IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO.
12, DECEMBER 2016
Study Of The Scaling And The temperature For
RERAM Cells Using The QPC Model
L. Trojman, Member, IEEE, S. Guitarra, L. M. Procel, Member, IEEE and L. Raymond
1
Abstract— This article describes the HfO2-based resistive
radom access memories (RERAM) operation for different areas
and temperatures using the Quantum Point Contact (QPC)
model. Based on the QPC model the RERAM cell is described by
a potential barrier variation using two parameters. The
systematic extraction of this parameter for experimental I-V
curves leads to conclude that the OXRAM cell does not depend
on the scaling area cell but the temperature seems to degrade the
performance cell above all for RERAM cell with dimension
under 100nm. Further the needed energy to form the cells is
increasing with the area scaling.
Keywords— RERAM, QPC model, high-κ, HfO2, TiN,
Temperature, area scaling.
I. INTRODUCCIÓN
L AS MEMORIAS basadas en materiales semiconductores
han formado parte importante del mercado de
microelectrónica desde el inicio de la industria de dispositivos
semiconductores. Sus aplicaciones son tan variadas que se
encuentran en la mayoría de los dispositivos electrónicos
modernos. No obstante, la dinámica del mercado exige que
tengan especificaciones cada vez más estrictas en términos de
densidad de almacenamiento y consumo de energía.
Actualmente las memorias basadas en tecnología flash son las
más utilizadas, sin embargo, han llegado a su límite de
escalamiento y de densidad de integración. Debido a esto, para
reemplazarlas, han surgido nuevas tecnologías [1] entre las
cuales tenemos memorias resistivas (RERAM), memorias
basadas en el principio de cambio de fase (“Phase Change
Memory”, PCM), memorias SONOS 3D (Three - dimensional
Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon memory), entre otras [2].
En este artículo se estudian las principales características
de las memorias resistivas RERAM y específicamente se
analiza su comportamiento físico y eléctrico cuando se escala
el área de la celda y se aumenta la temperatura. El
escalamiento del área nos indica cuan factible es la reducción
de su tamaño sin afectar su funcionamiento, lo cual es un
punto clave en el aumento de la densidad de integración. Por
otra parte, la temperatura nos da información sobre el
funcionamiento real de la celda pues la mayoría de los
dispositivos electrónicos tienen una temperatura de
funcionamiento cercana o superior a los 125ºC [3].
L. Trojman, Universidad San Francisco de Quito, Ecuador,
ltrojman@usfq.edu.ec
S. Guitarra, Universidad San Francisco de Quito, Ecuador,
sguitarra@usfq.edu.ec
L. M. Procel, Universidad San Francisco de Quito, Ecuador,
lprocel@usfq.edu.ec
L. Raymond, Institute Materials Microelectronics Nanoscience of
Provence, IM2NP, Francia, laurent.raymond@univ-amu.fr
4693
Las celdas RERAM son conocidas por tener un
funcionamiento físico bastante complejo lo que impide tener
una rigurosa predicción de su comportamiento eléctrico. Por
tal motivo se han desarrollado diferentes modelos con
distintos niveles de complejidad. No obstante, solo la
caracterización física de la celda sería útil para validarlos.
Recientemente, se ha logrado realizar la caracterización de
una celda RERAM y se observó la forma del contacto
responsable de su comportamiento [5].
En el presente trabajo se estudia el efecto del escalamiento de
la celda y el efecto de la temperatura utilizando el modelo de
Contacto de Punto Cuántico o “Quantum Point Contact
(QPC)” [4-5]. Este modelo es relativamente sencillo y ha
demostrado su eficacia para explicar el funcionamiento
eléctrico de la celda. Además, se toma en cuenta el trabajo
realizado en [4] para interpretar y justificar la validez del
modelo QPC con la perspectiva física del funcionamiento de
las celdas RERAM. Para esto se realiza mediciones de las
curvas características I-V en celdas con diferentes
dimensiones y a diferentes temperaturas (20ºC hasta 250ºC).
Luego de las mediciones, se aplicará el modelo QPC, primero
para analizar el efecto del escalamiento y luego para estudiar
el efecto de la temperatura sobre los parámetros físicos.
II. MARCO TEÓRICO Y DESARROLLO EXPERIMENTAL
A. El modelo QPC y su interpretación física
En una celda de memoria como la RERAM existen dos
estados que se interpretan electrónicamente como el valor del
bit guardado (“0” o “1”). Para la RERAM, estas dos
distinciones son: el estado de alta resistividad (HRS) y el
estado de baja resistividad (LRS). El cambio de estado entre
HRS y LRS se conoce como SET mientras que el cambio de
estado entre LRS y HRS se llama RESET. El modelo QPC
describe los estados HRS y LRS a través de las siguientes
ecuaciones de corriente (1) y (2) [5]:
= + ln (1)
= (2)
En estas ecuaciones q es la carga elemental del electrón, h
es la constante de Planck, G0 = 2q2/h es la conductancia
cuántica unitaria, RS es una resistencia en serie externa a la
celda y V es la tensión aplicada a los electrodos de la celda.
Finalmente, α y Φ son parámetros físicos muy importantes del
modelo QPC. Este modelo asume que se forma (por estrés de
voltaje) un contacto o filamento conductivo (CF) dentro del
óxido (HfO2 en nuestro caso). Este contacto es óhmico en el
4694 IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO. 12, DECEMBER 2016

