LABORATORIO N°6: “POLARIZACION DE TRANSISTORES

BJT”

Se verán 3 tipos de polarización del bjt los

RESUMEN cuales son:

En este informe se describe el desarrollo del  Polarización fija del bjt.

laboratorio sobre polarización de transistores BJT  polarización estabilizada en el emisor.
donde se trabajará con el transistor 2N2222 en
diferentes configuraciones, identificando en que zona  polarización por divisor de tensión.
se encuentra trabajando, midiendo sus corrientes y
relacionando su comportamiento con el cambio de la OBJETIVOS
temperatura. Como instrumento de medición se
utilizará el multímetro y como software de simulación
el programa Multisim.  Evaluar e interpretar características
fundamentales de transistores BJT
PALABRAS CLAVES  Polarizar un transistor BJT npn para
ubicar su punto de operación en la
región activa, utilizando los circuitos de
Transistor 2N2222, multímetro, zona de
polarización fija y divisor de voltaje.
operación, configuración, temperatura.
 Comprobar experimentalmente el nivel
de estabilidad del punto Q de un
INTRODUCCIÓN transistor BJT npn debido a los
cambios de temperatura y los
La polarización del bjt se realiza mediante parámetros internos del dispositivo.
tensión continua y consiste en preparar el
transistor para que trabaje en la región activa ANALISIS PRELIMINAR
dentro de un circuito en el cual se le quiere
utilizar, se busca que a través del colector Se realiza una consulta sobre las corrientes y
circule una cantidad de corriente IC, y a su los voltajes que pueden soportar los
vez se obtenga una tensión entre el colector y componentes para comprobar que se puede
el emisor VCE para esa cantidad de corriente realizar la práctica, con la ayuda de los
IC, a esto se le llama obtener el punto de datasheet de cada transistor y se realiza la
operación o punto Q del transistor. La simulación de los circuitos con ayuda de
corriente IC va depender de la corriente en la software.
base IB que exista en la malla de entrada, esto
porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla
de salida del circuito, para ver esto será de
utilidad uso de las curvas características y la
ecuación de recta de carga.
El punto de operación se puede ubicar en
cualquier lugar de la región activa, eso va
depender de lo que se quiera que haga el
transistor, normalmente cuando se está
estudiando se dice de polarizarlo en la parte
media de la recta de carga, esto es así porque
cuando se utiliza el transistor como
amplificador de señales analógicas se desea
que la señal amplificada no se obtenga
distorsionada, cuando se comente sobre
amplificaciones se verá esto.
 MARCO TEORICO Y el voltaje colector emisor se encuentra
haciendo circuito abierto del colector y emisor
CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA por lo tanto el voltaje sería igual a la fuente
VCC
𝑉𝐶𝐸 = 12

Ahora son plasmados estos valores en la recta

de carga del transistor en la figura 2.

Recta de Carga Q1

1.20E-01
2.58; 9.42E-02
1.00E-01

IC(mA)
8.00E-02
6.00E-02
4.00E-02
2.00E-02
Figura 1. Esquema de circuito eléctrico con 0.00E+00
transistor 2N2222. 0 2 4 6 8 10 12
VCE(voltios)
Es realizado el análisis teórico del circuito para
saber su punto de operación, por lo tanto, la Figura 2. Recta de carga con Q1 obtenido
corriente de base obtenida por el análisis de
mallas seria: Como se puede observar se encuentra cerca
de la zona de saturación por lo tanto de decide
−12 + 36𝐾 ∗ 𝐼𝐵 + 0.7 = 0 cambiar la resistencia RB de 36K a 56K, y se
𝐼𝐵 = 313.88 ∗ 10−6 𝐴
procederá a realizar el mismo análisis.
Siendo ß en este caso de 300, la corriente de
colector es:
𝐼𝐶 = ß ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 300 ∗ 313.88 ∗ 10−6 = 94,164 ∗ 10−3 𝐴

Su corriente de emisor:

𝐼𝐸 = 301 ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐸 = 301 ∗ 313.88 ∗ 10−6 = 94.477 ∗ 10−3 𝐴

