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Praktische Elektronik 3-1 Hans-Hellmuth Cuno

III Berechnung von Schaltungen

III.1 Die ideale Diode etc. des pn-Übergangs. Im Exponen-


Wegen der großen Bedeutung der ten stehen außer der Spannung U
Strom-Spannungs Kennlinie eines pn- und der Temperatur T nur die beiden
Übergangs für alle bipolaren Bauele- Naturkonstanten k und q.

kT/q hat die Dimension einer Spann-


nung, die bei 25 °C einen Wert von
25,69 mV hat. Nimmt die Spannung
um 25,69 mV zu, so wächst der
Strom um den Faktor e (=2,71828).
Dieser hängt also exponentiell von
der Spannung ab. Umgekehrt hängt
die Spannung logarithmisch vom
Strom ab, was bei der elektronischen
Logarithmierung ausgenutzt wird.
Ohne Spannung wird der Strom zu 0.
Negative Spannungen ergeben große
negative Exponenten der e-Funktion.
Ihr Wert ist gegen die Zahl -1 ver-
nachlässigbar, so daß der Sperrstrom
Abb. 3-1: Kennlinie ideale Diode der idealen Diode schon bei kleinen
Sperrspannungen den Wert -io er-
mente soll diese genauer betrachtet reicht.
werden. Man kann die Kennlinie einer
idealen Diode aus sehr grundlegen- Für die Berechnung der Verstärkung
den physikalischen Gesetzen herlei- von Schaltungen ist die Steilheit S
ten. Da dies den Rahmen dieser wichtig, die Änderung des Stroms in
Vorlesung sprengen würde, wird die Abhängigkeit von der Spannung. Die-
Formel vorgegeben: se entspricht der Steigung ∆ I ⁄ ∆ U
der Tangente an die Diodenkennlinie
 q⋅U (siehe Abb. 3-1). Ihr Wert ist gleich
 k⋅T 
i = io ⋅ ( e
 − 1) der Ableitung dI/dU der Formel für
Mit: q = 1,602 * 10-19 As = den Strom im Arbeitspunkt Io, Uo:
Elektronenladung
 q ⋅ Uo 
 
-23 Io = io ⋅ ( e  k ⋅ T − 1) =
k = 1,38 * 10 J/K =
Boltzmann Konstante
S = dI / dU =
 q ⋅ Uo 
T = °C + 273,15 =   q
S = io ⋅ ( e  k⋅T  ) ⋅
absolute Temp. in Kelvin
k⋅T
Diese Formel beschreibt auch reale Abgesehen von der zu subtrahieren-
Dioden sehr gut. Der Strom io hängt den 1 ist dies gleich:
ab von Fläche, Dotierung,Temperatur
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q mA
S = Io ⋅ = Io ⋅ 38,9 III.2 Die Faustformeln
k⋅T V
Aus der Formel der idealen Diode er-
Die Steilheit S ist also einfach gleich hielten wir für die Steilheit:
dem Strom Io * 38,9 (mA/V). S = dI/dU = 40 ⋅ If (mA/V), bei ande-
Für die Praxis runden wir auf: ren Transistortypen muß man die
S ≈ Io ⋅ 40 (mA/V) Steilheit dem Datenbaltt entnehmen.

