UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRÓNICA Y

ELÉCTRICA

TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN Y FAMILIAS DE COMPONENTES

DIGITALES EN CI

CURSO: CIRCUITOS DIGITALES I (LABORATORIO)

TIPO DE INFORME: INFORME FINAL

PROFESOR: SILVA GÁRATE LUIS ALBERTO

Integrantes:

 MORALES VALLADARES ROMAN OLIVER 15190018

 LICLA JARPI PAUL 15190015

 CARBAJAL RIVERA ANDRÉS 13190146

 PEREYRA PELÁEZ OSCAR ABEL 15190023

 ROSAS JUSTINO ENOC ELIAS 15190025

LIMA, PERÚ 2017

 TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN Y FAMILIAS DE COMPONENTES

DIGITALES EN CI

OBJETIVOS

1. Reconocer físicamente dispositivos lógicos en CI.

2. Elaborar tablas de funcionamiento de dispositivos lógicos básicos en CI.
3. Obtener la curva de transferencia de las familias lógicas más populares.
4. Realizar pruebas dinámicas de las familias lógicas más populares.

MATERIALES

Unidades de PUZ-2000, TM-1 y EB-200 y accesorios de DEGEM

SYSTEMS; así como dispositivos TTL (LS, ALS o FAST), CMOS (4000 o
74C) y ECL. Instrumentos electrónicos de laboratorio.

TAREAS PARA EXPERIMENTAR

1. Identificar y registrar las características de los dispositivos de la unidad EB-200

(código n°001°550°) de DEGEM SYSTEMS.

Características de la unidad EB-200-2 (usado en el experimento)

 Contiene los integrados HC04, HCT86, HC02, HC32, 74MC08, HCT00.

 Contiene 4 entradas (A, B, C, D) y una toma a tierra.
 Contiene las puertas lógicas not, xor, or, nor, and y nand.
 Los integrados cuentan de 14 patas cada una conectadas de manera
correcta en la placa para que cumplan sus respectivas funciones.
EB-200-1

 HC00, HCT04, HCT08, HCT32,

EB-200-2

LIMA, PERÚ 2017

  HC04, HCT86, HC02, HC32, 74MC08, HCT00

EB-202-1

 HCT11, HCT32, HCT86, HCT08

2. Realizar la prueba funcional de puerta lógica 1. Anotar, en las tablas

correspondientes, los niveles lógicos y de voltaje.

(Prueba funcional de la unidad EB-200-2)

EB-200-2 - Puerta NOR (2 entradas) - HC02

entrada de entrada de niveles de salida de nivel salida de nivel de

niveles lógicos voltaje lógico voltaje
A B A B S S
0 0 0.076 v 0.089 v 1 5.138 v
0 1 0.075 v 5.008 v 0 0.001 v
1 0 5.008 v 0.089 v 0 0.001 v
1 1 5.008 v 5.008 v 0 0.001 v

EB-200-2 - Puerta XOR (2 entradas) - HCT86

entrada de entrada de niveles de salida de nivel salida de nivel de

niveles lógicos voltaje lógico voltaje
A B A B S S
0 0 0v 0v 0 0v
0 1 0v 4.911 v 1 4.786 v
1 0 4.927 v 4.910 v 1 4.786 v
1 1 4.926 v 0v 0 0v

EB-200-2 - Puerta XOR (3 entradas) - HCT86

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 entrada de salida de nivel salida de nivel de
entrada de niveles de voltaje
niveles lógicos lógico voltaje
A B C A B C S S
0 0 0 0v 0v 0v 0 0v
0 0 1 0v 0v 4.902 v 1 4.750 v
0 1 0 0v 4.911 v 0v 1 4.738 v
0 1 1 0v 4.910 v 4.902 v 0 0v
1 0 0 4.927 v 0v 0v 1 4.738 v
1 0 1 4.926 v 0v 4.902 v 0 0v
1 1 0 4.926 v 4.910 v 0v 0 0v
1 1 1 4.927 v 4.910 v 4.902 v 1 4.750 v

3. Obtener la curva de transferencia de esta familia, en condiciones de abanico de

salida mínimo y máximo.

Vpp=10 v f=100K Hz Vrms=2.78 V T=9.92u s

entrada de nivel entrada de nivel de salida de nivel salida de nivel de
lógico voltaje lógico voltaje
A A S S
0 0.103 v 1 3.443 v
1 5.001 v 0 0.145 v

Graficas:
Inversor Curva de transferencia

4. Medir tiempos (prueba dinámica) de conducción y corte en condiciones de abanico

de salida mínimo y máximo.