El voltaje colector emisor realizando un

análisis de mallas:
−12 + 100 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐸 = 2.58 𝑉
Una vez se obtienen estos valores se procede
a encontrar la corriente de colector de
saturación y el voltaje colector emisor de corte
para su respectiva comparación.
Haciendo corto circuito el colector y emisor
encontramos la corriente de saturación:
−12 + 100 ∗ 𝐼𝐶 = 0
𝐼𝐶 = 120 ∗ 10−3
Figura3. Esquema de circuito eléctrico con cambio
de RB a 56K.
La corriente de base sería distinta por el
cambio de la resistencia por lo tanto por el
análisis de mallas se obtiene que:
−12 + 56𝐾 ∗ 𝐼𝐵 + 0.7 = 0
𝐼𝐵 = 201.2 ∗ 10−6 𝐴
Siendo ß en este caso de 300, la corriente de
colector es:
𝐼𝐶 = ß ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 300 ∗ 201.2 ∗ 10−6 = 60.36 ∗ 10−3 𝐴
Su corriente de emisor: 𝐼𝐵 = 0.2 𝑚𝐴
𝐼𝐶 = 47.2 𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 301 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐶
𝐵= = 236
𝐼𝐸 = 301 ∗ 201.2 ∗ 10−6 = 60.56 ∗ 10−3 𝐴 𝐼𝐵

El voltaje colector emisor realizando un

análisis de mallas: A continuación, es reemplazado el transistor
−12 + 100 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0 por otro de la misma referencia y se realizan
𝑉𝐶𝐸 = 5.96 𝑉 las mismas mediciones, obteniéndose así los
valores de la tabla 2.
Plasmando este punto de operación en la
recta de carga nuevamente en la figura 4 se Tabla 2. Valores medidos del circuito con el
observa que se encuentra en una zona segundo transistor 2N2222
adecuada para que el transistor trabaje al Medición Valor
encontrarse en el punto medio de la recta. Corriente base(IB) 0.19 𝑚𝐴
Corriente 62.4 𝑚𝐴
colector(IC)
Recta de Carga Q1 Q2
Corriente emisor(IE) 64.5 𝑚𝐴
1.20E-01 2.58; Voltaje base-emisor 0.67 𝑉
1.00E-01 9.42E-02 5.96, Voltaje colector- 5.57 𝑉
6.04E-02
IC(mA)

8.00E-02
6.00E-02
emisor
4.00E-02 Voltaje Emisor 0𝑉
2.00E-02 Voltaje en RB 9.62 𝑉
0.00E+00
0 2 4 6 8 10 12
Voltaje en RC 6.33 𝑉
VCE(voltios)
Se determina ß con la corriente de la base y
del colector de la siguiente manera:
Figura 4. Recta de carga con Q1 y Q2 obtenidos.

Ahora se procede al montaje del circuito de la

figura 3 en el protoboard y se realizan las 𝐼𝐵 = 0.19 𝑚𝐴
mediciones respectivas plasmando los valores 𝐼𝐶 = 62.4 𝑚𝐴
en la tabla 1. 𝐼𝐶
𝐵= = 328.4
𝐼𝐵

Tabla1. Valores medidos del circuito con transistor Se puede observar que los resultados
2N2222 obtenidos con los dos transistores son
Medición Valor diferentes debido a que su ß no es
Corriente base(IB) 0.2 𝑚𝐴 exactamente igual.
Corriente 47.2 𝑚𝐴
colector(IC) CIRCUITO DE POLARIZACION POR
Corriente emisor(IE) 47.9 𝑚𝐴 DIVISOR DE VOLTAJE
Voltaje base-emisor 0.61 𝑉
Voltaje colector- 6.84 𝑉
emisor
Voltaje Emisor 0𝑉
Voltaje en RB 11.16 𝑉
Voltaje en RC 5.04 𝑉

Se determina ß con la corriente de la base y

del colector de la siguiente manera:
 El voltaje colector emisor realizando un
análisis de mallas:

−12 + 6.8𝐾 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐸 = 5.67 𝑉

Seguido es implementado el circuito de la

figura 5 en el protoboard y son realizadas las
mediciones respectivas de sus voltajes y
corrientes, plasmando estos valores en la
tabla 3.

