Estructura y Propiedades de Los Materiales

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Ciencia e Ingeniería de materiales.
Estructura de los materiales

 Metales y aleaciones
 Cerámicos, vidrios y vitrocerámicos
 Polímeros
 Semiconductores
 Materiales compuestos
 Biomateriales
Ejemplos de Propiedades
Aplicaciones
Metales y Aleaciones Herramientas, chasis Se endurece bastante
Aceros Aleados de automóviles con tratamiento
térmico
Cerámicos y vidrios Fibras ópticas para Índice de refracción,
Sílice tecnología de la bajas pérdidas ópticas
información
Polímeros Empaque de alimentos Se moldea con
Polietileno facilidad en láminas
delgadas
Semiconductores Transistores y circuitos Comportamiento
Silicio integrados eléctrico único
Materiales Componentes de Alta relación de
Compuestos aviones resistencia a peso
Grafito-resina epóxica
Aeroespaci
Estructural ales
es Materiales Biomédicos
Aceros, compuestos Hidroxiapatit
aleaciones C-C, silicio a, aleaciones
de aluminio, amorfo de titanio,
concreto aceros
plástico inoxidables
reforzado
CLASIFICAC
Inteligente IÓN DE LOS Electrónico
s MATERIALE s
Aleaciones S Si, GaAS, Ge,
de Ni-Ti con FUNCIONAL BaTiO3
memoria de ES
forma
Ópticos Magnéticos Tecnología

SiO2, GaAs, Fe, Fe-Si, de energía
vidrios NiZn y y ambiente
ferritas entre UO2, Ni-Cd
otros
 ENLAZAMIENTO ATÓMICO
 Enlace metálico
 Enlace covalente
 Enlace iónico
 Enlace de van der Waals
Los elementos metálicos tienen

átomos más electropositivos, los
cuales ceden sus electrones de
valencia para formar una “nube”
de electrones que rodea los
átomos
Presentan módulo de elasticidad

relativamente alto y buena
ductilidad
Comparten electrones de

valencia entre dos o más
átomos.
Los enlaces covalentes son muy

fuertes, por lo tanto materiales
con este tipo de enlaces son
muy duros, ej.: diamante
Altamente direccionales
Presentan ductilidad reducida.

Se presenta más de una clase de
átomos, unos pueden donar sus
electrones de valencia a otros para
completar su octeto.
Los sólidos con frecuencia son

resistentes debido a la fuerza de los
enlaces.
Su conductividad eléctrica es muy

limitada (mov. Lento de iones)
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Origen de las fuerzas de van der waals
es de naturaleza de mecánica cuántica
Moléculas polares
Es la fuerza de atracción entre las

moléculas o átomos que tienen un
momento dipolar inducido o
permanente
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Fuerzas de Keesom, dadas por las interacciones entre moléculas polares en

forma permanente
En el agua, los electrones del O2 se concentran alejados del hidrógeno

Papel importante en la determinación de la microestructura y
propiedades de los materiales
Orden de corto alcance (SRO): el arreglo especial de átomos

existe en la vecindad inmediata. Distancia corta, generalmente
uno o dos espaciamientos atómicos.
Orden de Largo Alcance (LRO): es un arreglo regular repetitivo de

átomos en un sólido, el cual se extiende sobre una larga distancia
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Gases Materiales
Monoatómi Cristalinos
cos Orden de
No orden corto y largo
Ej: Ar alcance
Materiales
Amorfos
Solo orden de Policristalin
Corto Alcance Cristales os
Ej: Si amorfo, Sencillos Ej: metales,
vidrios, plásticos Ej: Si, GaAs aleaciones
Cristales
líquidos
Orden de Corto y
de largo Alcance
en pequeños
volúmenes
Red: colección de puntos de red ordenados en un patrón periódico, de tal forma
que los alrededores de cada punto son idénticos. Puede ser uni, bi o 3D
Base, motivo: grupo de átomos ubicados en una forma determinada.
Estructura Cristalina: Red + Base
Celda Unitaria: subdivisión de la red que conserva las características generales

de la red.
SISTEMAS CRISTALINOS
Cúbico, Tetragonal, Hexagonal,

Ortorrómbico, Romboédrico,
Monoclínico, Triclínico
Existen 14 arreglos cristalinos,

Redes de Bravais
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Los parámetros de red describen la forma y el tamaño de la celda

unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas y los ángulos
entre estas.
Learning™
Learning™
SC (ao = 2r); BCC (ao = 4r /√3); FCC (ao = 4r/√2)
Las direcciones de empaquetamiento compacto o

direcciones compactas, son las direcciones en la cuales
están en contacto los átomos
Learning™
Es la cantidad de átomos que tocan a determinado átomo, o

sea la cantidad de vecinos más cercanos a ese átomo en
particular. Es una medida de que tan compacto y eficiente es
el empaquetamiento de los átomos.
Es la fracción de espacio ocupada por los átomos suponiendo
que estos sean esferas duras que tocan a su vecino más
cercano.
(# atomos / celda)(vol _ de _ atomos )

Factor _ de _ empaquetamiento 
vol _ de _ la _ celda _ unitaria
La densidad teórica del material se puede calcular con las
propiedades de su estructura cristalina.
(# atomos / celda)(masa _ atomica)

Densidad _  
(vol _ celda _ unitaria )(# avogadro )
CALCULO DE LA DENSIDAD TEÓRICA
DEL HIERRO BCC
El parámetro de red para el hierro BCC es 0.2866 nm.
(number of atoms/cell)(atomic mass of iron)

Density  
(volume of unit cell)(Avogadro' s number)
(2)(55.847)
   7. 882 g / cm 3
(23.54  10  24 )(6.02  10 23 )
La densidad medida es 7.870 g/cm3. La pequeña

discrepancia entre las densidades obedece a los
defectos presentes en el material.
ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA
HCP

Learning™
PROPIEDADES DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA DE ALGUNOS METALES
TRANSFORMACIONES ALOTRÓPICAS O
POLIMORFAS
Los materiales que pueden tener más de una estructura

cristalina se llaman alotrópicos, polimorfos o polimórficos. El
termino alotropía suele reservarse para este comportamiento
en los elementos puros, mientras que polimorfismo se usa
para los compuestos.
Para estudiar el comportamiento del hierro a altas temperatura se quiere
diseñar un instrumento (exactitud 1%) para detectar el cambio en
volumen de un cubo de hierro de 1-cm3 cuando es calentado a través de
su transformación polimórfica. T = 911ºC, Fe es BCC con un parámetro
de red de 0.2863 nm. A 913ºC,el hierro es FCC, con un parámetro de
red de 0.3591 nm. Determinar la exactitud requerida del instrumento de
medición
SOLUCION
El volumen de una celda unitaria BCC del hierro antes de
transformación:
3
VBCC = a0= (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
El volumen de la clda unitaria FCC de hierro:
3
VFCC = a0 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3
FCC (4 atomos celda). Se debe comparar con dos celdas BCC y

obtenemos un volumen (2*(0.023467) = 0.046934 nm 3) con cada
FCC.
El porcentaje de cambio durante la transformación:
(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen   100  1.34%
0.046934
El cubo de 1-cm3 se contrae 1 - 0.0134 = 0.9866 cm3 después
de la transformación; por lo tanto para asegurar una exactitud de 1%,
el instrumento debe detectar un cambio de:
ΔV = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3
PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA
DIRECCIONES EN LA CELDA
UNITARIA
Los índices de Miller de las direcciones son la notación

abreviada para describir esas direcciones. El procedimiento
para determinarlos es el siguiente:
 Determinar las coordenadas de dos puntos que estén en la
dirección.
 Restar las coordenadas del punto “cola” de las coordenadas
de las del punto “cabeza”.
 Reducir a mínimos enteros.
 Encerrar los números entre corchetes [ ]. Si se produce un
signo negativo, se representa con una barra o raya sobre el
número.
Determinar los índices de Miller para las siguientes
direcciones:

Learning™
SOLUCIÓN
Dirección A:
1. Dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0.
2. 1,0,0 – 0,0,0 = 1,0,0.
3. No hay que reducir a mínimos enteros.
4. [100]
Dirección B:
1. Dos puntos son 1,1,1 y 0,0,0.
2. 1,1,1 – 0,0,0 = 1,1,1.
3. No hay que reducir a mínimos enteros.
4. [111]
SOLUCIÓN
Dirección C:
• Dos puntos son 0,0,1 y ½, 1,0.
• 0,0,1 – ½,1,1 = -½,-1,1.
• 2(-½,-1,1) = -1,-2,2.
CARACTERÍSTICAS DE LOS ÍNDICES
DE MILLER PARA DIRECCIONES
 Una dirección y su negativa no son idénticas; [100] no es
igual que [1¯00]; representan la misma línea, pero en
direcciones opuestas.
 Una dirección y su múltiplo son idénticos; [100] es igual que

[200].
 Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; tienen sus

índices particulares por la forma en que se definen las
coordenadas. Por ejemplo, en un sistema cúbico, una dirección
[100] es una dirección [010] si redefinimos el sistema de
coordenadas.
Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar o
presentar como una familia. Se usan los paréntesis < >
para indicar este conjunto de direcciones.
 Conjunto de átomos en una dirección
determinada.
 Determinan la dirección de deformación de los
metales
 Determinan el crecimiento de los ciertos
materiales
 Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en
función de los parámetros de red. Si el plano pasa por el origen,
hay que mover el origen del sistema de coordenadas.
 Sacar los recíprocos de las intersecciones
 Simplificar fracciones, pero NO reducir a enteros mínimos.
 Encerrar entre ( ) los números que resulten. Los números

negativos se deben escribir con una raya sobre ellos
Determinación de Ìndices de Miller de Planos
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SOLUCION
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2. 1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones para eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z = ∞

2. 1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminando fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar el origen, puesto que el plano pasa por 0, 0, 0. Entonces,
se mueve un parámetro de red en dirección y, x = ∞ , y = -1, and z = ∞
2. 1/x = 0, 1/y = -1, 1/z = 0
3. No hay fracciones para eliminar.
4. (0 1 0)
 Los planos y sus negativos son idénticos (caso
contrario con las direcciones). Por lo tanto
(010)  (0 1 0)
 Los planos y sus múltiplos no son idénticos (caso

contrario con las direcciones)(densidad planar)
 En cada celda unitaria, los planos de una

forma (o familia) representan grupos de
planos equivalentes que tienen sus índices
particulares
 En los sistemas cúbicos, una dirección que
tiene los mismos índices que un plano es
perpendicular al plano
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atomos por plano atomos por cara 1 atomo por cara

Densidad planar (010)   
area del plano area de la cara (0.334) 2
 8.96 atomos/nm 2  8.96 1014 atomos/cm 2
area de atomos por cara (1 atomo) (r 2 )
Fracción de Emp. (010)  
area por cara (a 0) 2
r 2
 2
 0.79
( 2r )
Como en la cara (020) no hay átomos, su densidad

planar y su factor de empaquetamiento es cero; de
esta forma queda demostrado que un plano y su
múltiplo no son iguales.
(a) dirección [1 2 1] (b) el plano [ 2 10] en una celda cúbica

Learning™
Debido a la simetría exclusiva del sistema hexagonal se ha

desarrollado un conjunto especial de índices Miller – Bravais
para las celdas unitarias hexagonales; usando cuatro ejes de
coordenadas en lugar de tres.
Se pueden relacionar entre si 1
los dos sistemas de tres y
h  (2h'k ' )
3
cuatro coordenadas, mediante
1
las siguientes formulas, k  (2k 'h' )
donde h’,k’,l’, hacen referencia 3
a un sistema de tres 1
coordenadas; y h,k,i,l, a uno
i   (h' k ' )
3
de cuatro:
l  l'
Learning™
Plane A
1. a1 = a2 = a3 = ∞ , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plane B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
(1121)
4.
Dirección C
1. Los dos puntos son 0, 0, 1 and 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, - 1, 0, 0 = -1, 0, 1
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [101] _ ó _[2113]
Dirección D
1. Los dos puntos son 0, 1, 0 and 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [110] _ ó _[1100]
Learning™
Learning™
 Las direcciones de deslizamiento se presentan
siempre en la dirección de empaquetamiento
compacto.
 El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayoría

de los planos compactos
 El deslizamiento se produce primero sobre el

sistema de deslizamiento que tiene el mayor
esfuerzo de corte a lo largo de su dirección de
deslizamiento
Un material es anisotrópico si sus propiedades dependen de la
dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad. Por
ejemplo el modulo de elasticidad del Al es 75.9 GPa, en las
direcciones <111>, pero solo de 63.4 GPa en las direcciones
<100>.
Si las propiedades son idénticas en todas las direcciones, el

material es cristalograficamente isotrópico, un ejemplo de este
tipo de material son los cristales cúbicos, como el granate.
En las estructuras cristalinas hay espacios o huecos entre los
átomos normales en los cuales se pueden ubicar átomos mas
pequeños, a esos lugares se les llama sitios intersticiales.

