Elementos de la Electrénica de Potencia Victor Proaio 26 de octubre de 2016 1. Diodo de potencia fone 08.0 os & : ° ae ee Reha et eR Baa le eeioin 2.08) ‘rater contans ‘material contains ‘noble holst tmobile elecrons p-njunetion| Figura 1: Juntura PN mostrando portadores mavoritarios Esta lectura es un corto resumen de lo que estit ocurriendo dentro del diodo y una deseriepién del proceso do conmutacidn. Se cubrira la recuperacién inversa y los meca- nismos bisieas que gobieman In conrautacién de los diodos. En la figura 1 se muestra un tipo de diodo de juntura PN. Se tiene un material dopado con impurezas tipo P cn el lado izquierdo de la juntura, v material dopado con impurezas tipo N en el lado derecho. El material dopado con impurezas tipa N signifien que se ha dopado la estructura de silicio con impurezas que proveen electrones adicionales 0 extra a la estructura, Estos ‘electrones tienen estados de energia altos y son capaces de conducit corriente ficilmente saltanda de un stomo al siguiente. 4 éstos electrones se los lama portadores mnayorita- rios en el material N. De forma similar en el material P se tiene portadores mayoritarios hnueoos que pueden fiieilmente conducir corriente y saltar desde un tomo al siguiente, ‘Cuando estos dispositivos estén a una temperatura razonable. tal como la temperatt- x ambiente, In energia térmice de los portaciores mayoritarios los hie rebotar alrededor dentro de la estructura. Podemes pensar como que tienen tnas vibraciones térmicas in- dueidas 0 saltos o rebotes alrededor. En la juntura PN lo que sucede luego es Jo que se conoce como la formacién de la regién de agotamiento. Y esto sucede debido a que ‘cuando los portadores mayoritarios estén rebotando alrededor, tienden « difundirse en la direceién hacia donde hay una concentracién reducida, Asi que justo en la juntura 1se tiene una alta concentracién de hueoos en el lado izquierdo y una alta concentracién de electrones en el lado derecho. Lo que sucede es que la energia térmica causaré que los portadores mayoritarios se difundan hacia la regién de concentracién reducida. Vor figura 2 rover aia ¢-——— > tan Figura 2: Difusién de los portadores mavoritarios hacia Ia menor concentracién. ‘Asi que los electrones se difundirén desde la derecha a la izquierda a través de la jjuntura y los huecos se difundiran deste la izquierda « la dereeha. Cuando los portadores mayoritarios se difunden a través de Ia juntura ellos pasan « ser lo que son llamados portadores minoritarios en el lado opuesto y en el proceso de moverse a través de la juntura dejan atras dtomos ionizados 0 cargas notas en los dtomos dopados de la regiGn. que dejan. Asf cuando los clectrones se difunden en la rogién P dejan atrés cargas positivas 0 atomos cargados positivamente en la regién N y de una forma similar los hhuecos cuando se difunden en la regién N dejan atrés étomos ionizados negativamente cen la regién P y como resultado hay un campo eléctrico entre estas cargns. Ese campo léctrico forma un voltaje. El voltaje es la integral del campo eléctzico. Se puede ver que habri un voltaje neto que es positivo en Ia derecha y negativo en el lado iaquierdo de la jjuntura y esta regién entre las clos es llamada la regidn de agotamiento o la capa de carga ‘espacial, a través de esta regidn de agotamniento se forma un voltaje que actualmente se ‘opone a la difusion, Asi que una carga positiva basicamente debe difundirse hacia arriba subiendo ol voltaje y lo que sucede es que el voltaje a través de esta regién de agotamiento se eleva hhasta que se produce un equilibrio en que el valtaje completamente dotiene una posterior difusién de los lhuecos y los electrones a través de In juntura. Y en ese punto estanios ent cl estado estable o el dispositivo esta en estado estable. Bl diodo tiene construido este voltaje a través de la juntura y ningiin portador minoritatio o mayoritario se difunde. En la figura 3 s¢ muestra lo que sucode bajo condiciones de polatizacién inverss. Se tiene ahora contactos con el mundo exterior y se aplica ahora un voltaje negativo a través del dispositivo, Ast que el voltaje es negativo en el material P que es el énodo ¥ es positivo en el material N que es el cétodo. Se afiade voltaje a través de Ia region de agotamiento y se hace que la regién de agotamiento se haga més grande. Bisicamente el voltaje externamente aplicado es bloqueado por Ia regién de agotamiento, Se puede ver que simplemente se aumenta el tamafio cn la rezién de agotamicnto y como tiene mis voltaje a través de ella se tiene que aiadirle carga. Y esa carga viene de Ia fuente de alimentacién externa o el circuito externo. Asi que en este sentido la regién de agotamiento actila como 2Figura 3: Polarizacién inversa de Ia juntura luna eapacitancia, Se debe aiadir carga para incrementar su voltaje. Generalmente esto se Haina la capacitancia de juntura del dispositive y cs un capacitor real que puede almacenar energia en su campo cléctrico quo se la puede recuperar después si se cambia: el voltaie. Figura 4; Polarizacién directa de la juntura Bajo condiciones de polarizacién directa ( ver figura 4) lo que se hace es incrementar cl voltaje de la regi6n P con respecto a la regién N y eso hace que la regién de agotamiento se haga mas pequeiia. Cuando la region de agotamiento es mis pequefta ya no detiene la difusién de los portadores mayoritarios a través de la juntura y ast se consigue un flujo de ccarga a través de la juntura en cada direccién.Los huecos de la regién P se difunden a la region N donde pasan a ser lo que se llama hueces portadores minoritarios, Ellos estan a un alto nivel de energia en la regidn N por lo que puecien ficilmente saltar de un étomo: 8 otto ¥ conducir corriente. Similarmente los cleetroues de la regién N se difundirén cn la regién P donde pasan a ser electrones portadotes minoritarios y son capaces de conducir corriente alli. Bajo condiciones de polarizacién directa entonces aquf esté lo que sucede tenemas una corriente que viene en el contacto desde el cireuito externo a la regién P que provee hiuecos. Estos huecos pueden hacer una de dos cosas: una es que ellos pueden difundirse a través de Ia juntura y pasar a ser portadores minoritarios cn la regién Ny eventuahnente ellos podrian recombinarse con electrones (portadores mayoritarios de Ia regién N) en Ja regién N. Y de la misma manera un electrén de In ‘terminal negativa puede ingresar y recombinarse con uno de los huceos. Otra cos que‘un hueeo o el tnaterial P puede hacer en Ia regién P es recombinarse con un eleetrén que he sido difundido desde la regién N. Podeuios tener entonces electroues portaclores inoritarios que so recombinan con un hueco portador mayoritario cn la rogién P. Esas son las dos cosas que pueden suceder y bajo condiciones de polarizacién directa som Ins ‘que cuentan para la corriente total del diodo. rr 0 ge a | ° Seino Ke cece Figura 5: Difusién y recombinacién de portadores mayoritarios con polarizacién directa de Ia juntura La corriente total consiste de la recombinacién en un lado o el otro de Ia juntur, 'Y mientras existan portadores minoritarios en ostas regiones tendremos esa corriente, En ln figura 2? se tiene un dibujo de los portadores minoritarios o In concentracién de portadores minoritarios en los dos lados de la juntura. Por ejemplo se tiene necos que se difunden a través de Ia juntura y que se difunden a una velocidad que depende de ln pendiente de la caracteristien de concentracién. Estos se difunden hacia la regién de ‘menor concentracidn y duran en esta regién por algyin tiempo qe la llamamos tiempo de vida. ¥ entonees en promedio después de que el tiempo de vida se termina ellos estardn recombinadas. Ellos se recombinan conforme se difunden y se tiene una concentracién que se reduce conforme se aleja de la juntura. Lo mismo ocurre en los dos lados de In juntura PN. Si se desea apagar el diodo se debe remover estos portadores minotitarios de los dos Indos de la juntura por un medio u otro para parar si recombinacién y detener el flujo de Ia corriente. En suma el diodo es controlado par Ia carga de los portadores ‘minoritarios en las regiones P N- y N del diodo, En Ja figura 6 se muestra el modelo de control de cxrga de primer orden elfsico para el diodo que se define por la geuncién del diode: a(t) = Qe" —1) y In ecuneién de control de earga =i()- > ‘con: ce 1/26mVJa3001 11 = tiempo de vida de los portadores minoritarios en equilibrio: dg/dt = 0, y por tanto: f(t) = 22 = (eM 1) — fe) — 1)—— ‘Area = total stored minority charge q Figura 6: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura Este relaciona primero ol voltaje a través de Ta regin de agotamiento e ala concentracién de carga de los portadores minoritarios en los bordes de la regidn de agotamiento.La g(t) se puede tomar como la carga de los hnecos portadores minoritarios en el borde derecho de la regién de agotamionto o los electrones portadores minoritarios en cl borde izquierdo, Y éstos estin relacionados al voltaje biésicamente el voltaje aplicado al diodo pero mis realmente al voltaje a través de In regién de agotamiento. Se acostumbra mostrar la caracteristica de voltaje versus corriente de estarlo estable del diodo que tiene una funcién exponencial. Esa es una relacién de estado estable y de hecho la relucidn correcta es ésta, La carga es la. concentracién de carga en el borde de la regién de agotamiento, es esta cantidadg(t). Dada esta cantidad se puede encontrar lo que es la distribucién de carga completa. Hay una cantidad total de carga o Area bajo estas curvas de concentracién, Esta es In carga total de portadores minoritarios almacenadta en el dispositive. En el modelo de control de carga, pademos hacer modelos de elementos concentrados del dispositivo. EI modelo de primer orden ids simple de elementos concentrados tiene luna concentracion simple de carga que es la cantidad de carga total almacenada. 'Y esa carga cntonces es relacionada nueyamente con alguna constante al voltaje a través de la regién de agotamiento con la caracteristica exponencial. La ecuacién de control de carga dice que la carga total puede incrementar si colocamos més corriente en el diodo que suministra mas carga o la carga también puede decrecer por recombinacién. La ecuacién dindmica del diodo dice como la carga minoritaria almacenada puede varia. Se debe decir también que estas ecuaciones no incluyen la capecitancia a través de 1a juntura que se ha hablado previamente Ese es un elemento separado y To que se ha. dicho cs simplemente acerca de lo que sucede con los huccos y electrones que se mueven a través de la juntura. Si se mira la ecuacién de control de carga en equilibrio el diodo trabaja en estado ostable y da/at es coro ¥ entonces se puede resolver esta ecuacién © igualar esto a cero y encontrar que la corriente es igual a la carga almacenada durante 1 tiempo de vida, Se puede insertar Ia ecuacién de carga slmacenada en la ecuncién de control de carga y descubrir que Ia corriente sigue la relacién exponencial que se usa del diodo , que es la relacidn i = (ew) para el diodo, pero esta es una ecuacién de equilibrio pero durantelos transitorios en el diodo esto no es lo que sucede 0 no es lo que se debe seguir. El t6rmino dq/dt puede no ser cero y podemos uctualmente por ejemplo tener une corriente que remueve 1a carga almacenada o atade carga almacenadla que so deavia de la curva voltaje cortiente, Y esto es dle hecho lo que ocurre durante los tiempos de conmutacién del diodo, Figura 7: Modelo de control de carga de primer orden de la juntura En la figura 7 est4 un dibujo o un esquema de lo que realmente suede Entonces se tiene el diodo en conduccién inicialmente. Hay un voltaje como 0,7 voltios a través del diodo. Hay alguna conducciéa de corriente y alguna carga almacenada, Aqui se ha dibujado la carga minoritarin almacenada en un lado de In regién de agotamiento y como esta se presenta. Nuevamente tenemos na pendiente que determina la tasa a la cual los portadores se difunden v la pendiente es proporcional a Ia corriente en el dispositivo. Habré cargas que se mueven por cl eamino y conducen corriente Ahora en algxin punto {0 se tiene la condicién inicial. Y en este punto tratamos de apagar cl diodo. El cireuito externo conmutaré y como resultado empezard a remover carga del diodo. ¥ lo que se ‘observa en el cireuito externo es ésta corriente a través del diodo y se puede actualmente remover activamente la carga del diedo simplemente mediante tina corriente inversa. En nuestra ecuacién de control de carga la corriente pasha ser negativa lo que hace que la dq /at sen negativa y se remueven activamente los portadores tninoritarios Inuecos hacia atras a través de juntura. Y se remueven los electrones minoritarios hacia atris a través de la juntura que coutribuyen a esta corriente. Con esta cortiente negativa entonces digamos al tiempo t1 tenemos uns cortiente negativa y estamos jalando eargas hacia atris a través de la juntura. Jalando estas cargas se reduce la concentracién de carga cn Ja regién N y con la pendiente yendo en una direccién diferente se tiene que las cargas realmente se mueven en la otra direcciéu. En el tiempo 12 se ha removido la carga de almacenamiento de apagado a un valor menor, una carga minoritaria almacenada tal que Ia carga justo en el borde de la regién de agotamiento va a cero, ¥ lo que sucede en el punto en el que el voltaje en Ia resin de agotamiento puede empezar a cambiar. ‘Ya no es In funci6n exponencial esto es 0,7 voltios sino que In tensién del diodo empiezacaer y finalmente se hace negativa. Antes de este punto donde todavia se tiene carga snuoritaria positiva en ol borde de la regién de agotamiento ol diodo permancee con tensidn positiva y apenas se puede ver la diferencia, es més o menos 0.7 voltios y parece ‘como que el diodo esté todavia en conduecién. En este punto t2, se empieza a ver el cambio de voltaje v ver un voltaje negativo. Se sigue removiendo carga y lo que sucede al tiompo t3 es que se ha removido In carga y la carga es ahora cero, en el punto x3 y Jn regién de agotamiento ha erecido y viene todo el camino hasta x3 que es cansistente con cl voltaje negative x través del dispositive. Finalmente, en el tiempo t, se ha removido toda la carga almacenada, no hay més carga minoritaria a la izquierda, ¥ finalmente el diodo esti apagado y puede bloquear cl voltaje negative completo, que el circuito impone sin conduccién de corriente. Si se mira un poco el flujo de potencia, Ia potencia es el voltaje multiplicado por In corriente y Ia potencia en el diodo en el punto antes que se apague el diode, donde ene corriente positiva Suyendo al diodo. El voltaje es positivo « través de él y se tiene alguna pérdida de potencia en el diode que es la pérdida de conduccion del diodo. Se puede ver un intervalo donde la corriente se hace nogativa y el voltaje es todavia positivo en este intervalo de tiempo. Bl dioda actualmente entrega potencia, tiene voltaje ositivo y corriente negativa. Y donde actualmente alguna do Ia enorgia de estas cargas portadores minoritarios estén siendo extraidas. donde activamente se jalan de dentro del dios. Ahora esa cantidad de potencia suministrada no es muy grande y de hecho en un convertidor conmntado generalmente esta potencia es perdida en el MOSFET. de todas formas y por tanto no es una cantidad signifiestiva de potencis. Pero para la siguiente parte digamos desde el instante en que el voltaje se hace negative y se tiene cotriente negativa se produce una pérdida de potencia sustancial que sucede en el diodo mismo y puede hacer que e! diode se caliente. Esta es una pérdida de comnutacién real cen el diodo. Y de hecho vamos a ver en la siguiente leceién que se consigue pérdicas de ‘conimutacién substanciales si se considera ambos el MOSFET y el diodo sobre este tiempo slobal. Y esta es uma cantidad significativa de pérdidas y es a menudo en lo que se Hama ‘conmmtacién dura o los convertidores conmtacios convencionales. Esto es a menudo la fuente simple mnds grande de pérdidas en el circuito, debido a que puede ver es una gran ccantidad de eorriente. En un diodo tipico este pico de corriente negative puede ser varias veees la corriente de conduceién, ¥ este es el voltaje de blogueo completo. El producto de estos es una potencia instanténea muy alta. Esto se conoce como la recuperacién inversa del diodo. E1 tiempo que se demora desile to @ t4 es el tiempo de apagado de Conmutacién, que se llama a menudo el tiempo de recuperacién inversa y la earga. representada por el Area sombresada es Ia carga minoritaria que es activamente removida, del dispositivo es llamada la carga de recuperacién. Ahora, se puede también apagar cl iodo simplemente deteniendo la corriente y esperando un tiempo lirgo para que toda la ‘carga se recombine. Mientras se podria hacer una combinacién donde talvee se reduzca, | tas n la cual se produce ¢] cambio do corriente ¥ vn hacia negative que produce la. recombinaciéa de la carga en el diodo y menos de ella sea removida activamente. Pero si se conmmta el diodo ripidamente, esto es lo que sucede. Bésicamente se jala hacia, afuera activamente la carga minoritaria almacenada y pasa a ser la carga recuperada,La curva familiar VI del diodo es una relacién en equilibrio y puede ser violada durante Jos tiempos de conmutacion. En particular, para apagar el diode, tipicamente se tiene este transitorio de recuperacién invorsa en el eual se tienen ta gran corriente inversa que viola la caracteristica exponencial de equilibrio de la caracteristica VI del diodo. Y¥ este tiempo de recuperacién inversa y carga recuperada puede inducir pérdidas de conmutacién sustanciales en et MOSFET y pérdidas sustanciales en el diodo mismo. En. una lectura posterior calcularemos las pérdidas de conmutacién y se las modelaré en el convertidor conmutado, PREGUNTAS 1, Describa los portadores inayoritarios del mnaterial N y del material P. 2, La difusién de los portadores eléctricos forma la corriente de difusién. :Por qué se produce esta corriente? Que polaridad tienen los extremos de la regién de agotamiento de un diodo PN con el material P a la izquierda, {Por qué se dice que esta tension obstruye el paso de Jos portadores mayoritarios?.. 