𝑡𝑃𝐻𝐿 = 1.5 𝑥 50𝑛 𝑠 = 75𝑛 𝑠

𝑡𝑃𝐿𝐻 = 1.4 𝑥 50𝑛 𝑠 = 70𝑛 𝑠

PROBLEMAS PROPUESTOS

1. Indicar si las expresiones siguientes son verdaderas o no:

a. La disipación de potencia de los circuitos MOS, bajo condiciones

de conmutación es debido totalmente a la carga capacitiva
(incluyendo los parásitos).

La disipación de potencia se incrementará debido a que, en la

salida, la capacitancia parásita del MOS se cargará y descargará
ocasionando picos de tensión y se incrementará la corriente
promedio de VDD, pero no es lo único a tomar en cuenta,
también afectará el nivel de frecuencia aplicado al circuito MOS.

b. La disipación de potencia varía linealmente con la frecuencia.

La disipación de potencia se incrementará en proporción a la

frecuencia en que los circuitos cambian de estado. La razón de
esta dependencia en relación con la frecuencia es que cada vez
que el CMOS cambia de estado de BAJO a ALTO debe
suministrarse una corriente de carga transitoria a la capacitancia
de carga generando unos picos de corriente como se ve en la
figura. Es evidente ahora que al aumentar la frecuencia también
aumentará el número de picos de corriente por segundo.

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c. Los tiempos de conmutación (tr, tf) y de retardo de propagación
(td) de los CMOS disminuyen al aumentar VDD.

La razón de la mejora de los tiempos de propagación al

aumentar VDD, es que la resistencia de encendido (1kΩ a menos)
del MOSFET se reduce en forma considerable con el aumento de
la tensión de alimentación. Por ejemplo, una compuerta NAND
de la serie 4000 tiene un tiempo de propagación promedio de
50ns a un voltaje VDD=5v, y de 25ns a VDD=10V.

d. La inmunidad al ruido AC de un CMOS es función de las

capacidades de entrada y salida.

Los márgenes de ruido en CMOS son iguales en cada estado y

solo dependen del voltaje de alimentación aplicado VDD. Además,
tienen mayor inmunidad al ruido que los TTL a 5v o a mayor
tensión.

e. Los CMOS pueden trabajar en un rango más amplio de voltajes

que otras familias, incluso pueden trabajar con voltajes
negativos siempre que VDD>VSS.

Para series de 4000/14000 y 74C se opera con voltajes de VDD

entre 3 y 15 voltios, las series 74HC, 74AC y 74AHC operan por lo
general entre 2 y 6 voltios. Además es posible que un CMOS
opere con voltajes negativos con la condición VDD>VSS pues se
formará canal en el dispositivo y conducirá corriente.

f. La frecuencia de conmutación máxima de un CMOS aumenta con

el voltaje de alimentación.

Ya que comprobamos que el tiempo de propagación se reduce al

aumentar la tensión de alimentación, podemos decir que la
 frecuencia de conmutación aumentará con VDD, debido a su
relación inversa con el tiempo.
2. Indique los diferentes tipos de componentes digitales en CI existentes.
Defínalos. ¿Cuáles son las familias lógicas correspondientes a las
puertas digitales en CI?

1. Familia de circuitos integrados TTL

TTL – Viene de las iniciales: Transistor – Transistor – Lógica o Lógica Transistor. La
familia de los circuitos integrados digitales TTL tiene las siguientes características:
 El voltaje de alimentación es de + 5 Voltios, con: Vmín = 4.75 Voltios y Vmáx =
5.25 Voltios. Por encima del voltaje máximo el circuito integrado se puede dañar y
por debajo del voltaje mínimo el circuito integrado no funcionaría adecuadamente.

 Su realización (fabricación) se logra con transistores bipolares multiemisores,

El inversor (NOT) quedaría como se muestra en la figura de abajo a la izquierda. A la

derecha ejemplo del patillaje de un circuito integrado TTL

Velocidad aproximada Subfamilia TTL

1.5 ns Schottky avanzada
3 ns Schottky
4 ns Schottky avanzada de baja potencia
10 ns Schottky de baja potencia
10 ns estándar
33 ns baja potencia
Tabla 1: Velocidades de las distintas subfamilias TTL

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 Consumo de potencia por puerta Subfamilia TTL
1 mW baja potencia
1 mW Schottky avanzada de baja potencia
2 mW Schottky de baja potencia
7 mW Schottky avanzada
10 mW estándar
20 mW Schottky
Tabla 2: Consumo de potencia de las subfamilias TTL

Observemos que las subfamilias Schottky de baja potencia como la Schottky

avanzada de baja potencia como la Schottky avanzada de baja potencia reúnen
excelentes características de alta velocidad y bajo consumo de potencia.
Debido a su configuración interna, las salidas de los dispositivos TTL NO pueden
conectarse entre sí a menos que estas salidas sean de colector abierto o de tres
estados.

