Elementos de la Electrénica de Potencia Victor Proaio 26 de octubre de 2016 1. Diodo de potencia fone 08.0 os & : ° ae ee Reha et eR Baa le eeioin 2.08) ‘rater contans ‘material contains ‘noble holst tmobile elecrons p-njunetion| Figura 1: Juntura PN mostrando portadores mavoritarios Esta lectura es un corto resumen de lo que estit ocurriendo dentro del diodo y una deseriepién del proceso do conmutacidn. Se cubrira la recuperacién inversa y los meca- nismos bisieas que gobieman In conrautacién de los diodos. En la figura 1 se muestra un tipo de diodo de juntura PN. Se tiene un material dopado con impurezas tipo P cn el lado izquierdo de la juntura, v material dopado con impurezas tipo N en el lado derecho. El material dopado con impurezas tipa N signifien que se ha dopado la estructura de silicio con impurezas que proveen electrones adicionales 0 extra a la estructura, Estos ‘electrones tienen estados de energia altos y son capaces de conducit corriente ficilmente saltanda de un stomo al siguiente. 4 éstos electrones se los lama portadores mnayorita- rios en el material N. De forma similar en el material P se tiene portadores mayoritarios hnueoos que pueden fiieilmente conducir corriente y saltar desde un tomo al siguiente, ‘Cuando estos dispositivos estén a una temperatura razonable. tal como la temperatt- x ambiente, In energia térmice de los portaciores mayoritarios los hie rebotar alrededor dentro de la estructura. Podemes pensar como que tienen tnas vibraciones térmicas in- dueidas 0 saltos o rebotes alrededor. En la juntura PN lo que sucede luego es Jo que se conoce como la formacién de la regién de agotamiento. Y esto sucede debido a que ‘cuando los portadores mayoritarios estén rebotando alrededor, tienden « difundirse en la direceién hacia donde hay una concentracién reducida, Asi que justo en la juntura 1se tiene una alta concentracién de hueoos en el lado izquierdo y una alta concentracién de electrones en el lado derecho. Lo que sucede es que la energia térmica causaré que los portadores mayoritarios se difundan hacia la regién de concentracién reducida. Vor figura 2 rover aia ¢-——— > tan Figura 2: Difusién de los portadores mavoritarios hacia Ia menor concentracién. ‘Asi que los electrones se difundirén desde la derecha a la izquierda a través de la jjuntura y los huecos se difundiran deste la izquierda « la dereeha. Cuando los portadores mayoritarios se difunden a través de Ia juntura ellos pasan « ser lo que son llamados portadores minoritarios en el lado opuesto y en el proceso de moverse a través de la juntura dejan atras dtomos ionizados 0 cargas notas en los dtomos dopados de la regiGn. que dejan. Asf cuando los clectrones se difunden en la rogién P dejan atrés cargas positivas 0 atomos cargados positivamente en la regién N y de una forma similar los hhuecos cuando se difunden en la regién N dejan atrés étomos ionizados negativamente cen la regién P y como resultado hay un campo eléctrico entre estas cargns. Ese campo léctrico forma un voltaje. El voltaje es la integral del campo eléctzico. Se puede ver que habri un voltaje neto que es positivo en Ia derecha y negativo en el lado iaquierdo de la jjuntura y esta regién entre las clos es llamada la regidn de agotamiento o la capa de carga ‘espacial, a través de esta regidn de agotamniento se forma un voltaje que actualmente se ‘opone a la difusion, Asi que una carga positiva basicamente debe difundirse hacia arriba subiendo ol voltaje y lo que sucede es que el voltaje a través de esta regién de agotamiento se eleva hhasta que se produce un equilibrio en que el valtaje completamente dotiene una posterior difusién de los lhuecos y los electrones a través de In juntura. Y en ese punto estanios ent cl estado estable o el dispositivo esta en estado estable. Bl diodo tiene construido este voltaje a través de la juntura y ningiin portador minoritatio o mayoritario se difunde. En la figura 3 s¢ muestra lo que sucode bajo condiciones de polatizacién inverss. Se tiene ahora contactos con el mundo exterior y se aplica ahora un voltaje negativo a través del dispositivo, Ast que el voltaje es negativo en el material P que es el énodo ¥ es positivo en el material N que es el cétodo. Se afiade voltaje a través de Ia region de agotamiento y se hace que la regién de agotamiento se haga més grande. Bisicamente el voltaje externamente aplicado es bloqueado por Ia regién de agotamiento, Se puede ver que simplemente se aumenta el tamafio cn la rezién de agotamicnto y como tiene mis voltaje a través de ella se tiene que aiadirle carga. Y esa carga viene de Ia fuente de alimentacién externa o el circuito externo. Asi que en este sentido la regién de agotamiento actila como 2Figura 3: Polarizacién inversa de Ia juntura luna eapacitancia, Se debe aiadir carga para incrementar su voltaje. Generalmente esto se Haina la capacitancia de juntura del dispositive y cs un capacitor real que puede almacenar energia en su campo cléctrico quo se la puede recuperar después si se cambia: el voltaie. Figura 4; Polarizacién directa de la juntura Bajo condiciones de polarizacién directa ( ver figura 4) lo que se hace es incrementar cl voltaje de la regi6n P con respecto a la regién N y eso hace que la regién de agotamiento se haga mas pequeiia. Cuando la region de agotamiento es mis pequefta ya no detiene la difusién de los portadores mayoritarios a través de la juntura y ast se consigue un flujo de ccarga a través de la juntura en cada direccién.Los huecos de la regién P se difunden a la region N donde pasan a ser lo que se llama hueces portadores minoritarios, Ellos estan a un alto nivel de energia en la regidn N por lo que puecien ficilmente saltar de un étomo: 8 otto ¥ conducir corriente. Similarmente los cleetroues de la regién N se difundirén cn la regién P donde pasan a ser electrones portadotes minoritarios y son capaces de conducir corriente alli. Bajo condiciones de polarizacién directa entonces aquf esté lo que sucede tenemas una corriente que viene en el contacto desde el cireuito externo a la regién P que provee hiuecos. Estos huecos pueden hacer una de dos cosas: una es que ellos pueden difundirse a través de Ia juntura y pasar a ser portadores minoritarios cn la regién Ny eventuahnente ellos podrian recombinarse con electrones (portadores mayoritarios de Ia regién N) en Ja regién N. Y de la misma manera un electrén de In ‘terminal negativa puede ingresar y recombinarse con uno de los huceos. Otra cos que‘un hueeo o el tnaterial P puede hacer en Ia regién P es recombinarse con un eleetrén que he sido difundido desde la regién N. Podeuios tener entonces electroues portaclores inoritarios que so recombinan con un hueco portador mayoritario cn la rogién P. Esas son las dos cosas que pueden suceder y bajo condiciones de polarizacién directa som Ins ‘que cuentan para la corriente total del diodo. rr 0 ge a | ° Seino Ke cece Figura 5: Difusién y recombinacién de portadores mayoritarios con polarizacién directa de Ia juntura La corriente total consiste de la recombinacién en un lado o el otro de Ia juntur, 'Y mientras existan portadores minoritarios en ostas regiones tendremos esa corriente, En ln figura 2? se tiene un dibujo de los portadores minoritarios o In concentracién de portadores minoritarios en los dos lados de la juntura. Por ejemplo se tiene necos que se difunden a través de Ia juntura y que se difunden a una velocidad que depende de ln pendiente de la caracteristien de concentracién. Estos se difunden hacia la regién de ‘menor concentracidn y duran en esta regién por algyin tiempo qe la llamamos tiempo de vida. ¥ entonees en promedio después de que el tiempo de vida se termina ellos estardn recombinadas. Ellos se recombinan conforme se difunden y se tiene una concentracién que se reduce conforme se aleja de la juntura. Lo mismo ocurre en los dos lados de In juntura PN. Si se desea apagar el diodo se debe remover estos portadores minotitarios de los dos Indos de la juntura por un medio u otro para parar si recombinacién y detener el flujo de Ia corriente. En suma el diodo es controlado par Ia carga de los portadores ‘minoritarios en las regiones P N- y N del diodo, En Ja figura 6 se muestra el modelo de control de cxrga de primer orden elfsico para el diodo que se define por la geuncién del diode: a(t) = Qe" —1) y In ecuneién de control de earga =i()- > ‘con: ce 1/26mVJa3001 11 = tiempo de vida de los portadores minoritarios en equilibrio: dg/dt = 0, y por tanto: f(t) = 22 = (eM 1) — fe) — 1)—— ‘Area = total stored minority charge q Figura 6: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura Este relaciona primero ol voltaje a través de Ta regin de agotamiento e ala concentracién de carga de los portadores minoritarios en los bordes de la regidn de agotamiento.La g(t) se puede tomar como la carga de los hnecos portadores minoritarios en el borde derecho de la regién de agotamionto o los electrones portadores minoritarios en cl borde izquierdo, Y éstos estin relacionados al voltaje biésicamente el voltaje aplicado al diodo pero mis realmente al voltaje a través de In regién de agotamiento. Se acostumbra mostrar la caracteristica de voltaje versus corriente de estarlo estable del diodo que tiene una funcién exponencial. Esa es una relacién de estado estable y de hecho la relucidn correcta es ésta, La carga es la. concentracién de carga en el borde de la regién de agotamiento, es esta cantidadg(t). Dada esta cantidad se puede encontrar lo que es la distribucién de carga completa. Hay una cantidad total de carga o Area bajo estas curvas de concentracién, Esta es In carga total de portadores minoritarios almacenadta en el dispositive. En el modelo de control de carga, pademos hacer modelos de elementos concentrados del dispositivo. EI modelo de primer orden ids simple de elementos concentrados tiene luna concentracion simple de carga que es la cantidad de carga total almacenada. 'Y esa carga cntonces es relacionada nueyamente con alguna constante al voltaje a través de la regién de agotamiento con la caracteristica exponencial. La ecuacién de control de carga dice que la carga total puede incrementar si colocamos més corriente en el diodo que suministra mas carga o la carga también puede decrecer por recombinacién. La ecuacién dindmica del diodo dice como la carga minoritaria almacenada puede varia. Se debe decir también que estas ecuaciones no incluyen la capecitancia a través de 1a juntura que se ha hablado previamente Ese es un elemento separado y To que se ha. dicho cs simplemente acerca de lo que sucede con los huccos y electrones que se mueven a través de la juntura. Si se mira la ecuacién de control de carga en equilibrio el diodo trabaja en estado ostable y da/at es coro ¥ entonces se puede resolver esta ecuacién © igualar esto a cero y encontrar que la corriente es igual a la carga almacenada durante 1 tiempo de vida, Se puede insertar Ia ecuacién de carga slmacenada en la ecuncién de control de carga y descubrir que Ia corriente sigue la relacién exponencial que se usa del diodo , que es la relacidn i = (ew) para el diodo, pero esta es una ecuacién de equilibrio pero durantelos transitorios en el diodo esto no es lo que sucede 0 no es lo que se debe seguir. El t6rmino dq/dt puede no ser cero y podemos uctualmente por ejemplo tener une corriente que remueve 1a carga almacenada o atade carga almacenadla que so deavia de la curva voltaje cortiente, Y esto es dle hecho lo que ocurre durante los tiempos de conmutacién del diodo, Figura 7: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura En la figura 7 est4 un dibujo o un esquema de lo que realmente suede Entonces se tiene el diodo en conduccién inicialmente. Hay un voltaje como 0,7 voltios a través del diodo. Hay alguna conducciéa de corriente y alguna carga almacenada, Aqui se ha dibujado la carga minoritarin almacenada en un lado de In regién de agotamiento y como esta se presenta. Nuevamente tenemos na pendiente que determina la tasa a la cual los portadores se difunden v la pendiente es proporcional a Ia corriente en el dispositivo. Habré cargas que se mueven por cl eamino y conducen corriente Ahora en algxin punto {0 se tiene la condicién inicial. Y en este punto tratamos de apagar cl diodo. El cireuito externo conmutaré y como resultado empezard a remover carga del diodo. ¥ lo que se ‘observa en el cireuito externo es ésta corriente a través del diodo y se puede actualmente remover activamente la carga del diedo simplemente mediante tina corriente inversa. En nuestra ecuacién de control de carga la corriente pasha ser negativa lo que hace que la dq /at sen negativa y se remueven activamente los portadores tninoritarios Inuecos hacia atras a través de juntura. Y se remueven los electrones minoritarios hacia atris a través de la juntura que coutribuyen a esta corriente. Con esta cortiente negativa entonces digamos al tiempo t1 tenemos uns cortiente negativa y estamos jalando eargas hacia atris a través de la juntura. Jalando estas cargas se reduce la concentracién de carga cn Ja regién N y con la pendiente yendo en una direccién diferente se tiene que las cargas realmente se mueven en la otra direcciéu. En el tiempo 12 se ha removido la carga de almacenamiento de apagado a un valor menor, una carga minoritaria almacenada tal que Ia carga justo en el borde de la regién de agotamiento va a cero, ¥ lo que sucede en el punto en el que el voltaje en Ia resin de agotamiento puede empezar a cambiar. ‘Ya no es In funci6n exponencial esto es 0,7 voltios sino que In tensién del