I.

OBJETIVOS:

 Armar un amplificador de CA con un transistor en configuración

Emisor común mediante la polarización por División de tensión:

 Medir la ganancia de tensión de un amplificador Emisor común

 Observar el Efecto del Condensador de Derivación del Emisor en

la Ganancia del amplificador

II. INSTRUMENTOS Y MATERIALES:

 Un osciloscopio

 Un generador de señales

 Un multímetro digital
 Un miliamperímetro y/o microamperimetro, según convenga

 Una fuente de alimentación

 Un transistor 2N222 o equivalente

 Condensadores: 2.2uF de 16v electrolíticos

  Resistencias: 220Ω, 820Ω, 3kΩ, 13kΩ, 56kΩ

 Un potenciómetro de 10kΩ

III. INFORME PREVIO:

1. Defina los parámetros híbridos del transistor. Explique los modelos

para pequeña señal del transistor en: Emisor común. Base común,
Colector común.

El modelo que usualmente se emplea para representar a un transistor es el de

red bipuerto híbrido. No obstante para nuestro caso resulta más práctico
emplear el modelo de red bipuerto admitancia. Luego se pueden obtener
algunas equivalencias entre ambos tal como se muestra a continuación:

V1   hie hre   I1 

 I   h  
 2   fe hoe  V2 

Se debe transformar a una red impedancia a través de los siguientes

cálculos:
 Fig.1 Modelo de admitancias

I1 1 1
Y11   hie (1  h fe )  hoe  hie hre
V1 V2  0

I2 1
Y21   hoe  hie hre
V1 V2  0
 
I 1
Y22  2  hoe  hie hre h fe
V2 V1  0

I1 1
Y12   hoe  2hie hre h fe
V2 V1  0

Después el modelo queda expresado de la siguiente manera, en el cual los

voltajes V1  Veb y V2  Vcb .

 I1   Yi Yr  V1 
  I   Y   
 2  f Yo  V2 

Con esto se puede realizar el análisis en AC para encontrar el valor del

voltaje de salida en función del de entrada.

En este caso el circuito que interviene en la amplificación sólo es el

configurado en base común para el cual se debe desarrollar su modelo para
pequeña señal.
Si consideramos las bobinas con una impedancia de entrada Yin y de salida
Yout se tendría una impedancia total resultado de la suma de la primera y la
reflexión de la segunda.
 a)

 
b)

c)

Fig.2. a) Esquema general del circuito en Ac. b) Representación de la

bobina.
c) Impedancia de salida equivalente
Luego se obtiene de la relación del transformador:

n(Vo1  V )  Vo 2  

Además se sabe que la impedancia reflejada en el primario lo hace en un

factor Yout '  n 2Yout
Se asocian las resistencias resultantes y se reemplaza el transistor por el
modelo de impedancia.
Vi (Yc1 )  V A (Yc1  Yi )  Vo1 (Yr )
  
0  V A (Y f )  Vo1 (Yo  YT )

Resolviendo el sistema se obtiene:

 Vo1 (Y  Yi )(Yo  YT )
   c1  Yr  
Vi Yf

Finalmente de acuerdo a la ecuación (4) se puede obtener el voltaje a la

salida del transformador.
Vo 2  (Yc1  Yi )(Yo  YT )  YT 
   Yr   (7)
Vi  Yf Y 
 in out 
Y

Adicionalmente el voltaje en la toma central del transformador estará

determinado por el factor de escala del mismo.

I. ANÁLISIS EN DC

Del análisis en DC tenemos:

0−(V+0.7)
=I (8)
R
V−(−12)
= 2I (9)
470

Para tener una corriente en el intervalo de 0.1mA y 1.2mA.

Calculamos la resistencia R cuando I=0.1mA

De la ecuación (9)
V+12
= 0.2mA (10)
470

V = -11.906v (11)
De la ecuación (8)
0−(−11.906+0.7)
= 0.1mA (12)
R

R = 112.06 K (13)
Ahora calculamos la resistencia R cuando I=1.2mA:
De la ecuación (9)

V+12
= 2.4mA (14)
470

V=-10.872v (15)
 De la ecuación (1)
0−(−10.872+0.7)
= 1.2mA (16)
R

R=8.74 K (17)
De los resultados (13) y (17) hallamos que el rango del potenciómetro es
R= [8.47K, 112.06K]
II. PROCEDIMIENTO PARA HALLAR PARAMETROS
EXPERIMENTALMENTE