Sitios Sitios
Octaédricos Tetraédricos
FCC 4 8
BCC 3 12
Los materiales iónicos deben tener estructuras
cristalinas que aseguren su neutralidad eléctrica
y que permitan el empaquetamiento eficiente de
iones de diferentes tamaños.
Los aniones forman tetraedros u octaedros y

permiten a los cationes entrar en los sitios
intersticiales adecuados y viceversa.
Learning™
En esta estructura el sitio
intersticial cúbico esta
lleno con el anión. La
relación de radios es
0.92, por lo tanto tiene
un numero de
coordinación de ocho; la
estructura posee por lo
tanto dos iones uno de
Cs+ y uno de Cl-. Esta
estructura es posible
cuando ambos tienen la
misma valencia.
La relación de radios en
este caso es de 0.536,
por lo tanto para cumplir
con el equilibrio de cargas
y la relación de radios,
cada anión y catión debe
tener un número de
coordinación de seis, la
estructura que cubre
estas condiciones es la
FCC, con los átomos de
Na+ ubicados en los sitios
octaédricos.
Learning
DIFRACCIÓN DE RAYOS X
Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda

especifica del mismo orden de magnitud de las
distancias interatómicas del material llega a este
Ley de Bragg:

sen 
2d hkl
INTERACCIONES DESTRUCTIVA Y
CONSTRUCTIVA ENTRE LOS RAYOS X Y EL
MATERIAL CRISTALINO
Determinar la densidad planar y la fracción de
empaquetamiento del Níquel FCC en los planos (100),
(110) y (111) ao = 3.5167Å. ¿Cuál de esos planos, si es
que lo hay, es compacto?
atomos _ por _ plano

Densidad _ planar 
área _ del _ plano
área _ de _ atomos _ por _ plano

Fracción _ de _ empaquetamiento 
área _ del _ plano
SOLUCIÓN
IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS
ATÓMICOS E IÓNICOS
El arreglo de átomos o de iones en los materiales

diseñados tiene imperfecciones o defectos.
Frecuentemente estos defectos tienen una gran

influencia sobre las propiedades de los materiales.
Los defectos pueden ser puntuales, lineales

(dislocaciones) o superficiales
 Son interrupciones localizadas en arreglos atómicos
o iónicos
 Estos defectos pueden ser utilizados para mejorar

propiedades (dopantes) por ejemplo P y B mejoran
las propiedades eléctricas del Si puro
 Un defecto puntual implica en general uno o dos

átomos o iones.
Defectos puntuales: (a) vacancia, (b) átomo intersticial, (c) sustitucional con átomo
pequeño, (d) sustitucional con átomo grande, (e) defecto de Frenkel , (f) Defecto de
Schottky.
VACANCIAS
Se produce cuando falta un átomo o ión en su sitio

normal de la estructura cristalina.
Todos los elementos cristalinos presenta este tipo de

defecto. nv = cantidad de vacancias por cm3
  Q  n = cantidad de átomos por cm3
n  n exp  Qv = energía necesaria para producir un mol de
 RT  vacancias, cal /mol o joule /mol
R = cte de los gases
T = temperatura en Kelvin
SUSTITUCIONAL
Se presenta cuando un átomo o ión es sustituido con un tipo distinto
de átomo o ion.
Los átomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red;

pudiendo ser de mayor tamaño que los originales, reduciendo los
espacios interatómicos vecinos, o pueden ser de menor tamaño
presentándose mayores distancias interatómicas
INTERSTICIAL
Se presenta cuando un átomo idéntico a los
puntos normales de red está en una posición
intersticial.
Este defecto se presenta en estructuras

cristalinas con bajo factor de empaquetamiento
FRENKEL
O par de Frenkel se presenta un par
vacancia-intersticial, formada cuando un
ion salta de un punto normal de red a uno
intersticial y deja atrás una vacancia.
SCHOTTKY
Exclusivo de materiales iónicos. Se
presenta un par vacancial, manteniendo
la neutralidad eléctrica.
DISLOCACIONES
Son imperfecciones lineales de un cristal, las cuales aparecen

durante la solidificación del material o cuando este se deforma
permanentemente
En todos los materiales, incluyendo cerámicos y polímeros, hay

dislocaciones. Los metales las poseen en un orden de 10 6 a 109
Las dislocaciones son útiles para explicar la deformación y

endurecimiento de los materiales metálicos. Se mueven en
planos y direcciones de deslizamiento
Las dislocaciones se pueden clasificar en: de tornillo

