PRÁCTICA # 4 AMPLIFICADOR CON JFET

Duchi Darwin Danilo

dduchiF@est.ups.edu.ec
UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA
LABORATORIO DE ANALÓGICA II

Abstract – A Field Effect Transistor works as an amplifier
when an output current is provided that is proportional to
the voltage applied to the input. The FET, due to its
characteristics, (high input impedance, better frequency
response than bipolar transistors, low noise) is frequently
used in amplifiers, in this practice it is sought to determine
the frequency response and observe how the gain is
modified. tension by the variation of load resistance
Este componente está formado por una delgada capa de material
semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de ésta
aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En
cada uno de los extremos del canal se sitúa un terminal. Así,
tenemos un terminal de fuente o surtidor (del inglés source) y
otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se
interconectan entre sí, y hacia el exterior, constituyendo el
terminal de puerta o graduador (gate). [3]

Este componente funciona de la siguiente forma: en los

OBJETIVOS transistores de unión bipolares, la corriente de colector emisor
se controlaba gracias a la variación de la pequeña corriente que
I. OBJETIVOS se aplica a la base, realizándose la conducción tanto por
electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de
1) Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los efecto campo funcionan solamente con un tipo de portadores de
circuitos de amplificación JFET con una fc=1500Hz y la carga carga: huecos o electrones, según el tipo de canal. Así, por
de 1K en: ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores son los
electrones.[2]
a) Amplificador Drain común con ganancia Av = 1
b) Amplificador Source común con ganancia Av = 7. Curvas características de drenador de un JFET.
c) Amplificador Gate común con ganancia Av = 3.

II. MARCO TEÓRICO

El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue
inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o
bipolar, pero no fue posible su implantación hasta 1970 debido
a la alta tecnología necesaria para formar sus uniones.

Un JFET reúne las características más interesantes de las

válvulas electrónicas, con las grandes ventajas de los
componentes semiconductores. Según su composición, existen
dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de
canal P.

En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor

unipolar JFET de canal N con su símbolo correspondiente:[4][1]

Ilustración 2.[4]

Resistencia de entrada.

Debido a que la corriente que circula por el terminal graduador

es prácticamente cero, la resistencia o impedancia de entrada se
hace elevadísima, del orden de miles de kilohmios. Por esta
razón, este transistor se emplea más en aquellos casos en que se
requiera una mayor impedancia de entrada.[1]

Curvas de transferencia o transconductancia.

Ilustración 1.[4]

Ilustración 3.[4]
Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de
drenador (ID) en función de las variaciones que experimenta la
tensión de graduador-surtidor (VGS) para valores de
VDSconstantes.
En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET
posee la forma de una parábola, tal como se muestra en la figura
anterior. Esta gráfica se corresponde con las curvas de drenador
del JFET.[2]
Esta curva se corresponde con la siguiente ecuación:
De esta forma, conociendo los valores de IDSS y VGS(apag)
(datos que suele proporcionar el fabricante en las hojas técnicas)
se puede determinar el valor de la corriente ID para cualquier
valor de la tensión VGS aplicada a la puerta.
Aplicaciones
Ilustración 4.[4]
En la figura de la izquierda, se muestra un ejemplo de
interruptor analógico con un JFET.
Si a este circuito se le aplica una tensión VGS=0, el transistor
entrará en saturación y se comportará como un interruptor
cerrado. Por otro lado, si la tensión aplicada es
VGS=VGS(apag), el transistor se pondrá en corte y actuará
como un interruptor abierto.
Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar
únicamente en dos estados, corte y saturación.[3]
Fabricación
Ilustración 5.[4]
JFET de canal N.
La siguiente figura representa un JFET en el que difusión se
realiza por una cara solamente. Se representa en ella la sección
del plano AA' de la vista superior de la figura b). El sustrato es
de material tipo P en el que se ha formado por crecimiento
epitaxial el canal n. Seguidamente, se difunde una puerta P en el
canal N. La puerta difundida es de un material de muy baja
resistividad permitiendo que la región de deplexión se extienda
más en el canal tipo N.
JFET de canal P.
Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia
MOS, añadiendo una conexión metálica al emisor, que la
resistencia no necesitaba para a su construcción. Este contacto
conductor constituye el terminal de puerta mientras que los
otros dos terminales actúan de fuente y drenador. El canal lo
constituye la fina región P que forma la resistencia. Obsérvese
que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusión P
contrariamente a lo que ocurre al FET de canal N de la anterior
figura.[1]
. CALCULOS
GATE COMÚN
𝐴𝑉 = 3
𝑓𝑐 = 1500𝐻𝑧
𝑅𝐿 = 1𝑘
𝑉𝑐𝑐 = 15𝑉
 𝑉𝐺𝑆 2 1
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ( ) ) 𝐶𝑐 = = 10.01𝑢𝐹
𝑉𝑃 2𝜋𝑓𝑐(𝑍𝑜 + 𝑅𝐿)

