UNIVERSIDADE FEDERAL DE SÃO CARLOS

CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLÓGICAS

DEPARTAMENTO DE QUÍMICA

Métodos de Caracterização de Sólidos

Microscopia Eletrônica de Varredura

Acadêmica: Diego David da Silva

Professor: Edson Roberto Leite

São Carlos
Dezembro de 2013
 1. INTRODUÇÃO

Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV)

O microscópio eletrônico de varredura é geralmente utilizado para observações
de amostras espessas, ou seja, basicamente não transparentes a elétrons. A razão
principal quanto à sua utilização deve-se à alta resolução que pode ser atingida,
geralmente na ordem de 3,0 nm. As principais vantagens de um MEV em relação a um
microscópio óptico são a resolução e a profundidade de foco. O MEV apresenta uma
resolução de cerca de 0,003 µm, enquanto que a de um microscópio óptico é de cerca de
0,1 µm; esse aumento na resolução permite que se obtenham aumentos de até 300.000
vezes. Quanto à grande profundidade de foco, pode-se dizer que a mesma é cerca de
300 vezes melhor que a àquela encontrada para o microscópio óptico, o que resulta em
imagens com aspecto tridimensional.
Algumas informações podem ser coletadas a partir da utilização desta técnica
(MEV). A topografia é obtida a partir da utilização de elétrons de baixa energia (na
ordem de 50 eV), enquanto a utilização de elétrons de alta energia (BSE) resultam em
dados sobre número atômico ou orientação.
O equipamento para a realização de MEV é composto basicamente por alguns
dispositivos, tais como: coluna óptico-eletrônica, câmara para a amostra, sistema de
vácuo, controle eletrônico e sistema de imagem. As imagens são formadas ponto a
ponto a partir do momento que um feixe de elétrons de alta energia é focalizado em um
ponto da amostra. Esta interação causa emissão de elétrons com grande espalhamento
de energia, os quais são coletados e amplificados para fornecer um sinal elétrico. Este
sinal é utilizado na modulação da intensidade de um feixe de elétrons em um tubo de
raios catódicos. Para a construção completa da imagem, o feixe de elétrons é varrido
sobre uma área da superfície da amostra enquanto um que feixe do tubo de raios
catódicos é varrido de forma sincronizada sobre um rastro geometricamente similar.
Existem vários métodos de operação em um equipamento de MEV que
dependem do tipo de informação desejada. Caso seja necessária a obtenção de imagens
de grande profundidade de campo, deve-se usar um pequeno ângulo de convergência, de
forma que diferentes alturas em uma superfície irregular estejam todas em foco. Isto
pode obtido a partir da utilização de uma objetiva pequena ou então, uma grande
distância de trabalho. Entretanto, quando faz-se necessário o uso de microanálise por
raios-X, devem ser usadas correntes de feixe de pelo menos 10-10 A para EDX e pelo
menos 10-8 para WDS (Wavelength Dispersive Spectroscopy).
Quando uma corrente mais alta é aplicada ocorre a redução do ruído da imagem.
Isto pode ser obtido pelo ajuste das lentes e consequentemente o diâmetro do feixe é
aumentado, o que pode gerar um comprometimento da resolução espacial na imagem de
elétrons. Portanto existe uma necessidade de encontrar uma relação entre uma boa taxa
de contagem, imagens de baixo ruído e a capacidade para visualização de detalhes finos
na amostra. O tamanho de feixe e a distância de trabalho devem ser pequenos para a
obtenção de imagens de elétrons secundários de alta resolução. Estes parâmetros podem
se obtidos através de uma forte polarização das lentes condensadora e objetiva.
Entretanto ocorrerá a limitação da corrente do feixe, e assim as imagens podem parecer
ruidosas.
A geração do feixe de elétrons ocorre pela passagem de corrente no filamento
(tungstênio, LaB6, ou CeB6 como materiais de catodo) e aplicação de uma diferença de
potencial entre catodo e anodo (0,3 a 30 keV) para a aceleração dos elétrons em direção
ao anodo. Para a correção do percurso dos feixes é necessário a utilização de lentes
condensadoras, as quais podem alinhar os feixes em direção à abertura da lente objetiva.
Esta ajusta o foco dos feixes de elétrons. Os elétrons que conseguem passar por uma
fenda colocada na trajetória dos mesmos podem alcançar a superfície da amostra a ser
analisada.
O feixe de elétrons é submetido a bobinas defletoras e percorrem uma varredura
pequena sobre a região da amostra. Então ocorre emissão de elétrons e os mesmos são
coletados por detectores e transformados em sinais de imagem. Vários tipos de sinais
podem ser emitidos e aquele referente aos elétrons secundários é um dos mais
utilizados. Estes elétrons são captados por um detector cuja resposta modula o brilho de
um tubo de raios catódicos, e que é varrido em sincronismo com um feixe eletrônico.
Portanto, para cada ponto da amostra, existe o seu correspondente como ponto na tela
do aparelho do sistema de detecção.
Assim, pode-se dizer que a formação da imagem deve-se a obtenção do sinal na
varredura eletrônica de uma superfície e pode representar diferentes características. A
imagem é resultado da amplificação de um sinal obtido de uma interação entre o feixe
eletrônico e o material da amostra.
O feixe de elétrons interage com a região de incidência da amostra até uma certa
profundidade, a qual que pode variar de aproximadamente 0,5 a 2 µm, o que pode variar
de acordo com a natureza da amostra e da energia (diferença de potencial) aplicada para
a aceleração dos elétrons. Esta região é conhecida por volume de interação (Figura 2), o
qual gera os sinais que são detectados e utilizados para a formação da imagem e para
microanálise.