estado LRS y se rompe en el punto más estrecho en el HRS, el

cual está descrito por la primera sub-banda cuantificada que
en este caso está asociada a una barrera de potencial que aísla
los electrodos [4, 7-9]. El tipo de conducción para cada estado
depende entonces de la posición y geometría (dimensión) de la
barrera de potencial dentro de la banda de conducción (Fig. 1).
Si la barrera es alta y ancha estamos en el estado HRS donde
el tipo de conducción es el típico de un óxido (efecto túnel)
que depende de la probabilidad de transmisión de electrones
entre los dos electrodos [4,8,9]. En este estado la corriente está
descrita por (1). Para el estado LRS, la barrera de potencial es
baja, la conducción es óhmica y la corriente está descrita por
(2). El parámetro Φ está relacionado con la amplitud de la Figura 1. Esquema del funcionamiento de la celda RERAM en base del
barrera mientras que α está asociado con la geometría. modelo Quantum Point Contact (QPC) e ilustración de los parámetros Φ, α y
Adicionalmente, por medio de Φ y α se puede calcular otros tB que usa el modelo [7].
parámetros geométricos que son: el ancho de la barrera de B. Desarrollo experimental
potencial medido en el nivel de Fermi (tB) y el radio del
filamento medido en el punto más estrecho (rB) cuyas Las celdas RERAM estudiadas en este trabajo son de tipo
expresiones matemáticas se muestran en las ecuaciones (3) y bipolar (se necesita cambiar la polaridad del voltaje aplicado
(4): para pasar de un estado a otro). Están fabricadas con una capa
de 5nm de HfO2 sobre 10nm de Hf y con electrodos de 30nm
de TiN (Fig. 2.a). Este tipo de memorias que usan un óxido
= ∗ (3) como aislante se conocen también como OXRAM. Se usaron
celdas RERAM con longitudes (L) y anchos (W) iguales
(celdas cuadradas) con las siguientes medidas: L = W = 55nm,
= ∗ (4) 85nm, 105nm y 135nm. Las celdas están integradas en una
√
configuración de tipo 1T1R lo cual permite controlar la
corriente de la celda por medio de un transistor MOSFET
donde m*= 0.44m0 es la masa efectiva de los electrones en cuyas dimensiones son: L = W = 1µm (Fig. 2.b). La
el HfO2 (medida experimentalmente en [10]), z0 = 2.404 es el temperatura que se aplica a la celda está controlada por medio
primer cero de la función de Bessel J0 y m0 es la masa del de un “thermo chuck” y puede variar en un rango que va desde
electrón libre. Para entender este modelo, se ilustran los los 293.15K (20ºC) hasta los 523.15K (250ºC). En cada
estados HRS y LRS en la Fig. 1. La variación de la geometría experimento se realizan 10 ciclos SET-RESET y se miden las
y amplitud de la barrera está relacionada a la electroformación características I-V en cada estado (HRS y LRS). Este
de un contacto (estado LRS) o a su ruptura (estado HRS). Este procedimiento se repite para cada dimensión de celda y para
proceso se daría por medio de la formación de vacancias de cada temperatura. Los datos extraídos se interpolan de acuerdo
oxígeno dentro del óxido (HfO2) que migran hacia la capa de al modelo QPC. Para cada ciclo se extraen los parámetros
Hf que se encuentra sobre el electrodo negativo. De acuerdo a
físicos relacionados al modelo y luego se los promedia.
la descripción física de la formación de este contacto de punto
cuántico propuesta en [5] y usando metodología de
caracterización física, se admite que las vacancias de oxígeno
forman un filamento de forma cónica entre los dos electrodos
[6]. Es decir, el filamento tiene una base amplia cerca del
primer electrodo y una cumbre aguda en contacto con el
segundo electrodo. La ruptura del filamento que produce un
estado HRS se realiza cerca de la vecindad de la cumbre del
cono y se explica por el modelo QPC como una barrera de
potencial alta y ancha. La reconstrucción del contacto en el
lugar de la ruptura forma un estado LRS y se explica como
una barrera estrecha y pequeña.

