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Deposición química asistida por láser LCVD

Introducción a CVD

La Deposición Química de Vapor o CVD (de sus siglas en inglés Chemical Vapor Deposition) es un
proceso químico utilizado para producir productos de alta pureza y de alto rendimiento de
materiales sólidos. El proceso se utiliza a menudo en la industria de semiconductores para
producir películas delgadas. En un proceso CVD estándar el sustrato (oblea) se expone a uno o más
precursores volátiles, que reaccionan o se descomponen en la superficie del sustrato para producir
el depósito deseado. Con frecuencia, también se producen subproductos volátiles, que son
eliminados por medio de un flujo de gas que pasa a través de la cámara de reacción.1

Tecnica LCVD

La técnica LCVD consiste en crear la energía no térmica necesaria y acoplarla al gas a partir del cual
se sinteriza el material. Por tanto las reacciones químicas que tienen lugar en la fase gaseosa o en
la superficie están fuertemente determinadas por las características del plasma y del laser
utilizados.

En los procesos de LCVD, la radiación láser es absorbida (mediante procesos que implican uno o
varios fotones) por atomos y/o moléculas de los gases precursores. Estos procesos de foto-
absorcion dan lugar, dependiendo de la energía de los atomos, a la exitacion, ionización, y/o
disociacion de las especies gaseosas. Así los productos altamente exitados a través de estos
procesos pueden reaccionar químicamente (de forma muy eficaz) con otras superficies presentes
en el gas o bien pueden condensarce sobre la superficie del sustrato.2

Tecnicas de deposición asistida por laser FOTO-CVD O LÁSER CVD

En las técnicas de foto-CVD o de láser-CVD la activasion de las moléculas de reacción se basa en la


transferncia de energía bien sea de un haz de luz de una lámpara o de un laser, respectivamente.

Modos de activasion

1
https://es.wikipedia.org/wiki/Deposici%C3%B3n_qu%C3%ADmica_de_vapor
2
Láminas delgadas y recubrimientos: preparación, propiedades y aplicaciones editado por José María
Albella Martín disponible en- books.google.com.co/book
En el caso particular de utilización de radiación láser, la activasion puede hacerse de tres modos
diferentes que implican distintos mecanismos fisicoquímicos:

 Pirolisis
En este caso se focaliza el haz sobre el sustrato en donde este se calienta en una área
aproximadamente igual a la sección del haz. El calentamiento favorece un gran número de
procesos tales como la transferencia de energía desde los electrones calientes ,
recombinaciones no radiactivas y exitacciones vibracionales. Los gases reactivos que se
encuentran en las proximidades de la zona caliente sufren un proceso de descomposición
semejante al que ocurre en un proceso CVD convencional. La longitud de onde del laser se
elige de modo que los gases reactivos sean transparentes para la luz laser, con objeto de
que esta slo sea absorbida por el sustrato.

 Evaporacion
En este caso el flujo de fotones provenientes del láser se focaliza sobre un blanco solido
que esta situado próximo al sustrato. De forma parecida a lo que sucede en la evaporación
convensional o en sputtering, el láser arranca átomos del blanco que posteriormente se
mueven hacia el sustrato. Se forma asi un plasma muy energético en las proximidades del
blanco compuesto por especies exitadas de energía muy alta. Las capas obtenidas en este
método suelen ser muy densas y además mantienen la composición del blanco. Esta
técnica también conocida con el nombre de “ablación láser”,
 Fotólisis
En este caso, la luz del láser es absorbida por parte de los gases reaccionantes mediante
procesos en los que están implicados uno o varios fotones. La absorción deja a las
moléculas en un estado excitado que, si supera el límite de disociación, puede producir la
fragmentación de la molécula. Los productos de esta foto-disociación pueden o bien
reaccionar químicamente con otras especies o bien condensarse sobre las superficies. Este
tipo de proceso LCVD permite obtener película uniformes sobre áreas extensas (de hasta
10 cm2).
En general en un proceso de CVD asistido por laser puede darce alguno de los mecanismos
anteriores o una mezcla de todos. En técnicas de foto-CVD los fotones se utilizan para
disociar moléculas y/o exictar atomos en fase gaseosa o sobre una superficie con objeto
de formar un recubrimiento, sin que se produzca un aumento siginicativo de la energía
térmica de las especies reactivas o de la superficie. Esto implica que los fotones son de alta
energía, típicamente, en el rango ultravioleta y que la superficie a recubrir no absorbe
fotones.
Aunque cada conjunto de reacciones es muy diferente, es posible generar los efectos de
algunas reacciones. Asi la mayoría de los procesos foto-CVD son independientes o poco
dependientes de la temperatura de la superficie. Aumentando la presión parcial de las
especies reactivas aumenta la velocidad de depocision, mientras que si baja la presión
total es común que crezca la velocidad de depocision.

