21/07/2017

Laboratorio de Electrónica para Fı́sicos-Informe 6

Nota: [ ]

TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

Anderson Julian Becerra (2140303), Jose Miguel Amado Dugarte (2150185), Jhon Stivenson
Pabón Niño (2130578)

Abstract
El transistor es un dispositivo electrónico elaborado por medio de materiales semiconductores, el cual controla
una gran potencia a partir de una pequeña de entrada, por ende su estudio en la electrónica es de vital
importancia. En esta práctica se pretende estudiar el transistor bipolar 2N2222 en sus tres regiones de
operación para una configuración denominada base común y para controlar el encendido de un diodo LED por
medio de la intensidad de luz que se llegar a un fotoresistor.

1. Marco teórico 1.2 Transistor 2N2222

1.1 Transistor Bipolar.
El transistor bipolar es un dispositivo cuya función es entregar
una señal de salida como respuesta a una de entrada, está
compuesto de tres terminales que son base, emisor y colector.
Este transistor puede ser de dos tipos que son PNP y NPN,
estos se muestran a continuación.
Figure 1
Es un transistor de baja potencia de tipo NPN, puede am-
plificar pequeñas tensiones o medias ya que sólo trabaja po-
tencias bajas,por dichas razones es utilizado comúnmente en
aplicaciones en la construcción de dispositivos electrónicos.
1.3 Diodo LED
Es un diodo que al ser atravesado por una corriente eléctrica
emite luz, eléctricamente este se puede comportar como un
diodo de silicio o germanio. Su voltaje de operación se en-
cuentra en valores entre los 1.5V y 2.2V

2. OBJETIVOS
• Identificar a partir de los datos obtenidos en cual región
de operación se encuentra el transistor para una con-
figuración dada, en este caso usamos el transistor en
configuración base común.
Imagen tomada de http://hyperphysics.
phy-astr.gsu.edu/hbase/Solids/trans.html • Evidenciar el comportamiento de un transistor en las
regiones de corte, activa y saturación para una configu-
ración de base común.
El transistor trabaja en tres regiones, las cuales son:
• Evidenciar el funcionamiento de un transistor en las
• Región de corte: El transistor se encuentra en la región regiones de operación de corte y saturación en configu-
de corte cuando no circula corriente por sus terminales, ración de emisor común,usada en este caso para contro-
esto ocasiona que entre el colector y el emisor se com- lar el encendido de un LED a través de la iluminación
porte como un circuito abierto. que incide en un fotoresistor.
• Región activa: Se encuentra en la región activa cuando
el transistor actúa de manera normal, es decir, hay corri-
entes en todos sus terminales. Se encuentra polarizada
la unión base-emisor y en inversa la colector-base, por
lo cual puede actuar como un amplificador.
• Región de saturación: Se encuentra en la región de
saturación cuando la unión base-emisor como la unión
base-emisor se encuentran en directa, en este caso la
unión base-emisor se comporta como un interruptor
cerrado.
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3. Análisis de datos Cuando V1 aumenta a razón de 0,25[v]

Ahora variamos el voltaje V1 a razón de 0,25[v] y se midieron
3.1 Circuito 1-configuración base común los voltajes de las resistencias y los voltajes base-emisor
Se montó el diseño de circuito mostrado en la imagen 2, este VBE [V] y base-colector VBC [V] para cada uno de los val-
diseño corresponde a la configuración base común. ores aumentados de V1 .

Los valores de los componentes del circuito fueron:

R1 con 234,6 [Ω] y R2 con 1006 [Ω]. Vi [V] VR1 [V] VR2 [V] VBE [V] VBC [V]
0,246 0 0 0,243 10,06
0,495 0 0 0,479 10,02
0,741 0,084 0,351 0,68 10,02
1,065 0,382 1,621 1,009 10,02
1,255 0,609 2,538 1,233 10,02
1,517 0,871 3,678 1,499 9,98
1,736 1,04 4,4 1,694 9,98
2,026 1,316 5,59 1,986 9,97
2,258 1,603 6,76 2,266 9,97
2,502 1,806 7,63 2,479 9,96
Figure 2 2,764 2,069 8,74 2,748 9,96
3,054 2,375 9,97 3,048 9,96
3,262 2,542 10,06 3,241 9,95
Primero, los valores de las fuentes fueron V1 ≈ 0 y V2 con Table 2. Voltajes medidos experimentalmente, de izquierda a
9,97[v](DC), luego se hizo variar V1 aumentando ≈ 0,25[v] derecha: voltaje de entrada Vi [V], voltaje en la resistencia 1
hasta llegar a la corriente de saturación en el colector(ICsat ), VR1 [V], voltaje en la resistencia 2 VR2 [V], voltaje
la cual tiene un valor teórico de ICsat−teorico = VR22 = 10[mA]. base-emisor VBE [V] y voltaje base-colector VBC [V]

Primero procedimos a analizar los dos primeros valores

Cuando V1 ≈ 0
Para este valor de las fuente se midieron los voltajes en las
resistencias R1 y R2 los cuales son VR1 y VR2 respectivamente,
también se midieron los voltajes base-emisor VBE y base-
colector VBC .
VR1 [V] VR2 [V] VBE [V] VBC [V]
0 0 9,95 0,006
Table 1. Valores de voltajes medidos experimentalmente en
configuración base común con V1 ≈ 0 y V2 con 9,97[v](DC)
Al no haber diferencia de voltaje en ambas resistencias
podemos concluir que no tenemos corriente circulando por
las mismas, esto implica que la corriente de emisor y colector
es cero, esto analı́ticamente se puede simplificar a modelar
el transistor como un circuito abierto. Este comportamiento
ocurre cuando el voltaje V1 <0,7[V], es decir que está en la
región de corte.
El voltaje base-colector está polarizado como lo está la
fuente de voltaje V2 y como el circuito se puede modelar
como un circuito abierto, el voltaje VBC ≈ V2 ≈ 9,97 [v], de
manera análoga el voltaje base-emisor está polarizado como
lo está la fuente de voltaje V1 y por los mismos argumen-
tos presentados para el voltaje base-colector, VBE ≈ V1 ≈ 0
cuando V1 <0,7 [V]. De esto concluimos que la polarización
del voltaje colector-emisor es positivo en el colector y nega-
tivo en el emisor, ya que el VBC > VBE .
de Vi [V] 0,246[v] y 0,495[v]. Estos voltajes son menores
a 0,7[v](el cual es el voltaje mı́nimo para que el diodo con-
duzca corriente), de esto podemos concluir que se comporta
en región de corte, en análisis es análogo a como lo vimos
cuandoV1 ≈ 0. Esta región de corte la podemos comprobar
en los valores de voltajes en las resistencias, al ser cero no se
presenta corriente.
Ahora para determinar en que región de operación se en-
cuentra el transistor para los siguientes valores del voltaje
Vi [V] es necesario hallar las corrientes de saturación y com-
pararlas con las corrientes correspondientes a su voltaje, si es
mayor o menor podemos saber en que región de operación se
encuentra(activa o saturación debido a que ya tenemos con-
ducción de corriente).
Cuando se llega a la región de saturación la unión colector-
base se puede ver como un corto circuito, esto implica que
por mas que aumente V1 la corriente en el colector no va a
aumentar mas, esto solo se puede en la región se saturación.
Por tanto la ICsat−teorico puede obtenerse ası́:
V2
ICsat−teorico = = 10[mA]
R2
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Las corrientes se relacionan de la siguiente manera en A partir de los valores obtenidos para la corriente en el
saturación: emisor(Ie ) comparándolos con el voltaje de saturación po-
dremos saber si está en región activa o saturación por las
IC = βR IB siguientes relaciones:

y Ie < IEsat ⇒ Transistor en región activa.

ICsat = αR IEsat
Donde: Ie ≥ IEsat ⇒ Transistor en región de saturación.

donde α es un valor muy cercano a uno (α < 1) y β

es considerablemente mayor que α, estas constantes están 3.2 Circuito 2-configuración emisor común
relacionadas ası́: Se montó el circuito de la figura 3, esta configuración se
conoce como de configuración emisor común.
β
αR =
β +1
Donde:
β = 150, para el 2n2222 tiene valores tı́picos entre 100 y 200
(para análisis analı́tico se toma el promedio).

ICsat 10[mA] 10[mA]

IEsat = = 150 = ≈ 10[mA]
αR 151
0, 99

ICsat = IEsat ≈ 10[mA]

Sin embargo estas relaciones mostradas anteriormente son
válidas solo en la región activa y sirve para hallar el limite
entre región de saturación y región activa. Aún ası́ hay una Figure 3
relación válida para cualquier región de operación:

Ie = Ib + Ic Los valores de los componentes del circuito fueron:

R1 con 1001 [Ω], R2 con 29,62[KΩ] y R3 con 234,5 [Ω], el
Ahora procedemos a determinar el valor de la corriente en voltaje de la fuente se fijó en un valor de V1 = 5,04 (DC).
el emisor para cada valor de voltaje V1 :
Se tomaron dos variantes en este circuito, el primero per-
V1 − 0, 7
Ie = mitiendo incidir un rayo de luz sobre la fotoresistencia y la
R1
segunda variante tapando el fotoresistor, en ambas variantes
se midieron los voltajes en los resistores, el fotoresistor, el
V1 [v]Ie [mA] Región de operación LED y las uniones BE, BC y CE del transistor.
0,246 0 corte
0,495 0 corte
0,741 0,1747 activa Primera variante: Fotoresistor con luz incidente
1,065 1,555 activa
1,255 2,365 activa Vled [V] 0,009
1,517 3,482 activa VR2 [V] 0,477
1,736 4,416 activa VR1 [V] 0
2,026 5,652 activa VR3 [V] 0
2,258 6,641 activa V f otoresistor [V] 0,253
2,502 7,681 activa VBE [V] 0,264
2,764 8,7979 activa VBC [V] 2,409
3,054 10,034 saturación VCE [V] 2,666
3,262 10,92 saturación Table 4. Valores de voltajes medidos experimentalmente en
Table 3. Voltajes V1 creciendo a razón de 0,25[v], corriente configuración emisor común con luz incidiendo sobre el
en el emisor Ie [mA] y su respectiva región de operación. fotoresistor