Neben einer geringen Abhängigkeit Der Kehrwert der Steilheit dU/dI ist
von der Temperatur hängt die Steil- ein differentieller Widerstand. Der
heit also nur vom fließenden Ruhe- Steilheit S entspricht daher dem diffe-
strom ab. rentiellen Innenwiderstand dU/dI =
1/S. So beträgt bei einer Steilheit S
Die Größe des Stroms io soll einmal von 40 (mA/V) der differentielle In-
aus den Datenblattwerten einer rea- nenwiderstand 25 Ω.. In Kenntnis der
len Diode errechnet werden: Steilheit und des Innenwiderstands
können wir die Formeln für das elek-
Durch die Diode BAY41 fließt bei 0,6 trische Verhalten von Transistoren in
V und 25°C ein Strom von 2 mA. Man verschiedenen Anordnungen ableiten.
erhält: Die Ein- und Ausgangswiderstände
 600 
sind immer die differentiellen Innenwi-
 25.7  derstände.
2 mA = io ⋅ ( e  −1)
= io ⋅ ( e 23.3 - 1) = An Stelle von Emitter / Basis / Collek-
= io ⋅( 1,38 ⋅ 1010 - 1) tor treten bei FETs Source / Gate /
Drain.
Die subtrahierte 1 darf sicher ver-
nachlässigt werden und wir erhalten a) Eingangswiderstände Rein
den Wert von io : Basisschaltung
Am Emitteranschluß tritt völlig unver-
io = 2 mA / 1,38 ⋅1010 = 0,145 pA fälscht der Innenwiderstand der
BE-Diode auf:
io ist relativ stark von der Temperatur Rein = 1/S.
abhängig. Er ändert sich bei 1°C
Temperaturänderung um etwa 10 %. Emitterschaltung
Einfach zu merken sind die Anhalts- Der Basisstrom ist um den Faktor B
werte: (Gleichstromverstärkung) kleiner als
der Kollektorstrom. Daher ist der Ein-
1 °C Erhöhung: 1,1-facher Strom gangswiderstand B-mal so groß:
25 °C Erhöhung: 10-facher Strom Rein = B/S

Dies gilt gleichermaßen für Fluß- und


Sperrströme. Auf ähnlichen (Diffusi- Kollektorschaltung
ons-) Prozessen beruht auch die Alte- Der Basisstrom ist um den Faktor B
rung elektronischer Bauelemente. Zur kleiner (Emitterfolger) als der Emitter-
Zuverlässigkeit elektronischer Bau- strom (=Kollektorstrom). Die Stro-
elemente siehe Abschnitt III.5. maufnahme des Widerstands am
Emitter erscheint daher um den Fak-
tor B geringer an der Basis. Der Ein-
gangswiderstand an der Basis ist um
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Schaltung: Rein Raus Verstärkung

Emitter- B/S ∞ S ⋅ Ra
Basis- 1/S ∞ S ⋅ Ra
Kollektor- B ⋅ Rem 1/S 1

den Faktor B höher als der Emitterwi- ert über die Steilheit den Kollektor-
derstand: strom.
Rein = B ⋅ REmitter
∆ IC = S ⋅ ∆ UBE =
Das Gate eines Feldeffekttransistors = S ⋅ ∆ Uein
bzw. das Gitter einer Röhre sind Der Kollektorstrom verursacht die
stromlos. Die Eingangswiderstände Ausgangsspannung als Spannungs-
dieser Bauelemente sind daher bei abfall am Arbeitswiderstand:
Gleichspannung unendlich groß, bei ∆ Uaus = ∆ IC ⋅ Ra
Wechselspannung wirkt die Ein- Beim Einsetzen von IC erhalten wir:
gangskapazität.
∆ Uaus = S ⋅ ∆ Uein ⋅ Ra
b) Ausgangswiderstände Raus
∆ Uaus
Basis- und Emitterschaltung = V = S ⋅ Ra
∆ Uein
Sowohl in der Emitter- als auch der
Basisschaltung ist der Kollektor der Das ist die leicht zu merkende Formel
Ausgang. Der Kollektorstrom hängt für die Kleinsignalverstärkung V der
nur ganz geringfügig von der CE- Emitter- und der Basisschaltung, die
Spannung ab, so daß der Ausgangs- sich nur im Eingangswiderstand un-
widerstand beider Schaltungen sehr terscheiden.
hoch ist. Man darf ihn als unendlich
groß annehmen: Es sei nochmal betont, daß diese
Raus ≈ ∞ Formeln für alle Transistortypen gel-
ten. Bei FETs muß die Steilheit dem
Kollektorschaltung Datenblatt entnommen werden.
Am Emitter erscheint der Innenwider-
stand der (Emitterfolger) BE-Diode. Kollektorschaltung
Damit ist der Ausgangswiderstand Der Emitter folgt der Basis, wobei
gleich dem Kehrwert der Steilheit: eine Stromzunahme um den Faktor e
Raus = 1/S. die Basis-Emitter Spannung nur um
25,7 mV erhöht. Wir begehen also
c) Verstärkungen V nur einen minimalen Fehler, wenn wir
Wie bei den Widerständen der diffe- V = 1 setzen.
rentielle Widerstand gemeint ist, so
verstehen wir bei den Verstärkungen Damit sind alle Formeln gefunden.
die Spannungen und Ströme als klei- Die Fehler durch die Vereinfachun-
ne Auslenkungen vom Ruhewert aus. gehen meist in den Toleranzen der
Basis- und Emitterschaltung Bauelemente unter. Auf jeden Fall er-
Die Spannung an der BE-Diode steu- hält man mit geringem Rechenauf-
wand eine relativ gute Abschätzung.
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III.3 Durchrechnung einfacher zur Basis (4) von T1 zurückgeführt.