Figura 2. a) esquema de la arquitectura de la celda RERAM usada en este

trabajo, b) esquema de la estructura 1T1R que se usa para polarizar la celda.

III. RESULTADOS Y DISCUSIÓN

A. Dependencia del área y de la dimensión
En primer lugar, se estudia el efecto del escalamiento del
área de la celda con respecto a los parámetros físicos α y Φ.
TROJMAN et al.: STUDY OF THE SCALING AND THE 4695

Para esto, se han ajustado las curvas I-V (medidas φ vs RRAM Area
experimentalmente) por medio de la ecuación (1) para extraer 1
Φ y α. Como se puede apreciar en las Fig. 3 y 4, estos dos
parámetros no muestran variaciones significativas con
respecto al área. Esta independencia del área con respecto a la 0.8
formación/ruptura del filamento concuerda con el modelo
QPC, lo cual demuestra que este modelo es capaz de describir 0.6

φ [eV]
bien el fenómeno fundamental relacionado con la
formación/ruptura del filamento para celdas con un área
mínima de 3.025x103 nm2 y con espesor de óxido de 5nm de 0.4
HfO2.
Por otro lado, se puede observar que la tensión aplicada al 0.2
óxido para formar el contacto (VF) en la celda virgen crece un
20% con la reducción de área de la celda. Esta variación no
proviene de la polarización del transistor dado que en todas las 0
celdas las áreas de los transistores son iguales. Además, se 0 0.5 1 1.5 2
2 4
observa que los transistores producen una corriente de Area [nm ] x 10
tolerancia similar en todas las muestras (60-70µA en LRS). En Figura 3. Parámetro Φ en función del área. No hay dependencia significativa.
la Fig. 5, se observa un aumento de la tensión de formación
del filamento con respecto a la reducción del área de la celda. α vs RRAM Area
Se asume dos posibles explicaciones para este 14
comportamiento. En primer lugar se debe considerar los
componentes parásitos del dispositivo. La celda como tal tiene 12
una resistencia en serie debido a los contactos de los
electrodos. Sin embargo, al momento de la formación del CF, 10
la celda se comporta como un capacitor que tiene una α [eV -1 ]
8
resistencia muy alta (del orden del MΩ) lo que descarta el
efecto de la resistencia en serie (<kΩ). La segunda causa para
6
el aumento de VF puede ser explicada analizando el aspecto
energético. Como se ha mencionado anteriormente, la celda 4
RERAM en su fase HRS puede asociarse a un capacitor. La
formación del filamento puede explicarse por la destrucción 2
de lazos atómicos dentro del dieléctrico, lo cual fuerza la
formación de vacancias de oxígeno. Esta destrucción está 0
relacionada a la energía eléctrica suministrada por la tensión 0 0.5 1 1.5 2
antes de la formación. Para un valor umbral, la tensión VF 2 4
Area [nm ] x 10
suministra suficiente energía para formar el contacto. De Figura 4. Parámetro α en función del área. No hay dependencia significativa.

