CARÁCTERÍSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES

RESISTIVOS
(CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR RESISTIVE)
Manuel Iparraguirre

RESUMEN:

Introducción: Siempre hemos escuchado a las personas advertirnos de utilizar equipos sin conocer
adecuadamente su funcionamiento, o trabajar con dispositivos electrónicos en zonas húmedas. Este tipo
de advertencias van comprendiéndose de mejor manera conforme nos adentramos en los conceptos
básicos de la electrónica. Materiales y Métodos: Esta experiencia tuvo como principal objetivo optimizar
nuestros conocimientos en cuanto a las precauciones que debemos tomar al momento de trabajar con
dispositivos electrónicos. En nuestro caso comenzaremos con fotorresistencias y termistores, además de
los mismos instrumentos de la instrumentación. Resultados: Gracias al procedimiento realizado en esta
experiencia fue posible observar el comportamiento de los semiconductores, en este caso termistores y
fotorresistencias, destacando la variación de sus valores resistivos de acuerdo al cambio de temperatura
o intensidad luminosa. Conclusiones: Los resultados observados en esta ocasión, nos demostraron que,
en los semiconductores, el valor resistivo se hace menor conforme la temperatura aumenta (observado
en el termistor), como también la conductividad aumenta al aumentar la intensidad luminosa (observado
en la fotorresistencia).

Palabras Clave: Fotorresistencia, termistor.

ABSTRACT:

Introduction: We have always listened to warn people to use computers without knowing it works properly,
or working with electronic devices in humid areas. Such warnings will understand better as we go into the
basics of electronics. Materials and Methods: This experiment had as its main objective is to optimize our
knowledge regarding the precautions we should take when working with electronic devices. In our case we
start with photoresistors and thermistors, as well as the very instruments of implementation. Results: With
the procedure performed in this experience was possible to observe the behavior of semiconductors, in
this case thermistors and lightfastness, highlighting the variation of resistive values according to the
change in temperature or light intensity. Conclusions: The results observed in this case, we showed that,
in semiconductors, the resistance value becomes smaller as the temperature increases (seen in the
thermistor), as well as the conductivity increases with increasing light intensity (seen in the LDR) .

Keywords: LDR, thermistor.

INTRODUCCIÓN

Una persona recibe una descarga eléctrica cuando se convierten en el eslabón que cierra un circuito
eléctricamente vivo. Esto puede suceder por ejemplo, cuando toca los polos positivo y negativo de una
fuente DC, el vivo y el neutro de la línea de alimentación doméstica de 220 voltios, el vivo y cualquier
elemento conductor que permita el paso de la corriente, siendo el peor caso de estar con los zapatos y la
ropa húmeda. Este tipo de situaciones se pueden prevenir adoptando las medidas necesarias de
seguridad establecidas que seguiremos a lo largo del curso.

MATERIALES Y MÉTODOS:

MATERIALES:

 Fuente de alimentación.
 1 Fotorresistencia LDR
 1 Termistor
 Multímetro Digital marca FLUKE.
 Tablero de conexión (PROTOBOARD).
 1 Foco de filamento
 3 Resistencias: 100Ω(1w), 1k Ω (1/2 w), 100k Ω (1/2 w)
 Alicate de corte
 Alicate de punta.

MÉTODOS:

1) Armamos el circuito de la Fig 1-1

2) Aplicamos una tensión de 3 a 15V al circuito según la Tabla 1. Donde la corriente se medirá
en forma indirecta así como la resistencia:
Vr Vf
I  Rf 
R I
- V = Voltaje de fuente
- Vr = Voltaje de la resistencia
- Vf =Voltaje en el foco
- I = Corriente en el circuito
- Rf = Resistencia del foco
 3) Armaremos el circuito de la figura 1-2

4) Manteniendo constante la tensión de 12V que polariza al termistor, variamos la tensión del
foco Vf llenando la Tabla 2.
El termistor debe captar la temperatura del foco, vigilando que la temperatura no sea
excesiva.

