UNIVERSIDAD TÉCNICA DE COTOPAXI

UNIDAD ACADÉMICA DE CIENCIAS DE LA INGENIERÍA Y

APLICADAS

ELECTRÓNICA I

TALLER DE DIODOS SEMICONDUCTORES

INTEGRANTES

• Jhonny Casa
• Cesar Chasipanta
• Jose Latacunga
• Ciro Iza
CICLO:
TERCERO “A”

DOCENTE:
MSC. ROMMEL SUÁREZ

Latacunga – Ecuador
PROBLEMAS

1.3 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen

conductor y en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y
el arseniuro de galio.

 En su estructura el cobre tiene 20 electrones en órbita con un solo electrón en la

capa más externa.
 Es un buen conductor porque en la capa más externa con sus 29ª electrón es
incompleta y su penúltima capa contienen 2 electrones y distante del núcleo hace
que ese electrón se una débilmente a su átomo central. La aplicación de un campo
eléctrico externo de la polaridad correcta puede dibujarse fácilmente.
 Es diferente en estructura el germanio intrínseco y el silicio porque tienen capas
externas completas debido a la puesta en común de electrones entre átomos. Los
electrones que son parte de una estructura de cubierta completa requieren niveles de
fuerzas de atracción aplicadas a ser removidas de su átomo central.

2. Con sus propias palabras, defina un material intrínseco, coeficiente de

temperatura negativo y enlace covalente.

 Un material intrínseco es uno que ha sido refinado a ser tan puro como sea
físicamente posible. Tiene casi nada de impurezas.
 El coeficiente de temperatura negativo tienen menor nivel de resistencia a medida
que aumenta la temperatura.
 El enlace covalente es la compartición de electrones entre átomos vecinos para
formar capas exteriores completos y una estructura reticular mas estable.

3. Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de tres materiales que

tengan un coeficiente de temperatura negativo y de tres que tengan un coeficiente
de temperatura positivo.

TEMPERATURA POSITIVA TEMPERATURA NEGATIVA

Plata = 3.8×10−3 ºC Carbón = -0.5×10−3 ºC
Cobre = 3.9×10−3 ºC Germanio = -48×10−3 ºC
Oro = 3.4×10−3 ºC ×10−3 ºC ºC Silicio = -75×10−3 ºC
1.4 NIVELES DE ENERGÍA

4. ¿Cuánta energía en joules se requiere para mover una carga de 6 C a través de

una diferencia de potencial de 3 V?

W = Energia = ? W=QxV

Q = Carga = 6c W = (6c)(3v)

V= Voltaje = 3v W = 18 Joules

5. Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una

diferencia de potencial de 12 V, determine la carga implicada.

48eV = 48(1.6×10−19 J)

W = 76.8×10−19 J

𝑊 76.8×10−19 J
Q= = = 6.40×10−19 C. Es la carga asociada con 4 electrones.
𝑉 12𝑣

6. Consulte su biblioteca de referencia y determine el nivel de Eg para GaP y ZnS,

dos materiales semiconductores de valor práctico. Además, determine el nombre
escrito para cada material.

Materiales GaP de energía Eg

Valor aceptado Valor obtenido
Germanio 0.782 eV 0.78 ± 0.01 eV
Silicio 1.205 eV 1.23 ± 0.01 Ev
Silicio (Diodo) 1.18 ± 0.04 eV

1.5 MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO N Y TIPO P

7. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.

 Material tipo N.- Se crea a través de la introducción de elementos de impureza tiene

un exceso de electrones de conducción establecidos por el dopaje, tiene más
electrones de valencia de los necesarios para el enlace covalente. El portador
mayoritario es el electrón y el minoritario es el agujero.
 Material tipo P.- Está formado por un material de dopaje intrínseco de aceptor y
tiene insuficiencia de electrones para completar la unión covalente creando de ese
 modo un agujero en la estructura covalente. El portador mayoritario es el agujero y
el portador minoritario es el electrón.

8. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

 Las impurezas de donadores son difundidos con 5 electrones de valencia.

 Las impurezas de aceptores son difundidos con 3 electrones de valencia.

9. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

 Los portadores mayoritarios son los portadores de un material que superan con
abundancia el número de portadores en cualquier otro material.
 Los portadores minoritarios son aquellos de un material que son menos en número
que cualquier otra portadora del material.

