Vous êtes sur la page 1sur 140

Elektronische Bauelemente

R. Großmann

A. Frey

0 Grundlagen.........................................................................................................................................................................4
1 Widerstände .......................................................................................................................................................................8
2 Kondensatoren.................................................................................................................................................................24
3 Spulen und Transformatoren ..........................................................................................................................................37
4 Lineare Netzwerke ...........................................................................................................................................................47
5 Halbleiter ..........................................................................................................................................................................54
6 Dioden...............................................................................................................................................................................60
7 Bipolar-Transistoren (BJT) .............................................................................................................................................86
8 Feldeffekt-Transistoren (FET) .......................................................................................................................................107
9 Transistoranwendungen ...............................................................................................................................................122
Elektronische Bauelemente

Inhalt:
2.3.4 Doppelschicht-Kondensatoren ...............33
0 Grundlagen............................................................ 4 2.3.5 Einsatzbereiche ......................................34
0.1 Ideale Netzwerkelemente .................................. 4 2.4 Anwendungen ..................................................35
0.2 Differentialgleichung und Übertragungsfunktion 4 2.5 Simulation ........................................................35
0.3 Näherungen ...................................................... 5 2.6 Kapazität spezieller Anordnungen ...................36
0.4 Bodediagramm .................................................. 6 3 Spulen und Transformatoren .............................37
0.5 Komplexe Spannungsteiler ............................... 7 3.1 Physikalische Grundlagen................................37
1 Widerstände .......................................................... 8 3.1.1 Induktion .................................................37
1.1 Physikalische Grundlagen ................................. 8 3.1.2 Magnetischer Kreis .................................38
1.1.1 Energiezustände ...................................... 8 3.1.3 Scherung ................................................39
1.1.2 Elektronen und Löcher in Halbleitern ....... 9 3.1.4 Transformator .........................................40
1.1.3 Dotierung von Halbleitern ...................... 10 3.2 Frequenzabhängigkeit......................................42
1.2 Elektrischer Strom ........................................... 11 3.2.1 Ersatzschaltbild ......................................42
1.2.1 Teilchenströme ...................................... 11 3.2.2 Güte........................................................42
1.2.2 Driftstrom und elektrischer Widerstand .. 11 3.3 Technologie .....................................................43
1.2.3 Driftstrom im Halbleiter .......................... 12 3.3.1 SMD-Spulen ...........................................43
1.2.4 Thermisches Rauschen ......................... 13 3.3.2 Kerntypen ...............................................43
1.2.5 Stromrauschen ...................................... 14 3.4 Anwendungen ..................................................44
1.3 Herstellungstoleranz: Normreihen ................... 15 3.5 Simulation ........................................................45
1.4 Temperatureinfluss.......................................... 16 3.6 Induktivität spezieller Anordnungen .................46
1.4.1 Widerstandsänderung ............................ 16 4 Lineare Netzwerke ...............................................47
1.4.2 Eigenerwärmung bei Gleichstrom .......... 17 4.1 Problemstellungen ...........................................47
1.4.3 Lastminderungskurve (derating) ............ 18 4.2 Zweitore ...........................................................48
1.4.4 Temperaturänderungen ......................... 18 4.3 Zweitor-Matrizen ..............................................49
1.5 Frequenzeinfluss ............................................. 19 4.4 Umrechnung von Zweitormatrizen ...................50
1.5.1 Parasitäre Elemente .............................. 19 4.5 Passive Zweitore ..............................................51
1.5.2 Skineffekt ............................................... 20 4.6 Kettenschaltung ...............................................52
1.6 Gesamttoleranz ............................................... 21 4.7 Simulation ........................................................53
1.7 Technologie ..................................................... 21 5 Halbleiter ..............................................................54
1.7.1 Schichtwiderstände ................................ 21 5.1 Generation und Rekombination .......................54
1.7.2 Massewiderstände ................................. 22 5.2 Fermi-Verteilung ..............................................55
1.7.3 Drahtwiderstände................................... 22 5.3 Ladungsträgerdichten ......................................56
1.7.4 Kenngrößen ........................................... 23 5.4 Diffusionsstrom ................................................58
1.7.5 Bauformen ............................................. 23 6 Dioden ..................................................................60
2 Kondensatoren.................................................... 24 6.1 Abrupter pn-Übergang .....................................60
2.1 Physikalische Grundlagen ............................... 24 6.1.1 Thermodynamisches Gleichgewicht .......60
2.1.1 Elektrische Polarisation ......................... 24 6.1.2 Spannung in Sperrrichtung .....................62
2.1.2 Strom im Kondensator ........................... 25 6.1.3 Spannung in Flussrichtung .....................63
2.2 Frequenzeinfluss ............................................. 26 6.2 Großsignal-Beschreibung ................................65
2.2.1 Parasitäre Elemente .............................. 26 6.2.1 Statische Diodenkennlinie ......................65
2.2.2 Güte ....................................................... 27 6.2.2 Arbeitspunkt ...........................................66
2.2.3 Impulsbelastbarkeit ................................ 28 6.2.3 Lineare Näherung (Knickkennlinie).........67
2.2.4 Nachlade-Effekt ..................................... 28 6.2.4 Durchbruchmechanismen.......................68
2.3 Technologie ..................................................... 29 6.2.4.1 Thermischer Durchbruch ..... 68
2.3.1 Keramische Kondensatoren................... 29 6.2.4.2 Zener-Effekt ......................... 68
2.3.2 Folienkondensatoren ............................. 30 6.2.4.3 Lawinen-Durchbruch ........... 69
2.3.3 Elektrolytkondensatoren (Elko) .............. 31

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 2


Elektronische Bauelemente

6.2.4.4 Durchbruch-Kennlinie .......... 69 7.12 Nichtlinearität .................................................104


6.3 Kleinsignal-Verhalten ...................................... 70 7.13 Rauschen .......................................................105
6.3.1 Sperrschichtkapazität ............................ 70 7.14 Simulationsmodell ..........................................106
6.3.2 Diffusionskapazität................................. 71 8 Feldeffekt-Transistoren (FET)...........................107
6.3.3 Kleinsignal-Ersatzschaltbild ................... 72 8.1 MOS-FET .......................................................107
6.4 Kennzeichnung von Dioden ............................ 73 8.1.1 Inversionskanal.....................................107
6.5 Temperaturverhalten ....................................... 74 8.1.2 Kanalstrom ...........................................108
6.5.1 Temperaturabhängigkeit der Kennlinie .. 74 8.1.3 Substratsteuerung ................................110
6.5.2 Erwärmung bei konstanter Leistung ...... 74 8.1.4 Abweichungen von idealer Kennlinie ....111
6.5.3 Erwärmung bei gepulster Leistung ........ 75 8.1.5 Verarmung und Anreicherung ..............112
6.6 Schaltbetrieb ................................................... 76 8.2 Sperrschicht-FET ...........................................113
6.7 Spezielle Dioden ............................................. 77 8.3 Arbeitspunkteinstellung ..................................115
6.7.1 LED ........................................................ 77 8.4 Temperatureinfluss ........................................116
6.7.2 Fotodiode ............................................... 78 8.4.1 Kennlinie...............................................116
6.7.3 Schottky-Diode ...................................... 79 8.4.2 Wärmeableitung ...................................116
6.8 Anwendungen ................................................. 80 8.5 Kleinsignalmodell ...........................................117
6.8.1 Gleichrichter........................................... 80 8.6 Nichtlinearität .................................................119
6.8.2 Begrenzung von Spannungsspitzen ...... 81 8.7 Rauschen .......................................................120
6.8.3 Begrenzung einer Eingangsspannung ... 81 8.8 Simulation ......................................................121
6.8.4 Spannungsstabilisierung ........................ 81 8.8.1 MOSFET ..............................................121
6.8.5 Abstimmung von Schwingkreisen .......... 82 8.8.2 JFET .....................................................121
6.9 Simulationsmodell der Diode ........................... 83 9 Transistoranwendungen ...................................122
6.10 Nichtlinearität................................................... 84 9.1 Leistungsverstärker........................................122
6.11 Rauschen ........................................................ 85 9.1.1 Emitterschaltung mit RE (BJT) ..............122
7 Bipolar-Transistoren (BJT) ................................ 86 9.1.2 Emitterschaltung ohne RE (BJT) ...........124
7.1 Verstärkerbetrieb ............................................. 86 9.1.3 Frequenzabhängigkeit ..........................126
7.2 Sättigungsbetrieb ............................................ 89 9.1.4 Source-Schaltung (FET) .......................128
7.3 Inversbetrieb ................................................... 89 9.2 Stromverstärker .............................................129
7.4 Kennlinien ....................................................... 90 9.2.1 Kollektorschaltung (BJT) ......................129
7.4.1 Eingangskennlinie.................................. 90 9.2.2 Drain-Schaltung (FET)..........................130
7.4.2 Ausgangskennlinienfeld ......................... 91 9.3 Basisschaltung (BJT) .....................................131
7.5 Kennzeichnung von BJT ................................. 92 9.4 Vergleich der Grundschaltungen ....................131
7.6 Arbeitspunkteinstellung ................................... 93 9.5 BJT-Schalter ..................................................132
7.6.1 Ausgangskreis ....................................... 93 9.5.1 Arbeitsbereiche.....................................132
7.6.2 Basis-Spannungsteiler ........................... 95 9.5.2 Schaltzeiten ..........................................133
7.6.3 Basis-Vorwiderstand .............................. 96 9.5.3 Verlustleistung ......................................134
7.7 Großsignalmodell ............................................ 97 9.5.4 Schalterarten ........................................135
7.8 Kleinsignalmodell ............................................ 98 9.6 FET-Schalter ..................................................136
7.8.1 ESB für niedrige Frequenzen................. 98 9.6.1 Schaltverhalten .....................................136
7.8.2 ESB für höhere Frequenzen .................. 99 9.6.2 CMOS-Inverter .....................................136
7.9 PNP-Transistor .............................................. 101 9.7 Zweitor-Matrizen ............................................137
7.10 Grenzfrequenzen........................................... 102 9.7.1 Transistor-Parameter............................137
7.11 Temperaturverhalten ..................................... 103 9.7.2 Kombination von Zweitoren ..................138
7.11.1 Kennlinien ............................................ 103 9.8 Vergleich BJT mit FET ...................................140
7.11.2 Leistung ............................................... 104

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 3


Elektronische Bauelemente

0 Grundlagen
0.1 Ideale Netzwerkelemente

Widerstand Kondensator Induktivität (Spule)


u(t) u(t) u(t)
Element
i(t) i(t) i(t)

û û û
Sinus- î
t t t
Wechsel-
größen î î

1/
/ ̂
Impedanz
R

⋅ ⋅ ⋅

⋅ ⋅
Ohmsches
Gesetz

0.2 Differentialgleichung und Übertragungsfunktion


Jedes System kann durch Differentialgleichungen beschrieben werden:

Masche:

⋅ ⋅ ⋅
R ia = 0
ue
i ua
C → ⋅

(+ Anfangsbedingung 0 gegeben)

⋅ ⋅
!"#$ %&
%"
Für komplexe Schwingungen vereinfacht sich :

⋅ ⋅

,
'( *
') *# ! +
Übertragungsfunktion:

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 4


Elektronische Bauelemente

0.3 Näherungen

Vernachlässigen: „Groß” ± „Klein“ ≈ „Groß“


1 - 0,0001 ≈ 1

Achtung: Subtrahiert man zwei fast gleich große Zahlen, bleibt nur ein
kleiner Rest, der nicht vorher vernachlässigt werden darf.

(1 – 0,0001) – 1 = -0,0001 genau


(1 – 0,0001) – 1 ≈ 1 – 1 = 0 richtig aber zu ungenau

Beispiele für kleine x:

1 - . 1 , . 2 , . , - 0 -4 -5 . -0
0 2 2
*102 0#2 0

Beispiele für große x:

1 - . - , . 0 , . 1 , - 0 -4 -5 . -5
0 2
*102 0#2

Anwendung: Übertragungsfunktion RC-Glied

1 1 ∶ ≪1
, . 6
1 1/ ∶ ≫1

1 dann ist , ⋅ („Grenzfrequenz“)


* * 1 ;<°
*# √0
wenn

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 5


Elektronische Bauelemente

0.4 Bodediagramm

der Betrag wird meist in dB angegeben (10 ⋅ lg|,|² 20 ⋅ lg|,|):


Betrag und Phase der Übertragungsfunktion in Abhängigkeit von der Frequenz;

Beispiel für

,
0 dB *
*# ! +
1

Daraus lässt sich für


-20 dB eine Sinusschwingung
0,1
am Eingang ablesen,
welche Amplitude und
Phasenverschiebung
0,01 -40 dB am Ausgang auftritt.
0,01 0,1 1 10 ω RC 100

-45

-90
0,01 0,1 1 10 ω RC 100

Beispiel: R = 2 kΩ, C = 1 µF, f = 160 Hz → ω⋅RC = → |H| = , B(H) =

t/ms
0
1 2 3 4 5 10
6,25

-1

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 6


Elektronische Bauelemente

0.5 Komplexe Spannungsteiler

RC-Hochpass RC-Tiefpass
|H| |H|

1 1

0,1 0,1
1
, ,
1 1
0,01 0,01

1 1
0,1 1 f/fg 10 0,1 1 f/fg 10
CD CD
90 90
2E 2E

0 0

-90 -90

Serien- Serien-
|H| |H|
schwingkreis schwingkreis
Hochpass Tiefpass
1 1

0,1 0,1

F ² 1
0,01 0,01
f/fg 10 ,
, 1F ²
f/fg 10
1F ²
0,1 1 0,1 1
0 0

1 1
CD CD
2E√ 2E√
-90 -90

-180 -180

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 7


Elektronische Bauelemente

1 Widerstände
1.1 Physikalische Grundlagen
1.1.1 Energiezustände
Leitungsbänder: ermöglichen freie
W
Bewegung der Elektronen im Kristall
(müssen nicht besetzt sein)

Valenzband: höchstes, für T→0


vollständig besetztes Band (kann auch
Leitungsband sein)

Si Si Si x Wechsel zwischen Bändern durch


Stöße oder Fotonen
W
Leitungs- Nichtleiter:

Bandlücke Wg ≫ 1 eV sehr groß


band

Wg
auch für großes T (fast) keine freien
Valenz- Ladungsträger
band
x

W
Halbleiter:
Leitungs-
band - Bandlücke Wg kann durch Energiezufuhr
Wg überwunden werden
+ Valenz-
band für steigendes T mehr freie Ladungsträger
x

W Leiter:
Leitungs- Valenzband und Leitungsband überlappen sich
band Valenz-
band
x
auch bei T→0 freie Ladungsträger

Materialdaten:
Si Ge GaAs InSb GaP
Wg [eV] 1,1 0,67 1,4 0,18 2,3

1eV = 1,6⋅10-19 J: Energie der Ladung e, die mit 1 V beschleunigt wird


Fotonenenergie: Rot ≈ 1,8 eV; Grün ≈ 2,4 eV; Violett ≈ 3 eV

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 8


Elektronische Bauelemente

1.1.2 Elektronen und Löcher in Halbleitern


Leitungsband Leitungsband

+
+ +
Valenzband Valenzband

neu erzeugtes Leitungselektron Spannung: nicht nur Leitungselektron


hinterlässt Fehlstelle (e+) im bewegt sich, auch Valenzelektronen
Valenzband rücken jeweils zum Nachbarn →
Loch (e+) wandert zum Minuspol

in undotierten Halbleitern gibt es genauso viele Löcher wie Elektronen:

GH IH GJ ni: Eigenleitungs-Trägerdichte
n0: Elektronendichte
p0: Löcherdichte

Materialdaten: Eigenleitungs-Trägerdichte, Atomdichte

8 !
Halbleiter Si Ge GaAs InSb GaP
ni (T = 300 K) [cm-3] 1,5⋅1010 2,5⋅1013 1,8⋅106 1016
Atomdichte [cm-3] 5,0⋅1022 4,4⋅1022 2,2⋅1022 1,5⋅1022 2,5⋅1022

ni steigt mit der Temperatur (mehr thermische Energie → mehr e-/e+-Paare)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 9


Elektronische Bauelemente

1.1.3 Dotierung von Halbleitern


Donatoren (n-Dotierungsdichte ND): 5 Valenzelektronen; z.B. Arsen (As)
Störendes e- wird leicht zum Leitungselektron. Atomrumpf ist einfach positiv
geladen (kein Loch! Wird nicht von Nachbar-Valenzelektronen ausgeglichen)

Si Si Si Si Si Si

e-

Si As Si Si As+ Si

bei Raumtemperatur fast alle Dotieratome ionisiert → GH . LM


(unabhängig von T)

GH ⋅ IH GJ0 gilt auch in dotierten Halbleitern → IH . GJ0 /LM

Akteptoren (p-Dotierungsdichte NA): 3 Valenzelektronen; z.B. Bor (B)


Ein e- fehlt im Gitter und wird aus der Umgebung „geraubt“ – dort entsteht ein
Loch e+. Der Atomrumpf wird einfach negativ. Das ist kein Leitungselektron!

Si Si Si Si Si Si

e+

Si B Si Si B- Si

p0 ≈ NA (unabhängig von T) GH . GJ0 /LN

Dotierungsdichten [in cm-3]: 1013 (schwach) … 1016 (mittel) … 1019 (stark)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 10


Elektronische Bauelemente

1.2 Elektrischer Strom


1.2.1 Teilchenströme
Jedes bewegte elektrisch geladene Teilchen erzeugt einen Strom. Man definiert
die Stromdichte j [A/m²] als bewegte Ladungsdichte:

O⋅P F ⋅ G ⋅ PQ ⋅ I ⋅ PR ; ϱ: Ladungsdichte [As/m³]


n: Elektronendichte [1/m³]
p: Löcherdichte [1/m³]

Strom stellt einen geschlossenen


Kreis dar. Bewegt sich ein Elektron in
einem Leiter (Kristall) mit Querschnitt
A, dann erzeugen sich ändernde In
elektrische Felder an jeder Stelle des
+
Leiters denselben Strom I = j⋅A.
Ip

1.2.2 Driftstrom und elektrischer Widerstand


Spannung U an einem (Halb-)Leiter mit Länge d und Querschnitt A →

Stöße bremsen → konstante mittlere Geschwindigkeit P ~ V


elektrisches Feld E = U/d beschleunigt Elektronen, aber

P%WJX" FYQ ⋅ V µn: Beweglichkeit der Elektronen

In Kupfer ist µn = 44 cm²/Vs. Für „übliche“ Spannungen ergibt sich für vdrift die
Größenordnung von einigen mm/s.

Aus vdrift ergibt sich die Driftstromdichte

⋅ G ⋅ YQ ⋅ V ; σ: spez. Leitfähigkeit
Z[\[]
ϱ: spez. Widerstand
%WJX"
^_*/`

⋅b ⋅ ⋅ b .
* '
und daraus der Strom %WJX" ` %

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 11


Elektronische Bauelemente

1
O⋅ ⋅
Der Widerstand des Metalls ist U/I und damit b ⋅ G ⋅ YQ b

ϱ [Ω mm²/m] Werkstoff ϱ [Ω mm²/m]


Materialdaten:
Werkstoff
Aluminium 0,027 Konstantan 0,500
Eisen 0,089 Kupfer 0,016
Gold 0,020 Zinn (Lötzinn) 0,104
Grafit (Kohle) 8,000

1.2.3 Driftstrom im Halbleiter


Im Feld driften Elektronen und Löcher.

Daraus ergibt sich die Driftstromdichte MWJX" ⋅ G ⋅ YQ ⋅ V ⋅ I ⋅ YR ⋅ V

c≔ ⋅ eG ⋅ μQ I ⋅ μR g : c⋅V
*
mit
` MWJX"

1 1
⋅ ⋅
G ⋅ μQ I ⋅ μR b c b
Elektrischer Widerstand eines Quaders
mit Querschnitt A und Länge d:

µ: Beweglichkeit der Ladungsträger


Si Ge GaAs InSb GaP
µn [cm²/Vs] 1350 3900 8500 80000 300
µp [cm²/Vs] 480 1900 450 1250 150

Ladungsträger in Halbleitern v [cm/s] T = 300 K


sind beweglicher
→ schneller als in Metallen GaAs (e-)
7
10
vmax ≈ 107 cm/s ab E ≈ 104 V/cm
für beliebige Ladungsträger!

So starke Felder treten aber 6


10
nur an pn-Übergängen auf. Ge (e-)
Si (e+)
Ge (e+)
5 Si (e-) E
10
2 3 4 [V/cm]
10 10 10
Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 12
Elektronische Bauelemente

1.2.4 Thermisches Rauschen


Freie Elektronen haben in jeder Raumrichtung im Mittel die thermische Energie

j 0 1
h"i
P"i kl
2 2
; k = 1,38⋅10-23 J/K: Boltzmann-Konstante
Infolgedessen bewegen sie sich mit der mittleren Geschwindigkeit

P"i mkl/j ≈ 107 cm/s


me = 0,2 … 1,1 ⋅ m0 ; m0 = 9,1⋅10-31 kg
; me: Elektronenmasse im Kristall

Elektronen erleiden ständig Stöße an Kristallfehlern und unter-


einander. Dabei tauschen sie Energie und Impuls aus, so dass
eine statistische Verteilung von Geschwindigkeiten vorliegt.
Ohne äußere Einflüsse ist der Mittelwert gleich Null.

Mit der Bewegung verbunden ist Strom, der im Mittel ebenfalls


Null ergibt, aber zeitlich statistische Schwankungen zeigt: Rausch-Wechselstrom.

Der Effektivwert dieses Rauschstroms ist

1
n4kl ⋅ ⋅ ΔC
R: Widerstandswert
"i
XX
∆f: Bandbreite der Schaltung;

m4kl ⋅
begrenzt z.B. durch
"i
XX ⋅ "i QqJr
XX ⋅ ΔC Tiefpassfilter (RC-Glied)

Das thermische Rauschen ist unabhängig vom (Drift-)Strom, der durch den
Widerstand fließt.