Familia de circuitos integrados CMOS:

Estos CI’s se caracterizan por su extremadamente bajo consumo de potencia, ya
que se fabrican a partir de transistores MOSFET los cuales por su alta impedancia
de entrada su consumo de potencia es mínimo.
Estos CI’s se pueden clasificar en tres subfamilias:

Familia Rango de tensión Consumo potencia Velocidad

estándar (4000) 3 – 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74C00 3 – 15 V 10 mW 20 a 300 ns
serie 74HC00 3 – 15 V 10 mW 8 a 12 ns
Tabla 3: Subfamilias CMOS
La serie 74HCT00 se utiliza para realizar interfaces entre TTL y la serie 74HC00.

DESCARGAS ELECTROSTÁTICAS
Los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño por descargas electrostáticas entre
un par de pines.
Estos daños pueden prevenirse:
  Almacenando los CI CMOS en espumas conductoras especiales.
 Usando soldadores alimentados por batería o conectando a tierra las puntas de los
soldadores alimentados por AC.
 Desconectando la alimentación cuando se vayan a quitar CI CMOS o se cambien
conexiones en un circuito.
 Asegurando que las señales de entrada no excedan las tensiones de la fuente de
alimentación.
 Desconectando las señales de entrada antes de las de alimentación.
 No dejar entradas en estado flotante, es decir, conectarlos a la fuente o a tierra
según se requiera.

3. ¿Cuáles son las consideraciones prácticas que deben tenerse en

cuenta al realizar las mediciones de las características de los pulsos?

Al trabajar con la familia TTL debemos tener en cuenta las siguientes

consideraciones prácticas:

 Las señales de entrada nunca deben de ser mayores a la tensión de alimentación

ni inferior al nivel de tierra.
 Si alguna entrada debe estar siempre a un nivel alto, conectarla a Vcc (tensión de
alimentación).
 Si alguna entrada debe estar siempre a un nivel bajo; conectarla a tierra.
 Si hay entradas no utilizadas, en compuertas NAND, OR, AND, conectarlas a una
entrada que si se esté utilizando.
 Es mejor que las salidas no utilizadas de las compuertas estén a un nivel alto pues
así consumen menos corriente.
 Evitar los cables largos dentro de los circuitos.
Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son muy sensibles a la
electricidad estática y al ruido, tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje alto o
bajo (0 V O Vcc) o bien a otra entrada.

Para obtener las mediciones de las características de la curvas de transferencia de la

familias de los componentes digitales (TTL, CMOS); ajustamos el generador de señales
en OFFSET ON y el osciloscopio en la posición XY a través de los botones de ajustes.

4. Explique los criterios de evaluación (características generales) de las

familias lógicas, de circuitos digitales, desarrollados en CI.

Características especiales
Las características de las familias de CI´s lógicos se comparan analizando el circuito de la
compuerta básica de cada familia, los parámetros más importantes que son evaluados y

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comparados son: fan-out, disipación de poder, demora de propagación y margen de ruido,
se explicaran estos parámetros y algunos se medirán en la práctica.

Fan-Out
Especifica el número de cargos normales que puede accionar la salida de la compuerta
sin menoscabar su operación normal. La salida de la compuerta suministra una cantidad
limitada de corriente por encima de la cual no opera correctamente y en este caso se dice
que está sobrecargada. Es el número máximo de entradas que pueden conectarse a la
salida de la compuerta y se expresa con un número.

Disipación de potencia
Es la potencia suministrada necesaria para operar la compuerta. Este parámetro se
expresa en milivatios (mW) y representa la potencia real designada por la compuerta. Un
CI con cuatro compuertas exigirá de la fuente cuatro veces la potencia disipada por cada
compuerta. En un sistema dado puede haber muchos circuitos integrados y sus potencias
deben tenerse en cuenta. El poder total disipado en un sistema es la suma total del poder
disipado de todos los CI´s.