Verstärkerschaltungen Sie wirkt der Störung entgegen und
Die Auslegung einer elektronischen stabilisiert die Arbeitspunkte in der
Schaltung erfordert eine gewisse Er- Schaltung.
fahrung, wenn natürlich auch Grund-
regeln existieren. Die erste Arbeit an Nach dieser Überprüfung legt man
einer vorgegebenen, noch unerprob- die nicht vorgegebenen Spannungen
ten Schaltung ist die Prüfung der kor- und Ströme (=Arbeitspunkte) aller
rekten Polarität der Gleichspannungs- Transistoren fest. Ausgehend von der
gegenkopplung für die Festlegung gewünschten Ausgangsleistung oder
des Arbeitspunkts. Man nimmt dabei Gesamtstromaufnahme beginnt man
an, daß am Eingang durch eine kleine mit dem Kollektorstrom der Aus-
Störung die Spannung ein wenig an- gangsstufe und macht vom Ausgang
steigt und kennzeichnet dies durch ei- zum Eingang hin fortschreitend die
nen kleinen, nach oben gerichteten Ströme von Stufe zu Stufe um den
Pfeil. Am Ausgang der ersten Stufe Faktor 3-10 kleiner. Bei den Span-
wird dann, je nach Schaltung, die nungen achtet man auf einen mög-
Spannung ansteigen (Pfeil nach lichst großen Ausgangsspannungs-
oben) oder abfallen (Pfeil nach un- hub der Endstufe. In den davorliegen-
ten). So verfolgt man den Pfad der den Stufen ist durch die Verstärkung
Gleichstromgegenkopplung bis zum der Hub unkritisch.
Eingang zurück. Das am Eingang re-
sultierende Signal muß auf jeden Fall Die Spannung am Kollektor kann zwi-
der Störung entgegenwirken um eine schen der Versorgungsspannung und
Stabilisierung zu bewirken. der Emitterspannung (zuzüglich Sätti-
gungsspannung) schwanken. Man di-
mensioniert darum den Ruhestrom
und den Arbeitswiderstand für eine
Ruhespannung in der Mitte zwischen
diesen beiden Werten, also beim
arithmetischen Mittelwert.

Damit kann die Berechnung der pas-


siven Bauelemente und der Daten der
Schaltung beginnen. Hierzu sollen 2
Vereinbarungen getroffen werden, die
Abb. 3-2: Polarität der für alle besprochenen Schaltungen
Gegenkopplung Gültigkeit haben:

- Spannungsabfälle durch
Steigt in Abb. 3-2 durch eine Störung Basisströme werden
die Basisspannung (1) von T1 ein we- vernachlässigt
nig an, so fließt ein höherer Kollektor-
strom, der den Spannungsabfall an - Wenn nicht angegeben
R1 vergrößert. Die Basisspannung beträgt die Basis-Emitter
von T2 (2) sinkt und damit auch die Spannung UBE 0,65 V
Spannung an dessen Emitter (3). Die
niedrigere Spannung wird über R2
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B IC S Rein Ra V
T1 300 200 µA 8 mA/V 37,5 kΩ 4,12 kΩ 32,96
T2 200 1 mA 40 mA/V 5 kΩ 2,5 kΩ 100

Zwischenwerte und Ergebnisse der Rechnung

Zur Berechnung der Verstärkung und


des Eingangswiderstands empfiehlt
sich eine schematische Anordnung
der Vorgaben und Zwischenergebnis-
se, wie sie oben auf dieser Seite
steht.