Tabla3. Valores medidos del circuito con transistor

2N2222
Figura 5. Esquema del circuito eléctrico con divisor
de voltaje y transistor 2N2222.
Medición Valor
Corriente base(IB) 3.4 µ𝐴
Para realizar el análisis teórico del circuito Corriente 0.9 𝑚𝐴
hacemos equivalente thevenin en la base del colector(IC)
transistor y el circuito equivalente se aprecia en la Corriente emisor(IE) 0.91 𝑚𝐴
figura 6. Voltaje base-emisor 0.6 𝑉
Voltaje colector- 4.94 𝑉
emisor
Voltaje Emisor 0𝑉
Voltaje Colector 5.77 𝑉
Voltaje Base 1.45 𝑉
Voltaje en R1 10.33 𝑉
Voltaje en R2 1.45 𝑉
Voltaje en RC 5.84 𝑉
Voltaje en RE 0.86 𝑉

Haciendo corto circuito el colector y emisor

encontramos la corriente de saturación:

−12 + 6.8𝐾 ∗ 𝐼𝐶 + 1𝐾 ∗ 𝐼𝐶 = 0
Figura 6. Circuito con equivalente thevenin 𝐼𝐶 = 1.5384 ∗ 10−3

Mediante el análisis de mallas se determina la Y el voltaje colector emisor se encuentra

corriente de base de la siguiente manera: haciendo circuito abierto del colector y emisor
por lo tanto el voltaje sería igual a la fuente
−1.533 + 7.15𝐾 ∗ 𝐼𝐵 + 0.7 + 1𝐾 ∗ 𝐼𝐵 ∗ 301 = 0 VCC
𝐼𝐵 = 2.7 ∗ 10−6 𝐴 𝑉𝐶𝐸 = 12

Siendo ß en este caso de 300, la corriente de se observa que el transistor está trabajando en
colector es: una zona adecuada.
𝐼𝐶 = ß ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 300 ∗ 2.7 ∗ 10−6 𝐴 = 0.81 ∗ 10−3 𝐴 Se determina ß con la corriente de la base y
del colector de la siguiente manera:
Su corriente de emisor:

𝐼𝐸 = 301 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐵 = 3.4 µ𝐴
𝐼𝐸 = 301 ∗ 2.7 ∗ 10−6 𝐴 = 812.7 ∗ 10−6 𝐴 𝐼𝐶 = 0.9 𝑚𝐴
 𝐼𝐶
𝐵= = 264.7 Recta de Carga Transistor 1
𝐼𝐵
Transistor 2
A continuación, es reemplazado el transistor 1.60E-03 4.94, 9.00E-04
por otro de la misma referencia y se realizan
1.10E-03 5.16, 8.80E-04
las mismas mediciones, obteniéndose así los

IC(mA)
valores de la tabla 4. 6.00E-04

1.00E-04
Tabla4. Valores medidos del circuito con el 0 2 4 6 8 10 12
-4.00E-04
segundo transistor 2N2222 VCE(voltios)
Medición Valor
Corriente base(IB) 4.4 µ𝐴 Figura 7. Puntos de operación con los dos
Corriente 0.88 𝑚𝐴 transistores 2N2222.
colector(IC)
Corriente emisor(IE) 0.89 𝑚𝐴 ¿De qué depende la corriente del colector de
Voltaje base-emisor 5.16 𝑉 la figura 3?
Voltaje colector- 4.94 𝑉
emisor La corriente del colector depende de la
Voltaje Emisor 0.87 𝑉 corriente de la base y la ß del transistor.
Voltaje Colector 6.03 𝑉
Voltaje Base 1.48 𝑉 ¿De qué depende la corriente del colector de
Voltaje en R1 10.51 𝑉 la figura 5?
Voltaje en R2 1.48 𝑉
La corriente del colector dependerá del divisor
Voltaje en RC 5.95 𝑉
de voltaje y las resistencias que lo conformen,
Voltaje en RE 0.87 𝑉 además del ß propio del transistor.
Se determina ß con la corriente de la base y
¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor
del colector de la siguiente manera:
para estabilizar el punto Q?

