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ÉLECTRONIQUE

IUT 1re année

Jean Duveau
Marcel Pasquinelli
Michel Tholomier

2e édition
© Dunod, 2011, 2017

11 rue Paul Bert, 92240 Malakoff


www.dunod.com

ISBN 978-2-10-076447-1
Table des matières

Avant-propos ................................................................................................................. VII

Chapitre 1. Les fondements du génie électronique .............................................. 1


1.1 Les semi-conducteurs (SC)..................................................................................1
1.1.1 Comment définir un SC ? ..................................................................1
1.1.2 Le monde du silicium ........................................................................3
1.1.3 Les différents types de semi-conducteurs ..........................................5
1.1.4 Les concentrations de porteurs ..........................................................10
1.2 Phénomènes de transport et courant électrique ..................................................12
1.2.1 Influence de la température .. ..............................................................12
1.2.2 Influence d’un champ électrique : la conduction ...............................13
1.2.3 Influence de la concentration : la diffusion .......................................14
1.2.4 Cas général ........................................................................................15
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre ...................................................................15
1.3.1 Présentation .......................................................................................15
1.3.2 Les niveaux d’injection dans un semi-conducteur .............................16
1.3.3 Hypothèse des fortes injections .........................................................18
1.3.4 Le retour à l’équilibre et la recombinaison ........................................19
1.4 Le composant ......................................................................................................24
1.4.1 Composants bipolaires et unipolaires ................................................24
1.4.2 L’électricien, l’électronicien et le physicien :
une communication difficile ..............................................................25

Chapitre 2. Les fonctions du génie électronique .................................................. 29


2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources ..................................................29
2.1.1 Grandeur électrique et signaux ..........................................................29
2.1.2 Les différents types de signaux .........................................................30
IV Table des matières

2.1.3 Signal analogique et numérique : origine et transmission .................34


2.1.4 Générateurs de signal ou d’énergie ...................................................35
2.1.5 Caractéristiques des sources ..............................................................38
2.2 Les fonctions du traitement des sources du signal ................................................. 42
2.3 Les fonctions du traitement des sources d’énergie ................................................ 44
2.4 Le matériel ..........................................................................................................45
2.4.1 Schéma de principe ............................................................................45
2.4.2 Composant et convertisseur ...............................................................46

Chapitre 3. De la modélisation et des modèles en électronique ......................... 49


3.1 La modélisation ..................................................................................................49
3.1.1 Les objectifs de la modélisation ........................................................49
3.1.2 Propriétés générales des modèles ......................................................50
3.1.3 Les différents types de modèles : de la connaissance
au comportement ...............................................................................51
3.2 Modèles circuit et approximation des régimes quasi stationnaires ....................52
3.2.1 Présentation .......................................................................................52
3.2.2 Circuits à constantes localisées .........................................................53
3.2.3 Hypothèse des régimes quasi stationnaire et conséquences ..............53
3.2.4 Circuits à constantes réparties ...........................................................54
3.3 Les différents types de modèles de connaissance ...............................................58
3.3.1 Représentation par variables externes :
équation différentielle entrée/sortie ...................................................58
3.3.2 Représentation par variables internes : équation d’état .....................73
3.4 Modèle comportemental des composants SC .....................................................74
3.4.1 Les composants SC et la modélisation par quadripôles ....................74
3.4.2 Modélisation par quadripôle : description par variables externes .............. 75
3.4.3 Le quadripôle vu de l’extérieur .........................................................78
3.5 Des modèles, de la technique et du métier .........................................................78

Chapitre 4. Les composants semi-conducteurs ..................................................... 81


4.1 Utilisation des composants SC ...........................................................................81
4.1.1 Utilisation et modes de fonctionnement ............................................82
4.1.2 Amplification et mode linéaire ..........................................................84
4.1.3 Commutation et mode non linéaire ...................................................85
4.2 La diode ..............................................................................................................90
4.2.1 À quoi ça sert ? ..................................................................................90
4.2.2 De la jonction PN à la diode ..............................................................90
Table des matières V

Chapitre 5. Composants semi-conducteurs : les transistors ................................ 107


5.1 Le transistor bipolaire .........................................................................................107
5.1.1 À quoi ça sert ? ..................................................................................107
5.1.2 Présentation .......................................................................................107
5.1.3 Comment c’est fait et comment ça marche ? : technologie
et principe ..........................................................................................109
5.1.4 Régime statique .................................................................................111
5.1.5 Mise en œuvre du transistor bipolaire ...............................................115
5.2 Transistors à effet de champ ...............................................................................129
5.2.1 À quoi ça sert ? ..................................................................................129
5.2.2 Qu’est-ce que c’est, comment c’est fait et comment ça marche ? .....129
5.2.3 Les composants à effet de champ à grille isolée ...............................131
5.2.4 Mise en œuvre du MOS « signal » .....................................................140

Chapitre 6. Circuits de base à éléments discrets .................................................. 145


6.1 Circuits à composants passifs .............................................................................145
6.1.1 Circuit CR et RL ................................................................................145
6.1.2 Circuit LC ..........................................................................................150
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs ............................................................152
6.2.1 Associations de composants ..............................................................152
6.2.2 Référence de tension ..........................................................................152
6.2.3 Source et référence de courant ...........................................................154
6.2.4 Miroirs de courant .............................................................................159
6.2.5 Amplificateur de différence ou amplificateur différentiel .................161
6.2.6 Montage cascode ...............................................................................165
6.2.7 Étage suiveur de White ......................................................................166
6.2.8 Montage totem-pole ...........................................................................168
6.2.9 Montage push-pull .............................................................................169
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

6.2.10 Montage Darlington ...........................................................................170


6.2.11 IGBT ..................................................................................................173

Chapitre 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs ................... 177


7.1 Le bouclage des amplificateurs ...........................................................................177
7.1.1 Pourquoi boucler un amplificateur ? La réaction négative
ou contre-réaction ..............................................................................177
7.1.2 La réaction positive : l’effet cumulatif et ses applications ................179
7.1.3 Les différents types de contre-réactions ............................................180
VI Table des matières

7.1.4 Des modèles au réel : le problème du découplage


amplificateur/réseau de réaction.........................................................182
7.2 La réaction de tension série ................................................................................199
7.2.1 Principe ..............................................................................................199
7.2.2 Influence sur les paramètres caractéristiques .....................................200
7.3 Réaction parallèle-parallèle ou parallèle ............................................................208
7.3.1 Principe ..............................................................................................208
7.3.2 Influence sur les paramètres caractéristiques .....................................209

Chapitre 8. L’amplificateur opérationnel ............................................................... 213


8.1 Présentation ........................................................................................................213
8.1.1 De la structure… ................................................................................214
8.1.2 … à l’amplificateur idéal ...................................................................215
8.1.3 Caractéristiques électriques d’un amplificateur réel ..........................215
8.2 Analyse des propriétés électriques des amplificateurs bouclés ..........................217
8.2.1 Régime statique .................................................................................217
8.2.2 Erreurs de calcul ...............................................................................219
8.2.3 Le régime dynamique ........................................................................222

Chapitre 9. Applications de l’amplificateur opérationnel .................................... 235


9.1 Applications en régime linéaire ..........................................................................235
9.1.1 Méthodes de calcul et applications ....................................................235
9.1.2 Mise en œuvre de l’amplificateur opérationnel .................................236
9.1.3 Applications linéaires ........................................................................237
9.2 Applications en régime non linéaire ...................................................................256
9.2.1 La fonction comparateur/discriminateur en boucle ouverte ..............256
9.2.2 La fonction sélecteur de bande (window comparator) ......................257
9.2.3 La fonction comparateur à hystérésis ou trigger de Schmitt .............258
9.2.4 Le multivibrateur astable ...................................................................260

Index  263
Avant-propos

Qu’est-ce que le génie électronique ?


Nous définirons le génie électronique par l’ensemble des applications (industrielles,
grand public ou autre) utilisant des composants semi-conducteurs.
Ainsi, ce sont les principes physiques de fonctionnement, les propriétés des matériaux
semi-conducteurs, le savoir-faire propre aux différentes technologies de fabrication,
les caractéristiques électriques des composants, élémentaires ou complexes, qui
détermineront les potentialités et les performances des applications, quel que soit le
domaine applicatif concerné.

À qui s’adresse ce livre ?


Ce livre regroupe en un seul document les «  fondamentaux  » physiques, techno­
logiques et techniques concernant  la mise en œuvre et les applications des compo-
sants semi-conducteurs usuels. Basé sur le programme du premier semestre de la
filière GEII, chaque chapitre contient :
• une partie cours illustrée par des ordres de grandeur, des références de compo-
sants, les domaines d’application ;
• des exercices d’application intégrés ;
• des corrigés détaillés privilégiant une approche physique et circuit des exer-
cices : analyse intuitive et compréhension des phénomènes, mise en équation,
interprétation…

Ce livre s’adresse de façon privilégiée aux étudiants d’IUT. Il peut permettre par
ailleurs à des étudiants de 1er cycle ou d’écoles d’ingénieurs d’acquérir, selon les cas,
des connaissances physiques et technologiques complémentaires leur permettant de
mieux appréhender les conditions et limites de fonctionnement des composants, ou
le « savoir-faire » indispensable pour la bonne mise en œuvre de ces derniers.
Les fondements du génie
électronique
1

• Connaître les différences entre • Faire preuve de curiosité mais aussi


composants bipolaires et unipolaires. d’esprit critique dans la lecture
• Connaître quelques ordres de grandeur d’articles de vulgarisation, de publicités
sur le monde du silicium. sur des composants semi-conducteurs
(les performances des derniers
• Comprendre les notions d’injection
microprocesseurs…).
faible et forte.
• Prendre l’habitude de chercher à vérifier
• Savoir ce que veut dire charge stockée.
les ordres de grandeur…
• Avoir une vision d’ensemble des
différents aspects physiques qui
sont à la base des composants
semi-conducteurs.

1.1 LES SEMI-CONDUCTEURS (SC)


Les semi-conducteurs peuvent être :
• des éléments simples : le silicium, le germanium ;
• des composés binaires : l’arséniure de gallium (AsGa), le carbure de silicium
(SiC) ;
• des composés ternaires : le mercure cadmium tellurure ou HgCdTe.
Le SC le plus répandu dans le domaine des composants est le silicium.

1.1.1 Comment définir un SC ?


a) Au niveau macroscopique : par sa résistivité ρ
Sa résistivité est intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants.

Conducteurs r < 10−7 Ω·m


Isolants r > 1012 Ω·m
Semi-conducteurs 10−4 Ω·m < r < 107 Ω·m
2 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Si l’on précise les matériaux et les valeurs typiques associés, on trouve à titre
d’exemple les ordres de grandeur suivants :

Les « bons » conducteurs Les « bons » isolants


Argent : 1,63·10−8 Ω·m,
Caoutchouc : 6,25·1014 Ω·m,
Cuivre : 1,71·10−8 Ω·m,
Plexiglas : 1013 Ω·m
Aluminium : 2,73·10−8 Ω·m

Quant aux semi-conducteurs, les matériaux de base utilisés habituellement


en technologie pour la fabrication des composants présentent des
résistivités maximales qui vont sensiblement de 10–2 Ω·m pour des
composants de signal à 1 Ω·m pour des composants de puissance.
Nota
On rencontre souvent la résistivité exprimée en Ω·cm, la conversion
est simple : 1 Ω·cm = 10–2 Ω·m ou 1 Ω·m = 102 Ω·cm.

Sa résistivité varie très fortement en fonction des impuretés dopantes qu’il renferme
en diminuant d’autant plus que la concentration d’impuretés est élevée.
Ainsi pour le silicium, la résistivité varie à température ambiante de 10 Ω·m à
10–5 Ω·m pour une concentration d’impuretés (le bore) variant de 1014 à 1020 atomes
par cm3.

Le SC est également très sensible à la température : nous en reparlerons.

b) Au niveau microscopique : par ses porteurs libres


et leur mode de transport
À la différence d’un conducteur, dans un SC la circulation du courant ne correspond
pas à un déplacement d’ensemble d’un seul type de porteurs – les électrons – mais
de deux types de porteurs :
• des charges réelles : des électrons libres ;
• des charges fictives équivalentes : les trous.
De plus, alors que dans un conducteur le courant est dû à un transport d’électrons
sous l’effet du seul champ électrique, dans un SC le courant est créé par le déplace-
ment de ces deux types de porteurs sous l’effet de deux actions :
• la conduction sous l’effet d’un champ électrique caractéristique d’un déséquilibre
de potentiel ;
• la diffusion sous l’effet d’un déséquilibre de concentration.
1.1 Les semi-conducteurs (SC) 3

1.1.2 Le monde du silicium


a) Du modèle planétaire de Rutherford (1911)…
L’atome de silicium est constitué de 14 protons et 14 électrons tournant sur des
couches circulaires notées K, L, M... Les couches se décomposent en sous-couches,
chaque couche (et sous-couche) correspondant à une énergie bien particulière des
électrons situés sur cette couche (ou sous-couche). Les énergies des électrons ne
peuvent donc être que discrètes. Les électrons situés sur les couches internes sont
des électrons «  de cœur  », fortement liés au noyau (couche K  : énergie liaison
= 1 839 eV : l’électron-volt correspondant à l’énergie cinétique acquise par un élec-
tron initialement au repos, soumis à une différence de potentiel de 1 V. C’est une
unité d’usage de la physique atomique et l’équivalence électronvolt-joule est donnée
par : 1 eV = 1,6·10–19 J).
Les électrons de la couche externe sont très faiblement liés (énergie de liaison couche
MIII = 3 eV), qui plus est cette couche externe ne comporte que 4 électrons périphé-
riques alors qu’elle pourrait en comporter 8.

b)… à la mécanique quantique


Le matériau silicium, c’est 5 ¥ 1022 atomes par cm3 disposés périodiquement dans
l’espace d’une façon déterminée par la répétition périodique d’un motif particulier
d’atomes appelé maille. D’un point de vue cristallographique, le silicium corres-
pond à une maille particulière dite maille « diamant » résultant de 2 cubes imbriqués
l’un dans l’autre (figure 1.1a). La dimension de l’arête d’un cube est de 0,543 nm ;
chaque atome de silicium est entouré de 4 voisins distants de 0,235 nm.
Les électrons externes de chaque atome sont liés aux autres électrons par une liaison
particulière dite liaison covalente. Chaque atome partage ses différents électrons
externes avec quatre atomes voisins pour former quatre « doublets » : on aboutit
ainsi à une liaison qui permet d’obtenir la forme d’orbite la plus stable. Ces liaisons
covalentes possèdent une orientation spatiale bien définie matérialisée par les liens
du modèle à sphère atomique de la figure 1.1a.
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

Question rouge
La donnée de la valeur a de l’arête du cube de silicium peut sembler super-
flue, sauf que… Le développement des technologies de fabrication conduit à
des composants « grand public », tels les microprocesseurs utilisés dans les
ordinateurs personnels, qui présentent une zone active dont la dimension de
« gravure » est voisine d’une centaine de fois la valeur de l’arête du cube de
silicium… Dans les années 2000, les dimensions de « gravure » des circuits se
situaient dans la gamme 150 nm-180 nm, dans les années 2007, on atteint déjà
45 nm… Actuellement les dernières technologies double cœur se situent dans
la gamme de 32 nm. On cherche encore et toujours à réduire cette dimension…
4 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Dans un matériau cristallin, l’arrangement spatial périodique fait que l’on passe
d’électrons possédant des niveaux discrets d’énergies (figure 1.1b), comme dans
le cas de l’atome de silicium isolé, à des bandes d’énergie permises séparées par
des bandes d’énergie interdites (figure 1.1c). Les électrons les plus liés aux noyaux
restent relativement peu sensibles à l’influence du potentiel des atomes voisins : ils
donnent naissance à des bandes étroites. Les électrons les moins liés aux atomes de
silicium donnent naissance à des bandes énergétiques plus larges (c’est la mécanique
quantique qui permet la modélisation des bandes…).

d
a

E E

M EM

EL
L
K c
EK

Figure 1.1 a) Structure cristallographique du silicium : la maille diamant.


b) L’atome. c) Le cristal.
Les deux dernières bandes correspondent respectivement à la bande de conduction
et à la bande de valence : elles sont séparées par une bande d’énergie interdite de
largeur caractéristique de 1,12 eV (figure 1.2).

E Niveau du vide
NV
Bande de
Conduction
EC
Figure 1.2 Schéma des bandes
EG=1,12 eV
d’énergie du silicium.
EV
Bande de
Valence
1.1 Les semi-conducteurs (SC) 5

1.1.3 Les différents types de semi-conducteurs


a) Semi-conducteur intrinsèque

Définition
On appelle semi-conducteur intrinsèque un SC parfait ne contenant aucun défaut
physique ni aucune impureté chimique : ses propriétés et ses caractéristiques sont
dues uniquement au semi-conducteur lui-même.
Au niveau macroscopique, l’ordre de grandeur de la résistivité  du silicium
intrinsèque est de 2,4.103 Ω·m à température ambiante.

Électrons et trous
Le silicium intrinsèque est un isolant à 0 K et aux très basses températures : (la rela-
tion de conversion d’unité de la température exprimée en kelvins est donnée par :
T(K) = T(°C) + 273,15).
À température ambiante, l’agitation thermique conduit à la rupture d’un certain
nombre de liaisons covalentes. Les électrons quittent alors l’atome auquel ils
étaient liés pour se déplacer de façon aléatoire, au gré des chocs atomiques, dans
le cristal. L’atome présente alors une charge globale positive +  q du fait de la
perte d’un électron. Un électron voisin de la liaison rompue peut, sous l’effet de
l’agitation thermique, venir « occuper » cette liaison laissée libre en laissant à son
tour une liaison inoccupée. Ce processus se répète de proche en proche dans tout
le cristal.
Tout se passe donc comme si une charge positive + q se déplaçait dans le réseau cris-
tallin. Cette charge positive fictive porte le nom de trou et il est possible de déduire
l’ordre de grandeur de sa masse à partir de concepts usuels telle la loi fondamentale
de la dynamique. En première approche on peut supposer que la masse du trou est
sensiblement du même ordre de grandeur que la masse de l’électron.
Dans la représentation par bandes d’énergie, l’interprétation de la rupture d’une
­liaison correspond au passage, grâce à un apport d’énergie suffisant, d’un électron
de la bande de valence dans laquelle il était lié à l’atome, à un niveau de la bande
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

conduction. Dans cette bande de conduction, partiellement remplie, l’énergie de


l’électron peut varier par exemple sous l’influence d’un champ électrique. Dans la
bande de valence, le trou représente un niveau énergétique libre qui peut être occupé
par un électron situé sur un autre niveau d’énergie de cette bande : le trou peut donc
se déplacer sur n’importe quel niveau de la bande de valence.
La rupture des liaisons covalentes est un phénomène statistique très sensible à la
température. La conduction intrinsèque entraîne une diminution de la résistivité du
matériau lorsque la température augmente. Ce phénomène est toujours prépondérant
sur tous les mécanismes de variation contrôlée de la résistivité aux températures
élevées.
6 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

En résumé, la rupture d’une liaison covalente sous l’effet de l’agitation thermique


entraîne ainsi la création d’une paire électron-trou. La concentration n en élec-
trons libres est égale à la concentration p de trous, soit :
n = p = ni
ni étant la concentration intrinsèque, caractéristique du SC.

Pour le silicium :
ni = 1,45·1010 porteurs par cm3 à température ambiante.
ni double environ tous les 11 °C.

b) Dopage et semi-conducteur extrinsèque


Le dopage
Le dopage consiste à introduire de façon contrôlée des impuretés spécifiques dans
un SC intrinsèque, ou aussi proche que possible du SC intrinsèque, de façon à faire
varier sa résistivité et à l’adapter aux nécessités technologiques de la fabrication des
composants (le matériau de base n’a pas la même résistivité dans un transistor petit
signal que dans un transistor haute tension…). On fabrique ainsi un nouveau SC
appelé « SC extrinsèque ».

Question rouge
Pour maîtriser l’introduction contrôlée d’impuretés, il faut maîtriser le
«  nettoyage  » contrôlé de toutes les impuretés non désirées  : les salles
« blanches » ou « propres » sont un élément essentiel de la technologie de
fabrication. La dénomination de ces salles a beaucoup varié selon que l’on
utilise les normes américaines (Federal Standard – FS) ou les normes euro-
péennes (ISO). À titre indicatif, une salle ISO 3 (classe identique à la classe 1
de la norme FS 209) contient moins de 1 000 particules de taille inférieure ou
égale à 0,1 mm par m3.

Le choix des dopants repose sur de nombreux critères. Il faut :


• introduire des atomes dont le mode de liaison chimique soit compatible avec celui
du SC initial ;
• que les atomes dopants occupent sensiblement le même volume que les atomes
de silicium initiaux (sinon il y a risque de tensions mécaniques internes dans le
matériau : cela casse…) ;
• ne pas introduire trop d’atomes dopants (sinon la répartition des atomes dopants
ne se fera plus d’une façon homogène mais par petits « tas » qu’on appelle des
précipités).
1.1 Les semi-conducteurs (SC) 7

La gamme des concentrations de dopants s’étend de 5·1012 cm3 à 5·1020 cm3 environ.


On trouve ainsi selon les cas un atome dopant tous les… dix milliards d’atomes de sili-
cium à un atome étranger tous les 100 atomes de silicium. Même dans le premier cas,
cela suffit pour modifier de façon très importante les propriétés électriques du silicium.

Semi-conducteur extrinsèque type N


On introduit des impuretés donatrices dites «  du groupe  V  », tels le phosphore,
l’­arsenic, etc., qui possèdent cinq électrons périphériques (figure  1.3a). Quatre
seront partagés avec les atomes de silicium les plus proches. Que devient le dernier ?
Le dernier, très faiblement lié, est délocalisé (il « appartient » en commun à beaucoup
d’atomes…) Sous l’influence de l’agitation thermique, il aura fortement tendance à
quitter son orbite et à se « promener » librement dans le cristal. Comme il ne partici-
pait pas initialement à une liaison, la création de cet électron « voyageur » n’entraîne
pas l’apparition de trou.
Cet électron très faiblement lié correspond à la création de niveaux énergétiques
spécifiques situés dans la bande d’énergie interdite : à 45 meV et 49 meV en dessous
du niveau Ec du bas de la bande de conduction respectivement pour le phosphore et
l’arsenic (figure 1.3b).

Si Si Si Si
.-q
. -q
.. . .-q
. -q
..
-q -q -q -q
P Al
..
-q.
. .. -q .. -q.
. .-q
. -q

Si Si Si Si

Figure 1.3a Semi-conducteur Figure 1.4a Semi-conducteur


de type N. de type P.

À température ambiante, l’énergie de liaison de ces électrons faiblement liés est ainsi
du même ordre de grandeur que l’unité de tension thermodynamique de Boltzmann
(pour simplifier, nous utiliserons l’expression unité de tension thermodynamique
dans la suite du livre) :
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

VT = kT /q = 25,25 mV à 20 °C.


avec :
k : constante de Boltzman (k = 1,380·10−23 J/K)
T : température absolue exprimée en K
q : charge de l’électron (q = 1,602·10−19 C)
C’est pourquoi on suppose habituellement (effet statistique avec loi exponentielle) qu’à
température ambiante tous les atomes donneurs sont ionisés (c’est l’hypothèse d’ionisa-
tion totale) de sorte que le nombre d’électrons libres nN créé par ce mécanisme est tel que :
nN = Nd
Nd : désignant la concentration des atomes donneurs.
8 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Le noyau de l’atome donneur conserve évidemment ses 5 charges + q, dont 4 sont
toujours neutralisées par les liaisons covalentes. Globalement il se comporte donc
comme une charge fixe + q. Cette charge ne pourra pas participer au transport du
courant électrique, elle représente par contre une certaine charge fixe dans l’espace.
E
Bande de Conduction E
Bande de Conduction

EC
EC
ED
Niveau donneur EG
EG Niveau accepteur
EA
EV EV

Bande de Valence Bande de Valence

Figure 1.3b Bandes d’énergie Figure 1.4b Bande d’énergie


dans un SC de type N. dans un SC de type P.

Il y a toujours parallèlement création de paires électrons trous par agitation thermique,


mais comme la concentration d’atomes donneurs est très supérieure à la concen­
tration intrinsèque ni (Nd >> ni), les électrons libres sont très largement m­ ajoritaires
dans le matériau de sorte que l’on peut écrire :
nN >> pN
pN : désignant la concentration des trous créés par agitation thermique
nN ≈ Nd
Les trous sont donc appelés porteurs minoritaires et le semi-conducteur est dit de
type N.

Semi-conducteur extrinsèque type P


On dope maintenant le silicium avec des éléments du groupe III (bore, aluminium,
gallium, indium) qui portent le nom d’atomes accepteurs (figure 1.4a). Ces impuretés
ne disposent que de trois électrons externes pour assurer quatre liaisons covalentes :
il y a donc « création » d’un manque dans une liaison covalente de cet atome, c’est-
à-dire d’un trou libre qui peut facilement « enlever » un électron aux atomes voisins.
Le noyau de l’atome accepteur conserve ses trois charges + q, toujours neutralisées
par les liaisons covalentes. Le nombre d’électrons de liaisons est porté à 4, ce qui
assure la stabilité de l’atome au sein du réseau. Globalement, il se comporte alors
comme une charge fixe − q. Cette charge ne pourra participer au transport du courant
électrique, elle représente en revanche une certaine charge statique dans l’espace. À
l’opposé, il y a eu création d’un trou, libre lui de se déplacer au sein du réseau.
L’introduction d’un atome dopant dit accepteur (d’électrons) conduit donc à la
création :
• d’un ion fixe négatif de charge – q ;
• d’un trou libre.
1.1 Les semi-conducteurs (SC) 9

Les énergies d’ionisation de ces atomes accepteurs se situent dans la même gamme
d’énergie que les atomes donneurs. Les trous libres sont très largement majoritaires
dans le matériau de sorte que, comme précédemment, on peut écrire :
pP >> nP
pp ≈ NA
Le semi-conducteur est dit de type P, quant aux électrons, ils sont devenus des
porteurs minoritaires.
Des bouteilles à moitié vides et à moitié pleines… et du courant
La conduction du courant dans les conducteurs est due aux électrons, les électrons se
déplaçant sous l’effet du champ électrique qui règne dans le solide par suite de l’ap-
plication d’une différence de potentiel (ddp) à ses extrémités. Si le champ électrique
est supposé uniforme, l’électron devrait posséder un mouvement uniformément
accéléré ; mais cet électron subit des chocs. Lors des chocs, les électrons cèdent
de l’énergie au matériau, mais cette perte est compensée par l’énergie fournie par
le champ électrique. D’un point de vue macroscopique, l’électron est alors animé
d’une vitesse moyenne proportionnelle au champ électrique.
Considérons maintenant un semi-conducteur.
Dans le cas d’une bande vide, il n’y a pas de conduction possible, malgré la présence
de niveaux énergétiques disponibles, car l’absence d’électron exclut le transport de
l’électricité.
Considérons maintenant le cas d’une bande pleine et occupons nous des électrons
présents dans cette bande pleine. Comme la bande est pleine, il n’y a aucun niveau
d’énergie vacant  : il n’y a donc aucune chance pour un électron d’acquérir de
l’énergie sous l’influence d’un quelconque champ électrique. Il n’y a donc pas de
conduction possible pour les électrons d’une bande pleine.
Pour qu’il y ait une possibilité de conduction, il faut que la bande de conduction
soit partiellement remplie. On a de la chance : c’est le cas avec les SC à température
ambiante.

c) En conclusion
Dans les SC, les porteurs de charge peuvent être créés par deux mécanismes dis-
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tincts se produisant simultanément :


• Un mécanisme incontrôlé : la génération thermique.
• Un mécanisme contrôlé : le dopage donnant lieu aux SC extrinsèques.
D’un point de vue technique, le phénomène de génération thermique conduit à une
température de fonctionnement limite (typiquement de l’ordre 200 °C à 250 °C)
incontournable des composants SC. Cette température « intrinsèque » est définie par
ni(TI) = NA ou ND. Elle dépend donc de la loi de variation ni(T) et de la résistivité du
SC extrinsèque via NA ou ND.
Au-delà de cette température TI, le mécanisme de génération intrinsèque prend le
pas sur les mécanismes extrinsèques de création d’électrons ou de trous : on perd le
contrôle des mécanismes de conduction dans les SC…
10 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Ce problème est particulièrement critique avec les composants de puissance car


la température intrinsèque décroît lorsque la résistivité augmente… Et comme on
utilise des matériaux à forte résistivité pour les composants de puissance, dépasser
cette température peut créer des problèmes…

1.1.4 Les concentrations de porteurs


a) Présentation
Dans un SC intrinsèque ou extrinsèque, quatre types de porteurs sont susceptibles
d’être rencontrés :
• Des porteurs de charge positive :
– soit des porteurs mobiles, les trous, avec une concentration p ;
– soit des atomes donneurs ionisés fixes avec une concentration ND.
• Des porteurs de charge négative :
– soit des porteurs mobiles, les électrons, avec une concentration n ;
– soit des atomes accepteurs ionisés fixes avec une concentration NA.
Les notations utilisées par la suite correspondent aux concentrations volumiques des
particules, chaque type de particule chargée possédant une charge dont le module est
égal à q (charge de l’électron).

b) Situation à l’équilibre
Condition de neutralité électrique
La première relation à laquelle obéit un SC est la condition de neutralité électrique
locale, c’est-à-dire en tout point r de l’espace, définie par la condition suivante :
ρ = q ¥ (p + ND – n − NA) = 0
ρ désignant la densité de charge électrique.
Par suite :
p + ND – n − NA = 0, soit n − p = ND − NA
La relation précédente impose donc une première contrainte sur la concentration
des porteurs mobiles en fonction de ND et NA, c’est-à-dire en fonction des données
technologiques de fabrication.

Loi d’action de masse


Le produit np des concentrations des électrons et des trous dans un SC quelconque
(intrinsèque ou extrinsèque) à l’équilibre est, lui, indépendant des concentrations ND
et NA. Il ne dépend que de la température. Ainsi :
np = ni2 = f(T)
Cette fonction est notée habituellement ni2(T) par référence au semi-conducteur
intrinsèque. Pour le silicium, la loi de variation ni(TI) est donnée par la formule
pratique suivante :
ni (T)=3,8T 3/2exp(− 7 000/T)
1.1 Les semi-conducteurs (SC) 11

c) Situation hors d’équilibre


Dans les situations hors d’équilibre, il est intéressant de décomposer les concentra-
tions en deux termes : les concentrations d’équilibre désignées par n0 et p0, les écarts
par rapport à cet équilibre notés ∆n et ∆p. Nous écrirons ainsi les concentrations sous
la forme générale suivante :
n = n0 + ∆n
p = p0 + ∆p

Condition de quasi-neutralité électrique


Hors d’équilibre, la densité de charge devient :
ρ = q ¥ (p0 + ∆p + ND − n0 − ∆n − NA)
qu’on peut transformer ainsi :
ρ = q ¥, (p0 + ND − n0 − NA) + q ¥ (∆p − ∆n)
Le premier terme, qui correspond à la situation d’équilibre, est nul. Quant au second,
si les concentrations en excès ∆p et ∆n sont telles que : ∆p ≈ ∆n, on peut continuer à
supposer ρ = 0.
Cette condition, désignée sous le nom de condition de quasi-neutralité électrique,
est toujours vérifiée.

Conséquence sur la loi d’action de masse


Si la condition de neutralité électrique est préservée pour un SC hors d’équilibre,
il n’en est plus de même pour la loi d’action de masse. En effet, si la concentration
en électrons croît ou décroît, la concentration en trous doit croître (respectivement
décroître) de la même valeur pour satisfaire à la condition de quasi-neutralité élec-
trique. Par suite, le produit np varie par rapport à sa valeur à l’équilibre : il augmente
ou diminue selon le signe de ∆n ou ∆p.
La valeur de la différence np − ni2 traduit donc l’écart par rapport à cet équilibre.
Un semi-conducteur ne peut rester indéfiniment en état de déséquilibre (on a des
problèmes avec la thermodynamique…). Un ensemble de processus connus sous le
nom de processus de génération-recombinaison vont donc prendre naissance pour
ramener ce semi-conducteur à l’équilibre.
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Ainsi, un semi-conducteur qui présente un déficit important de porteurs par rapport


à son état d’équilibre, va créer des porteurs en grand nombre, alors qu’un semi-
conducteur qui présente au contraire des porteurs en excès va « tout faire pour les
faire disparaître ».
Ces processus, qui concernent les électrons et les trous, sont modélisés au niveau
macroscopique par :
• un taux de génération G qui traduit le nombre de porteurs crée par unité de volume
et de temps ;
• un taux de recombinaison R qui traduit le nombre de porteurs disparaissant dans
les mêmes conditions.
12 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

On utilise parfois un taux global de génération recombinaison U = G − R.


Les processus de génération au sein d’un semi-conducteur sont multiples. Ils peuvent
résulter :
• d’une injection via le mécanisme de diffusion ;
• d’une excitation optique ;
• du mécanisme d’ionisation par impact (cf. chapitre 4).
Les mécanismes de recombinaison seront analysés au §1.3.4.b).

1.2 PHÉNOMÈNES DE TRANSPORT ET COURANT ÉLECTRIQUE


1.2.1 Influence de la température
Dans un SC intrinsèque ou extrinsèque existent donc deux types de particules, les
électrons et les trous, en concentration uniforme et indépendante du temps. Par
contre ces porteurs ne sont pas immobiles.
Sous l’effet de l’agitation thermique les porteurs se déplacent dans toutes les direc-
tions (figure 1.5a). Suite aux chocs subis par les électrons ou les trous avec les atomes
originels, les impuretés, etc., toutes les directions des porteurs sont équiprobables car
il y a autant de chance d’obtenir une trajectoire dans un sens donné que dans le sens
opposé. À un instant donné, la composante moyenne de la vitesse dans une direction
quelconque, qui résulte d’un très grand nombre de chocs et de trajectoires isotropes,
est donc nécessairement nulle. Autrement dit, l’agitation thermique des porteurs
dans un SC ne produit pas de transport moyen de charges, donc pas de courant.
Par contre, ce nuage d’électrons et/ou de trous possède une certaine énergie moyenne
que l’on peut déterminer par approche thermodynamique. À cette énergie thermique
3
définie par : Et = kT correspond une vitesse qualifiée de vitesse d’agitation ther-
2
mique Vth définie par
1
Vth = < Vth2 >  avecm < Vth2 > = Et
2
Le symbole < f(t) > désignant la valeur moyenne de la fonction f(t).

a b

Figure 1.5 Trajectoire d’un électron.


a) Sans champ électrique. b) Avec champ électrique.
1.2 Phénomènes de transport et courant électrique 13

Si on suppose la masse des électrons et des trous « voisine » de la masse de l’électron


au repos, la vitesse d’agitation thermique des porteurs mobiles d’un SC est de l’ordre
de <Vth > ≈ 105 m·s−1.
C’est cette vitesse moyenne que le champ électrique va légèrement faire varier.

1.2.2 Influence d’un champ électrique : la conduction


a) Présentation
L’application d’un champ électrique à un nuage de porteurs, trous et/ou électrons,
entraîne un effet de dérive lente du nuage (figure 5b), dans le sens ou non du champ
électrique selon le type de porteurs, que l’on peut caractériser macroscopique-
ment par une vitesse de dérive (drift) ou d’entraînement. Si le champ électrique est
suffisamment faible (E < 1 V·μm−1), cette vitesse dépend linéairement du champ
appliqué, selon la formule :
qE
Vd = µE avec µ = τv
me
Vd désigne la vitesse d’entraînement du nuage de porteurs, µ est un paramètre
statistique qui représente la mobilité des porteurs (électrons ou trous). La m
­ obilité
s’exprime en m2·(V·s)−1 ou en pratique en cm2·(V·s)−1. Les ordres de grandeur
pour le silicium sont les suivants : µn = 1 500 cm2·(V·s)−1 et µp = 450 cm2·(V·s)−1.
(Se rappeler que les électrons sont environ 3 fois plus mobiles que les trous.) Enfin,
τV représente le temps de relaxation de la vitesse (ou du moment).
La mobilité, qui constitue l’un des paramètres fondamentaux de la
physique des SC est particulièrement importante dans la modélisation
des transistors MOSFET, car le transport des porteurs se fait sous la seule
action du champ électrique.

À titre d’exemple un champ électrique de 0,01V·μm−1, correspond à une vitesse de


dérive de 103 m·s−1, c’est-à-dire à un centième de la vitesse d’agitation thermique…
Ansi, il ne faut donc pas confondre vitesse individuelle et vitesse d’ensemble. Aux
champs électriques très élevés, la vitesse de dérive atteint une valeur limite appelée
vitesse de saturation de l’ordre de…105 m·s−1, en « gros » la vitesse d’agitation
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thermique.

b) Densité de courant de conduction – Conductivité et résistivité


Soit un volume de SC dans lequel on considère une surface dS normale à la direction
du champ électrique. Soient n et p la concentration des électrons et des trous qui se
déplacent. Sous l’effet du champ électrique, il y a respectivement :
• nv électrons qui traversent cette surface par unité de temps ;
• pv trous qui traversent cette surface par unité de temps.
La charge totale dQ/dt traversant cette surface par unité de temps est donc :
   
q(nμn E.dS+ pμp E.dS).
14 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Il en résulte une densité de courant dans la surface dS telle que :


 
J = q(nμn + pμp) E
La conductivité du matériau SC, définie par : σ = J/E, est donc telle que :
σ = q(nμn + pμp)
Quant à la résistivité ρ, elle est telle que :
1 1
ρ = =
σ q(nµn + pµp )
Les valeurs de n et p dépendent du type de SC utilisé (intrinsèque ou extrinsèque).
Le dopage et, comme nous le verrons ultérieurement, l’injection en quantité plus ou
moins importante de porteurs, permettent de faire varier la résistivité d’un SC dans
des proportions plus ou moins importantes.

1.2.3 Influence de la concentration : la diffusion


a) Présentation
Le phénomène de diffusion est un phénomène physique très général qui se produit
lorsqu’existe une inhomogénéité spatiale de concentration : il se caractérise par une
tendance naturelle à « ramener » le gaz, le liquide ou le semi-conducteur vers l’équi-
libre, l’équilibre étant défini par une concentration uniforme dans tout le volume. Ce
phénomène de transport est irréversible.
Les flux de particules qui en résultent vont donner lieu à la circulation de courants de
diffusion conformément aux relations mono ou tridimensionnelles suivantes :
 
JDN = + qDNdn/dx JDN = + q ⋅ DN ⋅ grad n
 
JDP = − qDPdp/dx JDP = − q ⋅ DP ⋅ grad p
Le déplacement des porteurs n’est pas lié à la valeur locale des concentrations dans
l’espace mais à la variation spatiale locale des concentrations.
Le flux de trous et le courant de diffusion associés sont de même sens, ils sont de
sens contraire pour les électrons.
Les paramètres DN et DP définissent respectivement les constantes de diffusion des
électrons et des trous dans le matériau SC.
À la température de 300 K, les constantes de diffusion des électrons et des trous sont
respectivement :
DN = 37, 5·10−4 m2·s−1 et DP = 13·10−4 m2·s−1
Évidemment les constantes de diffusion sont loin d’être des constantes universelles…
La densité totale de courant de diffusion a donc pour expression finale :
JD = JDN + JDP
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 15

b) Relation d’Einstein
La mobilité représente l’aptitude d’un électron/trou à se déplacer sous l’effet d’un
déséquilibre de potentiel, tandis que la constante de diffusion représente l’aptitude
d’un électron/trou à se déplacer sous l’effet d’un déséquilibre de concentration de
porteurs de charge. On peut donc penser qu’il y a peut-être un lien entre ces deux
paramètres… C’est effectivement le cas, la relation d’Einstein permettant de « pas-
ser » d’un paramètre à l’autre via l’unité de tension thermodynamique Vt à l’aide des
relations suivantes :
DN = Vt·μN
DP= Vt·μP

1.2.4 Cas général


Dans le cas général et avec « les bonnes hypothèses », on peut considérer que le cou-
rant total résulte simplement de la contribution des deux phénomènes, conduction
sous champ électrique et diffusion, considérés isolément (c’est de la linéarité ou de
la superposition). La densité de courant totale Jt circulant dans un SC est alors telle
que :
Jt = JC + JD
JC : courant de conduction
JD : courant de diffusion
Comme chaque composante est susceptible d’impliquer électrons et trous, il y a
quatre composantes de courant à déterminer dans le cas général.
On pourra vérifier, à titre d’exemple, que la résistivité du silicium varie de
2,2·105 Ω.cm, pour du silicium intrinsèque, à 1,38 Ω.cm, soit 105 fois plus faible,
pour du silicum dopé avec1016 atomes de bore.

1.3 MODÉLISATION DU RETOUR À L’ÉQUILIBRE


1.3.1 Présentation
Le problème du retour à l’équilibre d’un SC implique différentes questions quant
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au mode de fonctionnement du composant et au type de composant (signal ou puis-


sance) considéré.
Il est possible de s’intéresser à l’état d’équilibre lorsque le composant est soumis
à une « perturbation permanente constante » de porteurs (cas du fonctionnement
en régime continu). Dans ce cas, ce sera la loi de répartition spatiale de la densité
des porteurs en régime permanent qu’il sera intéressant de calculer car elle permet
de déterminer la valeur des courants de diffusion (par calcul des dérivées en un point
donné dans un modèle unidimensionnel, par exemple).
Il est possible de s’intéresser au retour à l’équilibre après que le composant a été
soumis à une « perturbation transitoire », plus ou moins importante, de la concen-
tration des porteurs comme dans le cas du fonctionnement en commutation d’un
16 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

transistor. Dans ce cas, ce sera la loi d’évolution temporelle de la densité des porteurs
qu’il sera intéressant de calculer car elle permet de déterminer le temps nécessaire
pour que le composant revienne dans son état initial après suppression de l’excitation.
Deux types de situations (voir ci-dessous) peuvent de nouveau se rencontrer selon que
le composant travaille en faible injection, comme dans les composants de signal, ou en
forte injection comme dans les composants de puissance. Ces deux situations conduisent
à des « calculs » différents, même si elles découlent des mêmes équations de continuité.
Dans un modèle unidimensionnel, le bilan des charges conduit à l’équation de conti-
nuité fondamentale suivante (ne pas oublier qu’il y a la même pour les trous) :
∂n 1 ∂J
= Gn − Rn + × n
∂t q ∂X
Le courant total d’électrons Jn étant défini par Jn = JnC + JnD, les courants JnC et JnD
désignant respectivement les courants de conduction et de diffusion spécifiques des
électrons. Le retour à l’équilibre impliquant un excès de porteurs initial, on peut
supposer Rn >> Gn.

1.3.2 Les niveaux d’injection dans un semi-conducteur


a) Les ordres de grandeur
Il est important de connaître les ordres de grandeur suivants.
• Un semi-conducteur intrinsèque comporte 5·1022atomes/cm3, l’agitation ther-
mique conduit à la création permanente de 1010 électrons et 1010 trous.
• Un semi-conducteur extrinsèque (N ou P) dopé « normalement » comporte envi-
ron 5·1017/cm3 atomes dopants. Si le matériau est de type N, dans l’hypothèse
d’ionisation totale (hypothèse habituelle) il y a création de 5·1017 électrons par
cm3 et de 0,5·103 trous par cm3.
• La densité de courant « maximale » dans le cuivre (pour éviter les problèmes
d’échauffement) est de 5 A·mm−2 (c’est la densité de courant que peut « suppor-
ter » les fils électriques traditionnels que vous achetez chez votre électricien…).
• La densité de courant d’un « bon » composant de puissance à l’état fermé est 1 à
3 A·mm−2.

b) Hypothèse des faibles injections


La plupart des composants de signal fonctionnent habituellement en régime de
faible injection (figure 1.6b). Dans ce régime, la densité des porteurs injectés dans
le SC est faible par rapport à la densité des porteurs majoritaires du SC à l’équilibre.
À titre d’exemple, pour un SC de type P de concentration de dopants NA, l’équilibre
thermodynamique implique :
n2
p0 ≡ N A et n0 = i << p0
NA
p0 et n0 désignant les concentrations à l’équilibre des trous et des électrons.
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 17

Si Δn et Δp désigne les porteurs en excès, la condition de faible injection implique :


p = p0 + Δp ≈ p0 et n = n0 + Δn.
La condition d’équilibre électrique implique : Δn = Δp en tout point.
Il en est de même dans un SC de type N de concentration de dopants ND.
En résumé, l’hypothèse de faible injection fait que l’on ne « voit » pas de modifica-
tion des porteurs majoritaires. Par contre, la modification des porteurs minoritaires
est importante.

Conséquence
Dans l’hypothèse de faible injection, la conductivité (ou la résistivité) du SC n’est
pas modifiée

+ + + + + +

+ + +
+ + +
.

+ + + + + +

a b c
Figure 1.6 Concentration des porteurs (libres et fixes).
a) Avant injection. b) Après faible injection. c) Après forte injection.

Commentaire
La figure  1.6a représente un SC extrinsèque de type N (concentration de
dopants 5·1017/cm3 par exemple) à l’équilibre thermodynamique. Seuls sont
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représentés sur ce schéma les atomes ionisés et les électrons libres « fournis »
par ces atomes. Les trous créés par le processus de dopage ne sont pas repré-
sentés (il y en a en effet 0,5·103 par cm3 alors qu’il y a 5.1017 électrons…). Les
électrons et les trous créés par le mécanisme intrinsèque ne sont pas plus repré-
sentés (il y a 1010 électrons et 1010 trous par cm3). La figure 1.6b, qui représente
le même SC en faible injection, fait apparaître un électron et un trou supplé-
mentaires par rapport au nombre initial des électrons et des atomes donneurs. (9
atomes ionisés et 9 électrons libres). C’est encore bien beaucoup pour l’hypo-
thèse des faibles injections car la gamme de porteurs injectés est souvent de
l’ordre de… 100 fois plus faible que la concentration initiale des dopants.
18 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

L’injection faible n’est pas sans conséquence sur les courants qui peuvent circuler
dans un SC. L’influence d’une faible injection sur un éventuel courant de conduction
des porteurs majoritaires est évidemment négligeable. La modification d’un éventuel
courant de conduction des porteurs minoritaires est significative, mais il n’en reste
pas moins que le courant de conduction des porteurs minoritaires reste très faible
devant le courant de conduction des porteurs majoritaires. Ce seront donc les courants
de diffusion qui vont devenir déterminants dans ce cas, les courants de diffusion des
électrons et des trous ne différant que par l’intermédiaire des constantes de diffusion.

1.3.3 Hypothèse des fortes injections


Une famille de composants de puissance − les composants bipolaires − fonctionne
dans un régime particulier appelé régime de forte injection.
Cette hypothèse concerne généralement des couches peu dopées et donc fortement
résistives. Dans ce cas, la densité des porteurs injectés est beaucoup plus grande (le
facteur 100 voir 1 000 est le bon ordre de grandeur) que la densité des porteurs majo-
ritaires du SC à l’équilibre. Par suite si Δn et Δp désignent les porteurs en excès, le
régime de forte injection implique les relations précisées ci-dessous.
Pour un SC de type P de concentration de dopants NA, l’équilibre thermodynamique
implique :
n2
p0 ≡ N A et n0 = i << p0
NA
p0 et n0 désignant les concentrations à l’équilibre des trous et des électrons dans le
SC de type P.
La condition de forte injection (figure 1.6c) implique que les concentrations de
porteurs après injection sont telles que :
p = p0 + Δp ≈ Δp >> p0
n = n0 + Δn ≈ Δn >> n0
L’équilibre électrique implique : Δn = Δp.
Au final, nous avons donc des concentrations de trous et d’électrons telles que :
Δp ≈ Δn
L’intérêt d’une forte injection réside dans l’augmentation, qui peut être « énorme »,
de la conductivité - ou la diminution « énorme » de la résistivité qui en résulte (on
utilise souvent le terme de modulation de résistivité).
Le régime de forte injection :
• permet de faire varier la résistivité des couches dans de très grandes proportions ;
• autorise des densités de courants directs élevées ;
• autorise des tensions de fonctionnement élevées.
En résumé, l’hypothèse de forte injection fait que l’on ne « voit » plus les porteurs
majoritaires de la couche originelle  : la concentration des porteurs (électrons et
trous) devient indépendante du dopage de la couche, la concentration des deux types
de porteurs devenant égale à la concentration de porteurs injectés.
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 19

Conséquence
Dans l’hypothèse de forte injection la résistivité de la couche SC originelle est
susceptible de varier de façon très importante.

L’influence de l’injection forte sur d’éventuels courants de conduction des porteurs


libres (électrons et trous) est évidente : la condition de forte injection impliquant que
les courants de conduction des électrons et des trous ne diffèrent que par l’intermé-
diaire des mobilités, ou, ce qui revient au même par l’intermédiaire des constantes
de diffusion (relation d’Einstein).
Mais la condition de forte injection Δn  =  Δp ne peut se prolonger indéfiniment
en raison d’un déséquilibre : il y aura nécessairement apparition d’un gradient de
concentration dans le matériau SC et, par suite, apparition de courants de diffusion.

1.3.4 Le retour à l’équilibre et la recombinaison


a) Présentation
Lorsqu’un SC se trouve, pour une cause ou pour une autre, hors d’équilibre, il a
tendance naturellement à revenir à l’équilibre. Il y a donc toujours apparition de
mécanismes internes qui vont contribuer à ramener le semi-conducteur à sa situation
d’équilibre originelle. À chaque processus perturbant ayant conduit le SC au désé-
quilibre correspond un processus de restauration vers l’équilibre.
De façon synthétique, les processus de génération-recombinaison peuvent être clas-
sés selon que l’on s’intéresse à la façon dont s’effectue les transitions inter-bandes
ou aux processus physiques (processus non radiatifs : ce sont des particules qui parti-
cipent à la recombinaison ; et/ou processus radiatifs avec émission ou absorption de
rayonnement) qui les accompagnent.
Selon les applications considérées, une famille de processus peut être plus ou moins
intéressante : ainsi les processus non radiatifs sont évidemment inadaptés pour l’op-
toélectronique, car ils pénalisent les phénomènes radiatifs utiles.
« Évidemment », le processus de retour à l’équilibre est un processus probabiliste
dans lequel tous les processus entrent en compétition et possèdent une certaine
probabilité de réalisation. C’est aussi un processus statistique car il concerne un
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nombre de porteurs extrêmement important.

b) La recombinaison
Quelques notions
Les mécanismes de recombinaison dans le silicium sont essentiellement des méca-
nismes non radiatifs. Les processus de restauration vers l’équilibre impliquant des
paires électrons-trous sont divers et nombreux. Ils peuvent être directs (un électron
se recombine avec un trou) ou impliquer la participation de niveaux énergétiques
pièges situés sensiblement au milieu de la bande interdite (d’où le nom de pièges
profonds quelque fois utilisé). Ces pièges peuvent être associés à des impuretés
20 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

particulières (or…) qui ont été introduites volontairement dans le silicium… ou/et à
des contaminants involontaires.
Le principal mode de recombinaison dit de Shockley Read Hall « fonctionne » de la
façon élémentaire suivante :
Un électron est d’abord capturé par une impureté puis un trou est capturé par la
même impureté. Ceci entraîne la disparition d’une paire électron-trou : l’impureté
s’est bien comportée en centre recombinant. Mais on peut envisager d’autres méca-
nismes élémentaires avec ce piège : si le piège qui a capturé l’électron possède une
plus grande probabilité de le réémettre, l’impureté a simplement piégé transitoire-
ment un électron : elle s’est comportée en piège à électron.
La compréhension des phénomènes de recombinaison est donc loin d’être simple…
Mais ces phénomènes sont très importants car leur maîtrise conditionne l’optimi-
sation technologique des composants. Selon les cas, on désirera que cela « diffuse
bien », ou que cela « recombine peu », comme dans la base des transistors de signaux
bipolaires, ou au contraire que cela « recombine vite » comme dans certaines zones
de composants de puissance…

Régime de faible injection


Dans les SC en régime de faible injection, la réponse au problème du retour à
l’équilibre est simple : c’est la durée de vie des porteurs minoritaires injectée qui va
imposer la vitesse avec laquelle le SC pourra revenir à l’état initial.
Pour un SC de type N, la recombinaison est définie par une relation du type :

pn concentration des porteurs à l’instant t


pn − pn 0 ∆p
R= = pn0 concentration à l’équilibre
τp τp
τP durée de vie des trous dans le matériau N

Exemple
Soit un SC de type N et résistivité ρ = 10−2 Ω·m correspondant à une concentration
en atomes donneurs dans ce matériau égale à ND ≈ 6·1015/cm3. En régime d’ionisa-
tion totale, la concentration des électrons est définie par n ≈ ND = 6·1015/cm3 et la
concentration des trous est telle que p ≈ ND/ni2 = 4·104/cm3. Supposons une injec-
tion faible de 104 porteurs. Il lui correspond une variation relative de porteurs
(6 ⋅ 1015 + 4 ⋅ 10 4 ) − 6 ⋅ 1015 4
majoritaires telle  : = ⋅ 10 −11   ≈ 0. On peut donc
6 ⋅ 1015 6
considérer que celle-ci est pratiquement nulle. Par contre, la variation relative
de la densité des trous est de 75  %. La densité des porteurs majoritaires ne
subissant aucune modification, les porteurs majoritaires n’ont quasiment
aucune influence sur la durée du retour à l’équilibre. A contrario, la concentra-
tion de trous, qui a subi une variation importante, sera déterminante pour ce
retour à l’équilibre.
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 21

Durée de vie et longueur de diffusion


La durée de vie des porteurs minoritaires est un autre paramètre critique des semi-
conducteurs. Par approche physique, on peut penser que cette durée de vie est :
• inversement proportionnelle à la concentration de pièges : autrement dit plus il y
a de pièges, plus la durée de vie est faible ;
• inversement proportionnelle à la vitesse moyenne d’agitation thermique Vth ;
• inversement proportionnelle à une « capacité de capture » spécifique au piège.
Les valeurs de grandeur τn sont de l’ordre de la microseconde aux dopages élevés à
une centaine de microsecondes pour les faibles dopages.
Les valeurs de τp sont sensiblement du même ordre de grandeur.
Si on s’intéresse au régime stationnaire de la diffusion des porteurs à l’intérieur d’une
couche d’épaisseur infinie, on peut définir le déplacement de ces porteurs pendant
leur durée de vie par une distance caractéristique L appelée longueur de diffusion.
La concentration des porteurs à cette distance correspond à la concentration initiale
des porteurs divisée par e (e = 2,718…). Au terme d’une distance égale à 2,3 L, la
concentration des porteurs ne représente plus que 10 % de la concentration initiale.
La longueur de diffusion est reliée à la durée de vie par : L = D τ .

