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UNIVERSIDAD NACIONAL DE LOJA

PRACTICA # 1
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA DE ALTA FRECUENCIA
RESULTADO DE APRENDIZAJE DE LA PRÁCTICA: (VER SÍLABO)
TIEMPO PLANIFICADO EN EL SILABO: 3 HORAS
TIEMPO DE LA PRÁCTICA POR GRUPO:
NUMERO DE ESTUDIANTES POR GRUPO: 3 ESTUDIANTES
INTEGRANTES: CRISTIAN AREVALO
GEOVANNY GARCÍA
JORGE ROMERO
MODULO: OCTAVO ”A”

1. TEMA: AMPLIFICADOR

2. OBJETIVOS:
 Comprender el comportamiento del amplificador de RF
 Diseñar un amplificador RF
 Analizar los parámetros relevantes del amplificador de RF

3. MATERIALES Y REACTIVOS 4. EQUIPOS Y HERRAMIENTAS


 Carta de Smith  Programa Genesys
 Computador (Portatil- 64 bits)

5. ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

a) Para realizar el diseño del amplificador mostrado en la figura 1, primeramente, hay que elegir el
transistor a utilizar y la frecuencia a la que se lo va a hacer operar, en esta práctica hemos elegido
el transistor bipolar NPN AT-42086 y la frecuencia de 1.5 GHz, por lo que los valores de
parámetros de dispersión se extraen del Datasheet (anexo 1). En la figura 2 se muestran los
parámetros S de nuestro interés.

Figura 1. Amplificador

Figura 2. Parámetros S del transistor NPN AT-42086

b) Con los datos anteriores se procede a calcular el factor de estabilidad (K):


1 − |𝑆11 |2 − |𝑆22 |2 + |Δ|2
𝑘= = 1,182
2|𝑆12 𝑆21 |
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|𝛥| = |𝑆11 𝑆22 − 𝑆12 𝑆21 |=0.23

c) Se procede a calcular la ganancia del amplificador:


1 − |S ∗11 |2 1 − |S ∗ 22 |2
𝐺= ∗ 2 2
|𝑆21 |2 = 32,65
|1 − |S 11 | | |1 − |S ∗ 22 |2 |2

𝐺 = 10 log10(32,65) dB
𝑮 = 15.13𝐝𝐁
d) Ahora se calcula los coeficientes de reflexión de entrada y salida respectivamente:
Γ𝑠 = 𝑆11∗ = 0.65 ↼ −164°
Γ𝐿 = 𝑆22∗ = 0.4 ↼ 34°
Para la carta de Smith utilizada estos coeficientes serán
Γ𝑠 = 5.135 ↼ −164°
Γ𝐿 = 3.16 ↼ 34°

e) Para calcular los valores de entrada de capacitancia en paralelo e inductancia en serie se utiliza
el coeficiente de reflexión de entrada y para calcular la capacitancia en serie y la inductancia en
paralelo de salida se utiliza el coeficiente de reflexión de salida esto se realiza en la carta de Smith
mostrada en la figura 3.

Figura 3. Carta de Smith para resolver el paso e


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Para encontrar el valor de la capacitancia en paralelo e inductancia en serie de entrada se ubica


el ángulo del coeficiente de reflexión de entrada y se hace relación entre la magnitud del coeficiente
de reflexión de entrada con el radio de la carta de Smith utilizada; una vez hecho esto trazamos el
circulo con centro en el origen y radio en el punto encontrado denotado por D, este punto tiene un
valor de -0.13j.

Luego trazamos el círculo de conductancias y se realiza un desplazamiento desde el punto C hasta


cortar al círculo de conductancias, a este punto lo denominaremos C y tiene un valor de -0.41j.Al
proyectar el punto C hasta cortar con el circulo de resistencias de radio 1, encontramos un nuevo
punto que nos dará el valor de B de 1.88j que nos servirá para encontrar la capacitancia en
paralelo.

Para encontrar el inductor en serie utilizamos en valor de X que será la diferencia entre los puntos
D y C.