5) Armamos el circuito de la figura 1-3

6) Cuidando de no variar los 12 V que polarizan la fotoresistencia, variamos el voltaje del foco
Vf llenando la Tabla 3.
Al llenar la tabla tomamos en consideración la sensibilidad del instrumento obteniendo por
diferencia la tensión del LDR.

7) Medimos con el multímetro la resistencia de los elementos empleados.

RESULTADOS

2) Tabla 1

V(volt) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0

Vr(volt) 2.43 4.88 6.14 7.79 9.11

Vf(volt) 0.41 1.04 2.38 4.19 5.87

I(mA) 24.31 48.8 61.4 77.9 91.1

Rf(Ω) 16.87 21.31 38.76 53.78 64.43

4) Tabla 2

Vf(volt) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0

Vr(volt) 4.15 4.32 4.38 4.59 4.81 5.1

Vt(volt) 7.79 7.63 7.6 7.38 7.2 6.93

It(mA) 4.15 4.32 4.38 4.59 4.81 5.1

Rt(Ω) 1.87k 1.76k 1.73k 1.6k 1.49k 1.36k

t = Termistor V = 12 V constante

6) Tabla 3

Vf(volt) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0

Vr(volt) 10.75 11.31 11.76 11.9 11.92 11.94

VLDR (volt) 1.27 0.633 0.180 0.067 0.041 0.029

ILDR(mA) 0.107 0.113 0.117 0.119 0.1192 0.1194

RLDR (Ω) 11.86k 5.6k 1.54k 0.563k 0.344k 0.24k

LDR = Fotorresistencia V = 12 V constante

7) Tabla de las resistencias de los elementos empleados:

ELEMENTO VALOR

FILAMENTO 25.3

TERMISTOR NTC 1.94k

FOTORRESISTENCIA LDR 5.14k

CUESTIONARIO:

1) Haga una breve introducción teórica de las características de las resistencias conductoras y
semiconductoras

Hasta el momento se conoce que las resistencias conductoras mantienen un valor estable de manera
que el circuito puede exponerse a distintas temperaturas y esta resistencia mantiene su valor óhmico.

Mientras que por otro lado, las resistencias semiconductoras como termistores o fotorresistencias no
tienen un valor resistivo fijo, ya que dependiendo de las condiciones del entorno (sean por ejemplo la
temperatura o intensidad luminosa) irán variando la impedancia del circuito del que forman parte.

2) Para el circuito de la Figura 1-1, determine según los datos obtenidos experimentales, las
características del filamento del foco, grafique Rf vs Vf y explique la curda resultante:

De acuerdo a la ley de ohm: Vf = I x Rf

De manera que Vf y Rf son directamente proporcionales. Conforme le demos un mayor valor a

Vf, Rf aumentará también.

3) En el circuito de la figura 1-2 considerando que la temperatura es función de la tensión aplicada

al foco Vf, graficar Rt vs Vf, explicando las características del termistor.

Concluimos que el termistor es un componente que se caracteriza por disminuir su resistencia

conforme recibe mayor temperatura.

La gráfica es una línea que decrece debido a que al aumentar el voltaje en el foco, este aumenta
su temperatura y por ende el termistor que la recepciona disminuye su valor óhmico conforme Vf
aumenta.
4) Considerando que la luz es proporcional a la tensión en el foco, determinar las características de
la fotorresistencia.

De acuerdo a lo observado, la fotorresistencia disminuye su valor resistivo conforme recibe

mayor incidencia de luz, ya que sabemos que la tensión en el foco es proporcional a la luz.

Por ende concluimos que las fotorresistencias, al recibir mayor intensidad luminosa disminuyen
su valor resistivo y por ende mejoran la conductividad.
 5) Explique brevemente los inconvenientes surgidos en la medición directa de la resistencia de los
elementos empleados.

Los inconvenientes fueron que los valores resistivos estaban en variación constante, ya que la
intensidad luminosa no era estable, ni la temperatura mantenía un valor fijo.

Tratándose de componentes cuyos valores resistivos dependen del ambiente, las mediciones
tuvieron que se aproximadas.

6) Indique observaciones y conclusiones acerca de la experiencia.

Observamos que al trabajar con componentes cuyos valores dependen del entorno, sean
variación de temperatura o intensidad luminosa, los resultados obtenidos no presentan un valor
estable.

Además , pudimos observar los distintos comportamientos de nuestros componentes,

concluyendo que los termistores son mejores conductores al estar a temperaturas elevadas, así
como las fotorresistencias mejoran su conductividad conforme aumenta la luz incidente en ellas.

CONCLUSIONES:

 Debemos tener en cuenta las condiciones del entorno en caso de que utilicemos elementos
semiconductores como termistores o fotorresistencias, ya que la variación que realizan al variar
dichas condiciones pueden alterar los resultados de nuestro circuito.

 Los elementos semiconductores mejoran su conductividad conforme aumenta la temperatura, o

conforme aumenta la intensidad luminosa.

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS:

Para la realización de este informe se han usado diferentes libros muy útiles para la electrónica, pero hay
que tener en cuenta que estas pueden tener ediciones mas actualizadas, es por eso que hemos colocado
fechas del día en que fueron utilizadas.

1. Richard C. Dorf, James A. Svoboda, Circuitos Eléctricos, 6ta edición, 2006 - (26/09/2011)

2. Joseph A. Edminister, Mahmood Nahvi, Circuitos Eléctricos, 3ra edición, 1997 - (28/05/2011)

3. Ronald E. Scott, Linear Circuit, 1960 - (28/09/2009)

4. Robert L. Boylestad, Análisis Introductorio de Circuitos, 1ra edición, 1978 - (26/05/2011)

5. Física del estado sólido, Humberto Asmat

 INFORME PREVIO
EXPERIMENTO N° 2
“CURVA CARACTERÍSTICA DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES”

1) ¿Cómo es posible visualizar en el osciloscopio una característica i Vs v como en el caso del

diodo si el osciloscopio solo mide tensiones?

Aunque no se puede medir corriente con el osciloscopio, pues este solo mide amplitud de señal
de voltaje, pueden utilizarse distintos medios para obtener la corriente proporcional a una señal
de voltaje. Pero la señal que obtenemos directamente del osciloscopio es únicamente de voltaje.

Por ejemplo, midiendo la tensión sobre la resistencia se tiene la forma de onda de la corriente
también, el valor medido de tensión debe dividirse por R.

Lo que visualizamos es una forma de onda que es la misma para la tensión y la corriente, solo
que al hacer mediciones debemos saber que estamos midiendo la tensión. Para obtener el valor
medido en corriente hay que dividir por R.

2) ¿Por qué no se usa un circuito como el que mostramos a continuación?

El control horizontal regula el eje X y aprecia fracciones de tiempo (segundos, milisegundos,

microsegundos, etc., según la resolución del aparato). El control vertical regula el eje Y
controlando la tensión de entrada (en Voltios, milivoltios, microvoltios, etc., dependiendo de la
resolución del aparato).

Estas regulaciones determinan el valor de la escala cuadricular que divide la pantalla,

permitiendo saber cuánto representa cada cuadrado de ésta para, en consecuencia, conocer el
valor de la señal a medir, tanto en tensión como en frecuencia. En realidad se mide el periodo de
una onda de una señal, y luego se calcula la frecuencia.

Al colocar el circuito de la manera que se muestra, estamos colocando la parte que iría hacia el
punto de tierra interno del osciloscopio, a un punto distinto del punto de tierra del circuito.

3) ¿En el circuito a experimentar que signo tiene la tensión Vvertical (Y)?

El signo que representara será negativo con respecto a nuestra fuente principal, puesto que está
midiendo la tensión en un sentido opuesto al que debería, midiendo la polaridad inversamente.