Cette formule s’applique aux électrons et aux trous.


Les valeurs de L sont de l’ordre d’une dizaine à quelques dizaines de
micromètres.

Exercice (un « classique ») : la diffusion des porteurs minoritaires injectés


dans une couche
On considère une couche SC de type P, d’épaisseur W (qu’on pourrait appeler
« base »…) dans laquelle sont injectés en permanence des électrons à partir d’une
couche type N. On supposera que la densité des électrons injectés à l’interface,
que l’on notera N0 (N0 = 1016 électrons/cm3), est très supérieure à la densité des
porteurs minoritaires n0 de la couche P et on supposera par ailleurs que N(W) = 0.
1. On néglige dans un premier temps le phénomène de recombinaison dans la couche P.
Écrire et résoudre l’équation de continuité. Tracez la courbe représentative
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correspondante de la variation de la concentration des électrons N(x) au sein de la


base. Interprétez qualitativement le résultat en termes de courant.
La concentration des dopants de la couche P est 1018/cm3. Vérifiez les hypothèses
de l’énoncé.
Calculez la valeur littérale et numérique de la charge stockée dans la couche P. On
suppose que la couche P est un parallélépipède carré d’épaisseur égale à 0,5 μm,
les dimensions du carré étant de 25 μm ¥ 25 μm.
2. On tient compte maintenant du phénomène de recombinaison dans la couche P.
Donnez l’expression de la nouvelle équation de continuité. Résoudre l’équation
correspondante et tracez la courbe représentative de la variation de la concentration
22 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

des électrons N(x). Interprétez qualitativement le résultat en termes de courant en


le comparant au résultat précédent.
3. Comment peut-on assurer la condition N(W) = 0 ?
Solution
∂n 1 ∂J
1. L’équation générale de continuité est : = Gn − Rn + . n
∂t q ∂X
En régime stationnaire : ∂n/∂t = 0.
Le taux de génération est nul puisqu’il y a un excès d’électrons injectés dans la
couche P, couche P qui contient en outre les trous majoritaires.
La recombinaison est supposée négligeable : par suite τN tend vers l’infini et RN
tend vers zéro.
1 ∂J
L’équation de continuité se réduit donc à : 0 = . n avec : Jn = qDn(∂n/∂x).
q ∂X
Par suite l’équation de continuité se réduit à : ∂2N/∂x2 = 0.
Une double intégration donne immédiatement : N(x) = Ax + B.
Les constantes A et B sont déterminées par les conditions aux limites :
 x = 0, N (0) = N 0 B = N0
 d’où 
 x = W , N (W ) = 0  A = − N0 / W
Finalement :
N(x) = N0(W − x/W)
La concentration des porteurs décroît de façon linéaire de la valeur N0 à l’interface
jusqu’à 0 en x = W.
Il ne faut pas confondre lois de distribution des porteurs et valeurs
locales de la densité de courant.

Bien que la densité locale des porteurs soit nulle en x = W, le courant de diffusion
en x = W, est différent de zéro. Défini par la relation Jn = qDn(∂n/∂x)x = W, il vaut
simplement − N0/W. Il est donc égal au courant en x = 0. Autrement dit, il y a
égalité des courants de diffusion à l’entrée et à la sortie de la zone P, c’est-à-dire
de la… base.
L’hypothèse d’ionisation totale conduit à des concentrations initiales de porteurs
dans la couche P égales respectivement à :
pP = 1018 trous/cm3 et nP = 2,25·102 électrons/cm3
La surface du triangle associée à la loi de variation N(x) correspond à la charge
permanente stockée dans la couche lors d’une injection permanente de porteurs
(comme c’est le cas en régime continu dans un transistor…). La charge stockée
dans la base est une charge de porteurs minoritaires dite de diffusion valant :
Qd = 1/2 qN0·W·S.
La surface S de l’émetteur est telle que S = 25 ¥ 25 ¥ (10−4)2 donc :
Qd = 0,5 ¥ (1,6·10−19)(1016) ¥ (0,5 ·10−4) ¥ (625·10−8) = 0,2510−12 F
1.3 Modélisation du retour à l’équilibre 23

Évidemment, c’est faible, mais il faudra de toute façon un « certain temps » pour
éliminer cette charge.

2. L’équation générale de continuité est identique à celle de la question 1. En


revanche, on tient compte maintenant de la recombinaison, modélisée par :
R = (NP − n0P )/τn
(n0P : densité originelle des électrons dans la couche P
L’équation de continuité s’écrit donc ∂2N/∂x2 – R = 0
En supposant que la concentration N(x) des électrons injectés dans la couche P
est telle que NP(x) >> n0P, l’équation de continuité prend la forme :
∂2N/∂x2 – N/Ln2 = 0
avec Ln2 = Dn τn.
L’équation caractéristique associée à l’équation différentielle est : C2 − 1/Ln2 = 0.
Par suite, la solution de l’équation différentielle est de la forme :
 x   x 
N ( x ) = A ⋅ exp  −  + B ⋅ exp  + 
 Ln   Ln 
Les conditions aux limites sont telles que :
 A + B = N0
 x = 0, N (0) = N 0 
 d’où   W  W
 x = W , N (W ) = 0  A exp  − L  + B exp  + L  = 0
 n n

En résolvant le système constitué par les 2 équations précédentes, il vient :

 W
N 0 exp  + 
 Ln 
A= et B = N 0 − A
 W  W
exp  +  − exp  − 
 Ln   Ln 
exp ( x ) − exp ( − x )
En introduisant la fonction sh(x) définie par : sh x = , il vient,
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2
tous calculs faits :
W − x
sh 
 Ln 
N (x) = N0
W
sh  
 Ln 
La loi de variation suit donc une loi de variation « d’allure » exponentielle.
Négliger la recombinaison revient à supposer que la durée de vie des électrons
est supérieure au temps nécessaire pour traverser la couche d’épaisseur W ou, ce
qui revient au même à supposer que l’épaisseur de la couche P est beaucoup plus
petite que la longueur de diffusion Ln.
24 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Dans ces conditions :


W/Ln << 1 et W − x/Ln << 1
Donc :
sh (W/Ln) ≈ W/Ln et sh (W − x/Ln) ≈ W − x/L
On retrouve le résultat précédent.
La recombinaison a pour effet d’incurver la courbe de variation de la densité de
porteurs vers le bas (figure 1.7). De ce fait il n’y a plus égalité entre les courants
de diffusion entrant et sortant de la couche P.
3. On peut utiliser soit :
− une couche de type P à haute recombinaison (la durée de vie tend vers zéro et
R tend vers l’infini) accolée à la précédente ;
− une couche dans laquelle existe un champ électrique, dans le bon sens, qui
propulse instantanément les électrons vers une électrode que l’on pourrait
appeler… collecteur : c’est le transistor.

Densité des porteurs


N0
Diffusion
sans recombinaison

Diffusion
avec recombinaison

W
Zone N Zone P
Figure 1.7 Diffusion et recombinaison.

1.4 LE COMPOSANT
1.4.1 Composants bipolaires et unipolaires
Les composants bipolaires sont caractérisés par les propriétés suivantes.
• La circulation d’un courant implique le déplacement de porteurs mobiles de deux
types : des électrons ET des trous.
• Les porteurs se déplacent sous l’action de deux mécanismes : la conduction sous
l’action d’un champ électrique (drift) ET la diffusion sous l’action d’un gradient
de concentration.
• Une alternance de couche SC de type N et P définissant une jonction.
1.4 Le composant 25

Les principaux composants bipolaires utilisés sont les suivants :


• Électronique du signal : diode, transistor.
• Électronique de puissance : diode, transistor, thyristor, thyristor commandé à l’ou-
verture (gate turn off : GTO), transistor bipolaire à commande par grille isolée
(IGBT : insulated gate bipolar transistor).
Lors du fonctionnement d’un composant bipolaire, les phénomènes de diffusion,
incessants, se traduisent par des injections (faibles ou fortes) de porteurs dans les
couches SC.
Ces injections de porteurs sont accompagnées :
• de stockage de charge ;
• de recombinaison de porteurs ;
• d’extraction éventuelle de porteurs par un courant extérieur.
Si des charges sont stockées, leur élimination prendra toujours, quelles que soient
les conditions, un « certain temps ». Ce temps de déstockage est une spécificité des
composants bipolaires.
Les composants unipolaires sont caractérisés par les propriétés suivantes.
• La circulation d’un courant implique le déplacement de porteurs mobiles d’un
seul type : des électrons OU des trous.
• Les porteurs se déplacent sous l’action d’un seul mécanisme : la conduction sous
l’action d’un champ électrique (drift).
• La présence d’un canal conducteur limité par deux couches SC, de même
nature (N ou P) que le canal.
Les principaux composants unipolaires utilisés sont les suivants :
• Électronique du signal : transistor à effet de champ (field effect transistor : FET) à
jonction (JFET) et à grille isolée (insulated gate field, plus connu sous le nom de
MOSFET (metal oxide semiconductor field…).
• Électronique de puissance : MOSFET.
Lors du fonctionnement d’un composant unipolaire, les phénomènes de diffusion
sont inexistants : les SC unipolaires ne sont donc pas soumis aux problèmes de stoc-
kage de charge.
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1.4.2 L’électricien, l’électronicien et le physicien :


une communication difficile
Lorsqu’un électricien pense conducteur, il pense ohmmètre, circuit ouvert, court-
circuit, résistance.
Quant un électronicien pense conducteur, il pense oscilloscope, interrupteur ouvert,
fermé, composant passant, position du point de fonctionnement. Il positionne « dans
sa tête » le point de fonctionnement du composant dans la « bonne » zone du plan (I,
V) : Imax et V ≈ 0, I ≈ 0+ ou 0− et Vmax, V et I quelconques.
26 Chap. 1. Les fondements du génie électronique

Et que pense le physicien ? Le physicien, lui, pense dopage, densité de charges


mobiles, électrons, trous.
Comment faire communiquer l’électricien, l’électronicien et le physicien ? Comment
relier toutes ces approches ?
Pour le physicien le degré de conduction d’un composant résulte de la mise en série
de couches semi-conductrices dont les résistances varient. La valeur de la résistance
du composant est déterminée :
• par des caractéristiques physiques (la concentration des électrons et des trous
d’une zone active intermédiaire qui détermine la résistivité) que l’on peut faire
varier directement, via une commande externe, ou indirectement ;
• par des caractéristiques géométriques.
Un circuit ouvert se rencontre dans un composant si ce dernier comporte une zone
SC dans laquelle n’existent pas de charges mobiles (figure 1.8a). Une telle zone est
dite « désertée » (sous entendu de porteurs mobiles) ou déplétée. Seuls subsistent
des charges fixes.
Dans ce composant ne circule aucun courant ; par contre il supporte une tension
maximale à ses bornes. La tension supportée par le composant est déterminée par
les conditions électriques externes ; mais elle sera fonction également du composant
particulier utilisé, c’est-à-dire de la structure du composant et des caractéristiques
physiques (résistivité et donc… dopage) du matériau SC originel.
Le court-circuit (le vrai court-circuit de « l’électricien ») se rencontre dans un
composant dont la zone active intermédiaire est inondée d’électrons et de trous, la
concentration de ces porteurs étant dans ce cas bien supérieure à la concentration
initiale des atomes dopants (figure 1.8b)…
Ce cas se rencontre dans les composants bipolaires de l’électronique de puissance.
Seule la forte injection permet de réduire de façon très importante la résistivité d’une
zone SC, autorise des densités de courant élevés (3 A·mm−2) et une faible chute
de tension directe. Evidemment, il faudra « penser à enlever » ultérieurement ces
porteurs avant que le composant puisse de nouveau être considéré comme un circuit
ouvert…
Dans les composants bipolaires de signal, existe évidemment une zone (Imax et V≈ 0),
dite « zone de saturation », dans laquelle l’électronicien considère qu’un composant
signal se comporte comme un court-circuit. Mais on se doute que la « physique »,
et que les ordres de grandeur associés, à l’intérieur du composant, sont très diffé-
rents entre un composant de puissance caractérisé par (Imax = 100 A, V = 1,5 V)
et un transistor de signal tel que : Imax = 10 mA, V = 0,2 V… La saturation des
composants bipolaires de signal, correspond en fait à une injection de porteurs mino-
ritaires des deux côtés de la couche active. En règle générale, ces deux injections
sont faibles (figure 1.8d). Après, tout dépendra, une fois de plus, du niveau de ces
deux injections…
Évidemment, même avec de faibles injections, il faudra aussi « penser » à éliminer
l’excès de porteurs avant de revenir dans la zone (Vmax et I ≈ 0)…
1.4 Le composant 27

L’électricien
A B A B A B

L’électronicien

Le physicien

.
.

.
.

a b c d
Figure 1.8
Dans les composants unipolaires (de signal ou de puissance), la situation est diffé-
rente (figure 1.8c) : le niveau de conduction dépend de la concentration d’un seul
type de porteurs et le principe physique de fonctionnement de ces composants fait
que l’on ne peut travailler en forte injection (on est toujours conditionné par la ther-
modynamique). Ces composants n’autoriseront donc pas de densités de courant
élevées, ils pourront présenter des résistances de faible valeur mais ce sera pour de
faibles valeurs de la tension appliquée (inférieures à 75 V par exemple).
Dans toutes les autres situations physiques, le comportement des composants est
équivalent à celui d’une résistance.
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Les fonctions
du génie électronique
2

• Connaître les caractéristiques • Revoir les théorèmes de Thévenin


des différents types de signaux. et Norton.
• Connaître les deux modèles • Prendre l’habitude d’analyser
de générateurs. les caractéristiques de l’instrumentation
• Comprendre le comportement d’une électronique que vous utilisez.
capacité et d’une inductance en régime
instantané.
• Connaître les fonctions du traitement
de signal et des sources d’énergie.

2.1 ÉLÉMENTS DE MODÉLISATION :


SIGNAUX ET SOURCES
2.1.1 Grandeur électrique et signaux
Nous nous intéressons aux grandeurs électriques de type tension ou courant. Il existe
deux types de grandeurs :
• Les grandeurs extrinsèques
– Porteuses d’information(s) spécifique(s).
– L’information se manifeste par une variation temporelle de la grandeur
électrique.
– L’information peut représenter une « variable » quelconque.
– La grandeur est un signal.
• Les grandeurs intrinsèques
– Elle ne porte aucune information particulière.
– « L’information » représente les grandeurs, d’une durée quelconque, V et I.
– La grandeur est donc une énergie.
30 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

Question rouge : signal certain ou imprévisible ?


Dans de nombreux cas, les signaux sont « bien connus » : on peut les définir
rigoureusement d’un point de vue mathématique, connaître a priori leur valeur
même avant de les avoir observés, les reproduire, etc. De tels signaux sont
appelés signaux déterministes. Il existe parallèlement une autre grande famille
de signaux (par exemple le « bruit ») qu’il est difficile de définir d’un point de
vue mathématique, plus ou moins imprévisibles, difficiles à reproduire à l’iden-
tique. Tout juste peut-on en avoir une approche statistique portant sur un grand
nombre d’observations : de tels signaux sont appelés aléatoires (en anglais
« stochastic »). Dans la suite et sauf cas particulier, nous nous intéresserons
uniquement aux signaux déterministes.

2.1.2 Les différents types de signaux


Les spécificités des signaux dépendent de la discrétisation, ou non, de la variable
temps et/ou de la fonction. La discrétisation correspond à la connaissance de la
variable temps, et/ou, de la fonction, uniquement en des points particuliers des axes
correspondants. La discrétisation de la variable temps, et/ou de la fonction, entraîne
inévitablement une perte d’information. À titre d’exemple, dans une fonction échan-
tillonnée la valeur de la fonction n’est connue que pour des valeurs particulières,
généralement périodiques, de la variable temps. Cette perte d’information aura évi-
demment des conséquences dans le domaine fréquentiel et plus particulièrement sur
le spectre amplitude/fréquence des signaux. Par ailleurs, si le domaine de définition
de la variable temps est théoriquement infini, le domaine de définition de la fonction
est, lui, nécessairement fini ou borné.
Ces différentes considérations conduisent à la définition des signaux suivants.
Pour un signal analogique, les valeurs du signal et du temps varient de façon
continue.

S a(t)

t
Figure 2.1 Signal analogique.
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 31

Dans un signal échantillonné, la variable temps est une variable discrète définie
uniquement lors de certains instants, la fonction associée, continue initialement,
n’est donc définie qu’aux instants d’échantillonnage. En règle générale, la discrétisa-
tion dans le temps se fait de façon périodique avec une période T : le temps est ainsi
discrétisé aux instants T, 2T, 3T,…, nT. On utilise souvent les termes de « cadence »,
de « pas d’échantillonnage » ou de « fréquence d’échantillonnage ».
Comme nous l’avons dit, l’échantillonnage peut conduire à une perte d’informations.
Ainsi, pour reconstituer un signal sinusoïdal de fréquence f, il est nécessaire d’échantil-
lonner à une fréquence supérieure à 2f. De façon plus générale, un signal quelconque
ne présentant aucune composante au-delà d’une fréquence fmax doit être échan-
tillonné à une fréquence supérieure à 2fmax pour permettre une reconstitution
correcte, à partir du signal échantillonné, du signal originel (théorème de Shannon).

Le signal échantillonné est une notion théorique  : ce type de signal n’a pas
d’existence matérielle dans la mesure où l’opération d’échantillonnage nécessite
un certain temps, aussi faible soit-il.

Se(t)

0 T 2T 3T 4T t

Figure 2.2 Signal échantillonné.

Dans un signal quantifié, c’est la fonction, c’est-à-dire la valeur du signal, qui est discré-
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tisée, tandis que le temps varie de façon continue. La quantification est une opération
qui consiste à remplacer la valeur exacte du signal, susceptible de prendre a priori une
infinité de valeurs, par une valeur approchée définie par un multiple entier d’une valeur
élémentaire, appelé « niveau » ou « pas de quantification » ou encore « quantum q ». En
règle générale, les différents quanta (pluriel de quantum) sont tous égaux et on convient
de représenter par le niveau nq toute valeur du signal comprise entre 0 et [nq, (n + 1)q[.
Le signal quantifié apparaît alors comme une représentation approchée en escalier
(fonction à partie entière) du signal originel.
La quantification de la fonction se traduit par une erreur, qui sera évidemment d’au-
tant plus faible que le quantum q est plus petit. Cette erreur e est toujours inférieure
au pas de quantification.
32 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

Ainsi :
| e | < q
Sur le signal originel, elle introduit un bruit caractéristique dit «  bruit de
quantification ».

Sq(t) Seq(t)
4q 4q

3q 3q

2q 2q

q q

T 2T 3T 4T t T 2T 3T 4T t
a b

Figure 2.3 a) Signal quantifié. b) Signal échantillonné et quantifié.

Dans un signal numérique, la variable temps et la valeur du signal sont toutes deux
discrétisées. Comme dans le cas des signaux échantillonnés, il ne s’agit pas de
signaux physiques dans la mesure où leur durée est théoriquement nulle, mais elle
ne l’est pas en pratique. Nous pouvons définir les signaux numériques comme des
signaux qui ont été :
• échantillonnés ;
• quantifiés ;
• codés : la valeur du nombre n de quanta ayant été transformée – codée – selon
une loi déterminée, par exemple sa valeur binaire équivalente NB codée sur 3 bits
(cf. figure 2.4a).

NB SN(t)

100 100

011 011

010 010

001 001
000 000
q 2q 3q nq t
T 2T 3T 4T
a b

Figure 2.4 a) Loi de codage. b) Signal numérique.


2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 33

Un signal numérique est donc une suite de valeurs numériques évoluant dans le
temps comme le signal analogique initial.
Par ailleurs, si la valeur du signal quantifié fournit la valeur exacte du signal initial à
certains instants, le signal numérique associé ne peut être, de façon générale, qu’une
valeur approchée de ce signal.

Exercice : le temps qui passe


La conversion d’une grandeur analogique en une grandeur « numérique » nécessite
un certain temps… Et durant ce temps il est nécessaire que la grandeur analogique
puisse être considérée comme constante.
Soit un signal sinusoïdal de la forme : e(t) = E·cos (ωt), E représentant la valeur
maximale que le « matériel » peut coder.
1. Calculez la vitesse maximale de variation du signal d’entrée. Si Tc désignent le
temps minimal de conversion et q la valeur du quantum, quelle est la fréquence
maximale du signal que le « matériel » pourra convertir sans commettre d’erreur ?
2. Le « matériel » est constitué d’un convertisseur n bits, comportant 1024 quanta,
susceptible de travailler avec des tensions d’entrée positives et négatives. Donnez
la relation entre E, q et n.
3. En déduire la fréquence maximale fM à laquelle le matériel peut travailler.
Quelle solution préconisez-vous pour les fréquences supérieures ?
Application numérique : n = 10, Tc = 100 µs.
Solution
1. La vitesse maximale de variation du signal d’entrée est définie par la dérivée :
(de(t)/dt)M = ωE = 2π·f·E
Pour que le « matériel » puisse convertir sans commettre d’erreur, il faut que le
produit (pente maximale x, temps de conversion Tc) soit tel que :
(2π·fM·E)·Tc < q, soit fM < (q/E)·(1/2π·Tc)
fM désignant la fréquence maximale du signal d’entrée que le « matériel » peut
convertir
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2. Le convertisseur n bits, pouvant travaillant avec des tensions d’entrée positives


et négatives, est tel que : 2E = 1024q = 2nq avec n = 10.
3. La fréquence maximale fM à laquelle le «matériel» peut travailler en direct est
définie par :
q 1 1 1
fM < ⋅ = n ⋅
E 2πTC 2 2πTC
soit fM < 3,1 Hz.
Cette fréquence, très faible, est donc la fréquence maximale limite de conversion
directe.
34 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

Lorsque la fréquence est supérieure, il est nécessaire d’introduire un circuit


spécifique qui va échantillonner et garder constante (« sample and hold ») la
valeur du signal analogique d’entrée durant le temps Tc.

Nous réserverons le terme de signaux numérisés à des signaux matériels ou


physiques dont la variable temps est continue, et pour lesquels la valeur du signal
ne peut prendre qu’un nombre fini de valeurs, choisies dans un ensemble donné,
déterminées selon une loi particulière de codage du signal initial.

SN*(t)
SB(t)

3V

t t
–V

a b
– 3V

Figure 2.5 a) Signal numérisé à quatre états. b) Signaux binaires.

Un signal binaire est un signal physique numérisé particulier qui ne comporte que
deux valeurs discrètes.
On peut, par exemple, utiliser les valeurs 0 V et 5 V comme en logique TTL ou des
valeurs − V et + V, la valeur V pouvant varier entre 3 V et 15 V, comme dans les
codes NRZ (non retour à zéro) utilisés dans certains types de transmissions, etc.

2.1.3 Signal analogique et numérique : origine et transmission


Les signaux analogiques ont une origine matérielle (physique : fluctuations de la
pression de l’air constituant les signaux sonores, ondes lumineuses constituant les
signaux visuels, température, pression ; chimique…).
L’origine des signaux numériques est généralement beaucoup plus complexe. Ils
peuvent être issus de signaux analogiques ou être, par nature, d’origine discrète
(suite des caractères alphanumériques d’un texte à transmettre…).
Dans la transmission des signaux analogiques, on cherche à obtenir une ressem-
blance maximale entre les signaux successifs de la chaîne analogique  : c’est la
fidélité de transmission qui est déterminante.
Pour les signaux numériques, la forme précise des signaux importe relativement peu.
C’est la capacité à détecter un état particulier, à différencier ces états et la rapidité
de transmission qui sont essentielles. Ce seront donc la fiabilité de détection et le
taux d’erreur (paramètre statistique) de la détection mais aussi le débit des signaux
numériques qui seront déterminants.
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 35

2.1.4 Générateurs de signal ou d’énergie


a) Définition
De façon générale, on appelle générateur de signal un élément capable de délivrer
un signal de forme quelconque (sinusoïdale, rectangulaire, triangulaire…) à partir
de l’énergie fournie par le réseau électrique.
Un générateur sera dit d’énergie s’il est capable :
• de délivrer une grandeur électrique intrinsèque (V, I) durant un « certain temps » ;
• de fournir une énergie supérieure à 1 joule (ordre de grandeur plus ou moins arbi-
traire) correspondant par exemple, à P = 1 W délivrée pendant 1 seconde.
b) Les modèles
Le modèle d’un générateur, de signal ou d’énergie, est un dipôle. Le circuit correspon-
dant peut être de type série (figures 2.6a et 2.6b) ou parallèle (figures 2.7a et 2.7b).

I V
+ RI E0
E0 V
− V = E0 − RI·I
I
a b
Imax
I V
+ E0
V

I
c d
Imax

Figure 2.6 a) Modèle d’un générateur de tension. b) Caractéristique V(I) associée.


c) Modèle d’une source de tension. d) Caractéristique V(I) associée.
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La valeur de la tension E0 caractérise la tension à vide : elle correspond à une résis-


tance de charge du dipôle de valeur infinie. La résistance RI définit la résistance
interne ou de sortie.
Si la résistance interne du générateur est nulle, nous obtenons un générateur de
tension idéal ou source de tension. La tension aux bornes du dipôle devient alors
égale à la valeur de la source de tension. La source de tension impose ses caractéris-
tiques quel que soit le courant circulant dans la charge, c’est-à-dire quelle que soit la
valeur de la charge (figures 2.6c et 2.6d).
Dans le modèle parallèle des figures 2.7a et 2.7b, la valeur du courant caractérise le
courant de court-circuit du dipôle : la valeur de la résistance de charge du dipôle
est alors nulle.
36 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

Lorsque la résistance interne du générateur est infinie, nous définissons un autre


élément idéal : une source de courant. Le courant fourni par le dipôle est alors égal
à la valeur de la source de courant. La source de courant impose ses caractéristiques
quelle que soit la tension aux bornes de la charge, c’est-à-dire quelle que soit la
valeur de la charge (figures 2.7c et 2.7d).
Les grandeurs caractéristiques (E0, I0, RI) des générateurs sont accessibles par deux
mesures : une mesure à vide et une mesure en court-circuit.

I I
I0
I0 V
I = I0 − V/RI
V
a b
Vmax

I I
I0
V

V
c d
Vmax
Figure 2.7 a) Modèle d’un générateur de courant. b) Caractéristique I(V) associée.
c) Modèle d’une source de courant. d) Caractéristique I(V) associée.

Une solution alternative consiste à réaliser une mesure à vide et une mesure en
charge : l’utilisation d’une résistance de l’ordre de grandeur de la résistance interne
facilite les mesures et… les calculs.

Le coin des trucs


En instrumentation électronique, on rencontre habituellement trois familles de
générateur de signaux selon la valeur de leur résistance interne (notée générale-
ment au-dessus de la borne ou de la prise coaxiale de sortie/output de l’appareil
utilisé) :
50 Ω –75 Ω ou 600 Ω
Ces valeurs de résistance ne sont pas choisies au hasard : elles correspondent
aux résistances caractéristiques des éléments de liaison (les câbles coaxiaux
par exemple).
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 37

Exercice : liaison générateur/charge, une première approche


On considère un générateur de tension, de résistance interne RI fixe, délivrant une
tension carrée unipolaire (0 V, + 5 V) sur une résistance de charge RC.
1. Calculer la puissance moyenne (Pm) délivrée à la charge. La résistance de
charge étant supposée variable, à quelle condition le transfert de puissance vers la
résistance de charge sera-t-il maximal ? En déduire la valeur de la résistance de
charge à utiliser et la valeur correspondante de Pm en sortie.
Application numérique : amplitude du signal 5 V, RI = 50 W.
2. On suppose maintenant que le générateur de tension est sinusoïdal et qu’il
présente une impédance interne telle que : ZI = RI + jXI. Proposer une modification
simple de l’impédance de charge ZC = RC + jXC branchée en sortie pour assurer un
transfert maximal de puissance vers la charge : Interpréter la solution proposée.

Solution
T
1. La puissance moyenne est définie par  P = (1 / T ) ∫ V (t ) I (t ) ⋅ dt
0

• Lorsque 0 < t < T/2 :


RC V (t )
V (t ) = ⋅ E et I (t ) =
RC + RI RC
(C’est un diviseur potentiométrique.)
• Lorsque t > T/2 :
V(t) = I(t) = 0
d’où après intégration : 2
1  RC 
Pm = ⋅ ⋅ E2
2 RC  RC + RI 

∂P
Le transfert de puissance sera maximal lorsque : =0
∂ RC
Posons : D = RC + RI alors :
∂P D − 2 RC
= ⋅ E2
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∂ RC 2D 3
Par suite, le transfert sera maximal lorsque : D − 2RC = 0 soit RC = RI.
Le transfert de puissance sera donc maximal lorsque la résistance de charge sera
égale à la résistance interne du générateur.
La puissance délivrée à la charge est alors telle que : P = E2/8 RI.
Application numérique : 62,5 mW.

2. Lorsque l’impédance interne contient un terme réactif jXI, il faut que


l’impédance de charge compense la puissance réactive associée à jXI en absorbant
ou en fournissant la puissance réactive, fournie ou absorbée, par l’impédance
interne : ceci implique donc que jXC = − jXI. Si l’impédance interne comporte
38 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

une partie inductive, l’impédance de charge devra donc comporter une partie
capacitive équivalente et réciproquement.
Une autre interprétation possible est de considérer que la source d’excitation
débite dans un circuit série RLC constitué de : R (RC et RI), L (jXI), C (jXC).
L’obtention d’un circuit résistif implique que jXC = − jXI.

2.1.5 Caractéristiques des sources


Les différents éléments servant à caractériser une source sont résumés ci-dessous :
• le type de grandeur délivrée : signal ou énergie ;
• sa durée : permanente, transitoire ou instantanée ;
• la loi de variation temporelle de la grandeur délivrée : constante (continue), sinu-
soïdale, etc. ;
• son spectre de fréquence ;
• sa puissance : instantanée, moyenne, en court-circuit ;
• son énergie.

a) Définition
On distingue deux types de sources : les sources d’excitation et les sources liées ou
dépendantes.
• Les sources d’excitation ou indépendantes sont capables de délivrer un signal
ou une énergie : il peut s’agir soit de sources matérielles réelles qui prélèvent leur
énergie sur l’alimentation réseau ou des modèles de sources.
• Les sources liées ou dépendantes sont des modèles traduisant que l’ensemble des
caractéristiques de ces sources, dépend – ou est contrôlé – par une autre grandeur
(tension, courant) du circuit via une fonction, linéaire ou non, quelconque.
La source liée ne fournit par elle-même aucun signal ni aucune énergie : l’annula-
tion, pour quelque raison que ce soit, de la grandeur de contrôle annule la valeur de
la source dépendante. Le cas élémentaire correspond à une relation de linéarité entre
la valeur de la source liée et la grandeur de contrôle.
La représentation par sources contrôlées est bien adaptée, par principe, à la modéli-
sation des composants SC commandés fonctionnant en régime linéaire. Elle se prête
bien également à la modélisation du fonctionnement en régime linéaire de compo-
sants complexes tels les amplificateurs opérationnels, etc.
Même si la notion de sources dépendantes n’est pas spécifique de l’électronique du
signal, c’est dans ce domaine qu’elle est la plus largement utilisée.

Exercice : liaison générateur/charge, une autre façon de voir les choses


Dans l’exercice précédent, on s’est fixé comme critère de maximiser la puissance
transmise par le générateur. On peut chercher par ailleurs à maximiser la
transmission du signal issu du générateur.
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 39

1. On considère un générateur de tension sinusoïdale, modélisé par un circuit


série (source V0, résistance interne RI) que l’on charge par un circuit quelconque.
Le dipôle d’entrée de ce circuit peut être modélisé par une résistance d’entrée RE,
le dipôle de sortie étant modélisé par une des représentations (série ou parallèle)
précédemment définies.
Calculez la tension VE à l’entrée du circuit. À quelle condition portant sur RE, la
valeur de RI étant supposée fixe, pourra-t-on supposer VE ≈ V0 ?
Application numérique : R = 50 Ω. Quelle doit être la valeur de Re pour obtenir
VE = V0 ?
2. Refaire le même exercice, le générateur de fonction étant cette fois modélisé par
son schéma équivalent de Norton caractérisé par I0 = 10 mA et RI = 50 Ω.
Solution
1. Lois de Kirchoff :
V0 = (RI + RE)I et VE = REI soit VE = (RE/( RI + Re))V0
Pour obtenir VE ≈ V0, il faut que RE >> RI.
En électronique, lorsqu’on utilise le terme «  très grand  », cela veut dire un
facteur 10. Par suite, Re >> 500 Ω. Dans ce cas, on réalise une attaque en tension
car la tension délivrée par la source se retrouve pratiquement intégralement aux
bornes de la résistance d’entrée du circuit.
Pour obtenir VE = V0, il faut passer à la limite et supposer que RE tend vers l’infini.
On définit ainsi un amplificateur de tension, la sortie délivrée pouvant être un
courant ou une tension.
2. Lois de Kirchoff : I0 = (YI + Ye) ⋅ V et IE = Ye ⋅ V, YI et Ye désignant les admittances
associées à RI et Re alors IE = (Ye / YI + Ye). I0 = (RI / RI + Re) ⋅ I0.
Pour obtenir IE ≈ I0, il faut que Re << RI.
Par suite : Re<< 5 Ω.
Dans ce cas, on réalise une attaque en courant car le courant délivré par la
source circule pour l’essentiel dans la résistance d’entrée du circuit.
Pour obtenir IE = I0, il faut passer à la limite et supposer que RE tend vers 0.
On définit ainsi un amplificateur de courant, la sortie délivrée pouvant être un
courant ou une tension.
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Il ne reste plus qu’à connaître le type de grandeur délivrée en sortie et sa relation


avec la grandeur d’entrée pour modéliser de façon générique les différents cas
possibles (cf. § c ci-dessous).

Lorsqu’un générateur est conçu pour travailler en tension, on ne


« s’amuse » pas impunément à changer sa destination. En effet, si on le
fait travailler en générateur de courant sans modifier sa résistance interne
on va le faire travailler avec une très faible impédance de charge, pour ne
pas dire en court-circuit… et les étages de sortie du générateur ne vont
pas « aimer ».
40 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

b) Modèles de sources dépendantes


Il y a deux types de sources (tension, courant) possibles et deux types de grandeurs
(tension, courant) de contrôle. Par suite, quatre cas (représentés sur les figures 2.8a
à 2.8d) sont possibles.
• Source de tension contrôlée par une tension (Voltage Controlled Voltage
Source : VCVS) : le paramètre de contrôle k1 est alors sans dimension.

Exemple
Modèle d’un amplificateur opérationnel

IE

VE
VS = k1 VE VS = k2 IE

a b
IE

VE
IS = k3 IE IS = k4 V

c d

Figure 2.8 a) Source de tension contrôlée en tension.


b) Source de tension contrôlée en courant. c) Source de courant
contrôlée en courant. d) Source de courant contrôlée en tension.

• Source de tension contrôlée par un courant (Current Controlled Voltage Source :


CCVS) : le paramètre de contrôle k2, de dimension [V/I], est une impédance de
transfert ou trans-impédance.

Exemple
Modèle d’un amplificateur opérationnel de trans-impédance, amplificateur opéra-
tionnel de NORTON (Par exemple l’amplificateur LM 3900).
• Source de courant contrôlé par une source de courant (Current Controlled
Current Source : CCCS) : le paramètre de contrôle k3 est alors sans dimension.

Exemple
Modèle dynamique petits signaux du transistor bipolaire.
2.1 Éléments de modélisation : signaux et sources 41

• Source de courant contrôlé par une source de tension (Voltage Controlled Current
Source : VCCS) : le paramètre de contrôle k4, de dimension [I/V], est une conduc-
tance de transfert, ou transconductance, que l’on appelle souvent « pente ».

Exemple
Le modèle dynamique petits signaux du transistor MOS se caractérise par une
source de courant de sortie IDS contrôlée par une tension d’entrée VGS, le paramètre
de contrôle étant la pente gm : IDS = gm · VGS.

c) Source instantanée
Définition
Une source est dite instantanée lorsque sa valeur ne varie pas sur un très court
instant, quelle que soit la valeur de la charge branchée à ses bornes.

Si l’on considère des grandeurs physiques (ce qui exclut toute forme de courant ou
tension de type impulsion unité ou de DIRAC), alors une capacité est une source de
tension instantanée (figure 2.9a) car :

∆VC = ()
1 . t+
C ∫t −
i (u) du = 0, soit : VC(t−) = VC(t+)

+ − + −

VC(t−) = V0 VC(t+) = V0

+ − a
V0

I0(t-) =I0 I0(t+) =I0


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I0 b

Figure 2.9 a) Source de tension instantanée. b) Source de courant instantanée.

De même, une inductance est une source de courant instantanée car :

∆I = ()
1 t+
L ∫t −
. υ (u) du = 0    ou   IL(t−) = IL(t+)
42 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

La conséquence directe de ces propriétés est qu’une capacité dont une borne est
soumise à un échelon de tension transmet instantanément cet échelon sur l’autre
borne (figure 2.10).

∆V + - + - ∆V
A B A B

Figure 2.10 Comportement instantané d’une capacité :


réponse à un échelon de tension.
De même, une inductance dont une borne serait soumise à un échelon de courant
transmettrait instantanément cet échelon sur son autre borne.
Le comportement particulier des inductances et capacités sur de brefs intervalles de
temps a des conséquences tant :
• en petits signaux (circuits logiques ou informatiques par exemple) ;
• qu’en forts signaux (électronique de puissance).
Dans le premier cas on s’intéresse aux conséquences de la transmission par les
capacités de liaison entre étages des échelons de tension, positifs ou négatifs qui se
produisent lors de l’ouverture ou de la fermeture des composants SC.
Dans le second cas, le problème concerne la compatibilité de l’association des
sources (excitation et instantanée) réalisées lors de l’ouverture ou de la fermeture,
toutes deux supposées instantanées, des composants de puissance.

2.2 LES FONCTIONS DU TRAITEMENT DES SOURCES DU SIGNAL


Le traitement des sources de signaux consiste à modifier ou non la nature de la gran-
deur fournie par un générateur/source de signal.
Entrée et sortie étant des signaux, il y a par suite cinq cas possibles selon la nature des
signaux d’entrée et de sortie (tableau 2.I), correspondant à des fonctions spécifiques :

Tableau 2.I Fonctions du traitement du signal.

Entrée : Source SIGNAL Sortie : Source SIGNAL

ANALOGIQUE ANALOGIQUE

DISCRET

NUMÉRISÉ

NUMÉRISÉ
2.2 Les fonctions du traitement des sources du signal 43

• analogique/analogique : amplification, filtrage, modulation, transmission ;


• analogique/numérisé : conversion analogique/numérique, codage, modulation ;
• numérisé/analogique : conversion numérique/analogique ;
• discret/numérisé : transcodage ;
• numérisé/numérisé : filtrage, transmission, transcodage, codage, décodage.
En électronique analogique, la fonction « amplification » concerne en priorité l’am-
plification en tension avec pour critère déterminant la linéarité. Un amplificateur de
tension sera dit linéaire si sa relation entrée/sortie est de la forme VS = KVE où K
désigne une constante quels que soient le niveau d’entrée considéré et la fréquence
de fonctionnement. En fait, un amplificateur ne pourra être considéré comme linéaire
que dans un domaine limité de tension, de puissance et de fréquence.
La fonction filtrage désigne toute opération permettant de transmettre certaines
composantes fréquentielles et d’éliminer certaines composantes inutiles, indési-
rables ou perturbatrices, qu’elles soient déterministes ou aléatoires (par exemple
du bruit). La fonction filtrage correspond à une opération fondamentalement sélec-
tive en fréquence. Le filtrage peut être linéaire ou non linéaire. Lorsque le filtre est
linéaire, les propriétés additive et multiplicative spécifiques de la linéarité font qu’il
est possible, en principe, de déterminer la réponse du filtre à toute entrée à partir de
la connaissance de la réponse du filtre à une seule entrée particulière : l’impulsion
unité. On distingue habituellement quatre types de filtres linéaires élémentaires : les
filtres passe-bas, passe-haut, passe-bande et réjecteur de bande ou coupe-bande. La
fonction de filtrage peut aussi bien s’appliquer sur des signaux analogiques que sur
des signaux numérisés ou numériques.
La fonction modulation, analogique ou numérique, est une opération fondamentale en
télécommunications qui permet d’adapter les caractéristiques (bande passante en particu-
lier) des signaux originels délivrés par une source aux voies, ou canaux, de transmission
utilisés qu’ils soient matériels (ligne de transmission bifilaire, câble coaxial, fibre optique)
ou immatériels (transmission par voie aérienne via une onde électromagnétique).
La fonction transcodage élémentaire consiste à convertir un code quelconque en un
autre code quelconque : c’est une fonction caractéristique de la logique combinatoire
car cette opération ne fait pas intervenir la variable temps.
Le codage désigne de façon générale, une « loi » de transformation permettant de
passer d’une forme de représentation des signaux (signaux quantifiés et numérisés) à
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une représentation numérique associée. Le codage est ainsi une sous fonction impor-
tante des convertisseurs analogique numérique.
En transmission numérique, les fonctions de codage, et la fonction associée de déco-
dage, sont des opérations essentielles. Dans ce cas, deux types de codage, le codage
source et le codage de canal, sont possibles selon que l’objectif est d’enlever des
informations peu importantes (on travaille au niveau de la source ou de l’émetteur)
ou, au contraire, d’ajouter des informations supplémentaires au signal numérique
(on travaille au niveau du canal de transmission) pour diminuer l’influence du bruit
et/ou des perturbations parasites, réduire les erreurs de transmission et pourquoi pas,
les détecter et les corriger.
44 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

Le code ASCII
Le transcodage est aussi une fonction particulière de l’électronique numérique.
Certaines sources délivrent, par principe, des messages discrets constitués
d’une suite de symboles dont chacun est prélevé dans un ensemble de S symboles
différents appartenant à un alphabet [A]. Le cas le plus courant correspond
aux symboles alphanumériques (minuscules et majuscules) de l’alphabet latin,
éléments de ponctuation, chiffres arabes, etc. Cet ensemble définit ainsi 128
symboles élémentaires différents qui doivent êtres transcodés pour être exploi-
tables. Le transcodage associe à chaque symbole SI de l’alphabet [A] de départ
un mot binaire selon un protocole particulier. La loi de transcodage tradition-
nellement utilisée est le protocole/code ASCII (pour American Standard Code
for Information Interchange). À titre d’exemple, dans le protocole ASCII usuel
codé sur 8 bits, au chiffre « 0 » correspond le nombre binaire 00110000, au
chiffre « 1 » correspond 00110001, etc. De même, à la lettre majuscule « A »
correspond le nombre binaire 01000001, à la lettre minuscule « a » correspond
le nombre 01100001, etc. Le nombre binaire est ensuite transformé en signal
binaire. Des codes plus étendus (Unicode dit hexadécimal, ASCII décimal ou
hexadécimal) ont été évidemment créés depuis la naissance du code ASCII.

2.3 LES FONCTIONS DU TRAITEMENT DES SOURCES D’ÉNERGIE


Le traitement des sources d’énergie consiste à modifier ou non la nature de la
grandeur fournie par un générateur d’énergie. Ces fonctions sont réalisées par les
convertisseurs de puissance (nom habituel utilisé).
Il y a quatre cas possibles selon la nature des grandeurs d’entrée et de sortie
(tableau 2.II) :
• continu/continu : conversion DC/DC par hacheur ;
• continu/alternatif : conversion DC/AC par onduleur ;
• alternatif/continu : alimentation stabilisée linéaire, conversion AC/DC par redresseur ;
• alternatif/alternatif : conversion AC/AC par gradateur et cycloconvertisseur.

Tableau 2.II Fonctions du traitement des sources d’énergie.

Entrée : Source ÉNERGIE Sortie : Source ÉNERGIE

CONTINUE CONTINUE

ALTERNATIVE
ALTERNATIVE
2.4 Le matériel 45

Le tableau 2.II détermine les différents cas possibles de conversion directe, les para-
mètres secondaires de la conversion portant sur la nature (V ou I) des grandeurs
considérées et la réversibilité éventuelle du transfert de puissance entrée et sortie.
Il faut être capable non seulement de pouvoir modifier la nature de la source d’énergie
comme le font les structures traditionnelles de conversion, mais il est très impor-
tant évidemment de pouvoir faire varier et contrôler les paramètres caractéristiques
de sortie des convertisseurs en fonction des variations de son environnement. Ceci
l’implique l’utilisation de composants de puissance commandables ainsi qu’une
stratégie de commande de ces composants, c’est-à-dire une régulation du convertis-
seur conforme aux spécifications requises.

À signaler que la fonction conversion alternatif/continu peut être


envisagée avec des composants fonctionnant en mode linéaire  : le
domaine applicatif correspond aux alimentations de faible puissance (en
général P << 100 W) nécessitant un faible bruit en sortie.

La fonction filtrage est largement utilisée dans le traitement des sources d’éner-
gie. Dans les structures de type hacheurs, il s’agit de filtres passe bas utilisés pour
obtenir des signaux de sortie quasi continus. Dans certains onduleurs de tension,
un filtre passe bas de sortie permet d’obtenir une tension sensiblement sinusoï-
dale à partir d’une tension en créneaux. Un filtre passe bas, disposé à l’entrée de
l’onduleur peut permettre, quant à lui, d’obtenir une tension quasi continue quels
que soient les pics de courant résultant de la fermeture ou de l’ouverture des inter-
rupteurs situés en aval.
Il est possible d’envisager des conversions de type indirect. Ainsi pour réaliser une
conversion AC/AC, on peut réaliser une conversion AC/DC suivie d’une conver-
sion DC/AC, c’est-à-dire associer un redresseur et un onduleur pour réaliser une
conversion AC/AC. Ce type d’approche, qui permet de disposer d’un nombre de
degrés de liberté plus grand que dans une conversion directe, est particulièrement
intéressant dans certains cas. (Régulation de vitesse des moteurs à courant alternatif
par exemple).

2.4 LE MATÉRIEL
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2.4.1 Schéma de principe


Les éléments de base d’un convertisseur de signal sont rappelés ci-dessous :
• entrée : grandeur extrinsèque délivrée par une source signal ;
• sortie : grandeur extrinsèque/signal ;
• alimentation en énergie.
Les éléments de base d’un convertisseur de source d’énergie sont rappelés ci-dessous :
• entrée : grandeur intrinsèque délivrée par une source énergie ;
• sortie : grandeur intrinsèque/énergie ;
• signal de commande + alimentation en énergie associée.
46 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

Énergie Signal

Signal Signal Énergie Énergie

a b

Figure 2.11 a) Convertisseur de signal. b) Convertisseur de source d’énergie.

2.4.2 Composant et convertisseur

Les modes de fonctionnement d’un composant


Tout composant est caractérisé par la position de son point de fonctionnement (I, V).
Tout composant possède deux modes de fonctionnement : le mode linéaire et le
mode non linéaire.
Dans le mode linéaire, les amplitudes des signaux sinusoïdaux dynamiques utiles
i(t), v(t), sont faibles devant les valeurs (I, V) du régime statique, (régime continu ou
de repos) correspondant au point de polarisation du composant. Le point de fonc-
tionnement (I(t) = I + i(t) et V(t) = V + v(t)) reste toujours très voisin de son point de
repos : il est alors possible de relier la variation des grandeurs dynamiques de sortie
du composant aux grandeurs correspondantes d’entrée par des relations linéaires.
Le mode linéaire entraîne nécessairement la dissipation d’une certaine puissance
instantanée IV en régime statique, sans relation directe avec le signal utile, dans le
composant.
Dans le mode non linéaire, le point de fonctionnement du composant se déplace,
ou commute, entre deux points fixes, aux positions très différentes, correspondant :
• à un interrupteur ouvert (I = 0 et V = Vmax avec Vmax ≠ 0) ;
• ou à un interrupteur fermé (I = Imax et V = 0).
Dans chacun de ces deux états, la puissance dissipée dans le composant est nulle ;
seule la commutation entre ces deux états entraîne des pertes, que l’on peut supposer
nulle si la commutation est instantanée, dans le composant.
Si les états statiques des interrupteurs sont faciles à définir et à modéliser, la modélisa-
tion des composants durant leur parcours dynamique, correspondant au déplacement
du point de fonctionnement (I,V) entre ces deux états, est difficile car les modèles
grands signaux associés sont généralement non linéaires.

Le « matériel » à l’intérieur d’un convertisseur de signal


À l’intérieur d’un convertisseur de signal, on trouvera (figure 2.12a) :
• des composants passifs : R, L, C, M ;
• des composants actifs : diodes, transistors de nature quelconque :
– tout composant,
2.4 Le matériel 47

– présentant tout mode de fonctionnement possible : linéaire (modélisé par


source contrôlée) et non linéaire.

Conclusion
En termes de modèle de circuit associé, nous pourrons donc trouver à l’intérieur
d’un convertisseur de signal tout élément passif (R, C, L, M), tout type de source
contrôlé, et des interrupteurs ouverts ou fermés.

a b

Figure 2.12 a) Convertisseur de signal. b) Convertisseur de source d’énergie.

Comment relier les éléments matériels ?


Dans un convertisseur de signal, les différents étages sont reliés :
• soit de façon directe ;
• soit par liaison capacitive.
La première méthode permet d’obtenir une bande passante qui s’étend jusqu’à la
fréquence nulle (le « continu »). Par contre, toutes les variations parasites lentes
et les dérives (en température, etc.) sont traitées comme des signaux utiles et donc
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amplifiés normalement.
L’utilisation de liaisons capacitives permet de séparer les régimes statiques et
dynamiques.

Le « matériel » à l’intérieur d’un convertisseur de sources d’énergie


À l’intérieur d’un convertisseur de source d’énergie, on trouvera (figure 2.12b) :
• des composants passifs : L, C, M ;
• des composants actifs : Diodes, Transistors, C.I :
– tout composant,
– fonctionnant exclusivement en mode non linéaire, c’est-à-dire en commutation.
48 Chap. 2. Les fonctions du génie électronique

L’utilisation de toute résistance est en principe exclue car elle entraîne des pertes
dans le convertisseur et une dégradation du rendement.
De même l’utilisation de composants actifs SC fonctionnant en mode linéaire est
exclue pour les mêmes raisons.

Conclusion
En termes de modèle de circuit associé, nous pourrons trouver à l’intérieur d’un
convertisseur de source d’énergie des éléments passifs de type (C, L, M) exclu-
sivement et des interrupteurs ouverts ou fermés
L’ouverture et la fermeture des interrupteurs, c’est-à-dire des composants SC,
sont réalisées de façon périodique selon « la bonne séquence » pour permettre les
transferts d’énergie nécessaires entre le générateur d’entrée et la charge.

Comment relier les éléments matériels ?


L’extérieur d’un Convertisseur de Puissance (CVP) est constitué :
• d’un générateur d’excitation branché à l’entrée du CVP ;
• d’une charge, de nature inductive ou capacitive, branchée en sortie du CVP.
La charge est modélisée par une source instantanée, qui sera selon les cas, de type
courant ou tension.
La liaison momentanée entre la source d’excitation et la charge est réalisée par les
interrupteurs situés à l’intérieur du CVP.

Règles d’association des sources


L’association de ces deux modèles de source, source d’excitation et charge, doit
respecter les règles suivantes :
• On ne peut relier directement une source de tension à une source de tension.
• On ne peut relier directement une source de courant à une source de courant.
• Finalement, on ne pourra relier directement que deux sources de nature
différente : une source de tension à une source de courant et réciproquement.
Complétés par les deux règles élémentaires et « bon sens » suivantes :
• On ne peut court-circuiter une source de tension.
• On ne peut ouvrir une source de courant.

Cet ensemble de règles constitue les outils de base de synthèse des CVP.
De la modélisation
et des modèles
3
en électronique

• Comprendre l’utilité d’un modèle. • Être ouvert dans vos approches.


• Connaître la signification des termes • Bien connaître les propriétés
caractéristiques de la modélisation. des systèmes du premier et
• Être capable de différencier les modèles du second ordre.
de connaissance et comportemental. • Ne pas oublier que derrière chaque
• Connaître les domaines d’utilisation propriété théorique se cache
des modèles à constantes localisées une réalité matérielle.
et réparties.

3.1 LA MODÉLISATION
3.1.1 Les objectifs de la modélisation
De façon générale, la modélisation doit permettre de répondre à trois types de
questions :
• à quoi sert le dispositif ?
• comment marche le dispositif étudié ?
• comment est constitué le dispositif ?
La modélisation implique donc trois types d’études complémentaires portant sur : la
fonction, le comportement et la structure du dispositif modélisé.
On modélise en électronique pour :
• disposer d’une relation ou d’une description, de préférence mathématique,
permettant de représenter, rigoureusement ou, au mieux, le comportement d’un
composant SC, d’un circuit, d’un dispositif… ;
• connaître la loi de variation de la grandeur de sortie en réponse à une entrée donnée
(de type sinusoïdal, créneaux périodiques, forme quelconque) ;
• étudier le comportement d’un circuit, d’un dispositif, en évitant de recourir à des
mesures expérimentales souvent contraignantes à réaliser et onéreuses ;
• prévoir le comportement en régime normal d’un circuit, d’un système… ;
50 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

• prévoir le comportement d’un circuit, d’un système, etc. dans diverses situations
environnementales en évitant de recourir à des mesures expérimentales souvent
contraignantes et/ou difficiles à réaliser (Application en asservissement).

Que modélise-t-on en électronique ?


Des composants semi-conducteurs, des circuits, simples ou complexes, des disposi-
tifs, des systèmes…
Selon les cas, le niveau hiérarchique d’analyse, le degré de description matérielle et
le degré de précision, le modèle peut être :
• un simple bloc défini de façon abstraite par un nom de fonction : amplificateur, filtre,
convertisseur analogique-numérique, etc., ou de façon concrète par un organe maté-
riel quelconque, avec indication du sens de transfert du signal et/ou de l’énergie ;
• une « boîte noire » définie par une fonction mathématique caractérisant la relation
sortie/entrée : réponse impulsionnelle, gain complexe, fonction de transfert ;
• un quadripôle défini par des relations linéaires caractéristiques des relations
entrée/sortie : matrice impédance, admittance, hybride… ;
• un ensemble de blocs analogiques (additionneur, intégrateur…) : le modèle d’un
circuit peut donc être représenté par un autre système physique quelconque ;
• un circuit dont il faudra déterminer la relation entrée/sortie ;
• une, ou des, équations différentielles aux dérivées partielles ;
• une, ou des, équations différentielles ordinaires.

3.1.2 Propriétés générales des modèles


Les propriétés qui suivent sont des propriétés générales susceptibles de s’appliquer à
un modèle d’un composant, d’un circuit, un régime de fonctionnement d’un circuit,
un système…

a) Linéarité
Un modèle est dit linéaire lorsque, R(t) désignant sa fonction réponse et a1, a2 deux
constantes de valeur quelconques, il obéit à la relation suivante :
R [a1·x1(t) + a2·x2(t)] = a1·R[x1(t)] + a2·R[x2(t)]
quelles que soient les constantes a1 et a2.
Le théorème de linéarité est identique au théorème de superposition largement utilisé
en électronique.
En général, les modèles ne sont linéaires que dans une certaine zone de fonction-
nement limitée. On peut quelquefois étendre la linéarité en décomposant la zone de
fonctionnement en différentes zones, de caractéristiques différentes, pour lesquelles
le modèle est linéaire : un tel modèle est alors dit linéaire par morceau.
Pour les composants semi-conducteurs, le fonctionnement peut être localement
linéaire : il concerne des signaux de faible niveau par rapport aux valeurs correspon-
dantes du point de polarisation (approximation linéaire en régime dynamique, petits
signaux).
3.1 La modélisation 51

La linéarité est une propriété essentielle dans la modélisation car elle permet une
détermination naturelle des différentes fonctions caractéristiques des modèles, fonc-
tion de transfert en particulier, à partir de la réponse à une entrée type.

b) Invariance en temps
Un modèle est qualifié d’invariant en temps lorsque sa réponse est inchangée lors
d’un changement quelconque de la valeur t0 de l’origine des temps. Ainsi :
Si : S(t) = R[E(t)] désigne la réponse du modèle à l’entrée E(t),
Alors : S(t − t0) = R[E(t − t0)], quelle que soit la valeur de t0.
L’invariance temporelle signifie que le modèle réagit de la même façon quel que soit
l’instant d’application de l’excitation à l’entrée.

c) Causalité
Une fonction est dite strictement causale si elle est telle que f(t) = 0 lorsque t < 0.
Un modèle, un circuit, un système est dit causal lorsqu’il est soumis à une entrée
causale E(t) = 0 pour t ≤ 0, sa sortie S(t) est également causale : S(t) = 0 pour t ≤ 0.

La notion de causalité traduit en fait le principe de cause à effet : l’effet


ne peut précéder la cause.

Un système physique est toujours causal si sa variable est la variable réelle « temps ».
Par contre tous les systèmes physiques ne sont pas nécessairement causaux.

Exemple
En optique, l’entrée − l’objet − peut être nulle dans le demi-plan x < 0 alors que la
sortie − l’image − peut être non nulle pour x < 0).

En électronique, les conséquences de cette propriété sont importantes bien évidem-


ment dans le domaine temporel − il y a toujours un retard, qui peut au mieux être nul,
entre le signal de sortie et l’entrée, mais en aucun cas le signal de sortie ne peut être
en avance sur l’entrée − mais également dans le domaine fréquentiel.
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3.1.3 Les différents types de modèles : de la connaissance


au comportement
De façon générale, on peut classer les modèles en deux grandes familles :
• soit on connaît la structure, « l’intérieur de la boîte », et on veut savoir comment
« cela marche » et évidemment à quoi cela sert ;
• soit on ne connaît pas, ou on ne veut pas connaître, « l’intérieur de la boîte » mais
on veut connaître l’évolution des grandeurs externes du modèle.
Toutes les nuances de modèle sont possibles entre ces deux cas extrêmes.
52 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

a) Modèle de connaissance

Définition
Un modèle est dit de connaissance lorsqu’il est élaboré à partir des lois générales
propres au domaine d’études concerné : lois de Kirchoff (électricité + électronique),
lois de Maxwell (électromagnétisme), lois de Fourier (thermique)…
Le modèle de connaissance est un modèle exact qui implique de connaître la
structure de l’élément à modéliser qu’il s’agisse d’un composant, d’un circuit ou
d’un dispositif.

Il peut donner lieu à des modèles très complexes comportant un grand nombre de
paramètres dont il faut évidemment connaître les valeurs. À titre d’exemple, le déve-
loppement de la microélectronique et de la nanoélectronique implique des modèles
de connaissances physiques des transistors bipolaires et des MOS de plus en plus
complexes et un nombre de paramètres de plus en plus grand lorsqu’on utilise des
niveaux de modélisation de plus en plus élevés.

b) Modèle comportemental
A contrario, dans les modèles comportementaux, on ne connaît pas ou peu le « maté-
riel » interne de la boîte : on connaît, au mieux, certaines relations caractéristiques
entrée/sortie.
Le domaine de fonctionnement étant naturellement limité, on essaie de le restreindre
encore à un domaine plus réduit pour pouvoir approximer la relation entrée/sortie par
des relations linéaires.
Ce type d’approche est évidemment particulièrement bien adapté à la modélisation
des composants SC fonctionnant en petits signaux.
En termes de modélisation, on utilise souvent des approches complémentaires
différentes (comportemental et physique) pour obtenir un modèle simple et réaliste.
Ainsi, dans la modélisation du comportement dynamique en petits signaux de
composants électriques tel les MOS, on « part » d’un modèle comportemental que
l’on peut simplifier en tenant compte des propriétés physiques pour obtenir un
« bon » modèle.

3.2 MODÈLES CIRCUIT ET APPROXIMATION DES RÉGIMES


QUASI STATIONNAIRES
3.2.1 Présentation
Un modèle circuit est intéressant à de multiples titres. Il peut permettre une estima-
tion rapide du comportement asymptotique (aux fréquences basses et élevées) du
dispositif considéré, une analyse et une interprétation rapide du fonctionnement. Il
peut être utilisé avec des outils de simulations numériques adaptés.
3.2 Modèles circuit et approximation des régimes quasi stationnaires 53

Deux types de modèles circuit sont susceptibles d’être utilisés :


• modèles à constantes localisées ou condensées (lumped parameters models) ;
• modèles à constantes réparties ou distribuées (distributed parameters models).

3.2.2 Circuits à constantes localisées


Les circuits à constantes localisées sont constitués d’éléments matériels dans les-
quels l’énergie est localisée. Les éléments constituant ces circuits sont donc des
éléments capables de :
• fournir de l’énergie (des générateurs ou des sources) ;
• de stocker localement de l’énergie (des inductances et des capacités) ;
• de dissiper localement de l’énergie (des résistances).
La description mathématique rigoureuse des modèles de connaissance des circuits
à constantes localisées est basée sur l’utilisation des équations de Kirchoff. Elle
conduit à des équations différentielles ordinaires et correspond au domaine d’étude
traditionnel des « circuits ».
Mais l’utilisation des équations de Kirchoff pour étudier ces « circuits » n’est valable
que pour un domaine de fréquence particulier correspondant à l’approximation dite
approximation des régimes quasi stationnaires (au sens de l’électromagnétisme),
ou ARQS, dans des équations générales, les fameuses équations de Maxwell
(1831-1879).

3.2.3 Hypothèse des régimes quasi stationnaire et conséquences


L’approximation des régimes quasi stationnaires peut être décrite de la façon sui-
vante. Supposons qu’on ait trouvé les champs électromagnétiques, E (r ) et H (r )
correspondant à une distribution quelconque de courants continus. Si la variation
temporelle de ces courants est « suffisamment lente », on peut considérer que la
répartition spatiale initiale des champs en régime stationnaire est peu perturbée, les
champs suivant instantanément l’évolution des sources électriques. Cela signifie que
si les courants varient selon une loi en f(t), on peut décrire les champs de façon sim-
plifiée par :
  
 

E (t , r ) ≈ f (t ) ⋅ E (r ) et H (t , r ) ≈ f (t ) ⋅ H (r )
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

 

E (r ) et H (r ) désignant les champs déterminés en régime de courants continus.
Dans le cas général, supposons maintenant que l’on ne peut plus négliger les effets
de propagation dans un « élément source quelconque » (conducteur d’un dispositif
électrotechnique, d’un tronçon de circuit électrique, électronique…).
Considérons par exemple deux sections, séparées d’une distance L, de ce conducteur.
L’ARQS suppose que ces courants sont identiques, c’est-à-dire que : I1(t) = I2(t).
Si l’ARQS n’est plus satisfaite, étant donné que la propagation du phénomène
électromagnétique sur la distance L nécessite un temps τ = L/VP (VP : vitesse de
propagation dans le milieu) la phase du courant ne sera égale à ω · t qu’au bout du
temps τ, alors qu’au temps t considéré, elle n’est que : ω (t – τ).
54 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

Pour un signal périodique et de période T, pour s’assurer qu’aucune propagation n’a


eu lieu durant toute la durée de la période, il faut que :
L
τ << T  soit  << T
Vp
Nous obtenons ainsi comme condition d’ARQS : LS << λ avec λ = VP·T.
λ désignant la longueur d’onde de l’onde électromagnétique se propageant et LS la
dimension maximale de l’élément source.
En ce qui concerne les ordres de grandeur, la dimension maximale associée à l’ARQS
pour la fréquence industrielle de 50 Hz est de 6 000 km pour une propagation par
voie hertzienne, c’est-à-dire dans l’air. La dimension des circuits de l’électrotech-
nique est évidemment très inférieure à cette valeur.
La gamme de fréquences de fonctionnement 1 kHz−50 kHz typiques de l’électro-
nique de puissance correspond à une gamme de longueur s’étendant de 300 km
à 6 000 m. Seules peuvent éventuellement être concernées, par des problèmes de
propagation, les lignes de transport d’énergie.
On peut éventuellement être amené à reconsidérer la question pour des circuits
composants de puissance à SC susceptibles de commuter en 100 ns correspondants
à une fréquence équivalente de l’ordre de 10 MHz.
Enfin, les applications électroniques avec une fréquence maximale de fonctionne-
ment inférieures à 300 MHz, impliquent quant à elles des dimensions de circuit
inférieures à 1 mètre pour rester dans l’ARQS.

3.2.4 Circuits à constantes réparties


Lorsque la fréquence de fonctionnement et les dimensions des circuits augmentent,
les modèles à constantes localisées deviennent insuffisants car l’énergie n’est plus
localisée dans les bobinages ou les condensateurs.

 Il y a maintenant propagation
d’un champ électromagnétique ( E et H indissociables) et, par suite, d’énergie élec-
tromagnétique, dans l’espace. Cette propagation peut être confinée (cas des câbles
coaxiaux ou guides d’ondes par exemple) ou non (propagation en espace libre).
Les lois de Kirchoff ne sont alors plus valables car de façon générale, on ne sait
plus définir d’une manière unique les grandeurs électriques V et I. Concrètement,
la mesure de la tension entre deux points pourrait conduire à des valeurs différentes
suivant la position dans l’espace des fils de liaison au voltmètre. Il faut recourir alors
aux lois les plus générales, c’est-à-dire aux équations de Maxwell.
Certains composants électroniques (comme les lignes de transmission), sont carac-
térisés par la propagation d’une structure particulière d’onde électromagnétique.
Cette propriété permet de définir d’une façon unique, comme dans les lois de
Kirchoff, tension et courant dans des plans perpendiculaires à la direction
   de propa-
gation, correspondant à des orientations particulières des champs E et H . On peut
alors définir de proche en proche, c’est-à-dire en des points x, x + dx, x + 2·dx, etc.,
la tension et le courant. Ceci permet de décomposer le composant initial sous forme
de cellules identiques infiniment petites de longueur dx. La cellule élémentaire étant
de longueur infiniment petite dx, il ne peut se produire sur une telle longueur de
3.2 Modèles circuit et approximation des régimes quasi stationnaires 55

phénomènes de propagation : par suite elle pourra être modélisée simplement par des
éléments (R, L, C...) localisés.
Finalement, le modèle global défini dans cette approche consiste en un nombre infini
de cellules élémentaires identiques définies par des éléments localisés : un tel modèle
est appelé modèle à constantes distribuées ou réparties.
La description mathématique rigoureuse de ce type de modèles conduit à des équa-
tions différentielles aux dérivées partielles dans lesquelles interviennent les variables
de temps et d’espace (x ou r selon les types de propagations).
Selon la fréquence de fonctionnement, un même élément, par exemple un câble
coaxial, pourra être modélisé par un modèle à constantes localisées (en basses
fréquences) et par un modèle à constantes réparties (en hautes fréquences).

Le coin des trucs


Le comportement de l’électronicien doit être très différent selon qu’il utilise un
câble coaxial de faible longueur (hypothèse des lignes courtes : l << λ, modèle à
constantes localisées) ou des câbles coaxiaux de grande longueur (lignes longues :
l >> λ, modèle à constantes réparties). Dans le premier, le câble est un circuit
classique : il n’y a pas de précaution particulière à prendre.
 Dans le second cas,
il y a propagation d’un champ électromagnétique ( E , H ) à l’intérieur du câble et
propagation d’énergie. Qui dit propagation dit réflexion et déformation du signal,
à moins d’utiliser une ligne de longueur infinie. Qui dit propagation d’énergie
et réflexion dit perte de puissance transmise. La solution est alors d’adapter le
câble, c’est-à-dire de brancher une résistance dont la valeur est égale à une résis-
tance particulière dite résistance caractéristique du câble, en sortie. Tout se passe
comme « si on trompait » l’onde qui se propage en lui faisant « croire » qu’elle
se propage dans une ligne de longueur infinie. Il n’y a plus de problèmes sous
réserve de continuer à assurer le confinement du champ électromagnétique. Il est
donc nécessaire d’utiliser des charges spéciales, dites « charges coaxiales 50 Ω »
assurant la continuité de blindage et le confinement du champ.
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Exercice : modélisation simplifiée d’une ligne longue


i(x,t) L.dx i(x+dx,t)
A B

iC
V(x,t) V(x + dx,t)
Figure 3.1 C.dx

M M

dx
56 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

On considère le schéma de la figure 3.1 représentant un élément infiniment petit


de longueur dx d’un câble coaxial « sans perte ». Les paramètres L et C, qui
désignent respectivement l’inductance et la capacité par unité de longueur, sont
tels que L = 250 nH/m et C = 100 pF/m (câble coaxial usuel type RG 58 U).
Nous désignerons par i(x,t) et v(x,t) les variables.
caractéristiques du dipôle d’entrée et par i(x + dx,t), v(x + dx, t) celles du dipôle
de sortie.
Dans toute la suite des calculs, les éventuels développements en série seront limités
au premier ordre.
1. Montrez à l’aide de la loi des nœuds que :
∂ v ( x + dx , t )
i ( x , t ) = C ⋅ dx ⋅ + i ( x + dx , t )
∂t
Exprimez i(x + dx,t) en fonction de i(x,t).
En déduire la relation suivante :
∂i ∂v
− =C
∂x ∂t
2. Montrez à l’aide de la loi des mailles que :
∂i ( x , t )
v ( x , t ) = L ⋅ dx ⋅ + v ( x + dx , t )
∂t
Exprimez v(x + dx,t) en fonction de v(x,t).
En déduire la relation suivante :
∂v ∂i
− = L
∂x ∂t
3. Montrez que les évolutions du courant et de la tension sont définies par l’équation
différentielle suivante :
∂2 i 1 ∂2 i
− ⋅ =0
∂ x 2 V 2 ∂t 2
V désignant la vitesse de propagation du courant ou de la tension.
Exprimez V en fonction de L et C et calculez la valeur numérique de V.
En déduire le temps de propagation linéique des signaux.

Solution
1. La loi des nœuds appliquée au point B conduit à la relation suivante :
i(x, t) =iC + i(x + dx, t) avec : iC =(C·dx)(∂v(x + dx, t)/∂t)
Par ailleurs en utilisant la formule des développements limités, il vient :
v(x+dx,t) =v(x) + (∂v(x,t)/∂x)dx +.......
En remplaçant dans l’expression de iC et en se limitant au premier ordre :
∂v( x , t )
iC ≈ C ⋅ dx
∂t
3.2 Modèles circuit et approximation des régimes quasi stationnaires 57

Par ailleurs, au premier ordre, nous pouvons également écrire :


∂i ( x , t )
i ( x + dx , t ) = i ( x ) + dx + ...
∂x
En combinant ces deux relations, nous obtenons :
∂v( x , t )  ∂i ( x , t )
i ( x , t ) = C ⋅ dx ⋅ + i( x ) + ⋅ dx + ... 
∂t  ∂x 
∂i ( x , t ) ∂ v( x , t )
soit − ⋅ dx = C ⋅ dx ⋅
∂x ∂t
Soit finalement :
∂i ∂v
− =C
∂x ∂t

2. La même méthode est utilisée dans ce cas. La loi des mailles appliquée à la
maille ABM conduit à la relation suivante :
v(x,t) = vl + v(x + dx,t) avec vl = (L·dx) ⋅ ∂i(x,t)/∂t
or : v(x + dx,t) = v(x) + (∂v(x,t)/∂x) ⋅ dx + …
En combinant ces deux relations, nous obtenons :
∂i ( x , t )  ∂v( x , t )
v ( x , t ) = L ⋅ dx ⋅ + v( x ) + dx + ... 
∂t  ∂x 
∂v( x , t ) ∂i ( x , t )
soit − dx = Ldx ⋅
∂x ∂t
Soit finalement :
∂v ∂i
− = L
∂x ∂t

3. On dérive la relation obtenue à la première question par rapport à x et la


relation obtenue à la seconde question par rapport à t. Nous obtenons :
∂2 i 1 ∂2 i
− ⋅ =0
∂ x 2 LC ∂t 2
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Nous avons donc en identifiant à l’équation proposée : V = ( LC )−0,5.


Application numérique : V = 0,2·109 m/s
Remarquez que la vitesse de propagation de l’onde électromagnétique associée
n’est pas égale à la vitesse de la lumière car l’onde ne se propage pas dans le vide
mais dans un isolant bien spécifique.
Le retard de propagation linéique est tel que τ = L/V avec L = 1 m.
D’où τ = 5·10−9 s = 5 ns.
Mettez 5 mètres de câble coaxial et vous verrez ce retard à l’oscilloscope. Que
vaut (L/C)1/2 ? (Cette valeur représente la résistance caractéristique du câble.)
58 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

3.3 LES DIFFÉRENTS TYPES DE MODÈLES DE CONNAISSANCE


Nous supposerons que les modèles satisfont les propriétés fondamentales définies
précédemment : linéarité, invariance en temps, causalité.
Le cas usuel pratique correspond aux circuits à constantes localisées.

3.3.1 Représentation par variables externes :


équation différentielle entrée/sortie
Dans ce type de modèle, les grandeurs de sortie S(t) et d’entrée E(t) sont reliées par
une équation différentielle linéaire ordinaire à coefficients constants de la forme
générale :
An·dnS/dtn +…+ A1.·(dS/dt)+ A0·S(t) = Bm.(dmE/dtm )+…+B1..(dE/dt) +E(t)
Avec l’inégalité suivante : m ≤ n pour satisfaire l’hypothèse de causalité.
Pour déterminer la solution unique de ce problème, il est indispensable de préciser
les conditions initiales : c’est-à-dire la valeur initiale de la fonction S(t) ainsi que la
valeur initiale de ses (n-1) premières dérivées.
Deux types d’équations correspondant respectivement à l’ordre 1 et à l’ordre 2 sont
habituels en électronique. Leurs formes normalisées sont précisées ci-dessous :
dS dE
ordre 1 : τ 1 + S (t ) = K ⋅ E (t ) + τ 2
dt dt
τ1 et τ2 désignant des constantes de temps et K le gain statique du circuit.
d2S dS
ordre 2 : τ 2 + 2ζ ⋅ τ ⋅ + S (t ) = K ⋅ E (t )
dt 2 dt
2
 1  d2S ζ dS
ou  + 2⋅ ⋅ + S (t ) = K ⋅ E (t )
 ω n  dt 2 ω n dt
où τ est la constante de temps du circuit, ωn = 1/τ la pulsation propre non amortie,
1
ζ un facteur d’amortissement réduit et Q = le coefficient de surtension.
2ξ 1 − ξ 2
Des modèles ou des circuits différents décrits par la même équation différentielle
possèdent bien évidemment des propriétés générales identiques.
Pour déterminer, dans le domaine temps, la valeur de la sortie S(t) en réponse à une
entrée E(t) quelconque donnée, trois types d’approche sont possibles :
• la résolution directe de l’équation différentielle ;
• la méthode réponse à entrée nulle / réponse à état nul (zero input response / zero
state response, ou ZIZS method) ;
• le calcul de S(t) à l’aide d’une intégrale particulière dite intégrale de convolution
basée sur l’utilisation de la réponse impulsionnelle.
Pour déterminer, dans le domaine fréquence, les caractéristiques de la réponse,
on utilise une entrée sinusoïdale, ou harmonique. La réponse à ce type d’entrée
est déterminée par une propriété spécifique des équations différentielles linéaires
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 59

o­ rdinaires à coefficients constants (voir ci-dessous), à savoir : la solution particulière


de l’équation générale avec second membre est de même nature, c’est-à-dire sinu-
soïdale et de même fréquence, que l’entrée.
On caractérise alors la réponse dans le domaine fréquence par le gain complexe
H(jw), défini par le rapport des amplitudes complexes de la sortie sur l’entrée. Ce gain
complexe est défini par un module et une phase, variant tous deux avec la fréquence.
D’un point de vue théorique, le gain complexe est déterminé par une transformation
spécifique, à savoir la transformée de Fourier de la réponse impulsionnelle.

a) La résolution de l’équation différentielle : premières approches


Résolution directe de l’équation différentielle
Les propriétés mathématiques des équations différentielles linéaires à coefficients
constants permettent de montrer que la solution générale de ce type d’équation est la
somme de deux solutions :
• la solution générale SGSSM(t) de l’équation différentielle sans second membre
(c’est-à-dire l’équation homogène) ;
• une solution particulière SPASM(t) de l’équation différentielle avec second membre
(c’est-à-dire l’équation inhomogène).
Par suite, nous pouvons écrire :
S(t) = SGSSM(t) + SPASM(t)

Il est essentiel de rappeler que :


• La solution générale de l’équation différentielle sans second membre SGSSM(t)
dépend d’un certain nombre de constantes arbitraires fonctions de l’ordre de
l’équation (d’une constante pour une équation d’ordre 1 à n constantes pour une
équation d’ordre n).
• Les valeurs des constantes arbitraires de SGSSM(t) dépendent de SPASM(t) car
leur calcul s’effectue à partir de la somme de SGSSM(t) + SPASM(t) : c’est cette
somme qui doit satisfaire aux conditions initiales. Concrètement, les constantes
d’intégration de SGSSM(t) seront donc déterminées par la relation :
SGSSM (t0) = S(t0) – SPASM(t0)
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• La solution particulière SP de l’équation différentielle avec second membre


est de même nature que le terme du second membre. Si l’excitation est de type
continue, la SP est également une fonction continue ; de même, si l’excitation est
sinusoïdale de fréquence f0, la SP sera sinusoïdale de fréquence f0 ; si l’excitation
est de type exponentielle amortie, il en sera de même de la SP… Ensuite avec des
entrées plus complexes, on peut toujours utiliser le théorème de superposition.
• Ne pas oublier que le second membre de l’équation n’est rien d’autre que… l’en-
trée du circuit.
60 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

La méthode ZIZS
De l’état d’un circuit…
De façon générale, pour déterminer le futur d’un circuit ou d’un système à partir
d’un instant donné t0, on n’a pas besoin de connaître tout ce qui s’est passé dans
l’intervalle ]–∞, t0] : on a seulement besoin de connaître son état (voir ci-dessous)
à l’instant t0, la façon dont le circuit a atteint l’état particulier à l’instant t0 n’ayant
aucune importance.
L’état d’un circuit ou d’un système représente donc la connaissance minimale du
passé d’un circuit ou d’un système nécessaire pour déterminer son futur. Si on essaie
d’être un peu plus précis, l’état d’un circuit à un instant t0 désigne tout ensemble de
conditions initiales qui, associé aux entrées, permet de déterminer de façon unique
toutes les variables du circuit pour tout t ≥ t0.
Encore faut-il que ces conditions initiales puissent déterminer sans ambiguïté l’état
d’origine… La variable d’état doit donc être nécessairement continue. Les variables
d’état « naturelles » en électronique sont :
• le courant circulant dans une inductance ;
• la tension aux bornes d’une capacité.

… à la méthode ZIZS (particulièrement utilisée chez les Anglo-Saxons)


La méthode ZIZS, pour zero input response / zero state response, c’est-à-dire réponse
à entrée nulle / réponse à état nul, est une méthode à la fois très proche et fonda-
mentalement différente de la méthode mathématique traditionnelle précédemment
décrite. Comme dans la méthode mathématique, la réponse en sortie S(t) se compose
en effet de la somme de deux termes :
• un terme SZI(t) dit réponse à entrée nulle (zero input response) ;
• un terme SZS(t) dit réponse à état nul (zero state response).
S(t) = SZI(t) + SZS(t)
La réponse à entrée nulle (zero input response), qui se détermine bien évidemment
avec entrée nulle, ne dépend que de l’état du circuit, à savoir les différentes valeurs et
dérivées définissant les conditions initiales : la réponse SZI(t) s’exprime donc expli-
citement en fonction de ces dernières.
A contrario la réponse à état nul SZS(t) est la solution de l’équation complète dans
l’état nul : elle implique que toutes les conditions caractérisant l’état du circuit
soient nulles.
Il ne faut surtout pas confondre SZS(t) et SPASM(t) car leurs rapports avec les conditions
initiales sont très différents. Elles représentent toutes deux des solutions de l’équa-
tion avec second membre, mais la réponse SZS(t) vérifie des conditions initiales
nulles, tandis que la réponse SPASM(t) est une solution particulière de l’équation
complète établie sans aucune référence aux conditions initiales.
À la différence de la méthode mathématique, dans laquelle les réponses des régimes
libre et forcé sont dépendantes (ne pas oublier que les constantes d’intégration du
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 61

régime libre dépendent de la valeur de la réponse en régime forcé à l’instant initial),


les réponses à entrée nulle et à état nul sont indépendantes.
Cette méthode traduit en fait le théorème de superposition, ou de linéarité, bien
connu et cher à l’électronicien.
Ces deux réponses SZI(t) et SZS(t) possèdent des propriétés bien spécifiques. Ainsi,
à titre d’exemple, la réponse à entrée nulle est une fonction linéaire de l’état, tandis
que la réponse à état nul est une fonction linéaire de l’entrée.
La réponse à état nul SZS(t) implique de résoudre une équation linéaire non homogène
avec conditions initiales nulles, d’où de nouveau : solution générale de l’équation
homogène et solution particulière de l’équation non homogène.
Dans le cas général, la réponse à état nul se compose de deux termes, un terme transi-
toire et un terme correspondant à une solution particulière de l’équation avec second
membre. La durée de la partie transitoire dépend des constantes de temps du circuit.
On peut se poser légitiment la question de l’intérêt de cette méthode qui semble plutôt
compliquer les choses que les simplifier (on a déjà résolu l’équation ­homogène pour
déterminer SZI(t)…) sauf que :
• Si un circuit ou un système électrique au repos à t = 0 est excité par une impulsion
unité appliquée à l’entrée, la réponse dans l’état nul représente en fait la réponse
impulsionnelle du circuit ou du système (voir plus loin, § c) Réponse impulsion-
nelle et applications).
• Et la transformée de Fourier de la réponse impulsionnelle précédemment calculée
n’est rien d’autre que le gain complexe. Et la transformée de Laplace de la réponse
impulsionnelle précédemment calculée n’est rien d’autre que la fonction de trans-
fert du circuit ou du système.

Exercice : Que choisir : méthode mathématique ou méthode ZIZS ?


On se propose de déterminer la réponse d’un circuit du premier ordre de type L R
(figure 3.2) à l’aide de deux méthodes différentes :
• la méthode mathématique traditionnelle ;
• la méthode ZIZS.

I
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+
E L
– R

Figure 3.2
Le circuit sera supposé dans l’état initial, imposé par un circuit extérieur, tel que
iL(0–) = I0. On supposera : E > R.I0. À l’instant t = 0+, on applique un échelon de
tension E en fermant l’interrupteur K (non représenté sur la figure 3.2).
62 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

1. Méthode mathématique traditionnelle


1.1. Déterminez l’équation différentielle générale déterminant l’évolution du
courant i(t) lorsque l’interrupteur est fermé.
1.2. Résolution de l’équation homogène
Donnez le schéma simplifié correspondant. En déduire l’équation différentielle à
laquelle satisfait le courant et la solution générale iSG(t) associée.
1.3. Résolution de l’équation inhomogène
Déterminez l’équation différentielle à laquelle satisfait l’évolution de i(t).
Donnez le schéma simplifié correspondant. En déduire une solution particulière
iP(t) correspondante.
1.4.  Calculez la constante d’intégration figurant dans iSG(t). En déduire
l’expression finale de la solution générale.
2. Méthode ZIZS
2.1. Rappelez les caractéristiques des réponses à déterminer.
2.2. Réponse à entrée nulle (ZIR)
Donnez le schéma simplifié correspondant à cette réponse, l’équation
différentielle à laquelle satisfait l’évolution du courant et précisez la condition
initiale. Calculez la réponse correspondante iZI(t).
2.3. Réponse à état nul (ZSR)
Donnez le schéma correspondant à cette réponse, l’équation différentielle à
laquelle satisfait l’évolution du courant et précisez la condition initiale. Calculez
la réponse correspondante iZS(t).
2.4. Déterminez l’expression finale de la réponse par cette méthode et comparez
à l’expression obtenue à la question 1.4. Tracez l’allure des différentes courbes
iZI(t), iZS(t) et i(t).
On pourra poursuivre l’exercice en calculant dans la suite de la question 2 la
réponse à un créneau, la réponse impulsionnelle et la fonction de transfert du
circuit.
Solutions
1. Méthode mathématique traditionnelle
1.1. Mise en équation
L’application de la loi des mailles à la figure 3.2 conduit à l’équation différentielle
suivante :
di
E = L + R ⋅ i (1)
dt
Il s’agit d’une équation différentielle du premier ordre à coefficients constants
avec second membre. Rappelons que la solution i(t) est la somme :
• de la solution générale iSG(t) de l’équation différentielle homogène ;
• d’une solution particulière iSP(t) de l’équation différentielle avec second
membre (c’est-à-dire l’équation inhomogène).
i(t) = iSG(t) + iSP(t)(2)
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 63

1.2. Résolution de l’équation homogène


L’équation différentielle homogène correspond à un second membre nul, c’est-à-
dire à une entrée nulle. Dans notre cas, on doit donc éteindre la source de tension,
c’est-à-dire la court-circuiter. Le schéma simplifié associé à ce régime est donné
à la figure 3.3. Les conditions initiales ne sont pas précisées sur le schéma car il
s’agit de la solution générale sans autre contrainte.

L
R

Figure 3.3
L’équation différentielle correspondante est :
di
L + R⋅i = 0
dt
D’où :
di R
= − dt
i L
L
Posons = τ , τ désignant la constante de temps.
R
En intégrant, nous obtenons pour solution générale de cette équation :

( )t
iSG ( t ) = C ⋅ exp − 
τ
(3)
C : constante d’intégration quelconque ( > 0, < 0) à déterminer.
La constante d’intégration C de la solution générale de l’équation homogène est
déterminée par la relation :
iSG(0) = i(0) – iP(0)(4)
Ne pas oublier que la présence de l’inductance impose la continuité du courant à
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tout instant, en particulier à t = 0.


1.3. Résolution de l’équation inhomogène
Dans ce cas, la réponse est de même nature que l’excitation d’entrée, c’est-à-dire
continue. Par suite :
di
i(t) = Cte  et   L = 0 ≡ vL
dt
L’inductance est donc équivalente à un court-circuit (figure 3.4).
64 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

+
E
– R

Figure 3.4
La solution particulière est donc :
E
iSP ( t ) = (5)
R
On peut évidemment déterminer directement cette valeur à partir de l’équation
inhomogène (1).
Commentaire :
Une autre interprétation possible du schéma simplifié est de considérer la
situation équivalente en régime sinusoïdal et de faire tendre la période T(t) vers
l’infini. Dire que T(t) → +∞ revient à dire que ω → 0 et que f → 0. Par suite :
Lω → 0.
1.4. Détermination de la solution générale de l’équation différentielle
La solution générale est telle que i(t) = iSG(t) + iSP(t), soit :

( )
t E
i ( t ) = C ⋅ exp − + (6)
τ R
La constante C de la solution générale de l’équation homogène est déterminée
par
iSG(0) = i(0–) – iSP(0–)
avec la condition initiale i(0–) = I0.
Soit :
E E
C = i ( 0− ) − ≡ I 0 −
R R
Nous obtenons donc pour solution générale l’expression suivante :

2. Méthode ZIZS
(
i (t ) = I 0 −
E
R ) ( ) t
⋅ exp − + (7)
τ
E
R
2.1. Nous devons calculer :
• la réponse à entrée nulle en fonction des valeurs définissant l’état du circuit ;
• et la réponse à l’état nul, qui suppose, elle, que les valeurs caractéristiques
de l’état du circuit sont nulles. Pour l’équation du premier ordre qui nous
concerne, l’état du circuit est défini par iL(0–) = 0.
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 65

2.2. Réponse à entrée nulle


Le schéma simplifié correspondant à cette réponse est donné à la figure 3.5,
identique à la figure 3.3 si ce n’est qu’il est nécessaire cette fois de tenir compte
explicitement de la condition initiale : iL(0–) = I0.

I0

L
R

Figure 3.5
D’après l’analyse de la question  1.2, l’équation différentielle caractérisant
l’évolution de i(t) est :
di
L + R⋅i = 0
dt
avec la condition initiale : i(0–) = I0.
Compte tenu des résultats antérieurs, il vient immédiatement :

( ) t
iZI ( t ) = I 0 ⋅ exp − (8)
τ
2.3. Réponse à état nul
Le schéma simplifié correspondant à cette réponse est identique à la figure 3.2 de
l’énoncé avec cette fois la condition initiale : i(0–) = 0.
La réponse iZR(t) est donc solution de l’équation différentielle suivante :
di
L + R⋅i = E
dt
Cette réponse iZR(t) est la somme d’une solution particulière i1(t) de l’équation
avec second membre et de la solution générale de l’équation sans second membre
i2(t) dans l’hypothèse i(0–) = 0.
Compte tenu des résultats précédents (cf. questions 1.2 et 1.3), il vient
immédiatement :
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E
i1 ( t ) =
R

D’où :
( )
i2 ( t ) = A ⋅ exp −
t
τ
E
( )
iZS ( t ) = + A ⋅ exp −
R
t
τ
En tenant compte de la condition initiale, iZS(0) = 0, il vient :
E
+A=0
R
66 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

E
A=−
R
Finalement nous obtenons pour iZS(t) :

iZS ( t ) =
E
R (
1 − exp −
t
τ ( ))
L’expression finale de la solution est donc :
i(t)= iZI(t) + iZS(t)

( τt ) + ER (1 − exp(− τt )) 
i ( t ) = I 0 exp − (9)

La comparaison des réponses fournies par les deux méthodes (relations  7


et 9) montre que celles-ci sont évidemment identiques. L’évolution temporelle
des différentes réponses iZI(t), iZR(t), i(t) de la méthode ZIZS est indiquée en
figure 3.6. Pour illustrer les différences entre les méthodes « mathématique » et
ZIZS, on pourra tracer l’allure des courbes iSG (t) et iSP(t) déterminées au premier
paragraphe.

iZI(t)

I0
iZI(t) = I0exp(–t/ )

IZS(t)
E/R

iZS(t) = (E/R)(1 – exp(–t/ ))


t

i(t)
E/R

I0

t
Figure 3.6
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 67

b) Les différents régimes


Régime libre
Le régime libre correspond à la solution de l’équation différentielle homogène, c’est-
à-dire à la réponse du circuit avec source d’excitation nulle.
D’un point de vue circuit, source d’excitation nulle signifie extinction des sources
d’excitation, à savoir :
• une source de tension est équivalente à un court-circuit ;
• une source de courant est équivalente à un circuit ouvert.
La réponse est alors conditionnée par l’énergie stockée initialement, sous forme
magnétique et/ou électrique, dans le circuit. Lorsqu’il existe à l’instant initial une
certaine quantité d’énergie stockée dans le circuit, la sortie du système évolue
nécessairement dans le temps, même en l’absence de toute excitation. En présence
d’éléments dissipatifs, tels les résistances, le signal de sortie tendra nécessai-
rement vers zéro lorsque t tend vers l’infini : le régime libre est ainsi de type
transitoire.
En termes de modélisation, l’évolution du signal de sortie est déterminée par les
conditions initiales et les constantes de temps, ou les fréquences naturelles correspon-
dantes. L’expression de ces fréquences naturelles dépend des valeurs des éléments
passifs L, R, C du circuit et de l’ordre de l’équation différentielle.
Remarquer que la solution générale SGSSM(t) et la réponse à entrée nulle SZI(t) (zero
input response) correspondent toutes deux à des régimes libres, au sens « mathé-
matique » du terme, c’est-à-dire à une réponse du système sans excitation. Mais les
réponses dans les deux cas en question ont, comme nous l’avons vu ci-dessus, une
interprétation « physique » très différente car les conditions initiales sont différentes.
Nous définirons le régime libre par la réponse à entrée nulle SZI(t).

Régime forcé
Le régime forcé correspond à la solution de l’équation différentielle entrée/sortie
inhomogène, le second membre étant égal à l’entrée appliquée.
Remarquer que la solution particulière SPASM(t) et la réponse à état nul SZS(t) (zero
state response) correspondent toutes deux à des régimes forcés, au sens « mathé-
matique » du terme, c’est-à-dire à une réponse du système avec excitation. Mais
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les réponses dans les deux cas en question ont, une fois de plus, une interprétation
« physique » très différente.
La solution particulière SPASM(t) de l’équation différentielle avec second membre
représente la réponse finale ou permanente du circuit.
La réponse à état nul SZS(t) s’accompagne généralement d’une première partie tran-
sitoire, dont la durée dépend des constantes de temps du circuit, avant d’atteindre le
régime permanent.
Nous définirons le régime forcé par la solution particulière SPASM(t).
68 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

Réponse totale
La réponse totale S(t) est définie par la somme des deux termes correspondant
r­ espectivement au régime libre et au régime forcé : S(t) = SL(t) + SF(t).

Réponses transitoire et permanente


On peut également caractériser la réponse totale S(t) par la somme des réponses
transitoire ST(t) et permanente SP(t) : S(t) = ST(t) + SP(t).
On appelle réponse transitoire la partie de la réponse totale qui tend vers zéro lorsque
le temps tend vers l’infini. Comme nous l’avons déjà indiqué, ce régime transitoire
est conditionné par les différentes constantes de temps du circuit.
Par contre, le régime transitoire ne correspond pas uniquement au régime libre, car
l’excitation du système à l’instant t = 0, qui détermine le régime permanent, entraîne
également d’une manière générale un régime transitoire.
A contrario, on appelle réponse en régime permanent la partie de la réponse totale
qui ne tend pas vers zéro lorsque le temps tend vers l’infini.

c) Influence du type de source forcée


En électronique, de nombreuses excitations, réelles ou « théoriques », sont possibles.
Elles peuvent être de durée limitée ou non dans le temps, variables dans le temps
ou non, périodiques ou non. Indépendamment du régime continu, deux excitations
périodiques sont particulièrement importantes : à savoir les excitations sinusoïdales
et les excitations de type impulsionnel, les créneaux.
Dans le cas d’une excitation sinusoïdale, le régime forcé conduit en régime perma-
nent à une réponse sinusoïdale de même fréquence que le signal d’excitation
appliqué à l’entrée, seules sont modifiées l’amplitude et la phase du signal d’entrée.
Soumise à une source forcée de type créneau périodique, la réponse d’un circuit à
constantes localisées se caractérise par des formes d’ondes soit :
• de type stationnaire ;
• de type non stationnaire.
La stationnarité traduit la périodicité des différentes formes d’onde du circuit. Cette
propriété est donc caractérisée par :
[f(t+T) = f(t)]
quelle que soit la nature de la grandeur électrique représentée par f(t).
En régime stationnaire les propriétés, concernent les valeurs moyennes sur une
durée d’une période T du courant circulant dans une capacité et de la tension mesu-
rée aux bornes d’une inductance.
Ainsi, le courant moyen, c’est-à-dire continu, circulant dans une capacité est nul.
tt++TT dV
= ∫
<<ICIC>>= C .   dt = C ⋅ [V (t + T ) − V (t ) ] = 0
tt  dt 
De même, la tension moyenne, c’est-à-dire la tension continue, aux bornes d’une
inductance est nulle.
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 69

t +T dI
<<VV
L L>>=
= ∫t L.   dt = L ⋅ [ I (t + T ) − I (t ) ] = 0
dt 
En régime non stationnaire, ces deux propriétés ne sont plus satisfaites. Les seules
propriétés qui subsistent quelles que soient les conditions d’excitation réelles (on
exclut ainsi toute excitation forcée non physique par impulsion de Dirac dans les
équations intégrales de définition de (VC(t) et IL(t)) sont des propriétés générales de
continuité instantanée :
• de la tension aux bornes d’une capacité : VC[t0−] = VC[t0+], quel que soit t0 ;
• du courant circulant dans une inductance IL[t0−] = IL[t0+], quel que soit t0.

Question rouge
La continuité de la tension aux bornes d’une capacité et la continuité du courant
dans une inductance traduisent la conservation de la charge et des flux, ou
encore, de façon plus générale la continuité de l’énergie, d’origine électrique
et/ou magnétique. Ainsi, à titre d’exemple, la relation caractéristique i = C·dV/
dt caractéristique d’une capacité permet d’écrire :
t0+ t0+
∫t −
0
C ⋅ dV = ∫t −
0
i ⋅ dt

Si le courant ne subit aucune variation de type impulsion de Dirac, la seconde


intégrale portant sur dQ est nécessairement nulle.
Lorsque le circuit subit des variations topologiques par fermeture/ouverture d’inter-
rupteurs conduisant à des modifications du nombre de capacités et/ou d’inductances
dans le circuit, les valeurs des tensions aux bornes des capacités et les valeurs des
courants circulant dans les inductances peuvent être déterminées à partir des équa-
tions de conservation de la charge totale d’électricité QT et du flux total φT, soit :
QT(t0+) = QT(t0+)
φT(t0+) = φT(t0+)
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Exercice : calcul de l’évolution du courant dans un circuit à topologie variable

R1 L1

i(t)
R2
Figure 3.7
E

L2
70 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

On considère le schéma de la figure 3.7 dans lequel on suppose que l’interrupteur I,


fermé depuis un temps suffisamment long, a permis l’obtention du régime permanent.
On ouvre l’interrupteur à l’instant t = 0+. Calculez la valeur du courant à l’instant
t = 0+ et l’évolution du courant dans le circuit aux instants t > 0+.
Solution
1. Ce circuit se caractérise par une topologie variable dans le temps accompagnée
d’une modification des éléments inductifs.
Le circuit étant dans un état stable à t = 0− le courant est tel que : (di/dt)(t = 0−) = 0
Par suite: VL1(0−) = 0 et i(0−) = E/R1
Pour déterminer le courant après la commutation, nous utiliserons la loi de
conservation des flux, à savoir : Φ(0−) = Φ(0+)
L1 L1 E
D’où : L1·i(0−) = (L1 + L2)·i(0+) et i (0 + ) = i (0 − ) = .
L1 + L2 L1 + L2 R1
Lorsque t > 0+, il faut déterminer maintenant l’équation différentielle définissant
l’évolution du courant dans le nouveau circuit. L’application de la loi des mailles
conduit à :
E = (R1 + R2) i(t) +(L1 + L2) (di/dt)
L’équation différentielle sans second membre associée est telle que :
(L1 + L2) (di/dt) + (R1 + R2) i(t) = 0
t
( )
Elle a pour solution générale : i1 (t ) = K ⋅ exp −  avec  τ = 1
τ
L + L2
R1 + R2
.

K désigne une constante d’intégration définie par les conditions initiales.


Une solution particulière de l’équation avec second membre est :
E
i2 (t ) =
R1 + R2
Par suite la solution générale de l’équation différentielle avec second membre est
définie par : i(t) = i1 (t) + i2 (t) = K.e¯t/τ + E/(R1 + R2).
La détermination de la constante K est faite à l’instant t = 0+, soit :
L1 E E L1 R2 − L2 R1
i1 (0 + ) = = K+ ⇒K = E
L1 + L2 R1 R1 + R2 R1 ( R1 + R2 )( L1 + L2 )
Ainsi la solution finale prend la forme :
t

E 1 + ( L1 R2 − L2 R1 )e τ
i1 (t ) = ⋅
R1 + R2 R1 ( L1 + L2 )
L’évolution du courant i(t) se caractérise par les propriétés suivantes :
• l’absence de continuité du courant à t = 0 dans l’inductance L1 ;
• la présence d’un pic ou d’un creux de courant, selon la valeur du terme
L1R2 − L2R1, à l’instant t = 0+ ;
• une loi de croissance ou de décroissance exponentielle ;
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 71

• l’obtention immédiate de l’état final lorsqu’il y a égalité des constantes de


temps : L1/R1 = L2/R2.

d) Réponse impulsionnelle et applications

Définition
On appelle réponse impulsionnelle la réponse en sortie du modèle correspondant
à l’application à l’entrée d’une excitation particulière : l’impulsion unité δ(t), le
circuit étant supposé au repos (toutes conditions initiales nulles) (figure 3.8).

La réponse impulsionnelle peut être déterminée :


• par calcul théorique à partir de l’équation différentielle ;
• par mesure expérimentale.

s(t)
e(t)

s(t)
h(t)

Modèle
t e(t) s(t) t

Figure 3.8 Définition de la réponse impulsionnelle.

Si un circuit avait des caractéristiques de transmission idéales, il devrait reproduire, à


une constante multiplicative près, la grandeur d’entrée c’est-à-dire l’impulsion unité.
En fait, il n’en est rien, la réponse impulsionnelle étant de durée illimitée. On peut
donc dire que le circuit a introduit une certaine dispersion temporelle (en imagerie,
on utiliserait le mot « flou », un point lumineux devenant une tache lumineuse) de
l’information initiale appliquée à l’entrée.
Il est toujours possible de définir un certain intervalle ∆t durant lequel la réponse
impulsionnelle prend des valeurs « significatives ». À cet intervalle de temps, correspond
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dans le domaine fréquence une certaine gamme de fréquence définie par ∆f = 1/∆t
qui correspond sensiblement à la bande passante du circuit, du système.

Produit de convolution
Les propriétés de linéarité et d’invariance temporelle permettent de déterminer natu-
rellement et simplement l’expression de la sortie d’un circuit linéaire en réponse à
une entrée quelconque à l’aide de la réponse impulsionnelle par l’expression suivante
appelée produit de convolution :
+∞
S (t ) = ∫ e(τ ) ⋅ h(t − τ ) d τ
0
72 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

On peut vérifier, en effectuant le changement de variable u = t − τ, que cette intégrale
peut encore s’écrire :
+∞
S (t ) = ∫0 e(t − u) ⋅ h(u) ⋅ d u

La sortie est donc donnée par : S (t ) = e ∗ h = h ∗ e , le symbole * désignant l’opé-


rateur de convolution.

e) Approche fréquentielle
Approche phénoménologique
Comme nous l’avons déjà indiqué, on appelle gain complexe H(jω) le rapport des
amplitudes complexes de la sortie sur l’entrée.
Ainsi défini, le gain complexe est un nombre complexe :
• dont le module est égal au rapport des amplitudes de sortie/entrée ;
• dont l’argument est défini par la différence des arguments de sortie et d’entrée
c’est-à-dire par le déphasage de la sortie par rapport à l’entrée. (Attention à
bien déclencher l’oscilloscope).

Approche théorique : relation avec la réponse impulsionnelle


Appliquons à l’entrée du modèle, du circuit une excitation sinusoïdale, d’amplitude
unité, que nous représentons sous forme complexe :
E(t) = exp(jψ)·exp (jωt)
Pour simplifier, nous supposerons en outre que ψ = 0. Par suite, l’entrée est donc telle
que : E(t) = exp (jωt).
L’utilisation de l’intégrale de convolution permet d’exprimer la sortie sous la forme
suivante :
+∞ +∞
S (t ) = ∫0 e jω (t − u ) ⋅ h(u) ⋅ d u = e jω t ∫
0
e − jω u ⋅ h(u) ⋅ d u

Par suite, l’application d’un signal sinusoïdal à l’entrée implique l’apparition d’une sortie
sinusoïdale de même fréquence. Le rapport des amplitudes complexes est défini par :
+∞
H ( jω ) = ∫0 e − jω u ⋅ h(u) ⋅ d u
qui représente la transformée de Fourier de la réponse impulsionnelle.
La fonction H(jω), appelé généralement gain complexe en électronique, s’appelle
transmittance isochrone par référence au régime sinusoïdal considéré dans l’analyse
des systèmes linéaires.
La sortie s’écrira donc sous la forme complexe suivante :
S (t ) = e jω t H ( jω ) .exp ( jφ (ω ) ) = H ( jω ) ⋅ e j(ω t +φ (ω ))
Quant à la forme réelle, elle prend la forme : S (t ) = Re [ H ( jω ) ⋅ e j(ω t +φ (ω )) ] et
S (t ) = H ( jω ) ⋅ cos (ω t + φ (ω ) ) = G ( jω ) ⋅ cos (ω t + φ (ω ) )
3.3 Les différents types de modèles de connaissance 73

3.3.2 Représentation par variables internes : équation d’état


a) Présentation
La méthode par équation d’état comme la méthode par variables externes est natu-
rellement adaptée à l’étude dans le domaine temps. La méthode usuelle est basée
sur l’utilisation de deux variables, les variables externes correspondant respectivement
à l’entrée et à la sortie. Dans la méthode par variable d’état, on utilise une variable
interne supplémentaire dite variable d’état qui possède les caractéristiques suivantes :
• La variable évolue de façon continue.
• La variable possède une « mémoire ». Lorsqu’on soumet le modèle à une exci-
tation quelconque la variable en question ne peut réagir de façon instantanée à
l’excitation : elle « garde en mémoire » sa valeur. Il est donc indispensable de
connaître cette valeur initiale – c’est-à-dire son état – lors de l’excitation.
On peut se poser la question sur l’intérêt d’introduire une nouvelle variable alors
qu’une représentation externe basée sur une équation différentielle d’ordre n reliant
deux variables, l’entrée et la sortie, suffit. Il ne faut pas oublier cependant que la
résolution complète de l’équation différentielle nécessite de connaître les valeurs de
la grandeur de sortie et de ses (n − 1) premières dérivées à l’instant t = 0− pour déter-
miner les constantes d’intégration. Cette connaissance du passé est « équivalente »
à la notion d’état.
L’état d’un circuit, à un instant présent t0 représente la connaissance minimale du
passé du circuit (la mémoire) nécessaire pour étudier ce circuit. Il permet de déter-
miner de façon unique le futur pour tout t > t0, quelle que soit la fonction d’entrée
appliquée ultérieurement aux instants t > t0, la façon dont le circuit a atteint l’état
particulier à l’instant t0 n’ayant aucune importance.
Le choix des variables d’état peut sembler relativement ouvert. En réalité les proprié-
tés des variables d’état conduisent naturellement à déterminer les composants aptes
à stocker de l’énergie et à choisir des grandeurs représentatives de l’énergie. Il en
résulte en électronique que les variables d’état sont nécessairement la tension aux
bornes VC(t) d’une capacité et le courant IL(t) circulant dans une inductance.

b) Équation d’état
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Si l’on considère un système monovariable, l’utilisation de la méthode des variables


d’état conduit à résoudre le système des deux équations suivantes :
dx/dt = A·x(t) +B·E(t)
S(t) = C·x(t)+D·E(t)
La première équation dynamique (terme en d/dt) est l’équation d’état proprement
dite, la seconde équation, statique, représente l’équation de sortie.
Les termes A, B, C, D peuvent être des grandeurs scalaires (systèmes monovariables)
ou vectorielles (systèmes multivariables).
Lorsque C = 0 : S(t) = D·E(t) et le modèle (le circuit) est dit sans mémoire.
74 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

Les intérêts de cette méthode sont multiples. Comme la description par variables
externes, cette méthode est tout à fait générale. Elle est susceptible d’être utilisée
non seulement pour des modèles monovariables mais également pour des modèles
multivariables. Elle peut être utilisée avec des modèles non linéaires ou avec des
modèles variant en temps.
Cette méthode conduit à représenter systématiquement le modèle d’un composant,
d’un circuit par les mêmes schémas généraux.

3.4 MODÈLE COMPORTEMENTAL DES COMPOSANTS SC


3.4.1 Les composants SC et la modélisation par quadripôles
La modélisation de composants SC fonctionnant en mode linéaire par des qua-
dripôles est une des méthodes les plus utilisées en électronique. Le quadripôle
modèle peut être déterminé soit une approche de connaissance soit une approche
comportementale.
Dans le premier cas, on détermine à partir des équations physiques des SC les rela-
tions générales du composant concerné. Ces équations, en général non linéaires, sont
ensuite linéarisées pour obtenir des relations adaptées impliquant composants passifs
et sources contrôlées : c’est ce modèle circuit que l’on cherche ensuite à représenter
par le « bon quadripôle ». Dans une telle approche les paramètres du quadripôle sont
déterminés, ou approximés, par des formules impliquant des paramètres physiques
et technologiques des composants SC, chaque élément électrique ayant une interpré-
tation physico-technologique donnée.
On peut envisager par ailleurs une modélisation comportementale basée sur des
hypothèses purement mathématiques. Le problème consiste à déterminer des rela-
tions linéaires au voisinage d’un point de fonctionnement. Comme il y a au total
quatre variables : deux variables (V, I) pour l’entrée et deux variables (V, I) pour
la sortie, il faut tout d’abord choisir deux variables indépendantes, a priori quel-
conques, avant d’exprimer les deux grandeurs d’entrée et sortie. Ceci détermine
au total six cas possibles. Ensuite, on exprime les grandeurs d’entrée/sortie, via
la formule des accroissements finis, en fonction des deux variables indépendantes
choisies. La formule des accroissements finis permet, en négligeant les termes du
développement d’ordre supérieur à un, de représenter une fonction F(X, Y) dans un
certain domaine autour d’un point de repos défini par ses valeurs continues (X, Y)
selon la formule suivante :
F(X + x, Y + y) = F(X, Y) + x·Fx′(X,Y) + y.FY′(X,Y) +....
soit : f = x ·Fx′(X,Y) + y ⋅ FY′(X,Y)...
avec : f = F(X + x, Y + y) − F(X, Y) ; x = X − X ; y = Y − Y
En supposant que les dérivées premières varient peu autour du point de fonctionne-
ment, on peut les supposer constantes dans tout le domaine de variation de X et Y. On
obtient finalement les relations linéarisées suivantes :
f = ª a·x + b·y
3.4 Modèle comportemental des composants SC 75

avec :
a = Fx′(X,Y)   = Cte et b = FY′(X,Y)  = Cte
L’approche comportementale conduit à des représentations génériques de type circuit
à constantes localisées associant éléments passifs et sources contrôlées.
Le problème de base dans cette approche est la validité de l’approximation linéaire.
Il est clair qu’elle sera d’autant plus justifiée que x/X et y/Y seront très faibles (ordre
de grandeur a priori : 0,1). Dès lors que cette condition n’est plus vérifiée, il y a
tout à craindre que les paramètres a et b ne puissent plus être considérés comme
constants. Par ailleurs, si l’approche comportementale n’implique aucune connais-
sance théorique ou de physique, tout en permettant néanmoins d’être générique, elle
impose une connaissance technique conséquente nécessitant un nombre important
de mesures. Il est indispensable à partir de la définition théorique des différents para-
mètres, de disposer de techniques de mesures fiables des paramètres, de déterminer
et connaître l’influence de la position du point de repos (I, V) sur les paramètres,
l’influence de la température, de la fréquence.
Enfin, même si certains modèles tels que le modèle admittance sont mieux adaptés,
du fait des spécificités de mesure des paramètres, aux fréquences élevées, (il est
plus facile aux fréquences élevées de faire des mesures en court-circuit qu’en circuit
ouvert…) du fait même de sa représentation par des modèles à constantes locali-
sés, les modèles quadripolaires sont inadaptés pour représenter le comportement des
composants SC aux fréquences très élevées où peuvent intervenir des phénomènes
de propagation. Mais il y a toujours des solutions : on peut alors utiliser des para-
mètres Sij appelés paramètres de diffusion.

3.4.2 Modélisation par quadripôle : description par variables externes


a) La représentation par quadripôles
Le quadripôle initial est représenté à la figure 3.9, dans laquelle sont précisés le sens
des courants et le mode de mesure des tensions utilisés habituellement.

I1 I2
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V1 Quadripôle V2

I1 I2
Figure 3.9 Modèle par quadripôle : conventions.

b) La matrice impédance
Les variables indépendantes choisies dans ce type de modèle sont les courants d’en-
trée I1 et de sortie I2. On exprimera donc les tensions V1 et V2 en fonction de ces
deux variables.
76 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

Exemple
 ∂V   ∂V 
V1 ( I1 , I 2 ) = V1 (I1 , I 2 ) + ( I1 − I1 )  1  + (I 2 − I 2 )  1 
 ∂ I1  I1,I2  ∂ I 2  I1,I2

Soit : v1 = Z11.i1 + Z12. i2
Ce type de modélisation conduit à une relation sortie/entrée définie par l’équation
matricielle suivante : v = Z·i
 v1   i1   Z11 Z12 
Avec : v=   i=   Z=  
 v2   i 2   Z 21 Z 22 
Le modèle générique circuit associé est représenté à la figure 3.10.
I1 I2

+ +
V1 Z 12 .I2 Z 21 .I1 V 1 V2
- -
Figure 3.10 Modèle impédance.

Les paramètres impédances sont des paramètres définis en circuit ouvert : à l’entrée
ouverte correspondent Z12 et Z22, à la sortie ouverte correspondent Z11 et Z21 ; les mesures
correspondantes étant réalisées sous excitation sinusoïdale. Il faut remarquer que ces
paramètres sont définis par des rapports d’amplitude complexe tension/courant: ils sont
donc en principe caractérisés par un module et une phase. Ce n’est que dans un domaine
de fréquences relativement basses que l’on pourra négliger les termes de phase.

c) La matrice admittance
Les variables indépendantes choisies dans ce type de modèle sont les tensions d’en-
trée et de sortie. Ce type de modélisation obéit à une relation sortie/entrée définie par
l’équation matricielle suivante :
 Y11 Y12 
i = Y·v Y=  
 Y21 Y22 
Le modèle générique circuit associé est représenté à la figure 3.11.

I1 I2

V1 1
Y 12.V2 Y 21.V1
1 V2
Y 11 Y22

Figure 3.11 Modèle admittance.


3.4 Modèle comportemental des composants SC 77

Les paramètres admittances sont définis avec bornes d’entrée ou de sortie en court-
circuit : à l’entrée en court-circuit correspondent Y12 et Y22, à la sortie en court-circuit
correspondent Y11 et Y21.
Les paramètres admittances sont utilisés essentiellement dans le domaine des
fréquences élevées (F > 100 MHz). La détermination des paramètres yij implique en
effet des mesures sur le composant en court-circuit, mesures qui sont beaucoup plus
faciles à réaliser que des mesures en circuit ouvert comme dans le cas des paramètres
impédances.

d) Paramètres hybrides directs et inverses


On utilise le terme de paramètres hybrides pour indiquer que, dans ce type de modèle,
les paramètres ainsi définis n’ont pas la même dimension : ils correspondent soit à
une impédance, soit à une admittance, soit… à un rapport sans dimension.
Selon les cas, on travaille avec les paramètres hybrides directs hij (c’est le cas habi­
tuel avec, comme variables indépendantes, le courant d’entrée et la tension de sortie)
ou inverses gij (variables indépendantes : tension d’entrée et courant de sortie).
La modélisation avec paramètres directs obéit à une relation sortie/entrée définie par :
v1 = h11.i1 + h12.v2 et i2 = h21.i1 + h22.v2
Les paramètres h11, h21 sont mesurés avec sortie en court-circuit, tandis que les para-
mètres h12 et h22 sont mesurés avec entrée ouverte, toujours en régime sinusoïdal, soit :
h11 = (v1/i1)V2 = 0 h12 = (v1/v2)I1 = 0
h2 = (i2 /i1)V2 = 0 h22 = (i2/v2)I1 = 0
Le paramètre h11 représente une résistance d’entrée, le terme h12 est un terme sans
dimension qui traduit la réaction de la sortie sur l’entrée, le terme h21 représente le
gain en courant du composant et h22 représente une admittance de sortie (figure 3.12).
I1 h11 I2

+
V1 1 V2
h12.V2 h21.I1
h22
-
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Figure 3.12 Schéma équivalent hybride.


La littérature et les fiches techniques anglo-saxonnes utilisent, pour les transistors
bipolaires et, d’une façon générale, des dénominations différentes. Les équivalences
en question sont précisées ci-dessous.
h11 = hie input : entrée h12 = hre reverse : transfert inverse
h21 = hfe forward : transfert direct h22 = hoe output : sortie
L’indice e étant relatif au montage émetteur commun.
78 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

3.4.3 Le quadripôle vu de l’extérieur


a) Schéma équivalent vu de l’entrée
Vu de l’entrée, un quadripôle est représenté par son impédance d’entrée ZE
(figure 3.13a) défini par le courant V1/I1 dans des conditions de charge données (à
vide, en court-circuit, en charge, avec une résistance de charge égale à 50 Ω).
Il est indispensable de préciser la résistance de charge avec laquelle est calculée ou
mesurée la résistance d’entrée.

I1 I2 I1 I0

+ RG +
EG V1 Ze V2 R CH RG V1 Zs E0
– –

a b

Figure 3.13 a) L’impédance d’entrée. b) L’impédance de sortie.

b) Schéma équivalent vu de la sortie


Vu de la sortie un quadripôle est représenté par son impédance de sortie ZS
(figure 3.13b).Pour calculer l’impédance de sortie d’un circuit linéaire comportant
des sources liées ou dépendantes et une source d’excitation indépendante, on utilise
la méthode générale suivante :
• On éteint la source d’excitation indépendante. Cette action entraîne par consé-
quent l’extinction de toutes les sources contrôlées.
• Pour exciter les sources contrôlées, on branche alors en sortie une source de
tension indépendante E0 qui débite un courant I0. La source de tension va entraî-
ner la circulation de courants et la création de tensions dans le circuit qui vont de
nouveau exciter les sources contrôlées.
Par définition, la valeur de l’impédance de sortie est définie par : ZS = E0/I0
L’impédance de sortie dépend de la résistance propre, ou interne, du générateur
externe originel qui commande le quadripôle.

3.5 DES MODÈLES, DE LA TECHNIQUE ET DU MÉTIER


Le développement de la recherche dans le domaine des composants (signal et puis-
sance), des méthodes de calcul numérique et la banalisation de matériel informatique
de plus en plus performant s’est accompagné parallèlement d’un développement très
important d’outils de simulation numériques, à vocation pédagogique ou profession-
nelle. Parmi les logiciels les plus connus, on peut citer, par exemple, indépendamment
des logiciels dédiés à la nanoélectronique, les logiciels suivants : SPICE, DAVINCI,
SABER, PSIM (liste non exhaustive). Outre les méthodes de calcul numérique uti-
lisées et la convivialité d’utilisation de ces logiciels, l’un des paramètres critiques
3.5 Des modèles, de la technique et du métier 79

de ces outils est la qualité de modélisation des composants et la bibliothèque de


modèles de composants semi-conducteurs.
Le logiciel SPICE pour Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis,
développé dans les années 1970 à l’Université de Berkeley (USA), a été l’un des
premiers logiciels. Initialement conçu pour des applications intégrées impliquant
le fonctionnant en petits signaux de composants semi-conducteurs, il a évidem-
ment fortement évolué depuis sa création et on ne compte plus les versions
commerciales disponibles actuellement  : PSPICE, HSPICE… D’une façon
générale, ces logiciels possèdent quatre types d’analyse possibles  : continu/
DC, alternatif/AC, transitoire et bruit. Ils disposent en outre de bibliothèques
très complètes  : composants passifs R, L, C, M, lignes à retard), modèles de
sources liées ou contrôlées, composants semi-conducteurs discrets s’appuyant
sur des modèles de connaissance physiques plus ou moins sophistiqués et des
modèles comportementaux adaptés, macromodèle de composants évolués. Le
logiciel DAVINCI est un logiciel qui s’appuie sur une approche physique puis-
sante, nécessitant la connaissance de paramètres physiques complexes, et sur la
connaissance de données technologiques. Il permet une modélisation fine des
composants dans les différents régimes de fonctionnement. Le logiciel PSIM
est un logiciel spécifique du domaine Génie Électrique. Il dispose aussi bien
de modèles de composants de puissance que de modèles électrotechniques
(machines tournantes…). Ce logiciel est bien adapté à la simulation des CVP,
la prise en compte d’éléments parasites nécessitant par contre l’introduction des
éléments correspondants dans le circuit modélisé. Le logiciel SABER est un
logiciel généraliste de type «  solveur d’équations  »  : disposant d’une librairie
importante de composants, il est bien adapté à la simulation de problèmes mixtes
(analogique et numérique) ainsi qu’aux problèmes couplés (électrique + électro-
mécanique + mécanique + thermique).
Si certains logiciels tels les logiciels de puissance permettent une modélisation
fonctionnelle de CVP à l’aide d’une modélisation simple de la commutation par
résistance « binaire » (R à l’état fermé et R à l’état ouvert), l’utilisation des autres
logiciels, SPICE  , DAVINCI, SABER nécessite une triple connaissance  : une
connaissance physique plus ou moins importante selon le type de logiciel ; une
connaissance technologique minimale du composant lui-même ; et bien évidem-
ment la maîtrise du logiciel lui-même. Un « bon utilisateur » peut difficilement
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faire l’impasse sur « une »connaissance suffisante et la maîtrise des modèles de


composants SC.
A contrario, le technicien « de terrain » peut difficilement disposer de la somme de
connaissances nécessaires pour déterminer de façon exacte, rigoureuse et complète le
comportement d’un composant SC dans une situation donnée. En termes de compo-
sants SC, le technicien de « terrain » doit connaître les limitations physiques et
technologiques fondamentales des SC, maîtriser la compréhension des phénomènes
généraux liés aux divers modes de fonctionnement des composants, les problèmes
spécifiques à leur fonctionnement (par exemple influence de la température, de la
tenue en tension, de la montée en fréquence, les problèmes de commutation en petit
80 Chap. 3. De la modélisation et des modèles en électronique

signal ou puissance…), les problèmes et les contraintes d’environnement liés à leur


mise en œuvre dans un contexte applicatif donné.
C’est dans cet esprit, qui mélange approches phénoménologique, physique et tech-
nologique que seront abordés, sauf cas particulier, les problèmes rencontrés dans la
modélisation des composants SC en électronique.
Les composants
semi-conducteurs
4

• Connaître les deux modes de • Lire, relire et analyser les fiches


fonctionnement des composants SC. techniques.
• Se rappeler des domaines d’application • Prendre l’habitude de faire des calculs
correspondants. simples pour déterminer les ordres de
• Être capable de faire le bon choix d’une grandeur.
diode en fonction de son domaine • Ne pas oublier qu’il existe des limites à
d’application. ne pas dépasser.

Nous limiterons notre étude aux composants suivants : les diodes, les transistors
bipolaires et les composants à effet de champ à grille isolée.
Nous avons donc laissé « de côté » de fait des composants importants tels en élec-
tronique du signal les transistors à effet de champ à jonction ou, en électronique de
puissance, les thyristors, les thyristors « bloquables » (GTO, gate turn-off) et les IGBT.
Outre que ces composants peuvent faire l’objet d’analyse spécifique, les trois compo-
sants que nous avons choisis représentent les deux familles technologiques actuelles,
à savoir les composants bipolaires et les composants à effet de champ. À ce titre
ils sont représentatifs des problèmes que nous pourrons rencontrer dans ces deux
familles de composants. En outre, ces composants appartiennent à deux types de
familles de composants aux fonctionnalités différentes : les éléments commandables
(transistor bipolaire et MOSFET) et les éléments non commandables comme les
diodes. Ils permettront donc d’évaluer les possibilités respectives de ces composants
par rapport par exemple, au mode de fonctionnement en commutation.

4.1 UTILISATION DES COMPOSANTS SC


Lorsqu’on utilise un composant SC, on doit se poser quatre questions concernant son
fonctionnement :
• À quoi va-t-il servir ?
• Comment modéliser son fonctionnement ? Par un modèle linéaire ou non linéaire ?
• Le modèle choisi est-il bien adapté à l’application ? En particulier à la gamme
fréquentielle d’utilisation du composant lorsqu’on travaille en amplification
linéaire ou à la gamme de puissance lorsqu’on travaille en commutation.
82 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

• Quelle est l’influence de la température, des tensions, des courants sur le compor-
tement du composant et sur la valeur des éléments du modèle circuit représentatif ?

4.1.1 Utilisation et modes de fonctionnement


Quel que soit son domaine d’utilisation, un composant semi-conducteur n’a que
deux modes de fonctionnement possibles : linéaire et non linéaire.
Dans chaque mode de fonctionnement, le comportement du composant est suscep-
tible d’être décrit par un, ou plusieurs, modèles associés.
Le fonctionnement en mode linéaire des composants semi-conducteurs commandés
est naturellement adapté à l’amplification linéaire et à toutes les applications qui
peuvent en découler (filtrage linéaire…).
L’utilisation des composants en mode interrupteur, qui implique un fonctionnement
des composants en mode non linéaire, conduit à deux grandes familles d’application
selon que ce mode de fonctionnement s’applique à des composants de signal (élec-
tronique numérique et technologie de l’informatique) ou de puissance (convertisseur
de puissance).

a) Le mode linéaire

I
∆i << I0
Mode linéaire
∆v << V0

I0 P(V0 ,I 0) Droite de charge


∆i
dynamique

∆v

V0 V

Figure 4.1 Le mode linéaire.

Dans ce mode la variation des grandeurs dynamiques (c’est-à-dire variables dans


le temps) de sortie du composant est reliée aux grandeurs de la commande d’entrée
correspondante par des relations linéaires. Une telle propriété implique :
• l’existence d’un régime statique ou continu défini par des points de repos (I0, V0)
d’entrée et de sortie, le régime statique s’accompagnant d’une certaine dissipation
de puissance ;
• l’existence d’un régime dynamique, en général le régime harmonique ou sinusoïdal,
venant se superposer au régime statique ;
4.1 Utilisation des composants SC 83

• l’hypothèse de signaux dynamiques, i, v, de faible amplitude devant les valeurs


I, V définissant les points de repos.
Ce n’est qu’au moyen de ces hypothèses que l’on pourra relier par des relations
linéaires les grandeurs dynamiques de sortie aux grandeurs d’entrée.
L’étude d’un montage dans ce type de fonctionnement nécessitera donc deux types
d’études indépendantes : une analyse statique et une analyse dynamique.
Dans l’analyse statique, toutes les capacités du montage sont considérées comme
des circuits ouverts et la source d’excitation alternative est éteinte. Le position­nement
des points de repos est déterminé à partir du tracé de la droite de charge et de la droite
d’attaque respectivement dans le quadrant de sortie et d’entrée. On s’intéresse au
« bon positionnement » des points de repos des composants du montage.
Dans l’analyse dynamique, le circuit dynamique équivalent est obtenu en rempla-
çant tout potentiel continu par la masse et toutes les capacités par des courts-circuits.
On s’intéresse aux amplitudes maximales positives et négatives du signal de sortie.
Ces amplitudes sont déterminées à partir du tracé de la droite de charge dynamique
i(v), passant nécessairement par le point de repos, dans le quadrant de sortie. La
dernière étape de l’étude consiste à choisir le « bon modèle » pour représenter le
composant.

b) Le mode non linéaire


Dans le mode non linéaire, le composant évolue entre deux états statiques très dif-
férents correspondants à des interrupteurs ouverts QC et QV (I = 0 et |V| = Vmax) et
fermé P (I = Imax et V = 0).

I
Commutation P
commandée
Commutation
spontanée
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QC

V
QS
Figure 4.2 Le mode non linéaire.

Les états statiques des interrupteurs sont faciles à caractériser, soit par mesures
expérimentales, soit par une modélisation plus ou moins évoluée. Par contre, le
comportement dynamique des composants entres ces deux états implique un modèle
grand signal généralement non linéaire. Le passage d’un état statique à l’autre est
désigné sous le terme de commutation.
84 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

Les paramètres privilégiés dans ce mode fonctionnement sont évidemment différents


selon que les applications concernent le traitement du signal ou les applications de
puissance.
Dans le cas du traitement de signal, on cherchera à optimiser :
• la rapidité de commutation ;
• l’insensibilité des niveaux de tension délivrés vis-à-vis des charges branchées en
sortie ;
• l’insensibilité aux parasites ;
• les pertes durant la commutation.
Dans le cas des applications de puissance, on cherchera plutôt à optimiser :
• les pertes dans les états statiques ouvert/fermé ;
• les pertes lors de la commutation ;
• la rapidité de commutation ;
• la tenue en tension à l’état ouvert ;
• la capacité en courant à l’état fermé.

4.1.2 Amplification et mode linéaire


a) Influence de l’environnement
Quels que soient leurs applications et leur type, les composants SC sont sensibles à
la température. Si dans la grande majorité des cas, les problèmes liés à la tempé-
rature ont beaucoup diminué, il est difficile de ne pas tenir compte de l’influence de
cette dernière, en particulier, dans des environnements extrêmes.

b) Variations des paramètres du modèle dynamique


Lorsqu’on étudie un schéma en régime alternatif petits signaux, on utilise un modèle
équivalent pour représenter le comportement du composant. Il ne faut surtout pas
oublier qu’un modèle est valable dans une certaine gamme de fréquences et que
l’ensemble des paramètres dynamiques varient : avec la température évidemment,
mais aussi avec la position du point de repos c’est-à-dire avec les tensions appli-
quées, les courant de repos, etc.

c) Influence de la fréquence
Aux fréquences élevées (f >> 10 MHz environ) et quel que soit le type de compo-
sant, il est indispensable de tenir compte dans le modèle équivalent petits signaux
des éléments parasites internes des composants, c’est-à-dire essentiellement de leurs
capacités interélectrodes.
Une capacité est particulièrement importante : il s’agit de la capacité parasite entrée/
sortie CP du composant, correspondant à l’impédance ZR (figure 4.3a), qui intro-
duit un couplage d’autant plus important entre l’entrée et la sortie que la fréquence
augmente. Il est possible d’évaluer l’influence de cette capacité parasite respective-
4.1 Utilisation des composants SC 85

ment sur l’entrée et sur la sortie : c’est le théorème de Miller ou effet Miller lorsqu’on
s’intéresse essentiellement à l’effet sur l’entrée.

ZR

VE ZE GV ZS VS
VE GV VS

a b

Figure 4.3 Le théorème de Miller. a) Avant. b) Après.

Ceci conduit alors à un schéma dans lequel entrée/sortie sont isolées (figure 4.3b).
La capacité parasite entraîne l’apparition :
• au niveau de l’entrée, d’une capacité CE telle que CE = (1 – GV) · Cp ;
GV − 1
• au niveau de la sortie d’une capacité Cs telle que CS = ⋅ CP.
GV
(GV désigne le gain en tension du montage.)
L’influence de cette capacité parasite se traduira donc essentiellement au niveau de
l’entrée : elle constitue la limitation haute fréquence commune de tous les compo-
sants fonctionnant en régime linéaire.

4.1.3 Commutation et mode non linéaire


a) Quelle modélisation ?
Les approches de modélisation utilisées sont différentes selon que l’on travaille en
électronique du signal ou de puissance. Dans l’électronique de signal, il s’agit d’une
modélisation physique plus ou moins évoluée. Dans l’électronique de puissance, on
utilise une approche à deux niveaux associant une modélisation fonctionnelle et une
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modélisation circuit ou physique.


La modélisation fonctionnelle, indépendante du type de composant utilisé, vise à
caractériser de façon générique le comportement d’un composant quelconque par
rapport à son fonctionnement en tant qu’interrupteur. Cette approche est à la base des
méthodes d’analyse et de synthèse des convertisseurs.
La modélisation physique dépend du niveau de « finesse » d’analyse : il faut bien
« s’intéresser », à un moment ou à un autre, au composant SC utilisé…

b) Modélisation fonctionnelle : quelques idées…


Comme dans l’étude en mode linéaire, le fonctionnement d’un composant SC en com-
mutation est défini par son point de fonctionnement caractérisé par les variables (I, V).
86 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

Analyse des états statiques


L’ensemble des points de fonctionnement possibles définit un segment représentatif
d’un état (ouvert I = 0 ou fermé V = 0) du composant.
L’interrupteur peut être unidirectionnel (un segment) ou bidirectionnel (deux
segments) en tension, selon qu’il est capable ou non de rester ouvert pour les deux
polarités de la tension appliquée. De même, l’interrupteur peut être unidirectionnel
(un segment) ou bidirectionnel (deux segments) en courant, selon qu’il est capable
ou non de conduire le courant dans les deux sens.

Analyse de la commutation entre états


Partant d’un interrupteur fermé dont le point de fonctionnement se trouve en P, ana-
lysons la commutation à l’ouverture : cette commutation ne peut conduire qu’aux
états correspondant aux points QC ou QS.
Dans le premier cas, la commutation correspond à une variation continue de la
résistance du composant, qui part d’une valeur initiale Ron ≈ 0 pour atteindre une
valeur finale Roff tendant vers + ∞ : cette variation de résistance du composant
est réalisée sous l’action d’une commande externe. Le déplacement de point de
fonctionnement se fait sans changement de signe de I et V et nécessairement dans
le premier quadrant (la résistance du composant ne pouvant changer de signe…).
Le parcours dynamique précis dépend du circuit de charge du composant. Dans
ce type de commutation, appelé commutation commandée, le point de fonction-
nement subit de très grandes excursions simultanées de tension et de courant et
les pertes dans le composant associées à cette commutation seront en principe
importantes.
Dans le mode commutation commandée, la fermeture du composant se fera dans les
mêmes conditions générales sous l’action de la « bonne commande ».
Dans le second cas, la commutation correspond à une variation discontinue de la
résistance du composant : elle va changer brutalement de valeur lorsque, I décrois-
sant, la condition I < 0 sera satisfaite, avant d’atteindre la valeur finale Roff. Cette
variation de résistance du composant se fait sous l’action naturelle du courant I,
en l’absence de toute commande (que le composant SC dispose d’une électrode de
commande ou non). Le déplacement de point de fonctionnement suit la caracté-
ristique du composant dans l’état fermé avant de se déplacer sur la caractéristique
inverse du composant dans l’état ouvert  : il y a nécessairement changement de
quadrant de fonctionnement. Dans ce type de commutation, appelé commutation
spontanée, le point de fonctionnement se déplace en suivant la caractéristique V = 0
durant la première partie de la commutation avant de se déplacer sur la caractéris-
tique I = 0 durant la seconde partie : les pertes dans le composant associées à cette
commutation sont, en principe, nulles.
Dans le mode commutation spontanée, la fermeture du composant se fera de façon
naturelle dès que V > 0.
4.1 Utilisation des composants SC 87

Modèles d’interrupteurs
Dans le domaine de l’électronique analogique, l’un des outils fondamentaux
de modélisation est la méthode des modèles de sources dépendantes analysée au
chapitre 2, § 2.1.5. Dans le domaine de l’électronique de puissance, c’est la notion
d’interrupteur qui est l’outil de base. La tension et le courant d’un interrupteur étant
définis selon la convention récepteur, le modèle lui-même est caractérisé par ses
propriétés fonctionnelles :
• statiques,
• et dynamiques
Comme nous l’avons vu, dans le domaine statique, on utilise la notion de segment
pour définir l’interrupteur, le segment représentant le lieu des points de fonc-
tionnement (I,V) possibles de l’interrupteur durant les états ouverts ou fermés de
l’interrupteur.
Comme l’interrupteur ne peut être qu’ouvert ou fermé, on approxime généralement
en modélisation les caractéristiques de court-circuit ou de circuit ouvert du (ou des)
composants associés avec les demi-axes correspondants (V = 0 ou I = 0), sachant
que, dans la réalité, les caractéristiques en question, spécifiques des composants
utilisés, ne sont évidemment pas confondues avec les axes.
Dans le domaine dynamique, c’est le mode de «  passage  » entre les deux états
statiques et le cycle de commutation qui sont les éléments essentiels car le mode de
passage entre les états détermine les pertes dans le composant. Se rappeler qu’une
commutation spontanée se fait sans perte, alors qu’une commutation commandée se
caractérise par des pertes importantes.
Selon les cas, ce passage pourra être spontané ou commandé. Rappelons que la
commutation est spontanée si les points de fonctionnement avant et après la commu-
tation sont situés sur deux demi-axes de signes contraires, le point de fonctionnement
se déplaçant en suivant les axes durant la commutation. Elle est commandée si les
points de fonctionnement avant et après la commutation sont situés sur deux demi-
axes de même signe, soit positif, soit négatif. Le cycle de commutation n’est rien
d’autre que la période de fonctionnement de l’interrupteur considéré : on part d’un
état initial, le point de fonctionnement se déplace sur le cycle selon un certain sens,
c’est-à-dire selon un enchaînement spécifique des états ouverts et fermés, avant de
revenir à l’état initial.
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Sachant d’une part qu’il y a que deux états (ouvert, avec V > 0 par exemple, ou
fermé avec I > 0 par exemple) initiaux possibles et que l’objectif est de changer
d’état, d’une façon ou d’une autre, sachant d’autre part qu’il n’y a que deux
modes (spontané ou commandé) de changement d’état possible, l’analyse des
différents cas possibles à partir de l’état initial montre que le cycle de fonction-
nement d’un interrupteur élémentaire appartient nécessairement au tableau de la
figure 4.4.
88 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

Blocage COMMANDÉ
SPONTANÉ
Amorçage BI-V BI-I

S
P
I I I
O
N
T
A V
N
É V V

I
BI I
C V
O
M V
M
A V
N
D I
É
BI
I
V

Figure 4.4 Les différents types d’interrupteur.


Ne pas oublier que le paramètre temps ne figure pas sur ces caractéristiques.

Les caractéristiques des « composants » potentiels sont indiquées en gras, alors que
le mode de description du cycle est indiqué en pointillé. La partie « circulaire » du
parcours dynamique de l’interrupteur commandé signifie simplement que l’inter-
rupteur est soumis à des excursions de tension et courant importantes. Ainsi, il est
possible de rencontrer six types d’interrupteur :
• l’interrupteur tout spontané, ou spontané pour faire simple. Son fonctionne-
ment implique deux quadrants de signes contraires (l’interrupteur représenté à
titre d’exemple sur la figure implique les quadrants I et III). Deux interrupteurs
avec des cycles symétriques par rapport à l’origine sont possibles sont possibles.
On passe d’un interrupteur à un autre en permutant les bornes du composant
associé ;
• l’interrupteur tout commandé, ou commandé. Son fonctionnement implique
un seul quadrant avec des demi-axes de même signe. Deux interrupteurs sont
possibles impliquant respectivement les quadrants I ou III ;
• l’interrupteur commandé à l’amorçage, et donc spontané au blocage implicite-
ment, avec ses deux variantes, bidimensionnelles en tension ou en courant ;
4.1 Utilisation des composants SC 89

• l’interrupteur commandé au blocage, et donc spontané à l’amorçage implicite-


ment, avec ses deux variantes, bidimensionnelles en tension ou en courant.
La modélisation des sources, les règles d’association de ces sources (cf. para-
graphe 2.4.2) et la modélisation des interrupteurs constituent évidemment des outils
puissants d’analyse et de synthèse de convertisseurs de puissance permettant de
déterminer les formes d’onde caractéristiques, les valeurs maximales de la tension
et du courant des interrupteurs, les puissances mises en jeu, etc. Les logiciels à visée
fonctionnelle sont nombreux. Pour aller plus loin, en pratique, il faudra inévitable-
ment introduire « un peu de composant » et les paramètres (électriques et pourquoi
pas physiques si besoin est) adéquats.

En électronique de puissance, on privilégie la commutation spontanée,


mais il faut aussi disposer d’un minimum de degrés de liberté, c’est-à-
dire de possibilités de commande. Dans ce cas, on essaie via des circuits
extérieurs, dits circuits d’aide à la commutation, de forcer le parcours
de la commutation commandée à suivre les axes I et V, comme dans le
cas de la commutation spontanée, de façon à réduire au maximum les
pertes dans le composant.

De la bonne utilisation des composants et des fiches techniques.


Pour bien utiliser les composants, il faut se familiariser avec l’analyse des
fiches techniques (data sheet). On trouve énormément de données dans ces
fiches : les valeurs limites d’utilisation (maximum ratings) des caractéristiques
usuels (electrical characteristics), des caractéristiques de commutation (swit-
ching characteristics), de nombreuses autres valeurs : typiques, répétitives,
accidentelles, etc.
Il faut savoir utiliser les guides de sélection qui permettent de déterminer assez
rapidement les références des composants qui semblent les mieux adaptés à
votre application, avant d’analyser en détail les caractéristiques de tel ou tel
composant.
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Il faut connaître les principaux ordres de grandeurs des paramètres, prendre


connaissance également des courbes de variation de tel ou tel paramètre avec
tension, courant, fréquence, température, connaître les conditions de test (ne
pas hésiter « à regarder » les schémas de test).
90 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

4.2 LA DIODE

4.2.1 À quoi ça sert ?


Les principales fonctions réalisées par des diodes à jonctions :
• le redressement (petite, moyenne ou forte puissances) aux fréquences indus-
trielles et certaines applications connexes (doubleur de tension, multiplication de
tension) ;
• la détection moyenne et haute fréquence ;
• la commutation de signal et de puissance ;
• le verrouillage sur un potentiel continu (clamping) ;
• les circuits d’aiguillage ;
• la fonction interrupteur spontané dans les convertisseurs de puissance.

4.2.2 De la jonction PN à la diode


a) Équilibre thermodynamique à température ambiante
Les phénomènes
On considère deux SC extrinsèques de nature différente N (dopage ND) et P
(dopage NA) à l’équilibre thermodynamique (on attend un certain temps, sans échan-
ger d’énergie avec l’environnement), en l’absence de toute polarisation externe.
Que se passe-t-il à l’équilibre thermodynamique lorsqu’on accole les deux régions
P et N (figure 4.5) ?
D’un point de vue qualitatif, il va se produire tout d’abord un phénomène de diffu-
sion : diffusion des porteurs majoritaires de chaque zone vers la zone opposée où
leur concentration est initialement beaucoup plus faible. Ainsi les électrons de la
région N vont diffuser vers et dans la zone P pendant que simultanément, les trous de
la région P diffusent vers et dans la région N.
Au voisinage de la jonction, les atomes ionisés positivement de la région N sont ainsi
privés de l’électron qui leur était associé. Il s’établit donc progressivement dans la
région N une charge électrostatique positive renforcée par le déplacement des trous
de la région P vers la région N. Le même phénomène se produit dans la région P
proche de l’interface qui va se charger négativement.
L’intensité de ce phénomène est toutefois limitée, aussi bien en profondeur qu’en
intensité. En effet les électrons en quittant la région N laissent derrière eux une
charge positive qui tend à les rappeler alors qu’en même temps la charge négative
qui se développe dans la zone P tend à les refouler vers leur région d’origine.
Progressivement va se créer au voisinage de l’interface une région de transition
dans laquelle :
• les deux semi-conducteurs ne sont plus en équilibre thermodynamique ;
4.2 La diode 91

• il n’y a plus de porteurs mobiles : la zone est dite déplétée ;


• il subsiste des charges fixes, de signe différent, qui créent une zone de charge
d’espace (densité de charge volumique ρ ≠ 0) ;
• il apparaît un champ électrique interne à cette zone isolante auquel correspond
une barrière de potentiel, appelée tension de diffusion interne Vd (built-in voltage).
La zone déplétée est très proche d’une couche isolante car elle ne contient en prin-
cipe aucun porteur mobile.
Le sens du champ électrique dans cette couche déplétée, dirigé de la zone N vers
la zone P, est tel qu’il s’oppose à la diffusion des porteurs majoritaires de chaque
couche.
L’équilibre est atteint lorsqu’il y a compensation des mécanismes antagonistes de
diffusion et de conduction pour chaque type de porteurs, les électrons d’une part
et les trous d’autre part.
À l’extérieur de la zone de transition, les deux SC peuvent être considérés comme à
l’équilibre thermodynamique : le champ électrique y est donc nul.
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Figure 4.5 a) Établissement de la zone de déplétion. b) Variation de la densité


de charges volumiques. c) Variation du champ électrique.
92 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

La mise en contact de deux SC extrinsèques de types différents entraîne un gradient


de concentration très important et par suite nécessairement des courants de diffusion.
L’équilibre thermodynamique implique que chaque courant individuel d’électrons et
de trous soit nul. Pour satisfaire cette condition, il faut que les courants de diffusion
soient nécessairement compensés par des courants de conduction : ceci implique
nécessairement, en l’absence de toute polarisation extérieure, l’apparition naturelle,
à l’intérieur du composant, d’un champ électrique.

Les relations de base


La zone déplétée s’étend respectivement sur une profondeur XN côté N et XP côté P
selon la relation suivante :
X N
XN·ND = XP·NA soit N = A
XP ND
Ainsi la zone déplétée s’étend de façon privilégiée dans la zone la moins dopée,
c’est-à-dire la plus résistive, soit celle qui se rapproche le plus d’un isolant.
La valeur maximale du champ, qui se produit à l’interface des zones N et P, a pour
valeur :
qN A X P qN D X N
E = =
ε ε
La valeur VD de la tension de diffusion interne correspondant à la barrière de poten-
tiel qui s’oppose à la diffusion des porteurs est donnée par :

kT  N A N D   NA ND 
VD = ln  2  = VT ln 
q  ( ni )   ( ni )2 

VT (= kT/q) est l’unité de tension thermodynamique (VT = 25,25 mV à 20 °C).


La zone de déplétion, présentant une épaisseur « d’isolant » égale à XN + XP, corres-
pond d’un point de vue électrique à une capacité statique CD dite « de déplétion »,
dont la valeur (par unité de surface) est telle que : CD= ε/(XN + XP).
Une variation discontinue de dopage définit une jonction abrupte. En règle générale,
les diodes sont souvent fortement dissymétriques ou unilatérales (« one sided abrupt
junction ») de type N+ P ou P+ N.

b) Propriétés générales de la diode en régime statique


Les phénomènes physiques lors d’une polarisation
Lorsqu’une polarisation extérieure est appliquée dans le sens direct, il y a :
• diminution du champ électrique à l’intérieur de la zone de transition qui s’opposait
à la diffusion ;
• diminution de la barrière de potentiel ;
• diminution de la largeur de la zone de transition.
4.2 La diode 93

La figure 4.6 représente l’évolution spatio-temporelle de la concentration des élec-


trons et des trous et l’évolution du courant dans la jonction.
Pour les valeurs très négatives de x, le courant est uniquement transporté par des
trous. La composante due aux électrons augmente dans la zone P au fur et à mesure
que l’on se rapproche de la zone N. Dans la zone N, la composante due aux électrons
augmente quand on s’éloigne de la zone P tandis que la composante du courant
due aux trous dans la zone N décroît pour devenir quasiment nulle. La somme des
composants de courants d’électrons et de trous, qui définit le courant total, reste
constante quelle que soit la valeur de x.
L’application d’une polarisation extérieure inverse aux bornes d’une jonction va
entraîner :
• une augmentation de la largeur de la zone de transition ;
• une augmentation de la barrière de potentiel ;
• une augmentation du champ électrique s’opposant à la diffusion des porteurs
majoritaires.

P N

p(x)

direction du
n(x) mouvement des trous
direction du
mouvement des électrons a
pNO
nPO

XP XN

IT = Cste

iP (trous)
iN (électrons)
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iP (trous)
iN (électrons) b

XP XN

Figure 4.6 a) Évolution spatio temporelle.


b) Évolution spatiale du courant total de la densité des porteurs.
94 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

Ne pas oublier que le champ électrique s’étendra préférentiellement dans


la zone la moins dopée, c’est-à-dire la plus résistive.

Le courant, circulant dans la jonction est dû uniquement aux porteurs minoritaires


de chaque région (trous de la zone N et électrons de la zone P) engendrés par l’agi-
tation thermique. Les porteurs minoritaires de chaque zone sont attirés par le champ
électrique qui règne dans la région de transition entre XN et XP : seuls ces derniers
pourront traverser la zone de transition sous l’action du champ électrique interne.
C’est le courant inverse ou courant de saturation IS.

Caractéristique I(V) et modèles électriques d’une diode


• Modèle de Shockley
Moyennant un ensemble de « bonnes hypothèses » l’évolution du courant dans une
jonction est donnée par le modèle de Shockley (figure 4.7) :

V
IS : courant de saturation
  n  : coefficient d’origine physique qui
I = I S ⋅  e n⋅VT − 1
  prend des valeurs comprises entre 1 et 2
selon la gamme de courant.

V
IS
Figure 4.7 Caractéristique I(V) : modèle de Shockley.

Le coefficient n traduit à de façon globale à l’échelle macroscopique des


phénomènes physiques différents selon la valeur du courant circulant
dans la diode (n = 2 à faibles courants, puis 1 dans la gamme de courants
intermédiaires, puis de nouveau 2 aux courants élevés…). Dans la gamme
de courant usuelle, on peut supposer que les mécanismes de diffusion
que nous avons décrits d’une façon simple sont prédominants et supposer
n = 1.
4.2 La diode 95

• Polarisation directe
Lorsqu’on applique une polarisation en directe à une diode, on peut supposer avec
une bonne approximation, dès que V > 100 mV, que la relation courant–tension est
telle que :
V   I 
I ≈ I S ⋅ exp      et   V ≈ VT ⋅ ln  
 VT   IS 
Ainsi la tension directe varie de façon logarithmique avec le courant de la diode : par
suite, la tension varie très peu avec le courant d’une diode de signal.

Exercice
On considère une diode de signal telle que ND=  1016  atomes/cm3, NA = 
1014 atomes/cm3 et IS = 10−14 A.
Calculer la valeur de la tension de diffusion VD et les valeurs de V correspondant
à I = 1 mA et I = 100 mA à T = 20 °C.
Solution
À T  =  20  °C, VT =  25,25  mV, l’application des formules du cours donne
VD = 581 mV.
Pour I = 1 mA, V = 639,5 mV.
Pour I = 100 mA, V = 755,8 mV.
La tension est effectivement peu sensible à la valeur du courant direct.

V0
La résistance statique RS de la diode est définie par : RS = .
I0
V0 et I0 correspondent aux valeurs du point de fonctionnement – le point de repos
– considéré.
La résistance dynamique rD de la diode est définie quant à elle par :

rD = ( )
∂V VT 25,25
∂ I V0 , I 0 soit ( rD )kΩ = I = ( I )
µA

L’influence de la température sur la caractéristique I(V) est un point critique : il est


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essentiel de se rappeler que la tension directe V d’une diode décroît de 2 mV par


degré Celsius.
Selon la précision recherchée dans la modélisation, on pourra être amené à utiliser
les différents types de modèles, plus ou moins évolués, de la figure 4.8 (la première
courbe correspond à la diode idéale). Pour les diodes signal, la tension V0 est choi-
sie généralement égale à 0,65 V ou 0,7 V (deuxième courbe). Pour la tension de
déblocage VD définie sur la troisième courbe, on utilise habituellement une valeur
de 0,5 V à 0,6 V. Pour les diodes de puissance, la tension V0 varie entre 1 V et
1,5 V environ.
96 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

I I I

V V V
V0 VD
Figure 4.8 Les différents niveaux de modélisation
de la caractéristique d’une diode.

• Polarisation inverse
Dès que V < 0 V, on peut supposer avec une bonne approximation que : I ≈ − IS.
Le courant inverse IS appelé courant de saturation double sensiblement chaque fois
que la température augmente de 10 °C.
En termes de schéma équivalent, il est nécessaire de tenir compte de la capacité de
déplétion CDE définie par :
∂Q
CDE =
∂VE
avec VE : tension extérieure appliquée.
De façon générale, la loi de variation CDE(VE) dépend du type de la capacité (abrupte,
graduelle…) selon la loi :

CDE = K (VD + VE )m
VE désignant la tension extérieure appliquée et m étant fonction de la technologie
utilisée (m ≈ − 1/2 à − 1/3).
Cette loi de variation est mise à profit dans les varicaps pour réaliser des capacités
réglables par la tension inverse.

• Le claquage en polarisation inverse


Lorsque la valeur absolue des tensions inverses devient de plus en plus grande, il
apparaît une zone que l’on désigne de façon générale, sous le nom de zone de cla-
quage, caractérisée par augmentation très rapide du courant alors que la tension
reste quasiment constante. En l’absence de résistance de limitation, le courant tend
vers l’infini : le fonctionnement dans cette zone peut donc être destructif si on ne
limite pas le courant et la puissance dissipée dans la diode.
Au niveau microscopique, l’augmentation de courant traduit l’augmentation du nombre
de porteurs mobiles sous l’effet d’un mécanisme connu sous le nom d’ionisation
par chocs ou par impact. Il implique trois paramètres : un champ électrique élevé,
des régions de déplétion « étendues » et des …chocs. Lorsque le champ électrique
interne de la zone de transition atteint une valeur supérieure à 20 V/μm, les porteurs
d’origine thermique, qui sont créées dans la zone déplétée, sont soumis à une force
4.2 La diode 97

et une accélération de plus en plus grandes. Par suite, ils acquièrent une énergie de
plus en plus élevée qui va leur permettre de créer des paires électrons-trous lors des
chocs avec les atomes du cristal. Ces paires électrons-trous sont à leur tour accé­
lérées et vont créer de nouveau d’autres paires par ionisation par chocs : il en résulte
un processus en cascade, caractérisé par un facteur de multiplication M, qui conduit
au courant théoriquement infini… C’est l’avalanche.

c) Des diodes encore et toujours…


On peut distinguer les diodes selon leur application et leurs caractéristiques élec-
triques associées. De façon synthétique, on peut distinguer :
• les diodes traditionnelles utilisées en signal ;
• les diodes stabilisatrices de tension ou diodes « Zener », faible ou forte puissance ;
• les diodes varicap ;
• les diodes haute tension ;
• les diodes Schottky.

Diodes stabilisatrices de tension


On désigne généralement ces diodes sous le nom de diodes Zener. Ces diodes fonc-
tionnent normalement sous polarisation inverse : elles utilisent la constance de la
tension inverse dès lors que le courant est supérieur à une certaine valeur minimale.
S’il est indispensable de travailler avec une certaine valeur minimale de courant, il
est également nécessaire de limiter la valeur maximale du courant en inverse, via
une résistance de valeur adéquate, pour limiter la valeur de la puissance maximale.
Au niveau technique, la famille de diodes Zener permet d’obtenir des tensions de
référence comprises entre 2 V et 300 V. Les caractéristiques électriques sont :
• la valeur de la tension Zener ;
1 dVz
• la dérive en température : ⋅
Vz dt
• la résistance dynamique de la diode dans sa zone de régulation :

rd = ( )
dVz
dI I Constante
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• la puissance maximale susceptible d’être dissipée ;


• la valeur minimale du courant de coude (« knee »).
Pour réduire les problèmes d’instabilité thermique dans la zone de claquage, des
technologies spécifiques (insertion de zones peu dopées Nˉ et Pˉ) ont donné nais-
sance aux diodes dites à avalanche contrôlée. Ces dernières peuvent être utilisées en
protection contre des surtensions transitoires, pour l’obtention de tensions élevées
par mise en série, etc.
98 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

Question rouge : de l’effet tunnel et de l’effet d’avalanche…


Il ne faut pas confondre l’effet tunnel avec l’effet d’avalanche. À basses
tensions (lorsque V  <  4Eg/q avec Eg  : largeur de bande d’énergie interdite,
soit V < 4,75 V), c’est l’effet tunnel qui est déterminant pour le claquage alors
qu’à hautes tensions (V > 6Eg/q ≈ 6,75 V), c’est l’effet d’avalanche qui devient
prédominant. Le premier implique des zones de charge d’espace très minces
(10 à 35 nm) dans lesquels existent des champs électriques de l’ordre de 100 V/µm,
le second, qui nécessite des champs plus faibles de l’ordre de 20  V/µm
implique au contraire des zones de déplétion très épaisses. L’effet tunnel ne
peut être décrit par la mécanique classique : il ne correspond pas à une probabi-
lité de franchissement d’une barrière de potentiel. L’effet tunnel nécessite une
approche beaucoup plus complexe dans laquelle l’électron est décrit par une
onde : l’effet tunnel représente la probabilité de passage direct d’une onde à
travers une barrière de potentiel très mince. L’importance de cet effet devient
évidemment de plus en plus grande dans les dispositifs MOS (voir le chapitre 5)
élaborés en nanoélectronique.

Selon la valeur de la tension de stabilisation, les phénomènes physiques mis en jeu


sont très différents : à basse tension c’est l’effet tunnel qui est l’origine du méca-
nisme de claquage, alors qu’aux tensions élevées c’est le mécanisme d’avalanche. Le
premier se caractérise par une tension de claquage décroissante avec la température,
alors qu’au contraire le mécanisme d’avalanche se traduit par une augmentation de
la tension de claquage avec la tension.

Diodes varicap ou varactor


Ce terme désigne une diode particulière dont le fonctionnement normal se fait sous
polarisation inverse. Elle utilise la propriété de variation de la capacité de déplétion
en fonction de la tension inverse appliquée. Ce dispositif constitue donc une capacité
commandée par une tension. Il est ainsi possible d’obtenir en fonction des techno-
logies des variations de capacité qui peuvent varier dans un rapport de 1 à 4 (par
exemple 15 pF à 60 pF) voire de 1 à 10.

Diodes haute tension


La spécificité de ce type de diode est sa capacité à « tenir » des tensions élevées :
typiquement 1 500 V, voire beaucoup plus.
Pour arriver à un tel résultat, la solution de principe la plus logique et la plus
« simple » est d’utiliser une couche isolante supplémentaire qui sera chargée de
« supporter » la tension lorsque la diode sera polarisée en inverse. Pour cela, on va
donc intercaler entre les zones N et P d’une diode « classique » une couche très résis-
tive, c’est-à-dire très faiblement dopée (figure 4.9). Selon les ordres de grandeur du
dopage, cette couche sera soit de type N− ou ν (5·1013 atomes dopants par cm3), soit
de type P− voire π (5·1013 atomes dopants par cm3).
4.2 La diode 99

P 25 μm

ν 250 μm Figure 4.9 Diode haute


tension PnN.

N 100 μm

Si une telle structure permet de tenir des tensions élevées, elle va nécessairement
entraîner du fait de sa résistivité élevée une chute de tension importante lorsque la
diode sera en directe et par suite des pertes en conduction élevées, d’où nouveau
problème…
La solution de principe la plus logique et la plus « simple » est de réduire alors
la résistivité de cette couche lorsque la diode est polarisée en directe. Pour arriver
à diminuer dans des proportions très importantes cette résistivité, on devra donc
injecter des quantités extrêmement élevées de trous et d’électrons, bien supérieures
au dopage initial de la couche N− ou P− et sensiblement égales (pour respecter
l’­hypothèse de quasi-neutralité électrique).
Mais… nouveau problème, ces porteurs en excès devront être totalement éliminés
pour que la diode polarisée en inverse puisse retrouver son pouvoir de coupure et
supporter de nouveau des tensions inverses élevées. Cette disparition des porteurs
en excès ne pourra se faire instantanément : cela prendra « un certain temps » qui
correspond au temps de recouvrement inverse tRR (reverse recovery time). Ce para-
mètre représente l’un des paramètres les plus critiques des diodes HT ou des diodes
de puissance en commutation.
On imagine aisément que les problèmes seront plus complexes qu’avec une diode
signal : la géométrie est plus élaborée, la densité des électrons et des trous est très
supérieure au dopage originel des couches semi-conductrices et il faut éliminer
tous les porteurs en excès avant que la diode ne recouvre totalement son pouvoir de
coupure.
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Diodes Schottky
Au niveau macroscopique, la première propriété des diodes Schottky consiste dans
leur faible chute de tension en directe : alors que les diodes de signal standard en sili-
cium ont une chute de tension directe d’environ 0,65 V, les diodes de signal Schottky
équivalentes ont une tension directe typique dans la gamme de 0,15 V à 0,35 V. Elles
se caractérisent aussi par l’absence de temps de stockage.
Dans le domaine « signal », elles sont utilisées dans diverses variantes de la logique
TTL (« low Schottky », « low power Schottky », « FAST »…) pour réduire les temps
de stockage via l’utilisation de circuits d’anti-saturation type « Baker clamp » (voir
le chapitre 5).
100 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

Ces mêmes propriétés se retrouvent dans le domaine de l’électronique de puissance.


Ainsi, toutes choses égales par ailleurs, elles présentent toujours des chutes de tension
directes très faibles, même aux courants directs élevés (1 V pour Id ≈ 200 A…). Par
ailleurs, lors d’une commutation en inverse (voir le chapitre 5 et le § 2.1.4b), elles se
caractérisent par un temps de recouvrement inverse tRR et une charge recouvrée QR
très faibles (tRR = 75 ns pour QR = 250 nC par exemple) : ceci les rend particulière-
ment intéressantes pour la commutation basse tension.
Par contre, par rapport aux diodes à jonction P-N, elles présentent toujours, et quel
que soit le domaine d’utilisation (signal ou puissance) une tension de claquage en
inverse beaucoup plus faible, un courant en polarisation inverse plus élevé, ainsi
qu’une plage de fonctionnement en température moins importante. Dans le domaine
puissance la gamme de tension s’étale entre 50 V et 200 V maximum.
La caractéristique I(V) d’une diode Schottky peut être décrite par une formule analo-
gue à celle des diodes à jonctions, soit :
V
 
I = I SS  e VT − 1    avec ISS : courant de saturation Schottky
 
Ce courant de courant de saturation ISS est proportionnel au dopage du semi-­conducteur.
Il dépend par ailleurs de la tension de diffusion interne VD.
La diode Schottky utilise un effet physique totalement différent des diodes à jonc-
tions. Alors que les propriétés des diodes à jonctions sont liées au phénomène de
diffusion à l’interface de deux SC extrinsèques issus du même matériau, le fonction-
nement des diodes Schottky est basé sur un phénomène d’émission, correspondant
à la probabilité de franchissement d’une barrière de potentiel d’interface entre un
SC (encore et toujours le silicium) et un métal (aluminium, chrome, molybdène…).
Il faut donc mettre en contact un semi conducteur et un métal possédant des proprié-
tés bien spécifiques par rapport à la barrière de potentiel que l’on veut créer. Il y aura
création d’une diode Schottky si le transfert des porteurs à l’interface s’accompagne
de la création d’une zone de déplétion dans le semi-conducteur, zone de déplétion
qui pourra supporter, lorsque la diode sera polarisée en inverse, la tension appli-
quée. Dans les autres cas, l’interface métal–semi-conducteur se comporte comme un
contact ohmique.