Zerlegt man die gesamte Rauschleistung in einzelne Frequenzen (Fourier-


Analyse), dann sind die Amplituden bei allen Frequenzen etwa gleich groß.
Jede Schaltung hat aber nur eine begrenzte Bandbreite (unerwünschte RC-
Glieder):
Filterwirkung
der Schaltung Fourier{Pnoise}
R C
f

ΔC CD
∆f = fg *
0s +

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 13


Elektronische Bauelemente

1.2.5 Stromrauschen
Der Widerstandswert R(t) = R0 + ∆Rstat(t) ist nicht konstant, sondern schwankt
zufällige. Die Größe der Schwankungen hängt von der Herstellungstechnologie
und Qualität ab.

Die Widerstandsschwankungen führen zu Rauschströmen i1/f und Rausch-


spannungen u1/f nur dann, wenn durch den Widerstand ein Strom I fließt bzw. die
Spannung U = R⋅I anliegt (→ Stromrauschen):

Δ r" "
*/X Δ r" "
⋅ ⋅
&t/u
Datenblatt-Angabe meist

Δ r" " '



*/X
als in µV/V
*/X ⋅ (statt ∆R/R)

Zerlegt man das Stromrauschen in einzelne Frequenzen (Fourier-Transformation),


dann nehmen die Amplituden mit steigender Frequenz ab. Das Stromrauschen
von Widerständen gehört damit zur Familie des 1/f-Rauschens.
Spektrum von unoise oder inoise

Ab ca. 20 kHz ist Strom-


Stromrauschen thermisches Rauschen rauschen vernachlässigbar
(1/f-Rauschen) überwiegt und wird vom thermischen
überwiegt
Rauschen überdeckt.

Es ist vor allem bei Audio-


Anwendungen störend.
f

20 kHz

Die Leistungen des thermischen Rauschens und des Stromrauschens addieren


sich. Wegen P ~ U² und P ~ I² gilt
Ersatzschaltbild:

v */X ;
D r
ges
0 0 unoise
QqJr "iwxyz)

v */X
rauschender
D r 0 0
QqJr "i_QqJr
Widerstand R
rausch-
frei

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 14


Elektronische Bauelemente

1.3 Herstellungstoleranz: Normreihen


Die Industrie fertigt Bauelemente in abgestuften Nennwerten. DIN 41426
und DIN IEC62 definieren Normreihen, bei denen das Verhältnis zweier
benachbarter Nennwerte stets gleich ist. Reale Bauelemente haben nicht
den exakten Nennwert, sondern liegen in einem Toleranzband.

Eine Normreihe E{k} liefert für jede Zehnerpotenz k verschiedene Werte, die sich
nach der Formel

| e √10g
} J k ∈ {3, 6, 12, 24, 48, 96, 192}
i = 0, 1, … k-1
√*H 1 *
}
berechnen und ungefähr die Toleranz •€• . ‚
0
besitzen (so kommt es zu
fast keinen Überschneidungen). Die genauen Werte sind
E6 E12 E24 E48 E96 E6 E12 E24 E48 E96 E6 E12 E24 E48 E96
(±20 %) (±10 %) (±5 %) (±2 %) (±1%) (±20 %) (±10 %) (±5 %) (±2 %) (±1%) (±20 %) (±10 %) (±5 %) (±2 %) (±1%)
1,0 1,0 1,0 1,00 1,00 2,2 2,2 2,2 2,15 2,15 4,7 4,7 4,7 4,64 4,64
1,02 2,21 4,75
1,05 1,05 2,26 2,26 4,87 4,87
1,07 2,32 4,99
1,1 1,10 1,10 2,4 2,37 2,37 5,1 5,11 5,11
1,13 2,43 5,23
1,15 1,15 2,49 2,49 5,36 5,36
1,18 2,55 5,49
1,2 1,2 1,21 1,21 2,61 2,61 5,6 5,6 5,62 5,62
1,24 2,67 5,76
1,27 1,27 2,7 2,7 2,74 2,74 5,90 5,90
1,30 2,80 6,04
1,3 1,33 1,33 2,87 2,87 6,2 6,19 6,19
1,37 2,94 6,34
1,40 1,40 3,0 3,01 3,01 6,49 6,49
1,43 3,09 6,65
1,5 1,5 1,5 1,47 1,47 3,16 3,16 6,8 6,8 6,8 6,81 6,81
1,50 3,24 6,98
1,54 1,54 3,3 3,3 3,3 3,32 3,32 7,15 7,15
1,58 3,40 7,32
1,6 1,62 1,62 3,48 3,48 7,5 7,50 7,50
1,65 3,57 7,68
1,69 1,69 3,6 3,65 3,65 7,87 7,87
1,74 3,74 8,06
1,8 1,8 1,78 1,78 3,9 3,9 3,83 3,83 8,2 8,2 8,25 8,25
1,82 3,92 8,45
1,87 1,87 4,02 4,02 8,66 8,66
1,91 4,12 8,87
2,0 1,96 1,96 4,3 4,22 4,22 9,1 9,09 9,09
2,00 4,32 9,31
2,05 2,05 4,42 4,42 9,53 9,53
2,10 4,53 9,76

Bei den Reihen E6 bis E24 werden die Werte durch 3 Farbringe oder Zahlen
angegeben. Die beiden ersten stehen für gültige Ziffern, die letzte Zahl für eine
Zehnerpotenz (z.B. „102“ = 10⋅102 = 1 kΩ).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 15


Elektronische Bauelemente

1.4 Temperatureinfluss
1.4.1 Widerstandsänderung

* %
⋅Q⋅ƒw # ⋅R⋅ƒ„ N
hängt wesentlich davon ab, wie groß die Dichten n und p der
freien Ladungsträger und deren Beweglichkeiten sind.

µ sinkt mit steigender Temperatur (mehr Stöße, weniger Beweglichkeit).

Bei Metallen ändert sich die Elektronendichte mit der Temperatur kaum, bei
Halbleitern steigt sie exponentiell an (s. Kap. Dioden).

Bei Metallen steigt deshalb der Widerstand mit der Temperatur an, bei undotierten
Halbleitern wird er i.A. kleiner.

Innerhalb begrenzter Temperaturbereiche ϑ0 ± ∆T kann man die Änderung


linear nähern und einen Temperaturkoeffizienten α definieren (auch TCR =
temperature coefficient of resistance):
Δ /
l † → ‡ H e1 † ⋅ ‡ F ‡H g
Δl
Bei industriell gefertigten Widerständen gilt der Nennwiderstand R0 meist bei
ϑ0 25 °C. Da α klein ist, wird es oft in ppm/K angegeben (= 10-6 /K).

Materialdaten:

Werkstoff α [ppm/K]
Aluminium 4300
Eisen 6500
Gold 4000
Grafit (Kohle) -200 Grafit hat Halbleitereigenschaften!
Konstantan 10
Kupfer 4300
Silizium -75 000
Zinn (Lötzinn) 4600

Die Geometrieänderung (∆d, ∆A) muss ebenfalls berücksichtigt werden! Sie liegt
aber meist im Bereich weniger ppm/K und ist zu vernachlässigen.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 16


Elektronische Bauelemente

⋅ ²/ ² ⋅ umgesetzt.
1.4.2 Eigenerwärmung bei Gleichstrom
Im Widerstand wird die elektrische Leistung ˆ ‰
Dabei führen Stöße der Elektronen mit dem Kristallgitter zur Erwärmung auf die
Temperatur T = Tamb + ∆T (ambient = Umgebung).

∆T ergibt sich aus dem thermischen Widerstand Δl/ˆ ‰ "i [K/W] (Angabe im
Datenblatt), auch Wärmeübergangswiderstand:

Δl "i ⋅ˆ‰

Der Widerstand gibt Pel als Wärmeleistung Pamb Pel = U I


an die Umgebung ab, wenn ∆T konstant ist muss
Pel = Pamb gelten.
Pamb = Pel
In Datenblättern ist die maximal erlaubte Temperatur Tmax spezifiziert.

Analogie: Wärmeleitung funktioniert wie Stromfluss in elektrischen Schaltungen

Wärmeausbreitung elektrische Analogie


Leistung → Strom
Temperatur → Spannung
Tamb → Masse
Wärmequelle
→ Stromquelle
(Verlustleistung)
Wärmeübergang → Widerstand

Pel

Rth

Tamb

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 17


Elektronische Bauelemente

1.4.3 Lastminderungskurve (derating)


In Datenblättern ist die maximale Verlustleistung (Nennleistung) Pmax bzw. Pnenn
spezifiziert. Häufig geht man von Tamb = Tnenn = 70 °C aus.

Die Nennleistung erwärmt das Bauelement auf die maximale Temperatur Tmax:

lŠ 2 lQ QQ "i ⋅ ˆQ QQ

Bei Umgebungstemperaturen
Tamb > 70 °C muss die maximale Pmax
Pnenn
Leistung Pmax reduziert werden,
damit Tmax nie überschritten wird →
Lastminderungskurve: Tamb
Tnenn Tmax

1.4.4 Temperaturänderungen
Elektrische Leistung ist oft gepulst. Die Bauteil-Temperatur folgt verzögert. Die
Temperaturänderung hängt von der Wärmeausbreitungs-Zeitkonstanten τ ab:
Tper
P

P t

• ≪ lR W
t

• ≫ lR
T

W
t

Für große τ kann man l lQ QQ "i ⋅ ˆ ‹ lŠ 2 fordern (ˆ ‹ ˆQ QQ ),

für kleine τ gilt lŒ lQ QQ "i ⋅ Œ̂ ‹ lŠ 2 (Œ̂ ‹ ˆQ QQ ).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 18


Elektronische Bauelemente

1.5 Frequenzeinfluss
1.5.1 Parasitäre Elemente
Zuleitungen und stromführende Widerstandsschichten besitzen eine Induktivität,
zwischen verschiedenen Bestandteilen des Widerstands entsteht eine kapazitive
Kopplung. Einen realen Widerstand kann man deshalb mit einem Ersatzschaltbild
(ESB) aus idealen Elementen annähern:

C Der komplexe Widerstand ist

1

1 ⋅
R L
Für große Widerstände kann L/R vernachlässigt werden, es wirkt vor allem die
kapazitive Kopplung. Bei kleinen Widerständen wirkt die Induktivität wesentlich
stärker und RC kann vernachlässigt werden:

. . ⋅ 1 /
1
R groß: R klein:

Impedanzverlauf von SMD-Widerständen;


C ≈ 10… 40 fF, L ≈ fH … nH

Quelle:
Vishay

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 19


Elektronische Bauelemente

1.5.2 Skineffekt
Wechselstrom bewirkt im Inneren von Leitern durch Induktion einen entgegen
gerichteten Strom → Stromdichte nimmt nach innen ab, Wechselstrom fließt vor
allem nahe der Oberfläche.

Die mittlere Eindringtiefe ist Schicht- D


leiter
2O
• n
Y

O: spez. Widerstand [•j],


μ μH ⋅ μW
Draht D

μH 4E ⋅ 101• ‘’/bj
(magnetische Permeabilität)

μW . 1 (Metalle außer Fe, Ni, Cr)


j

Dadurch reduziert sich der


effektiv genutzte Querschnitt und
der Widerstand steigt. x
Die untere Grenzfrequenz für den
Skineffekt ergibt sich aus
Abmessung D ≥ 2δ zu

4O
Cr•JQ
EY“0
fskin 50 Hz 1 kHz 1 MHz 1 GHz
D (Kupfer) 19 mm 4,2 mm 130 µm 4 µm

Runder Draht zeigt schon bei niedrigen Frequenzen Skineffekt,


dünne Schichten (≤ 4 µm) erst im GHz-Bereich.

Näherungsweise gilt folgende Tabelle für den Widerstand R(f):

C C C C
”1 1” ”4 4” ” 25 25 ”
Cr•JQ Cr•JQ Cr•JQ Cr•JQ
Frequenz

C C 1 1 C 1 C
1 0,02 ⋅ – —² ⋅n ⋅n
0 Cr•JQ 4 2 Cr•JQ 2 Cr•JQ
1

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 20


Elektronische Bauelemente

1.6 Gesamttoleranz
Der relative Fehler δ = ∆R/R setzt sich aus den einzelnen relativen Fehlern
zusammen. Die gesamte Ungenauigkeit des Widerstands besteht aus

•D r •€• •˜ •XW™

Fertigungs- Temperatur- Frequenzfehler


toleranz fehler (Skineffekt, parasitär)

Die genauen Werte mit Vorzeichen sind meist nicht bekannt.

Der maximale Fehler ergibt sich zu •DŠ r 2 |•€• | |•˜ | |•XW™ | ,

ist aber sehr unwahrscheinlich.

Der mittlere Fehler ist •D r v•€•


0
• 0̃ •XW™
0

1.7 Technologie
1.7.1 Schichtwiderstände
Schichtwiderstände bestehen aus einer Widerstandsschicht auf einem
keramischen Träger. Kohleschichten oder Metallschichten werden im
Dünnschichtverfahren hergestellt (Dicke 10 nm … 40 µm), Metallglasuren
(CERMET = ceramic metal) als Dickschicht (20 … 30 µm).

Abgleich auf den passenden Wert erfolgt meist durch Lasertrimmen, also
Wegbrennen einzelner Formen (dadurch hohe Genauigkeit).

Schichtwiderstände lassen sich gut miniaturisieren und sind für Hochfrequenz


geeignet; sie sind am weitesten verbreitet.

Schutzlack
Widerstandsschicht
(Dünnschicht)
Kontaktierung

Keramikträger

Quelle: Vishay
Mäander-Trimmung

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 21


Elektronische Bauelemente

1.7.2 Massewiderstände
Sie bestehen aus einem massiven Verbundwerkstoff (carbon composition).
Dadurch sind sie stark belastbar. Da sie nicht getrimmt werden, haben sie eine
hohe Fertigungstoleranz (10 % oder 20 %)

Quelle: Vishay

Massewiderstände sind meist bedrahtet (kein SMD). Sie sind teurer in der
Herstellung als Schichtwiderstände.

1.7.3 Drahtwiderstände
Auf eine Keramikröhre wird Widerstandsdraht gewickelt, bis der gewünschte Wert
erreicht ist. Drahtwiderstände vertragen Oberflächentemperaturen bis 450 °C .
Durch die Wicklung haben sie große parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten
und sind nicht für hohe Frequenzen geeignet. Sie werden meist in der
Energietechnik verwendet.

Anschlussdraht
Schutzlack

Quelle: Vishay
Widerstandsdraht
auf Keramikträger

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 22


Elektronische Bauelemente

1.7.4 Kenngrößen

Quelle: Vishay

1.7.5 Bauformen
axial bedrahtet (leaded):

Gehäusebezeichnung DDLL
DD: Durchmesser in mm
LL: Länge in mm

SMD chip:

Gehäusebezeichnung LLBB
LL: Länge in 1/100 inch (0,254 mm)
BB: Breite in 1/100 inch

Höhe immer 0,51 mm (= 0,02 inch)

momentan kleinste Bauform: 01005

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 23


Elektronische Bauelemente

2 Kondensatoren
2.1 Physikalische Grundlagen
2.1.1 Elektrische Polarisation
Der Kondensator besteht aus zwei Metallflächen A in geringem Abstand d,
zwischen denen ein isolierender Bereich liegt, das Dielektrikum. Legt man eine
Spannung U an, entsteht zwischen den Flächen ein elektrisches Feld E = U/d,
und es werden Ladungen Q = ε⋅E⋅A gespeichert (+Q auf der einen Fläche, -Q auf
der anderen).

Man definiert die Kapazität als


š b
›⋅

Die Kapazität ist hoch, wenn viel Ladung mit wenig Aufwand (Spannung)
gespeichert werden kann.

In Materie können durch das Feld elektrische Dipole entstehen oder vorhandene,
aber zufällig gerichtete Dipole sich parallel ausrichten (Polarisation). Durch diese

gehalten werden. Es erhöht sich praktisch die Dielektrizitätskonstante ε = ε0⋅εr


Dipole kann die gleiche Ladungsmenge mit weniger Spannung als im Vakuum

(ε0 = 8,85 pF/m; Vakuum: εr = 1, Materie: εr ≤ 15 000).

Das Umorientieren der Dipole kostet mechanische Arbeit, ist also mit Verlusten
verbunden.

Bei zu hoher Spannung kommt es zu einem Durchschlag (Funkenentladung). Die


Durchschlagspannung hängt vom Dielektrikum und dem Abstand d ab.

Material: Luft Kunststoff Platine Wasser


εr 1 2,5 3,6 82

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 24


Elektronische Bauelemente

2.1.2 Strom im Kondensator ++ -


-
Ÿ
-
-+ • ž⋅
Ÿ¡
⋅¢ -
Verändert man die Spannung am + -
Kondensator, dann ändert sich die - - - - -
-
- +++ -
š/
Ladung auf den Platten. Damit ist
+ - -
ein Strom durch die
Ÿ£
-

Zuleitungen verbunden.
Ÿ¡
-
I ist ein geschlossener Kreis, aber - -
durch das Dielektrikum fließen
- - - - - -
keine Ladungen. Hier wird der
Strom durch die Änderung des + -
elektrischen Felds fortgesetzt.

Zwischen Feld und Plattenladung besteht der Zusammenhang


b
š ⋅ ›⋅ ⋅ ›⋅b⋅V

š ›⋅V⋅b V
›⋅b⋅

Hier wurde ›/ 0 angenommen; tatsächlich hängt › auch von U und von


der Frequenz ab.

Der Strom zwischen den Kondensatorplatten, der nur auf Feldänderungen basiert,
heißt Verschiebungsstrom, im Gegensatz zum Teilchenstrom durch die
Zuleitungen.

Das Dielektrikum ist zwar ein Nichtleiter, besitzt aber immer eine geringe Leit-
fähigkeit. Deshalb bewegen sich einige Elektronen durch das Dielektrikum und
bewirken einen kleinen Teilchenstrom parallel zum Verschiebungsstrom.

Aus š ⋅ ⋅
%œ %'
%" %"
folgt auch der bekannte Zusammenhang .

Datenblätter geben meistens die maximalen Werte für Strom (Inenn, Irated) und
Spannung (Unenn, Urated)an

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 25


Elektronische Bauelemente

2.2 Frequenzeinfluss
2.2.1 Parasitäre Elemente
Der reale Kondensator besitzt im Kern eine ideale Kapazität. Die geringe
Leitfähigkeit des Dielektrikums beschreibt man durch einen parallelen
Isolationswiderstand Ris (MΩ …GΩ). Ris wird nur für die Selbstentladung des
Kondensators über Stunden, Tage oder Wochen berücksichtigt.

Beim Umpolarisieren des Dielektrikums bei Wechselspannung entstehen


Verluste, die man mit einem ohmschen Widerstand beschreiben kann, der vom
Verschiebungsstrom durchflossen wird. Der Widerstand wird mit ESR (effective
serial resistance) bezeichnet und hängt von der Frequenz ab.
Ris
Zuleitungen und die gefaltete
Anordnung der Metallflächen
bewirken eine Induktivität und
C ESR L die Erhöhung des ESR.

. V¤
*
!+
Gesamtimpedanz (ohne Ris):

Durch die Induktivität kommt es zur Serienresonanz bei der Frequenz


1
CW r
2E√
Der komplexe Widerstand des Kondensators besteht dann nur noch aus ESR.

Oberhalb von fres


verhält sich der
ideales C Kondensator wie
ideales L eine Spule mit
Induktivität L!

ESR

Quelle: Epcos

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 26


Elektronische Bauelemente

2.2.2 Güte
Für Wechselstrom unterhalb der Resonanzfrequenz müssen nur C und ESR
berücksichtigt werden. Man definiert die Güte Q (quality) des Kondensators als

1/
š

I rated
C ESR
U rated

Der Kondensator ist also „gut“, wenn der (gewünschte) Blindwiderstand


|-1/ωC| wesentlich größer als der (unerwünschte) Verlustwiderstand ESR ist. Die
Güte ist frequenzabhängig!

Häufig wird statt der Güte auch ein ESR


Verlustwinkel (dissipation factor)
tan δ angegeben. Er entstammt dem -1
Zeigerdiagramm für den komplexen Z C
Widerstand und ist
V¤ 1
tan •
1/ š

Verlustleistung: ˆ¨ ⋅ V¤ ⋅
0 0 */œ
W " % W " % !+

⋅ ⋅ ⋅
0 €© 0 œ
W " % ۩ #
t W " % *#œ-
ª«¬

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 27


Elektronische Bauelemente

⋅ / führen schnelle Änderungen der Spannung u(t) zu einem


2.2.3 Impulsbelastbarkeit
Wegen
hohen Kondensatorstrom, der entsprechend Wärme verbreitet (im Modell
Wirkleistung in ESR). Im Datenblatt wird daher eine obere Grenze für du/dt bzw.
direkt für Wechselströme (ripple current, pulse load) spezifiziert.

Probleme bereiten z.B.

• Kurzschluss-Entladung (über Schraubendreher!)


• Ein- und Ausschalten
• Schwingungen hoher Frequenz, insb. Rechteck-Wechselspannung
• Spannungsspitzen von Induktivitäten (Motoren).

2.2.4 Nachlade-Effekt
Nicht nur die Metallflächen, auch das Dielektrikum kann Ladungen speichern, die
es nur langsam wieder abgibt (dielektrische Absorption).

Nach einem Kurzschluss (U = 0) sind U, Q


innerhalb einiger Sekunden vom
Kurz-
Dielektrikum her wieder einige schluss
Ladungen vorhanden und es ist U > 0 Nachlade-
(Nachlade-Effekt). effekt t

Bei Folienkondensatoren ist die Nachlade-Spannung kleiner 1 % der


ursprünglichen Gleichspannung,

bei Keramikkondensatoren in der Größenordnung 1 %,

bei Aluminium-Elkos 10-15%.

C
Ersatzschaltbild
des Nachladeeffekts:

CDA RDA
Nachladeeffekt

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 28


Elektronische Bauelemente

2.3 Technologie

einer gegebenen Kapazität C = ε ⋅ A/d besitzen. Dazu kann man ε und die Fläche
Industriell gefertigte Kondensatoren sollen ein möglichst geringes Volumen bei

A erhöhen und die Dicke d reduzieren.

Siehe Rahmenspezifikation DIN EN 60384.

2.3.1 Keramische Kondensatoren


• Nutzen als Dielektrikum eine Keramik mit hohem bis sehr hohem ε.
• Schichtdicken ab 1 µm.
• miniaturisierbar (SMD), billig

Einteilung in Klassen:

Klasse 1 Klasse 2
6 … 200 200 … 14000
Bereich
typ. 20 … 40
klein (typ. ±30 ppm/K) groß,
εr Temperaturabhängigkeit
linear nichtlinear
Frequenzabhängigkeit keine ja
Spannungsabhängigkeit keine ja
1 % (E96/E24) … -20 % / +50 %,
Toleranz
20 % (E6) -20 % / +80% (E3, E6)
Werte bis 100 nF bis 33 µF
Schwingkreise, Kopplung,
Anwendungen
Filter HF-Kurzschluss

MLCC (multi-layer Keramisches Dielektrikum


ceramic capacitor):
Kontaktierung
Bauform für SMD chip

am weitesten verbreitet

Energietechnik: Metallisierung

Keramik fast beliebig formbar,


hohe Durchschlagspannung erreichbar (≥ 100 kV)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 29


Elektronische Bauelemente

2.3.2 Folienkondensatoren
• Dielektrikum besteht aus Kunststofffolie oder Papier
• Aufbau aus zwei metallisierten oder mit Metallfolien belegten Kunststofffolien,
seltener Papierfolien
• Schichtdicken ab 1 µm
• εr gering (≈ 3) und leicht frequenzabhängig →
Nennkapazität gemessen bei 1 kHz
• großes Volumen (kein SMD)
• durchschlagsfest und hohe Impulsströme möglich
„Selbstheilung“ bei lokalen Durchschlägen:
Metall verdampft, Folie quillt auf → Kurzschluss beseitigt sich von selbst
• sehr geringer ESR

• Isolationswiderstand Ris höher als bei Keramikkondensatoren


• geeignet für die Energietechnik

Quelle: Wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 30


Elektronische Bauelemente

2.3.3 Elektrolytkondensatoren (Elko)

Oxidschicht
Dielektrikum entsteht als dünne Oxidschicht auf (Dielektrikum)
rauer Metalloberfläche (Aluminium oder Tantal)
durch elektro-chemische Reaktion Elektrolyt
(sehr guter
Oxidschicht sehr dünn (ab 10 nm) und Leiter)
raue Oberfläche groß → +
-
hohe Kapazität pro Volumen

Wegen der rauen Oberfläche ergibt sich eine


hohe Toleranz (typisch ±20 %)! Metallplatten

Polung: oxidierte Metallschicht an +,


Elektrolyt und reine Metallschicht an - +

+
‼! Bei falscher Polung bildet die zweite Elektrode
ebenfalls eine Oxidschicht; dabei entstehen Hitze und -
Gas, die den Elko zerstören (und nicht nur ihn )

Kurzzeitige Umpolung (Wechselspannung; < 1 Sekunde) schadet nicht.

bipolare Elkos: Zweite Elektrode ist bereits oxidiert.


Dadurch entstehen 2 Kondensatoren in Reihe, die
Kapazität halbiert sich!

Aufbau: durch Wicklung hohe parasitäre Induktivität →


niedrige Resonanzfrequenz (typ. 100 kHz … 1 MHz)

Die Oxidschicht baut sich bei Lagerung ohne Spannung teilweise ab. Im Betrieb
unter Spannung wird die Schicht wiederhergestellt, es fließt deshalb zeitweise ein
Strom (leakage current, µA … mA).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 31


Elektronische Bauelemente

Aluminium-Elkos: Al

meist mit flüssigem Elektrolyt

sehr billig, daher am weitesten verbreitet

Lebensdauer ist begrenzt, da das Elektrolyt


mit der Zeit verdunstet.
Angabe im Datenblatt: Brauchbarkeitsdauer Al2O3 Papier getränkt
(load life) mit Elektrolyt

wegen eingeschränkter Sicherheit (Brauchbarkeit): KEIN Einsatz in


sicherheitsrelevanten Produkten (Militär, Weltraum)

Quelle: wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)

Tantal-Elkos:

meist mit festem Elektrolyt (Braunstein = MnO2


oder Polymer), daher keine Einschränkung der
Brauchbarkeit

teurer als Al-Elkos, aber Einsatz in


sicherheitsrelevanten Produkten erlaubt

Quelle: wikipedia

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 32


Elektronische Bauelemente

2.3.4 Doppelschicht-Kondensatoren
auch EDLC = electrochemical double layer caps, supercaps, ultracaps, goldcaps

Zwischen einem (Metall-)Leiter und


einer leitenden Flüssigkeit (Elektrolyt)
fließt bei kleinen Spannungen kein
Strom, sondern es bilden sich an der
Grenzfläche Ladungsträgerschichten.

Der Abstand dieser Schichten beträgt


nur eine Moleküldicke (< 1nm).
Dadurch entsteht eine enorm große
Kapazität. Quelle: Wikipedia/Elektrochemische Doppelschicht

Vorteile:

• hohe Kapazitätsdichte → einige 1000 F bei „üblicher“ Baugröße


• kleiner ESR → geringe Erwärmung
• hohe Lade- und Entladeströme möglich

Nachteile:

• geringe Nennspannung (wenige V)


• hohe Selbstentladung (relativ kleines Ris)

Anwendung:

Energiespeicher, Batterieersatz

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 33


Elektronische Bauelemente

2.3.5 Einsatzbereiche

Eigenschaft Keramik-K. Folien-K. Elko

εr Klasse 1: 6…200 3 Al: 8,4


Klasse 2: 200…14000 Ta: 28

Schichtdicke 1 µm 1 µm 0,01 µm

SMD ja selten ja

durchschlagsfest gut bis sehr gut sehr gut gut


impulsstromfest

Wertebereich 0,1 pF … µF pF … µF 0,1 µF … F

Toleranzen bei Klasse 1 sehr gut gut mäßig

ESR mittel klein mittel

Quelle: Wikipedia/Kondensator(Elektrotechnik)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 34


Elektronische Bauelemente

2.4 Anwendungen
• Wechselstrom-Kopplung/ „säubern“ von Versorgungs-
Trennen von Gleich- und spannungen/ Kurzschluss von
Wechselspannung: Wechselspannungen:
+

CK
u~(t) VCC

+
u~(t)
IC
U0 U0

• Energiespeicher: Ersatz von Batterien/Akkus;


Vorteil: hohe Ströme möglich; Nachteil: U ~ Ladung → sinkt schnell

• Filter und Oszillatoren

• Gleichrichter → siehe Dioden!

2.5 Simulation
In LTspice existieren die Elemente CAP
und POLCAP. Sie unterscheiden sich nur im
Aussehen im Schematic Capture; in der
Netzliste erscheinen identisch als C.

Neben der Kapazität kann man auch die


Werte der parasitären Elemente eingeben:

Für nichtlineare Kondensatoren gibt man


als Wert eine Formel für die Ladung in
Abhängigkeit von der Spannung (als
Variable x) an.

š
Die Kapazität ergibt sich dann als

-
Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 35
Elektronische Bauelemente

2.6 Kapazität spezieller Anordnungen

b Platine Leiterbahn gegen Massefläche:

›H ⋅ ›W ⋅
Leiterbahn


(ε r)

°̄
l
h
Massefläche

¯
Platine Zwei Leiterbahnen:

/® . 0,75 ⋅ ›H ⋅ ›W ⋅
Leiterbahn b (ε r)

l
d

2E ⋅ ›H ⋅ ›W
l freie Leitung gegen Erde:



ln
d
h

2E ⋅ ›H ⋅ ›W
Koaxial-Kabel:

d


ln
D

E ⋅ ›H ⋅ ›W

Doppelleitung (geschirmt):

2² ⋅ “0 F ²0
ln
d

⋅ “0 ²0

E ⋅ ›H ⋅ ›W

Doppelleitung (ungeschirmt, D→∞):


D

ln
a

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 36


Elektronische Bauelemente

3 Spulen und Transformatoren


3.1 Physikalische Grundlagen
3.1.1 Induktion
Jeder Strom (Teilchen- und Verschiebungsstrom) erzeugt ein Magnetfeld H und

materialabhängig: μ μH ⋅ μW , μH 4E ⋅ 101• ‘’/bj; µr = 1 … 150 000


eine magnetische Flussdichte B = µ⋅H um sich herum. Die Permeabilität µ ist

, L /®Š
, /®Š
´ μ ⋅ ,
I
´ μ⋅,
B H

Φ ´b: mgn. Fluss


S N
S N S N
S N S N

I B, H
Weglänge l m
Ui
Wickelt man den Leiter um einen Kern mit hohem
µr, dann werden die magnetischen Felder fast nur
im Kern geführt.

Ändert sich die magnetische Flussdichte dB/dt, dann wird im Leiter die Spannung
Φ ´
L⋅ L ⋅ ⋅b

μ⋅ μ⋅ ⋅
%µ %¶ · %¹
%" %" ‰¸ %"
induziert (A: Querschnittsfläche des Kerns). Mit folgt

μ⋅b
AL: Induktivitätsfaktor; nur
L² ⋅ ⋅ ⋅ L² ⋅ bº
®Š
abhängig von Kernmaterial
und –geometrie;
auch: magnetischer Leitwert Gm

Auch im Inneren des Kerns werden Spannungen induziert. Wenn das Kern-
material elektrisch leitet, entstehen Wirbelströme (eddy current); der Kern
erwärmt sich (Verluste).

Um das zu verhindern, gibt es verschiedene Techniken (s. unten).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 37


Elektronische Bauelemente

3.1.2 Magnetischer Kreis


Um komplexere magnetische Anordnungen zu verstehen, kann man eine
Analogie zu elektrischen Netzwerken verwenden:

magnetischer Kreis elektrische Analogie

N⋅I Quelle U

B⋅A (mgn. Fluss) Strom I


1 ®Š
⋅ 1/»Š
μ b Š
Widerstand

I2

Rm1
I1 U2
U1
N2 Rm2
N1
Rm3

In diesem Modell fehlt die Induktionsspannung JQ% FL´b, die den Strom I
beeinflusst!


* ‰
Der magnetische Widerstand Š ¼ Ņ
ergibt sich als Quotient der
magnetischen Spannung NI und des magnetisches Flusses Φ = BA. Es gilt:
1 1
Š
»Š bº

Für eine Spule L ist Š L²/ .

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 38


Elektronische Bauelemente

3.1.3 Scherung
Der Zusammenhang zwischen H (als Folge eines Stroms I) und B (als Ursache
der Induktionsspannung) ist i.A. nichtlinear, so dass µ (und damit L) nicht
konstant ist. Ein sinusförmiger Strom hat dann eine nicht-sinusförmige Induktions-
spannung zur Folge. Außerdem ist µ temperaturabhängig.
BS B BS B
BR
Neu-
kurve
BR
HC H HC H

hartmagnetisches Material weichmagnetisches Material


(Dauermagnet, Speicher) (Spulen, Transformatoren)

Häufig fügt man einen Luftspalt in den magnetischen Kreis ein, der wie ein
magnetischer Serienwiderstand wirkt:

I Rm B
s

RS

1 ®Š 1 ’ 1 ®Š
H

⋅ ⋅ ⋅
D r Š r
μH μW b μH b μH μ XX b
μW
μ ’
1 μW ⋅
XX
®Š µr wird auf µeff verkleinert,

1 bº bº
aber dafür sind Nichtlinearität
bº ’ ’
D r

1 μW ⋅ 1 bº ⋅
und Temperaturabhängigkeit

®Š μH ⋅ b
D r
ebenfalls deutlich reduziert.

Die Luftspalt-Technik wird auch Scherung genannt, weil die H-B-Kennlinie


geschert aussieht.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 39


Elektronische Bauelemente

3.1.4 Transformator

B1 B2
I1 I2

U1 U2

L1 L2

T-Ersatzschaltbild: M-Ersatzschaltbild:
N1
I1 R1 Lσ1 Lσ2 R2 I2 I1 R1 ü= N2 R2 I2
Iµ M
U1 U2 U1 U2
L1h RFe L1 L2

½ 0 * * * ⋅ * ¿⋅ 0
0
ü
½
0 ü⋅ 0 0 0 0 ⋅ 0 ¿⋅ *

Das T-Ersatzschaltbild entsteht, wenn man den Strom I2 durch die Spule L2
ersetzt gegen einen zusätzlichen Stromanteil durch L1. Das Magnetfeld im Kern

0 /ü.
muss dabei gleich bleiben. Durch L1h (beschreibt den Kern) fließt dann der
theoretische Strom ¼ *

Gestrichene Größen: ½
^0 ü² ⋅ ^0 , 0
½
ü² ⋅ 0

^* c* ⋅ * , ^0 c0 ⋅ 0 , 0 ‹ cJ ≪ 1
*i ,
½ ½
Streuung σ
* *^ 0 ^0 *i

Kopplungsfaktor k k m 1 F c* 1 F c0

Gegeninduktivität ¿ k⋅m * ⋅ 0

Hauptinduktivität *i ü⋅¿

Kerne sind meist symmetrisch aufgebaut → AL-primär = AL-sekundär →

L*0 ⋅ bº , L00 ⋅ bº → ü²
ºt ·t-
Induktivitäten * 0 º- ·--

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 40


Elektronische Bauelemente

Näherungen:

• keine Streuung (k = 1; L1h = L1)


• keine ohmschen Verluste (R1 = 0, R2 = 0)

und sekundärseitig…

• Leerlauf (I2 = 0, Last º → ∞ d.h. ü² º ≫ *i )

* →
½ 't
I1 I2 0 0 ü
,

F
Iµ '-
0

ÁÂ
ZL tatsächlich
U1 U2
L1h =ü²ZL
(groß) (Iµ groß → evtl. Scherung nötig)

• Kurzschluss (U2 = 0, Last º → 0 d.h. ü² º ≪ *i )

I1 I2
½
0 . F * → 0 Fü ⋅ *

Iµ ‚ tatsächlich 0 F º ⋅ 0

≫ 0 : 0
't
ZL
º 0^
U1 U2
ü
L1h =ü²ZL für
(klein)

hier ist Iµ ≈ 0 → Scherung nicht nötig. Dieser Fall heißt idealer Übertrager.

Energieübertragung:
B

( *i groß → ¼ . 0 → 0½ F *
Magnetfeld im Kern sehr klein

H → H-B-Kennlinie linear auch ohne Luftspalt

Trafos arbeiten mit Induktion → dB/dt ≠ 0.


Dass das Magnetfeld bei Energieübertragung
selber klein ist, stört nicht, solange |dB/dt|
groß ist.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 41


Elektronische Bauelemente

3.2 Frequenzabhängigkeit ESR


3.2.1 Ersatzschaltbild
RCu RK L
Auch Induktivitäten haben parasitäre Elemente:

Die Wicklung aus (Kupfer-)Draht besitzt einen


Cp
ohmschen Widerstand RCu (Datenblatt: DC
resistance), auf den außerdem der Skineffekt
wirken kann. Den Skineffekt kann man
reduzieren, indem man statt eines massiven
Drahtes ein Geflecht aus isolierten, dünneren
Drähten (HF-Litze) verwendet.

Verluste des Kerns (Ummagnetisierung,


Wirbelströme) beschreibt der Widerstand RK.

Die einzelnen Wicklungen stören sich


gegenseitig durch elektrische Felder, d.h. sie
besitzen eine Kapazität Cp.

Spulen haben wie Kondensatoren eine


Resonanzfrequenz, oberhalb derer sie sich
wie Kapazitäten Cp verhalten.
1
CW
2Em ⋅
r
R

3.2.2 Güte
Bei Induktivitäten definiert man eine Güte als

š
V¤ +& Ã
L ESR

Alternativ gibt es den Verlustwinkel tan δ = 1/Q, der dem Zeigerdiagramm


entstammt.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 42


Elektronische Bauelemente

3.3 Technologie
3.3.1 SMD-Spulen
Kernmaterial Keramik, Ferrit
Güte 20
Resonanzfrequenz GHz (nH) … MHz (µH)
Werte 1 nH … 10 mH

3.3.2 Kerntypen
Um Wirbelströme zu verhindern gibt es verschiedene Techniken/Werkstoffe:

• mehrlagige (laminierte) Bleche


(Dynamoblech = Fe-Si-Legierung)
untereinander durch Oxidschichten
isoliert

• Ferrite (Metalloxide): nichtleitend

Um bestehende Signal- oder Versorgungsleitungen von HF-


Störungen zu befreien, verwendet man Dämpfungsperlen,
durch die die Leitung gefädelt wird.

Spartransformator: I1

I2
U1
L2 ist ein Teil von L1
U2

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 43


Elektronische Bauelemente

3.4 Anwendungen
Drossel (choke) (zum Säubern von Gleichspannung):

VCC

+
GND

Balun:
balanced unbalanced
(symm. Ausgang) (geerdeter Eingang)
balun
out+ in

out- GND

Filter: geringe Toleranz und hohe Resonanzfrequenz erwünscht

Trafo, z.B. für Hochspannungsleitung:


Lastwiderstände wirken auf der Primärseite um den Faktor ü² verändert
RQ ü=N1/N2
N1 N2

ü²RL RL

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 44


Elektronische Bauelemente

3.5 Simulation
Das Bauteil IND stellt in LTspice Induktivitäten dar; in der Netzliste heißt es L.

Für IND kann man zusätzlich


zur Induktivität L auch die
parasitären Elemente
angeben:

Um nichtlineare Spulen darzustellen, modelliert man die H-B-Kennlinie und gibt


dazu die geometrischen Eigenschaften des Kern an:

Koerzitivkraft HC A/m
Remanenz BR T
Sättigungs-Flussdichte BS T
Querschnitt A m²
Feldlinienlänge LM m
Luftspaltlänge LG m
Windungszahl N ---

Eine induktive Kopplung zwischen Spulen (→ Transformator) erreicht man mit


dem Element K. Es ist eine
reine Textanweisung, kein
Symbol, und arbeitet nur mit
linearen Spulen:

Nichtlineare Transformatoren stellt man z.B. durch das T-Ersatzschaltbild dar; den
nachgeschalteten idealen Übertrager modelliert man mit gesteuerten Quellen.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 45


Elektronische Bauelemente

3.6 Induktivität spezieller Anordnungen

dünner Draht, grobe Näherung: /® 10 G,/Äj

μH 2®
Leiterbahn Streifenleiter/Leiterbahn:
b

/® . ⋅ –ln – — 0,5—
l 2E ¯
d

μH 4°
Leiterbahn b
Leiterbahn mit Massefläche:

/® . ⋅ ln – —
l 2E ¯
h
Massefläche

μH “
d Koaxialkabel:

/® . ⋅ –ln – — 0,25—
2E
D

μH 2²
d Doppeldrahtleitung:

/® . ⋅ –ln – — 0,25—
E


D Printspule rechteckig:

/® . 1,17 ⋅ μH ⋅ L² ⋅
“F
1 2,75 ⋅
d “

(N = 3)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 46


Elektronische Bauelemente

4 Lineare Netzwerke
4.1 Problemstellungen
Belasteter Spannungsteiler:

I1 Z1 I2

Á-
0 * Át #Á-
nur dann, wenn I2 = 0.
U1 Z2 U2
Was geschieht bei I2 ≠ 0?

Belastete Quelle mit Innenwiderstand:

Wie stark belastet eine Schaltung die


UQ RQ Quelle mit Innenwiderstand?
UE Schaltung Welches UE ergibt sich?

Belastbarkeit einer Schaltung:

Wie unterscheidet sich UA im Leerlauf


Schaltung UA RL von der Belastung mit RL?

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 47


Elektronische Bauelemente

4.2 Zweitore
Schaltungen mit zwei Klemmenpaaren nennt I1 I2
man Zweitore. Im Inneren können sich beliebig
U1 Zweitor U2
komplizierte lineare Schaltungen aus R, L, C,
Trafos und linearen Verstärkern befinden.
I1 I2
Zur Beschreibung eines Zweitors genügen aber
die externen Größen U1, U2, I1 und I2. Mit ihnen stellt man Gleichungen auf, in
denen je zwei Größen durch die beiden anderen Größen und konstante Faktoren
ausgedrückt werden.