Luego ubicamos el coeficiente de reflexión de salida utilizando el procedimiento anterior, una vez
ubicado el nuevo punto que lo denominaremos B procedemos a proyectarlo obteniendo un valor
de -0.31j. Seguidamente medimos el valor el diámetro entre los extremos del circulo de
conductancia y el circulo dado por B, posteriormente encontramos el radio de este diámetro y
trazamos un circulo que nos dará el valor de un punto denotado por A, al desplazar la línea del
circulo hasta cortar con el circulo unitario de resistencias se obtendrá un valor de -1.75j y nos
servirá para encontrar el capacitor en serie de salida;. Encontrado este valor A, lo proyectamos y
nos dará un valor de 0.49j. Por ultimo hacemos la diferencia entre el valor de la proyección de B y
el valor de la proyección de A, este valor lo denotamos como X y nos servirá para encontrar la
inductancia en paralelo de salida.

Entrada:
Donde nuestra 𝑍𝑜 = 50Ω
𝐵
𝐶𝑝 =
2𝜋𝑓𝑍𝑜
1.88
𝐶𝑝 =
2𝜋(1.5𝑥109 )50
𝐶𝑠 = 3.989𝑝𝐹

𝑋𝑍𝑜
𝐿𝑠 =
2𝜋𝑓
0.31(50)
𝐿𝑠 =
2𝜋(1.5𝑥109 )
𝐿𝑠 = 1.63𝑝𝐻

Salida:
1
𝐶𝑠 =
2𝜋𝑓𝑍𝑜𝐵
1
𝐶𝑠 =
2𝜋(1.5𝑥109 )(50)(1.75)
𝐶𝑠 = 1.21𝑝𝐹
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𝑍𝑜
𝐿𝑝 =
2𝜋𝑓𝑋
(50)
𝐿𝑝 =
2𝜋(1.5𝑥109 )0.8
𝐿𝑝 = 6.63𝑛𝐻

f) Ahora se procede a simular en Genesys el amplificador diseñado, para ello se llevan todos los
componentes que conformaran el circuito mostrado en la figura 1 desde Part Selector a la Hoja
de diseño del programa como se muestra en la siguiente figura 4 y figura 5:

Figura 4. Proceso del paso f


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Figura 5. Componentes generados en el paso f

g) Se procede a dar los valores a cada elemento, estos valores son los calculados en el paso e para
ello se da clic derecho sobre el componente a modificar y luego en properties, este se hace para
cada uno de los elementos del circuito en la figura 6 se muestra para el caso del capacitor 1, para
los demás elementos es la misma secuencia a excepción del transistor que se detallar en el
siguiente paso.

Figura 6. Proceso del paso g

h) El transistor que se usa es el bipolar NPN AT-42086. Para ello se necesita los parámetros de
dispersión de dicho modelo los cuales se extraen del datasheet correspondiente (Ver anexo 1),
esto se logra modificando un archivo .s2p como se muestra la figura siguiente para ponerle los
valores extraídos del datasheet.
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Figura 7. Valores que debemos modificar acorde al transistor usado en el archivo .s2p

Figura 8. Valores modificados correspondiente al transistor bipolar NPN AT-42086 en el


archivo .s2p
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i) Una vez realizado el paso h, proceder a subir el archivo .s2p al transistor en la simulación, en las
figura siguiente se detalla el proceso, que consiste en entrar a las propiedades del transistor
filename  browse y buscar donde tenemos el archivo AT42086G.s2p, damos clic en abrir y luego
en Ok.