Et il y a encore des photodiodes, des diodes électroluminescentes, des diodes


tunnel…

Exercice 
Le circuit de la figure 4.10a est attaqué par le signal de la figure 4.10b. Analyser
le comportement du circuit en régime permanent. On supposera la capacité
initialement déchargée et la diode idéale. Tracez l’allure du signal de sortie.
4.2 La diode 101

T = 1 ms
E = 10 V
RI C C = 0,1 µF
e(t)
RI = 50 Ω
E P = 1 MΩ
e(t) D
VS
R
t
T/2 T

Figure 4.10

On suppose maintenant la résistance directe de la diode non nulle. Quelle est


l’influence de cette dernière sur les différentes formes d’onde du circuit?
Solution
À l’instant t = 0−, la capacité aux bornes de la capacité est nulle. La continuité de
la tension aux bornes de la capacité impose VC (0+) = 0 V : la diode est en direct.
Par suite : VS = 0.
Durant l’intervalle de temps (0, θ = T/2), la capacité se charge avec une constante
de temps τ = RIC = 5 μs. Cette constant de temps étant très inférieure à la valeur
de θ, la capacité sera chargée quasiment immédiatement à la valeur E. La diode
en directe maintient 0 V en sortie.
Le front descendant de l’impulsion est transmis instantanément à la capacité
à l’instant t = θ. Par suite le potentiel de l’anode de la diode chute de 10 V en
entraînant le blocage de cette dernière.
Durant l’intervalle de temps (T/2, T), la capacité se décharge avec une constante
de temps τ = RC = 0,1 s. Cette constante de temps étant très supérieure à T − θ,
la capacité ne se décharge pratiquement pas durant cet intervalle.
Par suite : VS (t) ≈ constante = − E = − 10 V.
Le potentiel de sortie a été verrouillé instantanément sur le niveau 0 V.
Si on tient compte de la résistance directe de la diode, la charge de la capacité va
être ralentie : l’obtention de la valeur maximale de 10 V nécessitera un certain
nombre de périodes. Il y aura apparition d’un régime transitoire avant d’atteindre
les valeurs du régime permanent. La sortie finira par s’aligner sur le niveau 0 V,
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avec une valeur restant sensiblement constante durant chaque intervalle de temps.

s(t)
T/2 T t

–E

Figure 4.11
102 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

d) Régime dynamique
Comportement en régime harmonique
Lorsqu’on soumet une diode simultanément à une tension continue et un à signal
alternatif de faible amplitude, la diode peut être modélisée par le schéma équiva-
lent de la figure 4.12 qui se caractérise, outre la capacité de déplétion CDE et la
résistance dynamique rD précédemment définies, par une capacité Cdi, capacité de
diffusion.

CDE

Cdi
RS LS

rd
Figure 4.12 Modèle dynamique d’une diode aux fréquences élevées.
En polarisation directe, la capacité de déplétion est généralement négligée devant la
capacité de diffusion. Il ne subsiste que les éléments spécifiques du modèle dyna-
mique en polarisation directe et… des éléments parasites.
Par contre, les éléments du modèle dynamique sont malheureusement non linéaires
car ils varient à la fois avec la polarisation continue et la fréquence.
Ainsi la résistance dynamique et la capacité de diffusion varient avec :
• la fréquence de fonctionnement ;
• la position du point de repos.
En basses fréquences, on peut supposer : Cdi = τD /2rD, où τD désigne la durée de vie
des porteurs minoritaires.
Lorsque la fréquence augmente, la résistance dynamique rD et la capacité Cdi
1
décroissent en …
f
En plus, la capacité Cdi croît proportionnellement avec la tension directe appliquée.
Au final le schéma équivalent pratique d’une diode signal en régime harmonique doit
tenir compte en outre des éléments parasites (une résistance série et une inductance
parasite).
Il est donc essentiel de connaître avec précision les conditions de mesure de la capa-
cité telles que peuvent les donner les fiches techniques.

Diode en commutation
La commutation d’une diode, quel que soit son type, signal ou haute tension,
implique une variation brutale et très importante de la tension appliquée aux
bornes de la diode. D’une façon générique et quel que soit le type de diode,
4.2 La diode 103

signal ou haute tension, le temps de recouvrement inverse d’une diode est dû


à des «  charges stockées  ». L’analyse fine et rigoureuse de la commutation
implique une étude fine et détaillée du mécanisme d’élimination des charges
stockées. Même si les mécanismes de stockage de charge dans une diode signal
et dans une diode haute tension relèvent des mêmes phénomènes de base (c’est
du stockage de charges…), ils donnent lieu à des analyses très différentes
compte tenu des structures différentes et des niveaux d’injection différents…
Ainsi pour les diodes de signal on reste dans le domaine des injections « modé-
rées », alors que dans une diode de puissance ,la concentration des porteurs est
sensiblement constante dans la zone centrale qui fonctionne en fortes injections
(Δn = Δp >> NA, ND).
Néanmoins nous adopterons dans un cas comme dans l’autre une approche compor-
tementale pour interpréter simplement le mécanisme de recouvrement inverse. Nous
décomposerons ce recouvrement en deux phases :
• dans la première phase, la diode reste encore passante, elle impose donc la valeur
de sa tension directe VD à ses bornes, tandis que le courant traversant la diode est
imposé par le circuit extérieur ;
• dans la seconde phase, la diode commence à retrouver son pouvoir de blocage :
elle impose alors l’évolution du courant durant cette phase de coupure, tandis que
la tension en inverse supportée en final par la diode sera imposée par le circuit
extérieur.

Commutation d’une diode de signal sur charge résistive


On considère le circuit de principe de la figure 4.13 dans laquelle la diode initiale-
ment polarisée en direct via le générateur (+ VCC, R) est soumise brutalement à une
polarisation inverse délivrée par une source − VRR .

RI

+ R
VCC VRR
D +
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Figure 4.13

Les formes idéales des courants et tensions durant la commutation sont représentées
figure 4.14. On peut définir :
• le temps de stockage ou temps de plateau par l’intervalle de temps tP ;
• le temps de recouvrement inverse (reverse recovery time) par l’intervalle de temps
tRR = tP + tF.
104 Chap. 4. Les composants semi-conducteurs

V
I VD
ID

tP t
t tP
VRR (2)
RR
(1) –VRR
II
a b

Figure 4.14 a) Allure du courant inverse [(1) R = 0 et (2) R ≠ 0].


b) Allure de la tension.
IF
Le temps de plateau dépend d’une façon complexe du rapport , IF et IR
IF + IR
désignant respectivement les courants direct et inverse.

Plus la valeur du rapport IR/IF est importante, c’est-à-dire plus on injecte


un courant inverse de module élevé (pourquoi pas du même ordre de
grandeur que le courant direct…) plus le temps de recouvrement inverse
sera faible (ordre de grandeur pour une diode signal  : la dizaine de
nanosecondes).

Commutation d’une diode de puissance sur charge inductive


Un schéma de principe de test du temps de recouvrement inverse d’une diode de
puissance sur charge inductive est donné à la figure 4.15.
L’état initial correspond à la diode passante avec un courant constant ID = VCC/R1.
Comme précédemment, lorsque la diode est polarisée en inverse une partie des
charges stockées sera éliminée naturellement par recombinaison interne des porteurs,
l’autre partie qui correspond à la charge recouvrée QR sera éliminée par le courant
inverse.
Durant la première phase du recouvrement inverse la tension aux bornes de la diode
reste « sensiblement constante », la vitesse de décroissance du courant dans cette
dernière est imposée par l’inductance du circuit, de sorte que :
dI F V
= − RR
dt LE
Toutes choses égales par ailleurs, la rapidité du blocage sera accélérée en augmentant
le module de la tension inverse appliquée.
4.2 La diode 105

I, V
RI ID
VD t2 t
L t1
VCC + VRR t3
+ –VRR
D I RM
a VRM b

Figure 4.15 a) Schéma de principe d’un circuit test.


b) Allure de la tension et du courant.

Dans la seconde partie de la commutation, la diode commence à retrouver son


pouvoir de coupure : le courant diminue et c’est la diode qui impose la vitesse de
coupure du courant inverse.
Le point important est la création lors de la seconde partie de la commutation d’une
forte surtension en Ldi/dt venant s’ajouter à la tension inverse – VRR. La valeur de
cette surtension est déterminée par l’évolution du courant inverse, imposé par la
diode, durant l’intervalle de temps (t2, t3). Si la coupure du courant est brutale (diode
snap off) la surtension sera élevée (cela peut aller jusqu’à cinq voire dix fois la valeur
de la tension inverse appliquée…), mais les pertes dans la diode seront faibles. A
contrario, si le recouvrement de la diode est progressif (soft diode), l’effet de la
surtension pourra éventuellement être négligé mais l’échauffement de la diode sera
plus important.
On peut montrer que la puissance dissipée dans la diode est donnée : P = QRVRR f.
Quant aux valeurs de tRR et du courant inverse de crête, on peut utiliser les formules
semi-empiriques suivantes :
3QR dI
tRR ≈    et   I RM ≈ 1,33QR F
dI F dt
dt
En général, les fiches techniques précisent l’ensemble des conditions de test : charge
de recouvrement QRR (de quelques dizaines de nanocoulombs à quelques dizaines
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de microcoulombs), temps de recouvrement inverse tRR (en ns : de quelques dizaines


à quelques centaines) pente dI/dt (de quelques A/μs à quelques centaines), VRM (de
quelques centaines de volts à mille volts environ).

La solution « magique » et universelle n’existe pas : c’est plus le type d’application


qui va déterminer le choix de la diode. En électronique de puissance on préfère
généralement utiliser une diode à faible charge recouvrée et à recouvrement
rapide et utiliser un circuit de protection RC (ordre de grandeur R = 50 Ω à 100 Ω,
C = 50 nF à 100 nF) disposé en parallèle sur la diode pour limiter les surtensions.
Ne pas oublier enfin qu’un fil de 10 cm représente une inductance de 100 nH.
Composants
semi-conducteurs :
5
les transistors

• Connaître les principes • Lire, relire et analyser les fiches


de fonctionnement des deux types techniques.
de transistors. • Attention à l’influence du point
• Se rappeler des points forts et points de repos, de la fréquence, aux capacités
faibles de ces composants. parasites, au câblage.
• Se rappeler des grands domaines
d’application.
• Être capable de faire le bon choix d’un
composant en fonction de son domaine
d’application.

5.1 LE TRANSISTOR BIPOLAIRE


5.1.1 À quoi ça sert ?
Les transistors bipolaires sont utilisés :
• en électronique analogique : tous circuits et toutes applications à composants
discrets ou intégrés (amplificateur opérationnel, alimentation régulée linéaire,
source de courant, etc.) ;
• en électronique numérique : logique combinatoire et séquentielle (exemple de la
famille de circuits intégrés TTL et de ses nombreuses variantes) ;
• en électronique de puissance  : circuits de commande +  interrupteur de
puissance.

5.1.2 Présentation
a) Le composant transistor
Le transistor est un composant semi-conducteur constitué, hormis des cas très par-
ticuliers (fonctionnement en très haute fréquence : utilisation d’AsGa par exemple,
transistors de puissance : utilisation de SiC) de silicium monocristallin. Il comporte
deux jonctions PN situées côte à côte, définissant ainsi deux familles de composants
108 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

possibles : les transistors NPN et les transistors PNP. La région centrale est appelée
base, les deux régions de même nature étant appelées respectivement émetteur et
collecteur. Les symboles utilisés habituellement pour représenter ces deux types de
transistors sont donnés aux figures 5.1a et 5.1b.

C C

P C N C
B N B B B
P
P N

E E E E
a b

Figure 5.1 a)Transistor PNP. b) Transistor NPN.

Les deux jonctions, émetteur–base (JE) et collecteur–base (JC), différent tant par leurs
caractéristiques géométriques que par leurs caractéristiques physiques (dopage). On
peut donc envisager différents modes de fonctionnement selon les états des deux
jonctions JE et JC.
On appellera fonctionnement en mode normal le fonctionnement défini par les
conditions suivantes : JE passante et JC bloquée. Dans ce mode fonctionnement, qui
correspond au fonctionnement usuel du transistor, le transistor se comporte comme
une source de courant commandé par un courant.
Il existe également un mode de fonctionnement dit mode inversé, défini par les condi-
tions suivantes : JE bloquée et JC passante. Du fait de la dissymétrie des dopages et de
la dissymétrie de la structure d’un transistor bipolaire, les caractéristiques électriques
en mode inversé sont très différentes du mode normal. Ainsi le gain en courant en
mode inversé est 15 fois plus faible (ordre de grandeur) que le gain en mode normal,
et la tension de saturation est l’ordre de 10 fois plus faible (ordre de grandeur) que
la tension de saturation en mode normal. Ce mode de fonctionnement n’est que rare-
ment utilisé, si ce n’est dans les portes logiques TTL (transistor-­transistor logic).

b) Courants et tensions
Pour définir le sens des courants circulant dans un transistor, on peut convenir d’uti-
liser le sens conventionnel des courants auquel cas : IE = IB + IC.
On peut convenir également d’orienter les courants vers l’intérieur du transistor
auquel cas les courants satisfont à la relation générale suivante : IE + IB + IC = 0.
Quant aux tensions inter électrodes, elles satisfont à la relation :
(VB – VE) + (VE – VC) + (VC – VB) = 0 soit VBE + VEC + VCB = 0
5.1 Le transistor bipolaire 109

5.1.3 Comment c’est fait et comment ça marche ? : technologie


et principe
a) Technologie
Un transistor est basé sur l’association de deux jonctions qui diffèrent par leur
dopage. Ainsi, l’émetteur est la zone la plus fortement dopée. Le dopage de la base
est plus faible, le collecteur représentant la zone la moins dopée. À titre d’exemple,
en supposant les jonctions abruptes, on peut donner les ordres de grandeur de dopage
suivants pour un transistor NPN de signal :

émetteur dopage 10 20 atomes/cm3


base dopage 2 · 10 17 atomes/cm3
collecteur dopage 5 · 10 15 atomes/cm3
Quant aux dimensions de ces différentes régions, on peut supposer que les dimen-
sions de l’émetteur, de la base et du collecteur sont respectivement de l’ordre de
1 μm, 0,5 μm et 5 μm, la dimension de la base étant la plus faible par principe.
La structure d’un transistor bipolaire se caractérise par un collecteur de grandes
dimensions entourant l’émetteur et la base, les contacts d’émetteur et base étant
ramenés en surface. Le courant principal du transistor bipolaire circule dans le
volume de ce dernier, le courant de base circulant perpendiculairement au courant
principal au voisinage de la « surface ».
b) Principe du fonctionnement en mode normal
Lorsqu’on polarise en direct, par une tension continue extérieure la jonction JE du
transistor NPN, les électrons issus de l’émetteur (les fameux porteurs majoritaires
de la couche N) sont injectés en grand nombre dans la base de type P dans laquelle
ils vont diffuser. (Ne pas oublier que parallèlement, en régime permanent, la base va
stocker des charges, en l’occurrence des électrons : cf. exercice chapitre 1)
Si la base est peu dopée (concentration de trous modeste) et de faible épaisseur
par rapport à la longueur de diffusion des électrons (ordre de grandeur : 40 μm à
comparer à la largeur de la base égale à 0,5 μm) ces électrons n’ont qu’une très
faible chance de se recombiner avec des trous de la base. Il y aura donc une propor-
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

tion importante d’électrons originels qui vont pouvoir arriver au bord de la zone de
charge d’espace de la jonction base collecteur qui elle, en fonctionnement normal,
est polarisée en inverse par une tension continue. Ces électrons sont alors soumis
au champ électrique intense qui les propulse de l’autre côté de la jonction dans le
collecteur (figures 5.2a et 5.2b).
L’effet transistor se caractérise donc par le passage d’un courant important à travers
une jonction qui est pourtant polarisée en inverse…
Lorsqu’on superpose aux tensions continues précédentes des tensions alternatives,
sous réserve que l’état des jonctions ne soit pas modifié, il se produit simplement une
modulation des phénomènes précédents par rapport aux valeurs d’équilibre, mais
cela marche toujours…
110 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

(Z CE )JE (Z CE)JC

Régions : Émetteur Base Collecteur

Flux
a
électrons

SC N SC P SC N

Émetteur N Base P Collecteur N

Flux
électron b
longitudinal
recombinaison
dans émetteur

trous injectés Flux Trous se recombinant avec


dans émetteur de trou une faible fraction des électrons
transversal injectés dans l’émetteur

Figure 5.2 a) Flux de porteurs dans un transistor.


b) NPN fonctionnant en mode normal.

c) Les différents modes de fonctionnement


Il y a 4 cas modes de fonctionnement suivant l’état des jonctions JE et JC :
• mode bloqué : JE bloquée et JC bloquée ;
• mode normal : JE passante et JC bloquée ;
• mode saturé : JE passante et JC passante ;
• mode inverse : JE bloquée et JC passante.
Lorsque les deux jonctions sont bloquées, il ne circule quasiment aucun courant dans
le transistor : celui-ci se comporte comme un interrupteur ouvert. A contrario,
lorsque les deux jonctions sont passantes, le transistor se comporte comme un inter-
rupteur fermé. Évidemment, du fait de la dissymétrie des jonctions, les propriétés
d’un transistor en mode normal et inversé seront totalement différentes.
Dans la suite, nous aurons à considérer deux types d’étude, à savoir les études
statique et dynamique. Dans chacune de ces études, il est possible de définir trois
types de montages : émetteur commun, base commune ou collecteur commun, selon
les électrodes utilisées en entrée et en sortie.
En régime statique, si on considère que l’électrode d’entrée est la base et que l’élec-
trode de sortie est le collecteur, le montage sera dit émetteur commun. On peut
utiliser la même démarche pour le régime dynamique. Le montage sera dit émetteur
commun si l’électrode d’entrée est constituée par la base, la sortie étant prélevée au
niveau du collecteur tandis que l’émetteur est à la masse d’un point de vue alternatif.
5.1 Le transistor bipolaire 111

Le coin des trucs


Comment savoir si un transistor NPN est saturé ? En mesurant la tension VCE.
En effet, la tension VCE est définie par : VCE = VCB + VBE. Or, le changement d’état
entre l’état passant et saturé se traduit par un changement d’état de la jonction
collecteur base, c’est-à-dire par un changement de signe de la tension VCB qui
passe de VCB > 0 lorsque la jonction est bloquée à VCB < 0 lorsque la jonction est
passante. Par suite, la limite de saturation d’un transistor signal est définie par
VCE = VBE. Lorsque VCE < VBE (~ 0,65 V/0,7V) le transistor devient saturé.

Il est possible d’associer à ces deux types d’études statique et dynamique deux
groupes de paramètres de signification différente. Pour éviter toute confusion, nous
désignerons respectivement par α et β les gains en courant statiques, respectivement
en montage base commun et émetteur commun. Nous utiliserons la notation hij pour
désigner les paramètres dynamiques hybrides.

5.1.4 Régime statique


a) Relations fondamentales
Le fonctionnement en mode normal d’un transistor bipolaire (NPN ou PNP) est bien
décrit, en première approximation, par les relations suivantes :
IC = α·IE + ICBO et IC = β·IB + ICEO
β α
avec : α = , β =
β +1 1−α
IE = IC + IB et ICEO = (β+1)·ICBO
Les ordres de grandeur typiques des gains en courant statique dans le montage base
commune et émetteur commun sont les suivants :
α = 0,99  soit β = 100
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En mode inversé, ces valeurs seront totalement différentes et beaucoup plus faibles.
À titre d’exemple, la valeur de βI (pour mode inversé) est environ 20 fois plus faible
que sa valeur en mode normale, la tension VEC (analogue de VCE en mode normal)
présente des effets « d’avalanche » vers 5 V, etc. Le seul intérêt du mode inversé est
sa tension de saturation qui est environ 10 fois plus faible que celle du mode normal.
Les paramètres ICBO et ICEO désignent des « courants de fuite ». Le courant ICBO
désigne le courant de fuite de la jonction collecteur base avec émetteur en l’air (open
emitter). Le courant ICEO est d’une nature différente : il désigne le courant circulant
entre collecteur et émetteur lorsque la base est en l’air (open base).
V
 BE 
Enfin, la jonction base émetteur est caractérisée par la loi : I B = I S ⋅  e n⋅VT − 1 .
 
112 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

Comme précédemment lors de l’étude de la jonction, le coefficient n est compris


entre 1 et 2 selon la valeur du courant IB.

b) Les réseaux de caractéristiques


On peut en principe définir quatre types de réseaux de caractéristiques (figure 5.3) :
• le réseau de caractéristiques d’entrée IB(VBE) à VCE = Cte ;
• le réseau de caractéristiques de transfert direct : IC(IB) à VCE = Cte ;
• le réseau de caractéristiques de sortie : IC(VCE) à IB = Cte ;
• le réseau de caractéristiques de transfert inverse : VBE(VCE) à IB = Cte.

IC
VCEcroissant VCE2
IB
VCE1

IB VEC
VCES
(VBE) D

VBE
Figure 5.3 Les réseaux de caractéristiques.
Valeurs typiques : (VBE)D = 0,5 V ; VCES ≤ 0,6 V.
• Caractéristiques IB(VBE) à VCE = Cte
Ce réseau de caractéristiques est peu sensible à l’influence de VCE de sorte que l’on
peut considérer pour des transistors petits signaux que le réseau de caractéristiques
d’entrée se ramène à une caractéristique unique.

Quel que soit le transistor, signal ou puissance, la valeur de la tension de


claquage de la jonction base émetteur polarisée en inverse est toujours de
l’ordre de 5 V à 10 V au maximum.

• Caractéristiques de transfert : IC(IB) à VCE = Cte


En première approche on peut supposer simplement que : IC = β·IB.
En réalité, la valeur de Ic dépend de la tension VCE : elle augmente sensiblement avec
la valeur de VCE sous l’influence de l’effet d’Early (voir ci-dessous). On peut suppo-
ser au premier ordre que le gain en courant β varie linéairement avec VCE :
 V 
β = β 0 ⋅  1 + CE 
 Vaf 
avec Vaf tension d’Early : 50 V ≤ Vaf ≤ 200 V environ.
5.1 Le transistor bipolaire 113

• Caractéristiques de sortie : IC(VCE) à IB = Cte


Ce réseau de sortie permet de visualiser les différents modes de fonctionnement du
transistor à savoir :
• l’état saturé défini par VCE < 0,6 V ;
• l’état bloqué lorsque IC ≈ 0 ;
• le fonctionnement en mode normal.
Le réseau est limité par l’hyperbole de dissipation maximale définie par  :
Vmax·Imax = Cte. On peut remarquer que les caractéristiques s’écartent progressi-
vement de l’horizontal au fur et à mesure que VCE augmente : c’est toujours l’effet
d’Early. L’effet d’Early prend son origine dans le phénomène de modulation de la
largeur effective de base. Dans un transistor fonctionnant en régime normal, les
jonctions JE et JC sont respectivement passante et bloquée, la largeur de la zone de
transition de JE est donc beaucoup plus faible que la zone de transition de JC. Même
si la zone de transition de la jonction JE s’étend de façon privilégiée dans la base
(zone la moins dopée), l’influence de VBE sur la profondeur de la zone de transition
sera également très faible du fait de la faible variation de VBE.
Par contre, la zone de charge d’espace de la jonction JC, que ce soit en régime statique
ou en régime dynamique petits signaux, s’étend de façon importante dans la base.
Lorsque VCB va varier, il s’ensuit une variation de la largeur effective de la base. Au
fur et à mesure que la tension VCB augmente, la zone de transition va pénétrer de plus
en plus dans la base, réduire sa largeur effective et augmenter la valeur de la densité
de porteurs arrivant au collecteur.
• Les tensions de claquage
Aux tensions VCE très élevées, on peut observer sur le réseau de caractéristiques une
zone dans laquelle le courant croit très vite : cette zone correspond de façon générale
aux tensions de claquage ou tensions de première avalanche (figure 5.4).

IC
IE= 0

X = – 1,5V
R
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IB = 0
IB< 0
R
croissant

BVCB0
BVCE0 BVCER BVCEX
(VCE0)SUS

Figure 5.4 Les tensions de claquage


en fonction de l’état de la jonction JE.
114 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

D’un point de vue technologique, toutes choses égales par ailleurs (entre autres
les conditions externes de polarisation de la jonction émetteur JE), les tensions de
claquage seront d’autant plus élevées que la zone collecteur aura une résistivité plus
élevée, c’est-à-dire sera moins dopée. C’est ainsi qu’on introduit une couche supplé-
mentaire peu dopée dans les transistors haute tension.
D’un point de vue technique, différentes tensions de claquage peuvent être définies.
En effet si le mécanisme de claquage (ionisation par chocs) est le même que pour
une diode, les tensions de claquage dépendent de la configuration (montage base
commune, émetteur commun…) et de l’environnement du transistor (résistance et
tensions externes).
Par ailleurs, même si l’on utilise le terme de tension de claquage le fonctionnement
d’un transistor signal dans cette zone n’est pas nécessairement destructif. Il peut
même s’avérer particulièrement intéressant avec un transistor signal, si l’on maîtrise
bien les conditions de fonctionnement, car il conduit à des temps de commutation
particulièrement rapides. Par contre, avec un transistor de puissance et par rapport
aux tensons de claquage, on ne « s’aventure pas » dans la zone de tension comprise
entre (VCE)SUS et BVCBO (cf. ci-dessous) à moins d’être sûr que la tension base émet-
teur soit bloquée. De plus, il faut tenir compte de problèmes électrothermiques
spécifiques aux transistors bipolaires qui conduisent à limiter le déplacement du
point de fonctionnement durant la commutation à l’intérieur d’aires de sécurité (Safe
Operating Area : SOA).
La tension de claquage de la jonction collecteur base, l’émetteur étant en l’air, est
désignée par le symbole BVCB0. C’est la plus haute tension que peut théoriquement
supporter un transistor. ( ordre de grandeur : de 100 V à 1 000 V ou plus).
Dans le cas d’un transistor dont la jonction base émetteur est soumise à l’action
d’un circuit extérieur (tension inverse + résistance), quatre éléments qualitatifs sont
à connaître :
• La tension supportée par le collecteur sera d’autant plus élevée que la jonction
base émetteur sera d’autant mieux bloquée.
• Pour améliorer la tenue aux tensions élevées du collecteur, il est nécessaire d’uti-
liser une tension de polarisation base négative avec une résistance aussi faible que
possible pour éviter que le courant de fuite ne vienne créer une chute de tension
directe modifiant de façon conséquente la polarisation inverse.
• Les différentes caractéristiques IC (VCE) de claquage présentent une zone à résis-
tance différentielle négative.
• À forts courants, la valeur de la tension des différentes caractéristiques tend vers
la même valeur asymptotique appelée tension de maintien (sustaining voltage)
(VCE)SUS.
La figure  5.4 représente l’évolution de ces différentes tensions de claquage en
fonction des conditions de polarisation base. Les fiches techniques précisent géné-
ralement l’évolution de la tension de claquage en fonction de la résistance émetteur
base et, éventuellement, de la tension inverse appliquée. En ce qui concerne la valeur
des sources de polarisation inverse, elle se situe généralement dans la gamme 1,5 V
à 3,5 V.
5.1 Le transistor bipolaire 115

5.1.5 Mise en œuvre du transistor bipolaire


a) Amplification et fonctionnement en mode linéaire
Il faut d’abord polariser le transistor en continu.

Comment choisir un point de repos ?


Le choix du point de repos doit permettre de polariser de façon correcte les deux
jonctions pour assurer le fonctionnement en mode normal du transistor. Ceci néces-
site de définir quatre valeurs continues : IB, VBE, IC et VCE correspondant à deux
points de repos : un dans le quadrant d’entrée IB(VBE) et un dans le quadrant de sortie
IC (VCE). Le choix de ces points de repos s’appuie essentiellement sur deux critères :
statique et dynamique.
En statique, l’influence de la température se traduit sur la caractéristique IB (VBE) et
sur le gain en courant β dans le réseau IC (VCE). Ceci entraîne deux problèmes :
• la variation des conditions de polarisation ;
• la possibilité, dans le pire des cas, d’un emballement thermique (thermal runaway).
Toute augmentation de la température entraîne une variation des conditions de pola-
risation résultant :
• De la diminution de 2 mV/°C de la tension base émetteur VBE dans le quadrant
d’entrée IB(VBE). L’augmentation du courant de base, qui résulte de la variation
du point de repos dans le plan d’attaque IB(VBE), entraîne inévitablement une
augmentation du courant de repos IC.
• D’une augmentation importante de β (β peut varier dans un rapport de 1 à 2 lorsqu’on
passe de la température ambiante à 100 °C) dans le quadrant de sortie IC(VCE).
L’emballement thermique est une situation dans laquelle la jonction collecteur
s’échauffe plus vite que la température de son environnement, le flux de chaleur à
dissiper étant supérieur aux capacités de dissipation thermique du composant ou du
composant et de son radiateur. L’effet électrothermique étant cumulatif, ce genre de
situation est à éviter car elle conduit à une élévation excessive de la température qui
peut elle-même entraîner une fin prématurée du composant.
En régime statique, tout risque d’emballement thermique est éliminé dans le montage
émetteur commun lorsque la tension collecteur émetteur est telle que :
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V
VCE << CC
2
En dynamique, l’élément déterminant est l’optimisation de la position du point de
repos en vue d’obtenir des variations maximales et symétriques du signal.
En régime sinusoïdal, l’obtention d’excursions symétriques du signal de sortie
conduit à choisir un point de repos au milieu de la droite de charge dynamique.
Pour déterminer les valeurs de polarisation, on fait appel habituellement à une
méthode graphique. On représente respectivement la droite de charge dans le plan
de sortie IC(VCE) et la droite d’attaque dans le plan d’entrée IB(VBE). L’intersection
de ces droites avec les réseaux correspondant définit les points de repos. Le choix du
116 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

point de repos dans le plan IC(VCE), est défini à partir des considérations précédentes.
La valeur des résistances dépend de la méthode de polarisation utilisée.

Caractérisation de la stabilité thermique : coefficients de stabilité relative


Pour caractériser la stabilité thermique d’un circuit de polarisation, on utilise
habituellement des coefficients de stabilité relatifs aux différents paramètres thermo­
sensibles : ICB0, VBE et β. En règle générale, compte tenu des valeurs très faibles
de ICB0, il est exceptionnel que l’on tienne compte de l’influence de la variation en
température de ce courant de fuite.
Les coefficients de stabilité relative en température SVBE et Sβ sont définis par :
∂IC ∂I
SVBE = et Sβ = C
∂VBE ∂β
Le calcul de ces coefficients repose sur l’équation IB(VBE) de la maille d’entrée
complétée par la relation générale du transistor : IC = β·IB + (β + 1)·ICBO. La méthode
consiste à exprimer IC en fonction de la tension continue de polarisation équivalente,
de VBE et de β et à calculer la différentielle totale.

Les circuits de polarisation


Pour éliminer les problèmes liés à la température, il faut donc s’affranchir des varia-
tions de la caractéristique IB(VBE) et des variations de β.
Le premier problème est résolu en polarisant en courant le transistor dans le plan
d’attaque IB(VBE). Concrètement cela veut dire qu’il faut imposer un courant de base
constant, auquel cas les variations de VBE avec la température n’auront évidemment
aucune influence.
À défaut d’une polarisation par source de courant, le circuit du plan d’attaque IB(VBE)
doit présenter la résistance la plus élevée possible. En pratique pour la polarisation
du montage émetteur commun, on introduit une résistance dans l’émetteur du tran-
sistor (figure 5.5). Une chute de tension dans l’émetteur de REIE étant équivalente à
+VCC

RC
R2

R1
RE VEM ≈ 2 à 4V

Figure 5.5 Polarisation d’un montage à transistor bipolaire.


Stabilisation en température par résistance d’émetteur.
5.1 Le transistor bipolaire 117

une chute de tension βREIB dans la base, tout se passe comme si on avait introduit
une résistance de valeur βRE dans le plan d’attaque. Cette technique correspond à
une contre-réaction de courant en continu avec entrée série. (cf. chapitre 7)

Le coin des trucs


La détermination rapide de la valeur de la résistance d’émetteur reste toujours
plus ou moins entachée d’empirisme. En fait, le circuit d’attaque étant consti-
tué d’un générateur (VBB, RB), l’idéal serait de disposer d’une caractéristique
IB(VBE) indépendante de la température. On peut construire une caractéristique
proche de cette caractéristique IB(VBE) idéale en ajoutant en chaque point de la
caractéristique originelle une tension continue V qui devra masquer les varia-
tions en fonction de la température de la tension VBE. Cette tension continue
sera évidemment d’autant plus importante que la dynamique de température de
travail sera importante. Par exemple, si le montage est prévu pour fonctionner
avec une dynamique de température de 100 °C, la tension VBE va diminuer
de 200 mV par rapport à la polarisation initiale de 650 mV. Cela conduit à
une variation de relative de VBE de l’ordre de 65 %. Il est intéressant dans ce
cas d’ajouter une tension continue de l’ordre de 10 à 15 fois cette valeur de
200 mV : on va donc masquer les variations de VBE. Dans les mêmes condi-
tions, la variation relative de la tension base émetteur équivalente ne sera
que d’une dizaine de pour-cent. Quant à la façon de réaliser en pratique cette
tension continue, c’est l’introduction de la résistance d’émetteur qui fournit
naturellement cette chute de tension de 2 V. Le courant collecteur étant fixé, la
résistance d’émetteur est fixée. En règle générale, on impose une tension conti-
nue de l’ordre de 2 V à 4 V.

Le second problème est résolu en imposant au transistor un courant d’émetteur


constant dans le plan de sortie IC(VCE). En pratique dans le cas usuel de polarisation
du montage émetteur commun, on utilise la résistance précédemment introduite dans
l’émetteur du transistor : comme la valeur du terme REIE a été choisie de façon à
masquer les variations de VBE avec la température, on impose à l’aide d’un pont de
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polarisation de base à basse impédance la valeur de la tension émetteur-masse et


par suite, le courant d’émetteur. En règle générale, le courant IP circulant dans le pont
est choisi égal à 10 IB, IB désignant le courant de base.
Il ne faut pas oublier les limites liées à l’utilisation de cette méthode :
• Une augmentation excessive de RE améliorera bien évidemment la stabilité ther-
mique, mais elle entraînera une réduction de l’amplitude des signaux alternatifs
délivrés en sortie.
• Une diminution excessive de la résistance équivalente au pont de polarisation
améliorera bien évidemment la stabilité thermique, mais elle peut entraîner une
réduction de l’amplitude des signaux alternatifs, délivrés par le générateur d’ex-
citation, à l’entrée du circuit.
118 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

Exercice : analyse de la polarisation d’un montage émetteur commun


On se propose d’analyser la méthode de calcul des résistances de polarisation dans
le cas de la figure 5.6. Le montage est alimenté par une tension d’alimentation de
12 V, le point de repos étant déterminé par VCE = 5 V et IC = 4 mA. Le circuit est
prévu pour travailler dans la gamme 20 °C à 100 °C. Il résulte des caractéristiques
électriques constructeur que β(T = 20 °C) = 60 et β(T = 100 °C) = 115. Compte tenu
de la dynamique de température de fonctionnement, on choisit de travailler avec
une valeur de tension continue d’émetteur égale à 3 V. La jonction base-émetteur
sera modélisée par la tension de seuil V0 et la résistance statique r.
1. Analyse
Déterminez la valeur littérale des éléments (VBB et RB) du modèle de Thévenin
équivalent au pont de base. Donnez le schéma équivalent en continu au montage.
Calculez la valeur du courant IC = f(VBB, RB, RE), des paramètres caractéristiques du
transistor et mettre cette expression sous une forme permettant d’évaluer l’influence
de différentes résistances. En déduire l’expression correspondante de RB.
2. Méthode pratique IP = 10 IB
On suppose que le courant prélevé par la base du transistor est négligeable
devant le courant de pont. Déterminez l’expression littérale de R1, puis sa valeur
numérique à partir des données fournies. En déduire l’expression littérale et
numérique de R2.
Solution
1. La valeur littérale des éléments (VBB et RB) du modèle de Thévenin équivalent
au pont de base est déterminée par la méthode usuelle : calcul de la tension à vide
et de la résistance équivalente avec source continue éteinte. Par suite :
R1
VBB = ⋅ VCC
R1 + R2
R ⋅R
RB = 1 2
R1 + R2

RB RC
B C
IB rd
+ IC = IB +V
+
– VBB –
CC
–Vd
E
IE RE

Figure 5.6 Montage continu équivalent.

Les lois de Kirchoff conduisent à l’expression suivante :


VBB = RBIB + r·IB + VD + RE(IC + IB)
5.1 Le transistor bipolaire 119

En tenant compte de IC = β·IB, il vient :


β (VBB − VD ) VBB − VD VBB − VD
IC = = ≈
RB + r + RE (β + 1) (R + r )  1  (RB + r)
B
+ RE  1 +  + RE
β  β β
Pour que le courant IC soit insensible aux variations de VD avec la température,
il faut que : VD << VBB.
Pour que le courant IC soit insensible aux variations de β avec la température, il
faut que :
RB + r
<< RE
β
2. En l’absence d’autres données constructeur, on choisit de modéliser a priori la
jonction base émetteur de la façon suivante :
Tension de déblocage : V0 = 0,6 V.
La résistance statique est supposée égale à la résistance dynamique au point de
fonctionnement. Par suite rIB ≡ rdIB = 0,0252 V.
La résistance R1 est déterminée par :
VBM I
R1 =   avec I1 = 10 I B = 10 ⋅ C = 0,66 mA
I1 β
VBM = VEM + VD + rIB ≈ 3 + 0,6 + 0,0252 V = 3,625 V.
D’où : R1 = 5,44 kΩ.
La résistance R2 est déterminée par :
VCC − VBM I
R2 =   avec I 2 = 11I B = 11 ⋅ C = 0,733 mA
I2 β
D’où : R2 = 11,42 kΩ.
La résistance équivalente RB du pont de polarisation est telle que RB = 3,68 kΩ.
La résistance statique de la jonction base émetteur est telle que : r = 380 Ω.
La condition (RB + r)/β << RE conduit à l’inégalité suivante :
(3 680 + 380)/60 << 750, qui est bien satisfaite
À signaler : la méthode « 10IB » est une méthode approximative. Les valeurs
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mesurées expérimentalement sont rarement égales aux valeurs de calcul, même


si vous avez de la chance dans l’estimation a priori de VBE.

Maintenant nous pouvons travailler en régime dynamique et petits niveaux.

En basse fréquence
Le comportement de chaque montage (émetteur commun, base commun et col-
lecteur commun) peut faire l’objet d’une modélisation par l’une quelconque des
représentations quadripôlaires : paramètres impédances, admittances, hybrides.
Dans le domaine BF (f < 1 MHz typiquement), c’est le modèle hybride du montage
émetteur commun qui est généralement utilisé. Cela conduit à représenter le
120 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

comportement d’un transistor par les paramètres hij en montage émetteur commun
conformément aux relations suivantes :
vBE = h11E·iB + h12E·vCE
iC = h21E·iB + h22E·vCE
Le paramètre h12 est un paramètre de « réaction » de la sortie sur l’entrée (effet
d’Early en alternatif). En général, et sauf cas particulier, on le suppose nul. Ensuite
selon le degré de précision recherché ou le domaine d’application, on tient compte
ou non du paramètre h22.
Les fiches techniques donnent systématiquement la valeur du gain en courant h21 et
il est possible de trouver d’autres paramètres (h11 par exemple) voire dans certaines
fiches techniques l’ensemble des paramètres hij.
Il ne faut pas oublier que pour une même référence les paramètres dynamiques
peuvent varier de 50 % voire plus, qu’ils dépendent de la valeur du courant de repos,
de tension continue de repos VCE, température, etc. Les valeurs typiques de ces para-
mètres sont données ci-dessous à titre d’exemple pour un transistor bien connu : le
« 2N 2219A ». Ces paramètres ont été déterminés pour une fréquence test égale à
1 kHz avec VCE = 10 V et IC = 10 A.
h11E = 1,25 kΩ h12E = 4·10−4
h21E = 75 h22E = 25·10−6 S
Les trois types de montages Émetteur Commun (EC), Collecteur Commun (CC) et
Base Commune (BC) se caractérisent par les propriétés génériques suivantes :
• montage EC. Utilisation générale : montage inverseur avec gains en tension et en
courant élevés, impédances d’entrée de valeur moyenne (1 kΩ), impédance de
sortie de valeur relativement élevée (50 kΩ) ;
• montage CC. Utilisation en étage de sortie ou à impédance d’entrée élevée  :
montage non inverseur avec gain en tension unité, gain en courant élevé, impé-
dance d’entrée de valeur élevée (150 kΩ mais attention à l’influence du pont de
polarisation), impédance de sortie de faible valeur (50 Ω) ;
• montage BC. Utilisation haute fréquence : montage non inverseur avec gain en
tension élevé, gain en courant unité, impédance d’entrée de faible valeur (20 Ω),
impédance de sortie de valeur élevée (1 MΩ).

Exercice : la technique du « boostrap »


Cette technique est l’une des deux techniques permettant d’obtenir une résistance
dynamique de valeur très élevée (théoriquement infinie). Pour augmenter la valeur
d’une résistance en régime dynamique, il suffit de relier (strap), via une liaison
capacitive, l’autre borne (son pied : boot) de la résistance à la sortie d’un amplificateur
de tension de gain unité. Dans ces conditions le courant dynamique circulant dans
la résistance est nul et, par suite, la valeur de résistance tend théoriquement vers
l’infinie. Cette technique est essentiellement utilisée dans des circuits discrets car la
réalisation en technologie intégrée de capacités de fortes valeurs est délicate. Cette
technique peut être étendue aux montages à amplificateur opérationnel.
5.1 Le transistor bipolaire 121

Dans toute la suite de l’exercice, on utilisera pour modèle du transistor bipolaire


le schéma équivalent hybride dans les hypothèses suivantes :
h11E = 1 kΩ ; h21E = 100 et h12E = h22E = 0
On supposera par ailleurs la valeur de RE égale à 4,7 kΩ.

+ VCC + VCC
R2
CL1 CL1
CL2 CL2
RI RI
RE R1 RE
vS vS
e(t) e(t)

Figure 5.7 Figure 5.8

1. On considère le schéma de principe du montage collecteur commun, en


l’absence de polarisation base, donné à la figure 5.7. Donnez le schéma équivalent
correspondant (les capacités de liaison seront assimilées à des courts-circuits
aux fréquences de travail utilisées).
Calculez l’impédance d’entrée RE vue par le générateur et le gain en tension
GV du montage. Montrez que ce dernier peut se mettre sous la forme suivante :
GV = 1 − ε. Précisez la valeur littérale et numérique du terme ε.
2. On choisit de polariser maintenant le transistor par un pont de polarisation R1,
R2 (figure 5.8, ordre de grandeur : R1 = 43 kΩ, R2 = 24 kΩ). Donnez le nouveau
schéma équivalent et calculez la nouvelle valeur de l’impédance d’entrée vue de
la source. Conclusion : quelle est l’influence du pont de polarisation ?
3. On introduit maintenant une résistance r (ordre de grandeur : r = 22 kΩ)
conformément au schéma de la figure 5.9. On suppose a priori que la valeur du
gain en tension précédemment calculée à la question 1 varie peu lors de cette
modification du circuit. On suppose par ailleurs que la valeur de la capacité CB
est telle que l’on peut considérer celle-ci comme un court-circuit aux fréquences
de travail usuelles.
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+ VCC
R2
r
CL1
CL2
RI
CB RC vS
R1 RE
e(t)

Figure 5.9
122 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

Calculez la valeur du courant iR circulant dans la résistance r en fonction de


GV puis de ε. En déduire l’expression littérale et la valeur numérique de la
résistance vE/iR vue par la source d’entrée vE. Justifiez l’hypothèse concernant
l’insensibilité de la valeur en tension quant à l’influence de r.
Que se passe-t-il si la valeur de ε tend vers zéro ? Interprétez ce cas limite.
4. Donnez la valeur de l’impédance d’entrée vue par le générateur.
5. Discutez l’influence de la résistance de charge. Proposez une solution pour
réduire encore l’influence de r.

Solution
1. Le schéma équivalent est donné à la figure 5.10. Les lois de Kirchoff permettent
d’écrire :
ve = h11ib + (h21 + 1)ibRe
vs = (h21 + 1)ibRe
Par suite, la résistance d’entrée RE est telle que :
RE = ve/ib = h11 + (h21 + 1)Re
RE ≈ 475 kΩ

iB
RI h11 h 21.iB

e(t) RE vS

Figure 5.10

Le gain en tension G, défini par vs/ve, est :


(h21 + 1). RE 1 h11
GV = = , soit ε = alors :
h11 + (h21 + 1). RE 1 + h11 (h21 + 1) RE
(h21 + 1). RE
1
GV = ≈ 1− ε
1+ ε
Application numérique  : ε  =  2·10−3  ; GV  =  0,9978 soit en valeur approchée
GV ≈ 0,998.
2. Soit RB la résistance équivalente du pont de polarisation : RB = R1 // R2 = 15,4 kΩ
La nouvelle valeur de l’impédance d’entrée R′ est telle que R′ = RB // R, soit
R′ = 14,9 kΩ.
Ainsi, l’impédance RB, qui traduit l’influence du pont d’impédance R1, R2 en
parallèle sur la résistance R, diminue très fortement la valeur de l’impédance
d’entrée du circuit.
5.1 Le transistor bipolaire 123

3. Le courant d’entrée i délivré par le générateur est tel que i = ir + ib.


Si la valeur du gain en tension précédemment calculée à la question 1 est peu
modifiée et si la capacité CB est équivalente à un court-circuit, le courant ir
circulant dans la résistance R est tel que :
v − vS v
ir = e ≈ ( ve − (1 − ε ) ve ) / r = ε ⋅ e
r r
La résistance équivalente vue par la source d’entrée sera donc :
ve r (h + 1). RE
= = r ⋅ 21
ir ε h11

1 v
Application numérique : ≈ 0,5 ⋅ 10 −3 et e ≈ 11 MΩ .
ε iR
Compte tenu de la valeur élevée de cette résistance on peut supposer que
i = ir + ib ≈ ib. Ainsi les relations écrites à la question 1 restent valables et le gain
en tension du circuit est effectivement très peu sensible à l’influence de r.
Si la valeur de ε tend vers zéro, la valeur (1/ε) tend vers l’infini. Par suite la
résistance équivalente en parallèle sur la résistance d’entrée tend également vers
l’infini. D’un point de vue dynamique, cette résistance peut alors être débranchée
du schéma équivalent.
Dans la résistance r circule uniquement le courant continu de polarisation de
base.
Il revient au même de dire que ε tend vers zéro ou que GV tend vers + 1. Cela
signifie simplement que l’on renvoie, par l’intermédiaire du montage collecteur
commun, sur l’extrémité de la résistance r la valeur de la tension qui existe à
l’autre extrémité de la même résistance.
4. Compte tenu de l’ordre de grandeur habituel des différentes impédances, nous
pouvons donc retenir comme formule pratique : R ≈ h21·RE et R ≈ 475 kΩ.
5. La résistance de charge Rc apparaît en parallèle sur la résistance RE. Si cette
résistance est inférieure à RE, elle peut réduire de façon importante la valeur de la
résistance d’entrée. Dans ce cas, la solution la plus simple consiste à augmenter
la valeur du gain en courant du transistor : ceci peut être réalisé en utilisant un
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étage Darlington à la place du seul transistor initial.

Aux hautes fréquences


• Modèle équivalent aux fréquences élevées
Lorsqu’on monte en fréquence (f  >> 1 MHz), le modèle hybride s’avère insuffisant :
il est nécessaire de tenir compte des effets capacitifs et d’effets parasites spécifiques
de la technologie de fabrication. Différents modèles, plus ou moins classiques,
peuvent permettre de représenter avec une bonne approximation le fonctionnement
du transistor bipolaire à des fréquences « moyennement » élevées.
Le plus traditionnel concerne la représentation du montage émetteur. Il est connu sous
divers noms : schéma équivalent naturel, schéma équivalent en π, etc. Les ­paramètres
124 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

de ce modèle peuvent être reliés non seulement aux paramètres physiques du compo-
sant, mais aussi aux paramètres comportementaux : les « hijE ».
Cette représentation tient compte enfin de la technologie particulière des transis-
tors bipolaires via l’introduction d’une résistance dite d’accès à la base rBB’ (base
spreading resistance, résistance de la zone située entre le contact de base et la région
active de base située sous l’émetteur, ordre de grandeur : 25 Ω à 100 Ω).
CB’C
rBB’ C
B B’

rB’E rB’C
VB’E rCE
gm.V’B’E
CB’E
E
E
Figure 5.11 Schéma équivalent en P ou naturel.
rBB’
B C

CB’E CB’C
rB’E

gm .V’B’E
E E

Figure 5.12 Schéma simplifié de calcul du gain dynamique


sortie en court-circuit (r’BC ≈ 0).
Le schéma en P du montage émetteur commun est donné à la figure 5.11, les para-
mètres gm, rB’E et rCE étant tels que :
IC I β ⋅ Vt V Vaf
gm = = B rB′ E = = t rCE ≈
Vt β ⋅ Vt IC IB 2 ⋅ IC
Les valeurs du schéma dépendent donc de paramètre physique (Vt), de paramètre
technologique (Vaf) et des courants continus de polarisation (IB, IC).
Les capacités CB′E et CCE, qui correspondent respectivement à la capacité dynamique
d’une jonction en direct et à la capacité de déplétion d’une jonction polarisée en
inverse, sont respectivement de l’ordre de 10 pF et de 1 pF.
Pour les relations entre paramètres HF et paramètres hybrides traditionnels, on
pourra utiliser les relations suivantes :
rB′ E
h11 = rBB′ + rB’E h12 =
rB′ C
1 gm rB′ E
h21 = gm⋅rB’E h22 = +
rCE rB′ C
5.1 Le transistor bipolaire 125

Aux fréquences encore plus élevées, d’autres approches sont encore possibles
comme l’utilisation des paramètres Yij voire l’utilisation de paramètres particuliers
type Sij qui sont spécifiques des effets de propagation.
• Variation du gain en fonction de la fréquence
Pour calculer la loi de variation du gain aux fréquences élevées, nous pouvons utili-
ser le schéma équivalent de la figure 5.12 puisque le paramètre h21(jω) est déterminé
avec V2 = 0 V.
Lorsque la sortie est en court-circuit, la capacité de réaction CB’C est simplement
ramenée à l’entrée. Le gain en courant h21E prend alors la forme suivante :
I gm
h21e ( jω ) = − S =
IB gB′ E + jω (CB'E + CB′ C )
Toutes simplifications faites, cette formule conduit à l’expression suivante :
h (0) 1
h21e ( jω ) = − 21e   avec : ω β =
ω rB′ E (CB′ E + CB′ C )
1+ j
ωβ
La variation fréquentielle du gain dynamique obéit donc à une loi du 1er ordre, la
fréquence de coupure étant définie par fβ = 2πωβ.
La plupart du temps, la valeur de fβ n’est pas directement mesurée : on mesure le gain
dans une zone de fréquence de transition correspondant à une fréquence supérieure
à fβ mais inférieure à la fréquence, dite fréquence unité, pour laquelle le gain est égal
à 1. Dans cette zone de transition, le gain est tel que :
h21e(jω)·f = fβ·h21(0 ) = fT
La valeur de la fréquence de transition fT est le seul paramètre petits signaux carac-
téristique de la fréquence qui soit systématiquement fourni dans les fiches techniques.
Les valeurs de fT s’étendent, suivant le type de transistor de quelques dizaines de
MHz à quelques dizaines de GHz.
La variation du gain dynamique en courant dans le montage base commune est
donnée elle aussi par une loi analogue :
h (0)
h21b ( jω ) = 21b
ω
1+ j
ωα
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Ces différents paramètres sont reliés par la relation suivante : fα = h21(0)·fβ


Le montage base commune se caractérise donc par un gain en tension beaucoup plus
faible que le montage émetteur commun, mais il présente par contre une fréquence
de coupure beaucoup plus élevée.

b) La commutation du transistor signal sur charge résistive


États statiques bloqué et saturé
Pour assurer le blocage d’un transistor NPN petit signal, il suffit que la tension base
– émetteur VBE soit telle que : VBE < (VBE)D avec (VBE)D tension base émetteur de
déblocage (valeur typique : 0,5 V).
126 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

Par ailleurs la tension inverse doit être telle que : VBE > BVEB0 avec BVEB0 tension
base émetteur de claquage (valeur typique : − 7 V).
En régime de blocage et pour des transistors petits signaux, la valeur de la résistance
série de base en régime de blocage est « relativement peu critique ». C’est la condi-
tion statique de saturation du transistor qui est utilisée pour la calculer.
Il est possible de considérer trois types de saturation d’un transistor : la saturation
directe (la jonction JE est plus passante que la jonction JC), la saturation inverse (la
jonction JC est plus passante que la jonction JE) et la saturation symétrique (les deux
jonctions sont également passantes).
Pour assurer la saturation directe du transistor il faut injecter dans la base un courant
de base If tel que : If > IBES = ICES/β.
ICES désigne le courant collecteur à saturation (calculé avec VCES ≈ 0,2 V pour des
transistors petits signaux), IBES le courant de base minimal en limite de saturation et
β le gain en courant statique du transistor pour la valeur particulière ICES du courant
collecteur.
Pour assurer la saturation quelle que soit la dispersion des gains en courant statique
(les variations de température…), on injecte un courant base If tel que : If = (FS)IBES.
Le terme FS désigne le facteur de saturation ; la valeur de ce paramètre est comprise
entre 1,5 et 3.
Dans ces conditions, le transistor travaille avec un gain forcé réel défini par :
βF ≈ ICES/If
En fait, pour saturer un transistor on injecte donc beaucoup plus de courant dans la
base qu’il n’en faut dans le régime linéaire.

Régime dynamique
Supposons le transistor initialement bloqué, ses courants base et collecteur sont nuls
et l’extension des zones de déplétion est maximale.
De façon générique le temps de fermeture peut être décomposé en deux intervalles
(figure 5.13).

VBE IC
VE

VBES
t t
t
td td tr

Figure 5.13 Formes d’ondes caractéristiques à la fermeture.


5.1 Le transistor bipolaire 127

Le transistor restera dans l’état bloqué initial tant que la diode base émetteur reste
bloquée soit tant que : VBE < (VBE)D = 0,5 V. Lorsque la diode base émetteur devient
passante, le transistor rentre dans la zone de fonctionnement normal. Cet intervalle
de temps (td) définit le temps de retard (delay time).
Le temps de montée (rise time : tr) est défini comme l’intervalle de temps compris
entre l’instant où la diode base émetteur commence à devenir passante et l’instant où
le transistor commence à devenir saturé : il correspond donc au fonctionnement en
mode normal du transistor.
Supposons maintenant le transistor initialement saturé, ses courants base et collec-
teur, sont constants, respectant les inégalités précédemment définies dans le régime
statique.
La transition vers l’état bloqué est initiée par l’inversion du courant de base : les
porteurs en excès dans la base commencent à être éliminés par recombinaison et par
le courant de commande base.
Le temps d’ouverture peut être décomposé en trois intervalles (figure 5.14).

IB IC
VE

t t
t
ts tf ts tf

Figure 5.14 Formes d’ondes caractéristiques à l’ouverture.

Durant l’intervalle (ts) que nous appellerons temps de stockage (storage time) le
courant collecteur reste constant, la tension VCE aux bornes du transistor ne variant
pratiquement pas alors que des porteurs en excès dans la base sont éliminés. Cet
intervalle se termine lorsque la jonction JC quitte l’état passant et que le transistor
rentre dans son mode de fonctionnement normal.
Durant l’intervalle (tf : fall time), se poursuit l’élimination des charges en excès dans
la base. Mais le transistor fonctionne maintenant en régime normal ou linéaire et le
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courant IC décroît. Cet intervalle de temps caractérise le temps de descente (fall time)
du courant.
Enfin, durant l’intervalle (t  >  tf), le courant inverse de base continue à enlever
des porteurs des zones de charge d’espace du transistor. De ce fait, la dimension
des zones de charges d’espace se rapproche progressivement de leurs dimensions
statiques. L’état ouvert final est obtenu lorsque les valeurs des régions de transition
ont retrouvé leurs valeurs statiques correspondant à l’état ouvert du transistor, le
courant inverse de base devient alors nul.
L’optimisation de la commande du courant base dépend du type d’application. Pour
les transistors bipolaires de signal, on utilise généralement une forme se rapprochant
de la figure 5.15.
128 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

IB

Figure 5.15 Forme idéale de IB.

Cette forme se caractérise par les éléments suivants :


• On « sursature » initialement (jusqu’à 10 fois la valeur de IBES) le transistor pour
accélérer la mise en conduction.
• On désature le transistor en lui injectant immédiatement un courant inverse de
valeur suffisamment élevé.
L’intérêt de ce mode de commande est sa facilité de réalisation (figure 5.16) : une
capacité d’accélération (speed up capacitor) suffit pour injecter une impulsion de
courant directe et inverse permettant de charger et décharger rapidement la charge
de base.

CB D2
RI

VE RB T
D1

Figure 5.16 Circuit de commande. Figure 5.17 Circuit anti-saturation.

Par contre, il n’optimise pas les pertes dissipées par le transistor à l’ouverture. En
effet, si on bloque immédiatement la jonction base émetteur par ce courant élevé,
la jonction collecteur base devra « se débrouiller » toute seule (par recombinai-
son) pour éliminer les charges en excès et cela peut prendre du temps et les pertes
(produit VCE(t).IC(t)) peuvent être importantes… Avec les transistors signal, ce
n’est pas problématique. Il n’en est pas de même avec les transistors de puissance.
Dans ce cas on utilise initialement un courant inverse « modeste » et on « attend »
que le transistor commence à se désaturer en « surveillant » sa tension collecteur-
émetteur (le transistor travaille ainsi toujours à pertes faibles). À cet instant, on
injecte un courant inverse de base suffisamment important pour bloquer la jonc-
tion base-émetteur.
5.2 Transistors à effet de champ 129

Comment peut-on réduire le temps de stockage


du transistor bipolaire ?
On peut encore et toujours augmenter la valeur du courant inverse…
Une solution alternative est de travailler en limite de saturation. Si on utilise
cette approche, la solution pratique est d’utiliser un circuit type Baker clamp
(figure 5.17). Dans ce circuit, la diode D2 se met à conduire lorsque VCE < VBE :
elle dérive alors directement dans le collecteur le courant de base en excès
par rapport au régime linéaire. Elle évite donc la saturation complète du tran-
sistor. Ce type de circuit peut être utilisé dans les circuits de commande des
transistors de puissance, comme dans les interrupteurs de puissance bipolaires
eux-mêmes ou en électronique de commutation petit signal. C’est le cas de
diverses variantes de la logique TTL telles, par exemple, la famille des logiques
Schottky, du nom de la diode Schottky utilisée comme diode D2.

5.2 TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP


5.2.1 À quoi ça sert ?
• En électronique analogique  : amplificateurs haute impédance, amplificateurs
opérationnels, interrupteurs analogiques, toutes applications…
• En électronique numérique : circuits intégrés logiques.
• En informatique industrielle : circuits intégrés programmables.
• En technologie de l’informatique : microprocesseurs, mémoires…
• En électronique de puissance : interrupteur de puissance rapide basse tension
(V < 300 V)

5.2.2 Qu’est-ce que c’est, comment c’est fait et comment


ça marche ?
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On désigne de façon générique sous le nom de composant à effet de champ des com-
posants qui répondent aux trois propriétés suivantes :
• le courant correspond au déplacement de porteurs de charges d’un seul type de
charge : électrons ou trous ;
• les porteurs se déplacent dans un canal semi-conducteur sous l’effet d’un champ
électrique de transport ;
• le contrôle de la résistance du canal est assuré par un champ électrique intense
perpendiculaire au sens de circulation du courant.
Les composants à effet de champ utilisent donc deux champs électriques perpen-
diculaires : un champ de contrôle et un champ de transport, beaucoup plus faible.
C’est le champ de contrôle qui est à l’origine du terme générique effet de champ.
130 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

Il en résulte deux grandes familles de composants à effet de champ selon que le


contrôle du courant est réalisé :
• par variation directe des caractéristiques géométriques de la résistance dans
laquelle circule le courant ;
• par variation de la densité des porteurs mobiles du canal.
Le premier principe définit les transistors à effet de champ à jonction ou JFET
(junction field effect transistor). Le second définit les transistors à effet de champ
à grille isolée ou IGFET (insulated gate field effect transistor) ou plus couramment
MOSFET (metal oxyde field…).
L’électrode de commande doit nécessairement être isolée du canal conducteur. Cette
isolation est assurée :
• dans le cas des JFET par la zone déplétée d’une jonction polarisée en inverse ;
• dans le cas des MOSFET par une couche matérielle d’oxyde de silicium SiO2.
Puisqu’un seul type de porteur de charge est concerné, le fonctionnement normal
implique que source, drain et canal soient nécessairement des SC de même nature :
N ou P. Les figures 12a et 12b résument le principe de fonctionnement de ces deux
familles de composants à effet de champ.
Si les caractéristiques électriques de ces familles sont très voisines, il y a cependant
certaines différences à mentionner.
• Le fonctionnement des JFET implique le blocage de la jonction de commande.
Par suite la tension de commande sera nécessairement négative pour des JFET
canal N et positive pour des JFET canal P. On ne peut donc travailler qu’avec une
commande d’un seul signe.

Grille (–) Source (–) Grille (+) Drain (+)

Zone P E
Source
E
Drain N Canal N N
(–) Canal N (+)

E Substrat P
Zone P
a b
zone isolante déplétée zone isolante SiO2

Figure 5.18 a) FET à jonction.


b) MOSFET à enrichissement canal N.

• Même si l’électrode d’entrée d’un JFET correspond à une jonction polarisée en


inverse, le courant de grille d’un JFET est beaucoup plus élevé que celui d’un
MOSFET. Le premier est un courant inverse traditionnel d’une jonction bloquée
alors que le second est un courant de fuite d’une couche isolante.
• Les JFET sont moins « bruyants » que les MOSFET. En règle générale, l’utilisa-
tion des composants JFET est donc à privilégier par rapport aux MOSFET dans
5.2 Transistors à effet de champ 131

tout système préamplificateur bas bruit travaillant en basses fréquences. En effet


le bruit dans tout composant SC croît en basse fréquence selon une loi en 1/f n
(avec n ≈ 1) et la remontée du bruit en 1/f commence beaucoup plus tôt avec les
MOSFET qu’avec les JFET.

5.2.3 Les composants à effet de champ à grille isolée


Si l’on considère la famille des MOSFET, on peut de nouveau rencontrer deux cas
selon que le canal est préexistant (il a été créé par technologie lors de la fabrication
du MOSFET) ou non.
Si le canal est préexistant, de tels composants possèdent la propriété électrique de
« laisser passer » le courant même lorsque la tension de commande grille est nulle.
Ces MOSFET sont donc normalement passant (normally ON) à VGS = 0 V : ils sont
appelés également MOS à déplétion (depletion mode MOSFET). Dans le second
cas, il est nécessaire de créer (figure 5.18b). Le canal conducteur via une tension
extérieure appliquée sur la grille le canal conducteur. De tels MOSFET sont donc
normalement bloqués (normally OFF) à VGS = 0 V : ils sont appelés également
MOS à enrichissement (enhancement mode MOSFET).
Le point critique dans la technologie MOSFET est donc la compréhension du
mécanisme de la création du canal sous l’effet d’une tension extérieure. Nous analy-
serons ce mécanisme au travers de l’étude d’une structure élémentaire dite MIS
(métal-isolant semi-conducteur). Il s’en déduit naturellement la structure de base du
MOSFET à enrichissement. Les propriétés électriques que nous analyserons pour
cette technologie pourront être extrapolées aux autres types de MOSFET.

a) De la capacité MOS
Modes de fonctionnement d’une structure MIS (métal-isolant-SC)
On considère une structure élémentaire, composé d’un substrat SC et d’une mince
couche isolante (l’oxyde de silicium SiO2) et d’une électrode de grille métallique
correspondant au schéma de la figure  5.19. Nous supposerons que l’isolant ne
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présente aucune perte et que le substrat est un SC de type P. Dans de telles condi-
tions, il ne peut exister aucun courant circulant dans cette structure.
Lorsqu’on applique une tension continue négative sur la grille de cette structure, la
tension correspondante se répartit entre l’isolant et pour une très faible partie sur la
zone superficielle de la zone P (la zone P n’est pas parfaitement conductrice). Il y a
donc création dans l’isolant et en limite de la couche SC d’un champ électrique élevé
compte tenu des ordres de grandeur de l’épaisseur de la couche isolante.
Ce champ a pour conséquence d’attirer les trous du substrat semi-conducteur au
voisinage de l’interface : la densité des trous au voisinage de cette interface devient
donc supérieure à la concentration d’équilibre dans le volume du matériau. Ce mode
correspond au mode de fonctionnement en accumulation.
132 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

VGG > 0 VGG >> 0


VGG < 0

+++++++++++ - - - - - - - - - - - - Canal
- - - - - -
- - - - - - zD - - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
zmax

Substrat SiP Substrat S iP Substrat SiP

Accumulation Déplétion Inversion

Figure 5.19 Les modes de fonctionnement d’une structure MIS.

On considère maintenant le cas des tensions VGS faiblement positives.


Le sens du champ est tel qu’il a pour effet de repousser les trous du voisinage de
l’interface. Il y a donc apparition d’une couche de faible épaisseur dans laquelle la
densité des trous devient très inférieure à la densité d’équilibre en volume : la couche
en question est dite déplétée. Il ne subsiste dans cette zone que des atomes accep-
teurs ionisés fixes définissant une densité de charge négative.
Lorsque la tension VGS, dépassant un certain seuil VT (indice T comme ­threshold :
seuil), devient fortement positive, le champ continue de repousser les trous de
­l’interface et la zone de déplétion atteint son extension maximale. Mais, même si
cette couche est déplétée, le mécanisme de génération thermique se poursuit en son
sein : par suite les trous crées vont continuer à être repoussé alors que les électrons
vont s’accumuler à la surface sous l’effet de l’attraction par le champ électrique. Le
même phénomène de génération thermique se produit dans le substrat P à l’équilibre,
mais la génération dans la zone de charge d’espace reste le mécanisme dominant. La
concentration des électrons en surface du SC va donc progressivement augmenter
jusqu’à dépasser la densité des trous à l’équilibre dans le volume du semi-conducteur
P. Les porteurs libres majoritaires de la couche superficielle P sont devenus main-
tenant des électrons. La nature de la couche superficielle du SC a donc été inversée
par rapport à la nature du substrat d’origine : cette couche constituera le canal.

Capacité d’entrée d’une structure MIS


La connaissance et la compréhension des mécanismes déterminant l’impédance
d’entrée d’une structure MIS sont essentielles à de multiples titres. En effet, la nature
de l’impédance d’entrée d’une structure MIS est totalement différente de celle d’un
transistor bipolaire. Elle varie en outre de façon très importante avec le mode fonc-
tionnement de la structure MIS. Enfin la compréhension des mécanismes capacitifs
5.2 Transistors à effet de champ 133

de la structure MIS permet de mieux appréhender les différents modèles équivalents


susceptibles d’être rencontrés.
L’impédance d’entrée de la structure MIS est de nature capacitive. Elle peut être
décomposée en deux selon les formules suivantes :
1 1 1 1 1 1
= + , soit : = +
CE CS C D CE COX CSSC
La première formule exprime que la capacité d’entrée CE est composée de deux
termes : un terme statique (indépendant de la tension appliquée) et un terme dyna-
mique déterminé par la tension appliquée et le mode de fonctionnement de la
structure.
La seconde formule traduit le fait que la capacité d’entrée est équivalente à deux
capacités en série : une statique correspondant à la couche isolante et l’autre dyna-
mique correspondant à la couche superficielle du semi-conducteur (figure 5.20).
Grille

C OX
Figure 5.20 Capacité d’entrée.
C SSC

• Mode accumulation
La capacité Cssc correspond à la modulation de la zone d’accumulation lorsque la
tension varie. La valeur de cette dernière, qui croit exponentiellement avec VGS est
telle que : Cssc >> COX, toute la tension grille se retrouvant appliquée aux bornes de
la couche d’oxyde isolante. Par suite, CE ≈ COX.
• Mode déplétion
La capacité Cssc est la capacité correspondant à la zone déplétée de la structure MIS :
cette capacité est analogue à celle d’une jonction PN. La capacité totale de la struc-
ture s’écrit donc :
1 1 1 1
= + 
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CE COX C D COX
• Mode d’inversion
On se retrouve dans une situation analogue au mode de fonctionnement en accumu-
lation, la zone déplétée étant écrantée par la couche conductrice d’inversion. Nous
avons donc de nouveau : CE ≈ COX.
Mais il est nécessaire de tenir compte de la fréquence de variation de la tension grille.
En effet, si le mécanisme de déplétion d’une couche peut être considéré comme
instantané, il n’en est pas de même du mécanisme d’inversion qui repose sur la
création thermique de paires électrons trous. Ce mécanisme possède une constante
de temps qui est beaucoup plus grande que le mécanisme électrique de création de
la couche de déplétion. Si la fréquence du signal grille devient trop élevée (ordre de
134 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

grandeur 1 kHz), la création des charges d’inversion ne peut suivre… La capacité du


semi-conducteur correspond alors à la valeur minimale de la capacité de déplétion
qui correspond à l’extension maximale de la zone déplétée. Nous avons donc dans le
cas des hautes fréquences :
1 1 1 1
= + ≈
CE COX (C D )min (C D )min
b) Au transistor MOS
Un composant élémentaire MOS (figure 5.21) est obtenu en complétant le dispositif
élémentaire précédent par :
• deux plots conducteurs définissant respectivement la source et le drain ;
• deux alimentations continues VDS et VGS.

VDS

VGS
ID

G
S D
N N
SiO2
P

Figure 5.21 Principe d’un transistor MOS FET à enrichissement canal N.

Pour assurer le blocage des deux jonctions PN associées aux contacts source et drain,
le substrat (substrate, body ou bulk) est relié en général au potentiel source, supposé
fixe, ou à une tension négative fixe.

c) Les dimensions des MOS : vers la fin de la loi de Moore


Dans le milieu électronique, on a pris l’habitude de désigner par lois de Moore (du
nom de l’un des cofondateurs de la société Intel) deux affirmations de ce dernier
faites dans les années 1965-1975. Ces «  prédictions  » tiennent à la rapidité de
complexification des circuits intégrés et des microprocesseurs. Moore prédit, entre
autres, en 1975, que le nombre de transistors des microprocesseurs sur une puce de
silicium doublera tous les 2 ans. Et ses « prédictions » se sont vérifiées pendant des
années. Ainsi la longueur minimale de la grille, qui donne son nom à la technologie
en question, a régulièrement diminué : 90 nm en 2003, 32 nm en 2009, 16 nm en
2011, 11 nm en 2015, etc. De la même façon, les épaisseurs d’oxyde de grille ont
progressivement diminué : 2,5 nm, 1,4 nm, etc. Sauf que, à force de réduire les
dimensions, d’augmenter la densité d’intégration et la complexité des circuits, arrive
un moment où on touche les limites.
5.2 Transistors à effet de champ 135

Pour interpréter ces ordres de grandeur, il faut se rappeler que, dans le silicium cris-
tallin, la distance entre deux atomes les plus proches est de 0,235 nm. Des problèmes
nouveaux sont devenus importants comme le courant de fuite dans les oxydes de
grille minces : on a alors changé la nature de l’oxyde, passant du dioxyde de silicium
aux matériaux à permittivité élevée. On arrive cependant à des limites technolo-
giques et physiques. De plus, la puissance dissipée croît avec la densité d’intégration
et avec la fréquence de fonctionnement.
En outre, même si, en laboratoire, on peut réaliser des choses étonnantes, le transfert
industriel est très complexe. Jusqu’où peut-on contrôler avec suffisamment de préci-
sion et de reproductibilité les étapes de fabrication de composants silicium fabriqués
en grande série ? À cela, il faut ajouter le facteur économique : les coûts de produc-
tion deviennent de plus en plus grands tandis que les dimensions se réduisent.
Alors quel est l’avenir des MOS et de la nanoélectronique ?

d) Les différents composants MOS


Les symboles de ces différents composants sont indiqués dans les figures 5.22 a à
d, la flèche orientée correspond à la nature de la jonction substrat-canal, le canal
est symbolisé par un trait en pointillé ou non selon que le MOS est normalement
conducteur ou bloqué pour VGS = 0 V.

D (+) D (+) D (-) D (-)

G G G G

S (–) VGS > 0 S (–) S (+) S (+)


VT > 0 VT < 0 VGS > 0
VGS > VT VGS < 0 VGS < VT VGS < 0
a b c d

Figure 5.22 a) Enrichissement canal N. b) Déplétion canal N.


c) Enrichissement canal P. d) Déplétion canal P.
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Nous limiterons par la suite notre analyse à l’étude des composants canal N à
enrichissement.

e) Régime statique
Le réseau de caractéristique de sortie : ID(VDS) à VGS = Cte.
• Influence de VGS
Lorsque VGS = 0 V, le MOS est initialement bloqué.
Le canal étant préalablement formé par inversion du substrat (VGS > VT), on polarise
le drain à une faible valeur (quelques dixièmes de volts).
Lorsqu’on augmente la tension VGS, on diminue la valeur de la résistance RC du canal.
136 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

• Influence de VDS
Lorsque la tension drain source est faible, le MOS se comporte comme nous l’avons
vu comme une résistance variable dont la valeur est commandée par la tension VGS
1 .VDS .
selon la relation : I DS =
RC (VGS )
Lorsque la valeur de la tension drain source est suffisamment faible, le potentiel le
long du canal garde sensiblement la même valeur (canal équipotentiel). Par suite, il
n’y a aucune modification de la forme et des caractéristiques géométriques du canal.
Lorsque la tension d’alimentation drain augmente, arrive un moment où il n’est plus
possible de considérer le potentiel le long du canal comme constant. Par suite, les
conditions de fonctionnement de la structure MIS varient localement tout le long du
canal. On peut supposer que le potentiel varie de façon linéaire le long du canal. Côté
source, la couche superficielle reste toujours inversée alors que côté drain, compte
tenu de la tension positive élevée appliquée au drain qui existe maintenant, elle est
beaucoup moins inversée. Le long du canal existent des situations intermédiaires.
La forme géométrique du canal va donc se déformer conformément à la figure 5.23a.
• Aux fortes valeurs de VDS : pincement du canal
Lorsque V DS continue d’augmenter, la tension appliquée à la structure
métal/isolant/semi-conducteur au niveau du drain continue de diminuer.
Lorsque cette tension est telle que : VDS = VGS – VT, alors : VGS – VDS = VT.
Le canal se trouve en limite d’inversion au niveau du drain. Une telle configuration
définit le pincement du canal (pinch off) (figure 5.23b).

VGG
VGG métal
métal
couche couche
oxyde oxyde

S D S D
(N) (N) (N) (N)
couche inversée couche inversée
SC : Substrat P SC : Substrat P
VDS << VGS a b
VDS = VGS – VP
Figure 5.23 a) Régime ohmique ou linéaire : VDS << VGS
b) Limite de pincement VDS = VGS – VP

Lorsque la tension VDS atteint cette tension de saturation VDSS (notation non norma-
lisée) définie par VDSS = VGS – VT, le courant reste alors sensiblement constant quelle
que soit la valeur de la tension drain source VDS.
Pour des tensions supérieures à la tension VDSS, le canal conducteur est interrompu
entre drain source, la région proche du drain passant alors en régime de déplétion
(figure 5.24). La conséquence est que la longueur effective du canal diminue tandis
que le courant drain augmente faiblement : cela « ressemble » d’un point de vue
5.2 Transistors à effet de champ 137

macroscopique à l’effet d’Early… Les mécanismes de circulation du courant, qui


impliquent la région de déplétion, deviennent alors complexes, dépendent de la tech-
nologie, des dimensions…

VGG
métal
couche
oxyde

S D
(N) (N)
couche inversée région
déplétée
SC : Substrat P
VDS << VGS

Figure 5.24 Régime de saturation VDS >> VGS.

Encore après on atteint la gamme des tensions de claquage. Toutes choses égales par
ailleurs, les tensions de claquage des transistors MOS sont inférieures aux tensions
de claquage des transistors bipolaires. Par contre les courbes IDS (VDS) ne présentent
pas de zone à résistance différentielle négative et les problèmes électrothermiques
sont inexistants.

Conclusion : les zones de fonctionnement


Cette analyse conduit à déterminer deux zones de fonctionnement différentes :
• La zone à courant constant est appelée région de saturation.
• La zone dans laquelle la résistance est constante est appelée zone ohmique ou
zone linéaire ou encore région triode.

I DS

zone VGS = 5 V
ohmique
VGS = 4,5 V
VGS > Vt
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VGS = 4 V

VGS = 3,5 V

VGS = Vt

VD S

Figure 5.25 Réseau de caractéristique de sortie.

La limite entre ces deux zones correspond au pincement (pinch off) du canal. Le lieu
des points de pincement du canal est défini par la relation : VDS – VGS = VP.
138 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

f) Relations fondamentales
Les relations simplifiées données ci-dessous découlent de simplifications de modéli-
sations physiques plus ou moins évoluées. On se doute que, compte tenu des ordres
de grandeurs précédemment mentionnés, les relations en question sont complexes.
Une modélisation physique traditionnelle conduit à une expression du courant drain
source qui s’exprime en fonction :
• de données géométriques : la longueur L du canal et sa largeur W ;
• de données physiques : la mobilité μ (compte tenu des dimensions, il y a en plus
des différences importantes suivant la direction du champ électrique, transversal
ou longitudinal, que l’on considère) ;
• de la quantité de charge totale Qt stockée dans le canal. Cette quantité de charge
dépend quant à elle des tensions VDS et VGS et bien évidemment de la tension de la
tension de seuil du MOS VT (threshold voltage).
La valeur de la tension de seuil d’un MOS à enrichissement canal N est généralement
comprise entre 1 V à 7 V.
Deux familles de relations peuvent être utilisées pour le réseau de sortie IDS = f(VDS)
à VGS = Cte.

Relations dans la région ohmique ou linéaire


On peut utiliser, suivant la valeur de VDS par rapport à VGS, les relations suivantes :
Lorsque VDS << VGS : IDS ≈ β⋅VDS (VGS – VT).
La transconductance de transfert (forward transconductance : gFS) étant telle que :
∂I
gm = DS = βVDS
∂VGS
Lorsque VDS ~VGS, l’approximation quadratique donnée ci-dessous est à préférer :
V2
I DS ≈ β ⋅ (VGS − VT ) − DS 
 2 
La résistance statique (RDS)ON =  (VDS/IDS)VGS  =  Cte dans cette région dépend du
type d’application et de la valeur de la tension de claquage VDS. Cette résistance est
souvent mesurée lorsque VDS tend vers zéro, la tension VGS étant considérée comme
un paramètre. Pour des MOS spécifiques, l’ordre de grandeur va d’une centaine
de mΩ à quelques dizaines de mΩ, voire une dizaine mΩ ou encore moins (pour
des MOS à très faibles tensions de claquage).
Le paramètre β est une constante dépendant des paramètres géométriques (longueur
et largeur du canal), physique (mobilité) et technologique (épaisseur d’oxyde).

Relations dans la région de saturation


Si IDSS désigne la valeur particulière du courant tension drain source à saturation
correspondant à VDSS = VGS − VT, on peut écrire :
β β 2
I DSS = ⋅ (VGS − VT )2 = VDSS  = Cte indépendante de VDS
2 2
On utilise donc dans cette région cette approximation dite quadratique.
5.2 Transistors à effet de champ 139

La caractéristique de transfert IDS (VGS) correspondante est donc de forme parabolique.


∂ I DS
La transconductance de transfert est  donnée par : gm = = β ⋅ (VGS − VT ) .
∂VGS
β
Compte tenu de la relation I DSS = ⋅ (VGS − VT )2 , nous obtenons finalement la
2
relation habituelle : gm = 2β ⋅ I DSS . Dans cette région, la transconductance est
indépendante de VDS. Suivant le type de MOS FET et la région de fonctionnement,
gm peut varier entre 25 mS à 250 mS (ordre de grandeur).
Influence de la modulation de largeur du canal
De façon analogue aux caractéristiques de sortie du transistor bipolaire, on peut
remarquer que les caractéristiques IDS (VDS) s’écartent, elles aussi, progressivement
de l’horizontal au fur et à mesure que VDS augmente. Ainsi, la valeur du courant de
sortie dépend non seulement de la tension de commande VGS mais également de la
tension VDS : cet effet, analogue macroscopiquement à l’effet d’Early, est connu sous
le nom de modulation de largeur du canal. En première approximation, on peut sup-
poser que le courant IDS varie de façon sensiblement linéaire avec la tension VDS en
introduisant un terme correctif empirique de la forme (1 + λVDS) dans l’équation de
base du MOSFET. La valeur de λ est fonction de la technologie (ordre de grandeur :
10–2 V–1 ; à titre d’exemple le logiciel SPICE prend 0 par défaut).
En première approximation, on peut supposer que le courant IDS varie de façon sensi-
blement linéaire avec la tension VDS en introduisant un terme correctif empirique de
la forme (1 + λVDS) dans l’équation de base du MOS FET selon la formule :
β
I DSS = ⋅ (VGS − VT )2 (1 + λVDSS )
2
Effet de substrat (substrate effect, body effect ou bulk effect)
L’effet de substrat désigne la perturbation de la distribution des porteurs situés dans
la zone de déplétion sous le canal sous l’effet d’une éventuelle différence de poten-
tiel entre la source et le substrat. Cet effet se produit donc lorsque le substrat n’est
pas relié à la source. La variation de la tension source-substrat modifie en fait la
valeur de la tension de seuil VT.
Le modèle plus simple (niveau 1 des modèles SPICE, qui en compte plus de huit)
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conduit à une variation de la tension de seuil selon la relation suivante :


VT = VT0 + ϒ[(VSB + VI)1/2 – (VI)1/2]
Dans cette formule, le terme VT0 désigne la tension de seuil correspondant à VSB =
0, et ϒ est le paramètre de seuil du substrat. Quant à VI, il correspond à une valeur
physique caractéristique appelée potentiel de surface d’inversion forte.
En première approximation, on peut utiliser les ordres de grandeur suivant :
ϒ = 0,35 à 0,5 V1/2    VI = 0,5 à 0,7 V
Lorsque VSB varie de 0 à 10 V, la tension de seuil peut varier, par exemple, dans un
rapport de 1 à 2, voire plus.
Le même type d’approche est évidemment valable pour les MOS à enrichissement
canal P.
140 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

5.2.4 Mise en œuvre du MOS « signal »


a) Amplification et fonctionnement en mode linéaire
Le régime statique
Il faut d’abord polariser en continu le composant.
L’approche concernant les circuits de polarisation est grandement simplifiée par
rapport aux transistors bipolaires pour les raisons suivantes :
• Pour bénéficier de l’impédance d’entrée élevée des composants à effet de champ,
on utilise préférentiellement deux montages : les montages source commune et
source suiveuse (drain commun), le montage grille commune étant réservé aux
fréquences élevées Dans ces deux cas, la droite d’attaque se réduit à une droite
verticale VGS = VGG dans le réseau de transfert IDS = f(VGS) : elle détermine la
valeur du courant à saturation.
• Les montages à transistor MOS sont de façon générale beaucoup moins sensibles
aux dérives de température. Qui plus est, pour une valeur donnée de VGS, la valeur
du courant de sortie IDS décroît lorsque la température augmente. Ceci évite toute
possibilité d’emballement thermique. Lorsqu’il est nécessaire d’améliorer encore
la stabilité en température du point de repos, on utilise la technique traditionnelle
de stabilisation par résistance d’émetteur. La solution la plus simple et la plus
directe pour stabiliser, si nécessaire, le courant d’un composant à effet de champ
vis-à-vis des variations de température est encore d’alimenter le composant à
courant constant.
• La polarisation des MOSFET à déplétion peut être réalisée à l’aide d’une simple
résistance à l’aide de la technique dite de polarisation automatique qui ne néces-
site aucune alimentation supplémentaire de grille. Comme le courant de grille est
nul, il suffit de relier la grille à la masse par une valeur élevée (1 MΩ à 10 MΩ)
pour assurer la condition VGS = 0 V. La condition VGS < 0 est ensuite automati-
quement assurée par l’introduction d’une résistance dans la source de composant
permet de réaliser la condition VSM = RSIDS > 0 et par suite VGS < 0.

Les circuits de polarisation


Les figures 5.26a à c représentent trois circuits traditionnels utilisés pour la polarisa-
tion de ces composants.
Le circuit élémentaire 5.26a ne présente aucune stabilisation thermique : lorsque la
température varie de 25 °C à 100 °C, on peut s’attendre à une diminution de la valeur
du courant drain de l’ordre de 15 %.
Le circuit de la figure 5.26b est identique dans son principe au circuit de polarisa-
tion des transistors bipolaires. Il se caractérise par une contre-réaction de courant à
entrée série par résistance de source. Le traitement mathématique est plus complexe
que dans le dans le cas des transistors bipolaires du fait de la relation quadratique
entre VGS et ID. Évidemment, il ne faudra pas oublier de découpler la résistance pour
pouvoir travailler normalement en régime alternatif.
Le circuit de la figure 5.26c, réservé aux MOS à déplétion, représente le circuit de
polarisation automatique.
5.2 Transistors à effet de champ 141

+VDD +VDD +VDD

RD
R2 R2 RD RD

R1 R1 RG
RS RS

a b c

Figure 5.26 Polarisation d’un MOSFET.


a) Polarisation élémentaire: MOS à enrichissement canal N.
b) Polarisation avec compensation en température : MOS à enrichissement canal N.
c) Polarisation automatique : MOS à déplétion canal N.

Le régime dynamique
Modèle basses fréquences
Le modèle circuit équivalent en basse fréquence du montage source commune est
donné à la figure 5.27a : il correspond, dans sa version la plus simple, à une source de
courant contrôlée par une tension.

ID IG ID
G D G D

CGD
VGS a VGS b
gm.VGS CGS
gm.VGS
S S S S

Figure 5.27 a) Schéma équivalent basse fréquence.


b) Schéma équivalent haute fréquence.
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Mais il faut tenir compte de l’effet de substrat sur le modèle dynamique petits signaux
(cf. § « Effet de substrat » dans le § 5.2.3f).
Comme nous l’avons vu, en régime de saturation, un transistor NMOS peut être
défini par les équations suivantes :
β
I DSS = ⋅ (VGS − VT )2 (1 + λVDSS )
2
VT = VT0 + ϒ[(VSB + VI)1/2 – (VI)1/2]
Les paramètres λ, ϒ et VI sont positifs tant pour les transistors canal N que canal P.
Si la tension source-substrat présente une composante alternative, il y a création
d’une composante alternative de la tension de seuil : celle-ci va donc entraîner une
composante alternative du courant drain.
142 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

Les différents potentiels étant référencés par rapport à la source, le courant IDS peut
s’écrire de façon générale sous la forme suivante :
IDS = IDS (VGS, VBS, VDS)
Par suite, la différentielle totale est telle que :
 ∂I   ∂I   ∂I 
dI DS =  DS  dVGS +  DS  dVBS +  DS  dVDS
 ∂VGS   ∂VBS   ∂VDS 

 ∂ I   ∂ I  ∂ I   ∂I 
dI DS =  DS  dVGS +DS  DS
En définissant la transconductance par gdmb
VBS, et+  DS  dpar
V la résistance
 ∂VGS   ∂VBS ∂VBS   ∂VDS  DS
parallèle r, nous obtenons pour modèle de MOS :
dV
I DS = gm dVGS + gmb dVBS + DS
r
En utilisant les notations habituelles :
dIDS ≡ iDS  dVGS ≡ vGS  dVBS ≡ vBS  dVDS ≡ vDS
on écrit :
vDS
iDS = gm vGS + gmb vBS +
r
Dans une version plus évoluée par rapport au schéma de base du modèle équivalent dyna-
mique petits signaux (figure 5.27a), on peut tout d’abord introduire la résistance parallèle r.
Enfin, l’effet de substrat se traduit par l’apparition d’une transconductance de réac-
tion supplémentaire par rapport au schéma précédent. Cette transconductance est
définie au voisinage du point de repos P du MOS par la relation :
 ∂I 
gmb =  DS 
 ∂VBS  P
Si l’on suppose, pour simplifier, λ = 0, il est possible de déterminer une relation
simple entre gm et gmb.
En effet :
 ∂I 
gmb = −  DS 
 ∂VSB  P
En exprimant gmb en fonction de VT, nous pouvons écrire :
 ∂ I   ∂V 
gmb = −  DS   T 
 ∂VT   ∂VSB 
Il est possible de déterminer les deux dérivées partielles à l’aide des relations précé-
dentes. Nous obtenons ainsi :
 ∂ I DS 
  = − β (VGS − VT ) ≡ − gm
∂VT 
 ∂VT  ϒ 1
 ∂V  = 2 ⋅ V + V ≡ η
SB SB 1

Le terme η définit la réaction statique sur la tension de seuil.


5.2 Transistors à effet de champ 143

Ces différents paramètres sont donc reliés ensemble par la relation suivante :
gmb = h ·gm
D’un point de vue ordre de grandeur, si l’on suppose, comme nous l’avons indiqué
précédemment, ϒ = 0,5 V1/2, VI = 0,5 V, et en supposant en outre pour simplifier
VSB = 0, la valeur de h est telle que :
h ≈ 0,35
Par suite, les valeurs de h seront toujours telles que :
0 ≤ h ≤ 0,35
gmb ≤ 0,35gm
Ne pas oublier que la transconductance dépend des conditions de polarisation (ID et
VGS en particulier).

Modèles hautes fréquences


Aux fréquences plus élevées, il est nécessaire de tenir compte de l’effet parasite des
capacités.
Lorsqu’on monte en fréquence, il est nécessaire tout d’abord de tenir compte de la
capacité d’entrée du composant CGS. En première analyse, dans la zone de satura-
tion, on peut supposer que cette capacité est donnée par la relation : CGS ≈ 2/3 C0,
C0 correspondant à la capacité du sandwich métal − oxyde de grille − semi-conduc-
teur en l’absence de courant drain (ordre de grandeur pour les MOS signal : 2 pF à
20 pF). Il s’ensuit le modèle de la figure 5.25b.
Aux fréquences encore plus élevées, il est nécessaire de faire intervenir la capa-
cité de réaction drain grille du composant CGD, dont l’influence devient de plus en
plus importante (c’est de nouveau l’effet Miller qui risque de poser problème). Nous
obtenons ainsi le modèle « général » de la figure 5.25b. La capacité CGD est beau-
coup plus faible que CGS. Elle est typiquement de l’ordre de 0,1 pF à 1 pF.
Les fiches techniques précisent généralement les valeurs suivantes CISS, COSS CRSS.
Ces valeurs mesurées dans le montage source commune représentent les capacités
suivantes (d’un point de vue alternatif dpva) :
• CISS capacité d’entrée (I comme input) avec sortie en court-circuit dpva ;
• COSS capacité de sortie (O comme output) avec sortie en court-circuit dpva ;
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

• CRSS capacité de transfert avec sortie en court-circuit dpva.

CISS = CGD + CGS  COSS = CGD + CDS CRSS = CGD

Pour information, il ne faut pas oublier que les différentes capacités des MOS
varient de façon non linéaire avec le mode fonctionnement du MOS et les tensions
appliquées.

Effets parasites extrinsèques


Le modèle précédent peut être considéré comme le modèle propre ou intrinsèque
d’un MOS. Mais les modèles les plus réalistes doivent prendre en compte égale-
ment des effets extrinsèques liés aux diverses technologies de réalisation possible
144 Chap. 5. Composants semi-conducteurs : les transistors

des MOS (et elles sont nombreuses…). Sans rentrer dans le détail de ces modèles,
on rencontrera nécessairement :
• des résistances parasites d’accès au drain et à la source ;
• des capacités parasites supplémentaires entre ces bornes d’accès ;
• des capacités parasites spécifiques liées à la technologie de fabrication (effets de
recouvrement des couches…).

b) Quelques commentaires sur les applications des MOS


Comme les autres composants, le MOS est susceptible de fonctionner en mode
linéaire et en mode non linéaire.
Les applications linéaires sont traditionnelles, amplification à composants discrets
ou AOP dans laquelle l’impédance élevée est le paramètre essentiel. Dans le domaine
des petits signaux alternatifs basse fréquence, on peut effectivement considérer les
MOS comme de « bons composants » dans la mesure où ils ne nécessitent aucun
courant de commande.
Trois amplificateurs élémentaires sont possibles selon l’électrode reliée à la masse
en alternatif. L’impédance d’entrée des montages source et drain commun est limitée
par la valeur des éléments de polarisation, le montage grille commune présentant
« naturellement » une faible impédance d’entrée (la grille étant à la masse).
Les applications en mode non linéaire peuvent être regroupées en trois familles
selon que le fonctionnement en interrupteur concerne des applications analogiques,
logiques et informatiques ou de puissance.
En terme applicatif, l’originalité des MOS réside dans les interrupteurs analogiques
(analog switch) définis par la relation : VS(t) ≡ 0 ou VE(t), VE(t) désignant une tension
d’entrée analogique. Le fonctionnement «  naturel  » des MOSFET en résistance
variable constitue l’atout essentiel de ces derniers dans la synthèse des interrupteurs.
Si la précision statique de la fonction interrupteur ne pose pas de problèmes parti-
culiers, les interrupteurs analogiques sont « perturbés » par contre, par les capacités
spécifiques des MOSFET : tensions parasites transitoires créées par la différentia-
tion des signaux impulsionnels de commande de grille par les capacités parasites,
erreur en régime dynamique due à la capacité de réaction entrée − sortie qui laisse
« passer » une fraction croissante avec la fréquence du signal d’entrée (c’est encore
et toujours une variante de l’effet Miller…), effet de diaphonie(crossstalk) entre
interrupteurs… L’utilisation d’interrupteurs analogiques nécessite donc une analyse
fine des spécifications.
Le fonctionnement des MOS de puissance en interrupteur implique quant à lui une
connaissance technologique des MOS de puissance et une analyse spécifique de la
commutation sur charge inductive.

Dans ce cas, se rappeler qu’on ne peut plus considérer le MOS comme


un composant ne nécessitant aucun courant de commande. Les courants
transitoires de commande sont au contraire importants : ils peuvent être
déterminés par la méthode de la charge stockée dans la grille.
Circuits de base
à éléments discrets
6

• Être capable d’identifier les principaux • Toujours essayer de comprendre le


circuits élémentaires de l’électronique. fonctionnement d’un circuit passif et
• Connaître leurs propriétés générales. de déterminer son comportement aux
fréquences très basses ou très élevées
• Connaître les propriétés spécifiques
avant de débuter un quelconque calcul.
des amplificateurs différentiels, tension
de mode commun et taux de réjection • Pour les circuits utilisant des
en mode commun en particulier. composants semi-conducteurs,
commencer par réaliser un calcul en
• Se rappeler des domaines d’application
utilisant le modèle le plus simple
de chaque circuit de base.
possible.
• Chercher une interprétation circuit
des résultats déterminés par calcul.

Ce chapitre analyse différentes structures élémentaires à deux ou plusieurs compo-


sants, passifs et semi-conducteurs utilisées couramment en électronique.
Les propriétés, dans le domaine temporel ou fréquentiel, des circuits passifs élémen-
taires de type CR sont essentiels à bien connaître car ces circuits représentent les
liaisons inter-circuits ou inter-systèmes traditionnels.
Certains circuits de base à semi-conducteur sont encore quelque fois utilisés sous
forme discrète, même si cette forme de réalisation se fait maintenant de plus en plus
rare. D’autres sont systématiquement utilisés dans la réalisation des circuits intégrés
analogiques, et plus particulièrement de l’amplificateur opérationnel dont ils condi-
tionnent les performances. Enfin, certaines associations spécifiques de l’électronique
de puissance sont disponibles directement sous forme de composant dédié.

6.1 CIRCUITS À COMPOSANTS PASSIFS


6.1.1 Circuit CR et RL
a) Utilisation des circuits CR et RL
Les circuits (CR ou RC et RL ou LR) sont à la base des filtres, passifs ou actifs,
d’ordre 1. Les circuits de type CR (capacité série en tête) sont systématiquement
146 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

utilisés comme circuits de liaison entre deux étages quelconques que l’on souhaite
isoler d’un point de vue continu. Les circuits CR et RL sont quelque fois utilisés,
dans la réalisation d’impulsion de faibles durées. Ils interviennent souvent dans la
modélisation de phénomènes parasites tels, par exemple, la diaphonie (exemple :
couplage capacitif parasite entre pistes sur circuit imprimé).

b) Propriétés caractéristiques
Les circuits CR (figure 6.1a) ou RC ainsi que les circuits LR (figure 6.1b) ou LR
sont définis par une équation différentielle du premier ordre. Les propriétés élec-
triques des circuits du premier ordre dépendent du type d’élément réactif utilisé (L
ou C) et de l’emplacement de ce dernier dans le circuit considéré.
En régime harmonique, du point de vue du comportement, ils constituent des filtres
qui peuvent être, selon la position des composants soit de type passe-bas, soit de type
passe-haut.

C
L
VE R
VS
VE R
VS

Figure 6.1 a) Le circuit CR. b) Le circuit RL.

D’un point de vue circuit…


La relation fondamentale définissant le fonctionnement du circuit CR montre
que la tension d’entrée est la somme de deux termes : la tension de sortie et
la tension aux bornes de la capacité. Lorsque la tension de sortie est beaucoup
plus grande que la tension aux bornes de la capacité, la tension de sortie est
sensiblement égale à la tension d’entrée. Pour interpréter d’un point de vue
circuit l’autre cas, on doit se poser cette question : quelles sont les solutions
possibles pour un électronicien de réaliser une tension égale à la dérivée d’une
autre tension ? La solution la plus simple est d’utiliser la relation caractéris-
tique courant-tension aux bornes d’une capacité :
dV
I =C⋅
dt
Ensuite, il suffit de convertir le courant via une résistance, pour obtenir le signal
en tension cherché. Évidemment, il faut que la valeur de la tension échantil-
lonnée par la résistance ne modifie que très faiblement la valeur initiale de la
tension aux bornes de la capacité : il faut donc que le terme RI soit très inférieur
à la tension de la capacité.
6.1 Circuits à composants passifs 147

À titre d’exemple, le montage CR (avec capacité C en tête : figure 6.1a) ou RL


(figure 6.1b) sont des filtres passe-haut. Ainsi, ces montages se comportent ainsi
de deux façons différentes : ils transmettent la tension d’entrée aux fréquences de
fonctionnement élevées ou la différentient aux fréquences basses, la tension de sortie
étant alors très faible devant la tension de la capacité.
Si l’on soumet maintenant ces réseaux à une entrée de type impulsions, ou créneaux,
périodiques, il est possible d’extrapoler le comportement de ces circuits à partir des
propriétés vues en régime harmonique. Ainsi le circuit CR pourra être, selon la valeur
de constante de temps τ = RC du circuit, de type transmetteur ou différentiateur. De
même le circuit RC pourra être, toujours selon la valeur de la constante de temps τ,
de type transmetteur ou intégrateur.

c) Étude du circuit CR en régime harmonique


Les équations du circuit sont les suivantes :
VE = VC + VS
En introduisant les amplitudes complexes définies par :
V = V·exp (jφ)
Cette expression devient :
VE = VC + VS
 1 
Or VS = RI et VC =  ⋅ I, soit :
 jCω 
VS R jRCω
= =
VE 1 1 + jRCω
R+
jCω
Si RC désigne la constante de temps, on peut normaliser cette relation en posant
ω0 = 1/RC pour aboutir à l’expression finale du gain complexe suivante :
ω
j
ω0
G ( jω ) =
ω
1+ j
ω0
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

Ce gain complexe peut être étudié de façon traditionnelle avec la technique des
diagrammes de Bode.
• Cas 1 : ω << ω0
ω ω
1+ j ≈ 1 et G ( jω ) ≈ j
ω0 ω0
ω
G ( jω ) ≈ et φ ≈ π/2
ω0
Si on représente G ( jω ) dB = 20 log G ( jω ) en fonction de la variable log w, cette
partie de courbe se caractérise par une pente de + 6 dB/octave (le gain est multiplié
148 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

par deux lorsque la fréquence varie dans un rapport de 1 à 2) ou + 20 dB/décade


(le gain est multiplié par 10 lorsque la fréquence varie dans un rapport de 1 à 10).
• Cas 2 : ω >> ω0
ω ω
1+ j ≈ j et G(jω) ≈ 1
ω0 ω0
G ( jω ) ≈ 1 et φ ≈ 0
Les figures  6.2a et 6.2b représentent les diagrammes asymptotiques et les
diagrammes réels correspondants en coordonnées logarithmiques. Les valeurs des
coordonnées de quelques points remarquables sont également précisées.

Figure 6.2 Diagrammes asymptotiques du circuit C, R.


a) Variation du module. b) Variation de la phase.

Conclusion
Aux fréquences basses, le circuit CR se comporte comme un différentiateur de la
tension d’entrée, alors qu’aux fréquences élevées, le circuit se comporte comme
un transmetteur, c’est-à-dire comme une simple liaison filaire.

d) Réponse stationnaire du circuit CR en régime d’impulsion


Le circuit CR est soumis maintenant à des impulsions périodiques, de période T de
largeur θ et de valeur E.

Propriété de la tension de sortie en régime stationnaire


Rappelons qu’en régime stationnaire, la réponse de sortie durant un intervalle de
temps quelconque de durée T est invariante par translation temporelle de valeur T :
connaissant la forme d’onde durant un intervalle quelconque T, il suffit de la repro-
duire à l’identique pour déterminer la forme générale de la réponse en sortie.
6.1 Circuits à composants passifs 149

La valeur moyenne de la tension de sortie est définie par :


RC t0 + T RC
< VS (t ) > = ∫
T 0 t
d VC =
T
. (VC (t0 + T ) − VC (t0 ))

Or, en régime stationnaire : VC (t0 + T ) = VC (t0 )

Conclusion
En régime stationnaire la valeur de la tension de sortie est caractérisée par
< VS (t ) > = 0

La capacité bloque le niveau continu du signal d’entrée. La valeur moyenne de la


tension de sortie étant nulle, il y a égalité des aires positives et négatives définies par
le signal.

Évolution du signal de sortie en fonction de la constante de temps


Selon la valeur de la constante de temps τ, le circuit pourra donc soit différentier
le signal, soit au contraire le transmettre sans déformation. Par contre, dans un cas
comme dans l’autre, la valeur moyenne du signal de sortie sera toujours nulle en
régime stationnaire. Les figures 6.3a, b et c représentent les formes d’ondes typiques
de la sortie en fonction de la valeur de la constante de temps τ.

VS
+E
VE
τ << θ

T a –E b

τ~θ τ >> θ
+E +E
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c d

Figure 6.3 Variation de l’allure du signal de sortie


en fonction de la constante de temps τ.
a) Signal d’entrée. b) Signal de sortie lorsque τ << θ.
c) Signal de sortie lorsque τ ~ θ. d) Signal de sortie lorsque τ >> θ.

Dans le premier cas, la capacité se charge totalement durant l’intervalle de temps et


se décharge également totalement durant l’intervalle de temps T − θ. Dans le dernier
cas, la charge de la capacité ne varie que très peu durant chaque intervalle de temps.
150 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

L’amplitude des discontinuités du signal d’entrée est préservée par la


transmission capacitive, la tension aux bornes de la capacité ne variant
pas durant un instant très court.

Conclusion
Lorsque τ << θ, le circuit se comporte en différentiateur.
Lorsque τ >> θ, le circuit se comporte en transmetteur.

6.1.2 Circuit LC
a) Utilisation
Les composants réactifs L, C peuvent être associés de différentes manières.
Associés sous forme de diviseur potentiométrique, ils constituent des filtres du
second ordre de type passe-bas ou passe-haut équivalents des filtres du premier ordre
précédemment étudiés.
Associés sous forme série ou parallèle, ils constituent des circuits oscillants, ou
résonants, parfaits. En réalité, ces circuits sont toujours plus ou moins amortis, invo-
lontairement par les résistances des inductances, ou volontairement selon le type
d’application.
En électronique du signal, du fait des problèmes technologiques de réalisation, les
circuits L, C sont le plus souvent utilisés en HF : circuits accordés, circuits oscillants
plus ou moins amortis, réalisation de charges en HF ou VHF, amplificateurs sélectifs,
circuits adaptateurs d’impédance… Ces circuits LC peuvent être également quel-
quefois utilisés dans des gammes de fréquences intermédiaires dans la réalisation de
certains oscillateurs.
En électrotechnique, les circuits résonants série sont, par exemple, utilisés pour
dériver les harmoniques polluant les réseaux d’alimentation.
En électronique de puissance, ils constituent du fait de l’absence d’éléments dissi-
patifs, les éléments de base de la synthèse des convertisseurs de puissance. Ils peuvent
être utilisés comme filtres passe-bas ou en tant que circuit résonant. Ainsi, dans les
hacheurs, par exemple, ils assurent une fonction de filtre passe bas du second ordre
et permettent d’obtenir une tension de sortie sensiblement continue à partir d’une
tension d’entrée périodique en créneau. Dans les onduleurs, ils peuvent être utilisés
comme filtres d’entrée et de sortie des onduleurs de tension. Dans d’autres types
d’onduleurs (onduleurs à résonance) c’est un circuit résonant série R, L, C qui est
utilisé pour jouer le rôle de charge et ce sont les propriétés du circuit oscillant qui
conditionne la régulation mise en œuvre.
Ne pas oublier que si les propriétés des circuits sont identiques, les réalisations
techno­logiques sont totalement différentes.
6.1 Circuits à composants passifs 151

b) Les circuits oscillants LC en régime harmonique


Pour avoir une approche générique des circuits LC il est intéressant d’aborder l’ana-
lyse fréquentielle en utilisant les propriétés de dualité. Cette dernière permet en
permutant :
• les variables tension et courant ;
• les éléments actifs (générateurs ou sources) de tension et de courant ;
• les éléments passifs, R devenant G = 1/R, L devenant C et vice versa ;
• les impédances en admittance ;
• le placement des composants, les éléments série devenant des éléments parallèles
et réciproquement d’obtenir une formulation mathématique générale indépen-
damment de la famille de circuit étudiée.

c) Analyse d’un filtre LC


Le circuit de base est fourni à la figure 6.4, l’étude sera faite en régime harmonique.
Les équations du circuit sont les suivantes : VE = VL + VS .
La formule du diviseur potentiométrique conduit au gain complexe suivant :
1
jCω 1
G ( jω ) = =
1 1 − LC ω2
jLω +
jCω

L
C
Figure 6.4 Le filtre LC. VE VS

1
En posant ω 0 = , il vient :
LC
1
G ( jω ) = 2
ω 
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1− 
 ω 0 
• 1er cas : ω << ω0 et G(jω) ≈ 1, alors G ( jω ) ≈ 1 et φ ≈ 0.
−2 −2
ω  ω 
• 2e cas : ω >> ω0 et G ( jω ) = −  alors G ( jω ) ≈  et φ ≈ − π.
 ω 0   ω 0 

Exercice d’application
Tracez les diagrammes asymptotiques et les diagrammes réels correspondant
au filtre LC.
152 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

6.2 CIRCUITS À COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS


6.2.1 Associations de composants
Ces circuits élémentaires sont obtenus en associant deux, ou plusieurs, composants
semi-conducteurs. Certaines associations sont spécifiques aux transistors bipolaires
comme le montage Darlington ou certaines sources de tension basées sur la valeur
de la chute de tension directe d’une jonction émetteur-base, les autres sont suscep-
tibles d’être réalisées soit avec des transistors bipolaires, soit avec des dispositifs à
effet de champ : JFET ou MOS.
Dans ce cas, il suffit d’un point de vue structurel de faire l’analogie suivante pour
passer d’une technologie à l’autre.
Émetteur ↔ Source, Base ↔ Grille, Collecteur ↔ Drain
Il est enfin possible de réaliser des structures mixtes associant transistor bipolaire et
transistor MOS.