diodo empiezacaer y finalmente se hace negativa. Antes de este punto donde todavia se tiene carga snuoritaria positiva en ol borde de la regién de agotamiento ol diodo permancee con tensidn positiva y apenas se puede ver la diferencia, es més o menos 0.7 voltios y parece ‘como que el diodo esté todavia en conduecién. En este punto t2, se empieza a ver el cambio de voltaje v ver un voltaje negativo. Se sigue removiendo carga y lo que sucede al tiompo t3 es que se ha removido In carga y la carga es ahora cero, en el punto x3 y Jn regién de agotamiento ha erecido y viene todo el camino hasta x3 que es cansistente con cl voltaje negative x través del dispositive. Finalmente, en el tiempo t, se ha removido toda la carga almacenada, no hay més carga minoritaria a la izquierda, ¥ finalmente el diodo esti apagado y puede bloquear cl voltaje negative completo, que el circuito impone sin conduccién de corriente. Si se mira un poco el flujo de potencia, Ia potencia es el voltaje multiplicado por In corriente y Ia potencia en el diodo en el punto antes que se apague el diode, donde ene corriente positiva Suyendo al diodo. El voltaje es positivo « través de él y se tiene alguna pérdida de potencia en el diode que es la pérdida de conduccion del diodo. Se puede ver un intervalo donde la corriente se hace nogativa y el voltaje es todavia positivo en este intervalo de tiempo. Bl dioda actualmente entrega potencia, tiene voltaje ositivo y corriente negativa. Y donde actualmente alguna do Ia enorgia de estas cargas portadores minoritarios estén siendo extraidas. donde activamente se jalan de dentro del dios. Ahora esa cantidad de potencia suministrada no es muy grande y de hecho en un convertidor conmntado generalmente esta potencia es perdida en el MOSFET. de todas formas y por tanto no es una cantidad signifiestiva de potencis. Pero para la siguiente parte digamos desde el instante en que el voltaje se hace negative y se tiene cotriente negativa se produce una pérdida de potencia sustancial que sucede en el diodo mismo y puede hacer que e! diode se caliente. Esta es una pérdida de comnutacién real cen el diodo. Y de hecho vamos a ver en la siguiente leceién que se consigue pérdicas de ‘conimutacién substanciales si se considera ambos el MOSFET y el diodo sobre este tiempo slobal. Y esta es uma cantidad significativa de pérdidas y es a menudo en lo que se Hama ‘conmmtacién dura o los convertidores conmtacios convencionales. Esto es a menudo la fuente simple mnds grande de pérdidas en el circuito, debido a que puede ver es una gran ccantidad de eorriente. En un diodo tipico este pico de corriente negative puede ser varias veees la corriente de conduceién, ¥ este es el voltaje de blogueo completo. El producto de estos es una potencia instanténea muy alta. Esto se conoce como la recuperacién inversa del diodo. E1 tiempo que se demora desile to @ t4 es el tiempo de apagado de Conmutacién, que se llama a menudo el tiempo de recuperacién inversa y la earga. representada por el Area sombresada es Ia carga minoritaria que es activamente removida, del dispositivo es llamada la carga de recuperacién. Ahora, se puede también apagar cl iodo simplemente deteniendo la corriente y esperando un tiempo lirgo para que toda la ‘carga se recombine. Mientras se podria hacer una combinacién donde talvee se reduzca, | tas n la cual se produce ¢] cambio do corriente ¥ vn hacia negative que produce la. recombinaciéa de la carga en el diodo y menos de ella sea removida activamente. Pero si se conmmta el diodo ripidamente, esto es lo que sucede. Bésicamente se jala hacia, afuera activamente la carga minoritaria almacenada y pasa a ser la carga recuperada,La curva familiar VI del diodo es una relacién en equilibrio y puede ser violada durante Jos tiempos de conmutacion. En particular, para apagar el diode, tipicamente se tiene este transitorio de recuperacién invorsa en el eual se tienen ta gran corriente inversa que viola la caracteristica exponencial de equilibrio de la caracteristica VI del diodo. Y¥ este tiempo de recuperacién inversa y carga recuperada puede inducir pérdidas de conmutacién sustanciales en et MOSFET y pérdidas sustanciales en el diodo mismo. En. una lectura posterior calcularemos las pérdidas de conmutacién y se las modelaré en el convertidor conmutado, PREGUNTAS 1, Describa los portadores inayoritarios del mnaterial N y del material P. 2, La difusién de los portadores eléctricos forma la corriente de difusién. :Por qué se produce esta corriente? Que polaridad tienen los extremos de la regién de agotamiento de un diodo PN con el material P a la izquierda, {Por qué se dice que esta tension obstruye el paso de Jos portadores mayoritarios?.. 4. Como se forma la regién de agotamiento en los diodos, 5. Que son los portadores minoritarios de la regién N. De donde aparecen y como se describe las posibilidades de permanecer en es rogién. 6. Con polarizacién inversa como se resume ol funicionamiento de la resién de agota- miento, 7. Con polatizacién directa en el diodo explique la aparicién de portadares minori- tarios en las dos regiones 8. Con el diodo en polarizacién directa describa los componentes de I corriente total ne fuye, 9.Como es la concentracién de portadores minoritarios dentro del diodo. 10. {Qué relacién tiene la difusidn de los portadores minoritarios con Ia concenteneién de portadores minoritarios? 11. ,Qué es cl tiempo de vida de los portadores minoritarios? 12.2Qué variables (en lugar de la corriento y voltaje) se relacionan en. Ia ecuacién caracteristica de un dioda para analizar st comportamiento dindmaico? . 18.Porque se dice que “El diodo es controlado por la carga de los portadorés mino- ritarios”, 14 Durante que intervalo de tiempo se produce la mayor disipacién de potencia en el diodo. TO a 120 t2 att 15 La pendiente al inicio de cada grafico de carga versus distancia tiene valor negative ppara cl intervalo que inicia en to pero se vuclve positivo en intervalo que inician en t2. 1Con que variable se relaciona esa pendiente? 16 Que es el tiempo de recuperacién inversa 17 Que es la carga de recuperacién inversa. 18 En el paso de conduceidn a corte en qué direccién fluyen los portaclores minorita= Flos almacenados en la regién cercana a Ja juntura?19 Como se relaciona la corriente externa eon la rapidex del apagado del diodo. 20Con que caracteristica interna del diodo se relaciona la capacidad de bloqueo de voltaje inverso 21 Qué es la modulacién de Ja conductividad. ;Cémo participan en este fendmeno Jos portadores minoritarios? 22 Porqué los diodos Schottky tienen una alta velocidad. En conseenencia, ;qué es- pecificacin es limitada a valores bajos en el diodo Schottky? 23 LEn qué orden estan los tiempos de apagado de un diodo ultrarapido? 