Retardo de Propagación
Es el tiempo promedio de demora en la transición de propagación de una señal de la
entrada a la salida, cuando las señales binarias cambian de valor. Se expresa en
nanosegundos (ns). Las señales que viajan de las entradas de un circuito digital a las
salidas pasan por una serie de compuertas. La suma de las demoras de propagación a
través de las compuertas es la demora total de la propagación del circuito.

Margen de ruido
Es el máximo voltaje de ruido agregado a la señal de entrada de un circuito digital que no
cause un cambio indeseable, a la salida del circuito. Se expresa en voltios (V). Hay dos
tipos de ruido que deben de considerarse: Ruido DC, causado por la desviación en los
niveles de voltaje de la señal. Ruido AC, es el pulso aleatorio que puede ser creado por
otras señales conmutadas. De esta forma el ruido es el término usado para denotar una
señal indeseable sobrepuesta a una señal de operación normal.

5. Elabore una relación de logos y prefijos que utilizan los fabricantes de

los componentes digitales en CI.

𝐹𝐴𝑀𝐼𝐿𝐼𝐴𝑆 𝑇𝑇𝐿
𝑇𝑇𝐿 𝑆𝑡𝑎𝑛𝑑𝑎𝑟𝑑 𝑡𝑡𝑙 9000, 54/74
𝐻𝑇𝑇𝐿 𝐻𝑖𝑔ℎ 𝑆𝑝𝑒𝑒𝑑 𝑇𝑇𝐿 54𝐻/74𝐻
𝐿𝑇𝑇𝐿 𝐿𝑜𝑤 𝑃𝑜𝑤𝑒𝑟 𝑇𝑇𝐿 93𝐿00, 54𝐿/74𝐿
𝑆𝑇𝑇𝐿 𝑆𝑐ℎ𝑜𝑡𝑡𝑘𝑦 𝑇𝑇𝐿 54𝑆/74𝑆, 93𝑆00
𝐿𝑆𝑇𝑇𝐿 𝐿𝑜𝑤 𝑃𝑜𝑤𝑒𝑟 𝑆𝑐ℎ𝑡𝑡𝑘𝑦 𝑇𝑇𝐿 54𝐿𝑆/74𝐿𝑆
𝐴𝐿𝑆 𝑇𝑇𝐿 𝐴𝑑𝑣𝑎𝑛𝑐𝑒𝑑 𝐿𝑆 𝑇𝑇𝐿 54𝐴𝐿𝑆/74𝐴𝐿𝑆
𝐹𝐴𝑆𝑇 𝑇𝑇𝐿 𝐴𝑑𝑣𝑎𝑛𝑐𝑒𝑑 𝑆 𝑇𝑇𝐿 54𝐹/74𝐹
 𝐹𝐴𝑀𝐼𝐿𝐼𝐴 𝐶𝑀𝑂𝑆
𝑆𝑒𝑟𝑖𝑒 4000
𝑆𝑒𝑟𝑖𝑒 74𝐶
𝑆𝑒𝑟𝑖𝑒 74𝐻𝐶
𝑆𝑒𝑟𝑖𝑒 74𝐻𝐶𝑈
𝑆𝑒𝑟𝑖𝑒 74𝐻𝐶𝑇

6. Indique las precauciones que se deben tener en cuenta al manipular

componentes de las familias TTL, CMOS y ECL.

 Precauciones a tomar en el manejo de dispositivos CMOS.

Todos los dispositivos CMOS son muy susceptibles al daño ocasionado por
descarga electrostática entre cualquier par de pines.

La electrostática o electricidad estática consiste en la creación de altos voltajes

en la superficie de un material aislante por efecto de fricción o frotamiento.

 Conservar el circuito integrado en su contenedor original hasta que sea insertado

en el circuito de aplicación.
 Conectar todas las entradas no empleadas a un nivel estable. No dejarlas sin
conectar.
 Verificar la polaridad de la fuente de alimentación. El positivo debe ir al pin +VDD y
el negativo o tierra al pin VSS.

 Precauciones a tomar en el manejo de dispositivos TTL.

Tensión de alimentación (+ VCC).

 Los circuitos TTL en general, pueden operar con tensiones entre 4.75 V. y 5.25 V.
Pero el valor nominal de la tensión de trabajo es de + 5 volts.

Niveles de voltaje.

 De 0 V. a 0.8 V. para el estado bajo.

 De 2.4 V. A 5 V. para el estado alto

 Precauciones a tomar en el manejo de dispositivos ECL.

No existen picos de corrientes en los transistores como sucede en la familia lógica TTL.

 El nivel de 1 lógica es prácticamente independiente del factor de carga.

