SEMICONDUCTORES DEF-BOYLESTDAD

La construcción de cualquier dispositivo electrónico discreto (individual) de estado

sólido (estructura de cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un material
semiconductor de la más alta calidad.

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se

encuentra entre la de un buen conductor y la de un aislante. En general, los
materiales semiconductores caen dentro de una de dos clases: de un solo cristal y
compuesto. Los semiconductores de un solo cristal como el germanio (Ge) y el
silicio (Si) tienen una estructura cristalina repetitiva, en tanto que compuestos
como el arseniuro de galio (GaAs), el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio
(GaN) y el fosfuro de galio y arsénico (GaAsP) se componen de dos o más
materiales semiconductores de diferentes estructuras atómicas. Los tres
semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos
electrónicos son Ge, Si y GaAs.

En las primeras décadas después del descubrimiento del diodo en 1939 y el

transistor en 1949, se utilizaba germanio casi exclusivamente porque era en cierto
modo fácil de encontrar y estaba disponible en grandes cantidades. También era
relativamente fácil de refinar para obtener niveles muy altos de pureza, un aspecto
importante en el proceso de fabricación. Sin embargo, se descubrió que los diodos
y transistores construidos con germanio como material base eran poco confiables,
sobre todo por su sensibilidad a los cambios de la temperatura. En aquel
entonces, los científicos sabían que otro material, el silicio, tenía mejores
sensibilidades a la temperatura, pero el proceso de refinación para producir silicio
con niveles muy altos de pureza aún se encontraba en su etapa de desarrollo.
Finalmente, en 1954 se presentó el primer transistor de silicio y éste de inmediato
se convirtió en el material semiconductor preferido, pues no sólo es menos
sensible a la temperatura, sino que es uno de los materiales más abundantes en la
Tierra, lo que acaba con cualquier preocupación sobre su disponibilidad. Las
compuertas se abrieron ante este nuevo material y la tecnología de diseño y
fabricación evolucionó de forma continua a través de los años hasta el alto nivel
actual de complejidad. Sin embargo, conforme pasaba el tiempo, el campo de la
electrónica se volvió cada vez más sensible a las cuestiones de velocidad. Las
computadoras operaban a velocidades cada vez más altas y los sistemas de
comunicación lo hacían a niveles cada vez más altos de desempeño. Se tenía que
encontrar un material semiconductor capaz de satisfacer estas necesidades. El
resultado fue el desarrollo del primer transistor de GaAs a principios de la década
de 1970. Este nuevo transistor operaba a velocidades hasta de cinco veces la del
Si. El problema, no obstante, fue que por los años de intensos esfuerzos de diseño
y mejoras en el proceso de fabricación con Si, las redes de transistores de Si para
 la mayoría de las aplicaciones eran más baratas de fabricar y ofrecían la ventaja
de estrategias de diseño altamente eficientes. El GaAs era más difícil de fabricar a
altos niveles de pureza, más caro y tenía poco apoyo de diseño en los primeros
años de su desarrollo. No obstante, con el tiempo la demanda de mayor velocidad
dio por resultado que se asignaran más fondos a la investigación del GaAs, al
punto de que en la actualidad se utiliza de manera consistente como material base
para nuevos diseños de circuitos integrados a gran escala (VLSI, por sus siglas en
inglés) de alta velocidad.

Este breve repaso de la historia de los materiales semiconductores no pretende

implicar que el GaAs pronto será el único material apropiado en la construcción de
estado sólido. Se siguen fabricando dispositivos de germanio, aunque para un
número limitado de aplicaciones. Aun cuando es un semiconductor sensible a la
temperatura, tiene características que encuentran aplicación en un número
limitado de áreas. Dada su disponibilidad y bajos costos de fabricación, continuará
apareciendo en catálogos de productos. Como se señaló previamente, el Si tiene
el beneficio de años de desarrollo y es el material semiconductor líder para
componentes electrónicos y circuitos integrados (CI). El GaAs es más caro, pero a
medida que los procesos de fabricación mejoran y las demandas de mayores
velocidades se incrementan, comenzará a desafiar al Si como el material
semiconductor dominante.

COVALENCIA O ENLACE COVALENTE DEF. MALVINO

Cada átomo vecino comparte un electrón con el átomo central. De esta forma, el
átomo central tiene 4 electrones adicionales, lo que da como resultado un total de
ocho electrones en el orbital de valencia. Los electrones dejan de pertenecer a un
único átomo. Cada átomo central y sus vecinos comparten los electrones. Esta
misma idea también es válida para los demás átomos de silicio. En otras palabras,
cada átomo de un cristal de silicio tiene cuatro vecinos.