Zuerst berechnet man immer die


Steilheiten und Eingangswiderstände.
Der wirksame Arbeitswiderstand von
T1 besteht nämlich aus der Parallel-
Abb. 3-3: Übungsschaltung 1
schaltung seines Arbeitswiderstands
Als 1. Beispiel soll die Übungsschal- R1 mit dem Eingangswiderstand von
tung 1 in Abb. 3-3 durchgerechnet T2. Dies ergibt 23,5kΩ || 5kΩ = 4,12
werden: kΩ für Ra. Da über die Belastung des
Ausgangs nichts gesagt ist, darf bei
Vorgegeben sind: T2 der Wert von R3 als Arbeitswider-
IC1 = 200 µA, B1 = 300, stand eingesetzt werden.
IC2 = 1 mA , B2 = 200,
R2 = 100 kΩ, UC2 = 3,5 V Jetzt kann man die Verstärkungen mit
UBE1 = UBE2 = 0,65 V der Formel V = S ⋅ Ra berechnen, so-
und alle Kondensatoren. wie die Gesamtverstärkung als deren
Produkt. Man erhält 3296-fach für die
Die Berechnung beginnt mit UBE von Gesamtverstärkung, entsprechend ei-
T1 mit 0,65 V. Diese Spannung muß nem dB-Wert von 20 ⋅ log (3296) =
(IB von T2 vernachlässigt!) auch am 20 ⋅ 3,52 = 70,4 dB. Der Eingangswi-
Emitter von T2 anliegen. derstand der Gesamtschaltung ist die
Parallelschaltung von R2 mit dem
Durch R4 fließt 1 mA bei 0,65 V, das Eingangswiderstand von T1. Es ergibt
ergibt einen Widerstand von 650 Ω. sich dafür 100 kΩ || 37,5 kΩ = 27,3
Die Basis von T2 liegt 0,65 V über kΩ und die Werte aller Bauelemente
dem Emitter, also auf 1,3 V. An R1 der Schaltung sind bestimmt.
liegen daher 6V - 1,3V = 4,7 V bei
200 µA, das ergibt 23,5 kΩ. Nun nimmt man noch Standardwerte
für die Widerstände:
Bleibt noch R3 mit 6V - 3,5V = 2,5 V R1 = 23,5 kΩ => 22 kΩ
bei 1 mA, was 2,5 kΩ erfordert. Damit R3 = 2,5 kΩ. => 2,7 kΩ.
sind alle Gleichstromwerte be- R4 = 650 Ω. => 680 Ω.
stimmt.
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Stufe: B IC S Rein Ra V
T1 250 100 µA 4 mA/V 62,5 kΩ 5,84 kΩ 23,38

T2 150 500 µA 20 mA/V 7,5kΩ 10 kΩ 200

An R3 fallen 2,65 V ab, das ergibt bei


100 µA für R3 einen Wert von 26,5
kΩ.

Es folgt die wechselspannungsmäßi-


ge Rechnung nach Schema.

Der Arbeitswiderstand Ra von T1 ist


Rein von T2 parallel zu R3. Das ergibt
7,5 kΩ|| 26,5 kΩ = 5,84 kΩ. T1 ver-
Abb. 3-4: Übungsschaltung 2 stärkt daher (4 mA/V) * (5,84 kΩ)
=.23,38-fach, T2 verstärkt (20 mA / V)
Übungsschaltung 2 in Abb. 3-4 soll * (100 kΩ) = 200-fach und die Ge-
nur noch stichpunktartig besprochen samtverstärkung ist 23,38 * 200 =
werden. Beachten Sie bitte, daß T2 4676-fach. In dB sind das 20 ⋅
ein pnp-Transistor ist. log(4676) = 20 ⋅ 9,67 = 73,4 dB. Der
Eingangswiderstand besteht aus der
Vorgaben: Parallelschaltung des Rein von T1 mit
IC1 = 100µA, B1 = 250, UE2=10V R1 und R2.
IC2 = 500µA, B2 = 150, UC2=5V
Rein = 62,5 kΩ|| 100 kΩ|| 1438 kΩ =
UBE von T1 beträgt 0,65 V. Der Span- 37,46 kΩ..
nungsteiler R2/R1 muß von 10V
(Emitterspannung von T2) auf 0,65 V, Beim Aufbau einer Schaltung muß
also um den Faktor 10/0,65 = 15,38 man für die Widerstände die nächst-
herunterteilen. R2 muß daher 14,38 gelegenen Standardwerte nehmen.
mal so groß sein wie R1, woraus sich Dabei zeigt sich, daß selbst bei Ver-
für R2 1,438 MΩ ergeben. wendung von Widerständen der E12-
er Reihe mit einem Stufungsfaktor
An R4 müssen 2 V bei 500 µA abfal- von 1,21 die Abweichungen von den
len, das ergibt R4 = 4 kΩ. errechneten Werten gering sind und
durch die Gleichstromgegenkopplung
An R5 liegen 5 V bei 500 µA was 10 nur zu geringen Abweichungen bei
kΩ erfordert. Spannungen und Strömen führen.