6.2.2 Référence de tension


a) Présentation
Utilisation
Les références de tension sont destinées essentiellement à produire des valeurs de
tension stables aussi bien pour des circuits intégrés (alimentations régulées internes
des circuits intégrés par exemple) que pour des circuits à composants discrets. Les
problèmes les plus critiques sont la sensibilité de la référence à la tension d’alimen-
tation et à la température.

Propriétés caractéristiques
La qualité d’une source de tension peut être évaluée par trois propriétés :
• la valeur de la résistance interne ;
• la sensibilité aux fluctuations de la tension d’alimentation ;
• la sensibilité à la température.
Les applications de type signal sont peu sensibles au paramètre température ; ce n’est
pas le cas ni pour les applications de puissance à base de composants discrets ni pour
les composants intégrés.

Structure
Le principe traditionnel des références de tension est basé sur l’utilisation d’une
tension de référence : celle-ci peut être délivrée par une diode régulatrice de tension
(appellation usuelle diode « Zener ») la solution alternative classique étant la chute
de tension directe VD, typiquement égale à 0,65 V d’une jonction.
Dans un cas comme dans l’autre, il est souvent nécessaire de compenser la varia-
tion en température de la tension de référence. Pour ce faire, dans les montages à
composants discrets, on associe souvent une jonction polarisée en direct (dérive en
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 153

température − 2 mV/°C) à une diode régulatrice de tension, mais la dérive en tempé-


rature de cette dernière peut être positive ou non selon la gamme de tension utile.
Les tensions de référence élevées (supérieures à 7 V) présentent des coefficients de
température positifs alors qu’ils sont négatifs aux valeurs de référence plus faibles.
Dans les circuits intégrés, on utilise de façon quasi générale la valeur de l’unité de
kT
tension thermodynamique VT = à température ambiante 20 °C (VT = 25,25 mV à
q
20 °C) via un montage particulier (montage de Widlar). Il est ainsi possible, après
amplification de VT, de créer des tensions de référence de valeur suffisante tout en
compensant ses variations en température dans une large gamme de température. Le
principe de cette compensation peut être utilisé avec des éléments discrets ou
­appliqué aux amplificateurs opérationnels (voir le chapitre 9).

b) Les circuits
+VCC
+V CC
IR
R
T

D2
R2

V REF VR R2
I
R1
R1
VREF
D1
I

Figure 6.5 Référence élémentaire Figure 6.6 Référence compensée


de tension. en température.

Le montage élémentaire de la figure  6.5 représente une réalisation simple, sans


compensation en température. Il permet de disposer d’une tension de référence
VREF = ((R1 + R2)/R1)VBE supérieure à VD.
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Ce type de montage est souvent utilisé dans la réalisation des tensions de pré-polari-
sation dans les amplificateurs de classe AB.
Le montage de la figure 6.6 est un montage traditionnel qui permet, via les chutes de
tension des différentes diodes et jonctions et des valeurs particulières des résistances,
une compensation de la dérive en température de la tension de référence.

Exercice
On se propose d’analyser le comportement en température du circuit de la
figure 6.6.
1. Exprimez la tension VEM en fonction de VZ et calculez les tensions VEM et VREF.
154 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

2. En déduire l’expression générale de VREF en fonction de VZ, VBE et VD.


3. En supposant que la dérive en température de la diode Zener est telle que
(∂V/∂T) = + 3 mV/°C, calculez la relation entre les résistances R1 et R2 pour
obtenir une référence de tension indépendante de la température.
Solution
1. Supposons que le courant circulant dans la diode régulatrice de tension soit
d’une valeur suffisante (supérieure au courant de coude) pour permettre un
fonctionnement normal en diode Zener, l’application des lois de Kirchoff au
circuit conduit aux relations suivantes :
VEM = VZ − VBE = (R1 + R2)·I + 2 VD
VREF = VD + R1I
2. En éliminant I et VEM de la dernière relation, et en supposant VBE ≡ VD,
il vient :
R1 R1
VREF = VD + (VZ − VD ) − 2VD
R1 + R2 R1 + R2
R1 R1 R2
         = VZ − 2VD + VD
R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2
3. En différentiant cette expression par rapport à la température et en imposant
une différentielle nulle, nous obtenons :
∂VZ
0= ( )
∂VZ R1
∂T R1 + R2

∂VD  R2

∂T R1 + R2
−2
R1 
R1 + R2
∂T
D
R2
 et − ∂V = R − 2
1
∂T
Si le coefficient de température de la diode Zener est de +  3  mV/°C, nous
obtenons, en supposant ∂VD = – 2 mV/°C, la relation finale :
∂T
∂VZ
3 R
− ∂T = = 1,5 soit 2 − 2 = 1,5
∂VBE 2 R1
∂T
Ainsi le rapport R2/R1 doit être égal à 3,5 pour annuler la dérive en température
de la référence.

6.2.3 Source et référence de courant


a) Utilisation
Les sources de courant élémentaires sont généralement utilisées soit pour définir des
courants de polarisation fixes dans des composants quelconques, soit au contraire
pour travailler dans une certaine dynamique de courant. Dans ce dernier cas, il est
important de bien appréhender leur dynamique de fonctionnement normal.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 155

b) Propriétés caractéristiques
On rencontre habituellement deux types de sources :
• les sources qui fournissent un courant que nous appellerons source injectrice de
courant (current source) ;
• les sources qui extraient un courant que nous appellerons puits de courant (current
sink).
Dans le premier cas, une des bornes du dipôle de charge sera généralement reliée à
l’alimentation positive + VCC alors que, dans le second cas, une des bornes du dipôle
« charge » est reliée à une alimentation négative – VCC (figure 6.7).
Les sources de courant sont caractérisées par leur dynamique de fonctionnement
∆I = IM − Im, les valeurs des tensions minimales et maximales correspondantes, et
la valeur de leur résistance interne. Les tensions minimale et maximale limitant le
bon fonctionnement des sources de courant sont déterminées par des phénomènes
non linéaires (par exemple saturation/blocage de transistor bipolaire) affectant les
composants de la source de courant.

c) Structure
La réalisation des sources de courant élémentaires est basée sur l’utilisation de modes
de fonctionnement spécifiques des composants. Pour le transistor bipolaire, ce sont la
polarisation de la jonction base émetteur par une source de tension et la relation entre
le courant collecteur et la tension base émetteur qui sont utilisées, à savoir :
V 
I C = I S ⋅ exp  BE 
 VT 
Pour les transistors MOS, c’est le fonctionnement dans la zone de saturation qui est
utilisé, le courant IDS déterminé par IDS ≈ K(VGG – VT)2 étant en première approxi-
mation indépendant de VDS dans cette zone.
Dans un cas comme dans l’autre, l’influence – la réaction – de la tension de sortie
(effet d’Early pour les transistors bipolaires, effet de modulation de la longueur du
canal pour les composants à effet de champ) sur la valeur du courant de sortie est
souvent le problème le plus délicat à résoudre.

+VCC
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+VCC

I0
Dipôle
charge
Dipôle
charge
I0

a b
–VCC –VCC

Figure 6.7 a) Source extractrice de courant. b) Source injectrice de courant.


156 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

Deux solutions de principe sont possibles pour augmenter la valeur de la résistance


interne de la source de courant, de ces sources élémentaires :
• la première utilise une réaction négative de courant à entrée série ;
• la seconde utilise une réaction positive de tension, la technique du « boostrap ».
Cette solution est en principe plus intéressante car elle permet « d’ajuster » la valeur
du niveau de la tension de compensation aux bornes de la résistance de la source de
courant.
Les mêmes principes sont utilisés pour la réalisation de sources de courant à MOS.

d) Circuits
Circuits élémentaires
Les figures 6.8a et b représentent les schémas de principe de ces sources élémentaires.

I
I

+ VBB +
– – VGG
a b

Figure 6.8 a) Réalisation à transistor bipolaire. b) Réalisation à transistor MOS.

Exercice
On se propose de déterminer les caractéristiques de la source de courant de la
figure 6.8a. On travaille à température ambiante : VT = 25,84 mV (T = 300 K).
Les données de ce circuit sont les suivantes : VBB = 0,7 V, β = 100, VAF = 200 V.
On suppose par ailleurs le courant de saturation associé à la caractéristique
IB(VBE) égal à 4·10−18 A.
Calculez le courant nominal de la source en l’absence d’effet d’Early. Calculez
la valeur de la résistance interne de la source de courant.
Quel est le phénomène physique limitant le bon fonctionnement de cette source
aux faibles tensions ?
Donnez dans le cas de la source de courant MOS le phénomène physique limitant
le bon fonctionnement de cette source aux faibles tensions.
Solution
1. Le courant nominal de la source(en négligeant l’effet d’Early) est déterminé
par : I0 = β⋅IS·exp(VBB/VT). Par suite : I0 = 0,212 mA.
Lorsqu’on tient compte de l’effet d’Early, le courant de la source devient tel que
I = I0(1 + VCE/VAF).
Par suite, la résistance interne de la source vaut RI ≈ VAF/I0.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 157

D’où : RI ≈ 943 kΩ.
Aux faibles tensions le bon fonctionnement de cette source de courant est limité
par la saturation du transistor qui se produit pour une tension de l’ordre de 0,2 V
à 0,4 V environ pour un transistor signal.

Ne pas oublier que, dans la mesure où la jonction émetteur–base est


polarisée par une source de tension, la source de courant présente une
sensibilité totale aux dérives en température.
Dans le cas d’une source de courant MOS, ce sera le passage du MOS
dans la zone de fonctionnement ohmique qui limitera le fonctionnement
normal de la source de courant aux faibles tensions.

Sources de courant utilisant une réaction négative de courant

I I

T1
+ VBB + VBB2 +
– R –
– VBB1

a b

Figure 6.9 a) Utilisation d’une résistance. b) Réalisation à transistor.


La figure 6.9a représente le montage classique d’une source élémentaire avec réaction
négative de courant par résistance. Si une augmentation de la tension de sortie est créée
par une variation de courant ΔI, cette augmentation ΔI va entraîner un accroissement de
la tension émetteur, qui va entraîner enfin une diminution de VBE s’opposant à l’aug-
mentation présumée de I. Le courant I de la source est déterminé par :
V − VBE
I C  I E = BB
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R
Pour améliorer les performances du montage, il est nécessaire d’augmenter la valeur
de la résistance R : ceci entraîne évidemment des problèmes en termes de polarisa-
tion continue. La solution est alors d’augmenter la valeur de la résistance à l’aide
d’un second transistor dont la résistance de sortie jouera le rôle de R (figure 6.9b).

Résistance de sortie d’un montage à contre-réaction de courant série


On considère le schéma de la figure 6.9a.
1. Donnez le schéma équivalent en régime alternatif petits signaux. On utilisera le
schéma équivalent hybride dans l’hypothèse h12 = 0. On notera ρ = 1/h22. Simplifiez
ce schéma à l’aide des théorèmes de Norton et de Thévenin.
158 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

2. Calculez la résistance dynamique de sortie Rs de sortie du montage vue entre


collecteur et masse.
3. Que devient cette valeur lorsque RE = 0 ? lorsque RE tend vers l’infini ?
Solution
1. Le schéma équivalent au montage de la figure 6.9a est donné à la figure 6.10.
En transformant le générateur de courant en un générateur de tension (valeur
de la tension à vide : h21·ρ·iB, valeur de la résistance série ρ), nous obtenons le
schéma de la figure 6.11.
i0 C B iB i0
h21.iB – ρ
e0+ h11 + ρ .h21.iB
– i0 e0+
E –
h11 RE
RE
iB

Figure 6.10 Figure 6.11

2. Pour déterminer la résistance dynamique de sortie, on éteint la source


d’excitation et on branche en sortie une source e0 qui débite un courant i0. Par
définition : Rs = e0/i0.
Les lois de Kirchoff permettent d’écrire :
e0 = ρi0 − h21·ρiB + Ri0 et Ri0 = − h11iB
h R
Avec : R = 11 E .
h11 + RE
En remplaçant iB par son expression en fonction de i0 dans la première relation :
  R   R     1  h   1 h21  
0 ρ=  ρ +
e0 =  ρ + he21 +h21Rρ.i0 et R
+SR 1 +RRS = ρ+1 21
= .iρ0 et +R +


 h11   h11 
et
   ρ  h11   ρ h11  

3. Cas particuliers
Si RE = 0 alors R = 0 et Rs = ρ (résultat attendu…).
Si RE tend vers l’infini, alors R ≈ h11 et par suite :
  1 h 
RS ≈ ρ ⋅ 1 + h11  + 21  
  ρ h11  
Comme : h11/ρ << h21, il vient finalement :
Rs ≈ ρ (1 + h21)
Il y a donc tout intérêt à utiliser une résistance RE aussi élevée que possible : c’est
le cas lorsque RE constitue la résistance de sortie d’un montage émetteur commun.
La résistance de sortie avec RE infinie est multipliée par le gain en courant du tran-
sistor : cette propriété est spécifique de la contre-réaction de courant à entrée série.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 159

6.2.4 Miroirs de courant


a) Utilisation
Ce terme définit deux sources de courant dont les caractéristiques, valeur du courant
continu et résistance dynamique, sont identiques.
Les miroirs de courant sont systématiquement utilisés dans la réalisation des étages
différentiels symétriques à grand gain constituant les étages d’entrée et intermé-
diaires des amplificateurs opérationnels.

b) Propriétés caractéristiques
Ces structures permettent d’obtenir :
• des valeurs de courant statique aussi proches qu’il est possible ;
• des valeurs de résistance dynamique aussi proches que possible ;
• des valeurs de résistance dynamique aussi élevées que possible.

c) Structure
À la différence des sources de courant usuelles dont le principe repose sur une pola-
risation par des sources de tension, ce sont des sources de courant qui sont utilisées
cette fois pour la polarisation. Par ailleurs, dans les miroirs de courant, on utilise de
façon systématique des composants supposés identiques par « construction ». Les
réalisations peuvent être à composants bipolaires ou de type MOS. Il en résulte dif-
férentes configurations classiques : Widlar, Wilson…
Que ce soit en technologie bipolaire ou MOS, ce sera une fois de plus
la réaction de la tension de sortie sur le courant de sortie (effet d’Early
pour les uns, effet de modulation de largeur du canal pour les MOS)
qui limitera les performances de ces circuits. Mais, il y a toujours des
« solutions » possibles : on retrouve les techniques de boostrap…

d) Circuits
Source de courant de Widlar
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Le schéma de cette source de courant est donné figure 6.12.


+ VCC
IN
R IC2

Figure 6.12 Miroir IC1


de courant de Widlar. T1 T2
IB IB
160 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

Le calcul est réalisé dans les hypothèses simplificatrices suivantes :


• les deux transistors sont identiques ;
• l’effet d’Early est négligé.
Ainsi les courants de collecteur ne dépendent que des courants de saturation, des
tensions base–émetteur et des gains en courant.
En tenant compte du fait que VBE1 = VBE2, il vient : IB1 = IB2 = IB, soit IC1 = IC2 = IC.
Par suite, IN = IC2 + 2IB = IC2·(1+2/β).
D’où, finalement :
I  2
IC 2 = N ≈ I N ⋅  1 − 
2  β
1+
β
Indépendamment des hypothèses simplificatrices de calcul, la valeur du courant IC2
est très sensible à la valeur des deux gains en courant.

Source de courant de Wilson


Le schéma de cette source de courant est donné figure 6.13.

IN + VCC
IC3 = IOUT
R
IC3
T3

IC1 IC2
T1 T2

Figure 6.13 Miroir de courant de Wilson.

Les hypothèses de calcul sont identiques au cas précédent.


Les relations de départ sont également identiques.
IB1 = IB2 = IB, soit IC1 = IC2 = IC.
On exprime tout d’abord IC en fonction de IOUT via la variable intermédiaire IE3 :
IE3 = IC3 + IB3 = IOUT·(1 + 1/β) et IE3 = IC2 + 2IB = IC + 2IB = IC·(1 + 2/β)
β +1
IC = ⋅I
β + 2 OUT
Par ailleurs, la loi des nœuds appliquée à la base de T3 conduit à la relation suivante :
IN = IC1 + IB3 = IC + IOUT/β.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 161

En remplaçant IC par son expression en fonction de IOUT, il vient :


β + 2 + β ⋅ (β + 1) β ⋅ (β + 2)  2 
I N = I OUT et I OUT = I N 2 = I N 1 − 2
β ⋅ (β + 2) β + 2β + 2)  β + 2β + 2 
La source de Wilson fournit donc une valeur du courant très proche de la valeur de
la source du courant de contrôle IN. Si la valeur de IN est déterminée simplement à
partir d’une alimentation et d’une résistance, le courant IOUT délivré par la source
sera toujours très sensible aux variations de la tension d’alimentation. Par contre la
résistance interne de cette source, beaucoup plus grande que la source de Widlar, est
très élevée. Sa valeur peut être déterminée à partir du schéma équivalent hybride des
transistors.

6.2.5 Amplificateur de différence ou amplificateur différentiel


a) Utilisation
L’amplificateur de différence est quelque fois utilisé sous forme discrète, par exemple
dans la réalisation d’amplificateurs B.F de puissance ou d’alimentations stabilisées.
Cet étage constitue l’étage d’entrée de tous les amplificateurs opérationnels tradi-
tionnels. Il est utilisé de façon quasi systématique dans les alimentations stabilisées
linéaires disponibles en circuits intégrés et rentre dans la réalisation de nombre de
circuits intégrés.
L’amplificateur opérationnel est, par définition, un amplificateur de différence.
Compte tenu de l’importance de ce mode d’amplification, nous aborderons de façon
générale l’analyse de ses propriétés caractéristiques.

b) Propriétés caractéristiques
En principe, ce type d’amplificateur, qu’il s’agisse d’un étage amplificateur élé-
mentaire, d’un amplificateur opérationnel ou d’un amplificateur d’instrumentation,
devrait travailler uniquement sur la différence des tensions d’entrée selon la rela-
tion : VS = K·(e2 − e1).
En réalité, il n’est pas possible d’obtenir des gains identiques avec chacune des deux
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voies. De ce fait, en pratique, on ne peut qu’obtenir une relation du type :


VS = K2·e2 − K1·e1, avec K2 ≈ K1.
Ce type de fonctionnement va entraîner l’apparition, outre la tension différentielle
e + e1
originelle, d’une tension parasite dite tension de mode commun 2 dont il
2
faudra évaluer les effets.

Linéarité, symétrie et amplificateur de différence


En pratique, deux types d’amplificateurs sont susceptibles d’être rencontrés :
• un amplificateur à deux entrées et deux sorties ;
• un amplificateur à deux entrées et une sortie.
162 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

Dans le cas général, un amplificateur différentiel peut être modélisé par un quadri-
pôle comportant deux entrées e2, e1 référencées par rapport à la masse et deux sorties
s2, s1 référencées par rapport à la masse. Si on suppose que cet amplificateur fonc-
tionne de façon linéaire, les grandeurs de sortie et d’entrée sont liées par les relations
linéaires suivantes :
s1 = k11·e1+ k12·e2
s2 = k21·e1+ k22·e2
Les coefficients kij sont homogènes à des gains en tension.
L’amplificateur sera dit symétrique si une permutation des entrées se traduit par une
permutation des valeurs de sorties, soit :
s2 = k11 e2+ k12 e1
s1 = k21 e2+ k22 e1
Ces deux groupes de relations devant être vérifiées quelles que soient e2 et e1, il s’en-
suit : k11 = k22 et k12 = k21.
Dans ces conditions nous obtenons alors pour expression de la valeur de la sortie
s2 − s1 dite sortie symétrique :
s = s2 − s1 = k22·(e2 − e1) + k21(e1 − e2)
soit :   s = s2 − s1 = (k22 − k21)·(e2 − e1)
Pour que la sortie symétrique d’un amplificateur linéaire soit de type différentiel, il
faut donc que l’amplificateur soit symétrique.

Mode différentiel et Mode commun


L’amplificateur originel étant nécessairement déséquilibré en pratique, la symétrie
des coefficients ne peut être parfaite.
Déterminons dans le cas général la valeur de la sortie symétrique
s = s2 − s1 = (k21 – k11)·e1 + (k22 – k12)e2
Or, quelles que soient les tensions d’entrée e1 et e2, il est toujours possible d’écrire :

e = e2 + e1 − e2 − e1 ≡ e − eMD
1 2 2
MC
2
 e + e e − e e
e2 = 2 1
+ 2 1
≡ eMC + MD
 2 2 2
Le couple de tension d’entrée e1, e2 peut donc être décomposé en un nouveau couple
de tension comprenant (figure 6.14) :
• une tension identique appliquée aux deux entrées, à savoir la tension de mode
commun eMC = 1/2(e1 + e2) ;
• deux tensions opposées appliquées aux deux entrées. Ces dernières définissent la
tension différentielle : eMD = e2 – e1.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 163

s1 s1 s1
e2
A.D A.D + A.D
s2 s2 s2
e1

+ – e
eMC emd md

2 – + 2

Figure 6.14 Mode Commun et Mode Différentiel.

Soumise à ce couple de tensions d’entrée eMC et eMD, la linéarité du fonctionne-


ment de l’amplificateur conduit à des réponses en sortie de mode différentiel et de
mode commun dont les expressions générales sont données par :
SMD = S2 – S1 = GMD·eMD+ GCD·eMC
SMC = 1/2·(S2 + S1) = GDC·eMD+ GMC·eMC
GMD gain en mode différentiel quand eMC = 0.
GMC gain en mode commun quand eMD = 0.
GCD gain de conversion du mode commun en mode différentiel quand eMD = 0.
GDC gain de conversion du mode différentiel en mode commun quand eMC = 0.
Les différents gains peuvent aisément se calculer en fonction des coefficients kij : les
gains de conversion étant uniquement fonction des écarts k22 − k11 et k21 − k12 entre
les gains élémentaires.
Déterminons de même la valeur de la sortie asymétrique. À titre d’exemple, la
valeur de la tension de sortie S2 prend la forme suivante :
s
s2 = s MC + MD
2
soit, tous calculs faits :

s2 = eMD . ( G2
MD
)
+ GDC + eMC ⋅ ( G2CD
+ GMC )
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

Les facteurs de mérite


Les facteurs de mérite traduisent la capacité d’un amplificateur d’être insensible au
mode commun. Cette évaluation est faite en comparant l’importance des différents
gains.
Pour déterminer l’influence du mode commun dans l’amplificateur, deux cas sont à
considérer selon que l’on considère une sortie symétrique ou une sortie asymétrique.
G
En mode symétrique, on définit le taux de réjection par : Γ S = MD .
GCD
Or : sMD = s2 – s1 = GMD·eMD + GCD eMC.
164 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

 e 
Par suite : sMD = GMD ⋅ eMD + GCD ⋅ eMC = GMD ⋅  eMD + MC  .
 ΓS 

« Appliquer » une tension de mode commun eMC revient dans ce cas à appliquer
une tension de mode différentiel eMC/ΓS

Si l’amplificateur est idéal, GCD  = 0, ΓS tend vers +∞ et la tension parasite eMC/ΓS


« ramenée » en mode différentielle à l’entrée est nulle.
GMD
+ GDC
En mode asymétrique, on définit le taux de réjection par : Γ A = 2 .
GCD
+ GMC
2
Or : s2 = eMD ⋅ (
GMD
2
+ GDC + eMC ⋅ ) GCD
2( + GMC . )
Par suite  s2 = ( G2 MD
)  e 
+ GDC ⋅  eMD + MC  .
 ΓA 

« Appliquer » une tension de mode commun eMC, revient dans ce cas à appliquer
une tension de mode différentiel eMC/ΓA

Lorsque l’amplificateur est idéal GDC = GCD = 0, la valeur particulière du facteur
de mérite est appelée alors taux de réjection en mode commun TRMC (Common
Mode Rejection Ratio : CMRR).
Ce dernier est défini par l’expression suivante :
GMD
+ GDC
ΓA = 2
GCD
+ GMC
2
Le taux de réjection en mode commun avec sortie symétrique est donc égal, au
facteur 1/2 près, au rapport du gain en mode différentiel au gain en mode commun.
Le facteur d’erreur différentiel est défini quant à lui par :
GCD
FD =
2GMC
Ces différents facteurs sont reliés par la relation suivante :
TRMC
ΓS =
FD
Ne pas oublier que les facteurs de mérite sont très sensibles aux niveaux
avec lesquels travaille l’amplificateur (il faut être en régime linéaire).
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 165

Application à la structure de base


L’amplificateur différentiel élémentaire utilise deux transistors bipolaires, par
exemple, dont les émetteurs sont reliés et alimentés via une résistance RE par une
source tension − VCC. Les deux transistors comportent deux résistances de charge
identiques dans leur collecteur reliées à une source de tension + VCC.
L’optimisation des différents paramètres précédemment définis conduit, aux résul-
tats fondamentaux suivants.
Le taux de réjection en mode commun est proportionnel à la valeur de la résistance
commune d’émetteur RE : l’augmentation de cette dernière conduit donc à utiliser
une source de courant active pour alimenter les deux émetteurs.
L’augmentation du gain différentiel conduit à augmenter les gains de chaque voie.
Ceci est réalisé via l’utilisation de miroirs de courant qui permet d’obtenir :
• des conditions de polarisation identiques ;
• des conditions de fonctionnement dynamiques identiques ;
• des gains élémentaires élevés.
Le schéma de principe correspondant est donné à la figure 6.15.

+VCC +VCC

C1 C2

Figure 6.15 Amplificateur Miroir


T1 T2 de courant
différentiel.

2.I0 E

– VCC

6.2.6 Montage cascode


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a) Utilisation
Le montage cascode est utilisé dans la plupart des étages amplificateurs fonction-
nant à fréquence élevée. Il peut être rencontré aussi bien dans des applications grand
public (étage d’entrée TV par exemple) que dans la conception de circuits intégrés
HF, d’amplificateurs large bande ou d’impulsion, etc.

b) Propriétés caractéristiques
Ce montage peut être aussi bien réalisé à l’aide de transistors bipolaires que de
transistors MOS. Un étage cascode à transistor bipolaire présente un gain en basse
166 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

fréquence sensiblement du même ordre de grandeur que celui d’un montage émet-
teur commun simple. Il présente par contre une bande passante beaucoup plus
grande et une réponse impulsionnelle en petits signaux plus rapide. Ces propriétés
sont obtenues grâce à la suppression de l’effet Miller de l’étage d’entrée qui travaille
avec un gain en tension unité. C’est le second étage qui fournit le gain en tension,
l’influence de la capacité parasite collecteur–base étant fortement réduite dans la
mesure où celle-ci se trouve simplement reliée à la masse.

c) Structure
Avec des composants bipolaires, ce montage utilise deux transistors correspondant
à un étage émetteur commun chargé par un montage base commune (figure 6.16).

+VCC

RC

Figure 6.16 Amplificateur
VBB2 T2 VS cascode.
+

C2
T1
+
VE RE
VBB1

L’émetteur du premier étage est relié à la masse d’un point de vue dynamique, sa sortie
étant reliée à l’émetteur du second transistor. Quant au second étage, sa base est reliée
à la masse d’un point de vue dynamique, la sortie du montage cascode étant prélevée
aux bornes de la résistance de charge située dans le collecteur du second transistor.
Le mélange des technologies est souvent intéressant : ainsi l’association d’un tran-
sistor MOS monté en source commune avec un transistor bipolaire monté en base
commune présente, outre des propriétés fréquentielles intéressantes, une impédance
d’entrée élevée.

6.2.7 Étage suiveur de White


a) Utilisation
L’étage collecteur commun, appelé encore émetteur suiveur (emitter follower),
représente l’élément de base des étages de sortie des amplificateurs. Impédance
d’entrée élevée, impédance de sortie faible, gain en tension unité et gain en cou-
rant élevé constituent les propriétés générales spécifiques de ce montage. Pour des
applications particulières, on peut chercher à améliorer, selon les cas, la linéarité, le
comportement aux faibles niveaux, le comportement sur des entrées bipolaires, le
comportement en impulsions, etc.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 167

Les différents montages (cf. § 6.2.8 et 6.2.9) que nous allons voir par la suite représen-
tent des solutions alternatives au circuit élémentaire. Parmi toutes ces variantes,
l’émetteur suiveur de White se caractérise par sa très faible impédance de sortie, sa
linéarité, « l’identité » de son comportement par rapport aux impulsions positives et
négatives. Il peut donc être aussi bien utilisé dans les amplificateurs impulsionnels
qu’entrer dans la composition d’étages de sortie d’amplificateurs BF, en particulier
d’amplificateurs Hi-Fi, etc.

b) Propriétés caractéristiques
Ce circuit est composé de deux transistors bipolaires montés en série. Une contre-réac-
tion de tension assure un gain unité au montage. Le courant de repos I0 circulant dans
les deux transistors est déterminé par le transistor T2, le courant de sortie Is fourni
à la charge étant déterminé par Is = I1 – I2. En régime dynamique petits signaux,
soumis à une impulsion positive, le transistor T1 conduit de façon plus importante,
entraînant de fait une chute du potentiel de son collecteur. Cette chute est trans-
mise instantanément à la base du transistor T2 par la capacité de liaison CL. Ainsi le
transistor supérieur T1 conduit « plus » tandis que, simultanément, le transistor T2
conduit « moins ».
Cette spécificité de fonctionnement de l’étage de White est particulièrement intéres-
sante pour des impulsions négatives. En effet, un simple étage émetteur commun
répond « toujours mieux » dans le sens de la conduction que dans le sens contraire
(c’est le problème de la variation de β avec le courant…). Dans le cas de l’étage suiv-
eur de White, l’impulsion négative d’entrée s’accompagne, via la capacité de liaison
CL, d’une augmentation du potentiel de base de T2. Le signal de sortie correspond
alors à une diminution de conduction de T1 et simultanément à une augmentation de
l’état passant de T2 : ceci est particulièrement intéressant en termes de réponse tran-
sitoire. La dynamique d’entrée du mode linéaire est relativement faible car les deux
transistors fonctionnent en classe A.

c) Structure
+ VCC
CL2
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R2
RB2 RC CL
C L1 RL
T2
T1
Rg
R1 RE
RB1
eg(t)

Figure 6.17 Schéma de principe d’un étage émetteur suiveur de White.


168 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

Ce circuit, présente deux spécificités. La charge du transistor T1, monté en mon-


tage émetteur commun, est constituée par une source de courant, en l’occurrence
le transistor T2. L’intérêt de cette méthode a été analysé au paragraphe 6.2.3 d). On
retrouve dans cette source de courant les éléments caractéristiques habituels : un
pont de polarisation à basse impédance (ou toute autre technique, diode ou autre,
permettant de fixer le potentiel de base) et la résistance RE qui fixe le courant de
repos circulant dans les deux transistors. La capacité CL n’est rien d’autre qu’une
capacité de liaison entre deux étages à transistors.
L’originalité du circuit consiste dans la contre-réaction totale qui existe entre la sor-
tie située sur le collecteur T2 et l’entrée inverseuse que constitue l’émetteur de T1
(cf. schéma développé de la figure 6.17), l’amplificateur constitué par T1 et T2 est
ainsi soumis à une contre-réaction de tension série et bouclé avec un gain unité
(cf. chapitre 7).

6.2.8 Montage totem-pole


a) Utilisation
Cet étage est systématiquement utilisé comme étage de sortie dans les circuits inté-
grés logiques de type TTL (logique saturée) et ses nombreuses variantes.

b) Propriétés caractéristiques
Il fournit des niveaux de sortie typiques de 3 V et 0,2 V. Le montage totem-pole peut
travailler aussi bien en injection (il fournit alors du courant vers la charge) qu’en
extraction de courant (il absorbe alors le courant fourni par une charge capacitive par
exemple). Il possède une bonne réponse indicielle tant sur les échelons positifs que
négatifs et un bon comportement sur charge capacitive.
À signaler que le fonctionnement du montage n’est pas symétrique : un transistor est
susceptible de fonctionner en régime bloqué, linéaire ou saturé alors que l’autre ne
peut prendre que deux états, bloqué ou saturé. Ce circuit ne peut éviter le phénomène
de conduction simultané des deux transistors lors de la commutation. Il y a donc
création de pointes de courant de l’ordre de 30-35 mA dans l’alimentation + Vcc. Il
est alors indispensable de filtrer les alimentations de ces circuits par des capacités
céramiques situées au plus près des bornes d’accès du circuit. Sinon, le montage est
un bon générateur de bruit pour la compatibilité électromagnétique (CEM)…

c) Structure
Ce montage associe en série (figure 6.18) un étage collecteur commun constitué par
T2 (résistance de charge typique : 130 ohms) à un étage émetteur commun, une diode
étant insérée dans la liaison entre les deux sorties, c’est-à-dire respectivement entre
l’émetteur et le collecteur des deux circuits. Ce montage est commandé par un transis-
tor bipolaire à charges réparties, comportant une résistance de charge dans le collecteur
et une résistance de charge dans l’émetteur. La diode permet d’assurer le blocage du
transistor supérieur monté en CC lorsque le transistor de commande est saturé.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 169

+5 V +5 V

1,6 k 130

T2

Figure 6.18 Schéma
d’un étage totem-pole.

T1 VS

1k

6.2.9 Montage push-pull


a) Utilisation
Cet étage est utilisé systématiquement utilisé comme étage de sortie dans les cir-
cuits, discrets ou intégrés, travaillant en régime linéaire. Il peut être utilisé également
comme étage de sortie dans certains circuits logiques, les étages de sortie de la
logique TTL étant constitués quant à eux de circuits spécifiques type « totem pole ».
Il est très souvent utilisé également dans les amplificateurs de puissance linéaires
audio fréquences du fait de son rendement (π/4 ≈ 0,78) qui est le plus élevé des
classes d’amplification en régime linéaire.
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b) Propriétés caractéristiques
Quels que soient les composants utilisés (transistor bipolaire ou MOS à enrichis-
sement) le montage push-pull se caractérise par une distorsion, dite distorsion de
raccordement aux faibles niveaux de la tension d’entrée. Cette distorsion est parti-
culièrement pénalisante lors de la réalisation d’amplificateurs linéaires (exemple :
amplificateurs audiofréquence). La solution réside dans l’utilisation d’une tension
de pré-polarisation qui compense le seuil de conduction des composants utilisés
(tension base–émetteur de déblocage ou tension de seuil pour les MOS). Ce mode
particulier d’amplification définit la classe AB.
Ce montage peut être aussi bien réalisé à l’aide de transistors bipolaires que de tran-
sistors MOS (figure 6.19).
170 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

En l’absence de signal d’entrée, les deux transistors constituant cette structure sont
bloqués. Chaque composant fonctionne alternativement selon la polarité de la tension
d’entrée en se comportant comme un amplificateur à gain en tension voisin de 1 et
gain en courant élevé. Ce mode de fonctionnement est caractéristique de la classe B
d’amplification.

+VDD

VE VS

– VDD

Figure 6.19 Schéma d’un étage push-pull. Réalisation à transistors MOS.

c) Structure
Ce montage comporte deux composants reliés en parallèle, les entrées (base ou grille)
sont reliées et commandées en dynamique par le même signal, la sortie se fait sur les
deux émetteurs, ou les deux sources, reliés ensemble (figure 6.19). Le montage ainsi
réalisé fonctionne en collecteur commun ou émetteur suiveur pour une réalisation à
transistors bipolaires et en drain commun pour la réalisation à transistors MOS.
L’alimentation du montage peut se faire de façon symétrique, avec deux alimen-
tations + VCC et − VCC, ou de façon asymétrique via une seule alimentation. Il est
nécessaire dans ce dernier cas d’utiliser une capacité de forte valeur qui remplace de
fait la fonction alimentation supprimée. Pour les amplificateurs de puissance, cela
conduit inévitablement à l’utilisation de capacité de valeur élevée.

6.2.10  Montage Darlington


a) Utilisation
Ce montage est spécifique aux composants bipolaires. Il permet d’obtenir un transis-
tor équivalent de grand gain en courant.
En électronique analogique il est utilisé dans les applications « signal » du fait
de son gain élevé qui lui permet de réaliser des étages à impédance d’entrée élevée
et impédance de sortie faible, il est utilisé également dans les circuits de sortie des
amplificateurs de puissance type audiofréquence.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 171

Enfin il est très répandu dans les convertisseurs statiques de puissance soit pour la
commande des interrupteurs de puissance soit, selon les applications, comme interrupteur
principal. Cette structure est disponible sous forme de composant spécifique « intégré ».

b) Propriétés caractéristiques
En régime statique, à l’état bloqué ce dispositif peut présenter lorsque la base de T1
est en l’air des courants de fuite prohibitifs du fait que le courant de fuite ICEO du
premier transistor sert de courant de base pour le second. La solution est de dériver
ce courant de base via une résistance R2 branchée en parallèle entre base et émetteur
de T2. On peut estimer son ordre de grandeur en se plaçant dans le cas le plus défa-
vorable, à 100 °C par exemple, et en imposant que R2ICEO << (VBE)D.
La mise en conduction nécessite une tension de commande minimale de l’ordre de
1,2 V : elle est donc plus importante que celle d’un transistor normal.
En régime linéaire petits signaux, dans l’hypothèse où les paramètres h12 et h22 des
deux transistors sont nuls, nous obtenons un transistor équivalent dont les paramètres
caractéristiques équivalents β et h11 sont tels que :
h21 = 1h21+2h21·(1h21+ 1)
h11 = 1h11+2h11·(1h21+ 1)
1h 2h
ij et ij désignant
les paramètres relatifs aux transistors 1 et 2 respectivement.
Les gains disponibles en régime linéaire dépendent du type de montage Darlington
utilisé : signal, faible puissance ou puissance. Dans le premier cas, on peut obtenir
des gains de l’ordre de 5 000 à 10 000 pour des montages fonctionnant en régime
linéaire. Dans le second cas, les gains sont beaucoup plus faibles, dans le dernier
cas le fonctionnement en commutation entraîne l’utilisation de gains forcés qui sont
encore plus faibles aussi bien lors de la fermeture que plus encore, à l’ouverture.

c) Structure
Dans ce montage, l’émetteur du transistor de commande est relié directement à
la base du second transistor, tandis que les deux collecteurs sont reliés ensemble
(figure 6.20a).
À signaler qu’une variante du montage Darlington, le montage de Szikai (figure 6.20b)
associant deux transistors complémentaires, peut être quelquefois rencontrée dans
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certaines applications (les amplificateurs de puissance audiofréquence ont fait un


grand usage de ce montage durant une certaine période…).

Le coin des trucs : le Darlington de puissance


Le montage Darlington est particulièrement intéressant en électronique de puis-
sance car il peut permettre de commuter des courants élevés et/ou des tensions
élevées avec des puissances de commande faibles. Par contre, il présente
malheureusement quelques problèmes tant en régime statique qu’en régime
dynamique.
172 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

Sortie

T1 T2
T1
T2

R1 R2

Sortie a b

Figure 6.20 a) Montage Darlington. b) Montage Szikai.

Lorsque l’interrupteur est dans l’état fermé, la tension collecteur–émetteur de T2 est


définie par la relation : (VCE)2 = (VBE)2 + (VCE)1.
Par suite, elle est naturellement plus élevée que celle d’un transistor bipolaire
normal. Comme la tension VCE du transistor T2 est nécessairement supérieure à VBE,
le transistor T2 ne peut travailler en régime de saturation : au mieux il fonctionne en
régime de quasi-saturation alors que le transistor de commande T1 pourra travailler
en régime de saturation. Ainsi les pertes en conduction sont plus élevées.
En régime dynamique, le temps de fermeture à la commutation du Darlington est,
dans le principe, rapide car le gain équivalent au Darlington est très élevé, il corres-
pond sensiblement au produit des deux gains en courant.
À la fermeture, tant que le transistor de puissance T2 ne conduit pas, c’est le transis-
tor de commande T1 qui doit supporter la totalité du courant principal. À l’ouverture,
c’est le contraire qui se produit : dès que T1 cesse de conduire, c’est le transistor T2
qui doit supporter tout le courant. La situation semble moins grave, le problème c’est
qu’elle risque de durer…
L’ouverture de T1 est ralentie car elle se fait à partir d’un transistor T2 qui travaille
sous faible tension collecteur–émetteur puisque le transistor T2 est encore quasi
saturé. Par contre, les pertes à l’ouverture de T1 sont donc très faibles. A contrario,
le transistor de puissance étant en régime de quasi-saturation, son temps de stockage
est, dans le principe, plus faible que celui d’un transistor saturé. Par contre l’ouver-
ture de T2 va se faire à courant de base nul et cela va durer…
La solution optimale passe par l’utilisation de résistances de dérivation et l’ajout
de diodes, « de bonnes diodes ». En général on « débute » avec un montage à deux
résistances R1 et R2 (R1 de 50 ohms à 250 ohms ; R2 de 10 à 100 ohms, selon le
type de transistor) et on cherche à optimiser la valeur de R2 (c’est essentiellement la
résistance R2 qui est déterminante) pour réduire le temps de déstockage de T2 via la
polarisation inverse appliquée sur la base de T1. Pour accéder directement à la base
de T2 et le faire bénéficier de la polarisation inverse de base de T1, on dispose une
diode D en antiparallèle sur le transistor T1. Au final, on arrive à un montage compor-
tant deux résistances et une diode. La diode doit être évidemment une diode rapide
et à faible surtension lors de la mise en directe. En régime statique, il est possible
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 173

qu’une diode soit insuffisante pour assurer le blocage de T1. Dans ce cas il est préfé-
rable alors d’utiliser deux, voire trois, diodes.

6.2.11  IGBT
a) Utilisation
Ce nom (Insulated Gate Bipolar Transistor) désigne un dispositif spécifique de
l’électronique de puissance, associant deux composants de principe différent, le
MOS et le transistor bipolaire. Les IGBT représentent le meilleur compromis pour
la réalisation de convertisseurs statiques de moyenne puissance dès lors que les ten-
sions mises en jeu deviennent supérieures à 300 V environ, certains modules de
puissance étant même susceptibles de travailler en haute tension (> 2 000 V).

b) Propriétés caractéristiques
Elles résultent de l’association de ces deux composants de technologie différente.
Puisque l’IGBT est un MOSFET, la tension grille–émetteur contrôle l’état du
composant. Lorsque cette tension sera inférieure à VGE(Th), il n’y a pas de couche
d’inversion permettant de créer un canal N entre émetteur et collecteur et le compo-
sant se trouve donc à l’état bloqué.
En régime statique, l’IGBT se caractérise, comme un transistor bipolaire, par de
bonnes capacités en densité de courant, et par suite en courant, associées à une faible
chute de tension, et par suite de faibles pertes dans l’état fermé. La valeur de sa
tension de sortie dans l’état fermé peut être modélisée par une tension de seuil de
l’ordre de 1 V à 1,5 V associée à une résistance série de l’ordre 10 mΩ à 25 mΩ.
Comme le transistor bipolaire, il peut supporter des tensions élevées à l’état ouvert.
En régime dynamique, la commande d’un IGBT, permet du fait de la partie MOS, une
commande simplifiée qui ne nécessite pas la circulation permanente d’un courant de
commande. Sa commutation est particulièrement rapide à la fermeture. Par contre,
à l’ouverture, il présente un phénomène de traînée du courant car si l’ouverture du
MOS est très rapide, par contre l’ouverture du transistor bipolaire qui se fait ensuite
à courant de base nul, est beaucoup plus longue.
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c) Structure
Ce dispositif associe un transistor de puissance bipolaire PNP commandé par un
MOS à enrichissement à canal N. C’est un composant multicellulaire (ordre de gran-
deur du courant d’une cellule : 1 mA à 1, 5 mA) qui peut se présenter sous la forme
d’un composant discret (une puce) ou d’un module de puissance (un interrupteur).
Au niveau macroscopique, le transistor IGBT (figures 6.21) peut être représenté par
le modèle élémentaire circuit de la figure 6.21a, la représentation habituellement
utilisée correspondant à la figure 6.21b.
174 Chap. 6. Circuits de base à éléments discrets

C
C

G
G

E a E b

Figure 6.21 a) Modèle circuit équivalent. b) Symbole.

Le modèle circuit permet d’écrire dans l’état fermé :


VCE = VEB + (RDS)ON·IDS
IC = IPNP + IMOS = (βPNP + 1)IMOS = ((βPNP +1)/βPNP)IC,PNP
Le gain βPNP du transistor bipolaire équivalent est peu élevé. Dans les technologies
actuelles la plus grande partie du courant passe par le transistor MOS, le gain βPNP
ayant des valeurs inférieures à 0,5, auxquelles correspondent des valeurs du gain en
courant a de l’ordre de 0,3.
Lorsqu’on descend au niveau microscopique, l’IGBT implique nécessairement,
quelles que soient les variantes technologiques, l’ajout d’une nouvelle couche de
type P par rapport au MOS originel qui jouera le rôle de l’émetteur du transistor
PNP. Le gain de ce transistor bipolaire dépend des caractéristiques géométriques (la
largeur de base) et physiques de la base. Or la base du transistor PNP est constituée
par… la couche N− (ordre de grandeur 1014 atomes/cm3) chargée d’assurer la tenue
de l’IGBT aux tensions élevées. Compte tenu de l’ordre de grandeur de la tenue en
tension du silicium (10 V/μm), la largeur de cette zone sera, au minimum, de l’ordre
de 100 μm…
Or, le fonctionnement du transistor bipolaire « classique » implique d’utiliser une
base très fine pour permettre à tous les porteurs injectés par l’émetteur dans la base,
lorsque la jonction base émetteur est en direct, d’atteindre la jonction collecteur–
base. Il ne faut donc pas s’étonner de la faible valeur du gain compte tenu de la
largeur de cette « base ».
Mais l’introduction de la couche P dans la structure MOS originelle permet mainte-
nant d’injecter des trous dans la zone N−. Par suite la conduction dans cette couche
devient bipolaire (électrons et trous) et le dopage élevé de la couche P (ordre de
grandeur du dopage : 1018 atomes/cm3) permet, même si un trou sur deux est capable
d’atteindre la zone collectrice du transistor, d’injecter un très grand nombre de trous
dans la couche N−. Il s’ensuit une variation dans de grandes proportions de la
résistivité de cette couche N− dans son état fermé par rapport au MOS originel.
Par ailleurs, la faible valeur du gain en courant n’a pas que des effets négatifs : elle
permet en effet de limiter les déclenchements et les verrouillages intempestifs d’une
structure interne parasite de type thyristor associant deux transistors PNP/NPN.
6.2 Circuits à composants semi-conducteurs 175

Par contre, comme tous les composants bipolaires, l’injection de porteurs s’accom-
pagne inévitablement de stockage de charges, charges qu’il faudra éliminer avant
que l’IGBT ne retrouve son pouvoir de blocage. Cela peut se faire soit par un courant
externe de base, soit par élimination naturelle des porteurs… La première solution
étant irréaliste, les développements technologiques portent sur la réduction de la
durée de vie des porteurs dans la zone N− afin d’accélérer les recombinaisons entre
porteurs.
En résumé, on peut dire que l’IGBT a été développé pour travailler de manière simi-
laire au transistor MOSFET avec l’avantage de pouvoir faire varier la résistivité de
la zone faiblement dopée N− par injection de porteurs minoritaires grâce à la couche
additionnelle P insérée entre la zone N− et le contact de collecteur. C’est cette injec-
tion de porteurs minoritaires qui permet de réduire de manière significative la chute
de tension à l’état passant pour une tenue en tension inverse donnée.
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.
Bouclage et ­techniques
de réaction
7
des amplificateurs

• Connaître la différence entre contre- • Ne pas oublier que les techniques de


réaction et réaction positive. réaction sont très générales.
• Connaître les schémas de principe des • Prendre l’habitude de faire, parallèlement
différents types de réactions. aux schémas détaillés complets, des
• Savoir identifier rapidement le type schémas blocs pour mettre en évidence
de réaction utilisée dans un schéma les éventuelles réactions.
complexe. • Ne pas oublier que l’on peut trouver
• Savoir déterminer rapidement et des contre-réactions valables en régime
sans calcul les caractéristiques d’un continu et d’autres valables en régime
amplificateur soumis à une réaction de alternatif.
tension ou à une réaction parallèle. • Ne pas oublier que l’on peut trouver
des contre-réactions locales et d’autres
globales.
• Ne pas oublier de faire le lien avec
d’autres disciplines telles que la
régulation des systèmes linéaires.

7.1 LE BOUCLAGE DES AMPLIFICATEURS


7.1.1 Pourquoi boucler un amplificateur ? La réaction négative ou
contre-réaction
En électronique analogique, il est impossible de réaliser deux circuits présentant des
caractéristiques identiques.
En effet, tous les circuits utilisant des composants SC, quels que soient ces compo-
sants (transistor bipolaire ou MOS), fonctionnant en régime linéaire, sont soumis
au problème fondamental de la dispersion importante des valeurs de l’ensemble des
paramètres caractéristiques des composants. Cette dispersion provient de l’impos-
sibilité, en dépit des progrès technologiques exceptionnels accomplis durant ces
dernières années, de réaliser des composants élémentaires identiques.
Ainsi, pour deux composants de même référence, utilisant les mêmes composants
passifs pour assurer leur polarisation, la dispersion naturelle des caractéristiques
178 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

statiques des composants peut conduire à des variations d’une dizaine de pour-cent,
voir plus, des valeurs de polarisation des composants…

Exemple
Pour deux composants bipolaires de même référence et de même point de repos,
les variations des paramètres dynamiques peuvent atteindre 50 %, voire plus.

De plus, les caractéristiques statiques des composants SC sont toutes, plus ou moins,
sensibles à la température.

Exemple
La tension directe d’une jonction décroît de 2 mV par degré… 

De plus, la valeur des tensions d’alimentation n’est définie qu’avec une certaine
tolérance.
La solution traditionnelle est le bouclage (feedback) des amplificateurs, c’est-à-
dire l’utilisation des techniques de réaction dans les amplificateurs. Le principe est
de renvoyer tout ou partie d’une grandeur de sortie, la tension par exemple, pour
la soustraire de l’entrée : on définit ainsi une contre-réaction. Puisque, de façon
imagée on enlève une partie du signal normal de sortie, on peut s’attendre, toutes
choses égales par ailleurs, à une diminution du gain de l’amplificateur bouclé. Si le
gain en boucle ouverte vient alors à augmenter, pour une cause ou pour une autre,
la tension normale de sortie augmentera également. Si on enlève une grandeur
proportionnelle au signal de sortie, le signal renvoyé à l’entrée sera plus impor-
tant  : on va donc soustraire une partie plus importante au signal d’entrée et la
tension réelle d’entrée va donc diminuer. Grâce à cette méthode, on désensibilise
le gain de l’amplificateur par rapport aux variations de ses paramètres propres de
boucle ouverte.
Plus généralement, l’ensemble des caractéristiques dynamiques (gain, bande
passante, impédance d’entrée et sortie, non-linéarité des étages internes…) de l’am-
plificateur est stabilisé par le processus de contre-réaction. Les caractéristiques de
l’amplificateur bouclé ne dépendent plus alors que des éléments extérieurs à l’ampli-
ficateur, c’est-à-dire du réseau de réaction.
La généralisation et l’application systématique de cette technique à des systèmes
complexes  à grand gain conduit naturellement à la fonction de régulation des
systèmes (si l’entrée est fixe) ou à d’asservissement des systèmes lorsque l’entrée
est variable dans le temps.
Dans le domaine de l’électronique analogique, le prix à payer pour l’amélioration
de la stabilité des paramètres d’un amplificateur est la diminution du gain. Il faudra
donc maîtriser la technique des amplificateurs à grand gain pour pouvoir bénéfi-
cier le plus possible des avantages de cette technique : il est facile de comprendre
alors le pourquoi du développement des amplificateurs opérationnels en électronique
­analogique ainsi que l’utilisation systématique des techniques de contre-réaction
dans ces derniers.
7.1 Le bouclage des amplificateurs 179

Si concevoir et réaliser un amplificateur de signal à grand gain en tension ne pose,


en principe, pas de soucis, le problème est plus complexe avec les amplificateurs
de puissance fonctionnant en mode linéaire. En général on décompose l’amplifica-
tion de puissance en deux parties. La première réalise l’amplification de tension, la
seconde travaille généralement à gain en tension unité, et réalise l’amplification en
courant nécessaire ; le bouclage de l’amplificateur étant réalisé alors sur la structure
complète.
Le principe de la contre-réaction est valable, non seulement en régime dynamique,
mais également en régime continu : il peut donc permettre de stabiliser le point de
fonctionnement d’un amplificateur vis-à-vis de dérives en température ou de désé-
quilibre entre transistors. Évidemment le réseau de réaction devra utiliser une liaison
directe ou continue.
Le principe de la contre-réaction peut être mis en œuvre aussi bien localement (sur
un composant particulièrement sensible par exemple) que sur un circuit complet. En
général les amplificateurs opérationnels à transistor bipolaire possèdent différentes
contre-réactions locales internes. Les amplificateurs de puissance à transistors bipo-
laires présentent souvent une contre-réaction en continu pour stabiliser le potentiel
de l’étage de sortie et une contre générale pour fixer le gain.
Si les propriétés des amplificateurs bouclés deviennent alors quasiment indé-
pendantes des caractéristiques des amplificateurs, les problèmes de sensibilité
sont reportés sur les éléments de réaction  : les propriétés des amplificateurs
bouclés deviennent maintenant sensibles aux caractéristiques générales des
éléments (composants passifs ou à semi-conducteurs) utilisés dans les boucles
de réaction. Il est donc indispensable de choisir pour ces derniers des éléments
de qualité (résistance à couche métallique par exemple), stable en température
et dans le temps.