4. Como se forma la regién de agotamiento en los diodos, 5. Que son los portadores minoritarios de la regién N. De donde aparecen y como se describe las posibilidades de permanecer en es rogién. 6. Con polarizacién inversa como se resume ol funicionamiento de la resién de agota- miento, 7. Con polatizacién directa en el diodo explique la aparicién de portadares minori- tarios en las dos regiones 8. Con el diodo en polarizacién directa describa los componentes de I corriente total ne fuye, 9.Como es la concentracién de portadores minoritarios dentro del diodo. 10. {Qué relacién tiene la difusidn de los portadores minoritarios con Ia concenteneién de portadores minoritarios? 11. ,Qué es cl tiempo de vida de los portadores minoritarios? 12.2Qué variables (en lugar de la corriento y voltaje) se relacionan en. Ia ecuacién caracteristica de un dioda para analizar st comportamiento dindmaico? . 18.Porque se dice que “El diodo es controlado por la carga de los portadorés mino- ritarios”, 14 Durante que intervalo de tiempo se produce la mayor disipacién de potencia en el diodo. TO a 120 t2 att 15 La pendiente al inicio de cada grafico de carga versus distancia tiene valor negative ppara cl intervalo que inicia en to pero se vuclve positivo en intervalo que inician en t2. 1Con que variable se relaciona esa pendiente? 16 Que es el tiempo de recuperacién inversa 17 Que es la carga de recuperacién inversa. 18 En el paso de conduceidn a corte en qué direccién fluyen los portaclores minorita= Flos almacenados en la regién cercana a Ja juntura?19 Como se relaciona la corriente externa eon la rapidex del apagado del diodo. 20Con que caracteristica interna del diodo se relaciona la capacidad de bloqueo de voltaje inverso 21 Qué es la modulacién de Ja conductividad. ;Cémo participan en este fendmeno Jos portadores minoritarios? 22 Porqué los diodos Schottky tienen una alta velocidad. En conseenencia, ;qué es- pecificacin es limitada a valores bajos en el diodo Schottky? 23 LEn qué orden estan los tiempos de apagado de un diodo ultrarapido? 2. El rectificador controlado de silicio SCR 2.1. Tiristores ‘Anode Figura 8: Simbolo esquemitico del SCR El Rectificador controlado de silicio (SCR) pertencce a la familia de los tiristores, Este grupo de semiconductores incluy los dispositivos que cousisten de cuatro capa alternadas de silicio tipo P y tipo N. El titistor tienen dos modos de operacién: 1. El mode de conduccién en el que se modela (entre énodo y edtodo) mediante una tensién de umbral en serie con la resistencia del tiristor que es muy pequefia, varios obmios 0 menos. En este modo, el tiristor opera aproximadamente como un interruptor oereado. 1 modo de corte en el que la resistencia del tiristor es muy alta, decetias o centenas de megaohmios. En este modo, cl tiristor opera como un interruptor abierto. Los tiristores tienen dos, tres o cuatro terminales. Dos nctunian como terminales de conmutacién y los otros terminales transfiernc los comanclos de operacién 9bo» re ey | fess J | Figura 9: Represeutacién dol SCR como dos transistores Alggunos tiristores pueden ser activaclos por la radiacién de luz. Este tipo de disposi tivo es conocido como LASCR( Ligth activated Silicon Controlled Rectifier) Algunos son unidireecionales como el diodo. También existen tiristores hidireccionales ‘que condticen en ambas direcciones cuando estan en el moro de conduccién( TRIAC) 2.2, Caracteristicas ELSCR es el mas antiguo y més usado de los tiristores. El dispositivo tiene tres ter- ‘minales: el fnodo (A), el edtodo (K) y la compuerta (@). Durante el corte, In resistencia entre el énodo y el cétodo es extromacdamente alta. Cuando una seiial es aplicada en Ja compuerta, el SCR pasa al modo de conduccién y es capaz de permitir el paso de una eorriente wnidireccional de alto valor desde cl énodo hacia el eto, dentro de los limites de especificaciones de potencia. El sfnbolo esquemtica del SCR aparece on la figura 8. El SCR opera como dos transistores, PNP y NPN, conectados como muestra In figura 9. La corriente del SCR puede expresarse como: ey Aqui, Zepo1 ¥ Tere son Ins eortientes de fugns de los tennsistores. Los paréinctros a ¥ a2 son los factores de amplificaciSn de corviente correspondientes. Mientras In suma de los factores ce ampliicacién sea pequeia, In corriente del SCR y las corrientes de fuza cy sern de tne magnitad similar y el SCR estard en el modo de carte, Tan pronto como la suma de los factores de amplificacién ay ex se aproxitna ‘la unidad, a corriente del SCR llega a ser alta y es limitada por el circuito externo, Los factores de amplifieacién de corrionte, ay ya, son dependientes directamente de la corriente de la juntura, v por tanto, el proceso de disparo es exencialmente regenerativo, Este hecho os fundamental para los métodas do disparo que forzan al SCR al modo de conduccién. 102.3. Métodos de disparo 1. Incremento del voltaje entre anodo y cétode. Fsto produce un campo eléctrico fuerte en las junturas, eausando la raptura por avalancha y tn inererento en la cortiente en las junturas. Cuando la corriente alcanza el valor que mantiene Ta eandlieién a + a2 = 1, el SCR conuta del estaco de corte al estado de conduceién, 2.Un cambio rapido en el voltaje entre anodo y catodo, Hasta cierto punto, las junturas se comportan como capacitores. Un pulso de voltaje aplicato en el anodo genera una cortiente de carga que carga las eapacitancins de las Junturas. El valor de esta corriente esta dada por i = C.6V/st. SI el cambio de voltaje 4V ocurre dentro de un corto tiempo dt. la corviente resultante inicia las condiciones para la conmutacién desde el corte al modo de eonduecién, 3Incremento de temperatura, Esto incremonta cl ntimero de portadores de earga y, por tanto, la corriente del SCR. 1Accién de transistor. Incrementando la corriente de base aumenta la corriente de emisor. En el ease del SCR, esto cs realizado por el flujo de corriente en la compuerta, que es, efectivamente Ja base de un transistor como se indica en la figura 9. En un cierto instante, el aumento de corriente produce la condicién en Ia cual ay + a2 = 1 5.Bfecto de Inz. El bombardeo de luz libera pares de portadores de carga que resultan en un incre- mento de corriente a través de las juntures. El método més comtin y conveniente para el disparo del SCR es la accién de tran- sistor. Este es el que se usa en la mayorin de los casos 24. Curva caracteristica La figura 10 muestra la caracteristica voltaje corriente del SCR, La earracteristien ‘se explica mejor si se hace referencia a Ia figura 11 que representa al SCR como un Aispositivo de cuatro eapas, PNPN y tres junturas Ji, Ja, ¥ Js Cuando la compuerta esta abierta o conectada al cétodo y un voltaje inverso es aplicado entre dnndo y cétodo, el SCR se comporta como dos diodos en serie inversaznente polarizados. Por esta razén, hay una pqcuena fuga de corriente en la rogién entre los puntos 1 y 2 en la. caracteristica conocida como regién de bloqueo inverso. En el punto 1, ocurre In ruptura Zener que puede dafiar al SCR. Cuando el SCR esté polatizado directamente (como se muestra), ¥ la compuerta esti abierta, solamente la juntura J, esté polarizada inversamente y por ello la.corriente sera Ia corriente de fuga a través de esta juntura. Este fendmeno es comocide como la region de bloqueo directa de la caracterfstica y esti localizado entre los puntos 2 y 3 de Ja curva. n el punto 3, la gran polarizacién inverse de la juntura Jy produce la ruptura por avalancha que permite el flujo de una alte corriento limitada unieamente por la resistencia externa R. Bl voltaje al cual ocurre la ruptura se conoce como Voltaje pico directo (PF). ulFigura 10: Caracterfsticn voltaje- corriente dol SCR Debido al incremento en la corriente y decremento en el voltaje en la rogién entre Jos puntos 3 y 4, el SCR se comporta como una resistencia negativa en esta porcién de la caracterisitca. La operacién en la regién de resistencia negativa es imposible debido que en el instante de Ia ruptura, el punto de operacién se mueve desde el punto 3 al punto 5 pasando por el punto 4. El punto 5 es determinado por Ia resistencia externa R. La corriente en este punto es: J = (V ~ 0.8)/R (approximadamente) Para reestablecer el SCR al modo de corte (apagaclo). In corriente I debe reducirse aun valor menor que Ia corriente de mantenimiento [1. Esto se logra reduciendo el voltaje de suministco o mediante el paso de una corriente inversa a través del SCR hasta que sea desactivado. Cuando tna corriente es aplicada a la compuerta, los huccos son inyeetadas en la Figura 11: EL SCR como un dispositivo de custro capas con polarizacién directa 2capa P corca del cétodo. Estos portadores de carga reducen In barrera de potencial cn la juntura Jy y permiten la ruptura por avalancha a un valor de Vax menor. Esto esta indicado en Ia earacteristicn por una linen punteada que representa in corriente de compuerta Jc. Un incremento posterior en la corriente de compuerta reduce el valor del voltaje de ruptura hasta la caracteristica de corriente de compuerta que recuerda la enrva de un diodo convencional . Después que el SCR ha conmutado al modo de conduecién, Ia compuerta no tie- ne control posterior. Por esta raz6n, es usual aplicar un pulso de corriente corto a la compuerta antes que una corriente contfnua, para prevenir Ia disipacién innecesaria de potencin en la compuerta Mientras mas pequefio sca ol tiempo de subida del pulso, mayor es Ia reduceién de Ja disipacién de potencia dinaamica, ‘Como ya se mencioné. la corriente debe reducirse a nin valor menor que Iyr para restablecer el SCR al estado de corte. Un tipo de tiristor GTO (Gate Turn off) puede ser desnctivado por un disparo negativo en Ia compnerta. 25. Definicién de los parémetros del SCR Vaoar - Voltaje inverse pico.Este es cl voltaje de polarizacién directa mécimo permitido, y esta definido en I espocificacién del fabrieante, que puede daiiar al SCR Este parémetro puede ser expresado en una variedad de formas. Algunas veces es definido en terminos de voltaje repetitive y algunas voces en términos de voltajes momenténces. Veo - Voltaje de bloqueo directo pico.Este es el méximo voltaje directo ins tantineo permitido que no conmutari al SCR al estado de conduccién. Este parémetro es también expresado en varias formas. Algunas veces es definido con respeeto al circuito de compuerta abierta o con respecto a In resistencia entze compuerta y cétodo (Verar) Ip(AV) - Corriente directa promedio. (durante la conduecién). Esta es la ¢o- rriente DC macima pormitida a través del SCR durante In conduecién. Algunas veces ‘se define en su lugar la corriente efoctiva. Entonecs ol simbolo es Ip En atzas veces, In dofinicién es basada en ln corriente de surge Jj:7 0 1a corriente instanténea.f. Los datas ‘en las cortientes perinitidas siempre involucran la resistencia vérmica y es generimente presentada en forma gréfica, Inxstex ~ Corrientes de fuga directa © inversa maximas. Especificadas « voltajes davlos, la *xindiea la eonexidn de la impedancia de salida entre compuerta y cétodo. Estos pardmetros estén dados a los voltajes pleos deflinidos arriba. Se debe uotar la tempertaura a la que estos parémotras son especifiendes. Jer - Corriente de disparo en la compuerta. Hsta cs la minima carriente de ‘compuerta con la cual se garantiza que el SCR es disparado a un voltaje de anodo dado, Por ejemplo, e aun voltaje Vix = 7V y una carga Ry ~ 1000, el fabricante garantiza que los SCRs de este tipo serén disparados con una corriente de Jer = 200jA. Esta corriente es inversamente proporcional a la temperatura. ‘er ~ Voltaje de disparo en compuerta. EI miiximo voltaje en la compuerta utes del disparo, cuando In corriente de entrada a la compuerta es fer. Este voltaje es 13dopendiente de la temperatura, varia enter 0,6V a 25°C y 0,3V n 100°C. El fabricante especifien el voltaje maximo esperado para varias condiciones conocidas. Pani - Potencia pico on la compuerta. La méxima potencia instanténen de disipacién permitida en la compuerta. Algunas veces, se especifica la maxima potencia de disipacién promedio Po(AV) en In compuerta.. PREGUNTAS 1. ;Qué es un tiristor?. 2. ;En base a los modos de operacién eu es el modelo ideal del tiristor en el andlisis, do circuits? 3. Los tiristores se dice que son interruptores SPST (simple polo, simple carrera). Sin mmbargo, normalmente tienen més de 2 terminales. ;Cual es la utilidad dle los terminales adicionales? 4. ,Qué significacio tiene que la corriente de Anodo a cétodo esté dentro de los limites de clasificacién de potencia (power rating limits)?. ;Cémo se obtienen estos limites? 5.Si la suma de los factores de amplificacién se aproxima a In unidad, dibujo un Circuito con SCR donde se muestre el elemento que limita la corriente. 6;Qué especifieacién del SCR debe considerarse par evitar el disparo por ruptura de avalancha? 7. Como se evita el disparo por cambio brusco de voltaje entre énode y eétodo, Consulte 8. ,Existe algtin dispositive comercial SCR activado por luz? 9. {En la regién de bloqueo inverso que modelo representa adecuadamente ell com- portamiento del SCR? 10. {Qué ocurre cuando mediante el circuito externo se excede el Voltaje directo pico? 11. ,Cual os Ia diferencia de osta situacién frente » exceder el Voltaje reverso pico? 12, {Qué significado tiene la regién de resistencia negativa?;, Aeaso existen elementos que operen en esta regiGn? Averigite. 15. Un Ingenicro comenta: "El apagado del SCR es tan simple como quitar la corriente de la compuerta”. ;Qué dirin usted? 14. El voltaje al que se produce la ruptura directa entre AK depende de Ia corriente de compuerta. {Fs posible provocar la conduccién del SCR con una tensién de euptura diroeta similar a la de un diodo?;Qué se debe hacer? 15, {Por qué es preferible aplicar un pulso momenténeo de corriente a la compuerta cn lugar de un pulso continuo? El cumplimiento de las especificaciones del SCR debe garantizarse mediante el cir- cuito externo. Como se garantiza el cumplimiento de: 16. La corriente directa promedio 17. La corriente de disparo en compuerta 18. Voltaje de pico inverso 19. Como se mide la corriente de mantenimiento. 