T2 ist ein pnp-Transistor, an dessen R2 = 1,438 MΩ => 1,5 MΩ


Basis die Spannung um 0,65 V nega- R3 = 26,5 kΩ. => 27 kΩ.
tiver ist als die Spannung am Emitter R4 = 4 kΩ. => 3,9 kΩ.
(=10V). UB = UE- UBE = 10V - 0,65 V
= 9,35 V.
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III.4 Bootstrap-Schaltungen chenen Schaltung wird die Spannung


a) Spannungsfolger mit hohem Ein- Udiff am Widerstand R1 stark herab-
gangswiderstand gesetzt, was seinen wirksamen Wert
Mit einem Darlington oder Feldeffekt- um den gleichen Faktor erhöht.
transistor als Eingangsstufe lassen
sich leicht sehr hohe Eingangswider- R1 führt dem Darlington die Basisvor-
stände erzielen. Ein Problem ist der spannung vom Spannungsteiler R2,
bei Wechselspannungsbetrieb nötige R3 zu und trägt wesentlich zum Ein-
Widerstand R1 zur Festlegung der gangswiderstand der Schaltung bei.
Basisvorspannung. Dieser Wider- Um seinen Einfluß mit der Bootstrap
stand sollte zumindest gleich groß Methode zu verringern, wird der Ab-
sein wie der Eingangswiderstand der griff des Spannungsteilers R2, R3
Schaltung. Dies bereitet Schwierigkei- über den Kondensator C2 wech-
ten mit dem Spannungsabfall des Ba- selspannungsmäßig mit dem Aus-
sisstroms, Isolationswiderständen gang des Darlingtons verbunden.
und der Beschaffung der Höchstohm- Jetzt liegt an R1 nicht mehr die volle
widerstände. Eingangsspannug, sondern nur noch
die sehr viel kleinere Spannungsdiffe-
renz Udiff zwischen Ein- und Ausgang
der Schaltung. Bei der kleineren
Spannung fließt ein kleinerer Strom
und entsprechend wächst der wirksa-
me Widerstand.

Zur Bestimmung von Udiff betrachten


wir den Spannungsteiler aus dem
Ausgangswiderstand des Darlingtons
und Rem, der Parallelschaltung aller
Widerstände am Emitter des Darling-
tons. Man erhält für die Spannungs-
Abb. 3-5: Bootstrap Schaltung differenz Udiff:
1⁄S
Udiff = Uein ⋅
Abhilfe kann eine sogenannte Boot- 1 ⁄ S + Rem
strap-Schaltung bringen. Der auch in 1
=
der Computertechnik ("Booten") be- (1 + S ∗ Rem )
kannte Name geht auf das amerikani- weil S ⋅ Rem groß gegen 1 ist kann
sche Pendant zu unserem Baron von man vereinfachen:
Münchhausen zurück. Dieser zog
sich an seinen eigenen Schnürsen- Uein
Udiff =
keln (Boot-strap = Stiefelstrippe) aus S ⋅ Rem
einem Sumpf. Die Spannung an R1 ist um den Fak-
tor S * Rem kleiner als die Eingangs-
Die gleiche Methode wird in elektroni- spannung, um den gleichen Faktor
schen Schaltungen benutzt, um mit sinkt der Strom durch R1. Damit er-
Hilfe des Ausgangssignals Einflüsse scheint R1 für das Eingangssignal
auf den Eingang zu verringern oder um den Faktor S * Rem vergrößert.
ganz auszuschließen. In der bespro-
Praktische Elektronik 3-8 Hans-Hellmuth Cuno