Figura 9. Proceso del paso i


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j) Una vez cargados todos los datos se obtiene el siguiente circuito:

Figura 10. Circuito final del amplificador

k) Para proceder a obtener las gráficas que nos permiten verificar el comportamiento del amplificador,
hay que crear una nueva simulación en new Item  Analysis  Linear Analysis, se abrirá una
nueva ventana donde se asigna nombre a la simulación y en Frecuency Range ponemos 0-5GHz
para que la graficas generadas se visualicen en ese rango y damos clic en Ok. Todo esto se ilustra
en la siguiente figura:

Figura 11. Proceso del paso k


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l) Para visualizar la gráfica de operación del filtro se da clic derecho sobre el componente Port_2 
Add New Graph /Table  Linear1_Sch1_Data: New Graph of S[2,1], en la figura 12 se ilustra este
proceso y en la figura 16 que se muestra en el apartado de Resultados es la que corresponde a la
gráfica que se generó en este paso.

Figura 12. Proceso del paso l

6. MARCO TEÓRICO:
 Amplificadores RF
El amplificador de potencia (PA) es la última etapa del emisor. Tiene la misión de amplificar la
potencia de la señal (no necesariamente la tensión) y transmitirla a la antena con la máxima
eficiencia. En eso se parecen a los amplificadores de baja frecuencia, pero aquí la distorsión o
falta de linealidad puede no ser importante. A continuación, se mencionan algunas características
de un PA para equipos de comunicaciones móviles y sus valores típicos:
Potencia de salida, so +20 a +30 dBm
Eficiencia, η 30% a 60%
Ganancia, GP 20 a 30 dB}
Distorsión, IMR –30 dB (*)
Control de potencia ON – OFF
(*) Para cada armónico se define IMR = So(armónico)/So(útil) cuando la entrada es la suma de dos
tonos con el mismo nivel, aquel que hace So(útil) = So, máx – 6 dB

 Clasificación de los amplificadores de potencia


Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos activos (BJT o MOSFET) que
se comportan como fuentes de corriente controladas por tensión. Estos se clasifican atendiendo a
la fracción del periodo de la señal en que los dispositivos permanecen en conducción. Si la entrada
es una función sinusoidal, su argumento se incrementa 360º a cada periodo de señal. La fracción
del periodo en que los dispositivos conducen se mide por el semi-ángulo de conducción, θ, que
está comprendido entre 0 y 180º. Se definen tres clases:
 Clase A θ = 180º (conducen siempre)
 Clase B θ = 90º (conducen medio periodo)
 Clase C θ < 90º (conducen menos de medio periodo)
Cuanto menor es θ mayor es la eficiencia, pero menor es la linealidad. Existe otro tipo de
amplificadores de potencia donde los dispositivos funcionan en conmutación. Actúan como
interruptores que pasan alternativamente de corte a conducción. La eficiencia es teóricamente del
100% puesto que un interruptor ideal no consume potencia en ninguno de los dos estados: en
corte i = 0 y en conducción v = 0. En la práctica la eficiencia se reduce porque hay pérdidas de
potencia durante el transitorio de conmutación. Por eso se han ideado diferentes esquemas que
minimizan estas pérdidas. Estos amplificadores reciben distintos nombres (clase D, E, F,) a partir
del momento en que se les reconoce su innovación respecto a los existentes.
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Introducción a los parámetros Scattering (S)

Con el fin de caracterizar completamente un dispositivo lineal de dos puertos desconocido, se


tienen que hacer mediciones en diferentes condiciones y calcular un conjunto de parámetros en
relación con cada uno de los puertos involucrados. Estos parámetros se utilizan para describir
completamente el comportamiento eléctrico del dispositivo o red de dos puertos. Para la
caracterización en baja frecuencia de los dispositivos, los tres parámetros que se miden con mayor
frecuencia son los parámetros H, Y y Z. Todos estos parámetros requieren medir el voltaje total o
corriente como una función de la frecuencia en los nodos de entrada o nodos de salida del
dispositivo. Por otra parte, hay que aplicar circuitos abiertos o cortocircuitos, como parte de la
medición. Ampliar las mediciones de estos parámetros a las altas frecuencias no es muy práctico.

Figura 13. Línea de transmisión con red integrada

Er1 es producto de la interacción de las Er2 es producto de la interacción de las


ondas incidentes del puerto 1(Ei1), y ondas incidentes del puerto 2(Ei2), y
del puerto 2 en el puerto 1(Ei2) del puerto 1 en el puerto 2(Ei1)

Las otras ondas están también formadas por dos componentes

𝑉1 = 𝐸𝑖1 + 𝐸𝑟1 𝑉2 = 𝐸𝑖1 + 𝐸𝑟2

𝐸𝑖1 − 𝐸𝑟1 𝐸𝑖2 − 𝐸𝑟2


𝐼1 = 𝐼1 =
𝑍0 𝑍0

Es posible relacionar estas cuatro ondas viajantes con algún conjunto de parámetros. Aun cuando
la derivación de este conjunto de parámetros será realizada para una red de dos puertos se
aplicará de idéntica manera para una red de n puertos. Substituyendo los voltajes y corrientes de
las ecuaciones anteriores en este nuevo conjunto de parámetros, se pueden readecuar estas
ecuaciones para que los voltajes incidentes sean las variables independientes y los voltajes
reflejados sean las variables dependientes

𝐸𝑟1 = 𝑓11 𝐸𝑖1 + 𝑓12 𝐸𝑖2 𝐸𝑟2 = 𝑓21 𝐸𝑖1 + 𝑓22 𝐸𝑖2

Las funciones f11, f12, f21 y f22 representan un nuevo conjunto de parámetros de red, relacionando
ondas de voltaje viajantes en lugar de voltajes y corrientes. En este caso, estas funciones se
expresan en términos de H-parámetros (f11 (h), f12 (h), f21 (h) y f22 (h). Podrían haber sido derivado
de un conjunto de otros parámetros. Este nuevo conjunto de parámetros se llama "parámetros de
dispersión", ya que relacionan las ondas dispersadas o reflejada por la red con las ondas incidente
en la red. Estos parámetros de dispersión se conocen como parámetros “S” (Scattering
parameters). Si dividimos ambos lados de las ecuaciones anteriores por √𝑍0 , la impedancia
característica de la línea de transmisión. Nos dará un cambio de variables, que se definen de la
manera siguiente:
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𝐸𝑖1 𝐸𝑟1 𝐸𝑖2 𝐸𝑟2


𝑎1 = 𝑏1 = 𝑎2 = 𝑏2 =
√𝑍0 √𝑍0 √𝑍0 √𝑍0

En cuanto a la nueva serie de ecuaciones, en un poco más de detalle, vemos que los parámetros
S se refieren a estas ondas viajantes de la manera siguiente:

𝑏1 = 𝑆11 𝑎1 + 𝑆12 𝑎2 𝑏1 = 𝑆21 𝑎1 + 𝑆22 𝑎2

Cualquier dispositivo selectivo en frecuencia como amplificadores, filtros, atenuadores, cables y


sistemas de alimentación para antenas que configuren una red de 1 a N puertos, son
caracterizados por su comportamiento o desempeño en función de la frecuencia.

Parámetros de Dispersión o Parámetros S

Los parámetros de dispersión son los coeficientes de reflexión y transmisión entre la onda incidente
y la reflejada. Estos parámetros describen completamente el comportamiento de un dispositivo
bajo condiciones lineales en determinado rango de frecuencia. Cada parámetro es caracterizado
por magnitud, ganancias o pérdidas en decibeles y fase. A pesar de ser aplicables a cualquier
frecuencia, los parámetros S son usados principalmente para redes que operan en radiofrecuencia
(RF) y frecuencias de microondas.

Los parámetros-S, dispersión se refiere a la forma en que las corrientes y tensiones que se
desplazan en una línea de transmisión son afectadas cuando se encuentran con una
discontinuidad debido a la introducción de una red en una línea de transmisión. Esto equivale a la
onda encontrándose con una impedancia diferente de la impedancia característica de la línea.

La descripción de los parámetros es la siguiente:

 S11: Coeficiente de reflexión a la entrada o coeficiente de reflexión directa.


