DISPOSITIVOS PNPN Y TIRISTORES

DIAC
El diac es básicamente una combinación inversa en paralelo de dos terminales de
capas semiconductoras que permite la activación o disparo en cualquier dirección.
Las características del dispositivo presentadas en la figura 17.30a demuestran con
claridad que hay un voltaje de conducción en cualquiera de las dos direcciones. Se
puede aprovechar al máximo la condición de encendido en cualquiera de las dos
direcciones en aplicaciones de ca.

La disposición básica de las capas semiconductoras del diac se muestra en la figura

17.30b, junto con su símbolo gráfico. Observe que ninguna de las terminales se
designa como cátodo. En cambio, hay un ánodo 1 (o electrodo 1) y un ánodo (o
electrodo 2). Cuando el ánodo 1 es positivo con respecto al ánodo 2, las capas
semiconductoras de interés particular son 𝑝1 𝑛2 𝑝2 𝑦 𝑛3 . Para el ánodo 2 positivo con
respecto al ánodo 1, las capas aplicables son 𝑝2 𝑛2 𝑝1 𝑦 𝑛1 . Para la unidad que aparece
en la figura 17.30, los voltajes de ruptura son muy parecidos en cuanto a magnitud
aunque pueden variar desde un mínimo de 28 V hasta un máximo de 42 V. Están
relacionados por la siguiente ecuación provista en hoja de especificaciones:

𝑉𝐵𝑅1 = 𝑉𝐵𝑅2 ± 0.1𝑉𝐵𝑅2

Los niveles de corriente ( 𝐼𝐵𝑅1 y 𝐼𝐵𝑅2 ) y 200𝜇A. también son de magnitud muy parecida
para cada dispositivo. Para la unidad de la figura 17.30, ambos niveles de corriente
son aproximadamente de 200 𝜇A = 0.2 mA.
 TRIAC

El triac es fundamentalmente un diac con una terminal de compuerta para controlar

las condiciones de encendido del dispositivo bilateral en cualquiera de las dos
direcciones. En otras palabras, para cualquier dirección la corriente de compuerta
puede controlar la acción del dispositivo de una manera muy parecida a la
demostrada para un SCR. Sin embargo, las características del triac en el primero y
tercer cuadrantes son algo diferentes de las del diac, como se muestra en la figura
17.33c. Observe que la corriente de mantenimiento en cada dirección no aparece en
las características del diac

El símbolo gráfico del dispositivo y la distribución de las capas semiconductoras se

dan en la figura 17.33 junto con fotografías del dispositivo. Para cada una de las
posibles direcciones de conducción hay una combinación de capas semiconductoras
cuyo estado controlará la señal aplicada a la terminal de compuerta.
Control de fase (potencia)
Una aplicación fundamental del triac se presenta en la figura 17.34. En esta
capacidad, con trola la potencia de ca suministrada a la carga encendiéndose y
apagándose durante las regiones positiva y negativa de la señal senoidal de entrada.
La acción de este circuito durante la par te positiva de la señal de entrada es muy
parecida a la encontrada para el diodo Schockley en la figura 17.29. La ventaja de
esta configuración es que durante la parte negativa de la señal de entrada se
obtendrá el mismo tipo de respuesta ya que tanto el diac como el triac se pueden en
cender en la dirección inversa. La forma de onda resultante de la corriente a través
de la carga aparece en la figura 17.34. Si modificamos el resistor R, podemos
controlar el ángulo de con ducción. Existen unidades disponibles capaces de manejar
cargas de más de 10 kW.

OPERACIÓN BASICA DE UN
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
Como la terminología lo indica, el SCR es un rectificador construido de silicio con una
tercera terminal para propósitos de control. Se eligió el silicio por sus altas
capacidades de temperatura y potencia. La operación básica del SCR es diferente
de la del diodo semiconductor fundamental de dos capas en que una tercera terminal,
llamada compuerta, determina cuando el rectificador cambia del estado de circuito
abierto al estado de cortocircuito. No basta con simplemente polarizar en directa la
región del ánodo al cátodo del dispositivo. En la región de conducción, la resistencia
dinámica del SCR en general es de 0.01Ω a 0.1Ω. La resistencia en inversa suele ser
de 100 k Ω o más. El símbolo gráfico para el SCR se muestra en la figura 17.1 con
las conexiones correspondientes a la estructura semiconductora de cuatro capas.