20, Como se mide la corriente de disparo de la compuerta, u3. MOSFET de potencia Source + Lastonginades dete compuers se spreman a {mics + Consiste de vanas pequeis celdas de MOSFET de eanshaniento onectadas en paraelo, que cuben a sapere detapasoits de stiao + Lacomiente Baye ereaimente | + Haisposiivo que cel Figura 12; Seccién transversal de un MOSFET Vainos a cubrir el tema de os MOSFET de poteneia. En esta leecién nosotros vamos a Lhablar sobre emo se construye un MOSFET de potencia y algunas de sus caracteristicas bésieas. Bn la siguiente Jectura hablaremos acerca de los circuitos mancjndores de In compuerta del MOSFET que lo hacen funcionar y algunas consideraciones précticns. En Ia figura 12 se muestra una vista seecional de un MOSFET de potencia, Si se toma tina pastilla de silico y la corta y In mira desde un lado lo que tiene es algo come To que se nuestra aqut. La corriente flue en forma vertical a través del MOSFET como ocurse en «si todos los dispositivos de potencia. aqut por ejemplo, cl drenaje es concetacio ala parte inferior de la pastila de slicio y ol terminal de Fuente y la compuerta estén colocadis en lado superior. La regién que se muestra con lineas inclinadas representa los contactos rotilicos. Es decir que tenemos contactes metalic al drenaje D y a la fuente S, El ren sombrenda alrededor de la compuerta es I eapa de éxido o vidrio que afsta la compuerta dl resto del MOSFET. El érea blanca dentro es la compuerta. Esta es usualmente un material de polisilicio que es un eonduetor que forma la compuerta. Luezo se tiene ol fea de silico dopado. Este es un MOSFET do canal N la fuente ests coucctada en parte superior, el drenaje coneeta desde abajo a esta regién donde hay un material de opado ligero. El drenaje D esta actualmente en este sitio asf que tenemos un MOSFET que conecta ef drenaje D y la fuente $ como se rnestra. EL material P es llamado el sustrato y en los MOSFET de poteneia précticos el susteato es cortacireuitado a Ia fuente. Psta estructtra en particular se la conoce con el nombre de estructura DMOS. Bn esta estructura la compuerta y la fuente son construidas lateralmente en Ta superficie superior del MOSFET. Taunbidu tenemos otras variantes de estructuras con ranuras como Ia VMOS © UMOS 0 algunas veces conocidas con un nombre del fabricante tales 15como los MOSFET de trinchera cuyas ranuras son cortadas en el lado superior del silicio y la compuerta se construye verticalmente a lo largo del lado de la ranura. También se tione la estructura SUPERMOS que es una mejora relativamente reciente que reduce la resistencia de encendido de los dispositivos de alto voltaje. Se tiene algunos MOSFETS muy buenos de 600 voltios construidos con este estructura SUPERMOS. El MOSFET de potencia es un dispositive altamente “intercalndo” lo que signifien que se replica los MOSFETS varias voces en la parte superior de un chip ¥ se los conecta a todos estos pequefios MOSFETS en paralelo para conseguir un MOSFET grande de alta corriente. So puede ver en la figura la presencia de cuatro posibles diferentes canales, ex decir cuatro MOSFETs pequefios conectados en paralelo que se empaquetan juntos lo més apretados que se pueda para llenar la superficie de I pastilla de silicio y construir lun dispositivo de alta corriente. As{ que cuando el MOSFET es encendido la corriente Aluira por el Drenaje y entonces a través del Canal y saldr& por In Puente. Esto es para flujo de corriente positiva. Realmente una forma mejor de decirlo quizsis es que tenemos celectrones que vienen desde la Fuente al material N estos forman y ensauchau el canal con Jo que cuando Ia compuerta es polarizada directamente se forma una capa de inversién un canal aqui que efvetivamente es una regién N adicional que conecta la Fuente al Drenaje. y los electrones fluyen por este camino hacia fuera por ol Drenaje * Lajannzap eset + Hivohge de tres deine dain + Figura 13: MOSFET en estado apagado En cl estado de apagado ver figura 13, es decir, cuando la compuerta esté apagads cl voltaje positivo se coloca en el Drenaje con respecto a la Fuente. Tenemos la forimacién de una regién de agotamionto que bloquea el voltaje y realmente es In misma que en un diodo PN. ¥ de hecho si se mira en el sustrato, en cl material P y esta regién ack esto realmente hice como un diodo PN como lo conversamos en las lecciones previas para el iodo. Se tiene una region ligeramente dopada N en el drenaje que le da al dispositivo el voltaje de ruptura que requicre. Asi que en el estado inverso se tiene realmente un campo eléctrico a través del sector 1 mnenos que tiene una caida de voltaje desde ol drenaje hacia la fuente. Para obtener una clasificacién de voltaje de ruptura alto como sucede 16ccon cualquier dispositive semiconductor se requiere un material figeramente dopado de alta rosistividad. source + tapmepn pelanacion mse 1+ avo poste ania computa ce ln + eee oe teressels Hae feralte embcoes Laestocia n= fesstene tee la Earduceon, conactos uaa ervemite rain Figura 14: MOSFET en estado encendido ON En el estado de encendido ver figura 14 entonees la corrionte fluye en la forma mos- trada como se habia mencionado antes. Una caracteristica distintiva clave aqui. sin ‘embargo. es que la cortiente tiene que fluir a través de esta regién N menos y mucho de ln resistencia de encendido del dispositive aparece a través de osta regién. Y debido a ‘que es ligeramente dopada tiene una alta resistencia y esta es principalmente la resisten- cia de conduccién del MOSFET. Se debe considerar que en serie con la resistencia del ‘canal esti Ia resistencia de los contactos, de los terminales y del paguete pero en gene ral esta regién N menos domina la resistencia de conduccién. En el MOSFET se tiene un dispositivo de portadores mayoritarios, es decir. no hay portadores mminoritarios que causen la modulacién de la conductividad como ocurre en el diodo. Esta es la razén por Ja cual el MOSFET tiende a tener una relativa alta resistencia especialmente en niveles de voltaje altos. Asi que un dispositive con especificacién de voltaje alto, obligatoria- ‘mente tendré una resistencia especialmente alta en la regidn n menos y esta resistencia de encendido crece rapidamente con cl voltaje. Asi que se tiene inuy buenos MOSFETS 1 bajo voltaje pero a alto voltaje se empieza a proferir los dispositives de portadores ninoritarios que dan caidas de voltaje divectas anenores. El MOSFET tiene un diodo en su cuerpo(ver figura 15). El diodo del cuerpo actual- ‘mente se obtiene de esta juntura PN entro ol sustrato de material P y el drenaje. Ast que efectivamente si tiene ol MOSFET representado por el canal y esté en paralelo con el iodo del cuerpo. Este es un diodo real. Este diodo tiene su recuperacién inversa y éste conduce In corriente si es que ests directamente polarizado. Y esto ocurre si colocamos luna tensidn positiva en la Fuente con respecto al Drenaje. Entonces este diodo puede llegar a estar polarizacto directamente y la corriente puede fluir. El diodo puede conducie la cortiente total de especificacién del MOSFET, después de todo, es el mismo dispo- 17jms fom seo deme, supa cot + Vasa se ee aem'y fre pnd ptm sce doce decompo fot de) : Sas si comet apn 3 a + aves de commtain dt . fesse es cponach He 4 ‘epee, Q. «gaa drain Figura 15: Diodo del enerpo del MOSFET sitivo. Sin embargo la advertencia es que el diodo no nocesariamente esta optimizado para velocidaces de conmutacién alias y esto depende del diodo. Algunos MOSFETS: son disefiados para tener a propésito un diodo de recuperacidn répida y otros no, La figura 16 muestra Ins caractoristicns estiticas voltaje corrietite del MOSFET, estan dibujadas de una forma ligeramente diferente de las que se acostumbra y estan dlibusjadas para enfatizar como se controla ol MOSFET, En ol eje vertical es la corriente de Drenaje en eje horizontal es cl voltaje de Compuerta a Fuente. Se tiene caracteristi- cas o linens de voltaje de drenaje constante. Bisicamente si el voltaje de Compuerta esta bajo un voltaje conocido como voltaje de umbral entonces el MOSFET esta apa- gndo. Entonces el manejador de compuerta tiene que llevar el voltaje de compucrta 0 voltaje de compuerta a fuente a 1m nivel superior que el voltaje de umbral para encender el MOSFET. Aqui se puede ver que eonforme sube el voltaje sobre el umbral para los primers pocos voltios cl MOSFET empieza a encenderse. Cuando este aleariza digamos 10 0 16 voltios el MOSFET se enciende completamente. Y tenemos, usted sabe, para tuna corriente de drenaje dada, tenemos un voltaje de drenaje a fuente bajo. Entonces gencralmente operaremos el MOSFET encendito sobre el sector donde tenemos tin bajo voltaje y en este caso ¢l voltaje de Drenaje a Fuente es aproximadamente proporcional a la corriente de drenaje. Una aproximacién es entonces que el voltaje de Dreniaje es la corriente de drenaje multiplicada por la resistencia ON del MOSFET. En los dispositivos de portadores mayoritarios como este Ia resistencia de encendido tipicamente tiene un coeficiente de temperatura positivo, lo que significa que conforme la temperatura sube la resistencia del dispositivo sube. Asi que lo primero es que se hace més facil colocar en paralelo a los MOSFETS. Estos no tienen cl mecanismo de realimentacién positiva que hhace que uno de los dispositivos se lleve toda la corriente. Por otro laro In resistencia de encendido es mayor a temperaturas més altas. Y cuando se escoge una resistencia de en cendlido se piensa en el peor caso considerando Ia maxima temperatura que cl MOSFET as4 + Apamde Vic < V 10a + Encoodiccén Vi. >> Vy ie + ALMOSFET puede condi pcos de “oe sn protena ena seco en exces dee aed ‘Saecacen de mR ‘omeate Lat ‘sarc pemaneces ia ‘Sao 7 + Laverna de onda ene wit 2 - oti de i s ae ns teams post, poe ‘ap facia a sone en parle Figura 16: Caracteristicas del MOSFET puede soportar. ¥ cual es Ia resistencia en estas condiciones. La figura 17 muestra un circuito equivalente de primer orden de] MOSFET mostran- do las capacitancias. El MOSFET tiene una capacitancia entro cadla par de terminales. Y se analizaré cada tna de ellas. Primera de todas In eapacitancia de Compuerta a Fuente es un capacitor ideal del MOSFET entre el terminal de Compuerta y el Canal ¥¥ se dibuja aqui con respecto la Fuente. Esta es In eapacitancin a través de la seccién desde compuerta al canal. Esta capacitancia desde Compuerta a Fuente debe cargarse para colocar carga en el canal y encender el MOSFET. Ademés de exo usted puede ver que existe un traslape entre el contacto de Compuerta y el Dreuaje. ¥ esta forma lo que se conoce como la capacitancia de Compuerta y Drenaje, Se hace lo pasible para que sta capacitancia sea pequefia pero de hecho la carga de esta ayuda @ poner una carga adicional en la regién de Drenaje y de alguna forma reduce la resistencia de encendido. ‘Tipicamente la capacitancia de Compuerta a Drenaje ex pequelia comparada con la ca- pacitancia de Compuerta a Fuente. Es muchos menos picofarndios de capacitancia, Sin embargo tiene mucho voltaje a través de ella. La capacitancia de Compuerta a Fuente podria estar cargada hasta 10 & 15 voltis, mientras que la capacitancia de Compuerta a Dronaje se carga hasta bésicamente el voltaje completo del drenaje. Aunque la eapaci- tancia es pequena el voltaje a través de ella es grande y la cantiddad de carga neta.cn esta, cepacitancia puede ser grande. De hecho en algunos dispositivos es més grande que la carga en la capacitancia de Compnerta a Fuente. Esto tiene algtin impacto en las consi- deraciones de como disenar el circuito de manejo de compuerta. La tercera capacitancia. es Ia de Drenaje a Fuente y esta es basicamente Ia capacitancia del Diodo del cuerpo. Y esta ex In misina capacitancia que tiene un Dioco de juntura PN y se comporta en sit 9D rande,esencihnente constante + Coy pequeaa,akamente no Heal 7 +, Tmermedia en valor, akamente no Soest + Los empes de connutnci estén c eters or latasa en lc sauiador de comzocra cogadescarga C,.y Cyy Figura 17: Capacitancias del MOSFET mayoria como una capacitancia de diodo. Es no lineal. Esto no se dijo con respecto a Ja juntura del diodo PN, pero es realmente un tipo de funcién similar. Se muestra. una formula clisicn para Ia capacitancia de agotamiento, Ca, = >t ee Fs 1m dispositive no linea que indica la gran varincm de In eapacttancia con el nverso de la raiz cuadrada del voltaje As{ que si el voltaje sube la capacitancin dismninuye. formula aproximada de esta capacitancia os la inversa de rafz cusdrada del voltaje. aoa Estds capacitancins de salida de los dispositivos tales como Ia capacidad de Drenaje a Fuente del MOSFET y la capacitancia en Ia juntura del diodo son otros mecanismos que pueden conducir a pérdidas de conmntacién. Basicamente estas capacitancias se cargan con eneraia cuando hay voltaje a través de ellas asf que por ejemplo cuando el MOSFET est apagado se tiene un voltaje entre Drenaje y Fuente. No hay voltaje a través de Ia capacitancia de la juntura del diodo. Pero tan pronto como la seilal AC aparece esta capacitancia de la juntura esti ofectivamente en paralelo con Ia capacitancia Drenaje Fuente. Las dos se suman, Cuando se enciende ol MOSFET se cortocircuitan estas capacitancias. Y cualquier energia almacenada on ellas se amortigua en el canal del MOSFET durante la transicién de encenclido, Asi que si éte es una capacitancia lineal, se puede decir que estas capacitancias almacenan wna energi igial a ‘un medio de In capacitancia por el voltaje al cuadrado doncie C es la capacitancia cfectiva de los dispositivos y el voltaje corresponde con el voltaje a la entrada del convertidor. HCas + 0))V3 Cam CofE Wy, 20‘ -Bjomplo de pédidas en convertor Buck Eneaia pesdda durant a ransicén a encendido del ‘MOSFET (asumiends capaceansas Eneaes) W, = HC, +0) V3 Figura 18: Pérdidas de conmutacién debido a las Capacitancias del MOSFET Se picrdc mucha energia.cada vez que se encicnde el MOSFET y se cortocircuitan las capacitancins. Bsto puede causar unas pérdidas de conmutacién que son iguales nla energie almacenada en las eapacitancins multipliado el nimero de veces por segundo que las cortocireuita o lo que es lo mismo multiplicado por Is. frecuencia de conmutacién Esste es otro mecanismo de pérdidas de conmutacién. Sie quiere contabilizar el hecho que las capacitancias son no lineales podemos integrar la potencin que carga las eapacitancins para ver cusnta energin almaconan Ins capacitancias no Hincales. Se puede integrar la potencit que es el voltaje por Ia corriente y colocar la exprosion para la corriente Cav iit para este eapacitor y entonces al integrar Ta funein de la raiz cuadrada encontramos aque In energia que es perdida es igual a: We, = $CulVos Vis Se tione tn factor cle dos tercias en lugar de un factor mitad. Y si se evalia Ia capacitan- cia en la condici6n de apagaddo del MOSFET. Esto represcuta una péida un poquito mayor de energia pues es como tener un capacitor con un factor de cuatro tercios de Ia capacitancia originel CONCLUSIONES El MOSFET cs un dispositive de portadores mayoritatios, es- tas son buenas noticias debido a que tiene una muy alta velocidad de conmutacién. No se tiene ese tiempo que toma para remover la carga almacenada que estaba causando la ‘modulacién de conductividad en el Diodo y por tanto los MOSFET se pueden conmutar mucho més répido v en un MOSFET que es tipico de conseguir ve conoce que los tiem pos de conmutacién son de unas pocas decenas de nanosegundos y en los dispositivos de bajo voltaje © incluso més répidos. Asf que las frocuencins de conmutacién tpieas de decenas y centenas de kilohercios son ficiles y como se sabe se tienen fuentes de apoder de bajo voltaje en los compatadores que corten a frecuencias de conmutacién en €l orden de Tos megahercios debido « la alta velocidad de estos dispositives. Las mals noticias sin embargo son que Ia resistencia de encendido crece rapidamente eon el voltaje debido a que son dispositives de portadores mavoritarios que no tienen la modulaciSn de conductividad. Tenemos dispositivos MOSFET de juntura SUPER a. 600 vols pero no poriemos ir mais alto que eso antes de que la resistencia de encendio se haya. incre- mentado demasiado a tal punto que el dispositivo ya no es econdmico. Estos son muy féciles de manejar simplemente se conmuta cl voltaje entre la compueria y fuente entre Oy 10 0 15 voltios y son muy féeiles ee controlar. También se cuenta con MOSFETS de nivel 1dgico que estan diseiiados para operar con un voltaje de 5 voltios de compuerta cn Ingar de 10 0 15V. Otra cosa, dispositivas gencralmente estén limitado de potencia. ¥ cuando se cise tin convertidor de potencia generalmente no seleccionamos el MOS- FET basaclo en la espeeifieacidn cle corriente que es una clasificacién de cortiente pico dal ispositivo. En Ingar de eso usualmente Io seleecionamos en Ia base cle La resistencia de encendido y lax pérdidas de condueeign. Asi que a menudo se escoge wn dispesitivo con ‘una clasifcacién de corriente pico mucho mayor que la.que se intenta usar. Y en lugar se escoge un tamaiio de MOSFET para conseguir una resistencia de encendido baja. con lo necesite la aplicacién As que como resultado esta eonsideracién, estos son dispositives, uy robustos asi como también bastante margen cuando se trata de la corriente. PREGUNTAS 1.jEin Ia estructura interna del MOSFET qué tipo de material aisla la compnerta del resto del MOSFET? 