10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico
como se demostró para el silicio en la figura 1.7.

11. Repita el problema 10, pero ahora inserte una impureza de indio.
12. Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo de
huecos contra el de electrones. Con ambas descripciones, describa con sus propias
palabras el proceso de conducción de huecos.

Sol. Al estar una temperatura por encima del cero absoluto habrán electrones que están
excitados causando la banda y entrando a la banda de conducción donde podrán
producir corriente al cruzar el electrón deja un puesto vacante o hueco en la estructura
cristalina del silicio tanto el electrón como el hueco pueden moverse a través del
material.

1.6 DIODO SEMICONDUCTOR

13. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones
de polarización en directa y en inversa en un diodo de unión p-n y cómo se ve
afectada la corriente resultante.

 El terminal positivo conectado al material tipo n y el negativo conectado al tipo p,

ya que el número de iones positivos en la región de empobrecimiento del material
tipo n se incrementara para la gran cantidad de electrones libre atraídos por el
voltaje aplicado.
 La aplicación de un potencial de polarización en directa VD presionara a los
electrones en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se
recambien con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de la regio de
empobrecimiento.

14. Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa del
diodo de unión p-n. Es decir, ¿cómo recordará cual potencial (positivo o negativo)
se aplica a cual terminal?

Sol. En la región tipo p positivo y el región tipo n negativo, para conectar de forma
inversa se invierte la polaridad se puede saber cuál es positivo y negativo basándonos en
la banda de color que tienen los diodos.

15. Con la ecuación (1.1), determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo
de silicio con Is = 50 nA y una polarización en directa aplicada de 0.6 V.

Tk = 20 + 273 11.600 11.600

K= = = 5800
𝑛 2

Tk = 293º
 𝐾𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇𝑘 − 1)

(5800)(0.6)
𝐼𝐷 = 50 × 10−9 (𝑒 293 − 1)

𝐼𝐷 = 50 × 10−9 (𝑒 11.877 − 1)

𝐼𝐷 = 7.197 mA

16. Repita el problema 15 con T = 100°C (punto de ebullición del agua). Suponga
que Is se ha incrementado a 50 µA.

Tk = 100 + 273 11.600 11.600

K= = = 5800
𝑛 2

Tk = 373º
𝐾𝑉𝐷 (5800)(0.6)
𝑒 𝑇𝑘 =𝑒 373 = 𝑒 9.39 = 11.27 × 103

𝐾𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇𝑘 − 1)

𝐼𝐷 = 50 × 10−6 (11.27 × 103 − 1)

𝐼𝐷 = 56.35 mA

17. a. Con la ecuación (1.1) determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio

con Is = 0.1 mA con un potencial de polarización en inversa de -10 V.

b. ¿Es el resultado esperado? ¿Por qué?

a) Tk = 20 + 273 = 293º 11.600 11.600

K= = = 5800
𝑛 2

𝐾𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇𝑘 − 1)

(5800)(−10)
𝐼𝐷 = 0.1 × 10−6 (𝑒 293 − 1)

𝐼𝐷 = 0.1 × 10−6 (𝑒 −197.95 − 1)

𝐼𝐷 = 0.1 × 10−6 (1.07 × 10−86 − 1) =

̃ 0.1 × 10−6

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = 0.1 µA

Sol. La corriente del diodo en condiciones de polarización inversa deber ser igual al
valor de saturación.
18. a. Grafique la función y = 𝒆𝒙 con x de 0 a 10. ¿Por qué es difícil hacerlo?

x y = 𝑒𝑥
0 1
1 2.7182
2 7.389
3 20.086
4 54.6
5 148.4

b. ¿Cuál es el valor de y = 𝒆𝒙 con x = 0?

y = 𝑒0 = 1

c. Basado en los resultados de la parte (b), ¿por qué es importante el factor de -1 en

la ecuación (1.1)?

V = 0v 𝐼 = 𝐼𝑆 (1 − 1) = 0 mA

𝑒0 = 1

19. En la región de polarización en inversa la corriente de saturación de un diodo

de silicio es de alrededor de 0.1 µA (T = 20°C). Determine su valor aproximado si
la temperatura se incrementa 40°C.

T = 20ºC: 𝐼𝑆 = 0.1 µA

T = 30ºC: 𝐼𝑆 = 2(0.1 µA) = 0.2 µA => La temperatura se duplica cada 10ºC

T = 40ºC: 𝐼𝑆 = 2(0.2 µA) = 0.4 µA

T = 50ºC: 𝐼𝑆 = 2(0.4 µA) = 0.8 µA

T = 60ºC: 𝐼𝑆 = 2(0.8 µA) = 1.6 µA

1.6 µA: 0.1 µA => Aumento de la tempera de 40ºC

20. Compare las características de un diodo de silicio y uno de germanio y

determine cuál preferiría utilizar en la mayoría de las aplicaciones prácticas. Dé
algunos detalles. Consulte la lista del fabricante y compare las características de un
diodo de silicio y de uno de germanio de características nominales máximas
similares.

Preferimos utilizar el diodo de silicio porque gracias a su temperatura tiene más alta
capacidad, puede ser usado hasta un máximo de 200ºC a diferencia del germanio que
llega máximo a los 85ºC, con el diodo de silicio se pueden usar para señales grandes.

21. Determine la caída de voltaje en directa a través del diodo cuyas características
aparecen en la figura 1.19 a temperaturas de -75°C, 25°C, 125°C y una corriente
de 10 mA. Determine el nivel de corriente de saturación para cada temperatura.
Compare los valores extremos de cada una y comente sobre la relación de las dos.

-75°C 25°C 125°C

𝑉𝐹 1.1 V 0.85 V 0.6 V

𝐼𝑆 0.01 pA 1 pA 1.05 µA

𝑉𝐹 disminuye con el aumento de la temperatura 1.1 V ÷ 0.6 V =

̃ 1.83:1

𝐼𝑆 se incrementa con el aumento de la temperatura 1.05 µA ÷ 0.01 pA = 105× 103 :1

1.7 LO IDEAL VS. LO PRÁCTICO

22. Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal como se
aplica a un dispositivo o a un sistema.

Se dice que un diodo ideal es cuando tiene una buena aproximación a su respuesta
general del diseño es decir las tolerancias de la fabricación cuando este es más preciso s
sus características reales de funcionamiento.
23. Describa con sus propias palabras las características del diodo ideal y cómo
determinan los estados de encendido y apagado del dispositivo. Es decir, describa
por qué los equivalentes de cortocircuito y circuito abierto son correctos.

En polarización en directa cualquier nivel de voltaje produce una resistencia de 0 Ω y se

produce la conducción mientras que en inversa cualquier voltaje produce una resistencia
muy alta interrumpiendo la conducción.

24. ¿Cuál es la diferencia importante entre las características de un interruptor

simple y las de un diodo ideal?

Que un interruptor es mecánico y por eso es capaz de conducir la corriente a cualquier

dirección mientras que el diodo solo permite el flujo a través de este en una sola
dirección.

1.8 NIVELES DE RESISTENCIA

25. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible

de la figura 1.15 con una corriente en directa de 2 mA.

𝑉𝐷 =
̃ 0.66 V 𝑉𝐷 0.65 V
𝑅𝐷𝐶 = = = 325Ω
𝐼𝐷 2 mA

𝐼𝐷 = 2 mA

26. Repita el problema 25 con una corriente en directa de 15 mA y compare los

resultados.

𝐼𝐷 = 15 mA 𝑉𝐷 0.82 V
𝑅𝐷𝐶 = 𝐼𝐷
= 15 mA
= 54.67 Ω

𝑉𝐷 = 0.82 V
27. Determine la resistencia estática o de cd del diodo comercialmente disponible
de la figura 1.15 con un voltaje en inversa de -10 V. ¿Cómo se compara con el valor
determinado con un voltaje en inversa de -30 V?

𝑉𝐷 = -10 V 𝑉𝐷 = -30 V

𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = −0.1 µA 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = −0.1 µA

𝑉𝐷 −10 V 𝑉𝐷 −30 V
𝑅𝐷𝐶 = = −0.1 µA = 100 MΩ 𝑅𝐷𝐶 = = −0.1 µA = 300 MΩ
𝐼𝐷 𝐼𝐷

Sol. A medida que aumenta la tensión inversa, la resistencia inversa aumenta

inversamente ya que la corriente de fuga del diodo permanece constante.