2. El rectificador controlado de silicio SCR 2.1. Tiristores ‘Anode Figura 8: Simbolo esquemitico del SCR El Rectificador controlado de silicio (SCR) pertencce a la familia de los tiristores, Este grupo de semiconductores incluy los dispositivos que cousisten de cuatro capa alternadas de silicio tipo P y tipo N. El titistor tienen dos modos de operacién: 1. El mode de conduccién en el que se modela (entre énodo y edtodo) mediante una tensién de umbral en serie con la resistencia del tiristor que es muy pequefia, varios obmios 0 menos. En este modo, el tiristor opera aproximadamente como un interruptor oereado. 1 modo de corte en el que la resistencia del tiristor es muy alta, decetias o centenas de megaohmios. En este modo, cl tiristor opera como un interruptor abierto. Los tiristores tienen dos, tres o cuatro terminales. Dos nctunian como terminales de conmutacién y los otros terminales transfiernc los comanclos de operacién 9bo» re ey | fess J | Figura 9: Represeutacién dol SCR como dos transistores Alggunos tiristores pueden ser activaclos por la radiacién de luz. Este tipo de disposi tivo es conocido como LASCR( Ligth activated Silicon Controlled Rectifier) Algunos son unidireecionales como el diodo. También existen tiristores hidireccionales ‘que condticen en ambas direcciones cuando estan en el moro de conduccién( TRIAC) 2.2, Caracteristicas ELSCR es el mas antiguo y més usado de los tiristores. El dispositivo tiene tres ter- ‘minales: el fnodo (A), el edtodo (K) y la compuerta (@). Durante el corte, In resistencia entre el énodo y el cétodo es extromacdamente alta. Cuando una seiial es aplicada en Ja compuerta, el SCR pasa al modo de conduccién y es capaz de permitir el paso de una eorriente wnidireccional de alto valor desde cl énodo hacia el eto, dentro de los limites de especificaciones de potencia. El sfnbolo esquemtica del SCR aparece on la figura 8. El SCR opera como dos transistores, PNP y NPN, conectados como muestra In figura 9. La corriente del SCR puede expresarse como: ey Aqui, Zepo1 ¥ Tere son Ins eortientes de fugns de los tennsistores. Los paréinctros a ¥ a2 son los factores de amplificaciSn de corviente correspondientes. Mientras In suma de los factores ce ampliicacién sea pequeia, In corriente del SCR y las corrientes de fuza cy sern de tne magnitad similar y el SCR estard en el modo de carte, Tan pronto como la suma de los factores de amplificacién ay ex se aproxitna ‘la unidad, a corriente del SCR llega a ser alta y es limitada por el circuito externo, Los factores de amplifieacién de corrionte, ay ya, son dependientes directamente de la corriente de la juntura, v por tanto, el proceso de disparo es exencialmente regenerativo, Este hecho os fundamental para los métodas do disparo que forzan al SCR al modo de conduccién. 102.3. Métodos de disparo 1. Incremento del voltaje entre anodo y cétode. Fsto produce un campo eléctrico fuerte en las junturas, eausando la raptura por avalancha y tn inererento en la cortiente en las junturas. Cuando la corriente alcanza el valor que mantiene Ta eandlieién a + a2 = 1, el SCR conuta del estaco de corte al estado de conduceién, 2.Un cambio rapido en el voltaje entre anodo y catodo, Hasta cierto punto, las junturas se comportan como capacitores. Un pulso de voltaje aplicato en el anodo genera una cortiente de carga que carga las eapacitancins de las Junturas. El valor de esta corriente esta dada por i = C.6V/st. SI el cambio de voltaje 4V ocurre dentro de un corto tiempo dt. la corviente resultante inicia las condiciones para la conmutacién desde el corte al modo de eonduecién, 3Incremento de temperatura, Esto incremonta cl ntimero de portadores de earga y, por tanto, la corriente del SCR. 1Accién de transistor. Incrementando la corriente de base aumenta la corriente de emisor. En el ease del SCR, esto cs realizado por el flujo de corriente en la compuerta, que es, efectivamente Ja base de un transistor como se indica en la figura 9. En un cierto instante, el aumento de corriente produce la condicién en Ia cual ay + a2 = 1 5.Bfecto de Inz. El bombardeo de luz libera pares de portadores de carga que resultan en un incre- mento de corriente a través de las juntures. El método més comtin y conveniente para el disparo del SCR es la accién de tran- sistor. Este es el que se usa en la mayorin de los casos 24. Curva caracteristica La figura 10 muestra la caracteristica voltaje corriente del SCR, La earracteristien ‘se explica mejor si se hace referencia a Ia figura 11 que representa al SCR como un Aispositivo de cuatro eapas, PNPN y tres junturas Ji, Ja, ¥ Js Cuando la compuerta esta abierta o conectada al cétodo y un voltaje inverso es aplicado entre dnndo y cétodo, el SCR se comporta como dos diodos en serie inversaznente polarizados. Por esta razén, hay una pqcuena fuga de corriente en la rogién entre los puntos 1 y 2 en la. caracteristica conocida como regién de bloqueo inverso. En el punto 1, ocurre In ruptura Zener que puede dafiar al SCR. Cuando el SCR esté polatizado directamente (como se muestra), ¥ la compuerta esti abierta, solamente la juntura J, esté polarizada inversamente y por ello la.corriente sera Ia corriente de fuga a través de esta juntura. Este fendmeno es comocide como la region de bloqueo directa de la caracterfstica y esti localizado entre los puntos 2 y 3 de Ja curva. n el punto 3, la gran polarizacién inverse de la juntura Jy produce la ruptura por avalancha que permite el flujo de una alte corriento limitada unieamente por la resistencia externa R. Bl voltaje al cual ocurre la ruptura se conoce como Voltaje pico directo (PF). ulFigura 10: Caracterfsticn voltaje- corriente dol SCR Debido al incremento en la corriente y decremento en el voltaje en la rogién entre Jos puntos 3 y 4, el SCR se comporta como una resistencia negativa en esta porcién de la caracterisitca. La operacién en la regién de resistencia negativa es imposible debido que en el instante de Ia ruptura, el punto de operacién se mueve desde el punto 3 al punto 5 pasando por el punto 4. El punto 5 es determinado por Ia resistencia externa R. La corriente en este punto es: J = (V ~ 0.8)/R (approximadamente) Para reestablecer el SCR al modo de corte (apagaclo). In corriente I debe reducirse aun valor menor que Ia corriente de mantenimiento [1. Esto se logra reduciendo el voltaje de suministco o mediante el paso de una corriente inversa a través del SCR hasta que sea desactivado. Cuando tna corriente es aplicada a la compuerta, los huccos son inyeetadas en la Figura 11: EL SCR como un dispositivo de custro capas con polarizacién directa 2capa P corca del cétodo. Estos portadores de carga reducen In barrera de potencial cn la juntura Jy y permiten la ruptura por avalancha a un valor de Vax menor. Esto esta indicado en Ia earacteristicn por una linen punteada que representa in corriente de compuerta Jc. Un incremento posterior en la corriente de compuerta reduce el valor del voltaje de ruptura hasta la caracteristica de corriente de compuerta que recuerda la enrva de un diodo convencional . Después que el SCR ha conmutado al modo de conduecién, Ia compuerta no tie- ne control posterior. Por esta raz6n, es usual aplicar un pulso de corriente corto a la compuerta antes que una corriente contfnua, para prevenir Ia disipacién innecesaria de potencin en la compuerta Mientras mas pequefio sca ol tiempo de subida del pulso, mayor es Ia reduceién de Ja disipacién de potencia dinaamica, ‘Como ya se mencioné. la corriente debe reducirse a nin valor menor que Iyr para restablecer el SCR al estado de corte. Un tipo de tiristor GTO (Gate Turn off) puede ser desnctivado por un disparo negativo en Ia compnerta. 