Más detallado de la operación básica de un SCR se realiza mejor dividiendo la

estructura pnpn de cuatro capas de la figura 17.1b en dos estructuras de transistor
de tres capas como se muestra en la figura 17.2a y luego considerando el circuito
resultante de la figura 17.2b.
Observe que uno de los transistores para la figura 17.2 es un dispositivo npn,
mientras que el otro es un transistor pnp

CARACTERISTICAS Y VALORES NOMINALES DEL SCR

Las corrientes y voltajes de interés usual se indican en la característica. A
continuación se describe brevemente cada uno.

1. Voltaje de conducción en directa 𝑉(𝐵𝑅)𝐹∗ es el voltaje sobre el cual el SCR

entra a la región de conducción. El asterisco (*) denota la letra que se debe
agregar, la cual depende de la condición de la terminal de compuerta como
sigue:

V = polarización fija (voltaje) de G a K

R = resistor de G a K
S = cortocircuito de G a K
O = circuito abierto de G a K

2. Corriente de mantenimiento 𝐼𝐻 es el valor de la corriente por debajo de la cual

el SCR cambia del estado de conducción a la región de bloqueo en directa en
las condiciones establecidas.
 3. Regiones de bloqueo en directa y en inversa son las regiones
correspondientes a la condición de circuito abierto para el rectificador
controlado que bloquean el flujo de carga (corriente) del ánodo al cátodo.
4. Voltaje de ruptura en inversa es equivalente a la región Zener o de avalancha
del diodo semiconductor fundamental de dos capas.

Regulador de carga de baterías

Una tercera aplicación de gran uso del SCR es un regulador de carga de baterías.
En la figu ra 17.13 se muestran los componentes fundamentales del circuito. El
circuito de control se dejo fuera para propósitos de estudio. Como se indica en la
figura, D1 y D2 establecen una señal rectificada de onda completa a través del SCR
1 y la batería de 12 V que se va a cargar. A voltajes bajos de la batería, el SCR2 está
“apagado” por razones que se explicarán en breve. Con el SCR2 abierto, el SCR1
que controla el circuito es exactamente el mismo que el control de interruptor estático
en serie analizado al principio de esta sección. Cuando la entrada rectificada de onda
completa es lo bastante grande para producir la corriente de encendido requerida en
la compuerta (controlada por R1), el SCR1 se encenderá y la batería comenzará a
cargarse. Al inicio de la carga, el bajo voltaje de la ba tería dará por resultado un bajo
voltaje VR determinado por el sencillo circuito de divisor de voltaje.

A su vez, el voltaje VR es demasiado pequeño para provocar conducción en el Zener

de 11.0 V. En el estado “apagado” el Zener es efectivamente un circuito abierto, y
mantiene el SCR2 en el estado “apagado” puesto que la corriente de compuerta es
cero. Se incluye el capacitor C 1 para impedir que cualquier voltaje transitorio en el
circuito encienda accidentalmente el SCR 2. Recuerde por sus conocimientos
fundamentales de análisis de circuitos que el voltaje no puede cambiar
instantáneamente a través de un capacitor. De esta manera, el C1 evita que los
efectos transitorios afecten al SCR. A medida que continúa la carga, el voltaje de la
batería se eleva a un punto en el que VR es suficientemente alto para encender tanto
el Zener de 11.0 V como el SCR2. Una vez que el SCR2 se enciende, la
representación de cortocircuito de éste dará por resultado un circuito divisor de
voltaje determinado por R1 y R2 que mantendrán V2 a un nivel demasiado pequeño
para encen der el SCR 1. Cuando esto ocurre, la batería esta totalmente cargada y
el estado de circuito abierto del SCR 1 interrumpirá la corriente de carga. Por tanto
el regulador recarga la batería siempre que el voltaje se reduce e impide que se
sobrecargue cuando está totalmente cargada.