 Frecuencia de resonancia mínima:

Con el generador de frecuencias variar la sintonización del tanque hasta

obtener la máxima salida (Vo2max) cuando la perilla de la bobina este en la
parte más alta.
 Frecuencia de resonancia máxima:
 Con el generador de frecuencias variar la sintonización del tanque hasta
obtener la máxima salida (Vo2max) cuando la perilla de la bobina este en la
parte más baja.
 Lin y Cin de la bobina:
Colocamos un capacitor C conocido entre los terminales a y b del tanque,
disminuirá la frecuencia de resonancia, por lo que se tendrá que disminuir la
frecuencia del generador y observar cual es la nueva frecuencia con la que
resuena.
Entonces tendríamos dos ecuaciones y dos incógnitas siendo posible el
cálculo de Lin y Cin.
 Rp (Resistencia de pérdidas de la bobina)
Teniendo un Vo2 = 100mVpp en resonancia a 455Khz colocar un
potenciómetro entre los terminales a y c del tanque y ajustar hasta obtener
Vo2 = 50mVpp. Anotar el valor de R, luego desconectar la bobina del circuito
y medir la resistencia que existe entre sus terminales a y c, además es
conocida la relación que existe entre Vo2 y la resistencia de sintonización.
Con estas ecuaciones será posible el cálculo de Rp.
III. CONSIDERACIONES PARA LA ELECCIÓN DE
TRANSISTORES

 Limitación de los dispositivos en alta frecuencia:

En alta frecuencia el límite superior del dispositivo activo (transistor)
depende o está limitado por la capacidad interna del mismo. La capacidad
de difusión, esta surge cuando

consideramos la juntura base-emisor. En este caso, cuando pasan huecos

desde el emisor hacia el colector por difusión a través de la base y cuando el
hueco se mueve a través de la base, por efecto de la tensión de señal aplicada
Vi, si se invierte la polaridad de esta tensión antes de que el hueco llegue al
colector, el hueco tenderá a regresar al emisor y el colector no registrará esta
corriente de señal. Esto último significa que si la frecuencia de Vi aumenta la
corriente de colector disminuirá debido a que algunas cargas son atrapadas
en la base.
Este efecto es el mismo que produciría un capacitor ubicado entre base y
emisor (Cb’e). Esta capacidad al depender del número de cargas en la región,
aumenta casi linealmente con la corriente estática de emisor (Ieq). Esta
capacidad Cb`e es mucho mayor que Cb’c y sus valores varían entre unos
100 pF y unos 5000 pF. Por esto los transistores de alta frecuencia se
construyen para trabajar con una base lo más delgada posible.

 Circuito en emisor común:

Este circuito equivalente es de mucha utilidad para analizar al transistor en

alta frecuencia. Como se ve en la Fig.4, B es el terminal de base y B’ es la
unión de base, entre estos puntos aparece la resistencia rbb’ de base
(directamente proporcional al ancho de la base) y que varía entre 10 y 50. Los
transistores en alta frecuencia presentan menores anchos de base por lo que
la rbb’ resulta ser más pequeña. La resistencia rb’e (resistencia de la unión
base-emisor) presenta un valor de aproximadamente 0,025 hfe/Ieq a
temperatura ambiente y generalmente es mucho mayor que la rbb. La hie
resulta ser la suma de las dos resistencias, esto es:
hie = rbb’ + rb’e (18)
Como rb’e >> rbb´ se podría considerar:
hie = rb’e (19)

La Impedancia de salida 1/hoe generalmente es mucho mayor que RL por

lo que se suele despreciar en alta frecuencia.

Fig 4. Circuito híbrido π (emisor común)

La forma más sencilla de obtener un amplificador sintonizado es utilizando

en la entrada y en la salida un circuito sintonizado. Idealmente y trabajando
con este circuito se obtienen las ecuaciones de trabajo para el amplificador
sintonizado. Las dificultades pueden surgir al aumentar la frecuencia de
trabajo. El más común de los amplificadores sintonizados lo constituye un
amplificador trabajando en emisor común, en este el circuito sintonizado se
coloca en el circuito de colector. Se deberá tener en cuenta la necesidad o no
de efectuar una adaptación de impedancias entre el colector y el sintonizado.
En este último caso de podrá utilizar una inductancia con una derivación y
además como ya se vio se podrá también adaptar la impedancia a la etapa
siguiente. Si se incrementa la frecuencia de operación el valor de L y C del
circuito resonante disminuirán, pudiendo llegar a tener valores pequeños,
comparables con las capacidades parásitas, esto último es una limitación.