28. a. Determine la resistencia dinámica (ca) del diodo de la figura 1.27 con una
corriente en directa de 10 mA por medio de la ecuación (1.4)

b. Determine la resistencia dinámica (ca) del diodo de la figura 1.27 con una
corriente en directa de 10 mA con la ecuación (1.5)

c. Compare las soluciones de las partes (a)

y (b).

∆𝑉𝑑 0.79𝑉 − 0.76𝑉 0.03 𝑉

a) 𝑟𝑑 = = 15 𝑚𝐴 − 5𝑚𝐴 = 10 𝑚𝐴 = 3 Ω
∆𝐼𝑑

26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
b) 𝑟𝑑 = = 10 𝑚𝐴 = 2.6 Ω
𝐼𝐷

c) Sol. La parte (a) está muy cerca de la parte

(b)
29. Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corriente
en directa de 10 mA y compare sus magnitudes.

𝐼𝐷 = 10 mA 𝑉𝐷 = 0.76 V

𝑉𝐷 0.76 𝑉
𝑅𝐷𝐶 = = 10 𝑚𝐴 = 76 Ω
𝐼𝐷

∆𝑉𝑑 0.79𝑉 − 0.76𝑉 0.03 𝑉

𝑟𝑑 = ̃ 15 𝑚𝐴 − 5𝑚𝐴 = 10 𝑚𝐴 = 3 Ω
=
∆𝐼𝑑

𝑅𝐷𝐶 >> 𝑟𝑑

30. Con la ecuación (1.4) determine la resistencia de ca con una corriente de 1 mA

y 15 mA del diodo de la figura 1.27. Compare las soluciones y desarrolle una
conclusión general con respecto a la resistencia de ca y niveles crecientes de la
corriente en el diodo.

𝐼𝐷 = 1 mA 𝐼𝐷 = 15 mA

∆𝑉𝑑 0.72𝑉 − 0.61𝑉 ∆𝑉𝑑 0.8𝑉 − 0.78𝑉

𝑟𝑑 = = = 55 Ω 𝑟𝑑 = = 20 𝑚𝐴 − 10𝑚𝐴 = 2 Ω
∆𝐼𝑑 2 𝑚𝐴 − 0𝑚𝐴 ∆𝐼𝑑

31. Con la ecuación (1.5), determine la resistencia de ca con una corriente de 1 mA

y 15 mA del diodo de la figura 1.15. Modifique la ecuación como sea necesario para
niveles bajos de corriente del diodo. Compare con las soluciones obtenidas en el
problema 30.

𝐼𝐷 = 1 mA 𝐼𝐷 = 15 mA

26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑑 = 2( )= 2( 1 𝑚𝐴 )=2(26Ω)=52 Ω 𝑟𝑑 = ( ) = (15 𝑚𝐴) = 1.73 Ω
𝐼𝐷 𝐼𝐷

(52 Ω) vs (55 Ω) p.30 (1.73 Ω) vs (2 Ω) p.30

32. Determine la resistencia de ca promedio para el diodo de la figura 1.15 en la
región entre 0.6 V y 0.9 V.

∆𝑉𝑑 0.9𝑉 − 0.6𝑉

𝑟𝑎𝑣 = = 13.5 𝑚𝐴 − 1.2 𝑚𝐴 = 24.4 Ω
∆𝐼𝑑

33. Determine la resistencia de ca para el diodo de la figura 1.15 con 0.75 V y

compárela con la resistencia de ca promedio obtenida en el problema 32.

∆𝑉𝑑 0.8𝑉 − 0.7𝑉 0.09 𝑉

𝑟𝑑 = =
̃ 7 𝑚𝐴 − 3𝑚𝐴 = = 22.5 Ω
∆𝐼𝑑 4 𝑚𝐴

(24.4 Ω) vs (22.5 Ω) p.32

1.9 CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

34. Determine el circuito equivalente lineal por segmentos del diodo de la figura
1.15. Use un segmento de línea recta que intersecte el eje horizontal en 0.7 V y
aproxime lo mejor que se pueda la curva correspondiente a la región mayor que
0.7 V.