Die Gleichungen entsprechen zwei gesteuerten Quellen mit Innenwiderständen:

* Å** ⋅ * Å*0 ⋅ 0
y11 y12U2 y21U1 y22

0 Å0* ⋅ * Å00 ⋅ 0 I1 I2
U1 U2

Å** Å*0
Æ *Ç ÈÅ Å00 É ⋅ Æ
*
Ç
0 0* 0
Eingangs- Rück- Ver- Ausgangs-
leitwert wirkung stärkung leitwert

Die vier Konstanten lassen sich hier durch Kurzschluss am Eingang (U1 = 0) bzw.
Ausgang (U2 = 0) bestimmen. Beispiel Spannungsteiler:

Å** Ê
*
Å*0 Ê
I1 * I1
* '- _H 0 't_H
Z1 Z1
U1 U2
1/ F1/
Z2 Z2

* *

Å0* Ê Å00 Ê
0 I2 0 I2
* '- _H 0 't _H
Z1
U1 Z2 Z1
U2
F1/ 1/ *‖ 0
Z2

1/ * F1/ *
Ì Æ Ç
F1/ * 1/ * ‖ 0
• Leitwertmatrix:

• alle yik haben die Einheit eines Leitwerts [S = 1/Ω]


• y21 und y12 entsprechen Verstärkungen von gesteuerten Quellen, obwohl die
tatsächliche Schaltung keine Quellen besitzt.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 48


Elektronische Bauelemente

4.3 Zweitor-Matrizen
Je nachdem, welche Größen durch die anderen ausgedrückt werden, definiert
man weitere Matrix-Darstellungen:

Typ Gleichungen Quellendarstellung

* Í** ⋅ * Í*0 ⋅ 0 I1 z11 z12I2 z21I1 z22 I2

Í0* ⋅ Í00 ⋅
Z
0 * 0
(Impedanzmatrix) U1 U2

* Å** ⋅ * Å*0 ⋅ 0 I1 y11 y12U2 y21U1 y22 I2

Å0* ⋅ Å00 ⋅
Y = Z-1
0 * 0
(Leitwertmatrix) U1 U2

* °** ⋅ * °*0 ⋅ 0 I1 h11 h12U2 h21I1 h22 I2

0 °0* ⋅ °00 ⋅
H
* 0
(Hybridmatrix) U1 U2

* Î** ⋅ * Î*0 ⋅ 0 I1 g11 g12I2 g21U1 g22 I


2

Î0* ⋅ Î00 ⋅
-1
G= H
0 * 0
(inv. Hybridmatrix) U1 U2

* ²** ⋅ 0 ²*0 ⋅ 0

* ²0* ⋅ ²00 ⋅
A
0 0
(Kettenmatrix) I1 I2

0 ¯** ⋅ * ¯*0 ⋅ *
U1 U2
-1

¯0* ⋅ ¯00 ⋅
B=A
(inv. Kettenmatrix) 0 * *

Jedes Element bedeutet eine bestimmte Eigenschaft, z.B. ist

g21: Spannungsverstärkung U2/U1 bei Leerlauf am Ausgang(I2 = 0) oder


z11: Eingangswiderstand U1/I1 bei Leerlauf am Ausgang oder
g22: Ausgangswiderstand U2/I2 bei Kurzschluss am Eingang oder
h21: Stromverstärkung I2/I1 bei Kurzschluss am Ausgang

Jede Darstellung erleichtert eine bestimmte Kombination von Zweitoren.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 49


aus Z aus Y aus H aus G aus A aus B

Z
Z
1 Å00 FÅ*0 1 det , °*0 1 1 FÎ*0 1 ²** det b 1 F¯00 F1
Æ Ç Æ Ç Æ Ç Æ Ç
0*
ÈFÅ Å** É 1 det » ²00 F¯**
det Ì °00 F°0* Î** Î0* ²0* 1 ¯0* F det ´

Determinante: det ¿

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey


Y
1 Í00 FÍ*0 1 1 F°*0 1 det » Î*0 1 ²00 Fdet b 1 F¯** 1
È Æ Ç Æ Ç Æ Ç Æ Ç
det FÍ0* Í** É °** °0* det , Î00 FÎ0* 1 ²*0 F1 ²** ¯*0 det ´ F¯00
Elektronische Bauelemente

V3.3
H
1 det Í*0 1 1 FÅ*0 1 Î00 FÎ*0 1 ²*0 Fdet b 1 F¯*0 1
Æ Ç Æ Ç È Æ Ç Æ Ç
Í00 FÍ0* 1 Å** Å0* det Ì det » FÎ0* Î** É ²00 1 ²0* ¯** F det ´ F¯0*

j** ⋅ j00 F j*0 ⋅ j0*


4.4 Umrechnung von Zweitormatrizen

G
G
1 1 FÍ*0 1 det Ì Å*0 1 ° F°*0 1 ²0* Fdet b 1 F¯0* F1
Æ Ç Æ Ç Æ 00 Ç Æ Ç Æ Ç
Í** Í0* det Å00 FÅ0* 1 det , F° 0* °** ²** 1 ²*0 ¯00 det ´ F¯*0

A
A
1 Í** det 1 FÅ00 F1 1 F det , F°** 1 1 Î00 1 ¯ F¯*0
Æ Ç Æ Ç Æ Ç Æ Ç Æ 00 Ç
Í0* 1 Í00 Å0* F det Ì FÅ** °0* F°00 F1 Î0* Î** det » det ´ F¯0* ¯**

B
B
1 Í00 Fdet 1 FÅ** 1 1 1 F°** 1 F det » Î00 1 ²00 F²*0
Æ Ç Æ Ç Æ Ç Æ Ç È
Í*0 F1 Í** Å*0 det Ì FÅ00 °*0 F°00 det , Î*0 Î** F1 det b F²0* ²** É

50
Elektronische Bauelemente

4.5 Passive Zweitore


Z1 Z2 Z3

1 Z3 2 1 Z1 Z2 2

T-Schaltung π-Schaltung

Æ * 4 4
Ç
4 0 4
Z

Ì Ì4 FÌ4
Æ * Ç
FÌ4 Ì0 Ì4
Y

* Ì4 1 * 0 Ì4 Ì0 4 1
Æ * 0
Ç Æ 4
Ç
Ì4 0 Ì4 1 Ì* Ì0 Ì* Ì0 4 Ì* 4 1
A

Beispiel: Bestimmung der G-Matrix eines Querwiderstands

Schaltungstyp: T
1 R 2
Z1 = Z2 = 0; Z3 = R

Z-Matrix: È É , det ⋅ F ⋅ 0

1 FÍ*0 1 F 1/ F1
» Æ Ç ⋅È É È É
* *
Ñtt Í0* det 0 1 0
G aus Z:

F
't
Die G-Matrix entspricht den Gleichungen * 0 und 0 *.

Beispiel: A-Matrix eines RC-Tiefpasses

Schaltungstyp: T
Z1 = R, Z2 = 0, Y3 = jωC

⋅ 1 0 0 1
Æ Ç Æ Ç
0 1 1
A-Matrix:

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 51


Elektronische Bauelemente

4.6 Kettenschaltung
Die Matrizen A und B eignen sich zur leichten Berechnung von hintereinander
geschalteten Zweitoren (Reihenschaltung oder Kettenschaltung).

Beispiel mit zwei Spannungsteilern (RC-Tiefpass):


I1 I2 I3

Æ *
Ç b* ⋅ Æ 0
Ç b* ⋅ b0 ⋅ Æ 4
Ç
* 0 4
U1 U2 U3

A1 A2

1 1 1 0
⋅ 2
bD Æ Ç⋅Æ Ç Æ Ç
r 1 1 ⋅ 2 1

Î0* |
* 'Ò
tt 't ¹Ò _H
Spannungsverstärkung bei Leerlauf am Ausgang:

Í** tt
-t
Eingangswiderstand bei Leerlauf am Ausgang:

Î00 t-
tt
Ausgangswiderstand bei Kurzschluss am Eingang:

Ein Zweitor mit Last ZL am Ausgang sollte in ein erweitertes Zweitor mit Leerlauf
am Ausgang umgerechnet werden, entweder indem ZL als Teil der Schaltung
betrachtet wird oder durch Kettenschaltung des ursprünglichen Zweitors und ZL:

ZL

²** ²*0 1 0 Ô²** t-


Õ ²*0
Ȳ ²00 É ⋅ Æ1/ Ç Ó Ö
ÁÂ
0* º 1 Ô²0* --
Õ ²00
ÁÂ

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 52


Elektronische Bauelemente

4.7 Simulation
In SPICE stehen gesteuerte Quellen E, F, G, H zur Verfügung:

spannungsgesteuert stromgesteuert

Spannungsquelle

Stromquelle

Ein steuernder Strom muss durch eine Spannungsquelle fließen (in den Bildern
oben: V1). Die steuernde Spannung wird direkt auf Eingangspins der Quelle
geschaltet.

Mit BV und BI stehen Quellen zur Verfügung, die Spannung oder Strom gemäß
einer Formel erzeugen, so dass sich beliebige, nichtlineare Bauelemente
modellieren lassen:

Die Stromquelle BI kann auch einen nichtlinearen Widerstand realisieren, wenn


als steuernde Spannung die eigenen Ausgangspins verwendet werden.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 53


Elektronische Bauelemente

5 Halbleiter
5.1 Generation und Rekombination
Durch Gitterschwingungen oder Fotonen kann ein Elektron-Loch-Paar entstehen
(Generation → Erhöhung von n und p).
Die freien Ladungsträger bewegen sich wegen ihrer kinetischen (Wärme-)Energie
mit der mittleren Geschwindigkeit P"i mkl/j ≈ 107 cm/s. Sie erleiden Stöße
(→ Energieverlust) an Kristallfehlern, Gitterschwingungen oder anderen freien
Ladungsträgern.

Nach der mittleren Ladungsträger-Lebensdauer τ (Größenordnung ns)


rekombinieren sie mit anderen Ladungsträgern. Die Rekombination findet im
mittleren Abstand L (Diffusionslänge, Größenordnung 10..50 µm) vom Ort der
Generation statt. Die Ladungsträgerdichten n und p verringern sich.

Diffusionslänge Ln

- +

Rekombination Generation

Die Bewegung eines Ladungsträgers an irgendeiner Stelle eines geschlossenen


Leiterkreises stellt einen Strom (durch den gesamten Kreis) dar!

Zufällige Bewegungen führen zu thermischem Rauschen.

Wenn Generation und Rekombination sich die Waage halten spricht man vom
thermodynamischen Gleichgewicht. Im undotierten Halbleiter ist dann

GH IH GJ → GH ⋅ IH GJ0

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 54


Elektronische Bauelemente

5.2 Fermi-Verteilung
Die tatsächlichen Geschwindigkeiten (Energien) der Ladungsträger sind
statistisch verteilt (Fermi-Verteilung). Man kann nur Aussagen über die
Wahrscheinlichkeit machen, dass ein Ladungsträger gerade mindestens die
Energie W besitzt:

1
I⊖ h
Besetzungswahrscheinlichkeit
h F hà
1 exp Ô Õ
für Elektronen der Energie W:
Zimmertemperatur: kT = 0,026 eV
kl
= 4,16⋅10-21 J (= Wärmeenergie)

h F hà
exp Ô Õ
I⊕ h 1 F I⊖ h kl
h F hà
Besetzungswahrscheinlichkeit
1 exp Ô Õ
kl
für Löcher:

W W
T groß T groß

WF T 0 WF T 0

p - (W) p + (W)
0,5 1 0,5 1

Näherungen:

Leitungsband: W – WF ≫ kT Valenzband: W – WF ≪ –kT

h F hà h F hà
I⊖ h . exp –F — ≪1 I⊕ h . exp – — ≪1
kl kl

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 55


Elektronische Bauelemente

5.3 Ladungsträgerdichten

x 67%
Möglichkeiten x Wahrscheinlichkeit = Anzahl
freie Plätze Ladungsträgerzahl

im undotierten Halbleiter (Achtung: p±(W) nicht maßstäblich):

W W W

n0 = ni
WL p - (W) WL
WG/2
WM WF WF
WG/2
WV p + (W) WV
p0 = ni

Ladungs-
0,5 trägerdichte

Bandlücke liegen (hà . hâ h¨ hº /2. (Gilt nicht exakt, weil Anzahl der
Wo liegt WF der Fermi-Verteilung? Wegen n0 = p0 = ni muss WF in der Mitte der

Plätze im Valenz- und Leitungsband nicht genau gleich sind)

Die meisten Ladungsträger befinden sich an einer Bandkante:


Elektronen verlieren meist Energie (fallen „tiefer“)

→ Leitungselektronen finden sich zumeist an der unteren Leitungsbandkante


→ Löcher finden sich zumeist an der oberen Valenzbandkante

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 56


Elektronische Bauelemente

n-Dotierung (Donatorendichte ND): WF verschiebt sich um ∆WF

weiterhin gilt GH ⋅ IH GJ0


→ n0 steigt um Faktor exp(∆WF/kT)
→ p0 fällt um Faktor exp(∆WF/kT) }
p⊖(WD) ≈ 0 → alle Dotieratome ionisiert GQH . LM ≫ GJ
IQH . GJ0 /LM ≪ GJ

W W W (Majoritäts-
p - (W) träger)
n0
WL WL
WD
WF WF
WF
WM
p + (W) (Minoritäts-
WV WV träger)
p0

Ladungs-
0,5 trägerdichte

GQH GJ ⋅ exp Ô Õ LM → hà hâ kl ⋅ ln Ô æ Õ
ãäå ·
•˜ Q y

hà hâ F kl ⋅ ln Ô ç Õ
·
Q y
p-Dotierung (Akzeptorendichte NA):

p⊕ (WA) ≈ 0 → alle Dotieratome ionisiert IRH . LN ≫ GJ


GRH . GJ0 /LN ≪ GJ

W W W
(Minoritäts-
n0 träger)
WL WL
p - (W)
WM
WF WF
WF
WA
WV WV (Majoritäts-
p + (W) p0 träger)
Ladungs-
0,5 trägerdichte

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 57


Elektronische Bauelemente

5.4 Diffusionsstrom
∆N=
Wegen zufälliger Bewegung
(thermische Energie):
Ausgleich zwischen hoher

MJXX ~ F è2
è·
und niedriger Teilchendichte
Stromdichte ∆x ∆x ∆x ∆x

éG éG
F ⋅ “Q ⋅ –F — ⋅ “Q ⋅
MJXX,Q
é- é-
Diffusionsstrom für Elektronen:

Als Teilchenstrom gilt auch: MJXX,Q F ⋅ G ⋅ PMJXX,Q

Zusammen ergibt sich die Differentialgleichung


éG “Q éG
⋅ “Q ⋅ ⋅ PMJXX,Q ⋅ G 0 → ⋅ G 0
é- PZ\]
MJXX,Q é-
ºw

G - G* ⋅ exp ÔF Õ mit G* ≔ G - 0
2
º w
mit der Lösung

n(x)
Werden Elektronen bei x = 0 eingespeist
n1 (konstante Dichte n1) dann nimmt die
Trägerdichte n durch Diffusion und
Rekombination mit dem Abstand x
exponentiell ab.
x Der Diffusionsstrom ist dann
Ln

MJXX,Q b⋅ MJXX,Q Fb ⋅ ⋅ PMJXX,Q ⋅ G -

proportional zu n(x) und nimmt


auch exponentiell ab. Strom ist
aber in einem geschlossenen Iges = const
Kreis immer konstant. Der
- + Irekomb
fehlende Stromanteil besteht hier
Idiff
aus Löchern, die bei jeder
Rekombination nachrücken
müssen. x

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 58


Elektronische Bauelemente

zur Diffusionsgeschwindigkeit:

• Wegen Rekombination diffundieren Ladungsträger nicht unbeschränkt,


sondern im Mittel nur während der Minoritätsträger-Lebensdauer τn bzw. τp
und für die durchschnittliche Diffusionslänge Ln bzw. Lp (Größenordnung
µm).

• Die mittlere Diffusionsgeschwindigkeit der Elektronen ist

Q
PMJXX,Q
•Q

• vDiff ≈ 105 cm/s liegt deutlich unter vsat ≈ 107 cm/s, weil Diffusion keine
gerichtete Bewegung ist.

• Für die Diffusionskonstanten gilt (ohne Beweis):


0
Q kl
“Q Q ⋅ P%JXX ⋅ YQ
•Q

• Ohne Nachschub wären die Ladungsträger in kurzer Zeit gleichmäßig über


0), auch wenn
è·
das Volumen verteilt. Der Diffusionsstrom wäre dann Null (
è2
weiterhin thermische Bewegung vorherrscht (Rauschen).

G* ⋅ exp F-/ Q ein. Im Mittel erreichen die


• Bei konstantem Nachschub ( n(x=0) = n1 = const ) stellt sich räumlich die
exponentielle Verteilung G -
Elektronen dann tatsächlich die Entfernung Ln von der Einspeisestelle, wie
oben angenommen.

• Für einen Löcher-Diffusionsstrom und nachrückende Elektronen gelten


entsprechende Formeln.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 59


Elektronische Bauelemente

6 Dioden
6.1 Abrupter pn-Übergang
6.1.1 Thermodynamisches Gleichgewicht
Annähern eines p-dotierten an einen n-dotierten Kristall:

p Diffusion n
WL WL
WFn

WFp
WV WV

Diffusion

Kontaktstelle: Diffusion von Majoritätsträgern ins gegenüberliegende Gebiet

p Raumladungszone n dort Rekombination →


+ + + + + + (RLZ) - - - - - - -
Zone ohne freie Ladungsträger
- - - - - - -
-
E -
+
- - - - - -
(Raumladungszone = RLZ)
+ + + + + + +
- - - - - - -
E-Feld vom n-Gebiet ins p-Gebiet
-

behindert Majoritätsträgerdiffusion,
ρ
beschleunigt Minoritätsträger
x
(Driftstrom)

thermisches Gleichgewicht wenn


E x
Diffusion und Drift sich ausgleichen

W
E-Feld bewirkt Spannung und Energie-
differenz über der RLZ →
Bandabsenkung
x

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 60


Elektronische Bauelemente

pn-Übergang im thermodynamischen Gleichgewicht:

Leitungs-
Diffusion
band - -
Drift - -
- - - -
- - - - - - - -
WF
+ + + + + + + +
Valenz-
band + + + +
+ + Drift
+ Diffusion + x

Fermi-Niveau WF ist überall gleich: nur wenige Majoritätsträger können über die
RLZ diffundieren, genau so viele Minoritätsträger driften zurück.

Δh hâR F hâQ hºR F hºQ h¨R F h¨Q


Bandabsenkung zwischen p- und n-Gebiet:

GJ ⋅ exp Ô Õ LM
äå 1äêw
GQH
•˜
n-Gebiet:

GRH GJ ⋅ exp Ô Õ
äå 1äê„ Qy-
•˜ ·ç
p-Gebiet:

GQH hà F hâQ F ehà F hâR g LN


exp ë ì LM ⋅
GRH kl GJ0

Δh LM ⋅ LN LM LN
exp – — → Δh kl ⋅ ln ë 0 ì
kl GJ0 GJ

Diffusionsspannung: Δh ⋅ %JXX →

LM LN ˜≔ kl/ ∶
˜ ⋅ ln ë ì
%JXX
GJ0
Temperaturspannung
300 K: UT = 26 mV

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 61


Elektronische Bauelemente

6.1.2 Spannung in Sperrrichtung


U sperr
- + RLZ wird breiter →
p n E-Feld wird stärker →
- - - - - -
+ + + +
-- - - - - Bandabsenkung um e⋅Usperr größer
E
- +
- - - - - -
+ + +
-
+
- - - -
+
- - Majoritätsträger können nicht mehr
über RLZ diffundieren

Leitungs-
band
-
Drift -
- -
- - - -
WF
- - - - - - - -
+ + + + + + + + e. U sperr
Valenz-
band + + + +
+ +
+ Drift
+
x

Minoritätsträger driften vom E-Feld


gezogen durch die RLZ → np0
RLZ
an den Rändern sind die n(x) pn0
Minoritätsträgerdichten ≈ 0 p(x)

Nachschub durch Diffusion aus den p- x- Ln Lp x


und n-Gebieten → Diffusionsstrom

b⋅ ⋅ ⋅ GRH b ⋅ ⋅ ⋅
Mw Mw Qy-
nachrückende e- aus p-Gebiet: %JXX,Q ºw ºw ·æ

%JXX,R b⋅ ⋅
M„ M„
⋅ IQH b⋅ ⋅ ⋅
Qy-
º„ º„ ·ç
nachrückende e+ aus n-Gebiet:

“Q “R
→ kleiner Sperrstrom

b ⋅ ⋅ GJ0 ⋅ ë ì
Q ⋅ LN ⋅ L
r
R M

Is hängt (näherungsweise) nicht von der Sperrspannung ab!

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 62


Elektronische Bauelemente

6.1.3 Spannung in Flussrichtung


RLZ wird dünner →
UF
+ -
E-Feld wird schwächer →
Bandabsenkung um e⋅UF kleiner
p n
- - - - - - -
+ + + + + + + - wegen Fermi-Verteilung können
E - - - - - - -
exponentiell mehr Majoritätsträger
- +
- - - - - - -
+ + + + + + + - +
- - - - - - - - über die RLZ diffundieren; dort
erhöhen sie die Dichte der
Minoritätsträger (Faktor exp Ô å Õ
'
' í

Leitungs- Diffusion -
band
- - -
Drift - - - -
- - - - - - - -

WF e.UF
+ + + + + + + +
Valenz-
band + + + + Drift
+ + +
+ Diffusion x

Minoritätsträgerdichten am Rand der RLZ:

GR GRH ⋅ exp à /kl


IQ IQH ⋅ exp à /kl
n(x) p(x)

Die Überschuss-Ladungsträger
RLZ
diffundieren tiefer in die n- und p-
Gebiete und rekombinieren →
np0
Diffusionsstrom pn0
x- Ln Lp x

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 63


Elektronische Bauelemente

IQH ⋅ exp Ô Õ ⋅ exp Ô å Õ


⋅'å Qy- '
I - 0
•˜ ·æ ' í
Löcher:

MJXX,R ⋅ b ⋅ “R ⋅ ÔF Õ F ⋅ b ⋅ “R ⋅ –F — ⋅ I -
èR *
è2 º „

MJXX,R b⋅ ⋅ ⋅ exp Ô å Õ
M„ Qy- '
ºÁ º„ ·æ ' í

MJXX,Q b⋅ ⋅ ⋅ exp Ô å Õ
Mw Qy- '
ºÁ ºw ·ç ' í
Elektronen:

Die Diffusionsströme nehmen exponentiell mit dem Abstand zur RLZ ab, werden
dafür ergänzt durch den zunehmenden Strom nachrückender Majoritätsträger.
Der Wert des Diffusionsstroms am Rand der RLZ bleibt so erhalten.

Der Gesamtstrom setzt sich zusammen aus:

- Elektronendiffusionsstrom
- Löcherdiffusionsstrom
- außerdem driften weiterhin Minoritätsträger über die RLZ
→ Is in Sperrrichtung

Gesamtstrom: MJXX,R MJXX,Q F ©

b ⋅ GJ0 ⋅ – — ⋅ îexp Ô' Õ F 1ï


M„ Mw '
º„ ·æ ºw ·ç í

⋅ Ôexp Ô Õ F 1Õ ; ≔ , 300 ñ 26 j‘
' •˜
r ' ˜ ˜
í
ideal:

Wenn Ladungsträger in der RLZ rekombinieren, verringert sich der Strom. Den
Verlust beschreibt der Idealitätsfaktor (auch Emissionskoeffizient) N:

⋅ –exp – — F 1—
N = 1..2: Idealitätsfaktor
r
L⋅
Si: N ≈ 2
˜ Ge: N ≈ 1
LED: N = 2…7

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 64


Elektronische Bauelemente

6.2 Großsignal-Beschreibung
Zerlegung von zeitabhängigen Signalen


(Strömen und Spannungen) in

, ≫ ,
Gleichanteil (=Großsignal) und

Kleinsignal mit Mittelwert 0:

Sinn: nichtlineare Zusammenhänge


nur fürs Großsignal
(konstant; nur einmal zu berechnen)

Kleinsignal wird linear genähert.