(helicoidal), de borde (escalón) y mixta
DISLOCACIÓN DE TORNILLO
Sigue un plano cristalográfico durante una revolución respecto al
eje de torcimiento del cristal , recorriendo distancias
interatómicas iguales en cada dirección, y termina en una
distancia atómica debajo del punto de partida
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El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto de partida

es el vector de Burgers b y este es paralelo a la dislocación de tornillo
DISLOCACIÓN DE BORDE
Este tipo de dislocación se puede observar como: imaginar un
cristal perfecto, el cual se abre y en el punto de corte se llena
con un plano adicional de átomos. Su orilla inferior representa
este tipo de dislocación.
El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto

de partida es el vector de Burgers b y este es perpendicular a la
dislocación
DISLOCACION MÓVIL
SISTEMA DE
CRISTAL DESLIZAMIE Plano de
Vector de
NTO Deslizamie
Burgers
nto
FCC [110] (111) a/2[110] (111)
FCC [111] (110) a/2[111] (110)
FCC [111] (211) a/2[111] (211)
FCC [111] (321) a/2[111] (321)
HCP a/3 (0001)

(0001)
HCP a/3
HCP a/3
DISLOCACIÓN MIXTA
Este tipo de dislocación tiene componentes de borde y de
tornillo, con una región de transición entre ellas.
El vector de Burgers se mantiene igual para todas las porciones

de la dislocación mixta.
 Cuando se aplica una fuerza cortante en la dirección
del vector de Burgers a un cristal que contenga una
dislocación, ésta se puede mover, rompiendo los
enlaces atómicos
 El desplazamiento hace que la dislocación se mueva

una distancia atómica hacia el lado.
 El desplazamiento de una dislocación es análogo al

de una oruga, pero en los metales, estas se
desplazan a la velocidad del sonido.
 Es el proceso por el cual se mueve una dislocación y hace
que se deforme un material metálico
 La dirección a lo largo de la cual se presenta el

deslizamiento se conoce como dirección de deslizamiento.
 En el deslizamiento, la dislocación de borde recorre el

plano formado por el vector de Burgers (dirección de
deslizamiento) y ella misma, recibiendo el nombre de
plano de deslizamiento
 La combinación de la dirección de deslizamiento y el

plano de deslizamiento forman el conjunto sistema de
deslizamiento
 En una dislocación de tornillo, la dislocación se
mueve perpendicularmente al vector de Burgers,
aunque el cristal se deforma en dirección paralela a
este vector.
 Como el vector de Burgers de una de tornillo es

paralelo a la línea de dislocación, no se define un
plano de deslizamiento
 Durante un deslizamiento se necesita del esfuerzo

de Peirls-Nabarro para mover la
dislocación desde un lugar de equilibrio hasta el
siguiente:
  = esfuerzo cortante par mover
la dislocación
 d = distancia interplanar, entre
planos de deslizamiento
adyacentes
 b = magnitud del vector de
Burgers
 c y k = constantes del material
Al aplicarse un esfuerzo
cortante:
a)Los átomos se desplazan

y hacen que la dislocación
se mueva un vector b
b)El movimiento continuo de

la dislocación crea un
escalón final
c)El cristal queda deformado

Determinar la longitud del vector de
Burgers, de una dislocación del MgO
Parámetro de red: 0.396 nm
b es el vector de Burgers y tiene la

dirección [110], debe ser
perpendicular a los planos {110}
La lontidud de b entre planos
(110) adyacentes es:
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El cobre tiene una estructura FCC. Parámetro de red 0.36151 nm

Direcciones de empaquetamiento son las del vector de Burgers <110>
 La distancia de repetición a lo largo de las direcciones
<110> es la mitad de la diagonal de la cara, porque los
puntos están en los vértices y en los centros de las caras
Diagonal de la cara = a0√2 = (√2)(036151) = 0.51125 nm
La longitud del vector de Burgers, o la distancia de

repetición, es:
b = ½(0.51125nm) = 0.25563 nm
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 Fr=F cos λ
 τr = σ cos λ cos ø donde:
 τr = Fr / A = esfuerzo cortante en la dirección de

deslizamiento
 σ = F / A0 = esfuerzo unidireccional aplicado al cilindro

Se desea producir una barra de monocristal de aluminio puro, el cual tiene un
esfuerzo cortante crítico resuelto de 148psi. Desearíamos que la barra esté
orientada de tal modo que cuando e le aplique un esfuerzo axial de 500 psi, se
deforme por deslizamiento a 45º respecto a su eje y actúe sobre un sensor que
detecte la sobrecarga. Diseñe la barra y un método para poder producirla.
SOLUCIÓN:
Las dislocaciones comienzan a moverse cuando el cortante resuelto es igual al

cortante crítico, 148 psi.
τr = σ cos λ cos ø;
148 psi = (500 psi) cos λ cos ø
Como se desea deslizamiento en un ángulo de 45º respecto al eje de la barra,