Abb. 3-7: Getriebener Schirm

b) Getriebener Schirm
Eine andere Anwendung der Boot-
Abb. 3-6: Bootstrap Berechnung strap Technik ist die Ausschaltung
der Kapazität abgeschirmter Leitun-
Beispiel: gen. Man verwendet einen schnellen
Nehmen wir für Schaltung von Abb. Spannungsfolger, um die Abschir-
3-6 ein Kollektorstrom von 1 mA an, mung auf der Spannung am Innenlei-
entsprechend einer Steilheit von S = ter festzuhalten (getriebener Schirm
40 mA / V. Der wirksame Emitterwi- oder auch Guard-Technik). Dieser
derstand ist gleich der Parallelschal- Verstärker muß für das Treiben kapa-
tung aller am Emitter wechsel- zitiver Lasten ausgelegt sein.
strommäßig angeschlossenen Wider-
stände, der 1 MΩ- Widerstand wird Ohne Spannung zwischen Innenleiter
gegenüber den anderen Widerstän- und innerer Abschirmung ist die da-
den vernachlässigt: zwischenliegende Kapazität wir-
kungslos und stört nicht. Für diese
Rem = 6,8 kΩ || 33 kΩ || 47 kΩ = Technik gibt es spezielle Triaxial-Ka-
=5,03 kΩ bel mit 2 konzentrischen Abschirmun-
gen. Der äußere Schirm liegt an
Der Eingangswiderstand des Darling- Masse und verhindert Abstrahlung
tons ist um den Faktor B größer: vom getriebenen inneren Schirm.
Rein = 5,03 kΩ ⋅ B = Bei Tastköpfen für Oszillografen sind
= 5,03 kΩ ⋅ 20000= die Frequenzen so hoch, daß die
= 100,6 MΩ Bootstrap Technik allein schon wegen
der Laufzeiten versagt. Hier macht
R1 wirkt als Widerstand R1 eff: man den Innenleiter extrem dünn (ca.
10 µm), um eine möglichst kleine Ka-
R1 eff = R1 ⋅ S ⋅ Re m = pazität zwischen Innen- und Außen-
= 1MΩ⋅ 40mA/ V⋅5,03 kΩ= leiter der Leitung zum Tastkopf zu
= 201 MΩ erhalten. Ein Koaxkabel mit 50 Ohm
Wellenwiderstand hat eine Kapazität
Damit ist der Eingangswiderstand von 100 pF/m. Mit dem 10 µm Innen-
der Gesamtschaltung: leiter steigt der Wellenwiderstand auf
ca. 200 Ω und die Kapazität sinkt auf
Rein = Rein || R1 eff = erträgliche 25 pF/m. Der dünne In-
= 100,6 MΩ || 201 MΩ = nenleiter macht das Kabel und vor al-
= 67 MΩ lem seine Anschlüsse mechanisch
empfindlich. Tastköpfe müssen dar-
Praktische Elektronik 3-9 Hans-Hellmuth Cuno

um sorgfältig behandelt werden. Folge aus. Danach ist die Ausfallrate


im Bereich der Zufallsausfälle über
Die Formel für den Wellenwiderstand lange Zeit niedrig und ziemlich kon-
Z eines runden Kabels lautet: stant. Erst nach langer Zeit steigt die
Ausfallrate wieder an, wenn alte-
Z = 138 ⋅log (Da / Di) / √
εr rungsbedingt die Verschleißausfälle
(log = dekadischer Logarithmus) einsetzen.