Figura 1 – Volume de interação dos feixes de elétrons obtidos no interior da amostra.

A resolução é dependente do tipo de sinal utilizado. Um dos sinais mais comuns

é aqueles relacionados aos elétrons secundários, os quais conferem uma melhor
resolução espacial e informações sobre a topografia da amostra. Outro sinal muito
comum é aquele referente aos elétrons retroespalhados, os quais possuem energia
praticamente igual à do feixe incidente. Este tipo de sinal apresenta informações sobre a
composição química, pois ocorre um contraste entre os elementos de maior e menor
número atômico, pois quanto maior for o número atômico, mais elétrons serão
retroespalhados e mais clara será a imagem, quando comparada aos elementos de
menores números atômicos.
A geração de elétrons secundários e retroespalhados estão relacionados à forma
na qual ocorrem os espalhamentos de elétrons durante o processo de excitação da
amostra pelo feixe de elétrons incididos.
 Os espalhamentos elásticos de elétrons são gerados quando o feixe choca-se com
o núcleo do átomo, e ocorre uma considerável mudança da direção do elétron, porém
não há perda de energia ou a perda não é significativa. Este processo está relacionado
aos elétrons retroespalhados e nas análises, o detector é representado pela sigla VCD.
Os espalhamentos inelásticos ocorrem quando há o choque entre o feixe e os
elétrons do átomo. Após este choque, uma pequena variação na direção do elétron é
observada ao mesmo tempo em que ocorre uma perda energética razoável. Este
fenômeno é referente aos elétrons secundários. O detector neste caso é representado
pela sigla ETD.

Figura 2 - Interações entre o feixe de elétrons e a amostra: a) espalhamento

elástico; b) espalhamento inelástico.

A Figura 3 apresenta um esquema de como seria a trajetória dos elétrons

refletidos. Nas análises realizadas para este relatório foram utilizados dois tipos de
detectores: VTD para BSE (backscattered electrons – elétrons retroespalhados) e ETD
para SE (secondary electrons – elétrons secundários).
Figura 3 - Trajetória dos elétrons refletidos.
 2. OBJETIVOS

Avaliar quais são os efeitos observados durante a obtenção das imagens de

microscopias quando alguns parâmetros são alterados, como a aceleração, spot size,
bem como quais informações podem ser obtidas quando são utilizados detectores
diferentes.

3. METODOLOGIA

As imagens foram obtidas através de uma placa de aço inoxidável AISI 304
polida eletroquimicamente em soluções ácidas concentradas de H3PO4 e H2SO4 2:1
contendo 15% de glicerol a 30 °C. A placa metálica foi limpa em solução de
isopropanol por 10 minutos em um aparelho de ultrassom. As micrografias foram
registradas utilizando-se o equipamento com a seguinte descrição: FEG-SEM-FEI
Inspect F50, FEI Company, Hillsboro, Oregon).
O aço inoxidável utilizado para a obtenção das micrografias foi o AISI 304 e
apresenta a seguinte composição:

Composição Química (%)

Cmáximo Mnmáximo Simáximo Pmáximo Smáximo Cr Ni Nmáximo
AISI 304 0,08 2,00 1,00 0,045 0,030 18,00 a 20,00 8,00 a 10,50 0,10

O restante da composição do aço inoxidável deve à presença de Fe.

4. RESULTADOS E DISCUSSÕES

As micrografias foram obtidas a partir da variação de alguns parâmetros,

tais como detector, aceleração do feixe de elétrons, spot size e velocidade de
leitura para obtenção da amostra. As primeiras micrografias obtidas para elétrons
retroespalhados, as quais estão representadas a seguir ilustram que o processo de
eletropolimento confere a revelação dos contornos de grão, além de uma
diferenciação de cores entre os mesmo. Esta diferença deve-se a diferentes
orientações cristalográficas dos grãos e pode-se assumir no primeiro momento
que exista apenas a fase austenística em todos os grãos. Durante o processo de
fabricação do aço, os grãos cresceram em direções diferentes e esta diferença
fica evidenciada nas distintas cores entre os grãos. Essa diferença de cores deve-
se ao pleocroísmo, o qual é uma propriedade óptica de uma espécie anisotrópica
que apresenta absorção da radiação de diferentes comprimentos de onda segundo
direções cristalográfica diferentes. As regiões mais claras provavelmente se
devem ao fato de que as mesmas são formadas por elementos com pesos
atômicos inferiores aos de sua vizinhança. A região não eletropolida revela
apenas os contornos de grão, os quais são identificados pelas linhas escuras. A
diferença de cores para esta região não eletropolida deve-se à diferença de
composição entre os contornos de grão e a interior dos mesmos. Nos contornos
pode ocorrer a precipitação de carbonetos de cromio devido ao processo de
aquecimento por um determinado tempo (sensitização) do aço inoxidável na
faixa de 450 a 750 oC. A região mais clara (cinza) no interior dos grãos deve-se à
formação de forma espontânea de um filme passivante de Cr2O3 sobre a
superfície do aço inoxidável. Este filme formado é responsável pela proteção
contra a corrosão.
 Não Eletropolido Eletropolido

Figura 4 – Regiões não eletropolidas e polidas para eletrons retroespalhados.