2. {BI Polislicio que es el material ce Ia compuerta es un aislante, conductor semiconductor? 3. El sustrato de material P se conecta tipicamente al drenaje, fuente o compuerta? -Cémo se relacionan las abreviaturas DMOS, VMOS 0 UMOS con los MOSFET? 5.jHasta qué valores de voltaje de rupture se consiguen los MOSFET? 6.;Bs cierto que un MOSFET de alta eorriente es una combinacién en paralelo de muichos MOSFETS de pequeia corriente?. 7. £Qué significa que un MOSFET see. un dispositivo altamente “interealacio”? 8,Bn un MOSFET el canal N se forma con Ia inveceién de electrones huecos?. 9.Dibuje la estructura de im MOSFET DMOS y muestre cl eamnino de circulacion de Ja corriente cuando ol MOSFET conduc. 10,,Qué regién de la estructura determina la especifcacién de tensién de bloqueo do ruptura del MOSFET? ,Qué earacteristica debe tener esta regién para obtener un mayor voltaje do bloqueo? 11.,Qué regién de la estructura determina la resistencia de encensldo del MOS- FET?,Qué caracteristica debe tener esta regién para obtener una menor Resistencia de condiceidn? 12,,Por qué se preficre un dispositivo de portadores minoritarios en voltajes superio~ res a los 600V en lugar de los MOSEBT? 13.,Bs cierto que el diodo dol cuerpo del MOSFET es adecundo pars conducir Ia corriente en sentido inverso cs decir de Fuente « Drenaje? Explique 214.4Bs verdad que para asegurar el paso al estado de conduecién del MOSFET en las aplicaciones de Electronica de Potencia es suficiente colocar en compuerta una tensiGn superior a la tensién de umbral? Justifique 15.Fseriba una férmula para calcular Ia tensién entre Drenaje y Fuente cuando el MOSFET esti en conduceién, 16.,Por qué los MOSFET si se pueden conectar en paralelo y los diodos no? ;Por ‘qué ve habla de realimentacién positiva en los diodos? 17,;A cual de las tres capacitancias del modelo se debe proveer carga para provocar la conduecién del MOSFET? {Fs verdad que uno de los terminales de esta capacitancia es el canal? 18. yPor qué se dice que la tensidn de la capacitancia dronaje a compucrta es en algunos casos muy grancde?. Dibuje e] escquema de un cirenito de potencin donde esto suceda. 19,;Puede calcularse Ia energia de conmmutacién debido a In capacitancia de salida Drenaje Fuente mediante la expresiéu 1/(2)CV??. En caso afirmativo, zaué valor debe considderarse para © en la formula’? 20.,Por qué un dispositivo de portadores mayoritarios es més répido que uno de portadores minoritarios? 21.4Por qué la seleccién de un MOSFET se realiza considerando la resistencia en estado de conduccién en lugar de la corriente pico que eircula por el elemento?. 3... ELBIT y el IGBT En esta seecidn se analizaré el transistor de unién bipolar o BIT, y su sucesor mo- derno. el Transistor bipolar de puerta aislada. o IGBT. La figura 19 muestra un esbozo de un transistor de unién bipolar. Es un dispositivo npn. Se tiene una regién n que se ha dopado levemente o regién intrinseca en cl eolector, de modo que esta unién de base coleetor. es una unidn pn que realinente tiene la misma estructura que el diode de potencia clisica que hemos discutido. Bajo condicién de polarizacién inversa cuanclo In tensién de colector es positive, la base es més negativa y también lo es el emisor. Y de hecho, para, que este dispositive fsté apagado, ln unién np de emisor base o regién pa entre In base y el emisor debe tener polatizacién inversa. El eampo oléetrico se encnentra en la regién n menos que es capaz de bloquear la tension de colector. Este es un dispositivo vertical, y de nuevo éta es una sro de seccién transversal del transistor o el chip, similares a las Areas de seccién transversal que se ha presentado previamente para cl MOSFET. Por lo tanto, para poner en conduceidn a este dispositivo, se tiene un circuito manejador conectado a la base y ol emisor que polarizaré directamente Ja union emisor base Para ponerlo en conduecién, se aplica tina tensién positiva en la base con respecto al ‘emisor para polarizar la unidn y cuando se hace esto, los electrones del emisor son eapaces de difundirse a través de esta unidn hacia la base, donde se convierten en portadores inoritarios. Debido a que cl colector esta a un voltaje més positivo estos electrones pueden ficilmente seguir, y fluir en la regién de colector. Asi que por Ia polarieacién 28Base Emitter * Contactos de base ¥ emisor Seok ee en ——— aaoean a os stn polrizadas deectamente Caltecior ; = + Una carga sustancial de poradores mincritasos en las sesionesp yn menos produce la modulacisa de ‘onductiidad Figura 19: Seccién transversal de un BJT directa de Ia juntura emisor base, obtenemos los portadores minoritarios en la base y en la regién n menos que son necesarios para conducir In corriente desde el colector al En el proceso, s¢ puede ver que estos portadores minoritaros, electrones, pueden entrar en la regién n menos y causar la modulacién de conductividad que efectivamiente reduce su resistencia de conduceidn, y asf como en el diodo ésta modulacién de la con- diuctivind entrega to mejor de ambos mancos en cuanto a la tensién disruptivn alta y ‘uma resistencia de encendido mas baja. Pero el precio a pagar es que tenemos un montsn de carga de portadores minoritarios almacenada en Ia rogién n menos, que tienen que ser eliminados si queremos pasne el transistor al estado de apagado, Asi para apagar cl transistor, cuando esté en la situacién de conduecién, se tiene dos clecciones una es que podemos polarizar inversamente la unién pn emisor base, con corriente en Ie base ccro y esperar a que estas cargas se recombinen ¥, finalmente, lo haaréa, y al mismo tiempo que lo hacen, entonees el transistor se apagars. Pero In otra cosa que se puede hacer es climinar activamente los electrones a través del terminal de base. De hecho, se empuja los clectrones hacia atrés con una cortiente de base-emisor negativa capa de eliminar ia carga almacenacin en In base y en la regién n menos. En la figura 20 se muestra un esbozo de las formas de onda tipicas que aparecen. Se muestra un cireuito de excitacién de base, que se represeuta por una fuente de tensid ecquivalente y la resistencia Thevenin. Ta forma de onda dle tensién en In base muestra que comienza con un valor nogativo.Figura 20: Formas de onda tipieas de cirenito con BIT Jo que polariza inversamente la juntura base emisor y apaga el transistor, En un instante de tiempo (2) ln tensién va a alta y a poner en conduccién Ie juntura base emisor y se observa como la tensi6n de base-emisor que se polariza directamonte y va a mas 07 voltios, entonces el transistor se activa, por lo quo tiene baja tensién colector emisor y un alta corriente de colector Y el transistor esti en el estado de conduccién. Para apagar el transistor en forma activa lo que se hace es que nuestro manejador produzea una tensién negativa para liminar de forma activa la carga almacenada hacia el exterior de In base, De acuerdo, por lo que Ia forma de onda de Ia corriente de base irda negativa, Y en realidad se parecen mucho a la corriente de recuperacién inversa de un diodo. Es muy similar en forma, se debe tener una gran corviente negativa para climinar activamente la carga almacenada. Durante el intervalo de tiempo(S) a (6). la tensién de baso-emisor es 0.7V, durante el intervalo de tiempo entre (7) y (8) en la recuperacién in- versa finalmente el voltaje ser negativo y en ese momento vamos a ver que el transistor se apaga completamente. Asi que con el fin de conmutar el transistor al apagado répida- mente, necesitamos esta gran corriente negativa y por lo tanto un punto de partida ideal de In forma de onda de corriente necesaria se parece a lo que se muestra en In figura 21 Se tiene una gran corriente positiva inicialnente para suministrar la carga de Ia base y oucrla en conduccidn, entonces tenemos una pequelia corriente de mantenimiento para suministrar la recombinacién en la base de lox portadoros minoritarios, mantener los portadlores minoritarios en la base, y on la regién n menos del colector. Y luego para apgar el transistor, se tiene una gran corriente negativa que sale de In base pata eliminar la carga almacenade rpidamente. Por iiltimo, una vez que el transistor esta apagado, no se tiene corriente de base.o 8 Figura 21: Formas de onda ideal de la eorrionte de base Una cosa que se puede preguntar es porque no se puede construir un manejedor de ran cortiente de base para extracr la carga almacenadia de forma muy répida y apagar l transistor tan répiclo como el MOSFET. Bueno en primer lugar se necesita mucho més corriente que en un MOSFET. pero lo segundo es que hay limites a lo geande que la corriente de base puede sex. Corrientes de baso nogativas muy grancles durante la conmutacién eonducen a umn mecanismo do fala {que es tradicionalmente llamado como segundo meeanismo do ruptura que proviene do Ja eoncenteacién de corsiente. da erence GN es ete ree de pnts cares fala det spon i Figura 22: Aglomeracién de In corriente debido a Ia corriente de base excesiva, En Ia figura? se muestra como ejemplo un esbozo de lo que sucede. Se tiene una gran cantidad do carga almacenada en Ia rogién n menos y en la region de base p y se desea una la corriente hacia ol exterior de la base para extraet toda la carga, Se puede ver la forma en que los contactos de la base v de emisor son construidos. Una gran corriente negativa requiere que se tenga una corriente lateral que fluve a través de la rogién de base. Y también través de la regién n menos, Esta corriente Intoral 26‘causn una caida de teusin en la resistencia del silicio, Pucs ol material de silicio tiene tuna resistencia. Y asi, a partir de la direcciéu de la corriente se puede ver que la tensién en Ia base seria més positiva en el centro, de lo que es en el borde. Lo que sucede es que la unién base emisor sea més positiva en el medio de lo que es cen el borde y por lo que durante este tiempo, In corriente de coleetor tenderé a uir por el centro. Asi, se obtiene lo que se llama concentracion de corriente. ¥ In concentracién de corriente calienta el parte central de la unién base-emisor mis de lo se ealienta ln lus bordes y obtenemos este fendmeno en el que la parte central de la unién de diodo ‘cmigor base, acapare la corriente. Se puvde incluso entrar en la falla térmica, como hemos discutido previamente con el caso de los diodos en paralelo, Efectivamente se puede pensar que esto es como un diodo distribuida. Y queremos que In corriente, fluya de manera uniforme en Ia regidn total pero, Io que sueedes es tuna multitud de cargas cen el centro. ¥ lo que sucedera es que esa parte se volverd mas caliente que el resto, Y, tendera a acaparar toda la cortiente, y puede hacer que el transistor falle Por lo tanto, esto se llama concentracién de corriente, $i usted tiene un transistor que falla puede en realidad abrirlo ¥ mirarlo bajo un mieroscopio. Y descubrir que fallé en ‘el medio del emisor y como ingeniero se puede decir que Ia corriente de base negativa en cl apagado ha sidodemasindo grande. ‘Una cosa similar sucede cuando se enciende el transistor, cuando La cortiente va on la otra direccién pero en ese easo se puerle ver que la multitud de corriente toda ocurre cen los bordes del emisor. ¥ se puede ver que también con un microseopio, Esto se conoce como el mecanismo de avalancha secundaria que hace que los BJT fallen. ¥ el efecto es que limita, la rapidez con la que se puede conmutar los BIT en la practica, Otra caracteristies distinta de los BIT von relacién » los MOSPET, es que en alta corriente.en el BJT se degrada cl valor de la ganancia. La figura 23 es un gréfico de la yoy 7 Estado ff 21, =0 Vlosw + Estado de conduccin: fy> 1B vo + Le gamansia de coniente fh decrece ‘ipidamente a aka cenrente EL pean, spostio no debe ser operado a cuss COs instnténeas que exceden el omnes valor de lasieackn, Figura 23: Caracteristieas de los BUT corriente de base frente a la corriente de colector. Para un BJT teal, BJT de potencia vigque ests clasificado para 10 amperios y 600 voltios. Y asf, si el BJT operara con una ganancia de corriente constante beta. entonces la relacion de Ta corriente de base frente a In corriente de colector seria tna linea recta con tina pendiente igual ala ganancia actual Sin embargo, se puede ver que a valores altos de cortiente de colector. la pendiente se hhace més baja y el transistor se queda sin ganancia de corriente. ¥ esto es clésico para cualquier BIT. Para este dispasitivo en particular, que esta clasificado para 10 amperios. 600V, se puede ver que a lo sumo se puede obtener 10 amperios. Eso cs realmente el limite. Y por esto Ia clasificacién de eorriente est doterminada realmeute por Ja ganancia cearacteristien del transistor Con un MOSFET esto no sucode. Un MOSRET de clasificacién de 10 amperios tendra curvas de este tipo que se extienden hasta 20 y 30 y cotrientes mucho més altas. Y el MOSFET entonces en realidad esta limitado térmicamente. Por lo tanto, se puede utilizar un MOSFET de 10 amperios con 20 amperios para un muy corto periodo de tiempo, siempre que el promedio de potencia sea lo suficientemente bajo para no calentar ol dispositivo. Esta périlids dle ganancia dle corrionte ofroce otro mecanisino para linitar 1a potencia que podemos conseguir del BIT. @ fpicacmon de tela «= En dips Daron mole, ‘rasincesQ2» Q2 ent ana ls somata dee + Hod ec eos de rors de , tpagadepomedo gue mame de ase ‘emir Sx aca ane cos doe Somamers QQ: Grane a wae Sapo Figura 24: Conexién Darlington de transistores BJT) La conexién Darlington de los BJT figura 24 es un tipo clésieo de enfoque para mejorar la ganancia de BJT de alto voltaje. A alta tensién es dificil de conseguir alta ganancia de corriente al mismo tiempo, por lo que un BJT 1000 voltios podria tener una ganancia de corriente de silo unos pocos. y 1a conexiéu Darlington de BJT nos da dos transistores por un valor de ganancia de tal forma que Ta ganancia total es In relacién de la corriente de base de entrada de cl primer transistor a la corriente de colector de lal combinacién, ahora es el producto de los dos betas. Por lo tanto, este, esta es una de las maneras tradicionales de construir un BJT de alta corriente y alto voltaje. El problema con el manejo de ésta conexién Darlington aparece en el apagaido. Se conecta un driver en la base. Por lo tanto, si tenemos tina, digamos otro controlador de base, conoctamos qué. Y hacemos lo mismo que se hizo con el solo BIT. hace un par de diapositivas, para conseguir ol apagado de este dispositive, que extraiga una corrionte negativa de Ia base. Si estuviera QI y Q2 sin el diodo, lo que sucedle es que el controlador logra apagar Ql répidamente, pero una vez apagaclo no hay nada para climinar activamente la carga almacenada en Q2. Por lo tanto, tenemos que 23esperar a que las cargas minoritarias ve recombinen y el tiempo de commutacién puede ser largo, Asi que tenemos una gran eantidad de pérdidas de conmutacion debido a este tiempo de desconexién lentos. Por lo tanto, este diodo, 11, se aftade a, para resolver esto, de modo que eiando el controlador de base apaga Ql répidamente, todavia. tenemos un ‘camino para liminar la carga almacenada de Q2 a través del diodo