OPTOACOPLADORES
La manipulación de altas corrientes, de hasta varios centenares de amperios, implica
el tener consideraciones de seguridad eléctrica para los operarios y de protección
para el sistema digital. Es deseable que la interconexión entre ambas etapas (la
digital y la de potencia) se haga por un medio de acoplamiento que permita aislar
eléctricamente los dos sistemas. Esto se puede lograr con los dispositivos llamados
OPTOACOPLADORES, mediante los cuales se obtiene un acoplamiento óptico y, al
mismo tiempo, un aislamiento eléctrico. Por ello también se les conoce como
OPTOAISLADORES. El acoplamiento se efectúa en el rango del espectro infra-rojo
a partir de . dispositivos emisores de luz, usualmente IRED (infra-rojo) LEDs (diodos
emisores de luz), actuando como emisores y utilizando dispositivos detectores de luz
(optodetectores), actuando como receptores. La razón fundamental para llevar a
cabo acoplamiento óptico y aislamiento eléctrico es por protección de la etapa o
sistema digital ya que si ocurre un corto en la etapa de potencia, o cualquier " otro
tipo de anomalía eléctrica, el OPTOACOPLADOR protege toda la circuitería digital de control.
TIPOS DE OPTO ACOPLADORES:
Veamos a continuación algunos dispositivos OPTOAISLADORES, para dispositivos
semiconductores, en donde se pueden apreciar varias tipos de elementos de
OPTOACOPLAMIENTO: por fototransistor, fotodarlington, fotoSCR, fotoTRIAC, etc.
Todos ellos se estudian en la teoría de la optoelectrónica con dispositivos
semiconductores basados en Silicio (Si) o Germanio (Ge).
Existen varios tipos de optoacopladores cuya diferencia entre sí depende de los
dispositivos de salida que se inserten en el componente. Según esto tenemos los
siguientes tipos:

Fototransístor. Se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada

por un transistor BJT. Los más comunes son el 4N25 y 4N35
Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por
un triac .
Fototriac depaso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra
un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac sólo
en los cruce por cero de la corriente alterna. Por ejemplo el MOC3041

Optotiristor: Diseñado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una
señal lógica y la red.
 CIRCUITOS TIPICOS CON OPTO ACOPLADORES:

Trabajaremos, a manera de ejemplo, con el OPTOACOPLADOR MOe 3011 (o MOe

3010). La siguiente es la distribución de pines del circuito integrado (le)
optoaclopador seleccionado. Ne significa que este pin o patilla no se conecta.
EJEMPLO DE CÁLCULO DE UNA CARGA SEGÚN EL TRIAC SELECCIONADO
En este ejemplo partimos de dos hechos: la potencia se controlará con un TRIAC, y
la carga a manejar será resistiva como en el caso de las lámparas para un sistema
de luces secuenciales en arreglos de navidad (lámparas exteriores) o en una
discoteca o en un teatro. El Triac se selecciona de acuerdo a la corriente de operación
y esta dependerá del número de lámparas a utilizar. Los pasos para el cálculo son
como sigue:
1. Definición de parámetros:
Sean N Número de lámparas a utilizar por cada TRIAC.
W = El Vatiaje o potencia de cada una de las lámparas (40W, 60 W, 100W,etc.)
V= Voltaje de la red (110V ó-220V). Este voltaje es RMS
l=La corriente consumida por cada lámpara
l' = La corriente especificada del TRIAC(según el manual del fabricante)

2. Cálculo de la corriente que consume cada lámpara: 1=WN.

3. Cálculo de N: N= 1'/1.

NOTA 1: Por seguridad, es conveniente disminuir N en un 30% aproximadamente.

Recuerda que nunca se debe trabajar cerca del límite del regímen máximo
especificado por el fabricante.
NOTA2: Cada TRIACdebe llevar su buen disipador de calor. No debe olvidarse que
cuando se manejan altas corrientes, hay tendencia a fuerte disipación de potencia en
forma de calor y este es el principal enemigo de los semiconductores.
Continuando con el ejemplo, supongamos que se tiene:
V= 230 V (de la línea de alimentación de voltaje)
W= 100Watts (potencia nominal de cada una de las lámparas)
l'=6 A (corriente del Triac, según las especificaciones del manual)
Aplicando el paso 2, se tiene: I = 100/230= 0.434 A = 434 mA
Luego, aplicando el paso 3, se tiene N = 6/0.434 ~ N=13,8Lámparas
En forma práctica y teniendo en cuenta la Nota 1, Tomar N= 10 Lámparas.
Otro ejemplo puede ser a la inversa, es decir partir del número de lámparas y hallar
la corriente 1', del TRIAC, necesaria para operar el sistema. Una vez hallada se tiene
en cuenta el criterio del 30% más para seleccionar el Triac comercial que cumpla con
el requerimiento.