Con la adaptación de impedancia se asegura además obtener la máxima

transferencia de energía y un mínimo efecto de las capacidades parásitas, en
este caso se puede hacer trabajar al circuito a frecuencias mayores. Por
ejemplo una inductancia que permita trabajar al circuito con una frecuencia
de 10 a 20 Mhz, al minimizar el efecto de las capacidades parásitas por la
adaptación, podrá trabajar quizás hasta frecuencias de 30 Mhz o 40 Mhz.

 Circuito en base común:

Para este caso la ganancia de corriente del circuito, para una tensión colector-
base
igual a cero ( Vcb = 0 ) es:

(20)

La frecuencia de transición tiene importancia porque determina cuando la

frecuencia ha crecido lo suficiente como para hacer que la ganancia empiece
a disminuir. Es en este punto donde el elemento activo empieza a presentar
problemas de operación, debido a las capacidades internas. En baja
frecuencia esto no sucede, ya que son las capacidades asociadas con el
elemento activo las que tienen importancias y no las intrínsecas del mismo.

Fig.5. Circuito hibrido equivalente en emisor común

En resumen, los elementos que debemos tener en cuenta son:

 10 Ω ≤ rb´b≤ 50Ω (21)
rb’e =hfe / 40IEQ (22)

gm= 40IEQ (23)

hoe α IEQ (24)

Cbe = gm/ωT (25)

Cob α Vbc-p p = ½ o 1/3 (26)

2. Analizar el circuito de la figura según lo indicado en el procedimiento.

La figura muestra el circuito amplificador emisor común con CE.

El análisis con parámetros híbridos se realiza a partir del equivalente en C.A. del circuito el cual
es mostrado en la figura.
La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido (figura 8) permite determinar
los valores: Zi, Zo, Av y Ai.

Despreciando hre y hoe, el circuito de la figura 9 se representa ahora como el que se

indica en la figura, en base al cual se realizan los cálculos de Zi, Zo, Av y Ai.

Cálculo de Zi
La impedancia de entrada Zi se mide como la relación entre el voltaje de entrada y la
corriente de entrada del amplificador, Zi = vi/ii, en el circuito se observa como aquella
impedancia vista por la fuente vi a partir de la línea punteada.
Cálculo de Zo:
La impedancia de salida Zo se mide como la relación entre el voltaje de salida y la
corriente de salida del amplificador, Zo = vo/ io. Para el cálculo de Zo en el circuito de la
figura se requiere el uso de una fuente de prueba vo y la eliminación de la fuente de
entrada independiente vi, tal como muestra la figura siguiente:

Si Vi=0, entonces iB=0 y por tanto hfeiB=0, resultando el circuito de la figura 12.
Del circuito de la figura se tiene que Zo = RC, la cual es la impedancia vista desde los
terminales de salida del circuito.
1. Indique cual es la ganancia de voltaje Av de un amplificador emisor común.

 Cálculo de Av:
La ganancia de voltaje del amplificador es la relación entre el voltaje de salida vo y el
voltaje de entrada vi, Av = VL/Vi.
El valor de Av negativo es indicativo del desfasaje entre la señal de salida y la señal de
entrada del amplificador emisor común.

 Cálculo de Ai:

La ganancia de corriente del amplificador es la relación entre la corriente de salida

iL y la corriente de entrada ii, Ai = iL/ii.
La ganancia de corriente será también un valor negativo, puesto que Av es
negativo
  CALCULO DE LA IMPEDANCIA DE ENTRADA EXPERIMENTALMENTE
Poner una resistencia de valor conocido en serie con el generador, y mides la caída de
tensión en sus bornes, y luego la tensión en bornes del generador. Aplicas la fórmula
del divisor de tensión con el valor de resistencia conocido, y te queda simplemente
despejar la impedancia de entrada. Eso sí, da un valor suficientemente alto de tensión
en el generador.

 CALCULO DE LA IMPEDANCIA DE SALIDA EXPERIMENTALMETE

Poner un potenciómetro en la salida luego graduamos el potenciómetro hasta que el
voltaje de salida sea la mitad sobre la rama RC, luego medimos el valor del
potenciómetro, ese valor será la impedancia de salida.