D1 y el manejador de base que es capaz de apagar también Q2 répidamente. EL BJT es uno de los transistores de poder clésicos. El BIT era en los 70s el eabsillo de batalla en el negocio de las fuentes de alimentaci6n electronica y luego se sustituye por ¢l MOSFET, que se convirti6 en comercialmente significative en la década de 1980 y por Jo tanto en aplicaciones de baja tensién, es decir 600 volties y por debajo. El MOSFET, realmente es el dispositivo de elecci6n en la actualidad. Luego a las aplicaciones de mayor ‘ensién, el BJT. no se aplica sélo sino que ba sido sustituido por el IGBT para tensiones por encima de 600 voltios se aplica el IGBT. En comparacién con el MOSFET, (debido al BJT interno del IGBT), tiene una conmutacién mas lenta porque es una dispositivo de carga minoritaria. Pero su resistencia de conduccién para cl mnisino tamaio de la pastilla es mucho mas bajo que ol de un MOSFET de voltaje comparable. fae + Esum dspostivo de scapes 1 + 5 sindaren a Ga | sonsinucion aun is ules = MOSFET excepto por z sion p extn, 5 ae “a pag + stad de condusidu: Los poradores , ’ snoriaios que son ects ee region x tnetos produce mostlasson unui varrer Se conta fit ©. comparade cou el MOSFET: tempos z de cousin mas ato, menor TEENIE pun eons, Hes @ | voles mis aos (basta 1700) Calls Figura 25: ‘Transistor Bipolar de compuerta aislada IGBT. En la figura 25 se muestra la estructura interna de un IGBT. Realmente es un MOSFET en combinacién con un BJT y lo que se muestra es un bosquejo.o un dibujo de In seccién transversal de la misma. En realidad se ve exactamente igual que el dibnjo del MOSFET, sdlo hay una pequeta diferencia de que la rogién inferior es p en Iugar de 1, por lo que aparece de hecho tina unién pn adicional en serie con Io que se llains el drenaje de el MOSFET que ahora es tradicionalmente mado el eolector. El transistor bipolar de puerta aislada IGBT tiene una puerta al igual que un MOS- FET, la fuente dol MOSFET se llama el emisor en el IGBT y el drenaje (Drain) se 29aina ahora el colector, y teneios esta unién pn acicional. Lo que la unién pa have es cen condiciones normales, es deeir, en las condiciones en que se enciende cl dispositivo. Se tiene tna corriente que fluye desde abajo (desde el colector) a través de la unién pn. Se prodtucen huecos desde el material p, que se difunden a través de la unién pn y van ala regién n menos v producen la modulacién de la conductividad. ¥ asi, estos huecos, cuando el dispositivo esta encendlido, producen los portadores minoritarios que reducen Ya resistencia del dispositivo. Por lo tanto, se tiene una resistencia mucho més baja en Ia porcidn n menos de lo que se tiene en un MOSFET comparable. a pesar de que se tenga una unién pn extra en serie que tiene su caida de polarizacién directa. Pero lo que se hace en la préctica es diseiar los IGBT para voltajes muy altos v que tengan resistencias de condueeién mucho mas bajos que las resistencias del cl MOSFET. Por encima de 600 voltios, la resistencia de funcionamiento el MOSFET sube muy répidamente, pero al hacer este truco para conseguir inyeccién de portadores minoritarios se puede controlar Ia resistencia de condueci6n, Y asi se tiene dispositivos de 1.200 voltios y 1700 voluios aque son muy buenas, y que tienen un comercio muy significative. ¥ tenemos dispositivos de tensién mucho més grandes también para aplicaciones de alta potencia con teusiones de ruptura de 2.000, 3.000V e incluso més alta gama. ELIGBT so parece a un MOSFET, se tiene el canal en cl lugar habitual en ol mismo Iugar que cl MOSFET, y luego se tiene una juntura pn, y en uns aproximacién de primer orden se podria decir que se tiene un diodo en serie con el MOSFET. pero lo que realmente sucede es un poco més complicazto que eso. Si se observa la estructura,ver Location of equvaion! dewcns ZA TIEL Equivaien i “tt of : 4 z Figura 26: Cirenito equivalente dol transistor Bipolar de compucrta aisladn IGBT. figura 26 el material p del sustrato se pone en cortocircuito con lo que ahora se lama €l emisor. En realidad consituye un transistor pnp, por lo que un circuito equivalente més preciso para el IGBT ex la interconexién de im MOSFET y un BIT. $e tiene un MOSFET que es conectado @ un transistor PNP lo que producen en realidad dos diferentes componentes de flujo de corriente. Se llaman i; © 2g aqui. Asf poclemes tener un flujo de corrionte a través del canal del MOSFET y hacia fuera por el emisor, es0 se 30lama i. © podemos tener un flujo de corrionte por el transistor BIT PNP sin pasar por el canal del MOSFET y que se llama i, Y ofectivamente la eorriente de drenaje del MOSFET suministra In corziente de base al transistor pnp. Entonces, el efecto de esto sobre la conmutacién afecta al rendimien- to de la conmutacién de apagado El manejador de puerta puede apagar al MOSFET rapidamente, lo que hace que i vaya 0. Pero atin tenemos portadores minoritarios en Ja region n menos, regién que permite que el PNP eontiniie condnciendo. ¥ asi, ig sigue conduciendo y no hay forma activa para quitar esa carga almacenada de In regién 1 menos, por lo que todo lo que se puede hacer es esperar a que la carga minoritaria se reeombine. Y una vez que lo hace, entonces, finalmente, cl transistor PNP se apagaré. Por lo tanto, el IGBT tiene este mecanismo de apagado bastante lento y este mecanismo. de desconexién es tradicionalmente llamada cola de corriente en el IGBT. La forma de Figura 27: Cola de corriente en IGBT onda de la corriente de apagado esté indicada en la figura 27 Cuando originalmente el dispositive esta encendido, la corriente total fluye como tuna combinacién de iy ¢ i. Y cuando se apaga el dispositivo, se apaga la corriente del MOSFET répidamente, es decir, i desaparece répidamente, y se ve que, la corriente distninuye por el apagado del MOS- PET a este punto entre t2 y t3. Pero después de eso, iz contintin fluyendo y Ia fraceién de In corriente de eolector que es ig, se desintogra lentamento mientras se produee cl decaimiento de los portartores minoritarios. Y, finalmente, el dispositivo se apaga. Y asi este tiempo largo que tarda la compononte # en desaparecer se denomina la cola de ccorriente. La transicién de connmtacién de apagado del IGBT puede ser signifientiva. Depende 31del tamaito y Ia clasificacién del IGBT, pero puede haber varios nierosegundos o en unt buen IGBT varios cientos de nanosegundos. Si se multiplica la tensién de colector-emisor por la cortiente de colector, obtencmos la pérdida de potencia en el transistor durante cesta transicidn de apagado. Y tiene una cierta dren. que representa la pérdida de energia durante éta transicién de apagado y obtenemos las pérdidas ce conmutacién igual « Ja pérdida de energia durante los tiempos de cola de apagado veces Ia frecuencia de ‘conmutacién. 'Y, de hecho, hay una cierta. pérdida de energia durante In transicién de encendido también, asf que realmente se deberia aiadir en Ia pérdida de energin también. En las hojas de datos, por lo general so especifican valores de las pérdidas de energia de encendido y apagndo. Hay algunas cosas que se puede hacer para controlar esta cola de cortiente, Una casa que se pucsle haver es por el disefio del circuito realmente controlar Jn ganancia de corriente del transistor bipolar y se puede controlar la cantidad de la corriente que fluye en la trayectoria tz frente a In del camino ay. Por lo tanto, esta es una variable de cliseo que Ia disefiador del dispositivo tiene para jugar. ‘Asi que si se hace que Ia mayor parte del flujo de corriente pase a través del MOSRET y muy poco flujo a través del BIT, entonces lo que hace es que esta porcisu iysea grande ¥ la porcidn # ser pequefia. Y la cola de corriente es menor. por lo que se va a conseguir tuna menor pérdida de energia durante la trancisién de apagado. Los disefiadores pueden hacer un IGBT rapido do esa manera, pero el precio que se aga es que Ia caida de tensién es mayor porque la mayoria de la corriente fuye por la direceién del MOSFET y menos por In direcridn del eolector. Por lo tanto, otra cosa. que ‘a menudo se puede hacer es la eleecién opuesta. Lo que nos da ms carga minoritaria almacenacla. Esto hace que el interruptor del dispositivo sen mis lento, pero nos da. una caida de polarizacién directa snés pequeiio. A menudo muchos fabricmntes ofrecen incluso, dos versiones de sus dispositives. Uno que est optimizado para la caida de polarizacién dirceta, y ol otro que est optimizado para tiempos de conmutacién répidos. E usuario tiene que decidir cual le daré una mayor eficiencia en su aplicacisn. CONCLUSIONES ELIGBT actualmente es un moderno dispositivo de eleccidn en tension por encima de {600 voltios. Se tienen médulos IGBT muy grandes que se componen ce miiltiples chips individuales, donde el a Iual puede sor de una clasificaciGn de 50 amperios o 100 amperios, Miltiples chips se empaquetan juntos en un sustrato térmico comin para hhacerlos, funcionar a la misina temperatura y compartir Ia corriente, y asi entonees se ogra un médulo de muchas de estos chips que podria ser clasificado para cientos de amperios 0 incluso 1.000 amperios, y con tensiones elevadas, posiblemente varios miles de voltios.Por lo tanto, estas son dispositivos de muy alta potencia que pueden. ser contzolados simplemente cambiando st voltaje de la puerta de cero a 15 voltios y de vuelta de 15 0.0 V. Y se puede controlar una gran cantidad de cnergia con una sencilla tensién en la ‘compuerta del MOSFET. La caida de tension directa de estos dispositivos es un diodo en serie con una on- 22resistencia, por lo tanto. Ia resistencia de encendido es In de la regién n menos en serie con el diodo de emisor base que es una caida de tensidn de una juntura pn que esta en el coleetor del dispositive. BI coeficiente de temperatura de estos dispositives es una combi: tamiento del MOSFET y BIT. En baja corriente y polarizacién directa se tiene un coeficiente de temperatura nogativo temperatura, pero # alta corriente In resistencia de conduccién del MOSFET domina. ¥ tenemos un coeficiente de temperatura positive lo ‘que significa que los dispositivos tienden a compartir la corriente a medida que est eorca de la clasifieacién actual del dispositive. Los dispositives son mas lentos que un MOSFET, pero elles pueden ser més répidos ne un Darlington o un SCR o un GTO. Las frecuencias de conmutacién para los dispo- sitivos de baja eaida directa pueden ser tno o varios kilohertz y para dispositivos répidos 2 veces estiin funcionan a 10s de kilohercios y hay algunos dispositives muy réipidos que pueden funcionar en cientos de kilohercios a més, para baja tensida, PREGUNTAS Elabore 1m banco de 10 preguntas con sus respectivas respuostas sobre el toma BIT © IGBT.Rectificadores Victor Proanio October 10, 2016 1 Introduccién Los Rectifieadiores convierten la energie eléetrica AC en DC, Una posible clasificacisn de los rectificadores es; de media onda, rectifieadores de onda completa monofasicas, reetificadores trifisicos. En los esquemas de los rectifieadores so puede reemplazar los diodes por Tiristores para convertir los esquemas en rectificadores controlados. Para ‘el andlisis de los rectificadores se debe considerar el tipo de carga, La carga puede ‘Ser puramente resistiva o con un filtro capaeitivo (carga RC), una carga RL(ejemplo un ‘motor DC detenido) o una carga RLE (cjemplo un motor DC en movimiento). El andlisis de los circnitos busca obtener los pardmetros que definen la calidad de Ia conversién, In cficiencia del circuito, Ia potencia transferida, las corrientes y voltajes que soporten los elementos semiconductores del circuito. Para Ia calidad de In conversién de los reetificadores el parmetro més adecuado es el rizadlo. La potencia itil transferida por el circuito rectificador es una potencia de DC por tanto se calcula mediante el producto de los valores DC de voltaje y corriente. La eficiencia del cireaito convertidor corresponde Ia relacidn entre la potencia de salida y la potencia de entrada. Un paritetro importante de los rectificadores es el factor de potencia que define la calidad de Ia transmisin de Ia energia desde Ia fuente hacia la carga y que cs afectado por ln presencia de los ‘arménicos causados por In no linealidad de los elementos somiconductores que integran les convertidores, 1.1. Pardmetros generales de los Rectificadores Denominacién Simbol#6rmula de célculo ‘Valor medio Tc ae fi(wndlwy , Valor rms Tes dems = fae f(t) awe) Potencia media Po P= J? vidtwt) factor de potencia fe In~P/S Potencia aparente Ss S = Vomstoms ‘Table 1; Parametros gonerales de los rectifieadoresEJERCICIOS Determine el valor modio, valor rms de una onda cuadrada de perfodo T y ampli- tud Vgc como muestra la figura. Determine la potencia media si esta forma de onda corresponde a un voltaje y se aplica a una resistencia. de valor R. Calcule el factor de potencia. 2 Rectificador de media onda con carga RL Se presentan dos intervalos de funcionamiento que estan definidos por In conduceién © apertura del diodo. El diodo conduce durante un intervalo de tiempo 0 < wt < 3. El Angulo @ se llama éngulo de extincién y permite caracterizar In corriente y voltaje que soporta el diodo y definir el rizado de corriente en la carga.Circuito y formas de onda Eeunciones 8 sin(B — 0) + sin(0)e-4/™7 "au Z 2= fT waly, Pee Se ° PeolwisRy A r FHL/R _ fsintwe ~ 6) + sin(@jerwi/er tien fa Hut) (uy Teme Tom fe ft) dt) dc Tae = fier) acu) in (ut) Oswss; si 6 < wt Or ‘Table 2: Rectificador de modia onda con carga RL. EJERCICIOS Determine Ja expresién de la corriente que circula por un cirenito Rectifieador de ‘media onda alimentado por una fuente de 120V,, 60/1: con carga a) R = 19y L = md, b) R=1My L = 100mH. c) R= 19 y L = 1000mél. Analice el efecto de la variacién dele inductancia, Coleicle Trine, Tre Ly Cada (ose 3 Rectificador de media onda con filtro capacitivo Se presentan dos intervalos de funcionamiento que estén definides por ln conduccién 0 ‘apertura del diodo. Tl diodo conduce durante un pequeio intervalo de tiempo a < wt < 6, El calculo de estos dngulos permite caracterizar Ia corriente y voltaje que soporta el diodo y definir el rizado de voltaje en Ia carga. Para calcular el rizado del voltaje y la ceorriente pico del diodo se utiliza el angulo de inicio de conchuecién a y el sngulo de fin de conducetén 6.Circuito Eeuaciones @ —sin(a) — sin(0)e-Ort0-M/(uRC) — 9, 0 = —tan-\(wRC) +7. Topco LD.pie = WCVy COs(a) + Voy sina) /R AY) AY Yn — Vin sin) aproximacién si RC >> 1/w @ O=n/2 AVy AV) =Vin/(FRC) ‘Table 3: Rectificador de media onda con filtro capacitive EJERCICIOS Determine el valor de la cortiente pico en cl diodo y el rizado de voltaje en un cireuito Rectificador de media onda con filtro capacitive alimentado por una fuente de 120 60HHz, a) R= 19 y C = 10uF, b) R= 10.y C= 100pF,c) R = 19 C ~ 1000p. Analice el efecto de la variacion de la enpacitancia. 4 Rectificador controlado de media onda con carga RL Se presentan dos intervalos de funcionamiento que estan definides por la conduccién 0 apertura del tiristor. El SCR conduce durante un intervalo de tiempo a < wt <3. Los Augulos @ y 9 permiten caracterizar la corriente y voltaje que soporta el SCR y definir Jos valores RMS y DC del voltaje y corriente en la carga,Ecuaciones 8 sin(B—0) + sin(e-*/*" —0, = TTR, @ tan-4(wh/R) + E/R in(twt) = (eF mem | i ‘ z me oe Hut) e(ur)—Ypin(ct) Tuc te = 2 [ito1y we) ‘Table 4: Rectificedor controlado de media onda eon carga RL EJERCICIOS Determine la expresién de la corriente que cireula por un cireuito Rectifieador de ‘media onda alimentado por una fuente de 120V, 604 con carga a) R = 1. L = 10m# ya = 90", b) R= 19.1 = 100mH y a = 90°, c) R= 10 .L = 1000mHH y a = 90°. Analice el efecto de la variacién de la inductancia. 5 Rect icador de onda completa con filtro capacitivo ‘Se presentan dos intervalos de funcionamiento que estén definidos por la conduccién 0 apertura del diodo. El diodo conduce durante un pequetio intervalo de tiempo a < wt < 8. Bl efleulo de estos angilos permite earacterivar la corriente y voltaje que soporta cadal diodo y definir el rizado de voltaje en In carga, Para enlcular el rizado del vttaje ¥ Ia corrinto pico de los diodos s utiliza el Angulo de inicio de conduccién a y el éngulo de fin de conduccién @.Circuito Eeuaciones a sin(a) ~ sin(Q)e-(F+9-M/eRC) _ 9, o = -tan"\(whC) +x, ID.ico In pico = WCVn cosa) + Vin Sina) /R AY Vy = Vin = Vin sin(a) Aproximacién si RE >> 1/w . é O=n/2 Avy AVo = Vin/(2RC) ‘Table 5: Rectificador de onda completa con filtro capacitive EIERCICIOS Determine el valor de la corriente pico en el diodo y el rizado de voltaje ex ua cirenito Rectificador de onda completa con filtro eapacitivo alimentado por una fuente de 120V60H=, a) R = 19 y C = 10uF. b) R= 19 y C = 100¢F, c) R= 19 y C— 1000F. Aualice el efecto de la variacién de la eapacitanci 6 Rectificador controlado de onda completa con carga RL modo dis- continuo Se presentan dos intervalos de funcionamiento que estén definidos por la conduecién © apertura do cada trayeetorin de tiristores. Cada par de SCRs conduce durante un intervalo de tiempo a < wt < 8. Los éngulos a y 8 permiten caracterizar la corriente y voltaje que soportan los SCR y definir los valores RMS v DC dol voltaje y corriente en Jn carga.Circuito y formas de ondn Feuaciones i= eis 8 8- 4 soyqutres op uptowayTaHOp! wred SarOprIDAMOD :f VINEE amaunooyroming (0) seonend (@) ‘ugyoisod wpe uo soydnasoaut [9 us Seoumnanpuy ep to orpoutoxd vppuigyod wl ap souorauns9 sey eqED ‘efouayod ap 1opruaauod jap sowuaways us epedisip e/9umeg ET cuosstnn wy ap oarusod yeuutiay Jo tod opmesasSut aquanss0 “el op oppuse jo awustse uo aysistioo sopqeEAHA se] INOYTIUaPL OP astoTUOAUOD WIOG wii] ‘afeyfoa jp tia pepeavjod vj £ ayuari09 vy us oprias Ja Teompat o ofq UNA wy avIqUiON eo qs uptowayhiuop! wy] “oyoUs|> vpeo ue artetzx09 4 of eyjos SopquETes Sef INbYAGEPL Ssoyuaws,e 50} ud 22u9s202 A afeyjon sayqeven sej ap UoIDeDyQUaP| TT sergio W2s9p 28 Uo'suD) Wino WOReIMDUTS ap 23tINy e ‘esuosoudas &4 “| vanity sf 9p soprzasteo wpeo treutsoju09 ond soqusena|9 sof NbTpAT ‘erousiod p sopasanuo> Jap Sowauie|9 So] ap UOHeDWNUEPL TT ‘oporp 1m 20d Z toptsod 2] m> £ so;sssTe an dod opezteas so 1 upt>Tsod vj Ho soxdzoaT [a oquouvnsoy, “s.Z(q{— 1) Odin pp axe Z HoMEsOd ¥I TO yrs JO\dnasOUN! KG “TSOOy 1, Bl interruptor esta en la posicién 2 durante el tiempo (1 - D)T's. Normalmente el interuptor en la posicién 1 es realizado por un transistor yen la posicién 2 por un diodo. LLL. Identificacién de los elementos del convertidor de potencia Indique los elementos que conforman cada convertidor de la Figura 1. V, representa la fuente de alimentacién curya tensién se desen cambiar. 1.2. Identificacién de las variables voltaje y corriente en los elementos Identifique las variables voltaje y corriente en cada elemento. La identificacién signi- fica nombrar In variable ¢ indicar el sentido en la corriente y Ia polaridad en el voltaje. Una forma conveniente de identificar las variables consiste en asignar e] sentido de la cortiente ingresando por el terminal positivo de la tensién. 1.3. Potencia disipada en elementos del convertidor de potencia Escriba las ecuaciones de Ia potenela promedio en la inductancia, en el condensador yen el interruptor en cada posicién, (b) Puente-H (2) Buck Boost ‘ “ : (6) Puentet-corrente Figura 1: Convertidores para identificacién de variables y eéleulo de potencia promedio 2. Relacién de conversion y dimensionamiento de elementos La relacién de conversién de los Convertidores de potencia cs una funcién del ciclo de trabajo D. La obtencién de la relacién de conversién requiere la aplicacién de los principios de balance Voltios segundo en las inductancias del circuito y del balance de carga en los condensaclores.Ta cbtencién de la relacidn de conversién de los convertidores se inicia con las ecua- clones de woltaje de Ins inductancias y corriente de los condensadores en cada intervalo e fancionamiento.Un intervalo de funcionamiento es una fraceién de tiempo donde el interruptor permanece en una psicién. La razén por In que se obtiene el voltaje de la induetancie es debido al principio de Balance Voltios-Segundo que establece que el valor promedio de la tensién en las inductancias es cero. Asi mismo el Balance de Carga en los condensavlares establece que la corrionte promedio de un condensador es cero En un convertidor bien disefiado, el rizavio de voltaje y de corriente es pequeio. Por tanto, la tensién en la inductancia y la corriente del condensador en cada intervalo de funcionamiento se eonsideran constantes. Entonces, se pucde determinar las pendientes de la cortiente en la inductancia y del voltaje del condensador. Para cl rizado de corriente s¢ utiliza la expresién vy = L# que conduce a = 4. De acuerdo a los valores de vz en cada intervalo, se tiene que la pendiente de In corriente es positiva en el un Intervalo y negativa en el otro con Jo cual se determina el sizado de corriente y voltaje respectivamente. A partir de estas expresiones se ealeula el valor de inductancin necesnria para obtener Ia magnitudes de rizado deseada. Para cl rizadlo de tensin en el condensador se usa Ia expresion io = CM y ee obtiene el grafico de la tensign en ol condensadar con cl rizado incluido ¥ de esa expresién se determina el valor necesario de condensedor para Jograr el rizado de tensién deseado, La actividad que se plantea est4 orientada a obtener la relacién de conversién de cada convertidor de la Figura 2; calcular los valores de la bobina y el condensadlor para obtener un rizaco deseado: y, encontrar Ins caracteristieas minimas de los semiconductores 2.1. Identificacién de las variables y dibujo de los intervalos de funcionamiento Identifique las variables en el cizcuito: corriente en la bobina, voltaje en el conden- sador Dibuje los circuitos de cada intervalo que resultan de cada posicién del interrupter. ‘ddentifique las cortientes y los voltajes de cada elemento, 2.2. Escritura de ecuaciones de circuitos Escriba Ins ecuaciones de la(s) tensi6n(es) en la(s) inductancia(s) v de voltaje en los condensadores para cada intervalo. Exprese estas variables en términos de los voltajes cen condensadotes, corrientes de inductancias y voltaje de fuente. 2.3. Aproximacién de pequefio rizado. El analisis de los convertidores se facilita cuando se aplica Ia aproximacidn de pequefio rizado que consiste en despreciar ol rizado de In corriente en las bobinas, el rizado de las ‘tensiones en los condensadores y el rizado de la fuente de alimentacién. Las ecuaciones de voltaje on las inductancias y de corriente en los condensadores durante cada intervalo deben contener tinicamente valores de cantidades constantes, esto es, deben expresarse ‘cn térmiinos de las corrientes de bobinas, voltaje de eapaeitores y voltaje de fuente.a (o) SEPIC (4) Buck con filtro de entrada Figura 2: Convertidares para céleulo de relacién de conversién y dimensionamiento de elementos24. Aplicacién de balance de V.s Expres dl valor medio de Ia tensién en Ia incuctancia considerando que el interruptor ‘permaneee en Ia posicién I durante un tiempo DT, y en la posicién 2 durante un tiempo DTT,, Debido a que el valor medio de la tonsién en las inductancias es coro, esta expresion permite encontrar la relacién de conversi6n del circuito Af en términos del cielo de trabajo D. Eseriba Ia relacién M(D). 25. Aplicacién de balance de carga Exprese el valor medio de le corriente en el condensador consicerando las ecuaciones ‘obtenidas para cada intervalo. El valor medio de la corriente en el condensador ex cero. ‘De aqui se obtiene la relacién de corrientes en el circuito en términos del ciclo de trabajo D. Excciba la relacidn entre las corrientes de la inductancia y la corriente de carga, 2.6. Dimensionamiento de elementos de almacenamiento Encuentre las expresiones para el céleulo de los valores de la inductancia y del con= densador en términos del rizado de corriente y rizado de voltaje deseados en ol cireuito. El rizado de eorriente y el rizado de voltaje sou datos de diseho. Para este propésito considere la tensién de Ia inductancia en cada intervalo y obtenga la pendiente de la cortiente. Tome en cuenta la polaridad de la tensién para determinar si la pendiente es ascendente o descendente. Realice el grafico de la corriente durante un periodo de con- muitacién, Para el cfleulo del riando de tensiGn en el condensador considere Ia cortiente del condensador en cada intervalo y dibuje el gréfico de In tensin en el condensador que ineluye el rizado. 3. Pérdidas de conduccién, Modelado mediante Transformador DC La funeién principal de cualquier convertidor de-e es In transformacién de los nive- les de voltaje y corriente DC con un 100% de eficiencin. La eficiencia de un convertidor disminuye debido a las pérdidas de potencia en su interior. Un tipo de pérdida de po ‘tencia constituyen las pérdidas de conduccién en los clementos. Las bobinas tienen una resistencia, los MOSFET presentan una resistencia en conduccién, los diodos requieren una tensién de tumbral para. conducir. Las pérdidas de conduecién del convertidor pueden calcularse con el uso de ws mo- delado del convertidor mediante un transformador DC. El modelo puede ser manipuledo ¥ resuelto ficilmente usando Ins téenicas familiares del andlisis de circuitos. Fl mode Jo permite ealcular los voltajes, corrientes y eficiecia de los convertidores précticos no ideales. En general, el cixcuito equivalente como transformador DC de un convertidor puede ser deducido a partir de Ins ecnaciones de balance valtios segundo del inductor y de carga en el capacitor. Los eircuitos equivalentes son construidos de tal forma que sus ecuaciones de lazo y nodo coincidan con Ins ecuaciones de balance voltios-seg y carga. EnJos convertidores que tienen una corriente de entrada pulsaite, se requiere una ecuacién adicional para modclar el puerto de entrada del convertidor. Esta ccuacién se obtiene promediando In corriente de entrada al convertidor. En esta actividad se realizard el anélisis y modelado de cada convertidar de la Figura 3 eonsiderando la Ryn del transistor, 1 voltaje directo de conduccién del diodo Vi y la resistencia del devanado del inductor Ry, como elementos de pérdida de potencia. 3.1. Obtencién de las ecuaciones de (v1) (ic) Dibuje Jos circuitos que resultan en cada posicidn del interruptor. identifique las ccortientes ¥ los voltajes de cada elemento, Escriba las ecunciones de la(s) tensidn(es) en Ja(s) inductancia(s) v de voltaje en los condensadlores. Exprese estas variables en términos de los voltajes en condensadores, corvientes de inductancias y voltaje de fuente. Aplique Jos principios de balance V.s y balanee de carga para obtener las expresiones de (vz) € (ic) 3.2. Obtencicn de los circuitos equivalentes Las expresiones de (v1) © (ic) conducen a tn obtencién de nn cireuito equivalente ‘que al ser resuelto produce estas ecuaciones. Para ello se dibuja In inductancia a través die Ia cual circula la corriente I. y en In que se tiene una tensién (vj), se identificn In expresiGn tomo tina ecuncin de lazo do circuito. Se dibuja.cada término de la expresi6n ‘dentificando cada clemento como fuente dependiente, fuente independiente o resistencia, El mismo proceso s¢ realiza para cl condensador pero en este caso Ia ccurcién debe fnterpretarse como una ecuiacién de nodo. La corriente de la. fuente en términos de In corriente /, determina el circuito equivalente del puerto de entrada. Obtenga los circuitos ‘equivalentes. 3.3. Modelo mediante transformador DC En el citeuito equivalente se puede icemtificar las fuentes dependientes que en conjun- to forman un transformador DC. Sustituya las fuentes dependientes por cl transformadar correspondiente. Identifique Ia relacidn de vueltas y la ubicacién de los puntos en el trans- formador que definen la polaridad con que estén relacionados el primario v el secundatio. 3.4. Caleulo de la eficiencia El calculo de la eficiencia requiere ealcular las relaciones de voltaje ¥ cortiente, Estas relaciones se realizan entre las variables del puerto de salida versus las variables del puerto de entrada. Los céleulos se facilitan mediante manipulaciones al circuito que se realizan por la presenela del transformador ideal DC. Se pueden pasar clementos del primatio al secundario y viceversa hasta obtener un circuito de facil solucién para obtoner la rolacién de conversién del circuito practico no ideal y como eonsecuencia Ia cficiencla del convertidor.(b) Buck con Rlto de entrada (2) Buck (o) SEPIC Figura % Fsquemas para obtencién del modelo equivalente mediante transformador y cfleulo de eficiencia 4. Pérdidas de conmutacién Un tipo importante de pérdidas en los convertidores son las pérdidas de conumtae ign. Estas se producen debido al retardo que presentan los diodos principalmente en el paso de conduccién a corte, Debido « la presencia de una gran cantidad de portadores ‘minoritatios en la regién cercana a la juntura, ocurre que toma tiempo desalojatlos para que el diodo deje de conducir. Dos parkmetros influyen en el céleulo de las pérdidas de conmutacién: t, que es ol tiempo de recuperacién inversa y Q, In carga de recuperacién, Las pérdidas de conducci6n del convertidor pueden caleularse con el use de un mo- delado del convertidor mediante un cireuito que traduce los pardmetros en fuentes de- pendientes de cortiente. Para ello se requiere analizar el efecto de la corriente del diodo en los elementos cercanos del circnito. El modelo permite ealcular los voltajes, corrientes y eficiencia de los convertidores La figura 4 muestra el procedimiento de andlisis para un convertidor tipo Buck. Se observa que el modelo se obticne mediante el céleulo de In corriente promedio de la fuente ‘partir de la forma de onda donde se refleja el efecto del retardo de tiempo en el paso. de conduccién a corte del diodo La figura muestra el procedimiento de andlisis para ‘un convertidar tipo Boost, En este caso cl modelo se obtiene considerando cl balance dde carga en el condensador que indica que (i.) = 0. El retardo de tiempo en el paso de ‘conduccisn a corte del diodo se refleja en In ccuncién: (ie) = (ip) | vf.: (b) Modelo de antiss (@) Buck Figura 1: Pérdidas de conmitacién en convertidor Buck (b) Modelo de antic (a) Buck Figura 5: Pérdidas de conmutacién en convertidor BoostEn cst actividad se realizara cl andlisis y modelado de eada convertidor de la Figura 6 considerando el t, y Q,- del diodo y el célculo de la eficiencia de los circuitos, (b) Buck con filtro de entrada (o) SEPIC Figura 6: Esquemas para obtencién de eficiencin por pétdidas de conmutacién 4.1, Calcul de la eficiencia El céleulo de la eficiencia requiere calcular las relaciones de voltaje y corriente. Estas telaciones se realizan entre las variables del puerto de salida versus las variables del puerto de entrada. 5. Realizacién y dimensionamiento La realizacién de los interruptores consiste en reemplazarlos mediante dispositivos semiconductors. Debido a que los semiconductores tienen dos terminales ss funciona ‘miento se asemeja al de interruptores SPST (simple polo simple carrera). Sin embargo, xormalimente lo que se requiere en los convertidores ¢s interruptores SPDT (simple polo doble carrera). Dos interruptores SPST equivalen apreximadamente a un SPDT, siempee ‘que se evite la condiciGn de que los dos SPST estén cerrados( o sbiertos) a la vez puesto ‘que esto no ocurre en el SPDT. Para defini el tipo de elemento semiconductor a ser utilizado se debe conocer los ‘cundrantes de funcionamiento de los dispositivos semiconductores. Esta caracterizacion 4e los dispositivos utiliza un sistema de coordenadas que representa en el eje de abscisas Je tensidn. y en el eje de Ins ordenadas In corriente a través del dispositive, Por ejemplo‘un diodo se caractetiza por funcionar en el seguudo cuacirante porque Ia tensién que aparece en sus termninales es negativa cuando esta abierto y la corriente es positiva ‘cuando conduce. Aqui se da por sentado que la definicin de la tensidn es dle énodo con respecto al cétodo y la cotriente se define ingresando por el anodo, Sin embargo. se puede también considerar Ja definicién en sentido contrario es decir Ia tensién de céitodo con respecto al Anodo en cuyo caso la corriente quedaria definida ingresando por el cétodo y el cuadrante de funcionamionto sera el cuarto euadrante, Del proceso de realizacién se obtienen las caracteristicas bésieas para ol dimensio- namiento de Jos elementos semniconductores. Estas caracteristicas biisicas coustituyen: el voltaje de bloqueo al que esta expuesto ol semiconductor en el cizeuito cuando est en Ja condicién de corte y la corriente que lo atravieza cuando esté en la condi conduceisn, En esta actividad se plantea la Realizacion de los circuits de Ia Figura 7 5.1, Reemplazo de los interruptores SPDT por interruptores SPST. Dibuje el circuito equivalente do reemplazar el interruptor SPDT por dos interrup- tores SPST. Identifique la corriente y In tensidn en cada interruptor SPST. 52 _Obtencién de las expresiones de tensién y corriente a través de los interruptores SPST Dibuje el eireuito equivalente para cada intervalo y encuentre las expresiones para In ‘corriente y tensica de cada interruptor SPST. La corriente debe encontrarse en términos de Ia corriente en le inductancia y la corriente de carga. La tensién debe expresarse en ‘términos de la tensién en el condensador y del voltaje de Ia fuente. 