BANDAS DE ENERGÍA

Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles específicos de

energía asociados con cada capa y electrón en órbita, como se muestra en la
figura 1.6. Los niveles de energía asociados con cada capa son diferentes según
el elemento de que se trate. Sin embargo, en general:
Cuanto más alejado está un electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y
cualquier electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de
energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura atómica.

Observe en la figura 1.6a que sólo puede haber niveles de energía específicos
para los electrones que permanecen en la estructura atómica de un átomo aislado.
El resultado es una serie de brechas entre niveles de energía permitidos donde no
se permiten portadores. Sin embargo, conforme los átomos de un material se
acercan entre sí para formar la estructura entrelazada cristalina, interactúan entre
ellos, lo cual hace que los electrones de una capa particular de un átomo tengan
niveles de energía ligeramente diferentes de los electrones presentes en la misma
órbita de un átomo adyacente. El resultado es una expansión de los niveles de
energía fijos discretos de los electrones de valencia de la figura 1.6a a bandas,
como se muestra en la figura 1.6b. En otras palabras, los electrones de valencia
de un material de silicio pueden tener diversos niveles de energía, en tanto se
encuentren dentro de la banda de la figura 1.6b. La figura 1.6b revela con claridad
que hay un nivel de energía mínimo asociado con electrones que se encuentran
en la banda de conducción y un nivel de energía máximo de electrones enlazados
a la capa de valencia del átomo. Entre los dos hay una brecha de energía que el
electrón en la banda de valencia debe salvar para convertirse en portador libre.
Esa brecha de energía es diferente para Ge, Si y GaAS; el Ge tiene la brecha
mínima y el GaAs la máxima. En suma, esto significa que: Un electrón en la banda
de valencia de silicio debe absorber más energía que uno en la banda de valencia
de germanio para convertirse en portador libre. Asimismo, un electrón en la banda
de valencia de arseniuro de galio debe absorber más energía que uno en la de
silicio o germanio para entrar a la banda de conducción.

Esta diferencia en los requerimientos de las brechas de energía revela la

sensibilidad de cada tipo de semiconductor a los cambios de temperatura. Por
ejemplo, al elevarse la temperatura de una muestra de Ge, el número de
electrones que pueden absorber energía térmica y entrar a la banda de
conducción se incrementa con rapidez porque la brecha de energía es mínima. Sin
embargo, el número de electrones que entran a la banda de conducción en Si o
GaAs es mucho menor.

Esta sensibilidad a los cambios de nivel de energía puede tener efectos positivos y
negativos. El diseño de fotodetectores sensibles a la luz y los sistemas de
seguridad sensibles al calor, parecen ser una excelente área de aplicación de los
dispositivos de Ge. No obstante, en el caso de redes de transistores, en las que la
estabilidad es de alta prioridad, esta sensibilidad a la temperatura o a la luz puede
ser un factor perjudicial.
 CRISTALES DE SILICIO

Cuando los átomos de silicio se combinan para formar un sólido, lo hacen según
un patrón ordenado denominado cristal. Cada átomo de silicio comparte sus
electrones con cuatro átomos vecinos, de tal forma que tiene ocho electrones en
su orbital de valencia. Por ejemplo, la Figura 2.4a muestra un átomo central con
cuatro átomos vecinos.

Los círculos sombreados representan las partes internas del silicio. Aunque
originalmente el átomo central tenía cuatro electrones en su orbital de valencia,
ahora tiene ocho.

Saturación de valencia:

Cada átomo de un cristal de silicio tiene ocho electrones en su orbital de valencia.

Estos ocho electrones proporcionan una estabilidad química que da como
resultado un cuerpo compacto de material de silicio. Nadie sabe exactamente por
qué el orbital exterior de todos los elementos tiene una predisposición a tener ocho
electrones. Cuando de forma natural no existen ocho electrones en un elemento,
la tendencia natural del mismo es la de combinarse y compartir electrones con
otros átomos para tener ocho electrones en su orbital de valencia.

Existen ecuaciones avanzadas de física que explican parcialmente por qué ocho
electrones producen estabilidad química en diferentes materiales, pero no se
conoce la razón de por qué el número ocho es tan especial. Es una ley, como
pueda ser la ley de la gravedad, la ley de Coulomb y otras leyes que podemos
observar, pero que sin embargo no podemos explicar por completo.

Cuando el orbital de valencia tiene ocho electrones, se satura porque ya no puede

entrar ningún electrón más en dicho orbital. Estableciendo esto como ley, tenemos

Saturación de valencia: n _ 8 (2.1)

Dicho con palabras, el orbital de valencia no puede contener más de ocho

electrones. Además, los ocho electrones de valencia se denominan electrones
ligados porque se mantienen fuertemente unidos por los átomos. A causa de estos
electrones ligados, un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura
ambiente, es decir, aproximadamente,

25°C.

El hueco

La temperatura ambiente es la temperatura del aire circundante. Cuando la

temperatura ambiente se encuentra por encima del cero absoluto (_273°C), la
energía térmica del aire circundante hace que los átomos de un cristal de silicio
vibren. Cuanto mayor sea la temperatura ambiente, más fuertes serán las
vibraciones mecánicas. Cuando se toca un objeto caliente, el calor que se siente
es el resultado de la vibración de los átomos.

En un cristal de silicio, las vibraciones de los átomos ocasionalmente pueden

hacer que se desligue un electrón del orbital de valencia. Cuando este ocurre, el
electrón liberado gana la energía suficiente como para pasar a un orbital de mayor
nivel energético, como se muestra en la Figura 2.5a.

En dicho orbital, el electrón es un electrón libre.

Pero esto no es todo. La salida del electrón deja un vacío en el orbital de valencia
que se denomina hueco (véase la Figura 2.5a).
Este hueco se comporta como una carga positiva porque la pérdida del electrón da
lugar a un ión positivo. El hueco atraerá y capturará cualquier electrón que se
encuentre en la vecindad inmediata. Los huecos permiten a los semiconductores
hacer toda clase de cosas que son imposibles en los conductores.

A temperatura ambiente, la energía térmica sólo da lugar a que se creen unos

pocos huecos y electrones libres. Para aumentar el número de huecos y de
electrones libres, es necesario dopar el cristal. En una sección posterior se
abordará este tema más en detalle.

Semiconductores intrínsecos

Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un

semiconductor intrínseco si cada átomo del cristal es un átomo de silicio. A
temperatura ambiente, un cristal de silicio actúa como un aislante porque sólo
tiene unos pocos electrones libres y huecos producidos por el efecto de la energía
térmica.

Flujo de electrones libres

La Figura 2.6 muestra parte de un cristal de silicio situado entre dos placas
metálicas cargadas. Supongamos que la energía térmica ha dado lugar a la
creación de un electrón libre y de un hueco. El electrón libre se encuentra en un
orbital de mayor energía en el extremo derecho del cristal. Puesto que la placa
está cargada negativamente, los electrones libres son repelidos hacia la izquierda.
Estos electrones libres pueden pasar de un orbital al siguiente de mayor nivel
hasta llegar a la placa positiva.

Flujo de huecos

Observe el hueco situado en la parte izquierda de la Figura 2.6. Este hueco atrae
al electrón de valencia en el punto
 A, lo que provoca que el electrón de valencia caiga en el hueco.

Cuando el electrón de valencia situado en el punto A se desplaza hacia la

izquierda, crea un hueco en dicho punto A. El efecto es el mismo que cuando se
mueve el hueco original hacia la derecha. El nuevo hueco situado en el punto A
puede entonces atraer y capturar a otro electrón de valencia. De esta forma, los
electrones de valencia pueden seguir el camino indicado por las flechas. Esto
significa que el hueco puede desplazarse en el sentido opuesto, siguiendo el
camino A-B-C-D-E-F, actuando de la misma manera que una carga positiva.

Dos tipos de flujos

La Figura 2.7 muestra un semiconductor intrínseco. Tiene el mismo número de

electrones libres que de huecos.

Esto se debe a que la energía térmica crea los electrones libres y los huecos por
pares. La tensión aplicada forzará a los electrones libres a moverse hacia la
izquierda y a los huecos hacia la derecha. Cuando los electrones libres llegan al
extremo izquierdo del cristal, entran en el cable externo y fluyen hacia el terminal
positivo de la batería.

Por otro lado, los electrones libres que se encuentren en el terminal negativo de la
batería se desplazarán hacia el extremo derecho del cristal. En este punto, entran
en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al extremo derecho del
cristal. De esta forma, se produce un flujo constante de electrones libres y huecos
dentro del semiconductor.

Observe que no existe un flujo de huecos fuera del semiconductor.

En la Figura 2.7, los electrones libres y los huecos se mueven en direcciones

opuestas. A partir de ahora, concebiremos la corriente en un semiconductor como
el efecto combinado de los dos tipos de flujos: el flujo de electrones libres en una
dirección y el flujo de huecos en la dirección opuesta. A menudo tanto los
electrones huecos como los huecos se denominan portadores, ya que transportan
la carga de un lugar a otro.

MATERIALES EXTRÍNSECOS

Como el Si es el material más utilizado como material base (sustrato) en la

construcción de dispositivos de estado sólido, el análisis en ésta y en las
siguientes secciones se ocupa sólo de semiconductores Si. Como el Ge, el Si y el
GaAs comparten un enlace covalente similar, se puede ampliar fácilmente el
análisis para incluir el uso de otros materiales en el proceso de fabricación.
 Como ya antes se indicó, las características de un material semiconductor se
pueden modificar de manera significativa con la adición de átomos de impureza
específicos al material semiconductor relativamente puro. Estas impurezas,
aunque sólo se agregan en 1 parte en 10 millones, pueden alterar la estructura de
las bandas lo suficiente para cambiar del todo las propiedades eléctricas del
material.

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce

como material extrínseco.

Hay dos materiales extrínsecos de inmensurable importancia en la fabricación de

dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p. Cada uno se describe con
algún detalle en las siguientes subsecciones.

Material tipo n

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un número
predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de
valencia (pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el fósforo. El efecto de
tales elementos de impureza se indica en la figura 1.7 (con antimonio como la
impureza en una base de silicio). Observe que los cuatros enlaces covalentes
permanecen.

Existe, sin embargo, un quinto electrón adicional debido al átomo de impureza, el

cual no está asociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrón
restante, enlazado de manera poco firme a su átomo padre (antimonio), está en
cierto modo libre para moverse dentro del material tipo n recién formado, puesto
que el átomo de impureza insertado ha donado un electrón relativamente “libre” a
la estructura.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como

átomos donadores.
 Es importante tener en cuenta que aun cuando un gran número de portadores
libres se ha establecido en el material tipo n, sigue siendo eléctricamente neutro
puesto que de manera ideal el número de protones de carga positiva en los
núcleos sigue siendo igual al de los electrones de carga negativa libres y en órbita
en la estructura.

El efecto de este proceso de dopado en la conductividad relativa se puede

describir mejor utilizando el diagrama de bandas de energía de la figura 1.8.
Observe que un nivel de energía discreto (llamado nivel donador) aparece en la
banda prohibida con una Eg significativamente menor que la del material
intrínseco. Los electrones libres creados por la impureza agregada se establecen
en este nivel de energía y absorben con menos dificultad una cantidad suficiente
de energía térmica para moverse en la banda de conducción a temperatura
ambiente. El resultado es que a temperatura ambiente, hay un gran número de
portadores (electrones) en el nivel de conducción y la conductividad del material
se incrementa de manera significativa. A temperatura ambiente en un material de
Si intrínseco hay alrededor de un electrón libre por cada 1012 átomos. Si el nivel
de dopado es de 1 en 10 millones (107), la razón 1012/107 _ 105 indica que la
concentración de portadores se ha incrementado en una razón de 100,000:1.

Material tipo p
 El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con
átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos más
utilizados para este propósito son boro, galio e indio. El efecto de uno de estos
elementos, el boro, en una base de silicio se indica en la figura 1.9 Observe que
ahora el número de electrones es insuficiente para completar las bandas
covalentes de la estructura recién formada. El vacío resultante se llama hueco y se
denota con un pequeño círculo o un signo más, para indicar la ausencia de una
carga positiva. Por lo tanto, el vacío resultante aceptará con facilidad un electrón
libre:

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman átomos

aceptores.

El material tipo p es eléctricamente neutro por las mismas razones descritas para
el material tipo n.

Flujo de electrones contra flujo de huecos

El efecto del hueco en la conducción se muestra en la figura 1.10. Si un electrón

de valencia adquiere suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y
llenar el vacío creado por un hueco, entonces se creará un vacío o hueco en la
banda covalente que cedió el electrón. Existe, por consiguiente, una transferencia
de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se muestra
en la figura 1.10. La dirección que se utilizará en este texto es la del flujo
convencional, la cual está indicada por la dirección del flujo de huecos.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a

los electrones en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de
fuentes térmicas o luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas
que no pudieron ser eliminadas. Los vacíos que quedan en la estructura de enlace
covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En un material tipo n, el
número de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel
intrínseco. El resultado neto, por consiguiente, es que el número de electrones
sobrepasa por mucho al de huecos. Por eso:

En un material tipo n (Fig. 1.11a) el electrón se llama portador mayoritario y el

hueco portador minoritario.
 En el material tipo p el número de huecos excede por mucho al de electrones,
como se muestra en la figura 1.11b. Por consiguiente:

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el

minoritario.

Cuando el quinto electrón de un átomo donador abandona el átomo padre, el

átomo que queda adquiere una carga positiva neta: de ahí el signo más en la
representación de ión donador. Por las mismas razones, el signo menos aparece
en el ión aceptor.

Los materiales tipo n y p representan los bloques de construcción básicos de los

dispositivos semiconductores. En la siguiente sección veremos que la “unión” de
un material tipo n con uno tipo p producirá un elemento semiconductor de
considerable importancia en sistemas electrónicos.