acuerdo a este análisis, la tensión se define como: =

donde Ef es la energía (en eV) necesaria para formar el 2.7
contacto, C es la capacitancia (en pF) que cumple con la -0.1
relación de proporcionalidad C ∝ A (donde A = L x W). Una 2.6 ~A
reducción del área lleva a una reducción de la capacitancia,
Vf [V]

por lo tanto existe un aumento de la tensión necesaria a formar 2.5

el filamento de la celda. De acuerdo a la Fig. 5, existe una
relación de tipo “ley de potencia”: VF ∝ A-0.1 en lugar de la
2.4
relación esperada VF ∝ A-0.5. Una posible explicación en la
discrepancia del exponente podría ser que Ef también varía
con el escalamiento del área. Esta hipótesis podría estudiarse a 2.3
detalle en un futuro trabajo.
2.2
100 200
2
A [μm ]
Figura 5. Dependencia de la tensión de “forming” (VF) en función del área. Se
obtiene una dependencia en A-0.1.

B. Dependencia de la temperatura
En la Fig. 6, se observa que el parámetro Φ tiende a
disminuir con la temperatura. Este efecto es más pronunciado
4696 IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO. 12, DECEMBER 2016

a medida que el área disminuye. En el caso particular de la
celda más pequeña, Φ sube nuevamente con la temperatura
más alta, lo que se puede explicar debido al efecto de
variabilidad de las celdas que es más fuerte para dimensiones
inferiores a 100nm. Por otro lado, en la Fig. 7, el parámetro α
también tiende a disminuir con la temperatura. En los dos
casos, las conclusiones sobre el efecto del escalamiento del
área siguen siendo válidas para estos parámetros físicos.
El efecto de la temperatura sobre los parámetros Φ y α se
interpreta como una reducción de la barrera de potencial, tanto
en amplitud (Φ) como en geometría (tB), lo cual generaría
cambios en el desempeño de la celda RERAM. Esto se puede
explicar de la siguiente manera: con el aumento de
temperatura la energía cinética de los electrones crece, lo que
significa que la probabilidad de que un electrón cruce la
barrera de potencial es mayor en altas temperatura. Se podría
proceso se denomina efecto túnel asistido por defectos o “Trap
Assisted Tunneling” (TAT) [11-12]. Del mismo modo, se
debe considerar que estos defectos tienen una energía de
activación que crece con la temperatura lo cual facilita la
conducción dentro del HfO2 en el estado HRS [11].
En la Fig. 8, el efecto de la temperatura crece hasta 400K
como ya se observó en [11], pero en nuestro trabajo además se
observa una saturación de la corriente IHS para T > 400K. Por
lo tanto, la Fig. 8 sugiere que la morfología del HfO2
(relacionada a su proceso de fabricación) tiene un impacto en
el desempeño de la RERAM. Hay que recalcar que en la Fig. 8
no se distingue bien el efecto del área y tampoco se toma en
cuenta el estrés que afecta al HfO2 por los distintos ciclos de
uso.
1.5
Area[nm ]:
2

afirmar que los electrones “ven” una barrera de potencial con 85x85
amplitud menor, lo cual de acuerdo al modelo QPC significa 105x105
una reducción de la barrera de potencial cuando la temperatura 1.0 135x135
aumenta. Dicho efecto puede ser problemático ya que la

φ [eV]
diferencia entre los estados bit ‘1’ y ‘0’ de la celda disminuye.
En la práctica, esto puede ser más dramático ya que la
temperatura de operación de los dispositivos es cada vez más 0.5
alta (por lo menos 125ºC o 398.15K). En la Fig. 8, se obtiene
la corriente en los dos estados de la celda (HRS y LRS). Se
puede observar que las corrientes ILS (LRS) y IHS (HRS)
tienden a ser parecidas (alrededor del mismo orden) en la 0.0
temperatura más alta. De hecho, la relación ILS/IHS pasa de 37
(300K) a 9-8 (400-560K) para los dispositivos de área más 300 350 400 450 500 550
pequeña (85x85nm2). Por lo tanto, se observa que la
temperatura reduce dramáticamente la ventana de T[K]
Figura 6. Dependencia del parámetro Φ con la temperatura para varias áreas.
programación y afecta al desempeño de la celda RERAM. Se observa una mayor reducción para las celdas con áreas pequeñas.
La reducción de la corriente ILS se explica debido a una
disminución de la movilidad provocada por las interacciones
de los electrones con los fonones acústicos. En altas 12
temperaturas, las vibraciones de los iones de la red son más
fuertes debido al calentamiento por efecto Joule [11]. Para la
corriente IHS, el aumento de la energía térmica de los 10
electrones incrementa la probabilidad de que los electrones
α [1/eV]

crucen la barrera de potencia en el estado de alta resistencia.

Además, para explicar la disminución de la corriente en los 8
dos estados se pueden incluir los fenómenos de conducción
electrónica en materiales de tipo óxido. De hecho, a baja 2
Area[nm ]:
temperatura la probabilidad para que un electrón cruce la
6 85x85
barrera de potencial se da por medio del efecto túnel y 105x105
depende del espesor del óxido y de la caída de potencial en los 135x135
extremos del material. Asimismo, se puede asociar está
reducción de la barrera de potencial a fenómenos que 4
300 400 500 600
dependen de la temperatura en la conducción de electrones en
materiales de tipo óxido (o aislante) como son las emisiones T[K]
termiónicas (IHS ∝ T2). Sin embargo, en la Fig. 8, el Figura 7. Dependencia del parámetro α con la temperatura para varias áreas.
incremento de IHS no sigue una dependencia típica de Se observa una reducción con respecto al incremento de la temperatura.
emisiones termoiónicas para todas las áreas. Por otro lado,
este fenómeno se explicaría al relacionar la conducción con la En la Fig. 9 se presenta la densidad de intensidad de
morfología del material que compone el aislante. El HfO2 corriente JHS en función de la temperatura para distintos
tiene una fase poli-cristalina en la cual los bordes de granos o números de ciclos aplicados a las muestras de 85x85nm2 y de
“Grain Boundaries” (GB) constituyen regiones de defectos en 135x135nm2. Este gráfico brinda información sobre el efecto
el dieléctrico. Generalmente estos defectos son vacancias de del escalamiento del área y del número de ciclos. A 300K, la
oxígeno [12-13] que facilitan el efecto túnel a través del JHS sugiere que el dispositivo más pequeño (85x85nm2) se
dieléctrico y entonces incrementan la corriente de fuga. Este desgasta más, por lo tanto, la predisposición para generar
TROJMAN et al.: STUDY OF THE SCALING AND THE 4697

defectos aumenta. Para T > 300K, se aprecia que el efecto del
estrés debido a los ciclos SET-RESET no degrada
significativamente el óxido, aunque el número de defectos
activados es más importante para los dispositivos pequeños.
Eso surgiere que existe un posible efecto de escalamiento
sobre la densidad de los defectos existentes y la densidad
generada durante el proceso SET-RESET. Esto podría estar
relacionado con la presencia de defectos de los bordes de la
capa de HfO2 y dentro del material en sí.
Esta hipótesis se podría estudiar en un próximo trabajo ya
que un profundo análisis de la morfología y de la densidad
local de defectos del material está fuera del marco de este
estudio.
Figura 8. Corriente a polarización fija de la celda en estados LRS (ILS) y HRS
(IHS) en función de la temperatura. Se observa un aumento de la corriente IHS y
una reducción de la corriente ILS.
80
60
JHS[kA/cm ]
memorias de tipo RERAM. El estudio está basado en el uso
del modelo QPC para explicar la conducción en los estados
HRS y LRS. El modelo usa ecuaciones de corriente definidas
por el tipo de conducción que se espera en cada estado.
Específicamente, el modelo QPC se basa en la modulación de
la barrera de potencial ubicada en la parte más estrecha del
filamento conductivo, la cual impide que los electrones pasen
de un electrodo a otro. Para describir está barrera de potencial
se usa dos parámetros físicos: Φ (amplitud) y α (geometría de
la barrera). El estudio sistemático de estos parámetros para
diferentes dimensiones y temperaturas, nos permite entender
el funcionamiento de las celdas RERAM. Se concluye que la
reducción del área no afecta significativamente la barrera de
potencial y por tanto, no tiene control sobre los estados HRS y
LRS. Sin embargo, el voltaje de formación del filamento
conductivo en el óxido crece con la disminución del área, lo
cual implica que se necesita más energía para formar el
filamento en celdas a baja escala. En altas temperaturas se
determinó una reducción de la barrera de potencial que
disminuye la distinción entre los estados ON y OFF de la
memoria, lo cual produce una degradación del desempeño de
la celda debido a la reducción en la ventana de programación.
Este efecto se debe, por un lado, a la morfología del HfO2
(presencia de GB) que aumenta la corriente en el estado HRS
para T>300K y por el otro, a una reducción de la corriente en
LRS por calentamiento (efecto Joule). Además, se observó un
aumento de la densidad de defectos en el óxido para la celda
con área más pequeña (85x85nm2 en este trabajo). Esta
tendencia está relacionada a la suma del escalamiento de la
celda con la degradación producida por el efecto de la
temperatura. Esto implica que las celdas pequeñas pueden
sufrir una reducción de desempeño dramática para T > 300K,
lo cual puede ser muy problemático si se usa HfO2 como
óxido para celdas de área muy pequeña (100nm2) y que
desempeñen aplicaciones reales (donde los dispositivos
trabajen a 125ºC o 398.15K). Un trabajo sobre el aumento de
la densidad de defectos relacionado con la reducción del área
sería muy interesante como próximo estudio.
AGRADECIMENTOS