∆𝑉𝑑 0.9𝑉 − 0.7𝑉 0.2 𝑉

𝑟𝑎𝑣 = = 14 𝑚𝐴 − 0 𝑚𝐴 = 14 𝑚𝐴 = 14.29 Ω
∆𝐼𝑑

35. Repita el problema 34 con el diodo de la figura 1.27.

 ∆𝑉𝑑 0.8𝑉 − 0.7𝑉 0.1 𝑉
𝑟𝑎𝑣 = ̃ 25 𝑚𝐴 − 0𝑚𝐴 = 4 𝑚𝐴 = 4 Ω
=
∆𝐼𝑑

1.10 CAPACITANCIAS DE DIFUSIÓN Y TRANSICIÓN

*36. a. Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de transición con

potenciales de polarización en inversa de -25 V y 10 V. ¿Cuál es la relación del
cambio de capacitancia al cambio de voltaje?

b. Repita la parte (a) con potenciales de polarización en inversa de -10 V y -1 V.

Determine la relación del cambio de capacitancia al cambio de voltaje.

c. ¿Cómo se comparan las relaciones determinadas en las partes (a) y (b)? ¿Qué le
dice esto con respecto a qué campo puede tener más áreas de aplicación práctica?

0.194 pF/V
a) 𝑉𝑅 = -25 V: 𝐶𝑇 =
̃ 0.75 pF c) 0.033 pF/V = 1 => 5.88: 1 => 6:1

𝑉𝑅 = -10 V: 𝐶𝑇 =
̃ 1.25 pF

∆𝐶 1.25 𝑝𝐹− 0.75𝑝𝐹 0.5 𝑝𝐹

|∆𝑉𝑇 | = | |= = 0.033 pF/V
𝑅 10𝑉 − 25𝑉 15 𝑉

b) 𝑉𝑅 = -10 V: 𝐶𝑇 =
̃ 1.25 pF

𝑉𝑅 = -1 V: 𝐶𝑇 =
̃ 3 pF

∆𝐶 1.25 𝑝𝐹− 3 𝑝𝐹 1.75 𝑝𝐹

|∆𝑉𝑇 | = | |= = 0.194 pF/V
𝑅 10𝑉 − 1𝑉 9𝑉
37. Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de difusión con 0 V y
0.25 V.

𝑉𝐷 = 0 V 𝑉𝐷 = 0.25 V

𝐶𝐷 = 3.3 pF 𝐶𝐷 = 9 pF

38. Describa con sus propias palabras cómo difieren las capacitancias de difusión y
transición.

R. La difusión se da fuera de los límites de la zona de agotamiento en estado de

polarización directa y la transición se produce por el campo de agotamiento del propio
diodo.

39. Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito por las características
de la figura 1.33, con un potencial en directa de 0.2 V y un potencial en inversa de -
20 V si la frecuencia aplicada es de 5 MHz.

𝑉𝐷 = 0.2 V 𝑉𝐷 = -20 V

𝐶𝐷 = 7.3 pF 𝐶𝐷 = 0.9 pF

1 1 1 1
𝑋𝐶 = 2𝜋𝑓𝐶 = 2𝜋(6 𝑀𝐻𝑧)(7.3 𝑝𝐹) = 3.64 kΩ 𝑋𝐶 = 2𝜋𝑓𝐶 = 2𝜋(6 𝑀𝐻𝑧)(0.9 𝑝𝐹) = 29.47 kΩ

1.11 TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA

40. Trace la forma de onda de i de la red de la figura 1.66 si 𝒕𝒕 = 2 𝒕𝒔 y el tiempo de

recuperación en inversa es de 9 ns.

10 𝑣 5𝑣
𝐼𝑓 = 10 𝑘Ω = 1 mA 𝐼𝑟𝑒𝑣𝑒𝑟𝑠𝑒 = 10 𝑘Ω = 0.5 mA

𝑡𝑠 + 𝑡𝑡 = 𝑡𝑟𝑟 = 9 ns

𝑡𝑠 + 2𝑡𝑠 = 9 ns
𝑡𝑠 = 3 ns

𝑡𝑡 = 2𝑡𝑠 = 6 ns

1.12 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS

*41. Trace 𝑰𝑭 contra 𝑽𝑭 utilizando escalas lineales para el diodo de la figura 1.37.
Observe que la gráfica provista emplea una escala logarítmica para el eje vertical
(las escalas logarítmicas se abordan en las secciones 9.2 y 9.3).