1. Parámetros para cálculos en la etapa de potencia de los

tiristores
Con el desarrollo de la tecnología de los semiconductores de potencia es de vital
importancia el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de la misma
el conocer cuáles son los parámetros que se deben tener en cuenta para realizar
los cálculos correspondientes en la etapa de potencia del tiristor, para ello es
importante tener en cuenta las hojas de dato técnica de cada dispositivo el cual
fueron necesarios para la construcción del módulo de tiristores el cual va a ser
previamente analizado.

En la figura 1 se muestra la etapa de potencia del tiristor, como primero se debe

calcular la resistencia de disparo (RD) el cual es necesaria para el LED de disparo
del optoacoplador, en ella aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al voltaje
conformado entre VCC el cual es el voltaje de entrada que en su defecto son 5V
D.C, IFT la corriente máxima del optoacoplador y RD tenemos:

𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 = (1)
𝐼𝐹𝑇

El cálculo de esta resistencia es aplicada a la etapa de potencia del SCR y del

TRIAC.
La resistencia encargada de la protección generada por el pulso es generada a partir
del voltaje del microcontrolador (Vmc) el cual es de 5V D.C para activarlo y 0V D.C
para desactivarlo, la corriente de base (IB) y el voltaje base emisor (VBE) del
transistor generando la siguiente ecuación:
 𝑉𝑚𝑐 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 = (2)
𝐼𝐵

Para el funcionamiento del circuito es necesario fijar la corriente que pasa por la
resistencia de puerta (RG), el cual tiene como función evitar que el triac se dispare
cuando el optoacoplador no conduzca permitiendo así asegurar el voltaje en la puerta
(VG) cuando este activado. A continuación se describe la ecuación para esta
resistencia que es la siguiente:
𝑉𝑅 − 𝑉𝐺
𝑅𝐺 = (2)
𝐼𝐺

Donde VR es el voltaje de conducción del optoacoplador, esta expresión se aplica

para el cálculo de la resistencia de puerta que se calcula en la etapa de potencia del
TRIAC, SCR y del SCR activado por JFET
La resistencia RT que tiene como función de ser la resistencia limitadora que es la
que permite dar un valor apropiado de corriente de conducción (IF) cuando conduce
y se dispara el tiristor de lo anterior esta resistencia se calcula de la siguiente manera:

𝑉𝑅
𝑅𝑇 =
𝐼𝐹
El cual de esta resistencia se realizan en la etapa del TRIAC, SCR y SCR activado
por JFET. A continuación se darán ejemplos en cada una de las etapas de potencia
entregando los cálculos.

Figura 0 etapa de potencia tiristor. Figura 1 Etapa de potencia tiristor.

Cálculos etapa de potencia TRIAC.

Para el cálculo de las diversas resistencias RD se debe tener en cuenta el

optoacoplador para utilizar entre las referencias comerciales más utilizadas tenemos
el MOC 3020, MOC 3021, MOC 3022, MOC 3023; la resistencia RB se calcula de el
tipo de transistor bipolar de uso general a utilizar los más comerciales son el 2N2222,
2N3904 y el TRIAC a utilizar entre ellos tenemos las siguientes referencias: BT136,
TW6N600CZ, BTB06-600C, TIC226D, MAC3030-8 entre otros. Realizaremos el
cálculo de las diferentes resistencias tomando como referencia el MOC 3021, el
transistor 2N3904 y el TRIAC TIC226D. Para el cálculo de la resistencia RD debemos
tener en cuenta el datasheet del optoacoplador MOC 3021 el cual en la tabla 1 se
dan a conocer sus principales características.