 S21: Coeficiente de transmisión directa o ganancia con la tensión directa.
 S22: Coeficiente de reflexión a la salida o coeficiente de reflexión inversa.
 S12: Coeficiente de transmisión o ganancia con la tensión inversa.

Para que esto sea válido las impedancias en el puerto de entrada y salida deben ser las mismas.
La Figura 3, muestra el cuadripolo con los parámetros S.

Figura 14. Cuadripolo con los parámetros S


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7. RESULTADOS OBTENIDOS
 Valores de componentes del amplificador a 1.5Ghz
𝐶1 = 𝐶𝑠 = 3.989𝑝𝐹
𝐿1 = 𝐿𝑠 = 1.63𝑝𝐻
𝐶2 = 𝐶𝑠 = 1.21𝑝𝐹
𝐿2 = 𝐿𝑝 = 6.63𝑛𝐻

Figura 15. Amplificador a 1.5 GHz

 Ganancia máxima del amplificador

Figura 16. Ganancia máxima del amplificador a 1.5 GHz


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 Parámetros de dispersión del amplificador

Figura 17. Parámetros de dispersión del amplificador

8. DISCUSIÓN
Como podemos observar en la gráfica de ganancia mostrado en la figura 16, en la frecuencia donde
se obtiene mayor ganancia es 1.5 GHz, que es la que se tomó originalmente para realizar todos los
cálculos para nuestro amplificador. Adicionalmente se observa en la gráfica que existe una ganancia
de 16.32dB que está 1.18dB por arriba de la ganancia calculada (15.13dB).

En la figura 17 se comprueba que los parámetros de dispersión se concentran en 1.5GHz que es la


frecuencia a la que está operando el amplificador.

9. CONCLUSION:
Al momento de realizar este tipo de simulaciones se debe tener presente usar el transistor adecuado
para obtener los resultados esperados, esto se logra ubicando los valores de los parámetros S que
vienen dados por el fabricante del transistor.

BIBLIOGRAFÍA:

 Hage, Jon; “Radio-Frecuency Electronics”, 2da. Ed; Cambridge; Estados Unidos de America;
2009. 434p.

 Silva, Vinicius; “Projeto de amplificador de radiofrequência por parâmetro s”; Universidad Federal
de Rio Grnade Do Sul; Brazil; 2014; 84p. disponible en:
http://www.lume.ufrgs.br/handle/10183/141031

 Uib.cat; “Amplificadores RF de potencia”; [online]; disponible en:


http://www.uib.cat/depart/dfs/GTE/education/telematica/sis_ele_comunicacio/Apuntes/Capitulo%
207.pdf
AT-42086
Up to 6 GHz Medium Power
Silicon Bipolar Transistor
Data Sheet
Description Features
Avago’s AT-42086 is a general purpose NPN bipolar • High Output Power:
transistor that offers excellent high frequency perfor- 20.5 dBm Typical P1 dB at 2.0 GHz
mance. The AT-42086 is housed in a low cost surface • High Gain at 1 dB Compression:
mount .085" diameter plastic package. The 4 micron 13.5 dB Typical G1 dB at 2.0 GHz
emitter-to-emitter pitch enables this transistor to be
used in many different functions. The 20 emitter finger • Low Noise Figure:
interdigitated geometry yields a medium sized transis- 1.9 dB Typical NFO at 2.0 GHz
tor with impedances that are easy to match for low • High Gain-Bandwidth Product: 8.0 GHz Typical fT
noise and medium power applications. Applications • Surface Mount Plastic Package
include use in wireless systems as an LNA, gain stage,
• Tape-and-Reel Packaging Option Available
buffer, oscillator, and mixer. An optimum noise match
near 50Ω up to 1 GHz, makes this device easy to use as • Lead-free Option Available
a low noise amplifier.

The AT-42086 bipolar transistor is fabricated using


Avago’s 10 GHz f T Self-Aligned-Transistor (SAT)
86 Plastic Package
process. The die is nitride passivated for surface
protection. Excellent device uniformity, performance
and reliability are produced by the use of ion-implanta-
tion, self-alignment techniques, and gold metalization
in the fabrication of this device.