5.3. Determinacién de cuadrantes de operacién Analice en base a las expresiones obtenidas el sentido de In corviente y la polaridad de Ia tensién en los interruptores SPST. Realice un barrido de los valores del ciclo de trabajo para realizar este andlisis. 5.4. Realizacién de los interruptores SPST Realice eada interruptor considerando los cuadrantes de operacién de los interrupto= res SPST en el convertidor, Dilnje et cireuito convertidar cou los semiconductores. 5.5. Dimensionamiento de semiconductores Encuentre las expresiones para cl eficulo de Ia tensién de bloqueo y de la corriente ‘que atravieza a cada semiconductor del convertidor. La tensién de bloquco del semicon- ductor se define como la maxima tensién que el circuito produce en los terminales del semiconductor.Figura 7: Esquemas de Convertidores DC a DC para resolver la Realizacién, ulModo de conduccién discontinuo Se ha anotado que en un convertidor bien diseflado, el rizado de wotaje y de corricnte ‘es pequciio y como consoeencia In tensidn en la inductancia v la corriente del conden- sador en cada intervalo de funcionamiento se consideran constantes. Bl rizado pequetio de corriente se asegura con um valor de inductancia suficientemente grande y el rizado pequetio de voltaje se logra con una eapacitancin suficientemente grande. La idea central para el andlisis de convertidores en modo diseontinuo es que si una induetancia no es lo suficientemente grande el rizado de Ia corriente que la atravieza se vuelve comparable al valor medio ¥ por tanto puede producinse la extineidn de la corriente de Ia inductancia y provocar el apagndo del semiconeluctor relacionado lo que constituye wn tercer intervalo de fancionamiento con lo que el eonvertidor se dice trabaja en modo diseontinuo DCM Existen convertidores que se disefian para trabajar en el modo discontinue DCM, En ‘te modo de funcionamiento el rizado de la corriente de Ia inductancia excede al valor ‘medio de la corriente y en cl anélisis se ineluye las ecuaciones del tereer intervalo El fincionamiento en el Kimite entre cl modo de conduccién continue CCM y el modo DCM se conoce como modo frontera, Las condiciones para el funcionamiento el convertidor en el modo frontera se obtienen del andlisis en el modo continuo ¥ se etemninan por la condicién que el rizado pico de la corriente en el inductor valor medio. Esta condicién puede expresarse ce mejor manera mtilizando dos constantes: Ky Kens. La constante K esta definida en términos de los elements del circuito y In frecuencia de conmutaciOn K = 2c, mientras que Ia constante Keri esta definida por Ja configuracin del convertidor y cs una funcién del ciclo de trabajo D. La actividad ‘que se plantea es cl anflisis del modo discontinuo de los couvertidores de In Figura 8 61. Obtencién de la relacién de voltaje y corriente en modo continuo Obtenga la relacién de voltaje mediante el principio de balance Voltiossee y la relacién de cortiente aplicando cl balance de carga, 6.2, Calculo del rizado de corriente de inductancia y determinacién de Kn Bl rizado de corriente en Ia inductancia resulta de caleular el voltaje de In inductancia en cada intervalo ¥ Inego aplicar la expresion 4 — }. Bl valor de Kore se obtionc igualando el valor DC de la corriente con el valor pico del rizado, es decir, considerando e! modo frontern del convestidor. 6.3, Obtencin de la relacién de conversién DCM En el modo discontinuo aparoce un torcer intervalo. El balance de carga debe reali- zarse incluyendo ese tercer intervalo. El balance de carga considera ahora que i, ya.no es constante. Encontrar una expresién que relacione el valor medio de la corriente en el condensador con el valor medio de la corriente pulsante presente en el semiconductor correspondiente del circuito. Obtenga la relacién de conversién. 2‘Figura 8: Esquemas de convertidores para analizar el mado discontinno DCMConvertidores con transformador Un transformador permite obtener aislamicnto eléctrico entre los devanados. En los cireuitos convertidores los transformaclores trabajan a frecuencias de decenas de Kilo- Hertz con lo cual su tamafo se reduce comparado con el de transformastores de baja frecuencia. Bl transformador en los convertidores permite mavor raugo eu Ia relacion de conversion de voltajes y corrientes En el anélisis do circuitos convertidores con transformador se debe prostar especial atencién a la polaridad de las tensiones y corrientes que se identifican en el circuito. La relacién de voltajes y corrientes en un transformador ideal se establece considerando el terminal marcado con punto. $i el terminal positivo de las tensiones coincice donde esta ubicado el punto y asi mismo si las corrientes en los devanados estiin ingresando ppor los puntos, Ins ecuaciones que describen el transformartor ideal son: Baa MH y nis tain tryin t Ei modelo basico de un transformador real esté compuesto de una inductancia de snagnetizacién y un transformador ideal. Fste modelo resulta de considerar al transfor- ‘mador con el devanado secundario abierto en cuyo caso se medirfa entre sus terminales la inductancia de magnetizacién, En el modelo, entonees, la inductancia de magnetizacién stdin paralelo con uno de los devanados de un transformactor ideal. En el analisis de circuitos converticores es importante considerar el Reseteo de los ‘transformadores en cada periodo de conrmutacién. El Resetea es el mecanismo mediante cl cual se produce el balance Voltiowsegundo en el transformador. Si no se Resetea ol transformador se produce la saturacién de la bobina de magnetizacién lo cual significa ‘que el transformador es précticamente un eortocireuito y puede provocar fallo en lox ‘elementos del circuito. Para el calculo del Reseteo se utiliza el balance Voltios-segrindo sobre la inductancia de magnetizacién. La actividad que se plantea es el andlisis de los convertidores con transfortnador de Ja Figura 9. El anzlisis incluye retacién de conversién, modelo con transformador ideal para evaluar la eficiencia por pérdidas de conduccién y ol andlisis de las pérdidas de commutacién. 7.1, Analisis de convertidores con transformador. Circuitos en cada intervalo Dibuje fos cireuitos equivalentes para cada intervalo. El transformador real es reem- plazado por una Inductancin de magnetizacién en paralelo con un transformador ideal. 7.2. Obtencién de las relaciones de conversion Aplique los principios de balance Voltios.segundo y balance de carga para obtener Jas relaciones de conversién de Voltaje y corriente. “© Figura 9: Esquemas de Convertidores DC a DC con transformador8. Modelado AC de convertidores Los convertidores comerciales inchuyen tn lego de realimentacién que permite mante- ner constant Ia tensin de salida frente a posibles perturbaciones como son Ins variacio- nes del valor de ln earga y varlactones de la magnitud de la fuente de alimentacién. Para ¢l disefio del Inzo de realimentacién utilizando In Weoria clasiea de control se requiere disponer de Ia funcién de transferencia del proceso. Un lnzo de control utiliza la senal de error entre el valor medido y el valor desoado, Esta sehial de error ingresa al controlador ‘que roaceiona para corregir ese crror mediante la aplicacién de cambios al valor de ciclo Ae trabajo del cireuito de potencin, El modelo AC de los convertidores conduce a Ia funcién de transferencia del conver- Lidor que se obtiene aplicando la vorfa de cireuitos. 8.1. Circuitos en cada intervalo Dibuje los circuitos equivalentes para cada intervalo de funcionamiento considerando 2 los dispositivas como interruptores ideales. Por lo general el transistor conduee durante dl tiempo as. 82. Escritura de ecuaciones ‘Escriba las ecuaciones para las tensiones en las bobinas y las ecuaciones para Ins corrientes en los condensadores. realiee esto para cad intervalo de funcionami cireuito. Identifique en cada circuito las variables de las ecnaciones. nto del 8.3. Aproximacién de pequefo rizado Aplique la aproximacién de pequeiio rizado para las variables adecuadas voltaje de fuente. corriente de bobinas y voltaje de condensadores( vy, iz. 1c). Esto significa reem- plazar vy = (v(t), six = Ex(), ¥ ve © (Uel))ry- Realice esto para las ecunciones del numeral anterior. 8.4. Ecuaciones promediadas CObtengn Ins ceuaciones de Lemsidn promedio (vz(t))ry en Ins bobinas y de eorriente promedio (ic(t))p, en los eondensadores. Utilice el nombre d para representar el ciclo de tabajo. Estas ectiaciones corresponden a as del principio de balanet wltie-segundo en Ins bobinnsy de balace de carga on tos condensadores. Pero ahora (¥(2))x, = L2eeht= «© (iol), = C=, Aqul debe obtener las ecunciones diferenciales de ls tensiones promedio en bobints y de ooriente promo en condensaores. 8.5. Linealizacién Realice el proceso de linealizacién para lo cual reemplace las variables promedin- das por un valor constante ¥ una variacién asi: (volt), = V_ + vpitin(@))r, = Tn + 16in:(vc(t))y, = Ve + verd = D +d. Identifique los términos DC, los términos AC y los ‘términos de segundo orden, 8.6. Ecuaciones diferenciales lineales Excriba las ectaciones diferencialeslincales de modelado AC, es decir, las ecunciones de uy e ie. Recuerde que vi, = Lp y ie — CHE 8.7. Circuito equivalente de AC ‘Obteuga cl circuito equivalente de AC. Identifique las fuentes dependientes mediante un recténgulo y las fuentes independientes con un efrculo, Incluya la polaridad y el valor de cada fuente, Para construir el circuito debe utilizar las ecusciones obtenidas en cl ‘numeral anterior 8.8. Modelo con transformador ideal Identifique las fuentes dependientes que pueden ser reemplazadas mediante un trans formador y realice el reemplazo. Dibuje el circuito equivalente final. Tome en cuenta Ia ubieacién de los puntos y Ia relacién de transformaciéu de los transformadores ideales, 7Convertidores DC-AC Victor Proaiio 18 de octubre de 2016 1. Inversores Los convertidores DC-AC se llaiman inversores y tienen como funcién convertie Ia tensiGn continua en tensién alterna. de la amplitud y frecuencia deseadn. La earga prin cipal de Tos inversores son motores de CA en los cuales es necesario garantizar una forma dc onda lo més semejante a la sinusoidal para evitar el ruido audible de los arménicos y también maximizar la efieencia puesto que el tinico arménico que produce par mecénico efectivo en el motor es el fundamental, el resto de los arménicas no producen par, pero producen corrientes adicionales por los bobinaclos con las pérdidas en el cabre v en el hierro asociadlas. 1.1. _Inversor con modulacidn de ancho de pulso En estos inversores el voltaje DC de entrada es esencialmente constante, Por tanto, el inversor debe controlar Ia magnitud y In frecuencia de los voltajes de salida AC. Esto se realiza por Ia modiulacién de ancho de pulso PWM de los interruptores de! inversor. Existen varios esquemas para modular por ancho de pulse los interruptores del inversor para lograr que la la forma de los voltajes AC de salida sca lo mas cercana a una onda senoidal. Uno de estos esquemas se conoce como SPWM: modulacién de ancho de pulso senoidal, 1.2. _Inversor de onda cuadrada En estos inversores, el voltaje de entrada de es ajusiado para controlar In magnitud del voltaje AC, ¥ por tanto el inversor solo tiene que controlar la frecuencia del voltaje de salida. Bl voltaje AC de salida tien uns forma de onda similar a una onda cuadrada ¥ por tanto estos inversores son Ilamados inversores de onda cuadenda. 1.3, Ideas basicas Debido a que el inversor alimenta a una carga induetiva como un motor ac, la co- rriente i, rotarda al voltaje u, como se muestra en la figura 1. Las figuras muestran que durante el intervalo 1, ve i, son positivas, mientras que durante el intervalo 3, vs ei son negativas. Por tanto, durante los intervalos 1 y 3 el flujo de potencia instantinea 1desde el Indo DC hacia el lado AC, lo que corressponde a un modo de operaci Tnversor. Eu contraste, vp ¢ iy son de signos opuestas durante los intervlaos 2 y 4, y por’ tanto el lujo de potencia es desde el lado AC hacia cl lado DC Jo que corresponde a una. operacién en modo: Rectificador. Por tanto, ol esquema inversor presentado es capa de operar en los cuatto cuadrantes del plano i, ~ 1,, durante cada ciclo de la salida AC. Figura 1: Esquema, voltaje de salida vy y corriente i, y modos de operacién en un inversor monofisico, EJERCICIO Determine el modo de operacién del inversor para cada instante de tiempo, f ~ 60 w = Oxf, vp = 120/Bsin(wt), i, = 15sin(wt —£), a) 0; b) 4.2 ms, 6) t=8,8ms, d)t=12.4ms, ¢) t=16,6ms. Defina los intervalos de tiempo durante un perfodo en que el inversor opera a) coro inversor y b) como rectifcador1.4, Esquema de conmutacién con modulacién de ancho de pulso PWM El control por ancho de pulso es caracteristicn de los conversores DC-DC. Una sefal de control temiret (Constante © que varia lentamente en el tiempo) es comparada con ‘une forma de onda trinugular con In frecuencia de conmutacion para generar las sofas de conmutacién de los interruptores. Mediante el control de los ciclos de trabajo de la conmutacién se controla el valor medio del voltaje de salida. En los cireutos inversores, Ja modiulaeién de ancho de pulso es un poco ms complela, debido a que se deson que el Jnversor tenga una salida senoidal con magnitud y frecuencia controlabie. Pata producie tuna forma de onda senoida a tna frecuencia deseada, se compara tia onda senoidal de control Ia frecuencin deseada con una onda triangular. La frecuencia de la fornin de onda triangular estableco Ia frecuencia de conmutacin del inversor yes goneralmeute smantenida con su amplitud constaite Vrigig ‘La forma de onda triangular ty,; es a la frecuencia de conmutacién, que establece la frecuencia con que cl inversor es conmutado (f, es también conocida como Ia frecuencia de la portadora). La sefial de control veonérot 63 usadn para modular el ciclo de trabajo de. Jn conmutacién y tiene una frecuencia /;, «que ex Ia frecuencia fundamental desendn de a salida de voltae del inversor (J; es llamada In fecuencia modulante), reonociendo que cel voltaje de solide del inversor no seri una perfecta onda senoidal y que contendrd com. onentes a frecuencins arménicas de fi. La relacién de modulacién dle amplitud my se define como: mg = Veentatnc/ Varian. La relacién de moculacidn de frecuencia my se define como: my = f./fi. Figura 2: Esquema de un inversor monofésieo de medio puente En el inversor, ver la figura 2 los interruptores $1 y Sp son controlados a partir de la comparacton de Vemtret ¥ teri. El voltaje de salida r, es independiente de ip, EL funcionamiento del circuito quo controla la. apertura y cierre de los interruptores Sty Sa es cl siguiente: cuando tantret > Vier, $y esté en conduccién y v, = V4/2. Si Veontrot < Uiri, $2 esté en conduccién, ty = —V4/2. Debido a que los dos interruptores nunca se abren simulténeamente, el voltaje de salida vp fluctiia entre los dos valores (Vz/2 y ~Vj/2). El voltaje v, y su componente defrecuencin fundamental v/andanentl(linea punteada) se muestran en la figura 3 que se han dibujado para my = 15 y my ~ 0.8, Figura 3: Formas de onda de vyr;. vcontrot » Yo ¥ Vo.fundamental: etmonicos cou amplitud significativa en un inversor monofésico SPWM. Se muestra el espectzo de arménicos de v, donde se representa los voltajes erméni- os normalizades (Vo co)a/(Wa/2) con amplitud significativa, Este grafico muestra tres aspectos importantes 1, La amplitud pieo de le componente fundamental es my veees Vj/2. Esto puede explicarse primero considerande un Yayairl Coustante. Esto results en una fortua de onda de salida tp. Se pude notar que el voltaje de salida promedio (0 més especfficamente, el voltaje de Salida promediado sobre un perioda de conmutacién T, — 1/f.) Vs depende de la relacidn de vemuiret & Viripice Pare un voltaje dado Vj. Varta # ‘Asumn ahora (nungue esta suposicin no e9 neceuatin) QUE Yantra YAFEA InLy POCO durante un periodo de conmutacién, esto es my es grande, Por tanto, asumiendo que 4contrat 08 constante sobre un period de tiempo de conmutacién. La ecuacién indica como l valor "promedio instanténco”de vp (promediado sobre un perfodo de coumutacién Ts) varia de un perfodo de conmutacién al siguiente. Este promedio instanténeo es el mismo que la componente fundamental de frecuencia de up. El argumento precedente muestra POFAUE Vemtrot 8 eSCORe Sendoidal para proveer un voltaje de salida senoidal con pocos EJERCICIO Considere un inversor con modulacién PWM donde my = 17. mg = 0,7. Vz = 24V. w = 2r,60rad/s, Uiontrot = 5sin(wt). Determine Vo (el valor promedio instanténeo de vp) para los siguientes instantes de tiempo a) t=0; b) t=4.2 ms, ¢) t-8.3ms, d)t=12.4ms, c) t=16,6ms o Figura 4: Control de los interruptores del inversor mediante SPWM En la figura 4 se muestra el funcionamiento de la modulacién SPWM. Considere que el voltaje de control varia senoidalmente en la frecuencia f; = w/2r, que es In freewencia deseada de la salida del inversor: Veontrotpin Sin(w;4). donde Vomtrat Veamirt nico $ Vir pico Utilizando los arguments indicados se demuestra que la componente de frecuencia fine damental del voltaje de salide varin on forma senoidal y en fase con Uronirot € decit ronan = “sta singwt) Sf osfundamentat = Ma sin(wt) 4, para my < 1,0, por tanto Vonico = Mut sta cuncién fnaente muestra que en uaa modulacdn PWM, la amplitude la compo- nente de frecuencia fadnmcaal del voltaje de anlida vata linemen cone (scape que m, < 1,0). Por tanto. cl rango de m, desde 0 a 1 es referido como el rango lineal. 