 CÁLCULOS TEÓRICOS DEL CIRCUITO DEL EXPERIMENTO

RC=1KΩ RC=1KΩ
R1=6.8KΩ R1=6.8KΩ Ci3=10µF

Ci1=10µF Ci2=10µF
Q1 Q2 VCC=9V

VIN R2=2.2KΩ R2=2.2KΩ

RE=470Ω RE=470Ω CE=100µF
CE=100µF

 El voltaje de salida estará dado por la siguiente fórmula: Vout = Ic x Rc = β x Ib x Rc

= hfe x Ib x Rc

 Ganancia de voltaje: ΔV = Vout / Vin = – Rc / Zin. (el signo menos indica que Vout
esta 180° fuera de fase con la entrada Vin)

 Ganancia de corriente: ΔI = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de voltaje x Zin / Rc

 Ganancia de potencia = ganancia de voltaje x ganancia de corriente = ΔP = ΔV x ΔI

 Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor alto

(contrario a lo deseado)

 Zo (impedancia de salida) = Rc

 La salida está 180° desfasada con respecto a la entrada (es invertida)

𝛽𝑚𝑖𝑛 = 30
𝛽𝑚𝑖𝑛 = 300
 30 + 300
𝛽𝑢𝑠𝑎𝑑𝑜 = = 165
2

 ANALISIS EN CC

RC=1KΩ RC=1KΩ
R1=6.8KΩ R1=6.8KΩ

Q1 Q2 VCC=9V

R2=2.2KΩ R2=2.2KΩ
RE=470Ω RE=470Ω

+9V

RC=1KΩ

RBB=(2.2K)(6.8K)/(2.2K+6.8K)=1.66KΩ
Q1

RE=470Ω
RBB=9V(2.2K)/(6.8K+2.2K)=2.2V

MALLA I
0 = −2.2𝑉 + 0.7𝑉 + 1.66𝐾𝐼𝐵 + 470𝐼𝐸
1.5𝑉 = 1.66𝐾𝐼𝐵 + 470((1 + 𝛽)𝐼𝐵 )
2
𝐼𝐵 = 1.5𝑉 = 18.83µ𝐴
1.66𝐾 + 470(1 + 165)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 = 165(18.3µ𝐴) = 3.1𝑚𝐴
MALLA II

9𝑉 = 1𝐾𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 470𝐼𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 9 − 1𝐾𝐼𝐶 − 470(𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 ) = 9 − 1𝐾(3.1𝑚𝐴) − 470(3.1𝑚𝐴 + 18.83µ𝐴) = 4.43𝑉
 IC(mA)

Q
3.1

VCE(V)
4.3

ANALISIS EN AC

hie=1.33KΩ
+ +

Vi Vo
R1=6.8KΩ R2=2.2KΩ hfe.ib RC=1KΩ

- -

Zi1 Zo1

𝑍𝑖1 = (6.8𝐾 // 2.2𝐾) // (1.33𝐾) = 738.4Ω

𝑍𝑜1 = 𝑅𝐶 = 1𝐾Ω
𝑉𝑜1 ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 𝑅𝐶 165𝐾
∆𝑉1 = =− =− = −124.08
𝑉𝑖1 𝑖𝑏 (ℎ𝑖𝑒 ) 1.33𝐾
hie=1.33KΩ
+ +

Vi Vo
R1=6.8KΩ R2=100KΩ hfe.ib RC=1KΩ

- -

Zi2 Zo2

𝑍𝑖2 = (100𝐾 // 100𝐾) // (1.33𝐾) = 739.38Ω

𝑍𝑜2 = 𝑅𝐶 = 1𝐾Ω
 𝑉𝑜2 ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 𝑅𝐶 165𝐾
∆𝑉2 = =− =− = 124.08
𝑉𝑖2 𝑖𝑏 (ℎ𝑖𝑒 ) 1.33𝐾
Ganancia total= ( 𝟏𝟐𝟒. 𝟎𝟖)(- 𝟏𝟐𝟒. 𝟎𝟖 )=15390.92

IV. BIBLIOGRAFÍA
http://es.slideshare.net/guestf40c4d/transistores-base-comn
http://es.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/34-configuracin-en-
emisor-comn
http://es.slideshare.net/OthonielHernandezOvando/35-configuracin-en-
colector-comn