25. Definicién de los parémetros del SCR Vaoar - Voltaje inverse pico.Este es cl voltaje de polarizacién directa mécimo permitido, y esta definido en I espocificacién del fabrieante, que puede daiiar al SCR Este parémetro puede ser expresado en una variedad de formas. Algunas veces es definido en terminos de voltaje repetitive y algunas voces en términos de voltajes momenténces. Veo - Voltaje de bloqueo directo pico.Este es el méximo voltaje directo ins tantineo permitido que no conmutari al SCR al estado de conduccién. Este parémetro es también expresado en varias formas. Algunas veces es definido con respeeto al circuito de compuerta abierta o con respecto a In resistencia entze compuerta y cétodo (Verar) Ip(AV) - Corriente directa promedio. (durante la conduecién). Esta es la ¢o- rriente DC macima pormitida a través del SCR durante In conduecién. Algunas veces ‘se define en su lugar la corriente efoctiva. Entonecs ol simbolo es Ip En atzas veces, In dofinicién es basada en ln corriente de surge Jj:7 0 1a corriente instanténea.f. Los datas ‘en las cortientes perinitidas siempre involucran la resistencia vérmica y es generimente presentada en forma gréfica, Inxstex ~ Corrientes de fuga directa © inversa maximas. Especificadas « voltajes davlos, la *xindiea la eonexidn de la impedancia de salida entre compuerta y cétodo. Estos pardmetros estén dados a los voltajes pleos deflinidos arriba. Se debe uotar la tempertaura a la que estos parémotras son especifiendes. Jer - Corriente de disparo en la compuerta. Hsta cs la minima carriente de ‘compuerta con la cual se garantiza que el SCR es disparado a un voltaje de anodo dado, Por ejemplo, e aun voltaje Vix = 7V y una carga Ry ~ 1000, el fabricante garantiza que los SCRs de este tipo serén disparados con una corriente de Jer = 200jA. Esta corriente es inversamente proporcional a la temperatura. ‘er ~ Voltaje de disparo en compuerta. EI miiximo voltaje en la compuerta utes del disparo, cuando In corriente de entrada a la compuerta es fer. Este voltaje es 13dopendiente de la temperatura, varia enter 0,6V a 25°C y 0,3V n 100°C. El fabricante especifien el voltaje maximo esperado para varias condiciones conocidas. Pani - Potencia pico on la compuerta. La méxima potencia instanténen de disipacién permitida en la compuerta. Algunas veces, se especifica la maxima potencia de disipacién promedio Po(AV) en In compuerta.. PREGUNTAS 1. ;Qué es un tiristor?. 2. ;En base a los modos de operacién eu es el modelo ideal del tiristor en el andlisis, do circuits? 3. Los tiristores se dice que son interruptores SPST (simple polo, simple carrera). Sin mmbargo, normalmente tienen més de 2 terminales. ;Cual es la utilidad dle los terminales adicionales? 4. ,Qué significacio tiene que la corriente de Anodo a cétodo esté dentro de los limites de clasificacién de potencia (power rating limits)?. ;Cémo se obtienen estos limites? 5.Si la suma de los factores de amplificacién se aproxima a In unidad, dibujo un Circuito con SCR donde se muestre el elemento que limita la corriente. 6;Qué especifieacién del SCR debe considerarse par evitar el disparo por ruptura de avalancha? 7. Como se evita el disparo por cambio brusco de voltaje entre énode y eétodo, Consulte 8. ,Existe algtin dispositive comercial SCR activado por luz? 9. {En la regién de bloqueo inverso que modelo representa adecuadamente ell com- portamiento del SCR? 10. {Qué ocurre cuando mediante el circuito externo se excede el Voltaje directo pico? 11. ,Cual os Ia diferencia de osta situacién frente » exceder el Voltaje reverso pico? 12, {Qué significado tiene la regién de resistencia negativa?;, Aeaso existen elementos que operen en esta regiGn? Averigite. 15. Un Ingenicro comenta: "El apagado del SCR es tan simple como quitar la corriente de la compuerta”. ;Qué dirin usted? 14. El voltaje al que se produce la ruptura directa entre AK depende de Ia corriente de compuerta. {Fs posible provocar la conduccién del SCR con una tensién de euptura diroeta similar a la de un diodo?;Qué se debe hacer? 15, {Por qué es preferible aplicar un pulso momenténeo de corriente a la compuerta cn lugar de un pulso continuo? El cumplimiento de las especificaciones del SCR debe garantizarse mediante el cir- cuito externo. Como se garantiza el cumplimiento de: 16. La corriente directa promedio 17. La corriente de disparo en compuerta 18. Voltaje de pico inverso 19. Como se mide la corriente de mantenimiento. 20, Como se mide la corriente de disparo de la compuerta, u3. MOSFET de potencia Source + Lastonginades dete compuers se spreman a {mics + Consiste de vanas pequeis celdas de MOSFET de eanshaniento onectadas en paraelo, que cuben a sapere detapasoits de stiao + Lacomiente Baye ereaimente | + Haisposiivo que cel Figura 12; Seccién transversal de un MOSFET Vainos a cubrir el tema de os MOSFET de poteneia. En esta leecién nosotros vamos a Lhablar sobre emo se construye un MOSFET de potencia y algunas de sus caracteristicas bésieas. Bn la siguiente Jectura hablaremos acerca de los circuitos mancjndores de In compuerta del MOSFET que lo hacen funcionar y algunas consideraciones précticns. En Ia figura 12 se muestra una vista seecional de un MOSFET de potencia, Si se toma tina pastilla de silico y la corta y In mira desde un lado lo que tiene es algo come To que se nuestra aqut. La corriente flue en forma vertical a través del MOSFET como ocurse en «si todos los dispositivos de potencia. aqut por ejemplo, cl drenaje es concetacio ala parte inferior de la pastila de slicio y ol terminal de Fuente y la compuerta estén colocadis en lado superior. La regién que se muestra con lineas inclinadas representa los contactos rotilicos. Es decir que tenemos contactes metalic al drenaje D y a la fuente S, El ren sombrenda alrededor de la compuerta es I eapa de éxido o vidrio que afsta la compuerta dl resto del MOSFET. El érea