Da = Innendurchm. der Abschirmung Ein seriöser Hersteller wird sich be-


Di = Außendurchm. des Innenleiters mühen, die Frühausfälle durch ge-
εr = Dielektrizitätskonst. der Isolation naue Prüfungen und eventuell sogar
eine Voralterung zu eliminieren. Dies
III.5 Zuverlässigkeit elektronischer verbessert nicht nur den Ruf der Fir-
Schaltungen ma, sondern lohnt sich je nach Höhe
Alle Aussagen über die Zuverlässig- der Garantie- und Reparaturkosten
keit elektronischer Bauelemente sind durchaus auch finanziell.
rein statistischer Natur und gelten im-
mer nur für eine große Zahl von Tei- Alle folgenden Betrachtungen gelten
len. Es ist deswegen nicht möglich, im Bereich der Zufallsausfälle. Die
auch nur den ungefähren Zeitpunkt Ausfallrate wird in fit (failure in time)
für den Ausfall eines einzelnen Bau- gemessen, wobei 1 fit 1 Ausfall in 109
elements oder Geräts vorherzusagen. Bauteilestunden ist. Diese Zeitdauer
kann durch 1 Bauteil in 109 Stunden
Betrachtet man eine große Anzahl fa- oder 106 Bauteile in 1000 Stunden
brikneuer Bauelemente, die unter völ- zusammenkommen. Die Ausfallrate
lig gleichen Bedingungen betrieben eines Geräts ergibt sich als Summe
werden, so stellt man ein charakteri- der Ausfallraten der darin enthaltenen
stisches Verhalten der Ausfallrate Bauteile. Dabei wird unterstellt, daß
fest. Eine Auftragung der Ausfallrate der Ausfall jedes beliebigen Bauele-
über dem Logarithmus der Zeit ergibt ments zum Ausfall des Geräts führt.
eine Kurve, die in der Form einer Ba-
dewanne ähnelt. Zunächst fallen Bau- Stark hängt die Ausfallrate von der
elemente mit Material- und Herstell- Temperatur ab. Nimmt die Tempera-
fehlern als Frühausfälle in rascher tur um 1°C zu, so wächst die Ausfall-

Abb. 3-8: Ausfallrate von Bauelementen


Praktische Elektronik 3-10 Hans-Hellmuth Cuno

rate um 10 %, 25°C Temperaturerhö- nes Bauelements zum Ausfall des


hung ergibt die 10-fache Ausfallrate. Geräts führt. Man erhält die MTBF als
Hieraus ersieht man die positiven Inverses der Ausfallrate oder, indem
Auswirkungen einer guten Wärmeab- man 109 durch die Summe der fit-
fuhr durch Kühlkörper, Luftschlitze Werte dividiert.
und Ventilatoren. Die wesentlich ge-
ringere Reparaturanfälligkeit halblei- Beispiel: Ein Gerät enthält folgende
terbestückter Geräte rührt nicht Bauelemente:
zuletzt vom Wegfall der stark wärme- 6 Widerstände 9 fit
produzierenden Röhren her. 2 Folien KO 20 fit
1 Ta-Elko 40 fit
Eine Reihe typischer fit-Werte zeigt 5 Steckkont. 50 fit
die nachstehende Liste. Fit-Werte aus 1 SSI-IC 100 fit
verschiedenen Quellen können 33 Lötstellen 33 fit
durchaus um den Faktor 10 differie- ---------------------------------------------
ren. Diese werden in zeitraffenden Summe: 252 fit
Messungen bei erhöhter Temperatur
ermittelt. Die Liste enthält die fit-Wer-
te bedrahteter Bauelemente und in Vorsorglich wird eine Übertemperatur
Klammern die entsprechenden Werte von 25°C angenommen, was die Aus-
von SMD Bauteilen. fallrate auf 2520 fit erhöht. Dem ent-
spricht eine MTBF von 109 / 2520 =
Bauelement fit - Wert 396825 h = 45,26 Jahre. Diese sehr
Widerstand 1,5 (0,7) große MTBF rührt natürlich von der
Potentiometer 200 winzigen Schaltung her.
Keramik Ko 6 (5)
Folien Ko 10 (5) Bei allerhöchsten Forderungen an
Tantal-Elko 40 (30) die Zuverlässigkeit setzt man redun-
Al-Elko 500 dante Schaltungen ein. Diese enthal-
Si-Diode 3 (1) ten Reservebaugruppen, die bei
Si-Leistungsdiode 50 Ausfall einer Baugruppe deren Funkti-
Si-Transistor 5 (1) on übernehmen. Der große Mehrauf-
Si-Leistungs- wand rechtfertigt eine Redundanz
transistor 60 (10) nur dort, wo eine Reparatur sehr auf-
SSI-IC 100 wendig oder vollkommen unmöglich
MSI, LSI-IC 200 ist oder wo ein Ausfall sehr kostspieli-
Netztrafo, Relais 200 ge oder sogar katastrophale Folgen
IC-Sockel (1 Stift) 10 haben kann. Beispiele sind Seeka-
Steckkontakt 10 bel, Nachrichtensatelliten, Herzschritt-
Lötstelle 1 macher und Kernkraftwerke.

Die MTBF (Mean Time Between Fai-


lures) ist die durchschnittliche Zeit
zwischen 2 Ausfällen eines Geräts,
wobei man annimt, daß der Ausfall ei-