Pin Connections
EMITTER

4
420

BASE COLLECTOR

1 3

EMITTER
2

AT-42086 Absolute Maximum Ratings


Absolute Thermal Resistance [2]:
Symbol Parameter Units Maximum[1] θjc = 140°C/W
VEBO Emitter-Base Voltage V 1.5
Notes:
VCBO Collector-Base Voltage V 20 1. Permanent damage may occur if
VCEO Collector-Emitter Voltage V 12 any of these limits are exceeded.
IC Collector Current mA 80 2. TCASE = 25°C.
PT Power Dissipation [2,3] mW 500 3. Derate at 7.1 mW/°C for TC > 80°C.
Tj Junction Temperature °C 150
TSTG Storage Temperature °C -65 to 150

Electrical Specifications, TA = 25°C


Symbol Parameters and Test Conditions Units Min. Typ. Max.
|S 21E |2 Insertion Power Gain; VCE = 8 V, IC = 35 mA f = 1.0 GHz dB 15.0 16.5
f = 2.0 GHz 10.5
f = 4.0 GHz 4.5
P1 dB Power Output @ 1 dB Gain Compression f = 2.0 GHz dBm 20.5
VCE = 8 V, IC = 35 mA f= 4.0 GHz 20.0
G1 dB 1 dB Compressed Gain; VCE = 8 V, IC = 35 mA f = 2.0 GHz dB 13.5
f = 4.0 GHz 9.0
NFO Optimum Noise Figure: VCE = 8 V, IC = 10 mA f = 2.0 GHz dB 1.9
f = 4.0 GHz 3.5
GA Gain @ NFO; VCE = 8 V, IC = 10 mA f = 2.0 GHz dB 13.0
f = 4.0 GHz 9.0
fT Gain Bandwidth Product: VCE = 8 V, IC = 35 mA GHz 8.0
hFE Forward Current Transfer Ratio; VCE = 8 V, IC = 35 mA — 30 150 270
ICBO Collector Cutoff Current; VCB = 8 V µA 0.2
IEBO Emitter Cutoff Current; VEB = 1 V µA 2.0
CCB Collector Base Capacitance[1]: VCB = 8 V, f = 1 MHz pF 0.32
Note:
1. For this test, the emitter is grounded.
3

AT-42086 Typical Performance, TA = 25°C


24 20 40
P1 dB (dBm)

2.0 GHz 1.0 GHz 35


20 16 MSG
4.0 GHz 30

|S21E|2 GAIN (dB)


P1dB 25

GAIN (dB)
16 12
2.0 GHz
20
2.0 GHz MAG
12 8 15
|S21E|2
G1 dB (dB)

G1dB 4.0 GHz 10


8 4.0 GHz 4
5

4 0 0
0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0 6.0
IC (mA) IC (mA) FREQUENCY (GHz)

Figure 1. Output Power and 1 dB Figure 2. Insertion Power Gain vs. Figure 3. Insertion Power Gain,
Compressed Gain vs. Collector Collector Current and Frequency. Maximum Available Gain and
Current and Frequency. VCE = 8 V. VCE = 8 V. Maximum Stable Gain vs. Frequency.
VCE = 8 V, IC = 35 mA.

24

21
GA
18

15
GAIN (dB)

12 4

9 3
NFO (dB)

6 NFO 2

3 1

0 0
0.5 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
FREQUENCY (GHz)