42. Comente sobre el cambio de nivel de capacitancia con el incremento del

potencial de polarización en inversa para el diodo de la figura 1.37.
Sol. Cuando aumenta el potencial de polarización en inversa la capacitancia va a
disminuir de manera rápida. Los potenciales de 10 V se normalizan más o menos a 1.5
pF.

43. ¿Cambia significativamente la magnitud de la corriente de saturación en

inversa del diodo de la figura 1.37 con potenciales de polarización en inversa en el
intervalo de -25 V a -100 V?

𝑉𝐷 = -25 V, 𝐼𝐷 = -0.2 nA

𝑉𝐷 = -100 V, 𝐼𝐷 = -0.45 nA

Sol. La magnitud de corriente no cambia significativamente tiene un cambio muy

pequeño en cuanto se trate de corriente.

*44. Para el diodo de la figura 1.37 determine el nivel de 𝑰𝒈 a temperatura

ambiente (25°C) y al punto de ebullición del agua (100°C). ¿Es significativo el
cambio? ¿Se duplica el nivel por cada 10°C de incremento de la temperatura?

𝑇𝐴 = 25ºC, 𝐼𝑅 = 0.5 nA

𝑇𝐴 = 100ºC, 𝐼𝑅 = 60 nA

Sol. El cambio que se da es significativo porque sube de 0.5 nA a 60 nA, aquí existe una
diferencia aproximadamente de 59.5 nA entre los dos.

45. Para el diodo de la figura 1.37 determine la resistencia de ca (dinámica)

máxima con una corriente en directa de 0.1, 1.5 y 20 mA. Compare los niveles y
comente si los resultados respaldan las conclusiones derivadas en las primeras
secciones de este capítulo.

̃ 700 Ω
𝐼𝐹 = 0.1 mA: 𝑟𝑑 =

̃ 70 Ω
𝐼𝐹 = 1.5 mA: 𝑟𝑑 =

̃ 6Ω
𝐼𝐹 = 20 mA: 𝑟𝑑 =

Sol. El resultado apoya el hecho que la dinámica en un circuito ac disminuye

rápidamente la resistencia y aumenta los niveles de corriente.

46. Con las características de la figura 1.37, determine los niveles de disipación de
potencia nominal máximos para el diodo a temperatura ambiente (25°C) y a
100°C. Suponiendo que 𝑽𝑭 permanece fijo en 0.7 V, ¿Cómo cambia el nivel
máximo de IF entre los dos niveles de temperatura?

T = 25ºC: 𝑃𝑚𝑎𝑥 = 500 Mw T = 100ºC: 𝑃𝑚𝑎𝑥 = 260 mW

𝑃𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐹 𝐼𝐹

𝑃𝑚𝑎𝑥 500 Mw
𝐼𝐹 = = = 714.29 mA
𝑉𝐹 0.7 𝑉

𝑃𝑚𝑎𝑥 260 Mw
𝐼𝐹 = = = 371.43 mA
𝑉𝐹 0.7 𝑉

714.29 mA
= 1 => 1.92 = 1 => 2 = 1
371.43 mA

47. Con las características de la figura 1.37, determine la temperatura a la cual la

corriente en el diodo será 50% de su valor a temperatura ambiente (25°C).

𝐼𝐹 = 500 mA 𝐼𝐹 = 250 mA

T = 25ºC T = 104ºC

1.15 DIODOS ZENER

48. Se especifican las siguientes características para un diodo Zener particular:

𝑽𝒁 = 9 V, 𝑽𝑹 =16.8 V, 𝑰𝒁𝒓 =10 mA, 𝑰𝑹 =20 µA e 𝑰𝒁𝑴 =40 mA. Trace la curva
característica como aparece en la figura 1.47.

*49. ¿A qué temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendrá un voltaje

nominal de 10.75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.7).

∆𝑉𝑍
𝑇𝐶 = 0.072% = 𝑥100%
𝑉𝑍 (𝑇1 − 𝑇0 )
 0.75𝑉
0.072 = 𝑥100%
10 𝑉(𝑇1 − 25)

0.75𝑉
0.072 =
(𝑇1 − 25)

7.5
𝑇1 − 25𝑜 = = 104.17𝑜
0.072

𝑇1 = 104.17𝑜 + 25𝑜 = 129.17𝑜

50. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (valor

determinado a 25°C) si el voltaje nominal se reduce a 4.8 V a una temperatura de
100°C.