6.2.1 Statische Diodenkennlinie


Die Diode enthält zusätzlich zum pn-Übergang ohmsche Widerstände in den p-
und n-Gebieten (serieller Bahnwiderstand RS, typ. 0,1 Ω … 3 Ω).

L⋅ ⋅ ln – 1— ⋅
p n
RS
˜ ©
r

I/mA
60
50 Ge Si Ge: IS = … µA,
40 N≈1

30
Si: IS = … nA,
20 N≈2
10
-30 -20 -10 U/V
0,2 0,4 0,6 0,8
2

4
-I/µA

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 65


Elektronische Bauelemente

6.2.2 Arbeitspunkt
Der Arbeitspunkt (AP) ist die Kombination aus Gleichstrom durch und
Gleichspannung an der Diode.

Der Arbeitspunkt wird mit einer Spannungsquelle und einem Widerstand zur
Strombegrenzung eingestellt:

U An der Diode gilt:

© ⋅ –exp – — F 1—
I UR ˜

Am Widerstand ist

⋅ F →
U0 R

F

H

Das sind 2 Gleichungen für die 2 Unbekannten UAP und IAP.

U0 I
R Grafisch kann man dieses Gleichungssystem

beiden Funktionen für den Strom I darstellt;


lösen, indem man im gleichen Diagramm die

Schnittpunkt ist der AP.

Die zweite (lineare) Gleichung entspricht der


IAP Arbeitsgeraden.

UAP U0

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 66


Elektronische Bauelemente

6.2.3 Lineare Näherung (Knickkennlinie)

Lineare Näherung für I ≫ IS:


Entspricht einem Widerstand rD
in Reihe zu einer Spannungsquelle US US rD

Ersatzparameter aus Diodenkennlinie:

I/mA
Tangente im Arbeitspunkt (AP) õ , Nö ÷
60

:
50

40 Steigung Δ /Δ 1/øM ÎM
(differentieller Leitwert)
30

20 Schnittpunkt auf U-Achse: US


(Schwellenspannung)
10
U/V
0
US

Bestimmung aus der Diodengleichung:

1 é 1
⋅ exp – —⋅ .
øM,J% ‰ é ©
L⋅ ˜ L⋅ ˜ L⋅ ˜

øM,W
·⋅'í
(mit Bahnwiderstand: ‰ ¹ ©)

©

F Nö
⋅ øM Nö
FL⋅ ˜ F © ⋅ Nö

Praktischer Nutzen: Vereinfachte Schaltungsberechnung


Grundlage für Kleinsignalersatzschaltbild

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 67


Elektronische Bauelemente

6.2.4 Durchbruchmechanismen
Bei hohen elektrischen Feldstärken können auch in Sperrpolung große Ströme
fließen. Nur beim thermischen Durchbruch wird der Halbleiter zerstört.

6.2.4.1Thermischer Durchbruch
Der Sperrstrom r ~GJ0 steigt mit der Temperatur. Falls der Sperrstrom selbst die
Temperatur des pn-Übergangs erhöht, verstärkt sich die Erwärmung bis zur
Selbstzerstörung.

Der thermische Durchbruch tritt i.a. nur auf bei

• Halbleitern mit geringem Bandabstand → hohem Sperrstrom (z.B. Ge)


• hohen Umgebungstemperaturen

6.2.4.2Zener-Effekt
Bei hoher Sperrspannung existieren für Valenzelektronen des p-Gebietes freie
Plätze im n-Gebiet auf dem gleichen Energieniveau. In hoch dotierten Dioden wird
die RLZ so schmal, dass Elektronen hindurch tunneln können.

Leitungsband

Valenz-
band

p-Gebiet n-Gebiet x

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 68


Elektronische Bauelemente

6.2.4.3Lawinen-Durchbruch
In normal dotierten Halbleitern
können schnelle Ladungsträger p-Gebiet RLZ n-Gebiet
durch Stöße die Generation von
weiteren Elektron/Loch-Paaren
bewirken. Wenn diese durch das
hohe elektrische Feld ebenfalls
stark beschleunigt werden, tritt
eine ganze Lawine von
Ladungsträgern auf.

6.2.4.4Durchbruch-Kennlinie
Überschreitet die Sperrspannung den Wert UBR, dann gilt für den Strom
'ùú #'

1
F ·ùú 'í
mit
µ U < 0: Diodenspannung (nur pn-Übergang)
UBR : Durchbruch-Kniespannung
IBR : Durchbruch-Kniestrom
NBR : Durchbruch-Idealitätsfaktor

Allerdings dominiert auch hier bei größeren Strömen der Bahnwiderstand RS, so
dass man den Kennlinienverlauf durch eine Knickkennlinie nähern kann:

-UBR I/mA
U/V

-IBR

~ 1/RS

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 69


Elektronische Bauelemente

6.3 Kleinsignal-Verhalten
6.3.1 Sperrschichtkapazität

2
⋅ F g
› e MJXX
Breite der RLZ hängt von der

ºÁ û 1 1
angelegten Spannung U ab:

LN LM
(Flussrichtung U > 0, für abrupten
Sperrrichtung U < 0) pn-Übergang

⋅ , ⋅
·æ ·ç
dRLZ verteilt sich aufs
p- und n-Gebiet: R ºÁ ·æ #·ç Q ºÁ ·æ #·ç

Die RLZ wirkt wie ein Kondensator:

b
p-Gebiet n-Gebiet

Ä© ›H ⋅ ›W ⋅ Sperrschicht-
ºÁ kapazität

Q- = NA.dp Q + = N D .d n

CS
Mit steigender Sperrspannung
wird cs kleiner:

U
UDiff
allgemein gilt:

Är ~ e F g

%JXX mit m: Gradationsexponent (auch Kapazitätskoeffizient)

Gradationsexponenten verschiedener Dotierungsprofile:


NA NA NA
x x x
ND x ND x ND x

abrupt linear hyperabrupt


m = 0,5 (Kapazitätsdiode)
m = 0,2…0,3

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 70


Elektronische Bauelemente

6.3.2 Diffusionskapazität
In Flussrichtung sind die neutralen Bereiche von Minoritätsträgern
überschwemmt, mit UF erhöhen sich auch die Ladungsdichten:

Annahme: ND ≫ NA → n ≫ p
n(x)
p(x)

-
G - GRH ⋅ exp – — ⋅ exp –F —
RLZ
L ˜ Q

np0
pn0 šQ ü ⋅G⋅ ‘
-x x

þ
- þ
šQ ⋅b⋅ýG - ⋅ - b ⋅ GRH ⋅ exp – — ⋅ exp –F —⋅ F Ê
L ˜ Q
Q
H
H

šQ b ⋅ GRH ⋅ exp – —⋅
L ˜
Q

Daraus kann man eine differentielle Kapazität ableiten, die Diffusionskapazität:


éšQ 1
ÄM ≔ šQ ⋅
é L ˜

Sie kann auch durch den Strom ausgedrückt werden:


šQ
. MJXX,Q b⋅G - 0 ⋅ PQ b ⋅ GRH ⋅ exp – —⋅
Q
L ˜ •Q •Q

1
ÄM •Q ⋅ ⋅ •Q ⋅ ÎM
L ˜

τn eingesetzt.
Dabei wurden der differentielle Leitwert gD und die Minoritätsträger-Lebensdauer

Beim Abschalten der äußeren Spannung U müssen die Ladungen, die in cD


gespeichert sind, abgebaut werden (s. Schaltverhalten).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 71


Elektronische Bauelemente

6.3.3 Kleinsignal-Ersatzschaltbild
Bei der Betrachtung von kleinen Änderungen um den AP herum kann man ein
linearisiertes Schaltbild erstellen, in dem nur noch die Wechselgrößen kleiner
Amplitude vorkommen.

Nichtlineare Parameter wie differentieller Widerstand oder Diffusionskapazität sind


(einmal) für den AP zu berechnen.

Außerdem kann man Konstant-Spannungsquellen durch Kurzschlüsse und


Konstant-Stromquellen durch Unterbrechungen ersetzen:

U = const.
∆u = 0 U+∆u

I+∆i I = const.
∆i = 0
Für die Diode ergibt sich als Ersatzschaltbild RS rD
(ESB) der differentielle Widerstand rD parallel
zu den Kapazitäten cS und cD, dazu kommt
der serielle Bahnwiderstand RS (mΩ … Ω):

Sperrrichtung: rD sehr groß und cD ≪ cS;


cS

und cD ≫ cS.
cD
Flussrichtung: rD klein

AP
U +∆u ∆u
AP
I +∆i ∆i RS rD

cS
AP
R I +R ∆i cD R ∆i

U0+∆u0 R ∆u0 R

Für kleine Frequenzen ( Är ÄM ≪ øM ) können die Kapazitäten vernachlässigt


werden und von der Diode bleibt nur rD (und evtl. RS) übrig.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 72


Elektronische Bauelemente

6.4 Kennzeichnung von Dioden


n p

Schaltzeichen:
K A
Kathode Anode

Typenbezeichnung: XXX 123 z.B. BAS 16

A: Germanium A: Signaldiode
B: Silizium B: Kapazitätsdiode
C: GaAs P: Fotohalbleiter
Q: LED
Y: Leistungsdiode
Z: Zener-Diode

Typenbezeichnung USA: 1N 1234 z.B. 1N 4002

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 73


Elektronische Bauelemente

6.5 Temperaturverhalten
6.5.1 Temperaturabhängigkeit der Kennlinie
Kennliniengleichung:

l ⋅ Ôexp Ô Õ F 1Õ
'
,l
U0 I
© ' í R T0+∆T

© ~ GJ ~l³ ⋅ exp ÔF Õ
0 ä
T0
•˜

Ein eingestellter Arbeitspunkt verschiebt IAP


sich deshalb auch, er muss aber weiterhin
auf der Arbeitsgeraden liegen.
U
U
UAP U0
I UR

U0 R

6.5.2 Erwärmung bei konstanter Leistung


In der Diode, genauer am pn-Übergang, wird elektrische Leistung P = U⋅I
umgewandelt in Wärme. Die Wärme verteilt sich von der Sperrschicht zum
Gehäuse, auf einen evtl. vorhandenen Kühlkörper und die Umgebung
(Platine/Luft).

Die Sperrschicht heizt sich deshalb am stärksten auf, das Gehäuse und
Kühlkörper deutlich weniger und die Umgebung (im Idealfall) gar nicht.

Umgebung
Tjunction Tcase Tsink Tambient
(ambient)

Kühlkörper
(heat sink)

P Rth,JC Rth,CS Rth,SA


Gehäuse
(case)

Sperrschicht
(junction)
Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 74
Elektronische Bauelemente

6.5.3 Erwärmung bei gepulster Leistung


Wechselt die Verlustleistung, dann folgt die Temperatur verzögert. Bei schnellem
Wechsel stellt sich ein fast konstanter Mittelwert ein.

Die Temperatur ist näherungsweise konstant l . ˆ ⋅ "i nur dann, wenn die
Zeitkonstante τth größer als die Periodendauer der Wechselleistung ist.

Andernfalls erreicht die Temperatur zeitweise höhere Werte lŠ 2 ˆŠ 2 ⋅ "i ,


was bereits zur Zerstörung des Halbleiters führen kann! (Wichtig bei
Gleichrichterdioden)

Datenblattangaben:

Duty-Cycle “
˜)yw
˜„) yx )

max. Gleichstrom IFDC

max. Impuls-Amplitude IFmax

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 75


Elektronische Bauelemente

6.6 Schaltbetrieb
Beim Betrieb in Flussrichtung finden sich an den Rändern der RLZ überschüssige
Ladungen (Minoritätsträger; siehe Diffusionskapazität).

Wird die Spannung an der Diode umgepolt (Ausschaltvorgang; A), werden diese
Ladungen vom elektrischen Feld über die RLZ gezogen und erzeugen einen
großen Strom IRmax in Sperrrichtung. Für die Dauer tS ist dieser Strom konstant
und sinkt dann ab (auf 10 % nach tfr). Wenn die Ladungen abgebaut sind,
reduziert sich der Strom auf den sehr kleinen Sperrstrom IS.

Beim Einschalten (B) wird die Sperrschichtkapazität vergrößert, deshalb fließt


zunächst ein höherer Strom als aus der Kennlinie zu erwarten wäre.

Die Reverse-Recovery-Zeit tRR ist die Dauer, in der der Ausschaltstrom auf 10 %
gesunken ist: © XW

u
UF
0
t
U0 R

UR
A B

i
IF ts tfr
tff
0
t

I Rmax
r

tRR=tS+tfr

•Q

à
.
H
2
In grober Näherung gilt:
Š 2
Š 2

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 76


Elektronische Bauelemente

6.7 Spezielle Dioden


6.7.1 LED
Fast alle Ladungsträger befinden sich an einer Bandkante (minimale Energie). Bei
Rekombination wird deshalb ziemlich genau die Energie WG (Bandabstand) frei.

Alle Ladungsträger haben einen bestimmten Impuls p = me⋅v. Bei direkten


Halbleitern haben e- und e+ den gleichen Impuls, bei indirekten sind sie
verschieden. Nur bei direkten Halbleitern kann eine Rekombination ein Foton
erzeugen, bei indirekten werden Energie und Impuls ans Kristallgitter abgegeben
(Fotonen haben keinen Impuls).

W W W W

Ge
Si

GaAs GaN

Impuls Impuls Impuls Impuls

Farbe Material Spannung bei


I ≈ 20 mA
Infrarot AlGaAs 2V
Rot-Orange-Gelb GaAsP 1,6 … 2 V
Grün GaP 2,5 V
Blau-UV InGaN 3,5 V

Linse

LED-Kristall

Anode Kathode
(lang) (kurz)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 77


Elektronische Bauelemente

6.7.2 Fotodiode
Aufbau:

hf >> Wg
Kontakt Fotonen mit hf ≥ Wg erzeugen ein
hf > Wg (Anode)
Elektron-Loch-Paar (Generation)

+
die Ladungsträger werden durch das
p +
Feld der RLZ auseinandergezogen →
Fotostrom
(RLZ) +
+
indirekte Halbleiter (Si, Ge): Fotonen
n
mit hf = Wg generieren kein e-/e+-Paar
Kontakt (Kathode) (fehlender Impuls), erst für hf > Wg
gibt es direkte Übergänge

ID

-U0 UD
EV=0

EV1 Solar-
zelle
EV2 Fotodiode

EV3
-U0/R

Fotodiode: Betrieb in Sperrrichtung Solarzelle: Betrieb als Quelle

ID<0
UD<0 ID<0
UD>0

U0

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 78


Elektronische Bauelemente

6.7.3 Schottky-Diode
Elektronen sind in vielen Metallen fester gebunden als in Halbleitern → Fermi-
Energie von Metallen ist meist kleiner als von Halbleitern, v.a. n-dotierten:

Metall n-Halbleiter Metall n-Halbleiter


Diffusion
WFn
WFme p - (W) WF
p - (W)
x x

Beim Metall-Halbleiter-Kontakt wechseln daher e- vom Halbleiter ins Metall →


RLZ (im Halbleiter) und Bandverbiegung wie bei pn-Diode
Gleiche Fermienergie WFn = WFme = WF

Spannungs-Strom-Charakteristik wie bei der Diode:

• Spannung in Flussrichtung: WFn > WFme → Elektronen diffundieren vom


Halbleiter ins Metall → großer Strom
• Spannung in Sperrrichtung: WFn < WFme → Diffusion stoppt → kleiner
Reststrom (e- aus Metall, die Löcher auffüllen)

Unterschiede zur pn-Diode: Symbol:

• Flussstrom wird nicht von Minoritätsträgern gebildet


→ keine Diffusionsladung / Diffusionskapazität (nur Sperrschichtkapazität)
→ hohe Grenzfrequenz (10 … 100 GHz)

• Schwellenspannung der Schottky-Diode: US ≈ 0,3 V

• höherer Sperrstrom bei Schottky-Dioden

Bei sehr hoher Dotierung wird die RLZ so schmal, dass auch in Sperrrichtung e-
fast ungehindert fließen können (Tunnel-Effekt). Dann entsteht ein einfacher
ohmscher Kontakt, keine Schottky-Diode.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 79


Elektronische Bauelemente

6.8 Anwendungen
6.8.1 Gleichrichter
U, URL

Einweggleichrichter:
t

RL
U

Spitzengleichrichter: U, URL

t
RL
C
U

IDiode

Brückengleichrichter:
~
U, UA

+
U t

UA
~

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 80


Elektronische Bauelemente

6.8.2 Begrenzung von Spannungsspitzen

öffnet
bei t1 Beim Ausschalten induktiver Lasten (Spulen)
IL entstehen hohe Spannungen entsprechend

⋅ , z. B. ∆ ” 1 µ’

º
U R

RF L UL → Gefahr von Überschlägen!

Durch eine parallelgeschaltete Diode (Freilaufdiode) kann der Spulenstrom sich


langsam abbauen, so dass UL deutlich reduziert wird.

6.8.3 Begrenzung einer Eingangsspannung

U0 Schutz eines IC-Eingangs:

UE IC Begrenzung von UE auf F ©; H ©

(US: Schwellenspannung der Diode)

6.8.4 Spannungsstabilisierung
I
In Zener-Dioden (Z-Dioden) nutzt man den
Zenereffekt oder den Lawineneffekt, um die UZ = 3 V .. 75 V
Spannung an einer Stelle des Netzwerks auf
genau die Durchbruchspannung UZ einzustellen. UZ U

Z-Dioden werden also immer im Sperrbereich


betrieben.
RV

U
UZ RL

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 81


Elektronische Bauelemente

6.8.5 Abstimmung von Schwingkreisen


Die Sperrschichtkapazität cS hängt von der Sperrspannung ab. Schwingkreise
kann man durch eine konstante Steuerspannung auf eine bestimmte Frequenz
einstellen.

Ust LK CK
Ua
C L

ua
cS C L

1
CrR WW
2Em ⋅ Ä©

In Kapazitätsdioden (Varicap) verwendet man hyperabrupte Dotierungsprofile,


um eine gewünschte Spannungs-Kapazitäts-Charakteristik zu erhalten.
Ä©H
Ä© r" Š
–1 r"

MJXX

UDiff: Diffusionsspannung

m: Gradationsexponent; m = 0,2 .. 0,5

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 82


Elektronische Bauelemente

6.9 Simulationsmodell der Diode


Jede Diode verfügt in SPICE über eine Modellbeschreibung der Form
.model mydiode d( param1=wert1 param2=wert2 …)

Eine Auswahl verfügbarer Parameter findet sich in der folgenden Tabelle:

Parameter SPICE Bezeichnung Werte für


(Skript) BAS16
©

N
IS Sperrsättigungsstrom 2,8 nA
N Idealitätsfaktor 1,87
µW Á BV Durchbruchspannung 50 V
µW IBV Durchbruchstrom (bei UBr) 100 µA
© RS Bahnwiderstand 1,35 Ω
Ä© CJO Sperrschichtkapazität 0,6 pF
MJXX

m
VJ Diffusionsspannung 0,2 V
M Gradationsexponent 0,1
• TT Minoritätsträger-Lebensdauer 1,5 ns
(Transitzeit)
hD EG Bandabstand 1,16 eV

Das vollständige SPICE-Diodenmodell beschreibt noch eine Vielzahl weiterer


Effekte:

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 83


Elektronische Bauelemente

6.10 Nichtlinearität
Der Diodenstrom hängt nichtlinear von der Diodenspannung ab; das führt dazu,
dass Signale verzerrt werden.

U0 : Einstellung des Arbeitspunkts

u(t) ⋅ cos 2EC* ⋅ : ideale Sinusform


I

U0+u(t) R
Wechselanteile von Diodenstrom und
Spannung am Lastwiderstand sind aber
nicht ideal sinusförmig.

Das führt im Fourier-Spektrum zu Oberwellen:

FFT(URL)
V(U0) V(URL)
2.0V

1.0V

f
0V
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms f1 2f1 3f1

Gewünscht/ideal ist nur die Grundschwingung.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 84


Elektronische Bauelemente

6.11 Rauschen
Die Diode erzeugt zwei Arten von Rauschen (noise):

• Thermisches Rauschen in den neutralen Zonen (Bahnwiderstand)

Q
m 0 m4kl © ⋅ ΔC

• Stromrauschen (auch Schrotrauschen) im pn- I(t)

Übergang (wegen statistischer Schwankungen


der Ladungsträgerzahl, die die RLZ überquert)

Q
m 0 m2 ⋅ ⋅ ΔC t

In beiden Fällen ist ∆f die Bandbreite, die die Schaltung überträgt.