Figure 4. Noise Figure and Associated


Gain vs. Frequency.
VCE = 8 V, IC = 10 mA.
4

AT-42086 Typical Scattering Parameters,


Common Emitter, ZO = 50 Ω, TA = 25°C, VCE = 8 V, IC = 10 mA
Freq. S11 S21 S12 S22
GHz Mag. Ang. dB Mag. Ang. dB Mag. Ang. Mag. Ang.
0.1 .68 -48 28.0 25.12 153 -36.0 .016 65 .91 -15
0.5 .63 -141 20.9 11.07 102 -29.9 .032 42 .54 -30
1.0 .63 -176 15.4 5.87 80 -27.4 .043 43 .43 -30
1.5 .65 164 12.0 3.98 65 -26.0 .050 46 .40 -34
2.0 .66 151 9.5 2.99 53 -23.9 .064 52 .38 -40
2.5 .69 142 7.8 2.44 45 -23.1 .070 53 .36 -46
3.0 .71 132 6.2 2.04 34 -21.6 .084 54 .34 -54
3.5 .73 123 4.8 1.74 24 -19.7 .104 53 .33 -67
4.0 .75 115 3.6 1.51 14 -18.3 .122 51 .30 -80
4.5 .78 108 2.6 1.34 5 -17.2 .138 50 .31 -94
5.0 .80 101 1.6 1.20 -4 -16.0 .159 46 .31 -110
5.5 .82 95 0.6 1.08 -12 -14.8 .182 40 .32 -129
6.0 .85 89 -0.2 0.97 -21 -14.0 .200 35 .34 -148

AT-42086 Typical Scattering Parameters,


Common Emitter, ZO = 50 Ω, TA = 25°C, VCE = 8 V, IC = 35 mA
Freq. S11 S21 S12 S22
GHz Mag. Ang. dB Mag. Ang. dB Mag. Ang. Mag. Ang.
0.1 .48 -94 32.8 43.62 137 -37.7 .013 65 .77 -25
0.5 .57 -168 22.4 13.21 92 -32.6 .023 57 .39 -28
1.0 .59 168 16.5 6.69 75 -28.7 .037 62 .33 -27
1.5 .61 154 13.0 4.48 62 -24.8 .057 64 .31 -31
2.0 .63 143 10.5 3.36 51 -23.0 .071 61 .29 -37
2.5 .68 137 8.7 2.72 43 -21.0 .089 56 .26 -45
3.0 .68 127 7.0 2.25 33 -19.7 .104 58 .25 -53
3.5 .71 118 5.7 1.92 24 -18.4 .121 55 .24 -65
4.0 .73 111 4.5 1.69 14 -17.3 .136 49 .20 -80
4.5 .76 104 3.5 1.49 5 -15.9 .161 46 .21 -95
5.0 .78 98 2.4 1.32 -3 -15.2 .174 43 .21 -115
5.5 .81 91 1.6 1.20 -12 -14.3 .193 36 .22 -136
6.0 .84 85 0.7 1.08 -20 -13.4 .213 31 .25 -156

AT-42086 Noise Parameters: VCE = 8 V, IC = 10 mA


Freq. NFO Γopt
RN/50
GHz dB Mag Ang
0.1 1.0 .04 8 0.13
0.5 1.1 .03 62 0.12
1.0 1.5 .06 168 0.12
2.0 1.9 .25 -146 0.12
4.0 3.5 .58 -100 0.52
Ordering Information 86 Plastic Package Dimensions
Part Numbers No. of Devices Comments
0.51 ± 0.13
AT-42086-BLK 100 Bulk (0.020 ± 0.005)
4
AT-42086-BLKG 100 Bulk
AT-42086-TR1 1000 7" Reel 45°
CL
AT-42086-TR1G 1000 7" Reel 1 3
2.34 ± 0.38
AT-42086-TR2 4000 13" Reel (0.092 ± 0.015)
2
AT-42086-TR2G 4000 13" Reel
Note: Order part number with a “G” suffix if lead-free 2.67 ± 0.38
(0.105 ± 0.15)
option is desired. 1.52 ± 0.25
(0.060 ± 0.010)
5° TYP. 0.203 ± 0.051
(0.006 ± 0.002)

8° MAX
0.66 ± 0.013 0° MIN
(0.026 ± 0.005) 2.16 ± 0.13
(0.085 ± 0.005)
0.30 MIN
(0.012 MIN)

DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (INCHES)

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