PRÁCTICA # 2 APLICACION DE LOS
TRANSISTORES JFET.
Duchi Darwin Danilo
dduchiF@est.ups.edu.ec
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA
LABORATORIO DE ANALÓGICA II
Abstract- In the following report we cover the topics about
some applications using JFET and BJT transistors. We use
these junctions between these transistors in order to get a
constant courrent generator and a sawtooth wave generator.
We apply the same procedure for the calculations about
resistors by the same way we do for other practices and for the
polarizations of the transistors
OBJETIVOS
I. OBJETIVOS
1. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de
un circuito generador de corriente alterna con
Transistor JFET
2. Comprobar el funcionamiento de la I constante en la
carga de un condensador.
3. Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de
un circuito generador de onda de diente de sierra.
I. MARCO TEÓRICO
1. TRANSISTOR JFET
El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Una
de las características más importantes del JFET es su alta
impedancia de entrada. Los transistores JFET son más estables a
la temperatura que los transistores BJT, y en general son más
pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en
chips de circuitos integrados (CI).[1]
Figure 1. Transistor de Efecto de Campo
2. PRINCIPIO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR JFET
a) REGIÓN DE CORTE: Aplicando una tensión vgs negativa
aumentamos la anchura de la zona de depleción, con lo que
disminuye la anchura del canal n de conducción. Si el valor de
vgs se hace lo suficientemente negativo, la región de
agotamiento se extenderá completamente a través del canal, con
lo que la resistencia del mismo se hará infinita y se impedirá el
paso de ID (Figura 2). El potencial al que sucede este fenómeno
se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, Vp). Por lo
tanto, para valores más negativos que VP el transistor JFET se
encuentra polarizado en la región de corte, y la corriente de
drenaje resulta ser nula.[2]
Figura 2. Esquema del transistor JFET de canal n polarizado
con la tensión
de bloqueo
b) REGIÓN LINEAL: Si en la estructura de la Figura 2 se
aplica una tensión vds mayor que cero, aparecerá una corriente2
circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que
llamaremos Id. El valor de dicha corriente estará limitado por
la resistencia del canal N de conducción. En este caso pueden
distinguirse dos situaciones según sea vds grande o pequeña en
comparación con VGS.[2], [3]
c) REGIÓN DE SATURACIÓN: Si VDS se incrementa más, se
llegará a un punto donde el espesor del canal en el extremo del
drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente
se mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos
de tensión provocan un mayor estrechamiento del canal, con lo
que la resistencia global aumenta (Figura 3).[2], [3]
Figura 3. Esquema del transistor JFET de canal n en la región
de corriente constante.
3. CURVA CARACTERÍSTICA
En primer lugar, en la representación de Id frente a vgs, para
una vds dada, se aprecia claramente el paso de la región de corte
a la de saturación (Figura 4). En la práctica sólo se opera en el
segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero la vgs
positiva hace crecer rápidamente Ig.[2], [3]
Figura 4. Curva característica VGS-ID del transistor FET
En la curva característica VDS - ID del transistor JFET se
observa la diferencia entre las regiones lineal y de saturación
(Figura 5). En la región lineal, para una determinada vgs, la
corriente crece proporcionalmente a la tensión vds. Sin
embargo, este crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo: se
alcanza el valor de saturación, en donde Id sólo depende de
vgs.[3], [2]
Figura 5. Curva característica VDS-ID del transistor FET
4. FUENTE DE CORRIENTE.
Una fuente de corriente real se puede considerar como una
fuente de corriente ideal que está constituida por una resistencia
en paralelo, denominada 𝑅𝑆 , que es conocida como resistencia
interna de la fuente y nos entrega a la salida una corriente 𝐼𝑆 .
Pero si conectamos una carga 𝑅𝐿 a la salida del circuito,
pasamos a tener una corriente 𝐼𝐿 , que depende de la carga
conectada. En la práctica las cargas deberán ser mucho menores
a la resistencia interna de la fuente para conseguir que la
corriente de salida o suministrada no difiera mucho del valor en
cortocircuito (𝐼𝑆 ). La potencia la conseguimos multiplicando su
intensidad por la diferencia de potencial en sus bornes de
salida.[2]
Figura 6. Fuente de corriente ideal
5. FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE CON
TRANSISTOR JFET
Los espejos de corriente los podemos extender a transistores
FET, pero con las propias características y particularidades de
estos transistores, teniendo en cuenta que los transistores FET
son dispositivos controlados por voltaje, a diferencia de los
transistores BJT que son controlados por corriente. La tensión
en la resistencia 𝑅𝐷 proporciona la polarización necesaria para
que el transistor trabaje en la zona de saturación. La corriente de
salida se obtiene resolviendo la corriente 𝐼𝐷 y 𝑉𝐺𝑆 .[1][3]
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − 𝑉𝐺𝑆 ⁄𝑉𝑝 )2
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑅𝐷
Figura 7. Fuente de Corriente con FET
6. GENERADOR DE ONDA DE DIENTE DE SIERRA CON
TRANSISTORES
Para generar una onda de tipo dientes de sierra de utiliza un
generador de pulsos cuadrados mediante un generador de
señales, cuando el condensador se carga se produce una señal
semejante a unos dientes de sierra con una inclinación.
 8. CALCULOS

1. Fuente de corriente con transitor JFET

𝐼𝐷𝑠𝑠 10𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 5 [𝑚𝐴]
2 2
Usamos la ecuación de Shockley:
2
𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝 (1 − √ )
𝐼𝐷𝑆𝑆

2
5𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = −3 (1 − √ )
10𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆 = −0.87 [𝑉]

Figura 8. Ejemplo de onda de diente de sierra 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 = 5𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆 = −𝑉𝑅𝑆
7. ESQUEMAS
𝑉𝐺𝑆
𝑅𝑆 = = 175 Ω
𝐼𝑆
1. Fuente de corriente con transitor JFET
2. Circuito generador de una onda de diente de sierra.
𝑡
𝑅𝐶 =
20.7(𝐶)

200𝑚𝑠
𝑅𝐶 =
0.7(33𝑢𝐹)

𝑅𝐶 = 8.6 𝑘Ω

𝐼𝑐
𝐼𝑏 =
β

10𝑚𝐴
𝐼𝑏 =
80
𝐼𝑏 = 125 𝑢𝐴

10𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = = 6 [𝑉]
125𝑢𝐴

Figura 9. Fuente de corriente. 𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = 330Ω

2. Circuito generador de una onda de diente de sierra.

II. LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS.
 Multímetro
 Fuente de voltaje variable
 Resistencias
 Cable multipar
 2 transistores MPF102
 1 Transistor 2N3904
 1 potenciómetro

Material Costo
MPF102(2 unidades) 2.00$
2N3904 BJT 0.50$
Resistencias 0.40$
Figura 10. Circuito generador de onda. Potenciómetro 1k 0.25$
 III. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

Mediciones y simulaciones. 2. Carga de un condensador con la corriente constante

1. Fuente de corriente con transitor JFET

Calculo Medido Simulado

100 5 [mA] 5.7 [mA] 5.36 [mA]

200 5 [mA] 5.7[mA] 5.36 [mA]
300 5 [mA] 5.6 [mA] 5.36 [mA]
400 5 [mA] 5.5 [mA] 5.36 [mA]
500 5 [mA] 5.4 [mA] 5.36 [mA]
700 5 [mA] 5.2 [mA] 5.36 [mA]
1000 5 [mA] 5.2 [mA] 5.36 [mA]

El evento que ocurre cuando un condensador se conecta a una

fuente de corriente continua es la carga del mismo. El
condensador permanece en estado neutro ambas armaduras
tienen una carga neutra la una respecto a la otra si partimos de
la posición B (suponemos el condensador totalmente
descargado). Pasamos luego el interruptor a la posición A y los
electrones presentes en la placa o armadura conectada al polo
positivo de la alimentación son atraídos por este, con lo que
dicha placa queda con un déficit de electrones o, dicho de otro
modo, adquiere una carga positiva. Al usar una fuente de
corriente constante y la regulación apropiada de la corriente,
proporciona un condensador lineal que se puede cargar en el
tiempo deseado.

3. Circuito generador de una onda de diente de sierra.

Como en este circuito nos pide que se genere una onda del
diente de sierra, por tanto valores calculados y simulados no se
presentan.

Forma de onda obtenida.

Fig.11 Simulación circuito1 con varias resistencias

4 Fig.13 Onda diente de sierra obtenida

I[mA] Forma de onda simulada
2

0
200 400 700 10005000700010000

Figura 12. Grafica de la corriente vs la resistencia

Fig.14 Onda diente de sierra simulada

IV. ANÁLISIS

With the implementation of each of the circuits it was possible

to reach each of the objectives set. With the sources of constant
current it was observed that it maintains a level of stability
according to the characteristics of the transistor used, and that
said currents depend on the load to which it is fed because if it
exceeds the calculated level they will begin to vary. By using a
constant current source and the appropriate regulation of the
current it provides a linear capacitor can be charged in the
desired time. If a square signal is input to a JFET transistor
configuration, the system generates a sawtooth output signal
due to the capacitors at the output which maintains a state of
charge and discharge.

V. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

At the conclusion of the practice, it was possible to verify

the various applications that have JFET transistors. It was
possible to develop all the proposed objectives and therefore
we can conclude that the development of the practice is a
success. There was no major inconvenience at the time of
performing the same, since when performing all calculations
in the appropriate way, the implemented circuits respond in
the desired way. Little by little we can realize the importance
of the transistors in the technological development of the
humanity and therefore of the electronics itself, since of a
fast form we were able to develop diverse very useful
applications, configuring of different forms the transistor and
obtaining results very varied. The practice helped to
complement in a great way what was theoretically learned in
the classroom and the doubts about polarization and design,
we can say that they are clear.

VI. BIBLIOGRAFÍA.
[1] R. L. Boylestad and L. Nashelsky. Electrónica:
Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
Pearson Educación, 2003.
[2] F. J. Gabiola, D. I. De Telecomunicación
Brasil, et al. ANÁLISIS Y DISEÑO DE
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ANALÓGICOS.
Teoría y Ejercicios Resueltos. Editorial Visión
Libros, 2007.
[3]
http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRONI
CA/PolFET01H.pdf