7.1.2 La réaction positive : l’effet cumulatif et ses applications


On peut conserver le même principe, en modifiant cette fois les connexions au niveau
de l’entrée de l’amplificateur de façon, non plus, à soustraire le signal de retour, mais
au contraire à l’ajouter au signal d’entrée. Quelles peuvent être les conséquences
d’une telle modification ? En réponse à un signal d’entrée de faible niveau, le signal
de retour va entraîner à l’entrée un effet cumulatif de l’excitation : l’augmentation de
© Dunod – Toute reproduction non autorisée est un délit.

la tension d’entrée va entraîner une augmentation de la tension de sortie qui entraîne


de nouveau une augmentation de l’entrée, etc. L’amplificateur quitte alors très rapi-
dement sa zone de fonctionnement linéaire, la tension de sortie de l’amplificateur
finit par atteindre une valeur constante. L’amplificateur se sature : il fonctionne
en régime non linéaire et sa tension de sortie est limitée par la valeur des tensions
d’alimentation. Dans le cas, par exemple de l’amplificateur opérationnel, ces valeurs
constantes correspondant sensiblement aux tensions d’alimentation + VCC et – VCC.
On conçoit que le temps de passage – de basculement – à l’état saturé sera fortement
réduit par une réaction positive très forte.
Dans ce type de bouclage les signaux internes de l’amplificateur apparaissent
comme un mélange des signaux d’entrée et de sortie : la valeur du nouveau signal de
180 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

sortie sera donc fonction non seulement de la valeur instantanée de l’entrée, mais
également de la valeur de la sortie à un certain instant antérieur du fait du temps de
propagation, ou de transit, non nul de la boucle de réaction. Ce type de bouclage
conduit naturellement à un effet « mémoire ».
Les propriétés de ce type de bouclage sont mises en œuvre dans le domaine des
circuits intégrés logiques : des montages bistables ou bascules (flip flop) avec ses
nombreuses variantes se déclinant en bascules R-S, J-K… aux montages mono­
stables, etc. et de façon plus générale aux circuits de logique séquentielle.

7.1.3 Les différents types de contre-réactions


Les différents types de contre-réactions sont classés selon :
• le mode de prélèvement de la grandeur de sortie (parallèle ou série) ;
• la nature (tension ou courant) de la grandeur prélevée ;
• le mode d’injection (série ou parallèle) et de comparaison à l’entrée de la grandeur
prélevée en sortie ;
• la nature (tension ou courant) de la grandeur injectée à l’entrée.
Au total, cela conduit à quatre types de contre-réactions possibles dont les noms
habituels sont indiqués ci-dessous. Sont précisés également le nom des variables
d’entrée et de sortie en boucle fermée ainsi que les relations caractéristiques de
chaque type de bouclage :
• la contre-réaction de tension série (figure 7.1a) ; les variables d’entrée et de
sortie sont respectivement en boucle fermée : VE, VS. Les équations fondamentales
associées sont : e = VE − VR, VR = β1·VS, VS = A1· e ;
• la réaction parallèle-parallèle ou plus simplement parallèle (figure 7.1b) ; les
variables d’entrée et de sortie sont respectivement : IE, VS ; les équations fonda-
mentales associées étant : Ie = IE − IR, IR = β2·VS, VS = A2·Ie ;
• la réaction de courant à entrée série (figure 7.1c) avec pour variables d’entrée et
de sortie VE et IS et les relations : e = VE − VR, VR = β3·IS, IS = A3. e ;
• la réaction de courant à entrée parallèle (figure 7.1d) ; les variables d’entrée et de
sortie sont IE et IS, les relations fondamentales étant : Ie = IE − IR, IR = β4·IS, IS = A4·Ie.

Remarque
Les grandeurs d’entrée et de sortie de l’amplificateur en boucle ouverte ne
sont pas nécessairement de même nature : elles conduisent soient à des fonc-
tions de transfert qui peuvent être selon les cas sans dimension (gain en
tension ou en courant : figure 7.1a et 7.1d) ou homogène à une impédance ou
une admittance.
7.1 Le bouclage des amplificateurs 181

IE Iε
Amplificateur VS Amplificateur
ε RC VS RC
de Tension RI IR de
Transimpédance
VE

VR Réseau de VE Réseau de
Réaction Réaction

injection prélèvement a b
RI IS IE Iε IS
Amplificateur
VS RC Amplificateur
ε de RI IR RC
Transadmittance de Courant

VE

Réseau de Réseau de
VR Réaction
Réaction
c d

Figure 7.1 a) La contre-réaction de tension série. b) La contre-réaction parallèle.


c) La réaction de courant à entrée série. d) La réaction de courant à entrée parallèle.

Quel que soit le type de contre-réaction utilisé, la relation générale définissant le


rapport de la grandeur de sortie z (VS ou IS) sur la grandeur d’entrée y (VE ou IE) obéit
à la réaction générale suivante :
z Ai
= avec : i = 1,…, 4
y 1 + βi ⋅ Ai
Dès que βi⋅Ai >> 1 et pour une entrée quelconque y donnée, la sortie z ne dépend plus en
principe, ni du gain interne Ai, ni des conditions externes, c’est-à-dire de la résistance de
charge. La sortie ne dépend plus que du terme βi défini par le réseau de réaction utilisé.
Chaque type de contre-réaction est adapté à un type d’amplificateur particulier. La
contre-réaction de tension série est adaptée à un amplificateur de tension, la réaction
parallèle à un amplificateur de transimpédance, la réaction de courant à entrée série à
un amplificateur de transadmittance. Enfin la réaction de courant parallèle s’applique
à un amplificateur de courant.

En pratique
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En électronique, trois types de contre-réactions sont essentiellement utilisés,


la contre-réaction de tension et la réaction parallèle-parallèle étant les deux
techniques les plus couramment rencontrés. Dans ce dernier cas, il est facile de
convertir en effet, sous réserve que l’amplificateur de transimpédance possède un
« gain » suffisamment élevé, une entrée de type tension en entrée de type courant
via une simple résistance. Enfin la réaction de courant à entrée série présente des
valeurs d’impédance en boucle fermée, que ce soit à l’entrée ou en sortie, qui
sont fortement augmentées par rapport à l’amplificateur originel. Ce type de
contre-réaction sera généralement utilisé pour l’obtention de circuits élémen-
taires à impédances d’entrée élevées ou pour la réalisation de sources de courant.
182 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

Dans la suite de ce chapitre, nous traiterons de façon détaillée les deux premiers
types de contre-réactions. Nous avons vu par ailleurs l’intérêt de la réaction de
courant à entrée série sur l’impédance d’entrée au chapitre 5 et sur l’impédance
de sortie au chapitre 6.

7.1.4 Des modèles au réel : le problème du découplage


amplificateur/réseau de réaction
Avec les modèles des sources dépendantes (cf. chapitre  2, §  2.1.5  b), ou des
­composants supposés souvent «  parfaits  » et donc modélisables par des sources
dépendantes, la contre-réaction est très simple. Dès qu’apparaissent des composants
discrets (transistors bipolaires, JFET ou MOSFET) et des composants passifs en
réaction dans un amplificateur, la situation se complique fortement. Il est n­ écessaire,
pour calculer le gain de l’amplificateur, de remplacer ces composants discrets par
leurs modèles équivalents en régime dynamique petits signaux : où est l’amplificateur
en boucle ouverte, le réseau de réaction est-il facilement identifiable, perturbe-t-il le
circuit initial ?…
Pour mettre au point une méthode qui puisse s’appliquer dans tous les cas, on utilise
la modélisation : celle-ci permet en effet d’établir des résultats généraux. On évalue
les effets de la contre-réaction à l’aide de modèles quadripôles. En utilisant les bonnes
hypothèses simplificatrices, on détermine les modèles des éléments caractéristiques
de l’amplificateur bouclé, c’est-à-dire l’amplificateur en boucle ouverte et le réseau
de réaction en tenant compte de l’influence de la contre-réaction sur les entrées/
sorties de l’amplificateur originel. On applique enfin la méthode « mise au point »
pour les quadripôles au circuit réel étudié. Les grandes lignes de cette méthode sont
décrites ci-dessous.
Le niveau de modélisation, réaliste et bien adapté pour déterminer les effets de la contre-
réaction sur les caractéristiques (gain, impédance d’entrée et de sortie) d’un amplificateur,
consiste à tenir compte des résistances d’entrée et de sortie de l’amplificateur de la chaîne
directe tout en supposant, pour faire simple, que les réseaux de réaction peuvent toujours
être modélisés par les modèles des sources dépendantes idéales.
Dans le niveau de modélisation général, on modélise l’amplificateur de la chaîne
directe et le réseau de réaction à l’aide de modèles de type quadripôle (cf. chapitre 3,
§ 3.4.2) et on essaie de se ramener au niveau inférieur : le niveau réaliste.
Se pose le problème du type de quadripôle à utiliser pour représenter amplificateur et
réseau de réaction. Le choix est guidé par la nature de la contre-réaction :
• Ainsi, si la tension de retour est injectée à l’entrée sous forme série, les circuits
d’entrée associés à l’amplificateur et au réseau de réaction sont traversés par le
même courant. Par suite, il est intéressant d’utiliser comme modèle des circuits
d’entrée un générateur de type série. Il en est de même lors d’un prélèvement série
de la grandeur de sortie.
• Si, par contre, la tension de retour est prélevée sous forme parallèle, les circuits
de sortie de l’amplificateur et le circuit de prélèvement de la tension de sortie par
7.1 Le bouclage des amplificateurs 183

le réseau de réaction sont soumis à la même tension. Par suite, une représentation
parallèle est naturelle car elle se prête à des calculs simples de l’impédance de
sortie et du courant total de sortie du système bouclé. Il en est de même lors d’une
injection parallèle de la grandeur de sortie.
Pour arriver à des résultats généraux, simples et réalistes, il faut disposer de modèles
de réseau de réaction parfaits, à savoir des réseaux :
• dont l’impédance côté sortie de l’amplificateur est soit infinie (lors du prélèvement
de la tension de sortie), soit nulle (lors de l’échantillonnage du courant de sortie) ;
• dont le dipôle équivalent côté entrée de la boucle de retour est modélisé soit par
une source de tension contrôlée, soit par une source de courant contrôlée.
Pour mener à bien cette approche (déterminer l’influence du réseau de charge sur
l’amplificateur, et représenter l’amplificateur bouclé sous forme de deux blocs
quadripôles indépendants : amplificateur en boucle ouverte et réseau de réaction
idéal), il est nécessaire d’utiliser certaines hypothèses simplificatrices, que l’on peut
résumer de la façon suivante :
• Le gain du système bouclé est uniquement fourni par l’amplificateur. Il revient au
même de dire que la transmission du signal dans le sens direct, c’est-à-dire de la
source vers la charge extérieure, se fait uniquement par l’amplificateur. Il revient
encore au même de dire, en termes de modélisation, que, quels que soient les
modèles utilisés, le paramètre de transfert direct, sens entrée-sortie de l’amplifi-
cateur, est très supérieur au paramètre équivalent, toujours sens entrée-sortie de
l’amplificateur, du réseau de réaction. Dans le cas idéal, le paramètre de transfert
direct équivalent du réseau de réaction est nul. Ce n’est qu’à cette condition que
l’on peut obtenir un réseau de réaction idéal : le réseau de réaction, vu côté sortie
de l’amplificateur, se réduisant alors à une impédance facile à calculer en ouvrant
ou en court-circuitant les extrémités ad hoc de l’amplificateur complet.
• L’information de retour transite uniquement par le réseau de réaction. Il
revient au même de dire que la transmission dans le sens inverse du signal, de
la charge extérieure vers la source, se fait uniquement par le circuit de réac-
tion. Il revient encore au même de dire, en termes de modélisation, que, quels
que soient les modèles utilisés, le paramètre de transfert inverse, dans le sens
sortie-entrée de l’amplificateur, du réseau de réaction est très supérieur au para-
mètre équivalent de l’amplificateur. Dans le cas idéal, le paramètre de transfert
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inverse de l’amplificateur, dans le sens sortie-entrée de l’amplificateur est nul.


En modélisation et en pratique, on suppose toujours qu’il n’y a aucun transfert
inverse par l’amplificateur.
Pour obtenir un modèle du réseau de réaction parfait, il faut « se débrouiller » pour
transférer tous les éléments n’appartenant pas au réseau de réaction parfait dans
l’amplificateur de la chaîne directe en « découpant » le réseau de réaction en deux
parties indépendantes. Ce faisant, on ne modifie pas la structure de l’amplificateur,
on ajoute simplement à l’amplificateur originel des impédances qui se trouvaient
initialement dans le réseau de réaction (figure 7.2b). Pour ce faire, il suffit d’ouvrir,
ou de court-circuiter, les extrémités de la boucle de réaction dans l’amplificateur
originel pour déterminer les deux parties indépendantes du réseau de réaction qui
184 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

seront « déplacées » sur l’entrée et la sortie de l’amplificateur : nous déterminons


ainsi l’effet de « charge » du réseau de réaction sur l’amplificateur.

+ Amplificateur
VE ε V2
- de base

VR
i1 i2
+ h21 i1
h11
1/h22
- h V
12 2
Réseau de réaction

+
+
VE ε h22
- h11 VS
-
VR

+
+
- h12 Vs
VS
-

b
Figure 7.2 a) La contre-réaction de tension série : modèle du réseau de réaction.
b) Exemple de la contre-réaction série dans l’hypothèse h21 = 0.
Le gain en boucle ouverte de ce nouvel amplificateur est évidemment différent de
celui du modèle originel.
Une fois déterminé l’effet de charge du réseau de réaction, nous obtenons le modèle
dynamique complet de l’amplificateur en boucle ouverte et le modèle du réseau de
réaction (le modèle deux blocs).
Cette procédure est définie, dans les hypothèses simplifiées définies précédemment,
dans la « question rouge : comment découpler l’amplificateur et le réseau de réac-
tion ? (méthode simplifiée) » ci-après.
Un TD approprié permettra d’appréhender toutes les nuances de la modélisation
de ce type de contre-réaction. Il est possible de généraliser l’approche développée
dans cet exercice aux différents types de quadripôles susceptibles d’être utilisés pour
modéliser les quatre cas élémentaires de contre-réaction (analyser par exemple la
modélisation de la réaction parallèle-parallèle).
7.1 Le bouclage des amplificateurs 185

Question rouge : Comment découpler l’amplificateur


et le réseau de réaction ? (méthode simplifiée)
1. Pour déterminer l’influence du réseau de réaction sur la sortie de l’amplifi-
cateur en boucle ouverte.
• Si le mode d’injection à l’entrée est de type parallèle : on court-circuite le
nœud d’entrée du modèle dynamique complet de l’amplificateur bouclé.
• Si le mode d’injection à l’entrée est de type série : on ouvre la boucle d’entrée
du modèle dynamique complet de l’amplificateur bouclé.
2. On fait pareil pour déterminer l’influence du réseau de réaction sur l’entrée
de l’amplificateur en boucle ouverte.
Dans ces conditions, le modèle dynamique complet de l’amplificateur en
boucle ouverte tient donc compte évidemment de l’influence de l’impédance
de source, de l’influence de l’impédance de charge, mais aussi et surtout des
impédances du réseau de réaction ramenée respectivement à la sortie et à l’en-
trée de l’amplificateur.
De ce fait le modèle du réseau de réaction ne peut plus être constitué par un
circuit. Le modèle équivalent pour le calcul de la fonction de transfert du réseau
de réaction correspond à l’un des 4 modèles de sources liées (cf. chapitre 2)
déterminé conformément aux règles suivantes.
3. Pour trouver le modèle du réseau de réaction :
• Si le mode de prélèvement de la grandeur de retour est de type parallèle celui-
ci s’effectue sous impédance infinie, si le mode de prélèvement de la grandeur
de retour est de type série celui-ci s’effectue via un court-circuit.
• Si le mode d’injection de la grandeur de retour est de type parallèle, la gran-
deur de retour est une source de courant contrôlée, si le mode d’injection de
type série, la grandeur de retour est une source de tension contrôlée.

Dès lors que le gain de l’amplificateur en boucle ouverte est suffisamment grand (un
seul étage d’amplification peut suffire) et sous réserve que le gain en boucle fermée
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soit plus petit d’un ordre de grandeur au moins que le gain en boucle ouverte le gain
en boucle fermé est uniquement déterminé par le réseau de réaction.

Le coin des trucs


Dans la pratique courante, il suffit d’être capable d’identifier le type de réaction
et de déterminer la fonction de transfert du réseau de réaction, toute influence
du réseau de réaction étant négligée en première approche, pour déterminer
rapidement l’ordre de grandeur d’un montage amplificateur à composants
discrets ou non, quelle que soit la complexité du montage en question.
186 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

TD : Calcul du gain d’un préamplificateur. Que choisir : calcul direct ou


méthodes de contre-réaction ?
On se propose de calculer le gain en tension d’un amplificateur PA à composants
discrets (figure 7.3) en comparant le calcul direct et les méthodes basées sur la
contre-réaction. Les transistors T1 et T2 seront supposés identiques, les valeurs
de leurs paramètres hybrides en émetteur commun étant telles que : h11 = 1 kΩ,
h12 = 0, h21 ≡ β =150, h22 = 0.
+ VCC
RE
CD
RB T2
T1
CL
VS Figure 7.3
VE(t) +
R3 R4 RC
-

Les éléments du circuit sont tels que RC = 0,47 kΩ, R3 = 1,5 kΩ, R4 = 5,6 kΩ.


Pour simplifier les calculs, on utilisera les notations suivantes :
RS = R3 + R4 RP = R3 // R4 RC’ = RC // RS
iE , iR , iS courants dans R3, R4, et R5
1. Méthode directe
1.1. Déterminez le schéma équivalent de l’amplificateur. Donnez la relation entre
ib1 et ib2 ainsi que les relations entre les différents courants.
On déterminera le gain en tension G1 en exprimant VE et VS en fonction de la seule
variable ib1 via la relation caractéristique entre iE, iR et ib1.
Pour cela, exprimez iE en fonction de VE et ib1. Exprimez de même iR en fonction de
VE, VS et ib1. En déduire alors la relation entre VE, VS et ib1.
Exprimez iR en fonction de VS et ib1. Exprimez de même iE en fonction de VS et ib1.
En déduire la relation entre VS et ib1.
Calculez la valeur de l’inverse du gain (1/G1) en fonction des éléments du circuit et
du rapport k = R3 /(R3+R4). Pour simplifier les calculs, on utilisera les notations :
N = β2R’C + (β + 1)R’C(R3 /RS)
D = h11 + (β+1)RP
Calculez les valeurs numériques de N/D, de 1/G1 et de G1.
1.2. On suppose maintenant les hypothèses simplificatrices β >> 1 ; βRP >> h11 ;
βRC’ >> RP satisfaites. Donnez les valeurs littérale et numérique du gain G1.
2. Utilisation des méthodes de bouclage des amplificateurs
2.1. Approche simplifiée
2.1.1. Analyse du bouclage et calcul du gain en boucle fermée
Analysez la structure de l’amplificateur bouclé en indiquant :
• le mode de prélèvement de la tension de sortie ;
• le mode d’injection de la grandeur d’entrée.
7.1 Le bouclage des amplificateurs 187

Donnez le schéma bloc correspondant de la contre-réaction. En déduire la valeur


du gain en boucle fermée en supposant que le préamplificateur respecte les
hypothèses simplificatrices habituelles, à savoir grand gain en tension en boucle
ouverte, etc.
2.1.2. Modélisation simplifiée du préamplificateur (cf. page 185)
Déterminez le schéma en boucle ouverte de l’amplificateur en supposant que :
l’amplificateur fournit uniquement le gain ;
le réseau de réaction fournit uniquement le signal de retour.
En déduire le modèle du réseau de réaction.
2.1.3. Calculez le gain en boucle ouverte G’0 de l’amplificateur déterminé à la
question précédente.
2.1.4. Calculez la valeur littérale et numérique du gain G2 en boucle fermée.
Que peut-on dire des deux méthodes étudiées jusqu’à présent : donnent-elles le
même résultat littéral ? Calculez l’erreur relative faite sur le gain G2.
2.2. Approche générale
2.2.1. On modélise l’amplificateur bouclé par deux quadripôles représentant
respectivement l’amplificateur en boucle ouverte et le réseau de réaction. Proposez,
en fonction du type de contre-réaction utilisé (cf. § 7.1.3) les modèles de quadripôle
(zij, yij…) les mieux adaptés. Justifiez votre réponse.
Dans le cas du problème, comme l’indiquent les figures 7.2a et b, le quadripôle le
mieux adapté pour modéliser le réseau de réaction est un modèle hybride direct.
Interprétez, à l’aide des théorèmes de Thévenin et de Norton, les circuits d’entrée
et de sortie du modèle du réseau de réaction. Indiquez à quelle condition portant
sur les paramètres du quadripôle de réaction on pourra établir un modèle simple
à deux blocs.
2.2.2. Le réseau de réaction
On choisit de représenter le réseau de réaction par un modèle hybride direct.
Rappelez les relations entrée-sortie de ce type de quadripôle et les méthodes de
calcul des différents paramètres hij.
Calculez la valeur des paramètres hij en fonction des résistances R3 et R4. Faire
le lien avec la méthode simplifiée habituelle de décomposition de l’amplificateur
bouclé (cf. la « question rouge» précédente). Le modèle hybride correspondant
est-il unilatéral ? La méthode simplifiée de décomposition est-elle valable ? Sinon
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par quel quadripôle doit-on remplacer le réseau de réaction ?


Montrez que l’on peut retrouver le modèle hybride équivalent au réseau de réaction
par l’approche circuit proposée à la question 2.2.1.
2.2.3. Déterminez, à l’aide de la question 2.2.2, le modèle circuit et le schéma
équivalent en régime dynamique petits signaux correspondant au schéma originel.
Calculez l’inverse du gain (1/G3) de cet amplificateur et montrez que le gain G3 est
identique au gain G1.
L’amplificateur originel étant bouclé, montrez que l’inverse du gain G3 peut
s’exprimer simplement en fonction de la fonction de transfert B du réseau de
réaction et du gain de l’amplificateur en boucle ouverte G0.
En déduire la valeur du gain en boucle ouverte G0 de l’amplificateur.
188 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

2.2.4. Donnez, à l’aide des résultats précédents, le modèle 2 blocs de l’amplificateur


originel.
Solution
1. Méthode directe
1.1. Détermination du schéma équivalent et calcul du gain
Le schéma équivalent est donné à la figure 7.4.

ib2
h11
.ib2
ib1 iR
.ib1

iE iS Figure 7.4
h11 R4
VE(t) +
VS
RB R3 RC
-

Hypothèses : h12 = h22 = 0.


Notation : h21 ≡ β.
Les courants iB1 et iB2 sont tels que :
iB2 = –βiB1 (1)
Les équations de nœuds sont les suivantes :
(β + 1) iB1 = iR + iE (2)
iR = βiB2 + iS(3)
Les lois de Kirchoff sur les mailles se décomposent en deux groupes relatifs à
VE et VS
Pour l’entrée :
VE = h11 iB1 + R3 iE(4)
VE = h11 iB1 + R4 iR + VS(5)
Pour la sortie :
VS = RC iS(6)
VS = –R4 iR + R3 iE(7)
Pour calculer le gain G1, nous allons exprimer VE et VS en fonction de la seule
variable iB1 en utilisant la relation iR + iE = (β + 1) iB1.
Nous appliquons tout d’abord cette méthode aux valeurs de iE et iR tirées
respectivement des relations (4) et (5) caractéristiques de l’entrée.
À partir de ces relations, nous obtenons donc :

VE h11
iE = − iB1
R3 R3
VE h11 VS
iR = − −
R4 R4 R4
7.1 Le bouclage des amplificateurs 189

En additionnant iE et iR et en multipliant les deux membres des relations par RP,


nous avons alors :
Rp
VE = h11iB1 + ( β + 1) RP iB1 + VS
R4
VE = ((h11 + (β + 1)RP)iB1 + kVS (8)
On utilise la même méthode, à savoir la relation iE + iR = (β + 1)iB1, pour exprimer
VS en fonction de iB1.
Exprimons tout d’abord iR en fonction de iB1 et de VS via les relations (3), (1)
et (6). Ainsi :
iR = –β2 iB1 + iS
VS
iR = − β 2iB1 +
RC
Exprimons maintenant iE en fonction de iB1 et de VS en introduisant la valeur
précédente de iR dans la relation (7). Nous obtenons :
R V
iE = 4 iR + S
R3 R3

R4 V  R 
iE = − β 2 iB1 + S  1 + 4 
R3 R3  RC 
La sommation membre à membre de ces deux relations donne, après multiplication
des deux membres par R3 RC, la relation suivante :
VS(RC + RS) = β2RC RS iB1 + (β + 1)RC R3 iB1
soit
R
VS = β 2 R’C iB1 + ( β + 1) R’C 3 iB1 (9)
RS

Il suffit d’exprimer iB1 en fonction de VS à l’aide de la relation (9) et de reporter


cette valeur dans la relation (8) pour déterminer la valeur de l’inverse du gain.
Nous obtenons ainsi :
1 D
= +k
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G1 N (10)
Avec les notations suivantes :
R R3
D = h11 + ( β + 1) RP N = β 2 R’C + ( β + 1) R’C 3 k =
RS R3 + R4
Application numérique (remarque générale : les valeurs numériques, tributaires
des algorithmes utilisés par les calculatrices, sont parfois arrondies) :
Compte tenu des valeurs des composants fournis dans l’énoncé, nous avons :
RS = 7,1 kΩ RP = 1,183 kΩ R’C = 0,441 kΩ
Il s’ensuit les valeurs suivantes de N/D, de l’inverse du gain et du gain :
N 1
= 55, 29 = 0, 23 G1 = 4, 36
D G1
190 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

1.2. Calcul de G1 dans les hypothèses simplificatrices


Compte tenu des hypothèses de l’énoncé, les valeurs de D et N sont telles que :
D = h11 + (β + 1)RP ≈ βRP
R3  R 
N = β 2 R’C + ( β + 1) R’C = β R’C  β + 3  ≈ β 2 R’C
RS  RS 
D’où :
D βR RP
= 2 P = 1
N β R’C β R’C
Finalement :
1 1
≈k et G1 ≈
G1 k
Numériquement : G1 = 4,733.
2. Utilisation des méthodes de bouclage des amplificateurs
2.1. Approche traditionnelle simplifiée
2.1.1. Analyse du bouclage et calcul du gain en boucle fermée
La contre-réaction est de type tension-tension ou tension-série (figure 7.5).
CL

T1
RB RC
R4 VS
VE(t)
Figure 7.5

VR R3

Le prélèvement de la tension de sortie se fait via le pont de résistances R3, R4


branché en parallèle sur la sortie. La grandeur injectée à l’entrée est une tension
prélevée au milieu du diviseur potentiométrique : elle est injectée en série avec
la tension base-émetteur de T1.
Si l’on considère la base de T1, celle-ci constitue l’entrée + du PA. En effet, si
on commande ce dernier par la base de T1, la sortie prélevée sur le collecteur
de T 1, est déphasée de –π. La liaison base de T1 collecteur de T2 est une
liaison directe. Par suite, la sortie finale du PA, prélevée sur le collecteur de
T2 sera de nouveau déphasée de –π par rapport à sa base, soit –2π par rapport
à l’entrée du PA. L’émetteur de T1 constitue quant à lui l’entrée inverseuse
du PA. La tension dynamique V BE(t) du transistor T 1 est donc l’analogue
de la tension d’entrée en boucle ouverte d’un amplificateur opérationnel.
Dans les hypothèses habituelles (grand gain boucle ouverte), il s’ensuit ε = 0
7.1 Le bouclage des amplificateurs 191

et VR = VE(t). En négligeant le courant dynamique d’émetteur de T1, nous


obtenons pour gain :
R
GBF ≈ 1 + 4 = 4,733
R3
2.1.2. Modélisation simplifiée de l’amplificateur
En utilisant la méthode simplifiée traditionnelle de découplage amplificateur/
réseau de réaction, l’annulation de la contre-réaction et la prise en compte de
l’effet de charge du réseau de réaction sur l’entrée du PA se font :
• en déconnectant la résistance R4 de la sortie ;
• en reliant à la masse l’extrémité qui a été déconnectée à la masse.
Pour tenir compte de l’influence du réseau de réaction sur la sortie du PA :
• on déconnecte de l’entrée, c’est-à-dire de l’émetteur du transistor T1, le point
commun des résistances R3 et R4 ;
• on laisse le point ainsi déconnecté en l’air.
Le schéma du circuit correspondant et son modèle équivalent en régime
dynamique petits signaux sont donnés à la figure 7.6.
+ VCC

RE CD
RB
T2
T1
CL

VE(t) + R3 VS
R3 R4 RC
-
R4

a
R’C
h11
ib1
ib1
ib2
ib1 VS
RB ib2
VE(t) ie
+ h11 RC RS
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- Rp

b
Figure 7.6 a) La boucle ouverte : schéma circuit du régime dynamique.
b) La boucle ouverte : schéma équivalent en régime dynamique petits signaux.
L’amplificateur en boucle ouverte qui vient d’être défini par cette méthode
possède évidemment un gain différent de celui de l’amplificateur originel
représenté à la figure 7.3.
192 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

Dans la mesure où les éléments résistifs du réseau de réaction originel susceptibles


de modifier les performances de l’amplificateur ont été «  intégrés  » dans ce
dernier, le réseau de réaction est modélisé par des éléments idéaux (figure 7.7),
c’est-à-dire par :
• une impédance d’entrée infinie, coté sortie de l’amplificateur ;
• une source de tension contrôlée par la tension de sortie, côté entrée de
l’amplificateur.

+
VR .VS VS
- Figure 7.7

Sortie
Entrée amplificateur
amplificateur

Le réseau de réaction n’a pas de réalité circuit.


2.1.3. Calcul du gain en boucle ouverte
Les relations utiles concernant ce circuit sont données ci-dessous :
VS = –βR’C iB2 = β2R’C iB1
VE = (h11 + (β + 1)RP)iB1
D’où la valeur littérale du gain :
N’
G’0 =
D
Avec :
N’ = β2R’C D = h11 + (β + 1)RP
Application numérique :
L’application numérique conduit à la valeur du gain en boucle ouverte  :
G’0 = 55,215.
2.1.4. Calcul du gain en boucle fermée
L’expression du gain en boucle fermée G2 est la suivante :
G’0
G2 =
1 + B G’0
Le terme B représente la fonction de transfert du réseau de réaction (notation
habituellement utilisée dans la théorie de la réaction : β). Avec les notations du
problème : B ≡ k.
Par suite, le gain de boucle est donné par : B G0 = 11,665.
La valeur du gain en boucle fermée est donc : G2 ≈ 4,36.
Comme on peut le vérifier, l’erreur relative (à calculer à titre d’exercice) commise
sur le gain en utilisant la méthode simplifiée « contre-réaction » à la place de la
« méthode directe » est très faible. Néanmoins, ce très faible écart ne correspond
pas à une erreur de calcul numérique.
7.1 Le bouclage des amplificateurs 193

Il est facile de le vérifier en comparant les valeurs littérales des inverses des gains
G1 et G2 : elles ne sont pas égales…
2.2. Approche générale
2.2.1. Modélisation
L’amplificateur et le réseau de réaction sont modélisés par deux quadripôles a
priori quelconques. Le premier choix consiste à déterminer le type de quadripôle :
• modèle impédances zij ;
• ou admittance yij ;
• ou modèle hybride direct hij ou inverse gij.
Comme nous l’avons vu au paragraphe 7.1.3, il existe quatre types de contre-
réactions, à savoir :
• la contre-réaction de tension série ;
• la réaction parallèle ;
• la réaction de courant à entrée série ;
• la réaction de courant à entrée parallèle.
Si le prélèvement, ou le retour, de l’information s’effectue sous forme série, les
circuits associés à l’amplificateur et au réseau de réaction sont traversés par le
même courant. Par suite, il est intéressant d’utiliser comme modèle un générateur
de type série.
Si le prélèvement, ou le retour, de l’information s’effectue sous forme parallèle,
c’est une représentation des circuits sous forme de générateur parallèle qui est
la plus intéressante car l’amplificateur et le réseau de réaction sont soumis à la
même tension.
Par suite, le modèle naturel du réseau de retour de la réaction courant à entrée
série est un modèle impédance. De même, le modèle naturel du réseau de retour
de la réaction parallèle est un modèle admittance.
Les modèles de réaction bien adaptés à la contre-réaction de tension série et à
la réaction de courant à entrée série sont les modèles hybrides direct et inverse
respectivement.
Il est possible de donner une interprétation circuit simple des schémas des
figures 7.2a et b.
• La maille d’entrée (h11, h12) du quadripôle de réaction n’est rien d’autre que le
modèle du circuit, déterminé par le théorème de Thévenin, vu des bornes de retour,
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en « regardant » l’entrée du réseau de réaction, c’est-à-dire la sortie du PA.


• La maille de sortie (h21, h22) du quadripôle de retour n’est rien d’autre que le
modèle du circuit, déterminé par le théorème de Norton ,vu des bornes de sortie
de l’amplificateur, en regardant la sortie du réseau de réaction, c’est-à-dire l’en-
trée du PA.
Pour pouvoir obtenir un schéma deux blocs, il faut que le paramètre h21 du
quadripôle de réaction soit tel que :
h21 = 0
Il ne doit donc pas y avoir de transfert d’énergie de l’entrée sur la sortie par le
quadripôle de réaction (quadripôle unilatéral).
194 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

2.2.2. Le réseau de réaction


Le réseau de réaction est rappelé à la figure 7.8a avec les conventions habituelles des
quadripôles. Rappelons les relations entrée/sortie du modèle hydride (figure 7.8b) :
V1 = h11 i1 + h12 V2
i2 = h21 i1 + h22 V2

R4 h11

i1 i2 i1 i2
h21.i1
V1 +
V2 V1 h12.V2 1/h22 V2
R3
-

a b
Figure 7.8 a) Le réseau de réaction. b) Le modèle hybride.

Le calcul des paramètres hij en fonction des résistances R3 et R4 est classique. Les
paramètres h11 et h21 sont calculés avec sortie en court-circuit, tandis que les
paramètres h12 et h22 sont calculés avec entrée ouverte.
R4 R4

i1 i2 i2
V1 V1 V2
R3 R3

a b
Figure 7.9 a) Schéma vu de l’entrée avec sortie en court-circuit.
b) Schéma vu de la sortie avec entrée ouverte.
• Sortie en court-circuit :
–– Calcul de h11 :
V R3 R4 R3 R4
h11 = 1 V1   = i1 h11 =
i1 R3 + R4 R3 + R4

–– Calcul de h21 :
i R3 R4 − R3
h21 = 2 V1   = i1 = − R4i2 h21 =
i1 R3 + R4 R3 + R4
• Entrée ouverte :
–– Calcul de h12 :
V1 R3 R3
h12 = V1   = V2 h12 =
V2 R3 + R4 R3 + R4
7.1 Le bouclage des amplificateurs 195

–– Calcul de h22 :
i2 1
h22 = V2   = ( R3 + R4 ) i2 h22 =
V2 R3 + R4
On remarque que la méthode de découplage simplifiée amplificateur / réseau
de réaction n’est rien d’autre que la méthode de détermination des paramètres
hij, complétée de la bonne hypothèse, à savoir h21 = 0. Cette méthode permet de
ramener les éléments de la boucle de réaction respectivement à l’entrée et en
sortie du PA.
Les paramètres du modèle hybride équivalent au réseau de réaction sont tels
que :
h11 = 1,183 kΩ   h12 = –h21 = 0,21126
h21 = –0,21126   1/h22 = 7,1 kΩ
La condition d’unilatéralité du quadripôle de retour h21 = 0 n’est donc pas
vérifiée. Par suite, on ne peut compléter le circuit de charge de l’amplificateur en
boucle ouverte par le schéma simplifié de la figure 7.9b car la décomposition de
l’amplificateur original en deux blocs indépendants par la méthode traditionnelle
n’est pas valable théoriquement. Il est nécessaire de disposer en parallèle sur
la sortie de l’amplificateur la charge supplémentaire, déduite du modèle hybride
(figure 7.10), ou de ses variantes (figures 7.11b, c et d).

i2

–R3.iE1 R3 + R4 V2
R3 + R4

Figure 7.10 Charge introduite par le réseau de réaction.

Une autre approche, à savoir l’approche circuit, permet de déterminer le circuit


de charge supplémentaire de l’amplificateur introduit par la contre-réaction. Il
suffit d’appliquer le théorème de Thévenin en sortie de l’amplificateur bouclé
(figure 7.11a) et de déterminer le générateur équivalent correspondant à la partie
« entrée » (figures 7.11c et d).
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L’application du théorème de Thévenin implique (figure 7.11b) :


• le calcul de la tension à vide en fonction de l’excitation iE1, soit : R3 iE1 ;
• le calcul de la résistance série avec source d’excitation éteinte, c’est-à-dire source
de courant ouverte, soit R3 + R4.
L’application du théorème de Thévenin aux figures  7.11a ou  b conduit à la
figure 7.11c. Le schéma de la figure 7.11d s’en déduit par le théorème de Norton.
Il est alors possible de calculer le gain de l’amplificateur bouclé.
196 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

T1
Collecteur
R4 CT2
CT2
iE1 R4
iE1 R3
R3

a b

R3 + R4 CT2
+ CT2

R3 iE1 R3.iE1 RS = R3 + R4
-
RS

c d
Figure 7.11 a) Circuit vu de la sortie. b) Modèle vu de la sortie.
c) et d) Charge introduite par le réseau de réaction.
2.3. Modèle d’amplificateur en boucle fermée et calcul des gains
Compte tenu de la question 2.2.2, les schémas circuit et dynamique petits signaux
valables en boucle fermée sont donnés en figure 7.12.
iB1 R’
+ VCC
RE
RB CD h11
T2 iB1 iB2 R3.iE1
CL T1
VS
RB RS
VE(t) + + h11 RC RS
VS VE(t) Rp
RS
- R3 R4 RC - iB2
+ ++
+ R3 iE1 VR
k.VS
R3.VS -
-
R3+R4 -

a b

Figure 7.12 a) Schéma circuit en boucle fermée régime dynamique.


b) Schéma équivalent en boucle fermée régime dynamique petits signaux.
L’application de la loi de Kirchoff à la maille d’entrée de la figure 7.12b conduit
à :
VE = ε + VR
soit :
VE = ((h11 + (β + 1)RP)iB1 + kVS
7.1 Le bouclage des amplificateurs 197

Pour calculer la tension de sortie VS du schéma de la figure 7.12b, il est intéressant


d’utiliser le théorème de superposition. Nous avons ainsi deux états à traiter :
iE1 = 0 et iB2 ≠ 0
iE1 ≠ 0 et iB2 = 0
Excitation de iB2 avec iE1 = 0 :
Vs2 = –R’C βiB2
iB2 = –β iB1
Excitation de iE1 avec iB2 = 0 :
R3
VS1 = iE1 R’C
RS
iE1 = (β + 1)iB1
d’où :
VS2 = R’C β2iB1
R3
VS1 = R’C ( β + 1) iB1
RS
Finalement :
R3
VS = VS1 + VS2 = R’C β 2iB1 + R’C ( β + 1) iB1
RS
La suite du calcul a déjà été précisée dans la question 1.1  : calcul de iB1 en
fonction de VS, puis report de cette expression dans la relation :
VE = (h11 + (β + 1)RP)iB1 + kVS
Compte tenu de l’identité de ces expressions de VE et VS avec les relations (8)
et (9) déjà déterminées à la question 1.1, cette méthode fournit donc un résultat
identique à la méthode directe et :
G3 ≡ G1
Dans la mesure où l’amplificateur est bouclé, on « peut penser », même si nous
n’avons pas cherché à identifier de façon rigoureuse les deux blocs indépendants
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(à savoir l’amplificateur en boucle ouverte et le réseau de réaction), que la


formule donnant le gain en boucle fermée s’applique. Ainsi, nous pouvons écrire
que le gain G1 est de la forme :
G0
G1 =
1 + B G0

G0 désignant le gain en boucle ouverte du bloc amplificateur.


Par suite :
1 1 + B G0
=
G1 G0
198 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

1 1
= +B
G1 G0
En identifiant cette expression à la formule (10) [question 1.1] et compte tenu
de la notation B ≡ k, il est possible de déterminer le gain en boucle ouverte de
l’amplificateur bien que l’on n’ait pas encore identifié le modèle de l’amplificateur
en boucle ouverte. Ainsi :
N
G0 =
D
Avec :
R3
N = β 2 R’C + ( β + 1) R’C
RS
D = h11 + (β + 1)RP
Par rapport au gain en boucle ouverte obtenu via la méthode simplifiée
traditionnelle (cf. question 2.1.3), on constate que les erreurs, absolue et
relative, commises sur le gain en boucle ouverte par la méthode simplifiée sont
telles que :
N ’’
∆G0 = G0 – G’0 =
D
∆G0 N ’’
=
G0 N
Avec :
R3
N ’’ = ( β + 1) R’C
RS
L’erreur relative commise sur le gain en boucle ouverte est très faible (faire
l’application numérique). Compte tenu des propriétés du gain d’un amplificateur
bouclé, son influence sur le gain de l’amplificateur bouclé sera encore plus faible
puisqu’elle sera divisée par le gain de boucle (1 + B G0).
2.2.4. Le modèle deux blocs
Ainsi, les questions 2.2.1, 2.2.2 et 2.2.3 montrent que l’amplificateur bouclé originel
peut effectivement se décomposer en deux quadripôles indépendants (cf. figure 7.13) :
• un amplificateur en boucle ouverte, de gain G0 = VS/ε incluant les effets de charge
du réseau de réaction sur l’entrée (résistance série RP) et sur la sortie (résistance
parallèle RS et source de courant (R3/RS)iE1) ;
• un réseau de réaction de fonction de transfert β modélisé par une source de
tension contrôlée côté entrée de l’amplificateur et une impédance d’entrée infinie
pour le prélèvement de la tension de sortie.
7.2 La réaction de tension série 199

R’C
h11
iB2
ib1 R3.iE1
iB1 RS
RC RS
h11
VE (t) + Rp
VS
-
+
VR k.VS VS
-

Figure 7.13 Le modèle 2 blocs de l’amplificateur.

7.2 LA RÉACTION DE TENSION SÉRIE


7.2.1 Principe
Ce bouclage se caractérise par le prélèvement, sous forme parallèle, de l’image de la
tension de sortie, la grandeur injectée à l’entrée étant également une tension qui se trou-
vera en série avec la tension d’entrée de l’amplificateur originel. Différents schémas
(figures 7.14a et b) sont possibles selon le type de représentation utilisée : représen-
tation fonctionnelle, modèle circuit, représentation avec amplificateur opérationnel…
Quel que soit le schéma utilisé, il y a trois éléments structurels importants : l’ampli-
ficateur en boucle ouverte, l’amplificateur en boucle fermée et le circuit de réaction
qui peut être constitué d’éléments linéaires et/ou non linéaires.
L’amplificateur en boucle ouverte est caractérisé par les grandeurs suivantes : sa
tension d’entrée VE, sa tension de sortie VS, et son gain G0.
L’amplificateur en boucle fermée est caractérisé par les grandeurs suivantes : tension
d’entrée VE, tension de sortie VS, gain G.

VE zS
ε = VE –VR VS
+ G0 VE ε zE +
G0 . ε

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– Z2
VS

VR = β . VS Z1
VR = β . VS
a b

Figure 7.14 a) La contre-réaction de tension série : représentation par schéma


bloc. b) La contre-réaction de tension : modèle circuit série.

La fonction de transfert de la boucle de réaction, définie par (VR/VS), est telle que
β = VR VS .
200 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

Un paramètre critique conditionne l’ensemble des propriétés de l’amplificateur en


boucle fermée : il s’agit du gain de boucle défini par le rapport VR/e(=bG0).
Lorsqu’on travaille en régime sinusoïdal, ne pas oublier  que  le gain en boucle
ouverte G0, la fonction de transfert du réseau de réaction β et, par conséquent, le
gain de boucle β. G0 sont des fonctions de la variable complexe jω. Ces différents
paramètres sont donc caractérisés par deux paramètres dépendant de la fréquence, à
savoir le module et la phase.

7.2.2 Influence sur les paramètres caractéristiques


a) Le gain en boucle fermée
Calcul du gain
Le calcul du gain en boucle fermée peut être réalisé à partir des relations suivantes :
e = VE − VR avec VR = β·VS et VS = G0·e.
En éliminant e entre ces deux relations, il vient finalement pour valeur du gain en
boucle fermée :
G0
G=
1 + β G0

Les différents modes de fonctionnement de l’amplificateur en boucle fermée


Si β·G0 > 1 : alors G < G0
Il y a effectivement contre-réaction et l’amplificateur en BF fonctionne en régime
linéaire avec une dynamique de fonctionnement plus importante que celui de l’am-
plificateur originel.
• − 1 < β⋅G0 < 0 : G > G0
Il y a une réaction positive et le gain de l’amplificateur en boucle fermée devient
supérieur au gain en boucle ouverte. L’amplificateur en BF continue de fonctionner
en régime linéaire, mais sa zone de fonctionnement linéaire est plus faible mainte-
nant que celle de l’amplificateur originel.
• β⋅G0 = −1 : G → +∞
L’amplificateur en BF est à la limite du fonctionnement en régime linéaire. Il suffit
d’une tension infiniment « petite » à l’entrée pour que sa tension de sortie tende vers
l’infini. Cette propriété est mise en œuvre pour la réalisation des oscillateurs. Mais
un gain infini ne permet pas, du fait de l’extrême sensibilité à la tension d’entrée,
de réaliser des oscillateurs sinusoïdaux dont l’amplitude soit stable. Ceux-ci doivent
nécessairement disposer d’une boucle de régulation qui doit, dès que les oscillations
sinusoïdales prennent naissance, réduire le gain à une valeur convenable pour éviter
de saturer l’amplificateur.
• β⋅G0 < −1
L’amplificateur ne fonctionne plus en régime linéaire. Il se comporte alors comme un
comparateur à hystérésis ou trigger de Schmitt.
7.2 La réaction de tension série 201

b) Propriétés générales de la contre-réaction


Le gain en boucle fermée
Rappelons que le gain en boucle fermée est donné par la formule :
G0 1  β G0 
G= = 
1 + β G0 β  1 + β G0 
1  β G0 
Posons : GI = alors G = GI  .
β  1 + β G0 
Lorsque β ⋅ G0 >> 1, alors G ≈ GI = 1/β.
La condition β⋅G0 >> 1 peut encore s’écrire G0/GI >> 1, GI désignant le gain idéal
en boucle fermée. Cette condition, qui implique GI ≈ 1/β, est encore équivalente à
e = VE − VR = 0.
Le gain de l’amplificateur en BF est alors indépendant du gain de l’amplificateur en
BO : il ne dépend que de la fonction de transfert du réseau de réaction.
La fonction GI est en général imposée par les contraintes du circuit. Il faut tenir
compte de l’influence de la fréquence car le gain G0 tend nécessairement vers zéro
aux fréquences élevées. Il faut donc veiller que la condition G0/GI >> 1 soit vérifiée
à toutes les fréquences pour pouvoir supposer que le gain en gain fermé reste égal à
la valeur du gain idéal.
Par ailleurs, la stabilité du gain en boucle fermée G est également directement dépen-
dante du gain de boucle β⋅G0. En effet en prenant la différentielle logarithmique de
l’expression du gain G et en passant de la notation différentielle aux petites varia-
tions, nous obtenons :
∆G ∆G0  1 
=
G G0  1 + β .G0 

Une fois de plus, c’est la valeur du terme 1 + β⋅G0 qui détermine la stabilité du gain
en boucle fermée.
A contrario la sensibilité du gain en boucle fermée aux variations de β est très grande.
En effet :
∆G ∆β  β G0 
=
G β  1 + β G0 
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La réaction est donc totalement inefficace par rapport aux variations de β.

La bande passante
Dans le cas général, si l’on s’intéresse à la bande passante d’un amplificateur en
boucle fermée soumis à une contre-réaction, deux cas sont possibles :
Lorsque β⋅G0 >> 1, nous avons vu que G = GI : par suite les caractéristiques gain/
fréquence sont complètement définies par le réseau de réaction.
Lorsque : 0 < β⋅G0 << 1, G ≈ G0 : les caractéristiques gain/fréquence en boucle
fermée sont alors identiques aux caractéristiques en boucle ouverte.
202 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

Application  : Le gain en boucle ouverte G des amplificateurs − définis par une


réponse du premier ordre − est donné par :
G0
G=
ω
1+ j
ω0
Le terme G0 désigne le gain statique ou continu.
Le produit gain bande passante à – 3 dB en boucle ouverte est égal à : ω0·G0
Ce type de gain en boucle ouverte correspond au cas usuel des amplificateurs opéra-
tionnels dits compensés. L’application de l’expression générale du gain en boucle
fermée conduit à la formule finale suivante :
GF
G=
ω
1+ j
ωF
G = G0
 F 1 + βG
avec   0
ω = ω (1 + β G )
F 0 0

La nouvelle fréquence de coupure en boucle fermée est donc telle que :


G
ω F = ω 0 (1 + β .G0 ) = ω 0 (1 + 0 )
GI
L’augmentation de la bande passante est donc proportionnelle au rapport du gain
statique (ω = 0) de l’amplificateur en boucle ouverte sur la valeur idéale du gain
en boucle fermée. À titre d’exemple dans les amplificateurs opérationnels, le gain
statique est égal à G0 = 105, en supposant GI = 10, la bande passante originelle est
donc multipliée par 104.
Par contre, le produit gain/bande passant à – 3 dB n’est pas amélioré dans la contre-
réaction car :
 G0 
ω F .GF = ω 0 .(1 + β G0 )   = ω 0 .G0 .
 1 + β .G0 

Gains dB
G0
100

80
Figure 7.15 Variation
60 des gains en fonction
40 de la fréquence.
(1 + β . G0)dB
GF
20
ω0 ωF ω
10 102 103 104 105 106 107
7.2 La réaction de tension série 203

Les courbes de la figure 7.15 illustrent ces conclusions. Pour la fréquence particu-


lière correspondant à β⋅G0 = 0, soit 20 log(1 + β⋅G0) = 0, le gain de boucle devient
nul. Pour les fréquences supérieures, le gain en boucle ouverte et le gain en boucle
fermée (courbe en pointillé) chutent de la même façon.
L’impédance d’entrée
Soit ze la valeur de l’impédance d’entrée de l’amplificateur en boucle ouverte définie
ε
par z E = .
i

ze VE Ze = ze .(1+ G0)

Schéma en boucle ouverte Schéma en boucle fermée


Figure 7.16 Influence de la contre-réaction de tension série
sur l’impédance d’entrée.

L’impédance en boucle fermée est définie quant à elle par ZE. Par suite :
V ε V
ZE = E = . E
i i ε
Or : e = VE − β·VS = VE − β·G0.e.
Donc : VE = e (1 + β·G0).
Finalement : Z E = z E ⋅ (1 + β ⋅ G0 ) ≈ z E ⋅ β ⋅ G0 si (1 + β ⋅ G0 ) ≈ β ⋅ G0 .
Dans la mesure où β·G0 >> 1, la résistance d’entrée en BF est simplement multipliée
par le gain de boucle.
La contre-réaction de tension accroît donc très fortement la résistance d’entrée de
l’amplificateur : l’entrée de l’amplificateur se rapproche d’un circuit à impédance
d’entrée élevée caractéristique d’un amplificateur de tension.
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c) L’impédance de sortie
Soit zS la valeur de la résistance de sortie de l’amplificateur en boucle ouverte.
Pour calculer la résistance de sortie de l’amplificateur en boucle fermée, nous
utilisons la méthode générale explicitée dans le chapitre 3 et brièvement rappelée
ci-dessous :
• on éteint la source d’excitation indépendante VE ;
• on branche en sortie une source de tension E0 qui va ré-exciter l’amplificateur et
entraîner via le bouclage de l’amplificateur la création d’une tension d’entrée et
par suite d’une tension en sortie de l’amplificateur et d’un courant de sortie I0 ;
204 Chap. 7. Bouclage et ­techniques de réaction des amplificateurs

E0
• par définition, la valeur de l’impédance de sortie est définie par : Z S = .
I0
VE I0
= – Va zS VS
+
– –G0 . VR
+
E0

VR = β . VS

Figure 7.17 Détermination de l’impédance de sortie en Boucle fermée.


Modèle par schémas blocs.

L’application de la loi des mailles en sortie conduit à l’expression suivante :


E0 = zS·I0 + VS
Or VS = G0·e et e = VE − β·VS = −β·VS = −β.E0
car VE = 0 (extinction de la source indépendante) et VS ≡ E0.
Nous avons donc : E0 = zS·I0 + VS = zS·I0 − β·G0·E0.
zS zS
Finalement : ZS = ≈ .
1 + β ⋅ G0 β ⋅ G0
Dans la mesure où β·G0 >> 1, la résistance de l’amplificateur en boucle fermée est
simplement divisée par le gain de boucle.
La contre-réaction de tension diminue donc très fortement la résistance de sortie de
l’amplificateur : l’amplificateur « se rapproche » d’une source de tension.

d) Stabilité d’un amplificateur


Condition de stabilité
Il résulte, comme nous l’avons vu lors de l’étude de l’influence du gain de boucle sur
la valeur du gain en boucle fermée que la condition limite du régime linéaire, défini
par un gain infini correspond aux conditions suivantes :
||(β(ω0)·G0(ω0)|| = 1 et arg [β(ω0)·G0(ω0)] = − π
Par suite, un amplificateur bouclé sera stable s’il satisfait aux conditions suivantes :
||(β(ω)·G0(ω))|| < 1 lorsque arg [β(ω)·G0(ω))] = − π.
Concrètement, cette condition signifie que la tension de retour VR d’un amplificateur
bouclé excité par une tension sinusoïdale est en phase avec la tension mais que son
module reste inférieur au module de la tension initiale appliquée à l’amplificateur :
il n’y a donc aucun effet cumulatif.

Marges de stabilité
Il ne