As micrografias para elétrons retroespalhados a seguir ilustram a diferença

encontrada quando ocorre a variação da velocidade de leitura do sinal pelo detector.
Assim, quanto maior for a velocidade de leitura do sinal, ou seja, a leitura de cada uma
das linhas for feita de maneira mais acelerada, menor será a quantidade de elétrons
retroespalhados que chegarão ao detector e portanto a distinção entre os grãos será
menos nítida. Pode ocorrer também um maior carregamento restante da amostra, fator
este que fornece maior números de elétrons emitidos, e consequentemente maior
número de elétrons captados pelo detector, tornando o contraste da região muito mais
claro.
Eletropolido – velocidade de leitura maior Eletropolido - velocidade leitura menor

Figura 5 – MEV para elétrons retroespalhados em diferentes velocidades de leitura.

 Nas micrografias a seguir pode-se observar que a mudança de aceleração do
feixe de elétrons provoca diferença entre as imagens obtidas. Assim, o aumento da
aceleração dos elétrons (maior diferença de potencial), as informações obtidas são
decorrentes de regiões mais profundas da região analisada. Alguns contornos de grão
ainda permanecem visíveis em ambas as imagens, porém com uma aceleração menor a
diferença entre as cores dos mesmos é mais destacada. Outro ponto a ser considerado é
aquele referente à presença de corrosão localizada (pites) na superfície, o quais são
destacados por pontos pretos. Conforme ocorre um aumento da aceleração dos feixes de
elétrons, ocorre uma diminuição da quantidade destes pontos, pois os mesmos estão
mais presentes na superfície.

Eletropolido aceleração menor (10,00 kV) Eletropolido aceleração maior (30,00 kV)

Figura 6 – MEV para elétrons retroespalhados para diferentes acelerações.

 Eletropolido: menor spot size (3.5) Eletropolido: maior spot size (4.0)

Figura 7 – MEV para elétrons retroespalhados para diferentes spot size.

 Nas micrografias a seguir para diferentes detectores pode-se observar que há um
efeito de carregamento maior para o detector de elétrons retroespalhados, e na região
mais clara em ambas as imagens é provável que esta parte tenha sido polarizada
negativamente em relação ao restante da amostra, fator este que fornece maior números
de elétrons emitidos, e consequentemente maior número de elétrons captados pelo
detector, tornando o contraste da região mais clara. Podemos destacar que o detector de
elétrons retroespalhados ilustra como são as orientações cristalográficas dos grãos após
o crescimento dos mesmos. O detector para elétrons secundários recebe informações de
elétrons provenientes de regiões mais superficies e mostram uma topografia
praticamente constante (lisa) após o processo de eletropolimento. Neste caso, apenas
alguns pontos de corrosão localizada pites podem ser observados.

Eletropolido – elétrons secundários Eletropolido – elétrons retroespalhados

Figura 8 – MEV para elétrons secundários e retroespalhados.

 As micrografias para elétrons secundários a seguir mostram a diferença quando
ocorre a variação da aceleração (diferença de potencial). Pode ser observado, conforme
explicado anteriormente, que ocorre uma análise mais profunda da região quando a
aceleração é aumentada. Assim, como ambas as imagens mostram superfícies
eletropolidas e lisas, a diferença mais evidenciada é quanto a profundidade da região
corroída localmente (pites). Esta região corroída será menos perceptível quando a
aceleração for aumentada, pois a corrosão é mais pronunciada superficialmente e
conforme a aceleração cresce, menos pontos menos serão visíveis ao longo da
profundidade da amostra polida.

Eletropolido – elétrons secundários Eletropolido – elétrons secundários

Figura 9 – MEV para elétrons secundários para diferentes acelerações.

 5. CONCLUSÃO

Conclui-se que a microscopia de varredura eletrônica é um meio eficiente de

análise de superfície podendo também gerar resultados sobre a análise química da
amostra, e com a grande vantagem de não se ter nenhum ou pouco trabalho na
preparação da amostra.

6. BIBLIOGRAFIA

1-FAHLMAN, B. D. Materials Chemistry.2 ed. Springer: New York, 2011.

2 - CALISTER, W. D., Materials Science and Engineering: An Introduction, Ed. 5,

John Wiley: New York, 2000.

3- DEDAVID, B. A., GOMES, C. I., MACHADO, G.Microscopia Eletrônica de

Varredura: Aplicações e preparação de amostras: Materiais Poliméricos, metálicos e
semicondutores. EDIPUCRS: Porto Alegre, 2007.