En CVD láser térmico, denominado a veces como pirólisis por láser.

El láser se utiliza para calentar un sustrato que absorbe los fotones láser. Calentamiento por láser
de substratos es un proceso muy localizada y la deposición se produce de forma selectiva sobre las
partes iluminadas de los sustratos. Excepto por el método de calentamiento, CVD láser es idéntica
a la CVD térmica. El método de CVD láser tiene el potencial de ser utilizado para la escritura
directa de características con una resolución relativamente alta. La extensión lateral de
crecimiento de la película cuando el sustrato es iluminado por un láser está determinada no sólo
por el tamaño del punto del láser, sino por la conductividad térmica del sustrato. Una variación de
pirólisis láser utiliza un láser para calentar las moléculas de gas de tal manera que se fragmentan
por procesos térmicos.
Efectos fotoquímicos pueden ser inducidas por un láser si las moléculas precursoras absorben a la
longitud de onda láser. Fotones UV tienen suficiente energía para romper los enlaces en los
precursores químicos. La deposición química asistida por láser CVD (LACVD) utiliza un láser,
normalmente un láser excimer, para proporcionar los fotones de alta energía necesaria para
romper los enlaces en las moléculas precursoras la siguiente imagen muestra dos geometrías para
LACVD. Para la iluminación perpendicular los efectos fotoquímicos generalmente se producen en
la capa adsorbente adsorbe sobre el sustrato. Irradiación Perpendicular a menudo se realiza
usando una lámpara de UV en lugar de un láser de manera que el calentamiento no deseado de
sustrato no es producido por la fuente de luz. La configuración de iluminación paralelo tiene la
ventaja de que los subproductos de reacción se producen más lejos de la superficie de crecimiento
y tienen menos probabilidad de ser incorporado en la película en crecimiento. El principal
beneficio de LACVD es que se requiere casi nada de calor para la deposición de películas de alta
calidad.
Paralelo (a) y perpendicular (b) la irradiación en CVD láser. Adaptado de JG Eden, en la película
fina Procesos II , Eds. JL Vossen y W. Kern, Academic Press, Nueva York (1991).

Una aplicación de la fotólisis láser es photonucleation. Photonucleation es el proceso por el cual


una capa adsorbente quimiosorbida de precursores metálicos se fotolizó por el láser para crear un
sitio de nucleación para el crecimiento adicional. Photonucleation es útil en la promoción del
crecimiento en sustratos que tienen pequeños coeficientes de fricción para los átomos de metal
en fase gas. Al comenzar el proceso de nucleación con photonucleation la barrera natural a la
nucleación sobre el sustrato de superficie es superar.3

Durante LCVD, el punto sobre el sustrato bajo irradiación láser está a una temperatura muy alta
(1200 K o superior). Los gradientes de temperatura en los gases de origen causarán convección
natural en la cámara. La concentración de la mezcla de gas cerca del punto caliente en el sustrato
se ve afectada por la reacción química que tiene lugar sobre el sustrato. Diferencias de
concentración en la cámara de convertirse en otro motor de convección natural en la cámara. Para
el caso de LCVD por un rayo láser estacionario, Lee et al. (1995) concluyeron que el efecto de
convección natural de la velocidad de deposición de película delgada era insignificante y que la
transferencia de calor y masa en los gases fueron dominados por difusión

3
http://cnx.org/contents/m7vjnKhA@2/Chemical-Vapor-Deposition
Referencias infograficas

 Deposición de vapor químico- http://cnx.org/contents/m7vjnKhA@2/Chemical-Vapor-


Deposition
 https://www.thermalfluidscentral.org/encyclopedia/index.php/Laser_Chemical_Vapor_De
position_(LCVD)