∆𝑉𝑍
𝑇𝐶 = 𝑥100%
𝑉𝑍 (𝑇1 − 𝑇0 )

(5 𝑉−4.8 𝑉)
𝑇𝐶 = 5 𝑉(100𝑜 −25𝑜 ) 𝑥100%

𝑇𝐶 = 0.053%/℃

51. Con las curvas de la figura 1.48a, ¿qué nivel de coeficiente de temperatura
esperaría para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Considere una
escala lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.

∆𝑉𝑍 𝐼𝑍 = 0.1 𝑚𝐴, 𝑇𝐶 ≌ 0.06%/℃

𝑇𝐶 = 𝑥100%
∆𝑉
∆𝑉𝑍
𝑇𝐶 = 𝑥100%
20𝑉 − 6.8𝑉 ∆𝑉
𝑇𝐶 = 𝑥100%
24𝑉 − 6.8𝑉 5𝑉 − 3.6𝑉
𝑇𝐶 = 𝑥100% = 44%
𝑇𝐶 = 77% 6.8𝑉 − 3.6𝑉

52. Determine la impedancia dinámica del diodo de 24 V con 𝑰𝒁 =10 mA de la

figura 1.48b. Observe que es una escala logarítmica.
*53. Compare los niveles de impedancia dinámica para el diodo de la figura 1.48
con niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. ¿Cómo se relacionan los resultados con
la forma de las características en esta región?

Diodo Zener 24V:

0.2 mA ≌ 400Ω
0.1mA ≌ 95Ω
10 mA ≌ 13Ω
Sol. Cuanto más pronunciada sea la curva (mayor dI / dV) menor será la resistencia
dinámica.
1.16 DIODOS EMISORES DE LUZ

54. Recurriendo a la figura 1.53e, ¿qué valor de 𝑽𝒈 parecería apropiado para este
dispositivo? ¿Cómo se compara con el valor de 𝑽𝒈 para silicio y germanio?

Sol. El 𝑉𝑇 ≌ 2.0 que es considerablemente mayor que el germanio (≅ 0,3 V) o el silicio

(≅ 0,7 V). Para el germanio es una proporción de 6,7: 1, y para el silicio una proporción
de 2,86: 1.
55. Con la información de la figura 1.53, determine el voltaje en directa a través
del diodo si la intensidad luminosa relativa es de 1.5.

𝐼𝐹 ≌ 13𝑚𝐴

𝑉𝐹 = 2.3𝑉

*56. a. ¿Cuál es el incremento en porcentaje de la eficiencia relativa del dispositivo

de la figura 1.53 si la corriente pico se incrementa de 5 mA a 10 mA?

b. Repita la parte (a) con 30 mA a 35 mA (el mismo incremento de corriente).

c. Compare el incremento en porcentaje de las partes (a) y (b). ¿En qué punto de la
curva diría que hay poco que ganar con un incremento adicional del corriente
pico?

a) 5mA≌0.82 10mA≌1.02

1.02−0.82 1.02
= 𝑥100% 𝑟= = 1.24
0.82
0.82
= 24.4% 𝑖𝑛𝑐𝑟𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑟
b) 30mA≌1.38 35mA≌1.42

1.42 − 1.38 1.42

= 𝑥100% 𝑟= = 1.03
1.38 1.38

= 2.9% 𝑖𝑛𝑐𝑟𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑜

c) Sol. Para corrientes mayores a 30 mA, el incremento porcentual es significativamente

menor que para corrientes de mayor magnitud.
57. a. Si la intensidad luminosa a un desplazamiento angular de 0° es de 3.0 mcd
para el dispositivo de la figura 1.53, ¿a qué ángulo será de 0.75 mcd?

b. ¿A qué ángulo la pérdida de intensidad luminosa se reduce a menos de 50%?

0.75
a) = 0.25
3.0

(𝑖) ≌ 75𝑜

b) 0.5 → ∢=40
*58. Trace la curva de reducción de la corriente en directa promedio del LED rojo
de alta eficiencia de la figura 1.53 determinada por la temperatura. (Considere las
cantidades nominales máximas absolutas).

0.2𝑚𝐴 20𝑚𝐴
=
℃ 𝑥

20𝑚𝐴
𝑥=
0.2𝑚𝐴
℃

𝑥 = 100℃