El Transistor MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos

defecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de
conducción. Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor
parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET
de canal P o PMOS. Asu vez, estos transistores pueden ser de acumulación (en
han cement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están
prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de
acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como
son la corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven
sometidos, unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la más
evidente, el efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que
se sustituyan por otros transistores más avanzados, hasta la llegada de los
MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un
lugar importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros
fines. Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja
tensión, baja potencia y conmutación resistiva en altas frecuencias, como
fuentes de alimentación conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como
robótica, CNC y electrodomésticos.

La mayoría de sistemas como lámparas, motores, drivers de estado sólido,

electrodomésticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el
flujo de energía que se transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta
eficiencia variando su ciclo de trabajo para regular la tensión de salida. Para
realizar la parte de conmutación, existen varios dispositivos semiconductores, a
continuación, se muestra una tabla con algunos de ellos.

La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades entre

potencia y velocidad de conmutación de los tipos de dispositivos.
LOS TRANSISTORES MOSFET.
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN,
como el transistor bipolar, ya que, en éste, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos eléctricos en el interior del
dispositivo. Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET
(del inglés, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, está basado en la estructura MOS. En los
MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la
Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador
y Surtidor, gracias al efecto de campo. El término enriquecimiento hace
referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la
cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal, que
también es conocida como la zona de inversión.

LA ESTRUCTURA MOS.

La estructura MOS está compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato

de silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido
de Silicio (SiO2) que, posee características dieléctricas o aislantes, lo que
presenta una alta impedancia de entrada. Por último, sobre esta capa, se coloca
una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee características conductoras.
En la parte inferior se coloca un contacto óhmico, en contacto con la capsula,
como se ve en la figura:
La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el que
G y B son las placas y el óxido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la
carga acumulada es cero y la distribución de portadores es aleatoria y se
corresponde al estado de equilibrio en el semiconductor.

Cuando VGB>0, aparece un campo eléctrico entre los terminales de Puerta y

substrato. La región semiconductora p responde creando una región de
empobrecimiento de cargas libres p+ (zona de deplexión), al igual que ocurriera
en la región P de una unión PN cuando estaba polarizada negativamente. Esta
región de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la región de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo eléctrico y se provoca la
acumulación de cargas negativas libres (e-) atraídos por el terminal positivo. Se
dice entonces que la estructura ha pasado de estar en inversión débil a inversión
fuerte.
El proceso de inversión se identifica con el cambio de polaridad del substrato,
debajo de la región de Puerta. En inversión fuerte, se forma así un CANAL de e-
libres, en las proximidades del terminal de Puerta (Gate) y de huecos p+ en el
extremo de la Puerta.

La intensidad de Puerta IG, es cero puesto que, en continua se comporta como

un condensador (GB). Por lo tanto, podemos decir que, la impedancia desde la
Puerta al substrato es prácticamente infinita e IG=0 siempre en estática.
Básicamente, la estructura MOS permite crear una densidad de portadores libres
suficiente para sustentar una corriente eléctrica.

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.

Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de puerta
se establece en forma de tensión. La calidad y estabilidad con que es posible
fabricar estas finas capas de óxido es la principal causa del éxito alcanzado con
este transistor, siendo actualmente el dispositivo más utilizado.
Además, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una
mayor densidad de integración. Comencemos con la estructura básica del
MOSFET, seguido de sus símbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+).
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un MOSFET de
tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que incide
perpendicularmente sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae
a los electrones hacia la superficie, bajo la capa de óxido, repeliendo los huecos
hacia el sustrato. Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha
superficie una región muy rica en electrones, denominada canal N, que permite
el paso de corriente de la Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensión de
Puerta (Gate) mayor será el campo eléctrico y, por tanto, la carga en el canal.
Una vez creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión positiva
en el Drenador (Drain) respecto a la tensión de la Fuente (Source).

En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores

son huecos (cargas de valor positivas, el módulo de la carga del electrón). En
este caso, para que exista conducción el campo eléctrico perpendicular a la
superficie debe tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensión
aplicada ha de ser negativa. Ahora, los huecos son atraídos hacia la superficie
bajo la capa de óxido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie
es muy rica en huecos se forma el canal P. Cuanto más negativa sea la tensión
de puerta mayor puede ser la corriente (más huecos en el canal P), corriente que
se establece al aplicar al terminal de Drenador una tensión negativa respecto al
terminal de Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo
N.

Si con tensión de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de

acumulación; y de vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensión de
Puerta a partir de la cual se produce canal, se conoce como tensión umbral, VT.
El terminal de sustrato sirve para controlar la tensión umbral del transistor, y
normalmente su tensión es la misma que la de la Fuente.

El transistor MOS es simétrico: los terminales de Fuente y Drenador son

intercambiables entre sí. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensión
actúa de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensión en el tipo
P (recoge los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el
funcionamiento de un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.

El símbolo más utilizado para su representación a nivel de circuito se muestra en

la figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate) nos informa sobre
el sentido de la corriente.

En la estructura MOS de la siguiente figura, aparecen diversas fuentes de tensión

polarizando los distintos terminales: VGS, VDS. Los terminales de substrato (B)
y Fuente (S) se han conectado a GND. De este modo, VSB=0 (tensión Surtidor-
sustrato=0) , se dice que no existe efecto substrato.
egún los valores que tome la tensión VGS, se pueden considerar tres casos:

1) VGS=0. Esta condición implica que VGS=0, puesto que VSB=0. En estas
condiciones, no existe efecto campo y no se crea el canal de e-, debajo de la
Puerta. Las dos estructuras PN se encuentran cortadas (B al terminal más
negativo) y aisladas. IDS=0 aproximadamente, pues se alimenta de las
intensidades inversas de saturación.

2) La tensión VGS>0, se crea la zona de empobrecimiento o deplexión en el

canal. Se genera una carga eléctrica negativa e- en el canal, debido a los iones
negativos de la red cristalina (similar al de una unión PN polarizada en la región
inversa), dando lugar a la situación de inversión débil anteriormente citada. La
aplicación de un campo eléctrico lateral VDS>0, no puede generar corriente
eléctrica IDS.

3) La tensión VGS>>0, da lugar a la inversión del canal y genera una población

de e- libres, debajo del oxido de Puerta y p+ al fondo del substrato. Se forma el
CANAL N o canal de electrones, entre el Drenador y la Fuente (tipo n+) que,
modifica las características eléctricas originales del sustrato. Estos electrones,
son cargas libres, de modo que, en presencia de un campo eléctrico lateral,
podrían verse acelerados hacia Drenador o Surtidor. Sin embargo, existe un
valor mínimo de VGS para que el número de electrones, sea suficiente para
alimentar esa corriente, es VT, denominada TENSIÓN UMBRAL (en algunos
tratados se denomina VTH)

EL MOSFET COMO INVERSOR.

El funcionamiento del transistor MOSFET en conmutación implica que la tensión
de entrada y salida del circuito posee una excursión de tensión, elevada (de 0 a
VDD) entre los niveles lógicos alto H (asociada a la tensión VDD) y bajo L
(asociada a la tensión 0). Para el nivel bajo, se persigue que VGS > Vt y que el
transistor se encuentre trabajando en la región óhmica, con lo cual VDS << 1.
Mientras que para en el nivel alto, se persigue que la tensión de salida sea
elevada, y en general, que el transistor esté funcionando en la región de corte,
con VDS >> 1. Se puede considerar que, el transistor MOSFET es capaz de
funcionar como un interruptor.
El funcionamiento como inversor del transistor MOSFET N se basa en sus
características en conmutación: pasando de la región de corte a la región
óhmica.
El transistor MOSFET en conmutación, basado en un interruptor con resistencia
de Drenador, es fundamental en circuitos digitales, puesto que la conmutación
de corte a saturación y viceversa, implica unos tiempos de retardo de gran
importancia en estos sistemas.
Inversor con carga pasiva. La palabra pasiva se refiere a una resistencia normal
como RD. En este circuito Vin puede ser alta o baja.
Cuando Vin esta en nivel bajo, el MOSFET esta en corte y Vout es igual a la
tensión de alimentación. Cuando Vin esta en nivel alto, el MOSFET esta en
conducción y Vout cae a un nivel bajo. Para que este circuito funcione la
corriente de saturación ID(sat) tiene que ser menor que ID(on).

RDS(on)<< RD
EL MOSFET COMO INTERRUPTOR.
Sabemos que, si en un MOSFET la tensión entre la
Puerta y la Fuente es menor que la tensión umbral,
VGS<VT, el transistor está cortado. Es decir, entre los
terminales de Fuente y Drenador, la corriente es nula,
ya que existe un circuito abierto. Sin embargo, cuando
VGS es mayor que VT se crea el canal, y el transistor
entra en conducción. Cuanto mayor es la tensión de
puerta menor es la resistencia del canal, y ésta puede
llegar a aproximarse a un cortocircuito. Así, el
MOSFET es capaz de funcionar como un interruptor.
El MOSFET como interruptor se emplea
frecuentemente en electrónica digital, para transmitir o no, los estados lógicos a
través de un circuito. Existe, sin embargo, una pequeña dificultad: cuando el
MOSFET tipo N actúa como cortocircuito es capaz de transmitir las tensiones
bajas; sin embargo las tensiones altas se ven disminuidas en una cantidad igual
al valor de la tensión umbral.
Para que exista el canal bajo la puerta, la tensión en ésta ha de ser VH (VH > VT).
Al transmitir VH, el terminal de la izquierda actúa como Drenador, ya que está a
una tensión más alta, y el de la derecha como Fuente. A medida que la tensión
en el terminal de Fuente aumenta, la tensión entre la Puerta y la Fuente, VGS,
disminuye. Todo esto ocurre hasta que la tensión de la Fuente alcanza el valor
VH-VT, momento en que VGS iguala la tensión umbral y el transistor deja de
conducir.
En cambio, al transmitir la tensión VL el terminal de la izquierda actúa como
Fuente y el de la derecha como Drenador. La tensión entre la Puerta y la Fuente
permanece en todo momento constante, a igual a V H-VL (valor que debe ser
superior a la tensión umbral), por lo que en el Drenador se llega a alcanzar VL.
De forma similar, el MOSFET tipo P transmite correctamente las tensiones altas,
y falla en las bajas. Para evitar estos inconvenientes se conectan en paralelo dos
transistores MOSFET, uno N y otro P.
EJERCICIO DE APLICACION
Determine el valor de la resistencia R para que el MOSFET opere a
ID=80µA y determine el valor de VD. Los parámetros son Vth=0,6V,

µnCox=200µA/V2, L = 0,8µm W = 4µm. Considere λ = 0.

VGD=0. Como VGD < Vth está en la región de
saturación
RESUMIENDO:
Máxima Tensión Puerta-Fuente. La delgada capa de dióxido de silicio en el
MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta,
tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET
están protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente.
La tensión del zener, es menor que la tensión Puerta-Fuente que soporta el
MOSFET VGS(Max).
Zona Óhmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutación, por lo que
evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensión de entrada
típica tomará un valor bajo o alto. La tensión baja es 0 V, y la tensión alta es
VGS(on), especificado en hojas de características.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se
polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de R DS(on),
especificada en hojas de características. En la curva característica existe un
punto Qtest en la zona óhmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) están determinados,
con los cuales se calcula RDS(on).