Die Bandbreite wird begrenzt durch Filter oder die Grenzfrequenz

ΔC ‹ CD 1/ 2E ⋅ øM ⋅ Ä© ÄM
des Bauelements (parasitäre Elemente):

In
Das Kleinsignal-ESB kann man mit den
Un
Rauschquellen ergänzen: RS rD

cS

cD

Das Rauschen kann man beschreiben durch das Verhältnis einer gewünschten
Signalleistung zur Rauschleistung (SNR = signal-to-noise ratio)
ˆrJDQ ‰
¤L 10 ⋅ lg – — ´
ˆW &r i Q

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 85


Elektronische Bauelemente

7 Bipolar-Transistoren (BJT)
(BJT = bipolar junction transistor)

7.1 Verstärkerbetrieb

Emitter Basis Kollektor Emitter Basis Kollektor

n p n p n p

UBE UCB UEB UBC


+ +

Bänderschema des npn-Transistors:


E B C

Diffusion

Drift

e.UBE
WF

e.UCB
Diffusion

RLZ (BE) RLZ (BC)

Löcher: diffundieren von der Basis in den Emitter


→ „normaler“ Löcherstrom der BE-Diode

Elektronen: können massiv vom Emitter in die Basis diffundieren


werden von der BC-RLZ abgesaugt
→ großer Strom (deutlich größer als normaler Diodenstrom)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 86


Elektronische Bauelemente

Minoritätsträgerdichten im npn-Transistor:

E (n+) RLZ B (p) RLZ C (n)


pE(x),
nB(x),
pC(x)

n pC0
p B0
E0
Lp dB Lp x

Emitter Basis Kollektor


GJ0 GJ0 GJ0
I€H GµH I+H
thermodyn.
LM,€ LN,µ LM,+
Gleichgewicht

Rand BE-RLZ I€ - 0 Gµ - 0

I€H ⋅ exp – — GµH ⋅ exp – —


µ€ µ€

˜ ˜
Rand BC-RLZ Gµ - µ I+ - 0
F F
GµH ⋅ exp – —.0 I+H ⋅ exp – —.0
+µ +µ

˜ ˜

I€ - 0 Gµ - 0 F Gµ - I+ - 0
.0
µ
Gradient

R µ R

%JXX,Q b ⋅ “Q ⋅ ⋅ ⋅ îexp Ô Õ F exp Ô


Qy-
Õï
* 'ù 1'¬ù
·ç,ù %ù 'í 'í
e-:

. b ⋅ “Q ⋅ ⋅ ⋅ exp Ô Õ ⋅ exp Ô
Qy-
Õ
* 'ù 'ù
·ç,ù %ù 'í +© 'í

%JXX,R b ⋅ “R ⋅ ⋅ ⋅ exp Ô Õ ⋅ exp Ô


Qy-
Õ
* 'ù 'ù
e+:
·æ, º„ 'í µ© 'í

≪ R
µ
LN,µ ” LM,€ → +© ≫ µ© %JXX,Q ≫ %JXX,R
“R ” “Q
;

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 87


Elektronische Bauelemente

Stromverstärkung B:

. %JXX,Q ⋅ exp Ô Õ

E (n+) B (p) C (n)
+ +© 'í
IE IC
. %JXX,R ⋅ exp Ô Õ

µ µ© 'í

.
IB
€ + µ +
UBE UCB
+

GJ0 1
b ⋅ “Q ⋅ ⋅ exp Ô µ€
Õ⋅ “Q ⋅ LM,€ ⋅
LN,µ
´ .
+ ˜ µ R
GJ0 1 “R ⋅ LN,µ ⋅
µ
b ⋅ “R ⋅ ⋅ exp Ô µ€
Õ⋅ µ
LM,€ ˜ R

ideal: B unabhängig von UCB, weil exp F +µ / ˜ . 0


Steuerung von IC nur durch IB bzw. durch UBE

real: UCB ändert Breite der BC-RLZ, ändert also auch dB


ändert damit auch B (Basisweiten-Modulation)

.
%ù H
µ +µ
dB(0)
BC- *# ¬ù
çå
RLZ
(UAF: „Early-Spannung“)

“Q ⋅ LM,€ ⋅ R
´ ë ì ⋅ –1 —

“ ⋅ L ⋅
Z[[[[[\[[[[[]
R N,µ µ 0 Nà
dB(UCB)
µ : •qQr" Q"

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 88


Elektronische Bauelemente

7.2 Sättigungsbetrieb
Wenn sowohl die BE-Diode als auch die BC-Diode leitet (UCB < 0), werden
Minoritätsträger aus der Basis nicht mehr abgesaugt. Die Basis ist gesättigt mit
Minoritätsträgern (→ Sättigungsbetrieb). Die Trägerdichte in der Basis verläuft
dann flacher:
UBE>0 UCB<0
E B C
GµH ⋅ exp – —
µ€
BC-
nB(x) RLZ
˜
F
GµH ⋅ exp – —

n
B0
dB

Damit sinkt auch der Elektronenstrom Idiff,n, für UCB = -UBE wird Idiff,n = 0.

⋅ exp – — F exp –F —
µ€ +µ
%JXX.Q +©
˜ ˜

7.3 Inversbetrieb

leitet und die BE-Diode sperrt (UCB < 0, UBE ≪ 0). Der Strom IC ist dann negativ
Wegen des symmetrischen Aufbaus verstärkt der BJT auch, wenn die BC-Diode

(fließt aus dem Kollektor heraus), IB bleibt positiv (fließt weiterhin in die Basis
hinein, dann aber Richtung Kollektor: IB→C).

Wegen ND,C ≪ ND,E ist die Rückwärts-Stromverstärkung ´


1¹¬
¹ù
allerdings
wesentlich geringer als B.

Emitter Basis Kollektor


Mw ⋅·æ,¬ ⋅º„
´ ≪´
n p n M„ ⋅·ç,ù ⋅%ù

UEB UBC
+

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 89


Elektronische Bauelemente

7.4 Kennlinien
Den Transistor kann man als Eingang Ausgang
(nichtlineares) Zweitor ansehen.
Meist liegt der Emitter gemeinsam B C
an Eingang und Ausgang.

Beachte: µ€ F +µ +€
E E

7.4.1 Eingangskennlinie
Der Zusammenhang zwischen UBE und IB ist annähernd unabhängig von UCB und
damit auch unabhängig von UCE = UCB + UBE, der Ausgang hat fast keine
Rückwirkung auf den Eingang.

Der Basisstrom besteht hauptsächlich aus dem Löcher-Diffusionsstrom Idiff,p und


wie bei allen Dioden dem kleinen Sättigungs-Driftstrom IBS. Es ergibt sich die
übliche Diodengleichung, wobei meist der Idealitätsfaktor N ≈ 1 ist, weil die Basis
zu kurz für Rekombinationen ist:

N⋅M„ ⋅Qy-
µ %JXX,R F µ© µ© ⋅ –exp –
µ€
— F 1— µ©
º„ ⋅·æ,
mit
˜

IB
T0+∆T
Die Kennlinie zeigt die für Dioden
typische starke Temperatur- T0
abhängigkeit.

UBE

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 90


Elektronische Bauelemente

7.4.2 Ausgangskennlinienfeld
In jeder Betriebsart gilt:
F
%JXX,Q +© ⋅ exp – — F exp – —
µ€ +µ
+
˜ ˜

Für die Kennlinie ist es üblich, mit der Spannung UCE = UCB+UBE zu arbeiten:
F
+© ⋅ exp – — ⋅ 1 F exp – —
µ€ +€
+
˜ ˜

Berücksichtigt man noch, dass im Verstärkerbetrieb (UCE > UBE)


´⋅ ´H ⋅ Ô1 Õ⋅

+© µ© 'çå µ© gilt, ergibt sich insgesamt

+€ , µ ⋅ ´H ⋅ Ô1 Õ ⋅ î1 F exp Ô Õï
'¬ 1'¬
+ µ 'çå 'í

IC [mA]
80

Sättigungs-
T = const.
grenze 125 µA

60
Sättigungsbetrieb Verstärkerbetrieb 100 µA

40 75 µA
IB

50 µA
20
25 µA

0
IB<0
0 1 2 3 4 UCE [V]

Inversbetrieb

IC

Wegen der Basisweitenmodulation sind die


Kennlinien geneigt. Sie schneiden sich bei –UAF.
-UAF 0 UCE

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 91


Elektronische Bauelemente

7.5 Kennzeichnung von BJT

C E
B B
E C
Schaltbild: npn pnp (Pfeil in Richtung p→n-Übergang)

Bauformen:

Kleinsignal-Transistoren Leistungstransistoren

Typenbezeichnung:

(BJT + FET) XXX 123 X z.B. BC 550C

A: Germanium C: Kleinsignal nur einige:


B: Silizium D: Leistung
A: B ≈ 200
C: GaAs F: Hochfrequenz
B: B ≈ 300
L: HF + Leistung
C: B ≈ 500
P: Fototransistor
S: Schalten
U: Schalten + Leistung

Typenbezeichnung USA: 2 N XXXX

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 92


Elektronische Bauelemente

7.6 Arbeitspunkteinstellung
7.6.1 Ausgangskreis
Am BJT sind innerhalb gewisser Grenzen beliebige Spannungen UCE und
Ströme IC möglich. Durch die Vorgabe eines Basisstroms wird die Auswahl auf
eine einzelne Kennlinie des Ausgangskennlinienfelds beschränkt.

Durch die äußere Beschaltung ergibt sich dann ein eindeutiger Arbeitspunkt (AP).

Ausgangsmasche:
RC
H

+ ⋅ + €

+€
IC
F Nö
+ U0
Nö H +€
+
UCE
IB + €
-

RE

IC

U0
RC+RE

IB
AP
IC

UCE
AP
UCE U0

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 93


Elektronische Bauelemente

Die Wahl der möglichen AP wird eingeschränkt durch:


Š 2
1. + (bei Überschreiten Überlastung der Kontaktierung oder Elektromigration)
Š 2
2. +€ (Lawinendurchbruch der BC-Diode oder dB → 0)

3. ˆŠ 2 +€ ⋅ + Š 2 (bei Überschreiten Zerstörung durch Hitze)

4. „Zweiter Durchbruch“ (lokale Überhitzung)

Das Gebiet, das übrig bleibt, heißt „safe operating area“ (SOAR):

IC

SOAR
4

2
UCE

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 94


Elektronische Bauelemente

7.6.2 Basis-Spannungsteiler

erzeugt werden. Vorgehensweise (gegeben + , € , µNö , +Nö ; € . + ):


Der für den AP benötigte Basisstrom IB kann mit dem Spannungsteiler R1/R2

1. aus Nö
µ → Nö
µ€ (Eingangskennlinie); oder grob Nö
µ€ . 0,75 V

2. untere Eingangsmasche:
RC

R1
Nö Nö
IC 0 µ€ + €
IR1 IB + U0

IR2 UBE 3. sinnvolle Wahl von 0 ≫ Nö


µ ,
z.B. 0 10 ⋅ µNö →
-

R2
0/
UR2 RE RE IC
0 0

4. obere Eingangsmasche:

* H F 0 ; * 0 µ → * */ *

Nachteil Basis-Spannungsteiler:

• relativ hoher Strom IR2 belastet die Quelle


• 2 Widerstände benötigt

Vorteil:

• geringe Abhängigkeit von Transistorkennwerten


(günstig bei Serienproduktion oder Ersatz durch anderen BJT)

Achtung: Die Spannungsteilerformel gilt NICHT,


0
-
⋅ H

µ .
t# -
, wegen der Stromentnahme von

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 95


Elektronische Bauelemente

7.6.3 Basis-Vorwiderstand
Der Basisstrom IB kann auch mit einem einzigen Widerstand RB eingestellt werden

(mit µ€ aus Eingangskennlinie):

Eingangsmasche:

H µ ⋅ Nö Nö
€ ⋅ Nö
RC
µ µ€ +
RB →
IC
IB + U0

H F Nö
µ€ F € ⋅ Nö
+
µ Nö
UBE
µ
-

RE RE IC

Nachteil Basis-Vorwiderstand:

µ ~ 1/ µ ;

• Änderung des Basisstroms durch Temperatur verschiebt AP,
hängt stark vom Transistor ab (ungünstig für Massenproduktion)

Vorteil:

• nur ein Widerstand


• geringere Belastung der Quelle (RB ≫ R1 + R2 bei Spannungsteiler)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 96


Elektronische Bauelemente

7.7 Großsignalmodell
Der Transistorstrom IC lässt sich zerlegen in zwei Diodenströme:
F
+© ⋅ exp – — F exp – — ⋅ exp – —F1 F ⋅ exp – —F1
µ€ +µ µ€ µ+
+ +© +©
˜ ˜ ˜ ˜

Im Verstärkerbetrieb ist + ´ ⋅ µ (IB in Richtung Emitter), im Inversbetrieb gilt


F + ´ ⋅ µ (IB in Richtung Kollektor). Man kann alle Betriebsfälle vereinen zu

+ . ˜ ´⋅ µ€ F´ ⋅ µ+

Durch Vergleich mit der obigen Formel erhält man ein Modell mit zwei Dioden und
einer gesteuerten Transfer-Stromquelle IT (Gummel-Poon-Modell), wie es auch
PSPICE verwendet:

n p n
IT = B IBE - BR IBC
E RES RCS C

IBE IBC
RBS

Im Modell sind auch die Bahnwiderstände zu erkennen. Achtung: die beiden


Dioden sind nicht identisch!

Das Großsignalmodell wird verwendet, um den Arbeitspunkt (Gleichströme und


Gleichspannungen) zu bestimmen. Die eigentlichen Signale sind reine
Wechselgrößen und werden im Kleinsignalmodell berücksichtigt.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 97


Elektronische Bauelemente

7.8 Kleinsignalmodell
7.8.1 ESB für niedrige Frequenzen
Das Kleinsignalmodell stellt eine linearisierte Beschreibung dar, die in der
Umgebung des Arbeitspunktes (Verstärkerbetrieb!) gültig ist. Je größer die
Amplitude der Wechselsignale, umso größer wird der entstehende Fehler.

Eingang, BE-Diode:
IB
⋅ Ôexp Ô Õ F 1Õ

Diodengleichung: µ µ© 'í
AP
Die Kennlinie wird im AP linearisiert: IB

Δµ 1 Nö
ε€
µ
Δ µ€ øµ€
UBE
˜ AP
UBE

Ausgang, Stromquelle:

Der Transferstrom ˜ . + ´ ⋅ µ IC
wird vom Basisstrom gesteuert. iT wird
AP
deshalb als Stromquelle modelliert.
∆ iC
∆ uCE
iT ist nicht ideal, sondern hängt
schwach von UCE ab. Die
Abhängigkeit kann man mit -UAF 0 UCE
einem Innenwiderstand modellieren.

Δ˜ Nö
Î+€
+
Δ +€ Nö
+€ Nà

Ersatzschaltbild: iB C

˜ ´⋅ µ
B
´⋅ µ€ ⋅ ε€
¤⋅
uBE
µ€ gBE iT gCE

mit ¤ ´ ⋅ ε€ ´⋅
ç
¹ù ¹¬ç
'í 'í
(„Übertragungssteilheit“, formal E
ein Leitwert)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 98


Elektronische Bauelemente

7.8.2 ESB für höhere Frequenzen

Diffusionskapazität der Basis:

In der Basis finden sich Überschuss-Minoritätsträger (Elektronen bei npn), die bei
einer Spannungsänderung ∆uBE auf- oder abgebaut werden müssen:

šQ b⋅ ⋅ ⋅ GµH ⋅ exp Ô Õ
* 'ù
0 µ 'í BC-
RLZ
Mit dem Kollektorstrom

b ⋅ “Q ⋅ GµH ⋅ exp Ô Õ⋅%


'ù *
+ 'í
Qn
ù

kann man auch schreiben n


B0
šQ ⋅ ⋅ •µ ⋅
-
* %ù
+ +
dB
0 Mw

τB ist die Basis-Transitzeit.

Wie bei der Diode definieren wir eine (differentielle) Diffusionskapazität

éšQ 1 µ0 Nö
1 µ0
ĵ€ ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ ´ ⋅ ε€ •µ ⋅ ´ ⋅ ε€
+
é µ€ 2 “Q ˜ 2 “Q

Sperrschichtkapazität:

Die RLZ der BC-Diode bildet eine Sperrschichtkapazität ĵ+ ›H ⋅ ›W ⋅


N
%úÂ

Es gilt ĵ€ ≫ ĵ+ (vgl. Dioden, Diffusionskapazität ≫ Sperrschichtkapazität)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 99


Elektronische Bauelemente

Daraus kann man nun das Ersatzschaltbild nach Giacoletto zusammenbauen:

RBS iB cBC RCS

B C
uBE
gBE cBE iT gCE

RES
E

Symbol Element Formel Kommentar


.¤⋅
´
˜ µ€
Nö ¤ ´ ⋅ ε€
øµ€
gesteuerte

iT +
µ€
Stromquelle
˜

1 Nö
ε€ .
µ
øµ€
gBE Eingangsleitwert
˜


Î+€
+ meist

gCE Quellenleitwert
+€ Nà
vernachlässigbar

cBE Diffusionskapazität ĵ€ •µ ⋅ ´ ⋅ ε€ nur bei hohen


cBC Sperrschichtkap. Frequenzen
RBS
meist
RCS Bahnwiderstände
vernachlässigbar
RES

Der Transferstrom iT wird nur von dem Teil des Basisstroms gesteuert, der durch
gBE fließt. Der Rest des Basisstroms baut die Überschuss-Minoritätsträger auf und
ab (Laden/Entladen der Diffusionskapazität cBE und Sperrschichtkapazität cBC).

Die Wechselstromverstärkung ist daher frequenzabhängig:

´
.
˜

µ 1 ⋅ ĵ€ ⋅ øµ€

Die Übertragungssteilheit ¤


(formal ein Leitwert) ist frequenzunabhängig.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 100


Elektronische Bauelemente

7.9 PNP-Transistor
Transferstrom besteht aus Löchern UEB IE
im Vergleich zu NPN sind alle UEC
E
Spannungen und Ströme invertiert B
wegen µp < µn sind pnp-Transistoren IB
langsamer und verstärken weniger als
C IC
npn-Transistoren mit gleichen
technologischen Parametern
(Dotierung, Größe etc.).

Großsignalmodell: Kleinsignalmodell:

p n p E
IT = B IBE - BR IBC
E C
gBE iT gCE
uEB

IBE IBC iB

B C
B
˜ ⋅ µ ¤⋅ €µ

Sie werden deshalb nur zum Schalten oder in


Komplementär-Verstärkern (pnp + npn- Iout
Transistorpaar) eingesetzt.
npn
UCE
+UB
0 2UB
UE Inpn
t t

Ipnp t R Iout , Uout


t

-UB

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 101


Elektronische Bauelemente

7.10 Grenzfrequenzen
Basierend auf der Wechselstromverstärkung
´
.
˜

µ 1 ⋅ ĵ€ ⋅ øµ€

definiert man zwei Grenzfrequenzen des BJT:


|β|
B (Maßstab
B/√ 2 doppeltlog.)

1
f
fβ fT

C : | |
µ
√0
(ab hier macht sich die Frequenzabhängigkeit bemerkbar)

1
2EC ⋅ ĵ€ ⋅ øµ€ 1 → C
2Eĵ€ øµ€

C˜ : | | 1 (ab hier verstärkt der BJT gar nicht mehr; Transitfrequenz)


´ ´ 1
| |. 1 → C˜ ´⋅C
2EC˜ ⋅ ĵ€ øµ€ 2E ⋅ ĵ€ øµ€ 2E ⋅ •µ

Die Ursache der Transitfrequenz ist also die Basis-Transitzeit τB


(Zeitspanne, in der die Elektronen die Basis durchqueren).

Schaltungen mit Gegenkopplung besitzen noch mehr


Grenzfrequenzen; siehe Emitterschaltung!

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 102


Elektronische Bauelemente

7.11 Temperaturverhalten
7.11.1 Kennlinien
Sowohl der Basisstrom IB als auch der Kollektorstrom IC sind proportional zum
Quadrat der temperaturabhängigen Eigenleitungsdichte ni² (vgl. Diode).

Wie sich bei einer Temperaturänderung der Arbeitspunkt verschiebt, hängt von
der äußeren Beschaltung ab:
IB
1. Aus der Eingangskennlinie mit
Arbeitsgerade kann man die

Änderung von µ€ bzw. µNö ablesen.

UBE

2. Mit dem neuen µNö sucht man nun im IC

Kennlinie + µ , +€ .
Ausgangskennlinienfeld die passende

3. Wiederum mit Hilfe einer Arbeitsgeraden



findet man die neuen Werte von +€ und +Nö . UCE

Ist ein Emitterwiderstand RE vorhanden, dann ist die Eingangs-Arbeitsgerade von



+ abhängig. In diesem Fall kann man nur iterativ zu einer Lösung kommen,
indem man die Schritte 1.-3. mehrfach wiederholt, um zu besseren Ergebnissen
zu kommen.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 103


Elektronische Bauelemente

7.11.2 Leistung
Im Transistor wird Leistung umgesetzt in Wärme. Anders als bei der Diode ist hier
aber zwischen Gleich- und Wechselleistung zu unterscheiden:

Die Gleichleistung ergibt sich zu ˆ_ +€ ⋅ + . Strom und Spannung haben


Nö Nö

gleiche Orientierung, deshalb wird Leistung verbraucht und erwärmt den BJT.

Die Wechselleistung ˆ~ ˜ ⋅ +€ ” 0 wird abgegeben (an den Lastwiderstand)


und verringert deshalb die Gesamtleistung ˆD r ˆ_ ˆ~ .

IC>0 uCE<0

UCE>0
iT>0

Die Erwärmung wird wieder über den thermischen Widerstand bestimmt:

Δl "i ⋅ ˆD r

als die Wärmezeitkonstante • "i ⋅ "i .


Die Erwärmung ∆T ist nur dann konstant, wenn die Wechselsignale schneller sind

7.12 Nichtlinearität
Wie die Diode ist der BJT ein nichtlineares Bauelement; größere Auslenkungen
aus dem Arbeitspunkt führen zu Verzerrungen.

Das gilt vor allem bei Spannungssteuerung durch uBE.


Die Steuerung durch eingeprägtes iB hingegen ist fast linear!

IC IC

UBE IB

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 104


Elektronische Bauelemente

7.13 Rauschen
Auch beim BJT zeigen die ohmschen Bahnwiderstände thermisches Rauschen,
und an den beiden pn-Übergängen entsteht Schrotrauschen (Stromrauschen).

Das Rauschen der Bahnwiderstände kann meist vernachlässigt werden, evtl. mit
Ausnahme von RBS, weil die Rauschspannung verstärkt wird.

Es ergibt sich damit ein erweitertes Kleinsignal-ESB:


Un
RBS cBC C

IBE,n gBE cBE iT gCE ICE,n

Q m4kl ⋅ µ© ⋅ ΔC µ€,Q v2 ⋅ Nö
µ ⋅ ΔC +€,Q v2 ⋅ Nö
+ ⋅ ΔC

Auch hier wird die Bandbreite ∆f begrenzt entweder durch äußere Beschaltung
(Filter) oder durch parasitäre Elemente, d.h. die Grenzfrequenz fβ des BJT.

