diseño con EPROM

Dadas las características de las EPROM es necesario un cuidadoso desacoplamiento de la

corriente de alimentación para evitar la aparición de picos de tensión transitorios. Cuando se

desarrolle el sistema donde se utilice hay que tener en cuenta, los tres segmentos en los que se

puede encontrar la corriente que alimenta la EPROM:

 Nivel de corriente Standby.

 Nivel de corriente activa.

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  Corriente transitoria producida con la bajada y subida de flancos de impulso en /CE.

Conclusiones:

• EEPROMS y EPROMS son dispositivos electrónicos para ser instalado en tableros de

circuito, que puede almacenar información que sólo puede ser leído desde el dispositivo

proporcionando instrucciones de equipo local sin la necesidad de un ordenador completo.

Además, ambos dispositivos pueden ser completamente borrado y reprogramado con

nuevas informaciones muchas veces.

• La mayor diferencia entre EEPROMS y EPROMS es manera de información se borra y se

almacena. Las EPROMS mayores necesitan a retirarse del circuito y reprogramado en un

dispositivo separado o, en el caso de algunos modelos de generación anteriores, expuestas

a la luz UV. EEPROMS puede tener datos selectivamente borrar o reprogramado sin

retirarlas, hacer reprogramación más rápido y más fácil.

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 Referencias
Electronica teoria-practica. Memoria EPROM: multiplexores Recuperado el 11 de enero de

2018, de http://electronica-teoriaypractica.com/memoria-eprom/

Museo 8 bits, Memoria EPROM Recuperado el 11 de enero de 2018, de

http://www.museo8bits.com/wiki/index.php?title=Memoria_EPROM

Wanadoo. Dispositivos digitales. Recuperado el 11 de enero 2018, de

http://perso.wanadoo.es/pictob/eprom.htm

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