La resistencia R2 tiene un valor muy grande la corriente
será casi la misma para las variaciones en la resistencia del
fotoresistor, esto lo podemos evidenciar en los voltajes en R2
en ambas variantes, tiene valores casi iguales, lo que implica
un pequeño cambio en la corriente.
Ahora, siguiendo la relación inversa del fotoresistor(a
mayor luz menor resistencia) podemos relacionarlo para la
variante 1, cuando el fotoresistor está iluminado pasará más
corriente por esta resistencia(fotoresistor) que por la resisten-
cia R1 , para este caso podemos decir que la corriente prefiere
irse por el fotoresistor que por R1 , esto lo evidenciamos en
el voltaje en R1 el cual al ser cero implica que no tenemos
corriente de base por lo tanto el voltaje que genera la baterı́a
no es suficiente para sacar al transistor de la zona de corte;
como está en corte, la corriente de colector será cero, por lo
tanto el voltaje de la resistencia R3 será cero también. Evi-
denciamos también que el voltaje del diodo LED es 0,009[v],
este valor no alcanza el voltaje mı́nimo para activar el diodo,
por tanto no tenemos corriente en el diodo LED, debido a esto
evidenciamos que se mantiene apagado.
En este caso se presentan grandes voltajes de base colector
y de colector emisor.
Segunda variante: Fotoresistor sin luz incidente
Vled [V] 2,925
VR2 [V] 0,417
VR1 [V] 0,14
VR3 [V] 2,05
V f otoresistor [V] 0,844
VBE [V] 0,694
VBC [V] 0,64
VCE [V] 0,052
Table 5. Valores de voltajes medidos experimentalmente en
configuración emisor común sin luz incidiendo sobre el
fotoresistor
Como vimos en el caso anterior, debido a la relación in-
versa del fotoresistor cuando a el fotoresistor no le llega luz
su resistencia aumenta, debido a esto la corriente ya no tiene
la preferencia de pasar por la menor resistencia debido a que
ahora la resistencia del fotoresistor aumenta, ahora la corri-
ente pasa por ambas(fotoresistor y R1 ), el aumento del voltaje
en el fotoresistor se le atribuye al aumento de la resistencia
del mismo a al hecho de que ahora si tenemos corriente en el
emisor.
El voltaje que llega a la base ahora es suficiente para hacer
entrar al circuito en la zona activa, en este caso la corriente
de base aumenta y con ella evidenciamos el aumento de los
voltajes de las resistencias R1 , R2 y la del fotoresistor, al
aumentar la corriente de base también crece la corriente de
colector, por lo tanto los voltajes del LED y de la resistencia
TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR — 4/5
R3 aumentan, esto lo podemos evidenciar con los valores de
voltajes registrados aunque la relación mas importante ahora
viene del hecho del funcionamiento de diodo LED, el voltaje
en este alcanza a activarlo y por tanto lo vemos encendido.
Los voltajes de base-colector, base-emisor y emisor-colector
en este caso son bajos, como es caracterı́stico de los poten-
ciales en la zona activa cuando está cerca de la región de
saturación, como es el caso, ya que los voltajes R3 y del LED
sumados se acercan al voltaje de la fuente.
4. conclusiones
• En el circuito 1, pudimos reconocer el paso o el lim-
ite entre la región activa y la región de saturación, de
los valores obtenidos podemos saber hasta que valor
máximo en la fuente v1 pasa de la región de operación
activa a la región de saturación, esto es para voltajes
menores a 3,054[V] si aumentamos este valor pasamos
ahora a saturación.
• Se evidenció la relación de la corriente de saturación
del colector y la corriente de saturación del colector,
la cual una vez estamos en la región de saturación y
aunque aumentemos el valor del voltaje v1 el valor
de la corriente en el colector no va a aumentar mas,
como si la base y el colector fueran un corto circuito,
comportamiento propio de la región de saturación.
• En el segundo circuito evidenciamos que la resistencia
variable del fotoresistor pudo cambiar la región de op-
eración del circuito, llevándolo desde la región de corte
hasta la región activa, funcionando en analogı́a como
un interruptor para las corrientes y funcionamiento del
diodo LED.
• Se logra evidenciar el cambio de los valores en los volta-
jes de base-colector, colector-emisor y base-emisor en
cada una de las regiones de operación y como se pueden
relacionarse estos valores con el comportamiento gen-
eral del circuito.
References
• E.Kemmerly-Steven M.Durbin(7ma Edición).[pdf] ALEXAN-
DER, C. K. y SADIKU, M.N. (2006). Elementos de cir-
cuitos. Fundamentos de circuitos eléctricos. México:McGraw-
Hill
• Transistor Bipolar.Recurso en linea, tomado de: http:
//hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/
Solids/trans.html Diodo LED-wikipedia-recurso
en linea. tomado de: https://es.wikipedia.
org/wiki/Led
 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR — 5/5

• Transistor en configuraciones base común y emisor

común-recurso en linea. tomado de:http://hyperphysics.
phy-astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/npncc.
html#c1