 Altos valores de potencia del orden de 40mW.
 No son compatibles con los circuitos TTL.

7. Explique las diferencias entre las características de los dispositivos

CMOS versiones B y UB (Buffered y unbuffered).

Los códigos empleados para designar dispositivos digitales CMOS pueden ser
separados en dos grupos, según sea el sufijo literal que le corresponda. El sufijo B
indica que el dispositivo posee incorporado un buffer (𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑓𝑎𝑠𝑒) que proporciona

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 facilidad a la interconexión de estos dispositivos, unos con otros, de una manera
directa sin tener que considerar el acoplamiento d las impedancias de entrada y
salida.

Cuando el código posee el sufijo UB, significa que el dispositivo no posee el buffer
interno (solo posee una etapa inversora entre la entrada y la salida) y presenta
menor ganancia, menor inmunidad al ruido, presenta una operación en modo lineal
adecuado para implementar osciladores y un tiempo de respuesta 𝑡𝑝 más rápido.

8. ¿Por qué la disipación de potencia es una consideración importante

en el diseño de circuitos?

Los circuitos eléctricos disipan potencia. Cuando el número de componentes

integrados en un volumen dado crece, las exigencias en cuanto a disipación de
esta potencia, también crecen, calentando el sustrato y degradando el
comportamiento del dispositivo. Además, en muchos casos es un sistema de
realimentación positiva, de modo que cuanto mayor sea la temperatura, más
corriente conduce, fenómeno que se suele llamar "embalamiento térmico" y, que si
no se evita, llega a destruir el dispositivo. Los amplificadores de audio y los
reguladores de tensión son proclives a este fenómeno, por lo que suelen
incorporar protecciones térmicas.

Los circuitos de potencia, evidentemente, son los que más energía deben disipar.
Para ello su cápsula contiene partes metálicas, en contacto con la parte inferior del
chip, que sirven de conducto térmico para transferir el calor del chip al disipador o
al ambiente. La reducción de resistividad térmica de este conducto, así como de
las nuevas cápsulas de compuestos de silicona, permiten mayores disipaciones
con cápsulas más pequeñas.

Los circuitos digitales resuelven el problema reduciendo la tensión de alimentación

y utilizando tecnologías de bajo consumo, como CMOS. Aun así en los circuitos
con más densidad de integración y elevadas velocidades, la disipación es uno de
los mayores problemas, llegándose a utilizar experimentalmente ciertos tipos de
criostatos. Precisamente la alta resistividad térmica del arseniuro de galio es su
talón de Aquiles para realizar circuitos digitales con él.

9. ¿Qué costos total (𝒐𝒗𝒆𝒓𝒉𝒆𝒂𝒅) es asociado con CI?

 Costos de la materia prima.

 Costo de envío.
 Mano de obra.
10. Para los componentes de las familias TTL, CMOS y ECL indique las
resistencias térmicas entre la unión y el encapsulado y entre la unión y
el medio ambiente, para los diferentes tipos de encapsulados.

Coeficiente de Coeficiente de
Constante
Material conductividad expansión
Dieléctrica
térmica (W/cm.oK) (10-6/oK)
Carburo de
2.2 3.7 42.0
Si(SiC)

Berilia (BeO) 2.0 6.0 6.7

Alumina (AL2O2) 0.3 6.0 9.5

Dióxido de Si
0.01 0.5 3.9
(SiO2)

Polimidas 0.004 - 3.5

Epoxy (PCBs) 0.003 1.5 5.0

11. En un circuito digital, las siguientes puertas SN74S02, SN74L00,

SN74LS00, SN7400 y SN74LS02; deben de conectarse como
inversores. Indique cuales son los posibles modos de conectar las
entradas no utilizadas de dichas puertas.

 74LS04

En este integrado todas las entradas son

utilizadas, del 1-6, 8-13 usan las puertas
lógicas; los pines 7 y 14 se conectan a la
fuente para la polarización de los
transistores internos.

LIMA, PERÚ 2017

 SN7400

Al igual que el 74LS04 los pines 7 y

14 se conectan a la fuente para
polarizar los transistores internos.

BIBLIOGRAFIA

 Sistemas Digitales-Problemas y aplicaciones, Tocci – Widmer –

Moss, 10ma edición, páginas 525 al 528.

 http://cidelamesa.blogspot.pe/p/circuitosdigitales.html

 http://electronicacompleta.com/lecciones/compuertas-logicas/
 http://www.circuitoselectronicos.org/2007/10/comprobacin-de-
los-circuitos-integrados.html