Tabla 1 características principales del MOC 3021

Símbolo Significado Rango Unidad

VR Voltaje de conducción 3 V
IF Corriente de conducción 10 mA

IFT(MAX) Corriente máxima de conducción 15 mA

La corriente de conducción y el voltaje de conducción en los optoacopladores MOC

3020, MOC 3022, MOC 3023 son iguales solo varia la corriente máxima de
conducción. Entonces de la ecuación 1 se obtiene lo siguiente:
5𝑉
𝑅𝐷 = = 333.33Ω
0.015𝐴

El cual se puede llevar a un valor comercial de 390Ω. Para el valor de la resistencia

RB se tuvo en cuenta la hoja característica del transistor 2N3904 sus principales
características necesarias se presentan en la tabla 2.

Tabla 2 Características principales del transistor 2N3904

Símbolo Significado Rango Unidad

VBE Voltaje base-emisor 0.7 V
IB Corriente de base 1 mA

De la anterior información se obtiene el siguiente resultado aplicando la ecuación 2:

5𝑉 − 0.7𝑉
𝑅𝐷 = = 4.3𝑘Ω
0.001𝐴

El cual se acerca al valor comercial de 5 KΩ.

Para el cálculo de la resistencia de puerta (RG) se tiene el datasheet del TRIAC
TIC226D el cual se muestra en la tabla 3.
 Tabla 3 Características TRIAC TIC226D

Símbolo Significado Rango Unidad

IG Corriente disparo de puerta 50 mA
VG Voltaje disparo de puerta 2 V

El voltaje de conducción del optoacoplador (VR) fue expuesto en la tabla 1, de ahí

tomando la ecuación tenemos:

3𝑉 − 2𝑉
𝑅𝐷 = = 20Ω
0.05𝐴

El cual se aproxima al valor comercial de 22Ω. Para el cálculo de la resistencia RT

se tiene en cuenta la información suministrada por la tabla 1, de la ecuación 4
entonces se obtiene el siguiente resultado:

3𝑉
𝑅𝑇 = = 300Ω
0.01

Aproximándose al valor comercial de 330Ω. Del anterior cálculo se deriva el circuito

de etapa de potencia del TRIAC representado en la figura 2.

Cálculos etapa de potencia SCR.

Para el cálculo de las resistencias RD, RT, RB se tuvieron en cuenta las desarrolladas
en la sección 1.1. Para el cálculo de la resistencia RG se debe tener en cuenta los
datasheet de los SCR más comerciales que existen entre ellos tenemos: C106D,
50RIA60, S8040R, 16RIA120 entre otros de ellos se toma la referencia 16RIA120 el
cual en la tabla 4 detalla las principales características necesarias para el cálculo de
la resistencia de puerta del SCR.
Tabla 4 Características SCR 16RIA120

Símbolo Significado Rango Unidad

IG Corriente disparo de puerta 60 mA
VG Voltaje disparo de puerta 2 V

Para el cálculo de la resistencia teniendo en cuenta el voltaje de conducción del

optoacoplador mostrado en la tabla 1 de la sección 1.1, aplicamos la ecuación 3
obteniendo el siguiente resultado:
3𝑉 − 2𝑉
𝑅𝐺 = = 16.6Ω
0.06𝐴

El cual es aproximado al valor comercial de 18 Ω; en la figura 3 se muestra la etapa

de potencia del SCR con sus cálculos.

Cálculos etapa de potencia SCR activado por JFET.

El cálculo de la resistencia RG y RT se tiene en cuenta la obtenida en la sección 1.2,
en este caso se hallara la resistencia que se encarga de activar el transistor JFET
(RJD), teniendo diferentes referencias comerciales como K117, 2N5638, 2N3823,
2N41117 entre otros para el cálculo de esta resistencia se tendrá como referencia el
transistor 2N5638 el cual en la tabla 5 se muestra sus principales características.
 Tabla 5 Características JFET 2N5638

Símbolo Significado Rango Unidad

IG Corriente disparo de puerta 60 mA
VG Voltaje disparo de puerta 2 V

Del anterior se realiza el cálculo el cual viene expresado con la siguiente ecuación:

𝑉𝐺𝐷𝑆
𝑅𝐽𝐵 =
𝐼𝐺

Teniendo en cuenta la anterior ecuación el resultado obtenido es el siguiente:

30𝑉
𝑅𝐽𝐵 = = 600Ω
0.05𝐴

De lo anterior se genera la etapa de potencia del SCR activado por JFET tal como
se muestra en la figura 4.