52 Les arméaicos en la forma de onda del voltaje de salida del inversor aparecen como anda: Interales centradas alrededor de la frecuencia de conmutacion y sus miltiplos, esto es, alrededor de los arménicos my.2m,. 3my. oteétera, Este patrén general ¢s cierto para todos les walores de m, en el rango de 0 a 1.0. Para una relacién de modulacién de frecuencia my < 9 ( que es siempro ol caso, exeopto en potencias muy alta), las amplitudes arménicas son casi independientes de my aunque my define las frecuencias ‘en las que elles ocurren, Tedricamente, Ins frecuencias en las que los arménicos de voltaje ‘curren pueden indicarse como: r= Gimy th esto es, el arménico de orden fe corresponde a la kesima banda Interal de j voves Ia relacién de frecuencia my. f= Gimp +h) donde la frecuencia fundamental corresponde a h = 1. Para valores impares de j, los arménicos existen solo para valores pares de k. Para valores pares de j los arménicos existen solo en valores impares de f. En la figura 5 se tabulan los arménicos normalizados m, h DT oti OF oii OO i SirreBBa wesnckll 1 6204 pg ET Tp: Fundamensal my 1.242 1.15 1.006 0.818 0.601 m2 0,016 0.061 0.131 0.220 0.318 me4 0.018 0.190 0.326 0.370 0.314 0.181 0.024 0.071 0.139 0.212 0.013 3 0.335 0.123 0.083 0.171 0.113 Fe it it ae +2 0.04 0.139 0.203 0.176 0.062 3m, +4 0.012 0.047 0.108 0.157 3m, * 6 0.016 0.048 4m, = 1 0.163 0.157 0.008 0.105 0.068 4m, +3 0.012 0.070 0.132, OS 0.009 4m, +5 0.034 0.084 0.119 Amy £7 0.017 0.050 Figura 5: Tabla de arménicos de v, para valores grandes de my Vonsico/Md como fancién de Ia relacion de modulaciu de axnplitud img, asuimiendo my £9. Se mucstran solo aquellos ampli sgnficativas hasta j= 4 63. Bl arménico my debe ser un niimero impar. Escogiendo my como un uimero impar resulta una simetria impar [f(—8) = —f() asf como simetria de media onda (s(t) =—J(¢4+ 71/2) con el origen de tiempo mostrado en la figura 3 que esté dibujada para my = 15, Por tanto, solo arménicos pares estin presentes ¥ los arménicos impares -desaparecen de Is forma de onda de vy. Més ajin. aparecen solo los coeficientes senoidales de la serie de Foutier, pues los términos cosenoidales son cero, El espectro armuico se iuestra en ln figura 9). BIERCICIO| Fn el cireuito inversor de medio puente, Vg = 300V, mg = 0.8, my = 25, y In frecuencia fundamental es 60/72. Caleule el valor rms de In componente fundamental del voltaje y algunos de los arménicos dominantes en vp usando la tabla, Para elegir la frecuencia de conmutacion y la relaciGn de la frecuencia de modulacién my se debe considerar los siguientes aspectas. Primero, debido a ln relativa facilidad: de filtear los arménicos de alts freenencins es deseable utilizar In més alta frecuencia posible, pero esto tienen una desventaja significativa: las pérdidas de contain en los inversores aumentan proporcionalmente con la frecuencia de conmutacién f,. Por tanto en la mayoria de aplicaciones , la frecuencia de conmutacién se escoge ya sea menor que 6K: 0 mayor que 20K H: para estar sobre cl rango audible. Sila frecuencia de cconmutacicn éptima (basal en cl desempeio tlobal del sistema) resulta que esté entre 6 y 20K He, entonees las desventajas de aumentarla 8 2041 son a menudo sobrellevadas por Ia ventaja de que no hay ruido audible con f, de 20K H= o mds. Por tanto, en aplicaciones del tipo de 50 0 60 Hz tales como los nccionactores de motores (donde Ia frecuencia fundamental del inversor puede requerirse que sea tan alta como 200 Hz) la relacién de la modulaein de frecuencia my puede ser 9 0 atin menor para las frecuencias de conmutacién de menos de 2KHe, Por otro Indo, mis werd mits geande que 100 para frecuencias de conmutacién mayores a 20KHz. Las relaciones deseables entre las formas de onda de sei triangular y seial de control estén definidas por cuan grande os my. En Ia discusin que sigue my = 21 s0 trata como une linea de fronvera entre grande ‘pequefio, aunque esta seleccién es en cierta forma arbitraria. Se asume que Ja relacién de modulacién de amplitud 1mq es menor que 1.0. Para valores de my < 21 la onda triangular debe sineronizarse con I onda de control lo que reauiere que my sea entero, Esto es para evitar los subarinénicos. Por otro lado my debe ser tn entero impar. Para valores de my > 21 los subseménicos son pequeiios. Se puede usar PWM asincrénico manteniendo la frecuencia de la onda triangular mientras la frecuencia de Ucomirai Varia. lo que significa que my puede sor un valor no entero, $i In carga es tun motor de ac los subarménicas a frecuencia cero o eercana a cero pueden product cortientes grandes que son altamonte indeseables, Por ello el PWM asinerénico debe evitarse en estos casos. 1.4.1, Sobremodulacién Para aumentar la amplitud de la componente de frecuencia fundamental en el vole taje de salida, se puede aumentar mg sobre el valor de 1.0. En este caso resulta lo que se conoce como sobremodulacidn. La sobremodulacién produce que el voltaje de sa- lida contenga muchos més arménicos on las bandas latcrales comparadas con el rango 7SF a ne wt Figura 6: Arménicos debidos « la sobremodulacién, para me = 2,5 y my = 15 lineal(m, = 1) como se muestra en la figura 6. Los arménicos con amplitudes dominantes en el rango lineal pueden no ser dominantes con sobremodulacién. Con sobremodula- cién lo més importante radica en que ln amplitud de la componente fundamental de frocwencia no vari Tinealmente con la relacién de modulacién de amplitud ma, La figura 7 muestra como la amplitud pico normalizada de la componente fundamental de fre- ‘cuencia Vi sundomentalpico/ 4 depende de m, en la regién de sobremodulacién. Esto es contrario 8 lo que ocurre en el rango lineal donde Ve, jundamentatpico/ 4! varia linealmen- te con my casi independiente de my (sicmpre que my > 9). Con sobremodulacién sin Importar el valor de my se recomienda user In operaciéu PWM sincrénica, cumpliendo Jos roquerimientos indicados anteriormente para valores pequeiios de my. La resién de sobremodulacién se evita en tas fuentes ininterrumpibles de energin UPS debido a la distorsién arménien del voltaje do valida. En motores de induceién en cambio. la so- bremodulneién se usa normalmente. Para valores grandes de my el voltaje del inversor se dogenera de la forma de onda modulada en PWM hacia una forma cuadrada. Ex sobremodulacin, con ma > 1 se tiene: F< Vosundamentalgico < $F EJERCICIO Determine et valor pico minimo y mAximo de In componente fundamental {el voltaje de sald en un inversoralimentado con una tensién de CC Vy = 160V {Tene algtin efecto Ia relacién de freeneneias m, cn el valor pico de Ia componente fmdamental del voltaje de salida? {Es una relacién directa o inversa? 1.5. Esquema de modulacién de onda cuadrada Enel exquema de conmutacién de onda cuaddrada, cada interruptor esté en conduecién un medio ciclo de la frecuencia de salida deseada. Del andlisis de Fourier los valores pico de las componentes de frecuencia fundamental y arménicos en la forms de onda de salida pueden obtenerse para tna entrada Vg como feFigura 7: Efecto de Ia variacién del indice de modulacién de amplitud mg Va, fundamental ico = 3° ¥ Vest pico = Vo fundamenteico/ donde el arménico de orden h toma solo valores impares, como se muestra en la figura 6. Se debe notar que la conmutacién de onda cuadrada es también un caso especial de Ja modulacién senoidel SPWM cuanclo m, llega a ser un valor muy grande tal que la forma de onda del voltaje de coutral interseca con la onda triangular en la figura 5 solo cen el cruce por cero de voonirts Por tanto el voltaje de salida es independiente de mg en Ja regién de onda cuadrarla como indica la figura 8. Una de las ventajas de la operacién de onda cundrada es que cada interruptor del inversor camibin sx estado solo dos veces or ciclo, que es importante en niveles de potencia muy altos donde los interruptores de estado sdlido generalmente tienen menores velocidades de encendido y apagado. Una de Jas serias desventajas de la conmutacién de onda cuadrada es que el inversor no es capaz de regular Ia magnitud del voltaje de salida. Por tanto cl voltaje DC Vy del inversor debe ajustarse para controlar la magnitud del voltaje de salida del inversor JERCICIO Encuentre la amplitud pico de los arménicos de orden 2.3,4.5,8.7.8.9, si Vy 160Se ar a aay ‘igura 8: Forma de onda de v, y componentes arménicos 1.6. Inversores monofésicos 1.6.1. Inversor de medio puente monofésico Figura 9: Inversor de medio puente La figura 9 muestra el inversor de medio puente monofisico. Se conectan en serie dos capacitores do igual valor en paralclo a la tensién DC de entrada y In unin de los capacitores esté a In mitad del potencial, con un voltaje }Vq a través de cada capacitor. Se debe usar capacitancias suficientemente grandes para que sea razonable astumir ue el potencial en el punto o permanece esoneialmente constante con rexpecto al bus negative N dela fuente DC. Por tanto, esta configuracin de cieuito es idéntica al inversor bisivo de wn rams discutido en detalle anteriormente. Asuniendo la countacién PWM, se encuontra que la forma de onda del voltaje de saida seré exactauente como en Ia figura 3 }). Dobe notarse que a pesar de los estados de les interruptores, In corriente entre los dos 10capacitores se divide equitativamente. Cuando 5; esté en conduccién, Ia corrieute ip se divide igualimente entre los dos capacitores. Por tanto los eapacitores estén efectivamente conectados en paralelo en la rama de i, 1.7. Inversores de puente completo Figura 10: Inversor de puente completo Un inversor de puente completo esta mostrado en Ia figura 10. Este inversor consiste de dos inversores de medio puente y es el arreglo preferido para altas potencias. Con el mismo voltaje de entrada DC, el valor maximo de voltaje de salida del inversor de puente completo os el doble del inversor de medio puente. Esto implica que para la ‘misma potencia, Ia corriente de salida y Ins corrientes de los interruptores son Ta mitad de las del inversor de medio puente. En niveles de potencia altos esta es tna ventaja importante puesto que requiere menos eonexién en paralelo do los dispositives. 1.8, PWM con conmutacién de voltaje bipolar Los interruptores opuestos ($i ¥ $1) ¥ (S2 y Ss) de las dos ramas en la figura 10 son conmutaros en parcjas respectivamente. Con este tipo de conmutacién PWM, la forma de onda del voltaje de salida se muestra en la figura 11. La corriente que entrega Im fuente DC del inversor tiene una componente DC y una componente de frecuencia doble, sis se considera filtros a la entrada y salida del inversor. EJERCICIO Considere un inversor de puente completo con conmutaciin PWM bipolar donde Va=12V, ma = 0.8, my = 17. La frecuencia fundamental dev, es 60H2. Determine Ja amplitud de cinco componentes de frecuencia de Ia mayor amplitud presentes en la forma de onda del voltaje de salida 2.ae Figura 11: Formas de onda PWM bipolar 1.9. PWM con conmutacién de voltaje unipolar Ena conmutacién unipolar de voltaje, los interruptores en Ins dos ramas del inversor de puente completo no se conmutan simulténeeamente, Aqui, cada rama del puente es controlada sepnrndamente comparando vir; COM Yeontrol ¥ —Vomirat Fespeetivamente. La figura 12 muestra como la comparncién de veonéres Cot la onda triangular resulta en las siguientes sofiales logics quo controlan los interruptores en Ia rama de Si ¥ Sy: Yoantval > Yor $1 en conduecién y vay = Vp Untrat < Vert: Sz en conduecién ¥ vay = Fl voltaje de salida de la rama A con respecto al terminal nogativo N del bus DC ‘esta mostrado en Ie figura 12 b). Para controlar los intervuptores del ramal B. se com- para el voltaje —veontrol con la misma forma de onda triangular, lo que conduce a las siguientes sctiales Iégicas par Ss y Sh. mirol > Pia: Sy en conduccién y ve ~ Va ~Yeonirol < Vir? $4 en conduccién y vay — 0 Las formas de onda ta figura 12 muestran que hay cuatro coubinaciones de interrupotres ‘en estado de conduccién y los niveles de voltaje correspondiente 2wo] ITAL. | : in Figura 12: PWM unipolar LS) ¥ $y en conduccidn: vay = Va, ey = 0: ty = Va 2. Sp y S, en conduccién: vay =O4, vey — Vi to = —Va 3. Sy y Sy en conduccidn: vw = Vs, vay = Va; vp =0 4. Sp y 54 en conduccién: vay =0, tex = 0; % =0 Se observa que cuando ambos interruptores superiores estan en conduceidn, el voltaje de salida es cero. En este tipo de exquema PWM, cuando oenrre una conmutacién, el voltaje de salida cambia entre los niveles de voltaje cero y Vy 0 entre coro y =Vy, Por esta razén, este tipo de esquema PWM se llama PWM con una conmutacién unipolar. Este esquema tiene la ventaja de doblar efectivamente la frecuencia de conmmutacién en cuanto se refiere # los arménicos de salida, en comparacién al esquema de conmutacién bipolar. Taunbién los saltos de voltaje en la salida en cada coumutacién se reduicen a Va en comparacién de 2Vj en el esquema bipolar. 13La weutaja de doblar (cfoctivamente) la frecuencia de conmutacién aparece en cl espectro de arménicus de la forma dv onda de woltaje de salida, donde los arménicos més bajos (en el circuito idealizado) aparocen como banclas Iaterales del doble de la frecuencia de conmutacién. Es ficil entender esto si se escoze Ia relacién de modulacion de frecuencia my un miimero par (my debe ser impar para PWM con conmutacién bipolar) en un inversor mouofisico. Las formas de onda de voltaje vay y tay estén desfasadas IS0° de Ia frecuencia fundamental f; con respecto a la otra. Por tanto, los componentes arménicos en la frecuencia de conmutacién en vay ¥ vpn tienen la misma fase( day — ‘Opy = 180 my = 0°. Bsto resulta en la cancelacién de los componentes arméuicos en la de conmutacién en el voltaje de salida uy ~ vq ~ vay. Ademis las bandas Iaterales de los arménicos de la frecuencia de conmutaciéa desaparecen. En forma similar, los otros arménicos dominantes al doble de la frecuencia de conmutacién se cancelan, mientras que esto no ocurre con sus bandas laterales. Aqui también se tiene que: Yo Sumdamental = MaVa Va

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