Zur Beschreibung des Rauschens in Zweitoren dient die Rauschzahl F (in dB).
Sie beschreibt, um wie viele dB sich das SNR am Ausgang verschlechtert:

¤L €JQD QD F ¤L N&rD QD ´

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 105


Elektronische Bauelemente

7.14 Simulationsmodell
SPICE verwendet ein erweitertes
Gummel-Poon-Modell zur Be-
schreibung von BJT. Es enthält auch
die Wechselsignal-Komponenten,
z.B. Sperrschichtkapazität, Basis-
Transitzeit (→ Diffusionskapazität)
sowie Rauschquellen.

Eine Auswahl der verfügbaren


Parameter findet sich in der
folgenden Tabelle:

Parameter SPICE Bezeichnung Werte für


(Skript) BC550C
Sperrstrom der Transfer-
ICS IS 7,05 fA
Stromquelle IT
B BF Stromverstärkung 493
BR BR Rückwärts-Stromverstärkung 2,9
UAF VAF Early-Spannung 23,9 V
RBS RB Basis-Bahnwiderstand 10 Ω
cBC CJC Sperrschichtkapazität BC-Diode 5,5 pF
τB TF Basis-Transitzeit 420 ps
WG EG Bandabstand 1,11 eV

Mit den Anweisungen

.model mybjt npn(param=wert …) oder

.model mybjt pnp(param=wert …)

kann man SPICE diese und weitere Parameter mitteilen.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 106


Elektronische Bauelemente

8 Feldeffekt-Transistoren (FET)
8.1 MOS-FET
8.1.1 Inversionskanal
Beispiel n-Kanal-MOSFET: Auf p-dotiertem Substrat befinden sich zwei n-Zonen:
Source und Drain. Dazwischen liegt isoliert die Gate-Elektrode. Durch eine
positive Spannung UGS > Uth > 0 (Uth: Einsatzspannung) werden Leitungs-
elektronen aus dem p-Gebiet bis zur Isolationsschicht angezogen und bilden
dort einen n-leitenden Kanal im p-Gebiet (Inversionskanal).
UGS > Uth > 0
Gate (G) SiO2
Drain
(D)
Source
(S)

Inversions-
kanal
L

Substrat = Bulk (B)

Zwischen p- und n-Gebieten bildet sich eine Raumladungszone (RLZ) aus.

Die SiO2-Isolationsschicht stellt zusammen mit der Gate-Elektrode und dem


Inversionskanal einen Kondensator dar mit einer Kapazität
⋅h
© ›H ›©J -

©J -

Die im Kanal gespeicherte Ladungsmenge ist

š i F © ⋅ © F "i

Uth ist die Einsatzspannung (threshold), die nötig ist, damit sich ein Kanal bildet.
Uth hängt von der p-Dotierung und Randeffekten der SiO2-Schicht ab.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 107


Elektronische Bauelemente

8.1.2 Kanalstrom

Geschwindigkeit P μQ ⋅ M© / . Nach der mittleren Zeit • i /P ist diese


Eine Spannung UDS zwischen Drain und Source setzt Qch in Bewegung mit der

Ladungsmenge quer durch den Kanal gewandert und stellt damit einen
|œ!" |
Kanalstrom M #!"
dar. Qch wird von der Quelle UGS laufend ersetzt.

Die Spannung zwischen Gate


UGS > Uth > 0 und Kanal hat nur an der
UDS
Source-Seite den Wert UGS.

S D Sie verringert sich zur Drain-


Seite hin, wo nur noch
n
+ +
n UGS – UDS wirkt. Damit
befinden sich dort auch
RLZ weniger Ladungen im Kanal
als auf der Source-Seite.
L
Die Kanalladung ergibt sich
p aus dem Durchschnitt der
Spannungen

© © F M©
2
Damit können Kanalladung und Kanalstrom angegeben werden:

š F ⋅e F "i g F ⋅– F F "i —

i © © ©
2

⋅Ô F M©
F "i Õ
©
⋅– F

F "i — ⋅ μQ ⋅
© © 2 0 ©
2 M©
M 0/ μQ ⋅ M©


ID ist eine Funktion von UDS, deshalb nennt man diesen Arbeitsbereich
Widerstandsbereich. Der Kanalwiderstand wird von UGS gesteuert und ist für
kleines UDS ungefähr
0
1
. ⋅– — wenn ≪ F

i
M μQ ⋅ © ©F "i
M© © "i

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 108


Elektronische Bauelemente

UGS > Uth > 0 U >U -U ID ist an jeder Stelle des Kanals gleich
DS GS th
groß, wird aber zur Drain-Seite von
S D weniger Elektronen getragen
(geringere Kanaldicke), die sich zum
n
+
n
+ Ausgleich schneller bewegen müssen.
UDS

ist Pr " . 10• Äj/’, bei der die


UDSP=UGS-Uth Die obere Grenze der Geschwindigkeit
RLZ
Kanaldicke fast 0 ist (Abschnürung,
Kanalabschnürung
v = vsat pinch-off). Das ist bei
p M© © F "i : M©ö

der Fall. (UDSP: Abschnürspannung).

Für UDS > UDSP verschiebt sich der Abschnürpunkt um ∆L ≪ L in den Kanal
hinein.

W r" FΔ .
© F "i an. Hier gilt:
Am nicht abgeschnürten Bereich der Länge liegt die
Spannung M©ö
1
š i,W r" F ⋅ ⋅
2 © M©ö

Die Laufzeit der e– in diesem Bereich ist

²
• .
W r"
i,W r"
P μQ ⋅ V μQ ⋅ M©ö μQ ⋅ M©ö

daraus folgt der Strom

š i,W r" 0
⋅ μQ ⋅ ⋅ μQ ⋅ F
© M©ö © 0
M
• i,W r" ² 2 2 ² © "i

ID ist völlig unabhängig von UDS. Der FET arbeitet in diesem Bereich
(Sättigungsbereich) als Stromquelle, die nur von UGS gesteuert wird. Im
Gegensatz zum BJT fließt kein Steuerstrom.

Im abgeschnürten Bereich wird der Kanal nicht mehr durch die Gatespannung
aufrechterhalten, sondern wird erzwungen durch den Strom, der im nicht
abgeschnürten Kanalteil entsteht und weiterfließen muss. Es liegt die Spannung
UDS-UDSP an, die aber nichts bewirkt, da sich die e– bereits mit vsat bewegen.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 109


Elektronische Bauelemente

Ideale Kennlinie:

Widerstandsbereich ID
⋅Ô F F "i Õ ⋅
D
¼w +%& 'æ&
M º- © 0 M©
G
UGS UDS
S
Sättigungsbereich
⋅ ©F
¼w +%& 0
M 0º² "i

Widerstands Sättigungs-
bereich bereich
ID ID
25 25
Sättigung:
20 UDS > UGS-Uth 20

15 15 UGS

10 10

5 5
Uth
0 0
0 2 3 4 5 UGS 0 2 4 6 8 UDS

Im Widerstandsbereich hat jeder ID-Kennlinienast unterschiedliche Steigung!

8.1.3 Substratsteuerung
Das Substrat (bulk, body) kann über einen eigenen Anschluss (B) verfügen. Durch
eine Sperrspannung UBS zwischen Bulk und Source (beim n-Kanal MOSFET mit
p-Substrat negativ) wird die RLZ erweitert und der Kanal damit verkleinert.

Effektiv ändert sich die Einsatzspannung Uth um ein Δ "i ~mΦ | µ© | F √Φ,
wobei Φ eine transistorabhängige Konstante ist.

Wo dieser Effekt nicht gezielt genutzt wird, ist das Substrat mit Source
kurzgeschlossen (UBS = 0).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 110


Elektronische Bauelemente

8.1.4 Abweichungen von idealer Kennlinie


Kanallängenmodulation (vgl. Basisweitenmodulation beim BJT)

Durch die Spannung UDS > UDSP (Sättigung) verschiebt sich der Abschnürpunkt in
den Kanal um die kleine Länge ∆L, deren Wert von UDS abhängt.

Wegen M ~1/ F Δ ² ändert sich also ID auch im Sättigungsbereich mit UDS.

Näherungsweise kann man im Sättigungsbereich annehmen

⋅ μQ ⋅ F ⋅ ' ( ⋅ )*+
© 0
M
2 ² © "i

Der Kanallängen-Modulations-
ID
parameter λ (Einheit 1/V) spielt
die gleiche Rolle wie beim BJT
die Early-Spannung (λ → 1/UAF).
Die Kennlinien sind im
Sättigungsbereich leicht geneigt;

treffen sich bei M© F1/,.


alle verlängerten Kennlinien -1/λ 0 UDS

Kurzkanal (L unter 1 µm):

abgeschnürten Kanalteil die e– mit Pr " . 10• Äj/’ bewegen.


UDS führt zu hoher Feldstärke E = UDS/L, so dass sich auch im nicht

die Kanallaufzeit • i /Pr " ist konstant → Sättigungsstrom ist


Fš i
⋅ F
©
M
•i • i
© "i

und hängt nicht mehr quadratisch, sondern nur noch linear von (UGS-Uth) ab.

Drain-Reststrom

Auch für UGS = 0 bewirkt eine Kanalspannung UDS einen sehr kleinen Reststrom
IDSS (Datenblatt: cutoff current), nämlich den Sperrstrom der Substrat-Drain-Diode
(n-Kanal) bzw. Substrat-Source-Diode (p-Kanal).
Wichtig für Schalteranwendungen!

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 111


Elektronische Bauelemente

8.1.5 Verarmung und Anreicherung


Durch positiveres UGS wird der n-Kanal erweitert (Anreicherungsbetrieb,
enhancement); ein p-Kanal wird durch negativeres UGS erweitert.
Da bei UGS = 0 kein Kanal vorhanden ist, ist dieser MOSFET selbstsperrend.

D n-Kanal D p-Kanal
selbstsperrend selbstsperrend
G B (Anreicherungstyp, G B (Anreicherungstyp,
S enhancement) S enhancement)

ID ID UGS Uth 0 UDS

UGS
ID ID
UGS
Uth UGS UDS
0 0 0

Indem der Bereich des Kanals (schwach) dotiert wird, kann die Einsatzspannung
Uth eingestellt werden.

Bei n-Dotierung (auf p-Substrat) kann bereits bei UGS ≤ 0 ein n-Kanal vorliegen,
der mit negativem UGS kleiner wird. In diesem Fall liegt ein selbstleitender
MOSFET vor, der im Verarmungsbetrieb (depletion) arbeitet. Entsprechend für
n-Substrat (p-Kanal).

Der Drain-Reststrom ist M©© ≔ M © 0 ≫0

D n-Kanal D p-Kanal
selbstleitend selbstleitend
G B (Verarmungstyp, G B (Verarmungstyp,
S depletion) S depletion)

ID ID 0 Uth UDS
UGS
UGS
IDSS IDSS
ID
UGS
Uth UGS UDS
ID
0 0 0

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 112


Elektronische Bauelemente

8.2 Sperrschicht-FET
JFET = Junction FET:
UGS < 0
Gate Gate und Kanal sind nur
durch zwei RLZ getrennt.
Source

Drain
+
p
RLZ Die Breite des Kanals kann
n durch eine Sperrspannung
RLZ UGS < 0 verkleinert werden.
+
p

Kanal

UGS < 0 UDS > 0


Mit der Spannung UDS fließt
Gate ein Kanalstrom ID. Der
Source

Kanal schnürt sich zur


Drain

+
p
Drain-Seite ein, weil dort
RLZ die größere Sperrspannung
n
RLZ UGS-UDS herrscht. Die
p
+ Elektronen dort fließen
schneller.

UGS < 0 UDS > UDSP Für UDS > UGS-Uth = UDSP
Gate (Abschnürspannung) hat
der Kanal an der Drain-
Source

Drain

+
p seite nur noch minimale
Dicke.
n
sich mit Pr " 10• Äj/’
Die Elektronen bewegen
+
p und ID bleibt annähernd
konstant.
Abschnürung

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 113


Elektronische Bauelemente

Auch beim JFET unterscheidet man den Widerstandsbereich (UDS < UDSP), in
dem ID = f(UDS) ist und der Kanalwiderstand von UGS gesteuert wird, und dem
Sättigungsbereich, wo ID konstant ist (von UGS gesteuerte Stromquelle).

Die Kennliniengleichungen sind:


4 4
Widerstandsbereich: M »H ⋅ M© F »* ⋅ m M© %JXX F © »* ⋅ m %JXX F ©

Sättigungsbereich: M M©© ⋅ 1F © / "i ² , IDSS ist wieder ID(UGS = 0)

Da zwischen Gate und Kanal immer eine RLZ liegen muss, arbeitet der JFET
nur im Verarmungsbetrieb. Es fließt ein sehr geringer Gatestrom, der Sperrstrom
der Gate-Kanal-Diode (pn-Übergang).

D D
n-Kanal JFET p-Kanal JFET
G G
S S

ID ID 0 Uth UDS

IDSS ID UGS
UGS
ID
UGS
Uth UGS UDS IDSS
0 0 0

JFET werden heute seltener verwendet, da die MOSFET-Technologie sehr


ausgereift ist. Ein Vorteil des JFET bei höheren Frequenzen ist die kleine Gate-
Kapazität (die RLZ-Dicke ist größer als die Oxiddicke des MOSFET).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 114


Elektronische Bauelemente

8.3 Arbeitspunkteinstellung
Die Spannung am Gate wird mit einem Spannungsteiler eingestellt. Da kein Gate-
Strom fließt, wird der Spannungsteiler nicht belastet (anders als beim BJT).

U0 ID
U0
RD RS+RD
R1 ID IDRS

UDS AP
UR2 IDAP
UGS IDRS
R2 RS
UDS
UAP
DS U0

M© , M und
Nö Nö
1. wähle RS (U0 gegeben).

2. aus Eingangskennlinie folgt ©

© 0 F M ⋅ © 0 H ⋅ -
t# -
3. aus Maschengleichung: folgt
wähle R1 oder R2 frei (Größenordnung MΩ) und berechne anderen Widerstand

4. aus Maschengleichung: H M ⋅ M © M© folgt RD

F M ⋅ © zu bewirken.
Bei selbstleitenden Typen, auch JFET, genügt ein einzelner Widerstand vom Gate
nach Masse, um ©

ID RD U0

0V
UGS<0
R2 RS

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 115


Elektronische Bauelemente

8.4 Temperatureinfluss
8.4.1 Kennlinie
⋅ μQ ⋅ F
+%& 0
temperaturabhängige Parameter: M 0º² © "i

• Beweglichkeit µn der Ladungsträger im Kanal (µ↓ für T↑, damit auch ID↓)

• Einsatzspannung Uth (|Uth|↓ für T↑, damit ID↑)

ID ID bei großem UGS dominiert µn


(Strom ID sinkt mit T),

für ein bestimmtes UGS ist ID völlig


unabhängig von der Temperatur,

Uth UGS UDS bei UGS ≈ Uth dominiert Uth-Effekt


(Strom ID steigt mit T).

8.4.2 Wärmeableitung
Da die Temperatur im Kanal einen bestimmten Wert nicht überschreiten darf, ist
die maximale Verlustleistung begrenzt, abhängig von der Wärmeableitung über
den thermischen Widerstand Rth.

Im Datenblatt finden sich Angaben zur Lastminderung (derating) und zu gepulster


Leistung (vgl. Diode und BJT).

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 116


Elektronische Bauelemente

8.5 Kleinsignalmodell
Für niedrige Frequenzen stellt der FET nur eine gesteuerte Stromquelle dar,
wobei das Gate vollkommen isoliert ist. Der Strom ergibt linearisiert

⋅Δ ¤⋅
è¹æ
˜ è'%& © © RGG cGD RDD

Wegen der Kanallängen- iT


G D
modulation ist die Strom-
uGS
quelle nicht ideal, sondern cGS cDS gDS
hat einen Innenleitwert gDS.

Für höhere Frequenzen müssen


die parasitären Kapazitäten RSS
berücksichtigt werden. S

Die Bahnwiderstände RGG, RDD und RSS werden selten benötigt.

ÎM© . ¤.
ã¹æ ã¹æ
ã'æ& ã'%&
liest man als Steigung ist die Steigung der

der ID(UDS)-Kennlinie im ID(UGS)-Kennlinie im


Arbeitspunkt ab Arbeitspunkt

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 117


Elektronische Bauelemente

Im Datenblatt sind die Kapazitäten häufig nach der Zweitor-Leitwert-Darstellung


angegeben:

Zweitorleitwerte: - ./0

)
ESB

i ÄJrr Ä © Ä M Ä © ÄJrr F ÄWrr


G D
u
S S
i Äqrr ÄM© Ä M ÄM© Äqrr F ÄWrr
G D u
S S
i ÄWrr Ä M Ä M ÄWrr
u G D
S S

Bei welcher Frequenz sich die Kapazitäten bemerkbar machen, hängt von der
äußeren Beschaltung ab.

Bei einer Eingangsspannungsquelle mit Innenwiderstand entsteht uGS durch


komplexe Spannungsteilung. Bei einem hohen Innenwiderstand macht sich
cGS (und evtl. cGD und cDS) bereits bei niedrigen Frequenzen bemerkbar.

1/ ÄJrr
RQ G cGD
⋅ œ
iG D
uQ iT ©
1/ ÄJrr œ


œ
uGS
1 ÄJrr
cGS cDS gDS
œ

Jrr ⋅
Da das Gate isoliert ist, fließt kein Gleichstrom hinein. Wechselstrom iG kann aber
über cGS und cGD fließen, © . Für Wechselströme kann man wie beim
BJT eine Stromverstärkung β angeben:

˜ ¤⋅ © ¤
ÄJrr ⋅ © ÄJrr

Bei der Transitfrequenz fT ist |β| = 1, daraus folgt


¤

2EÄJrr

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 118


Elektronische Bauelemente

Bei der Messung der Zweitor-Leitwerte (Kapazitäten) darf der Kurzschluss nur für
den Wechselanteil und nicht den Arbeitspunkt gelten, deshalb ein großer
Kondensator zwischen D und S!
U0

uDS=0
RQ

uQ UDS>0
Arbeitspunkt!

8.6 Nichtlinearität
Die Verzerrungen bei Spannungssteuerung sind beim FET geringer, weil der
Zusammenhang zwischen ID und UGS quadratisch ist, beim BJT zwischen IC und
UBE exponentiell.

Die Exponentialfunktion hat viele Oberwellen, so entstehen beim BJT mehr


störende Frequenzanteile.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 119


Elektronische Bauelemente

8.7 Rauschen
Rauschquellen sind:

• thermisches Rauschen des Kanals:


n4kl ⋅ ⋅ ΔC
M©,Q
3

Der Leitwert des Kanals geht nur zu 2/3 ein!

• Bahnwiderstände, von denen evtl. RGG relevant ist (Verstärkung)

Q m4kl ⋅ ⋅ ΔC

• 1/f-Rauschen des Kanals (vernachlässigbar über 1 kHz)

G cGD D
iT IDS,n
RGG Un
cGS cDS gDS

∆f ist wieder die Bandbreite der Schaltung (bis zu einer 3dB-Grenzfrequenz) oder
die Bandbreite des Transistors.

Auch beim FET ist im Datenblatt meist eine Rauschzahl F (dB) angegeben.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 120


Elektronische Bauelemente

8.8 Simulation
8.8.1 MOSFET
LTspice verfügt über n- und p-Kanal-MOSFET-Elemente mit und ohne
Substratanschluss (NMOS/PMOS bzw. NMOS4/PMOS4).

Jedem Element muss ein Modell zugeordnet werden:

.model myfet nmos(…) oder .model myfet pmos(…)

Darin können mit LEVEL verschiedene Modelle gewählt werden; es stehen u.a.
folgende Parameter zur Verfügung:

Parameter SPICE Bezeichnung Einheit


(Skript)
RGG RG Gate-Bahnwiderstand Ω
L, W L, W Kanallänge- und breite m
cGS/W, CGSO,
parasitäre Kapazitäten pro Kanalbreite F/m
cGD/W, CGDO

© ⋅ μQ
Uth VTO Einsatzspannung V
ñ 0
KP Konstante für ID A/V²
λ LAMBDA Kanallängen-Modulationsparameter 1/V
dSiO2 TOX Gate-Oxiddicke m
µn UO Beweglichkeit (im Kanal) cm²/Vs
Φ PHI Potential für Substrat-Steuerung V

8.8.2 JFET
Es stehen p- und n-JFET bereit (PJF, NJF). Modellparameter sind u.a.:

Parameter SPICE Bezeichnung Einheit


(Skript)
Uth VTO Einsatzspannung V
λ LAMBDA Kanallängen-Modulationsparameter 1/V
CGS,
cGS, cGD parasitäre Kapazitäten F/m
CGD
IS IS Gate-Sperrstrom A

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 121


Elektronische Bauelemente

9 Transistoranwendungen
9.1 Leistungsverstärker
9.1.1 Emitterschaltung mit RE (BJT)
Der Emitter ist hier gemeinsamer
Anschlusspunkt für Eingang und
R1 RC
Ausgang.
uA
Die Kondensatoren sind so groß, iB + U0
dass sie für alle betrachteten
Wechselsignale Kurzschlüsse uBE -
uE
darstellen. Auch die Spannung U0 ~
ist für Wechselsignale ein R2 RE RL
Kurzschluss.

Als Lastwiderstand kann auch RC


dienen, der aber zusätzlich zu
Wechselsignalen auch vom AP-
Gleichstrom +Nö durchflossen wird.
gCE
B r E iT C
BE
uE
~ iB
Im WS-ESB liegen die Widerstände uA
R1/R2 sowie RC/RL parallel.