blanca dentro es la compuerta. Esta es usualmente un material de polisilicio que es un eonduetor que forma la compuerta. Luezo se tiene ol fea de silico dopado. Este es un MOSFET do canal N la fuente ests coucctada en parte superior, el drenaje coneeta desde abajo a esta regién donde hay un material de opado ligero. El drenaje D esta actualmente en este sitio asf que tenemos un MOSFET que conecta ef drenaje D y la fuente $ como se rnestra. EL material P es llamado el sustrato y en los MOSFET de poteneia précticos el susteato es cortacireuitado a Ia fuente. Psta estructtra en particular se la conoce con el nombre de estructura DMOS. Bn esta estructura la compuerta y la fuente son construidas lateralmente en Ta superficie superior del MOSFET. Taunbidu tenemos otras variantes de estructuras con ranuras como Ia VMOS © UMOS 0 algunas veces conocidas con un nombre del fabricante tales 15como los MOSFET de trinchera cuyas ranuras son cortadas en el lado superior del silicio y la compuerta se construye verticalmente a lo largo del lado de la ranura. También se tione la estructura SUPERMOS que es una mejora relativamente reciente que reduce la resistencia de encendido de los dispositivos de alto voltaje. Se tiene algunos MOSFETS muy buenos de 600 voltios construidos con este estructura SUPERMOS. El MOSFET de potencia es un dispositive altamente “intercalndo” lo que signifien que se replica los MOSFETS varias voces en la parte superior de un chip ¥ se los conecta a todos estos pequefios MOSFETS en paralelo para conseguir un MOSFET grande de alta corriente. So puede ver en la figura la presencia de cuatro posibles diferentes canales, ex decir cuatro MOSFETs pequefios conectados en paralelo que se empaquetan juntos lo més apretados que se pueda para llenar la superficie de I pastilla de silicio y construir lun dispositivo de alta corriente. As{ que cuando el MOSFET es encendido la corriente Aluira por el Drenaje y entonces a través del Canal y saldr& por In Puente. Esto es para flujo de corriente positiva. Realmente una forma mejor de decirlo quizsis es que tenemos celectrones que vienen desde la Fuente al material N estos forman y ensauchau el canal con Jo que cuando Ia compuerta es polarizada directamente se forma una capa de inversién un canal aqui que efvetivamente es una regién N adicional que conecta la Fuente al Drenaje. y los electrones fluyen por este camino hacia fuera por ol Drenaje * Lajannzap eset + Hivohge de tres deine dain + Figura 13: MOSFET en estado apagado En cl estado de apagado ver figura 13, es decir, cuando la compuerta esté apagads cl voltaje positivo se coloca en el Drenaje con respecto a la Fuente. Tenemos la forimacién de una regién de agotamionto que bloquea el voltaje y realmente es In misma que en un diodo PN. ¥ de hecho si se mira en el sustrato, en cl material P y esta regién ack esto realmente hice como un diodo PN como lo conversamos en las lecciones previas para el iodo. Se tiene una region ligeramente dopada N en el drenaje que le da al dispositivo el voltaje de ruptura que requicre. Asi que en el estado inverso se tiene realmente un campo eléctrico a través del sector 1 mnenos que tiene una caida de voltaje desde ol drenaje hacia la fuente. Para obtener una clasificacién de voltaje de ruptura alto como sucede 16ccon cualquier dispositive semiconductor se requiere un material figeramente dopado de alta rosistividad. source + tapmepn pelanacion mse 1+ avo poste ania computa ce ln + eee oe teressels Hae feralte embcoes Laestocia n= fesstene tee la Earduceon, conactos uaa ervemite rain Figura 14: MOSFET en estado encendido ON En el estado de encendido ver figura 14 entonees la corrionte fluye en la forma mos- trada como se habia mencionado antes. Una caracteristica distintiva clave aqui. sin ‘embargo. es que la cortiente tiene que fluir a través de esta regién N menos y mucho de ln resistencia de encendido del dispositive aparece a través de osta regién. Y debido a ‘que es ligeramente dopada tiene una alta resistencia y esta es principalmente la resisten- cia de conduccién del MOSFET. Se debe considerar que en serie con la resistencia del ‘canal esti Ia resistencia de los contactos, de los terminales y del paguete pero en gene ral esta regién N menos domina la resistencia de conduccién. En el MOSFET se tiene un dispositivo de portadores mayoritarios, es decir. no hay portadores mminoritarios que causen la modulacién de la conductividad como ocurre en el diodo. Esta es la razén por Ja cual el MOSFET tiende a tener una relativa alta resistencia especialmente en niveles de voltaje altos. Asi que un dispositive con especificacién de voltaje alto, obligatoria- ‘mente tendré una resistencia especialmente alta en la regidn n menos y esta resistencia de encendido crece rapidamente con cl voltaje. Asi que se tiene inuy buenos MOSFETS 1 bajo voltaje pero a alto voltaje se empieza a proferir los dispositives de portadores ninoritarios que dan caidas de voltaje divectas anenores. El MOSFET tiene un diodo en su cuerpo(ver figura 15). El diodo del cuerpo actual- ‘mente se obtiene de esta juntura PN entro ol sustrato de material P y el drenaje. Ast que efectivamente si tiene ol MOSFET representado por el canal y esté en paralelo con el iodo del cuerpo. Este es un diodo real. Este diodo tiene su recuperacién inversa y éste conduce In corriente si es que ests directamente polarizado. Y esto ocurre si colocamos luna tensidn positiva en la Fuente con respecto al Drenaje. Entonces este diodo puede llegar a estar polarizacto directamente y la corriente puede fluir. El diodo puede conducie la cortiente total de especificacién del MOSFET, después de todo, es el mismo dispo- 17jms fom seo deme, supa cot + Vasa se ee aem'y fre pnd ptm sce doce decompo fot de) : Sas si comet apn 3 a + aves de commtain dt . fesse es cponach He 4 ‘epee, Q. «gaa drain Figura 15: Diodo del enerpo del MOSFET sitivo. Sin embargo la advertencia es que el diodo no nocesariamente esta optimizado para velocidaces de conmutacién alias y esto depende del diodo. Algunos MOSFETS: son disefiados para tener a propésito un diodo de recuperacidn répida y otros no, La figura 16 muestra Ins caractoristicns estiticas voltaje corrietite del MOSFET, estan dibujadas de una forma ligeramente diferente de las que se acostumbra y estan dlibusjadas para enfatizar como se controla ol MOSFET, En ol eje vertical es la corriente de Drenaje en eje horizontal es cl voltaje de Compuerta a Fuente. Se tiene caracteristi- cas o linens de voltaje de drenaje constante. Bisicamente si el voltaje de Compuerta esta bajo un voltaje conocido como voltaje de umbral entonces el MOSFET esta apa- gndo. Entonces el manejador de compuerta tiene que llevar el voltaje de compucrta 0 voltaje de compuerta a fuente a 