40
2

Los autores desean agradecer a IMEC por las muestras

usadas en el presente trabajo, en especial a L. Goux.
20
open 135x135nm
2
REFERENCIAS
2
close 85x85nm [1] D. Kuzum, S. Yu, H-S P. Wong. “Synaptic electronics: materials, devices
and applications”, Nanotechnology, vol. 24, no. 8, pp. 382001, Sep. 2013.
8 Ciclo 1 [2] K.H. Lee, R. Degraeve, M. Toledano-Luque, A. Arreghini, L. Breuil, P.
Ciclo 10 Blomme, G. Van Den Bosch, J. Van Houdt, “Assessment of tunnel oxide and
6 poly-Si channel traps in 3D SONOS memory before and after P/E cycling”,
300 350 400 450 500 550 Microelectronic Engineering, vol. 147, no. 1, pp. 45-50, Jun. 2015.
[3] T. Kauerauf, R. Degraeve, F. Crupi, B. Kaczer, G. Groeseneken, H. Maes,
T[K] “Trap generation and progressive wearout in thin HfSiON”, in IEEE
International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp. 45-49, Apr. 2005.
Figura 9. Densidad de corriente en el estado HRS (JHS) en función de la
temperatura (T) para 2 dimensiones media en los ciclos de uso 1 y 10 a [4] E. Miranda, J. Sune, “Analytic modeling of leakage current through
VCC=350mV. multiple breakdown paths SiO2 films”, in IEEE International Reliability
Physics Symposium (IRPS), pp. 367-379, Apr. 2001.
[5] U. Celano, L. Goux, A. Belmonte, K. Opsomer, A. Franquet, A. Schulze,
IV. CONCLUSIONES C. Detavernier, O. Richard, H. Bender, M. Jurczak, W. Vandervorst, “Three-
Dimensional Observation of the Conductive Filament in Nanoscaled Resistive
Memory Devices”, Nano Letters, vol. 14, no. 5, pp. 2401-2406, Apr 2014.
En este artículo se ha estudiado el efecto del escalamiento [6] K. Kamiya, “Physics in designing desirable ReRAM stack structure -
del área de la celda y de la temperatura en el desempeño de Atomistic recipes based on oxygen chemical potential control and charge
4698 IEEE LATIN AMERICA TRANSACTIONS, VOL. 14, NO. 12, DECEMBER 2016