λ = 45o
Son los límites o los planos que separan un material en regiones; cada región
tiene la misma estructura cristalina, pero de distinta orientación.
SUPERFICIE DEL MATERIAL
Límites de grano: es la superficie que separa dos o mas granos individuales. En

estas zonas los átomos no tienen las distancias correctas. En ciertas posiciones
pueden estar generando fuerzas de compresión y en otras de tensión.
Grano: porción de material dentro de la cual el arreglo de los átomos es casi

idéntico. Pero la orientación de los átomos o estructura cristalina es diferente en
cada grano vecino.
El tamaño de grano indica la cantidad de granos que se distribuyen en una
pulgada cuadrada. Determina las propiedades mecánicas de los materiales.
2
n 1  aumento 
N 2 N 
 100 
 X
Se determina con 100X de aumento
Un No de grano grande, indica muchos granos, o un tamaño de partícula, y se

correlaciona con mayores resistencias en los metales
FALLAS DE APILAMIENTO
Estas fallas, son un error en la secuencia de apilamiento, especialmente en los

planos con empaquetamiento compacto
LÍMITES DE MACLA
Es un plano a través del cual hay una desorientación especial de imagen

especular de la estructura cristalina
Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que actúa a lo largo
del límite de macla, hace que los átomos se desplacen de su posición.
Micrografía de maclas dentro de un grano de latón (250X)

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Estructura de los materiales

Ópticos Magnéticos Tecnología

Los elementos metálicos tienen

Presentan módulo de elasticidad

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Los enlaces covalentes son muy

Presentan ductilidad reducida.

Los sólidos con frecuencia son

Su conductividad eléctrica es muy

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Es la fuerza de atracción entre las

Fuerzas de Keesom, dadas por las interacciones entre moléculas polares en

En el agua, los electrones del O2 se concentran alejados del hidrógeno

Orden de corto alcance (SRO): el arreglo especial de átomos

Orden de Largo Alcance (LRO): es un arreglo regular repetitivo de

Base, motivo: grupo de átomos ubicados en una forma determinada.

Estructura Cristalina: Red + Base

Celda Unitaria: subdivisión de la red que conserva las características generales

Cúbico, Tetragonal, Hexagonal,

Existen 14 arreglos cristalinos,

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Los parámetros de red describen la forma y el tamaño de la celda

SC (ao = 2r); BCC (ao = 4r /√3); FCC (ao = 4r/√2)

Las direcciones de empaquetamiento compacto o

Es la cantidad de átomos que tocan a determinado átomo, o

(# atomos / celda)(vol _ de _ atomos )

(# atomos / celda)(masa _ atomica)

El parámetro de red para el hierro BCC es 0.2866 nm.

(number of atoms/cell)(atomic mass of iron)

La densidad medida es 7.870 g/cm3. La pequeña

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Los materiales que pueden tener más de una estructura

FCC (4 atomos celda). Se debe comparar con dos celdas BCC y

Los índices de Miller de las direcciones son la notación

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 Una dirección y su múltiplo son idénticos; [100] es igual que

 Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; tienen sus

 Sacar los recíprocos de las intersecciones

 Simplificar fracciones, pero NO reducir a enteros mínimos.

 Encerrar entre ( ) los números que resulten. Los números

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1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z = ∞

 Los planos y sus múltiplos no son idénticos (caso

 En cada celda unitaria, los planos de una

atomos por plano atomos por cara 1 atomo por cara

Como en la cara (020) no hay átomos, su densidad

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Debido a la simetría exclusiva del sistema hexagonal se ha

 El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayoría

 El deslizamiento se produce primero sobre el

Si las propiedades son idénticas en todas las direcciones, el

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Los aniones forman tetraedros u octaedros y

Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda

atomos _ por _ plano

área _ de _ atomos _ por _ plano

El arreglo de átomos o de iones en los materiales

Frecuentemente estos defectos tienen una gran

Los defectos pueden ser puntuales, lineales

 Estos defectos pueden ser utilizados para mejorar

 Un defecto puntual implica en general uno o dos