1 ´ ⋅
RE R C RL
µ ˜ µ
R1||R2
Durch RE fließt
so dass

€ µ ⋅ øµ€ µ ⋅ 1 ´ ⋅ € µ ⋅ øµ€ ´ 1 ⋅ €

Die Ausgangsspannung beträgt

F ⋅ +‖ º F´ ⋅ ⋅ +‖ º F´ ⋅ ⋅ +‖ º
&
N ˜ µ Wù # µ#* ⋅

Für große B ist ´ 1 . ´ und ´⋅ € ≫ øµ€ , so dass

+‖ º
P' . F
N

€ €

näherungsweise unabhängig vom Transistor wird. Wegen gCE kann die


Spannungsverstärkung aber nicht beliebig groß gemacht werden.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 122


Elektronische Bauelemente

Für die Quelle uE stellt der Transistor einen Widerstand

ø€ øµ€ 1 ´ ⋅ .´⋅

€ €
µ

dar; der gesamte Eingangswiderstand beträgt

ø€ )z * ‖ 0 ‖ø€ . * ‖ 0 ‖´ €

Leerlaufspannung N º → ∞ und Kurzschlussstrom N º 0 :


Den Ausgangswiderstand bestimmen wir wie bei einer Ersatzquelle über

N º →∞ F + ⋅ ˜

N º 0 F ˜

→∞
øN
N º

N º 0 +

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 123


Elektronische Bauelemente

9.1.2 Emitterschaltung ohne RE (BJT)

Parallel zum Emitterwiderstand befindet


sich ein Kondensator, der alle R1 RC
betrachteten Wechselsignale über RE uA
kurz schließt. iB + U0

uBE -
uE
~
R2 RE RL

B C
uE uA
Im WS-ESB liegen die Widerstände ~ gBE gCE
R1/R2 sowie RC/RL parallel, und der
Emitter liegt direkt auf Masse.
R1||R2 iT RC RL

Wechselstrom-
Vernachlässigt man gCE, dann gilt IC Arbeitsgerade
für die Ausgangsspannung ~ 1/(RC||RL)

N +€ F ˜ ⋅ + || º

Gleichstrom-
Arbeitsgerade
Im Ausgangskennlinienfeld iT ~ 1/(RC+RE)
entspricht dieser Zusammenhang
uA UCE
der Wechselstrom-Arbeitsgeraden.

(Die Gleichstrom-Arbeitsgerade gilt nur noch für langsame Änderungen)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 124


Elektronische Bauelemente

Mit ˜ ´⋅ µ ´⋅ € ⋅ ε€ ¤⋅ € ergibt sich die Wechselstrom-Verstärkung

P' F´ ⋅ ε€ ⋅ + || º F¤ ⋅ + || º
N

Für die Quelle uE stellt der Transistor einen Widerstand


1
ø€ øµ€

µ ε€

dar; der gesamte Eingangswiderstand beträgt

ø€ )z * ‖ 0 ‖øµ€

Der Ausgangswiderstand bestimmt sich wie bei der Emitterschaltung mit


Gegenkopplung und ergibt wieder

→∞
øN
N º

N º 0 +

Im Vergleich zur Emitterschaltung mit Gegenkopplung ergibt sich hier:

• eine größere WS-Verstärkung vU


• ein kleinerer Eingangswiderstand
• der gleiche Ausgangswiderstand

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 125


Elektronische Bauelemente

9.1.3 Frequenzabhängigkeit
U0
In realen Schaltungen ist die RB RC
• Eingangsspannung uE nicht ideal CK uA
(Innenwiderstand RQ) und die CK

• Koppelkapazitäten (CK, CE) sind RQ uE


endlich. uQ ~
RE CE
RQ ≪ rBE ≪ B⋅RE ≪ RB;
cBC ≪ cBE ≪ CK)
(Annahmen:

P' N / £ ist frequenz-


vU (doppelt- Die Spannungsverstärkung
v3 log.)
abhängig, weil der Innen-
v2
widerstand RQ der Quelle mit
CK, CE und den Transistor-
1 2 3 4 kapazitäten cBE und cBC
f
Spannungsteiler bildet.
f1 f2 f3 f4

CK Hochpass CK/re:
1 f < f1:
rBE
≪ 1/
RQ re
C* . 1/ 2E ⋅ ø ⋅
uE Grenzfrequenz
œ Ã; RC Ã
≪ 1/
uQ ~
€ € uA
ø µ‖ øµ€ ´⋅
RB RE
€)
. ´ ⋅ €

P0 . F
+
2 f1 < f < f2: gegengekoppelte Emitterschaltung

P4 . F¤ ⋅ +
3 f3 < f < f4: Emitterschaltung ohne Gegenkopplung

Ab C0 . wird CE immer wirksamer, ab C4 .


* *
0s⋅ ⋅+ 0s⋅+ /©
ist die WS-
Gegenkopplung zu vernachlässigen.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 126


Elektronische Bauelemente

4 : Die Verstärkung vU sinkt ab f4 ≪ fβ (Transistorgrenzfrequenz). Dafür ist der


Miller-Effekt verantwortlich, der die kleine Kapazität cBC am Eingang eines
Spannungsverstärkers enorm vergrößert erscheinen lässt:

C N P⋅


+
iE €
v = v
⋅ F
iE
€ N
uE uA uE uA
(1-v)C
⋅ 1FP ⋅

Bei einem Spannungsverstärker erscheint eine Querkapazität um den Faktor


1-v vergrößert am Eingang. Da die Emitterschaltung als Spannungsverstärker
arbeitet, wirkt die kleine Sperrschichtkapazität cBC vergrößert.

Am Eingang liegt dann die effektive Kapazität

Ä XX . ĵ€ 1 ¤ ⋅ + ⋅ ĵ+
RQ
uQ ~
ceff rBE
uE
RQ und ceff bilden einen
RC
Spannungsteiler (Tiefpass)
uA
mit der Grenzfrequenz

C; .
*
0s⋅ 1 ⋅ )uu

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 127


Elektronische Bauelemente

9.1.4 Source-Schaltung (FET)

werden (øµ€ → ∞, ´/øµ€ → ¤).


Das Äquivalent zur Emitterschaltung; fast alle Formeln können einfach übertragen

Source ist hier gemeinsamer Anschlusspunkt (Masse) für Eingangs- und


Ausgangskreis.
U0
RD G D
uE uA
R1 uA ~ cGD
gDS
uE cGS
~ uGS R1||R2 iT RD RL
R2 RS RL

⇒ P' F¤ ⋅ M || º
N
N F ˜ ⋅ M || º

Belastung der Quelle ue mit: ø€ )z *‖ 0

→∞
øN
N º
0 M
Ausgangswiderstand:
N º

Frequenzabhängigkeit: Wie bei der Emitter-Schaltung wird durch den Miller-


Effekt die Wirkung von cGD auf den Eingang um 1–vU vergrößert. Die
Grenzfrequenz der Verstärkung beträgt (mit Quellen-Innenwiderstand RQ):
1
C;
2E ⋅ œ ⋅ ÔÄ © Ä M ⋅ e1 ¤⋅ M‖ º gÕ
untere Grenzfrequenz f1: da der Eingangswiderstand des FET → ∞, wirken nur

1
noch R1/R2:
C*
2E ⋅ * ‖ 0 ⋅ Ã

• geeignet zur Verstärkung hochohmiger und niederohmiger Spannungen


• Übertragungssteilheit (transconductance) S beim FET typisch 10 mS
(kleiner als beim BJT)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 128


Elektronische Bauelemente

9.2 Stromverstärker
9.2.1 Kollektorschaltung (BJT)

Der Kollektor ist hier gemeinsamer R1


Anschlusspunkt für Eingangs- und
Ausgangskreis (Masse); das erkennt iB + U0
man allerdings erst im WS-ESB: uA
uBE -
Da der Kollektor an U0 liegt, befindet uE
~
er sich wechselspannungsmäßig auf R2 RE RL
Masse.

gCE
Anders als bei der B rBE E iT C
Emitterschaltung hat hier uA bzw.
uE
RL direkten Einfluss auf den ~ iB uA
Eingangskreis (auf iB):

R1||R2 RE RL

N Z[
[\[
˜ µ ⋅
[] €‖ º
µ#* ⋅Jù

øµ€
µ ⋅ øµ€ µ ⋅ õøµ€ ´ 1 ⋅ €‖ ÷ N⋅ 1
€ N º
´ 1 ⋅ €‖ º

Verstärkung, Eingangswiderstand und Ausgangswiderstand sind dann:

1
P' . 1
N
øµ€
€ 1
´ 1 ⋅ €‖ º

ø€ D *‖ 0‖ – — * ‖ 0 ‖ õøµ€ ´ 1 ⋅ €‖ º ÷

r
µ

→∞ P' ⋅ 1
øN . øµ€ ⋅
N º €
0 ´ 1 ⋅ € ´ 1
øµ€
N º

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 129


Elektronische Bauelemente

9.2.2 Drain-Schaltung (FET)


Drain ist gemeinsamer Anschluss von Eingangs- und Ausgangskreis
(vgl. Kollektor-Schaltung):
U0
gDS D
R1 G u S
GS iT
uA uE
uE ~
uA
~ uGS
R2 RS RL
R1||R2 RS RL

N ˜ ⋅ ©‖ º ¤⋅ © ⋅ ©‖ º ¤ ⋅ ©‖ º
P' .1
N
¤⋅ F ⋅ ©‖ º ⇒ € 1 ¤ ⋅ ©‖ º

Belastung der Quelle ue mit: ø€ )z *‖ 0

→∞ 1
øN ©‖
N º ©
0 1 ¤⋅ ¤
Ausgangswiderstand:
N º ©

• wegen vU ≈ 1 gibt es keinen Miller-Effekt, die Grenzfrequenz der Kollektor-/


Drain-Schaltung liegt wesentlich höher als bei der Emitter-/Source-Schaltung
• Einsatz als Spannungsfolger = Impedanzwandler (kleines rA)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 130


Elektronische Bauelemente

9.3 Basisschaltung (BJT)


uA
iE
Im WS-ESB liegt die Basis auf Masse. uE
~ RC RL
Wegen iT ≈ -iE ist die Stromverstärkung R1
etwa 1; die Spannungsverstärkung ist U0

F ˜⋅ +‖ º +‖ º
R2
P' . ´⋅
N

€ Føµ€ ⋅ µ øµ€

Der Eingangswiderstand ist


Føµ€ ⋅ øµ€
gCE
ø€ .
€ µ
F˜ ´
iE E C

iT
uE
~ iB
Wegen der hohen Grenzfrequenz (kein rBE uA
Miller-Effekt) und des geringen Eingangs- RC RL
B
widerstands wird die Basisschaltung in
Hochfrequenz-Verstärkern eingesetzt (kleine
Antennenwiderstände).

Eine Gate-Schaltung beim FET gibt es; sie ist aber weniger interessant, weil der
hohe Eingangswiderstand des FET nicht zur Geltung kommt.

9.4 Vergleich der Grundschaltungen


Emitter-/ Kollektor-/ Drain- Basis-
Source- schaltung schaltung
schaltung

Spannungsverstärkung groß ≤1 groß

Stromverstärkung groß groß 1

Eingangswiderstand mittel sehr groß sehr klein

Ausgangswiderstand mittel sehr klein mittel

Grenzfrequenz mittel hoch hoch

Einsatz Spannungs- Spannungsfolger HF-Verstärker


verstärker (Impedanzwandler)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 131


Elektronische Bauelemente

9.5 BJT-Schalter
9.5.1 Arbeitsbereiche

IC UCB=0
U0
3
RC
2
IC
UCB
R1
UCE
Ust IB UCE
0,7 V 1

AP 1 : Für eine Steuerspannung Ust ≤ 0 ist IB ≈ 0 und damit IC ≈ 0:


(IC = IC,rest: Sperrstrom der BC-Diode)
BJT sperrt (Off-Zustand)

AP 2 : Für einen bestimmten Wert von IB = IBAP2 ist UCE = UBE → UCB = 0
(Sättigung, +€ r " )
BJT leitet (On-Zustand)

AP 3 : bei noch höherem IB = IBAP3 wird UCE minimal, UCB < 0 (BC-Diode leitet)
BJT ist übersteuert (On-Zustand)

Der AP3 hat einen kleineren Wärmeverlust PV = UCE⋅IC als AP2!

Nö4
ü≔
µ
Verhältnis der Basisströme bei
Übersteuerungs-
Nö0
maximaler Übersteuerung (AP3) und
µ
faktor ü:
an der Sättigungsgrenze (AP2)

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 132


Elektronische Bauelemente

9.5.2 Schaltzeiten
Durch Lade- und Entladevorgänge der Sperrschicht- und Diffusionskapazität
treten beim Schalten Verzögerungen auf:

Ust
beim Übergang zum On-Zustand:

(1) schneller Anstieg von UBE t


0
(Aufladen von cBE)

(2) Überhöhung von IB beim Umladen


der Sperrschichtkapazitäten UBE

(3) danach Anstieg von IC 1 t


0

beim Übergang zum Off-Zustand:


IB 2

(negativer IB ≪ -IBS)
(4) Entladen der Diffusionskapazität
t
0
(5) Basis frei von Ladungen:
4
IC beginnt zu fallen
I 5
90% C
• tein lässt sich durch Übersteuerung
ü > 1 beschleunigen 3
• dabei wird aber die Basis gesättigt
10% t
mit Ladungsträgern 0
td tr ts tf
(Diffusionskapazität)
• taus verlängert sich durch tein taus

Diffusionsladung

Optimierung der Schaltzeiten durch U0


Basiskondensator C1 parallel zu R1:
RC
• Einstellung AP2 (ü=1) durch Widerstände R1, RC C1

• erhöhter Basisstrom bei Einschaltflanke (ü>1)


UCE
Ust
• schnelleres Ausschalten aus AP2 heraus R1 IB

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 133


Elektronische Bauelemente

9.5.3 Verlustleistung
Im On-Zustand (AP2, AP3) liegt noch eine kleine Spannung UCE am Ausgang an
(Größenordnung 0,1 V), die zusammen mit dem hohen Strom IC eine Verlust-
leistung erzeugt und den BJT erwärmt:

ˆ¨ +€ ⋅ + → Δl "i ⋅ ˆ¨

Im Off-Zustand liegt praktisch die gesamte Betriebsspannung U0 am Ausgang


an und es fließt ein sehr geringer Reststrom IC,rest der Größenordnung nA … µA
(Sperrstrom der BC-Diode; collector cut-off current). Die entstehende Verlust-
leistung ist meist zu vernachlässigen.

Beim Umschalten kann der Arbeitspunkt während tein und taus den Bereich
maximaler Verlustleistung überschreiten. Die mittlere Verlustleitung bereitet nur
bei hohen Schaltfrequenzen (niedrigen Schaltperioden T) Probleme:
⋅ ˆ JQ ⋅ ˆ &r ⋅ Š 2
⋅ lqQ
ˆ¨
JQ &r +€W r" +
l

Arbeitsgerade wird linear durchlaufen → ˆ JQ ˆ &r . ⋅


' ¹¬¸(3
0 0
ohmsche Last:

induktive Last: Strom ändert sich nur langsam, Spannung schnell →


ˆ JQ . 0, ˆ &r . ⋅
¹¬¸(3
H 0

kapazitive Last: Strom ändert sich schnell, Spannung langsam →


ˆ JQ . ⋅ , ˆ &r .0
' Š 2
0 +

IC IC IC
Pmax

UCE UCE UCE

ohmsch induktiv kapazitiv

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 134


Elektronische Bauelemente

9.5.4 Schalterarten
Der BJT arbeitet im Schaltbetrieb als umschaltbarer Widerstand

≫ 0: , ‹ 0:
+€ r "
r" qQ Š 2 r" qXX
+ +,W r"

der als Teil eines Spannungsteilers eine beliebige (wechselnde)


Eingangsspannung Ue schalten kann. Zwei Anordnungen sind denkbar:

Kurzschlussschalter:
R R
Ue Ua Ue Ua
R1
Ron
Ust Ust
Roff

Serienschalter:
Ron Roff
Ue Ua Ue Ua
R1
Ust R Ust R

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 135


Elektronische Bauelemente

9.6 FET-Schalter
9.6.1 Schaltverhalten ID
Auch beim FET kommt es Ust U0
zu Verzögerungen: RL

Ust
1 UGS ist kleiner als Uth
(FET sperrt)
t
UGS entsteht durch 0
Laden/Entladen von ciss
UGS
2 UGS > Uth, Source-Schaltung 3 3
Miller-Effekt setzt ein 1
Lade-Zeitkonstante von UGS 2 2 1 t
0
vergrößert sich

3 ID ist maximal, Miller-Effekt endet ID


90%
UGS nähert sich schnell USt

10% t
0
td tr ts tf
Vergleich mit BJT-Schalter:
tein taus
FET arbeitet schneller (cGS < cBE)
FET-Eingang verbraucht keine Leistung

9.6.2 CMOS-Inverter
Digitaler Schalter, bei dem sich ein p-Kanal-
und ein n-Kanal-MOSFET so ergänzen U0
(CMOS = complementary MOS), dass weder
bei Ue = 0 noch bei Ue = U0 Strom fließt.
Verlustleistung entsteht nur beim Umladen
der Gate-Kapazitäten.
UE UA

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 136


Elektronische Bauelemente

9.7 Zweitor-Matrizen
9.7.1 Transistor-Parameter
Aus dem ESB für niedrige Frequenzen kann man die Parameter der Y- und der H-
Matrix direkt ablesen. Die übrigen Matrizen lassen sich daraus berechnen.

Für einen BJT ergibt sich iB iC


B C

Î 0
uBE uCE

Æ µÇ Ì⋅È É ; Ì Æ µ€ Ç
µ€
¤ Î+€
gBE iT gCE
+ +€

Å*0 0, da es (fast) keine Rückwirkung des Ausgangs auf den Eingang gibt

Å0* ¤, weil ˜ ´⋅ µ ´ ⋅ ε€ ⋅ µ€ ¤⋅ µ€

Typ Gleichungen BJT FET


Í** ⋅ Í*0 ⋅
* * 0 ø 0 ∞ 0
Æ µ€ Ç Æ Ç
Í0* ⋅ Í00 ⋅ F´ ⋅ ø+€ ø+€ F∞ øM©
Z
0 * 0

Å** ⋅ Å*0 ⋅ Î 0
* * 0 0 0
Æ µ€ Ç Æ Ç
¤ Î+€ ¤ ÎM©
Å0* ⋅ Å00 ⋅
Y
0 * 0

°** ⋅ °*0 ⋅ ø 0
* * 0 ∞ 0
Æ µ€ Ç Æ Ç
´ Î+€ ∞ ÎM©
0 °0* ⋅ °00 ⋅
H
* 0

* Î** ⋅ * Î*0 ⋅ 0
ε€ 0 0 0
Ó ¤ Ö 4F ¤ øM© 5
Î0* ⋅ Î00 ⋅ F ø+€
Î+€ ÎM©
G
0 * 0

Î+€ 1
* ²** ⋅ 0 ²*0 ⋅ 0 F F ÎM© 1
6 ¤ ¤7 4F ¤
F 5
¤
* ²0* ⋅ ²00 ⋅ Î+€ 1́
F F 0 0
A
0 0
´
B = A-1 existiert nicht, weil die beiden Gleichungen für U1 und I1 nicht unabhängig
sind, deshalb kann man nicht eindeutig nach U2 und I2 auflösen

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 137


Elektronische Bauelemente

9.7.2 Kombination von Zweitoren


Die Kombination von Zweitoren, insbesondere die Rückkopplung, lässt sich durch
Matrizen leicht beschreiben:

Gesamt-
Kombination Beispiel
matrix

Reihen-
* 0
schaltung

Ì* Ì0

Parallel-
schaltung +

+ ∞

,* ,0
Reihen-
parallel-
schaltung

»* »0
Parallel-
reihen-
schaltung

b* ⋅ b0
´0 ⋅ ´*
Ketten-
schaltung

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 138


Elektronische Bauelemente

Beispiel: Emitterschaltung mit Gegenkopplung über Emitterwiderstand

R1 RC

uA + U0
uE
uE RL -
~
R2 RE RC RL
RE

ø 0
Æ µ€ Ç
µ8˜ F´ ⋅ ø+€ ø+€
Z-Matrix des BJT:

€ Æ € €
Ç, RE ≪ rCE
€ €
Z-Matrix von RE:

ø
Æ µ€ € €
Ç
D r µ8˜ € F´ ⋅ ø+€ € ø+€ €
Gesamt-Z-Matrix:

ø
. Æ µ€ € €
Ç , det . ⋅ ´ ⋅ ø+€
D r F´ ⋅ ø+€ ø+€ €

F 0
* * *
ø F
ÌD ⋅ Æ +€ Ç Ó * Ö. Ó * Ö
* € µ µW¬ µ
r µW¬ ´ø+€ øµ€ €
Wù #
0
Gesamt-Y-Matrix:
µ W¬

Y-Matrix von R1, R2, RC (π-Schaltung mit Y3 = 0):

0
* *

Ì*0+ Ó t -
Ö
0
*
¬

0
* * *

Ì© Ó Ö
t - µ
Schaltung Y-Matrix: i * *
¬

Å**
* * *
µ
Eingangsleitwert
t -

Å00
*
Ausgangsleitwert
¬

<
=-t
P' Î0* F F ⋅
&ç *
Spannungsverstärkung
& =-- +
Jç _H

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 139


Elektronische Bauelemente

9.8 Vergleich BJT mit FET

Vorteile des FET:

• bei niedrigen Frequenzen stromlose Steuerung


• kürzere Schaltzeiten, da keine Diffusionskapazität
• geringe Durchgangsverluste bzw. Spannungsabfall als Schalter
• höhere Integrationsdichte, niedrigere Maskenzahl → geringere Kosten

Nachteile des FET:

• kleinere Übertragungssteilheit S
• kleinere maximale Stromdichte
• MOSFET empfindlich gegen statische Aufladung

Die Entscheidung, ob ein BJT oder FET verwendet wird, fällt aber meist durch
Detailvergleich.

Die Bezeichnungen von Transistoren unterscheiden nicht nach FET oder BJT,
sondern nur nach Aufgaben (Schalter, HF, Kleinsignal, …) und so sollte man sich
bei der Auswahl eines Transistortypen an die tatsächlichen Anforderungen und an
die Datenblätter halten.

Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey V3.3 140