injection/removal”, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), body problem approach. He is team co-leader of the Theory-Modelisation-
pp. 20.2.1 - 20.2.4, Dec. 2012. Simulation group, Scientific co-director of the computing platform PLACS,
[7] E. Miranda, D. Jimenez, J Sune, “The Quantum Point-Contact and member of the scientific committee of the University computing
Memristor”, Electron Device Letters, vol. 33, no. 10, pp. 1474-1476, Oct. mesocenter. He is also partner of the QUASANOVA project – ANR P2N
2012. 2011-2014 (20%), and NOODLES.
[8] L. M. Prócel, L. Trojman, J. Moreno, F. Crupi, V. Maccaronio, R.
Degraeve, L. Goux, E. Simoen, “Experimental evidence of the quantum point
contact theory in the conduction mechanism of bipolar HfO2-based resistive
random access memories”, Journal of Applied Physics, vol. 114, pp. 074509,
Aug. 2013.
[9] V. Maccaronio, F. Crupi, L. M. Procel, L. Goux, E. Simoen, L. Trojman,
“DC and low-frequency noise behavior of the conductive filament in bipolar
HfO2-based resistive random access memory”, Microelectronic Engineering,
vol. 107, no. 1, pp. 1-5, Mar. 2013.
[10] Y. Zheng, C. Troadec, A. Wee, L. Pey, S. O’shea, N. Chandrasekhar,
“Beem studies on metal K-dielectric HfO2 interfaces”, Journal of Physics:
Conference Series, vol. 61, pp. 1347-1351, Aug. 2007.
[11] G. Bersuker, D. C. Gilmer, D. Veksler, P. Kirsch, L. Vandelli, A.
Padovani, L. Larcher, K. Mckenna, A. Shluger, V. Iglesias, M. Porti, M.
Nafría, “Metal oxide resistive memory switching mechanism based on
conductive filament properties”, Journal of Applied Physics, vol. 110, pp.
124518, Dec. 2011.
[12] V. Iglesias, M. Porti, M. Nafría, X. Aymerich, P. Dudek, T. Schroeder,
G. Bersuker, “Correlation between the nanoscale electrical and morphological
properties of crystallized hafnium oxide-based metal oxide semiconductor
structures”, Applied Physics Letters, vol. 97, pp. 262906, Dec. 2010.
[13] K. Mckenna, A. Shluger, “The interaction of oxygen vacancies with
grain boundaries in monoclinic HfO2”, Applied Physics Letters, vol. 95, pp.
222111, Dec. 2009.

Lionel Trojman received two M.Sc. degrees, one in physics

with micro- and nano-electronics minor and the other in
microelectronic and Telecommunication engineering from
the University of Provence, Marseille, France in 2004. He
received his Ph.D. degree in Engineering Sciences from the
Katholieke Universiteit Leuven, Belgium, in partnership with IMEC, in 2009.
His Ph.D. was carried out on the charge carrier mobility for high-κ/metal gate
MOSFET with particular focus on short channel devices (< 50nm) with sub-
1nm EOT. Since 2009, he is working as professor and researcher at
Universidad San Francisco de Quito (USFQ), Quito, Ecuador. Since 2015, he
is the director of the Micro and Nanoelectronics Institute (IMNE) and of the
International Master in Nanoelectronics. His main research topics are
transport and reliability for emerging devices (SOI, SiGe and FinFET) with
high-κ/MG dielectric and ReRAM.
Silvana Guitarra received the M.Sc. degree from the
Universidad San Francisco de Quito (USFQ), Ecuador, in 2012.
Her research was in magnetic and electrical properties of low
dimensional oxides. She is currently pursuing the Ph.D. degree
at Aix-Marseille Université, France. Her current research
interests include the electrical characterization of resistive
random access memories. Since 2011, she is working as professor and
researcher at Universidad San Francisco de Quito (USFQ), Ecuador.

Luis-Miguel Prócel received his M.Sc. degree in Image

Processing from Universitat Pompeu Fabra, Barcelona, Spain
in 2008. He received his Ph.D degree in Science and
Technology of the Complex System from Universita della
Calabria, Rende, Italy in 2016. Since 2011, he is working as
professor and researcher at Universidad San Francisco de Quito (USFQ),
Quito, Ecuador. His main research topics are related to reliability of nano-
devices.

Laurent Raymond received his Master Degree in Physics

and his PhD degree in Physics at the Université de Provence,
Marseille-France. Since 2011, he has the “Habilitation à
diriger des recherches” (Professorial Thesis in Physics) at the
Université de Provence. Since 1998 he has been Associate
Professor of Physics at the Aix-Marseille University (then
Université de Provence). Before attending Marseilles, he was post-doc in the
Theoretical Physics Group of Prof. G. Turchetti at the University of Bologna
(Italy). His research interest is in the theory and modeling of Condensed
matter physics, in particular within a quantum mechanical approach and many