Esta resistencia impide que existan cambios

𝐼𝐵 = 4.4 µ𝐴 bruscos de corriente, garantizando una
𝐼𝐶 = 0.88 𝑚𝐴 tensión más estable en el emisor.
𝐼𝐶
𝐵= = 200
𝐼𝐵 ¿Al aumentar la temperatura en el transistor
que efecto se produce sobre la corriente de
colector y sobre la corriente de base?
Se realizará un cuadro de datos donde se
plasmarán todos los resultados obtenidos En la práctica se elevó la temperatura de los
incluyendo el simulado en el anexo 1, en esta transistores de la siguiente manera:
tabla se puede observar que los datos tanto 1. Para el primer circuito:
medidos y simulados como los obtenidos A medida que la temperatura aumentaba la
teóricamente tienen una considerable corriente del colector lo hacía
cercanía. proporcionalmente y al llegar a 120 mili
amperios se retiró la fuente de calor y el
En la figura 7 se grafican los puntos de transistor demoro aproximadamente 2minutos
operación obtenidos con los dos transistores con 5 segundos en estabilizarse.
2N2222. 2. Para el segundo circuito con divisor de
voltaje:
3.
Se realizó el mismo procedimiento aplicándole
calor al transistor, hasta que alcanzara una
corriente de colector de 1.5 mili amperios y
tardo aproximadamente un minuto con 5
segundos en estabilizarse.

El aumento de la temperatura en ambos casos

causaba que las corrientes de la base y del
colector aumentaran.

CONCLUSIONES

 Se identifica la configuración de un
circuito para polarización fija y uno
de divisor de voltaje.
 Se comprende la relación que tiene
el funcionamiento del transistor con
el cambio de temperatura.
 Se contrastaron los datos medidos,
simulados y los obtenidos
teóricamente, mostrando una
cercanía considerable.

BIBLIOGRAFIA

 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor
_de_uni%C3%B3n_bipolar
 http://web.mit.edu/6.101/www/referenc
e/2N2222A.pdf
 http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/transt
emp.html
 http://mrelbernitutoriales.com/polariza
cion-del-bjt/
 ANEXOS

ANEXO 1
Variable Primer Segundo Teórico Simulación
Transistor Transistor
Corriente 3.4 µ𝐴 4.4 µ𝐴 2.70 µ𝐴 3.839 µ𝐴
base(IB)
Corriente 0.9 𝑚𝐴 0.88 𝑚𝐴 0.810 𝑚𝐴 0.880 𝑚𝐴
colector(IC)
Corriente 0.91 𝑚𝐴 0.89 𝑚𝐴 0.812 𝑚𝐴 0.883 𝑚𝐴
emisor(IE)
Voltaje base- 0.6 𝑉 5.16 𝑉 0.721 𝑉 0.622 𝑉
emisor
Voltaje colector- 4.94 𝑉 4.94 𝑉 5.67 𝑉 5.132 𝑉
emisor
Voltaje Emisor 0𝑉 0.87 𝑉 0.812 𝑉 0.883 𝑉
Voltaje Colector 5.77 𝑉 6.03 𝑉 6.485 𝑉 6.015 𝑉
Voltaje Base 1.45 𝑉 1.48 𝑉 1.533 𝑉 1.505 𝑉
Voltaje en R1 10.33 𝑉 10.51 𝑉 10.487 𝑉 10.495 𝑉
Voltaje en R2 1.45 𝑉 1.48 𝑉 1.533 𝑉 1.505 𝑉
Voltaje en RC 5.84 𝑉 5.95 𝑉 5.514 𝑉 5.985 𝑉
Voltaje en RE 0.86 𝑉 0.87 𝑉 0.812𝑉 0.883𝑉
Tabla de datos de todos los valores obtenidos.

ANEXO 2

Valores de las corrientes en la simulacion del circuito con divisor de voltaje.

ANEXO 3
Valores de los voltajes en los terminales del transistor en la simulación del circuito con divisor de voltaje.

ANEXO 3

Valores de los voltajes en las resistencias en la simulación del circuito con divisor de voltaje.