𝐴𝑚 = 𝑔𝑚 ∙ 𝑅𝐷 1
𝐶𝑏 = = 0.1uF
2𝜋𝑓𝑐(𝑅𝐸 )
1
𝑍𝑖 = 𝑅𝑠// SOURCE COMÚN
𝑔𝑚
𝐴𝑉 = 7
1
𝑍𝑖 = 1𝑘// 𝑓𝑐 = 1500𝐻𝑧
250
𝑉𝐷𝐷 = 20𝑉
𝑍𝑖 = 687.5
𝑅𝐿 = 1𝑘Ω
𝑍𝑜 = 6.6Ω
𝑟𝑜 = 40𝑘Ω 𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ( ) )
-Cálculo de los condensadores: 𝑉𝑃

1 𝑉𝐺𝑆 = −1.44𝑉
𝐶𝑖 = = 147uF
2𝜋𝑓𝑐(𝑍𝑜+𝑅𝑠)
𝑔𝑚𝑜 = 3.33𝑚𝑠
1 𝑔𝑚 = 1.7316𝑚𝑠
𝐶𝑠 = = 80𝑢𝐹
2𝜋𝑓𝑐(𝑍𝑜//𝑅0)
𝑍𝑖 = 1𝑀

𝑍𝑜 = 𝑟𝑑||𝑅𝐷
DREIN COMÚN
𝐴𝑣 = 1 𝑍𝑜 = 5.8𝑘

𝑉𝐺𝑆 2 1
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − ( ) ) 𝐶𝑖 = = 0,1𝑛𝐹
𝑉𝑃 2𝜋𝑓𝑐(𝑟𝑠 + 𝑍𝑖)
𝑉𝐷𝐷 = 15𝑣 1
1 𝐶𝑠 =
𝑟𝑐𝑙 = = 2𝜋𝑓𝑐(𝑟𝑠′)
25𝑢𝑠
𝑟𝑐𝑙 = 40𝑘 𝐶𝑠 = 10𝑢𝐹
𝐼𝐺 = 𝐼𝐷

𝑒𝑠 = 3𝑣𝑝𝑝 III. LISTA DE MATERIALES Y EQUIPOS.

𝑉𝑅𝑆 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 Cantidad Descripción Precio
𝑉𝑅𝑆
𝑅𝑆 = 3 MPF102 $2.80
𝐼𝐷
5.6𝑣
𝑅𝑠 = 15 R varios colores $1.00
1𝑚𝐴
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝑆 = 9.4𝑉 1 Fuente de alimentación ----
𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅𝑍
𝑉𝐺 = 1 Protoboard ----
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2 = 4.7𝑘
1 Multímetro Digital ----
𝐴𝑚 = 𝑔𝑚 ∙ 𝑅𝐷 1 Par de bananas ----