1m nivel superior que el voltaje de umbral para encender el MOSFET. Aqui se puede ver que eonforme sube el voltaje sobre el umbral para los primers pocos voltios cl MOSFET empieza a encenderse. Cuando este aleariza digamos 10 0 16 voltios el MOSFET se enciende completamente. Y tenemos, usted sabe, para tuna corriente de drenaje dada, tenemos un voltaje de drenaje a fuente bajo. Entonces gencralmente operaremos el MOSFET encendito sobre el sector donde tenemos tin bajo voltaje y en este caso ¢l voltaje de Drenaje a Fuente es aproximadamente proporcional a la corriente de drenaje. Una aproximacién es entonces que el voltaje de Dreniaje es la corriente de drenaje multiplicada por la resistencia ON del MOSFET. En los dispositivos de portadores mayoritarios como este Ia resistencia de encendido tipicamente tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que significa que conforme la temperatura sube la resistencia del dispositivo sube. Asi que lo primero es que se hace més facil colocar en paralelo a los MOSFETS. Estos no tienen cl mecanismo de realimentacién positiva que hhace que uno de los dispositivos se lleve toda la corriente. Por otro laro In resistencia de encendido es mayor a temperaturas més altas. Y cuando se escoge una resistencia de en cendlido se piensa en el peor caso considerando Ia maxima temperatura que cl MOSFET as4 + Apamde Vic < V 10a + Encoodiccén Vi. >> Vy ie + ALMOSFET puede condi pcos de “oe sn protena ena seco en exces dee aed ‘Saecacen de mR ‘omeate Lat ‘sarc pemaneces ia ‘Sao 7 + Laverna de onda ene wit 2 - oti de i s ae ns teams post, poe ‘ap facia a sone en parle Figura 16: Caracteristicas del MOSFET puede soportar. ¥ cual es Ia resistencia en estas condiciones. La figura 17 muestra un circuito equivalente de primer orden de] MOSFET mostran- do las capacitancias. El MOSFET tiene una capacitancia entro cadla par de terminales. Y se analizaré cada tna de ellas. Primera de todas In eapacitancia de Compuerta a Fuente es un capacitor ideal del MOSFET entre el terminal de Compuerta y el Canal ¥¥ se dibuja aqui con respecto la Fuente. Esta es In eapacitancin a través de la seccién desde compuerta al canal. Esta capacitancia desde Compuerta a Fuente debe cargarse para colocar carga en el canal y encender el MOSFET. Ademés de exo usted puede ver que existe un traslape entre el contacto de Compuerta y el Dreuaje. ¥ esta forma lo que se conoce como la capacitancia de Compuerta y Drenaje, Se hace lo pasible para que sta capacitancia sea pequefia pero de hecho la carga de esta ayuda @ poner una carga adicional en la regién de Drenaje y de alguna forma reduce la resistencia de encendido. ‘Tipicamente la capacitancia de Compuerta a Drenaje ex pequelia comparada con la ca- pacitancia de Compuerta a Fuente. Es muchos menos picofarndios de capacitancia, Sin embargo tiene mucho voltaje a través de ella. La capacitancia de Compuerta a Fuente podria estar cargada hasta 10 & 15 voltis, mientras que la capacitancia de Compuerta a Dronaje se carga hasta bésicamente el voltaje completo del drenaje. Aunque la eapaci- tancia es pequena el voltaje a través de ella es grande y la cantiddad de carga neta.cn esta, cepacitancia puede ser grande. De hecho en algunos dispositivos es més grande que la carga en la capacitancia de Compnerta a Fuente. Esto tiene algtin impacto en las consi- deraciones de como disenar el circuito de manejo de compuerta. La tercera capacitancia. es Ia de Drenaje a Fuente y esta es basicamente Ia capacitancia del Diodo del cuerpo. Y esta ex In misina capacitancia que tiene un Dioco de juntura PN y se comporta en sit 9D rande,esencihnente constante + Coy pequeaa,akamente no Heal 7 +, Tmermedia en valor, akamente no Soest + Los empes de connutnci estén c eters or latasa en lc sauiador de comzocra cogadescarga C,.y Cyy Figura 17: Capacitancias del MOSFET mayoria como una capacitancia de diodo. Es no lineal. Esto no se dijo con respecto a Ja juntura del diodo PN, pero es realmente un tipo de funcién similar. Se muestra. una formula clisicn para Ia capacitancia de agotamiento, Ca, = >t ee Fs 1m dispositive no linea que indica la gran varincm de In eapacttancia con el nverso de la raiz cuadrada del voltaje As{ que si el voltaje sube la capacitancin dismninuye. formula aproximada de esta capacitancia os la inversa de rafz cusdrada del voltaje. aoa Estds capacitancins de salida de los dispositivos tales como Ia capacidad de Drenaje a Fuente del MOSFET y la capacitancia en Ia juntura del diodo son otros mecanismos que pueden conducir a pérdidas de conmntacién. Basicamente estas capacitancias se cargan con eneraia cuando hay voltaje a través de ellas asf que por ejemplo cuando el MOSFET est apagado se tiene un voltaje entre Drenaje y Fuente. No hay voltaje a través de Ia capacitancia de la juntura del diodo. Pero tan pronto como la seilal AC aparece esta capacitancia de la juntura esti ofectivamente en paralelo con Ia capacitancia Drenaje Fuente. Las dos se suman, Cuando se enciende ol MOSFET se cortocircuitan estas capacitancias. Y cualquier energia almacenada on ellas se amortigua en el canal del MOSFET durante la transicién de encenclido, Asi que si éte es una capacitancia lineal, se puede decir que estas capacitancias almacenan wna energi igial a ‘un medio de In capacitancia por el voltaje al cuadrado doncie C es la capacitancia cfectiva de los dispositivos y el voltaje corresponde con el voltaje a la entrada del convertidor. HCas + 0))V3 Cam CofE Wy, 20‘ -Bjomplo de pédidas en convertor Buck Eneaia pesdda durant a ransicén a encendido del ‘MOSFET (asumiends capaceansas Eneaes) W, = HC, +0) V3 Figura 18: Pérdidas de conmutacién debido a las Capacitancias del MOSFET Se picrdc mucha energia.cada vez que se encicnde el MOSFET y se cortocircuitan las capacitancins. Bsto puede causar unas pérdidas de conmutacién que son iguales nla energie almacenada en las eapacitancins multipliado el nimero de veces por segundo que las cortocireuita o lo que es lo mismo multiplicado por Is. frecuencia de conmutacién Esste es otro mecanismo de pérdidas de conmutacién. Sie quiere contabilizar el hecho que las capacitancias son no lineales podemos integrar la potencin que carga las eapacitancins para ver cusnta energin almaconan Ins capacitancias no Hincales. Se puede integrar la potencit que es el voltaje por Ia corriente y colocar la exprosion para la corriente Cav iit para este eapacitor y entonces al integrar Ta funein de la raiz cuadrada encontramos aque In energia que es perdida es igual a: We, = $CulVos Vis Se tione tn factor cle dos tercias en lugar de un factor mitad. Y si se evalia Ia capacitan- cia en la condici6n de apagaddo del MOSFET. Esto represcuta una péida un poquito mayor de energia pues es como tener un capacitor con un factor de cuatro tercios de Ia capacitancia originel CONCLUSIONES El MOSFET cs un dispositive de portadores mayoritatios, es- tas son buenas noticias debido a que tiene una muy alta velocidad de conmutacién. No se tiene ese tiempo que toma para remover la carga almacenada que estaba causando la ‘modulacién de conductividad en el Diodo y por tanto los MOSFET se pueden conmutar mucho més répido v en un MOSFET que es tipico de conseguir ve conoce que los tiem pos de conmutacién son de unas pocas decenas de nanosegundos y en los dispositivos de bajo voltaje © incluso més répidos. Asf que las frocuencins de conmutacién tpieas de decenas y centenas de kilohercios son ficiles y como se sabe se tienen fuentes de apoder de bajo voltaje en los compatadores que corten a frecuencias de conmutacién en €l orden de Tos megahercios debido « la alta velocidad de estos dispositives. Las mals noticias sin embargo son que Ia resistencia de encendido crece rapidamente eon el voltaje debido a que son dispositives de portadores mavoritarios que no tienen la modulaciSn de conductividad. Tenemos dispositivos MOSFET de juntura SUPER a. 600 vols pero no poriemos ir mais alto que eso antes de que la resistencia de encendio se haya. incre- mentado demasiado a tal punto que el dispositivo ya no es econdmico. Estos son muy féciles de manejar simplemente se conmuta cl voltaje entre la compueria y fuente entre Oy 10 0 15 voltios y son muy féeiles ee controlar. También se cuenta con MOSFETS de nivel 1dgico que estan diseiiados para operar con un voltaje de 5 voltios de compuerta cn Ingar de 10 0 15V. Otra cosa, dispositivas gencralmente estén limitado de potencia. ¥ cuando se cise tin convertidor de potencia generalmente no seleccionamos el MOS- FET basaclo en la espeeifieacidn cle corriente que es una clasificacién de cortiente pico dal ispositivo. En Ingar de eso usualmente Io seleecionamos en Ia base cle La resistencia de encendido y lax pérdidas de condueeign. Asi que a menudo se escoge wn dispesitivo con ‘una clasifcacién de corriente pico mucho mayor que la.que se intenta usar. Y en lugar se escoge un tamaiio de MOSFET para conseguir una resistencia de encendido baja. con lo necesite la aplicacién As que como resultado esta eonsideracién, estos son dispositives, uy robustos asi como también bastante margen cuando se trata de la corriente. PREGUNTAS 1.jEin Ia estructura interna del MOSFET qué tipo de material aisla la compnerta del resto del MOSFET? 2. {BI Polislicio que es el material ce Ia compuerta es un aislante, conductor semiconductor? 3. El sustrato de material P se conecta tipicamente al drenaje, fuente o compuerta? -Cémo se relacionan las abreviaturas DMOS, VMOS 0 UMOS con los MOSFET? 5.jHasta qué valores de voltaje de rupture se consiguen los MOSFET? 6.;Bs cierto que un MOSFET de alta eorriente es una combinacién en paralelo de muichos MOSFETS de pequeia corriente?. 7. £Qué significa que un MOSFET see. un dispositivo altamente “interealacio”? 8,Bn un MOSFET el canal N se forma con Ia inveceién de electrones huecos?. 9.Dibuje la estructura de im MOSFET DMOS y muestre cl eamnino de circulacion de Ja corriente cuando ol MOSFET conduc. 10,,Qué regién de la estructura determina la especifcacién de tensién de bloqueo do ruptura del MOSFET? ,Qué earacteristica debe tener esta regién para obtener un mayor voltaje do bloqueo? 11.,Qué regién de la estructura determina la resistencia de encensldo del MOS- FET?,Qué caracteristica debe tener esta regién para obtener una menor Resistencia de condiceidn? 12,,Por qué se preficre un dispositivo de portadores minoritarios en voltajes superio~ res a los 600V en lugar de los MOSEBT? 13.,Bs cierto que el diodo dol cuerpo del MOSFET es adecundo pars conducir Ia corriente en sentido inverso cs decir de Fuente « Drenaje? Explique 214.4Bs verdad que para asegurar el paso al estado de conduecién del MOSFET en las aplicaciones de Electronica de Potencia es suficiente colocar en compuerta una tensiGn superior a la tensién de umbral? Justifique 15.Fseriba una férmula para calcular Ia tensién entre Drenaje y Fuente cuando el MOSFET esti en conduceién, 16.,Por qué los MOSFET si se pueden conectar en paralelo y los diodos no? ;Por ‘qué ve habla de realimentacién positiva en los diodos? 17,;A cual de las tres capacitancias del modelo se debe proveer carga para provocar la conduecién del MOSFET? {Fs verdad que uno de los terminales de esta capacitancia es el canal? 18. yPor qué se dice que la tensidn de la capacitancia dronaje a compucrta es en algunos casos muy grancde?. Dibuje e] escquema de un cirenito de potencin donde esto suceda. 19,;Puede calcularse Ia energia de conmmutacién debido a In capacitancia de salida Drenaje Fuente mediante la expresiéu 1/(2)CV??. En caso afirmativo, zaué valor debe considderarse para © en la formula’? 20.,Por qué un dispositivo de portadores mayoritarios es més répido que uno de portadores minoritarios? 21.4Por qué la seleccién de un MOSFET se realiza considerando la resistencia en estado de conduccién en lugar de la corriente pico que eircula por el elemento?. 3... ELBIT y el IGBT En esta seecidn se analizaré el transistor de unién bipolar o BIT, y su sucesor mo- derno. el Transistor bipolar de puerta aislada. o IGBT. La figura 19 muestra un esbozo de un transistor de unién bipolar. Es un dispositivo npn. Se tiene una regién n que se ha dopado levemente o regién intrinseca en cl eolector, de modo que esta unién de base coleetor. es una unidn pn que realinente tiene la misma estructura que el diode de potencia clisica que hemos discutido. Bajo condicién de polarizacién inversa cuanclo In tensién de colector es positive, la base es més negativa y también lo es el emisor. Y de hecho, para, que este dispositive fsté apagado, ln unién np de emisor base o regién pa entre In base y el emisor debe tener polatizacién inversa. El eampo oléetrico se encnentra en la regién n menos que es capaz de bloquear la tension de colector. Este es un dispositivo vertical, y de nuevo éta es una sro de seccién transversal del transistor o el chip, similares a las Areas de seccién transversal que se ha presentado previamente para cl MOSFET. Por lo tanto, para poner en conduceidn a este dispositivo, se tiene un circuito manejador conectado a la base y ol emisor que polarizaré directamente Ja union emisor base Para ponerlo en conduecién, se aplica tina tensién positiva en la base con respecto al ‘emisor para polarizar la unidn y cuando se hace esto, los electrones del emisor son eapaces de difundirse a través de esta unidn hacia la base, donde se convierten en portadores inoritarios. Debido a que cl colector esta a un voltaje més positivo estos electrones pueden ficilmente seguir, y fluir en la regién de colector. Asi que por Ia polarieacién 28