𝑍𝑖 = 𝑅1// 𝑅2 1 transistor 2n2222 $0.25

𝑍𝑖 = 3.579𝑘 3 SONDAS ----

𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅2 6 capacitores $1.00

𝐴𝑣 =
𝑅1 + 𝑅2
𝐴𝑣 = 0.922

-Cálculo de los condensadores: IV. DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

1
𝐶𝑒 = = 10uF Esquemas
2𝜋𝑓𝑐(𝑍𝑖+𝑟𝑠)
 Source Común

Ilustración 4 Source Común continúa

Ilustración 1 Source Común

Gate Común

Ilustración 5 O. Salida vs O. Entrada

Ilustración 2 Gate Común

Drain Común Ilustración 6 Curvas de Bode

Gate Común

Ilustración 3 Drain Común

SIMULASIONES
Source Común
Ilustración 7 Gate Común en continua
 Ilustración 12 Curva de Bode

Ilustración 8 O. Salida vs O. Entrada

Ilustración 13 Drain común Fc=150 Hz

Ilustración 9 Curvas de Bode

Drain Común

Ilustración 14 Drain común Fc=1500 Hz

Ilustración 10 Drain Común en continua Ilustración 15 Drain común Fc=15 KHz

Ilustración 16 Gate común Fc=150Hz

Ilustración 11 O. Salida vs O. Entrada

 GATE COMUN

15Hz 150Hz 1.5KH 5KHz 15KHz

z
Vipp 792mvpp 792mvpp 792mv 792mvpp 792mvp
pp p
Vopp 1.88v 1.88v 1.88v 1.88v 1.88v
Av 2.37 2.79 2.73 2.83 2.93
T(us) 67 66 670 20 672
EØ(us) - - - - 2us
Ilustración 17 Gate común Fc=1500Hz

DRAIN COMUN

15Hz 150Hz 1.5KH 5KHz 15KHz

z
Vipp 1V 1V 1V 1V 1V
Vopp 800mv 800.54m 954mv 982.1mv 1.02v
v
Av 0.69 0.85 0.87 0.93 0.99
T(us) 69ms 6.64ms 672us 200us 68us
EØ(us) 3ms - - - 2us
Ilustración 18 Gate común Fc=15KHz

SOURCE COMUN

15Hz 150Hz 1.5KH 5KHz 15KHz

z
Vipp 1V 1V 1V 1V 1V
Vopp 640mv 5.04v 6.48v 6.88v 7.04v
Av 0.64 5.04 6.48 6.88 7.04
T(us) 65.6ms 6.7ms 571us 200us 65.8us
EØ(us) 51.8ms 1.7ms 239us 103us 32.6us
Ilustración 19 Source común Fc=150 Hz

V. ANÁLISIS

In practice you can realize that the calculations will not be

Ilustración 20 Source común Fc=1500 Hz
equal to the theoretical values, because there are faults in the
calculations, or also that the components of the approximate
values are taken, however you can notice the amplification
of the wave, with its respective gain, taking into account that
the amplifiers with the Fet transistors, do not have a very
remarkable gain.
VI. CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES

At the end of the practice we can observe and reach the

following conclusions: The amplifier with fet transducers
does not achieve the theoretical results because the FETs
exhibit a poor frequency response due to the high input
capacitance and have a very poor linearity. must have in
mind the calculations for its proper functioning, also
taking into account that the values of the practice will
Ilustración 21 Source común Fc=15KHz
never be identical to the theoretical values.
VII. BIBLIOGRAFÍA.
[1] R. L. Boylestad and L. Nashelsky. Electrónica:
Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos.
TABLAS
Pearson Educación, 2003.
[2] F. J. Gabiola, D. I. De Telecomunicación
Brasil, et al. ANÁLISIS Y DISEÑO DE
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS ANALÓGICOS.
Teoría y Ejercicios Resueltos. Editorial Visión
Libros, 2007.
[3]http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_ELECTRO
NI CA/PolFET01H.pdf
[4]http://www.monografias.com/trabajos7/amtra/a
mtra.shtml
FIRMAS: