Curso en

Modalidad
Semipresencial

UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE EL SALVADOR

Escuela de Ingeniería Eléctrica
MEBLEC: Modalidad de Enseñanza B-Learning Constructivista

Guía de Aprendizaje 1
“Teoría de los Semiconductores”
V. 1.1

MISIÓN INSTITUCIONAL
Formar profesionales con Alto Sentido
Crítico y Ético, con capacidad de Autoformación y
con las Competencias Técnico-Científicas requeridas
para Resolver Problemas mediante Soluciones
enfocadas al Desarrollo Social y Respetuosas del
Medio Ambiente

VISIÓN INSTITUCIONAL
Constituirse en modelo de calidad, diversidad de
servicios, pertinencia social e innovación, ubicándose a
nivel nacional como líder en educación semipresencial y
respeto al medio ambiente

VALORES INSTITUCIONAL
Excelencia, Perseverancia, Innovación
Respeto, Responsabilidad, Solidaridad

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 Sección A
DATOS GENERALES PARA EL APRENDIZAJE

Carrera: Ingeniería Eléctrica

Asignatura: ELECTRÓNICA I.
Área de Formación en la Carrera: Electrónica y Control.
Unidad Didáctica I: Teoría de los Semiconductores.

Objetivo

1) Estudiar la teoría básica del principio de funcionamiento de

los semiconductores sin entrar a la teoría cuántica de los
mismos, haciendo énfasis en el flujo de electrones como
cargas negativas y positivas.

En Abono a las Siguientes Competencias

1) INTERPRETAR, COMPRENDER y ASOCIAR

INFORMACIÓN relativa a la Teoría de los Semiconductores.
2) CONOCIMIENTOS de los fundamentos de la electrónica.

Objetivo de Rendimiento
Posterior a la exposición de los conceptos de esta guía, el estudiante logrará:
- Comprender y diferenciar entre un conductor y un semiconductor y
como estos últimos movilizan los electrones dentro de un Cristal de
Silicio.
- Medir e Interpretar datos técnicos de un Diodo Semiconductor hacía el
diseño de circuitos con estos dispositivos

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 Sección B
FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

B1. Introducción a la Teoría de los Semiconductores.

En el campo de la Ingeniería Eléctrica y Electrónica, existen los siguientes tipos de materiales:

a) Materiales Aislantes.
b) Materiales Conductores.
c) Materiales Semiconductores.

Si recordamos el concepto de Electricidad, el cual, nos dice que es el flujo de Electrones a

través de un medio conductor tal como lo muestra la siguiente figura 1:

Fig. 1: “Flujo de Electrones”. de Wikispace.com

Vemos que la electricidad es posible por los electrones libres que tienen los materiales
conductores; en los materiales aislantes, hay una ínfima cantidad de electrones libres por lo tanto no
es posible esta, pero, existen materiales que son semiconductores los cuales son el objeto de estudio
de esta Guía de Aprendizaje, veremos cómo es posible la movilidad eléctrica en estos.

Para introducirnos al campo de los semiconductores tenemos la figura 2 la cual nos muestra
que en los tres tipos de materiales existen dos bandas:

Fig. 2: “Bandas en los Materiales” de Quimitube.com

En la Banda de Valencia(BV) ésta está ocupada por los electrones de valencia de los átomos
es decir, aquellos electrones que se encuentra en la última capa o nivel energético de los átomos, los
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electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los átomos pero no intervienen en la
conducción eléctrica mientras que, La Banda de Conducción(BC) está ocupada por electrones libres
es decir, aquellos que se han desliga de sus átomos y pueden moverse fácilmente, estos son los
responsables de conducir la corriente eléctrica.

Para entender los principios físicos de los semiconductores, tenemos que conocer como están
formados los átomos de los elementos, esto se puede ver en la siguiente figura:

Fig. 3. “Composición Atómica de los Elementos”. De hispavila.com

B2. Materiales Tipo N y Tipo P.

En la figura 4 se puede ver la composición atómica del átomo de Silicio (Si):

Fig. 4. “Átomo de Silicio”. De ifent.org

A la izquierda, la estructura completa, a la derecha la estructura simplificada solo con su última

capa. El número atómico del silicio es 14 y tal como se ve en la figura 4 de la izquierda, este tiene
tres capas, en la primera capa tiene dos electrones, en la segunda tiene 8 y en la tercera, para
completar su número, tiene 4 electrones. Para que varios átomos de silicio formen un cristal estable,
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deben unirse entre sí para alcanzar el último octeto que los mantenga en esta condición o sea
comparten electrones de su última capa de 4 electrones; a este tipo de enlaces se le denomina
Enlaces Covalentes. La figura 5 muestra cómo están unidos los átomos de silicio en enlaces
covalentes:

(a) (b)

Fig. 5. “Átomos de Silicio en Enlace Covalente”. De electrónica.ugr.es

y dhundelhauseni2011.blogspot.com

Observar en la Fig. 5a, como solo aparecen las últimas capas de cada átomo de silicio y se
entrelazan con el más cercano para formar el enlace covalente respectivo. Este tipo de enlaces
no garantiza conducción eléctrica; con este tipo de enlace, los electrones se mantienen amarrados en
la banda de valencia sin poder pasar a la banda de conducción; ¿Qué debería de suceder para que
se dé la movilidad de electrones en un cristal de silicio de este tipo?, lo veremos a continuación.

En teoría de semiconductores se habla de dos tipos de materiales cuando estos están unidos,
hay Materiales Intrínsecos tal como el de la Fig. 5a o sea estos materiales tienen características de
pureza, no están mezclados con otro tipo de elemento químico y se denominan semiconductores
intrínsecos; y también hay Materiales Extrínsecos los cuales ya no son puros, están mezclados con
otro elemento químico con el propósito de formar desequilibrio entre los enlaces y dejar libres algunos
electrones para la movilidad eléctrica, a estos materiales se les denomina también Semiconductores
Extrínsecos.

El Antimonio, cuyo número atómico es 51, tiene en su última capa 5 electrones; al inyectar
impurezas de este tipo al cristal intrínseco de la Fig. 5a, este cristal se convertirá en un
Semiconductor Extrínseco del tipo N; de otra manera, si al mismo material intrínseco le inyectamos
aluminio, cuyo número atómico es 13 o sea 3 electrones en su última capa, el material se convierte
en Semiconductor Extrínseco tipo P; lo anterior se ilustra mejor en la figura 6:

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 Fig. 6. “Materiales Tipo N y Tipo P”. De slideplayer.es

Tal como se observa en la figura anterior, en el material tipo N queda un electrón libre con
carga negativa y en el material tipo P queda un hueco el cual es un espacio con carga positiva.

B3. La Unión P-N.

Al juntar en un mismo cristal a un material tipo P y uno tipo N de la misma base o sea de Silicio
o Germanio, se presenta algo parecido a lo que se muestra en la figura 7:

Fig.7. “Unión P-N”. De chrarlieelectronica.blog

De la figura 7, debemos suponer que en el momento en que se unen ambos materiales, el tipo
P está cargado solo con huecos y del lado N cargado solo con electrones. Esta condición no es
permanente debido a que, estamos uniendo dos materiales de diferente carga, positiva y negativa, y
por efectos físicos se dan fenómenos de atracción y repulsión(recordemos los imanes) de hecho,
debido a la mutua repulsión de las cargas en cada material por ejemplo, los electrones libres en el
lado N, estos tienden a difundirse o esparcirse en todas las direcciones pero, los más cercanos a la
unión se difunden a través de esta logrando pasar al lado P; cuando un electrón deja la región N, al

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momento de su salida crea un átomo cargado positivamente (ion positivo) en el lado N, un instante
después este electrón entra en la región P convirtiéndose en portador minoritario del lado P; podemos
aplicar el mismo concepto y movilidades para el lado de material P con los huecos. La figura 8
muestra lo que sucede producto de estas difusiones que se dan:

Fig.8. “Unión PN con efecto de difusión”. De html.rincondelvago.com

De la fig.8 podemos decir que, el material tipo P, tiene huecos como portadores mayoritarios
y electrones como portadores minoritarios mientras que, en el material tipo N, los portadores
mayoritarios son electrones y los minoritarios son huecos; la unión anterior forma lo que se llama
Diodo Semiconductor. Notar también que, como producto de la difusión de electrones desde N a
P, estos dejan iones positivos cerca de la unión y por ende también, producto de la difusión de huecos
desde P a N, estos dejan iones negativos cerca de la unión; esta concentración de iones en la unión
se denomina Región de Agotamiento o Barrera de Potencial formando un campo eléctrico en esta
porción del cristal. Con suficiente energía y considerando el instante en que todavía se está
formando esta barrera de potencia, un electrón libre del lado N, todavía puede alcanzar a pasar la
barrera llegando hasta el lado P y por ende dejando otro ion positivo del lado N; la energía de esta
capa de agotamiento continua aumentado con cada cruce de electrones hasta que llega al equilibrio,
en este instante ya no será posible el paso de electrones de N a P; en este último instante de equilibrio
y a una temperatura de 25 grados centígrados para diodos de silicio este campo eléctrico tiene un
valor de 0.7 voltios y para diodos de germanio 0.3 voltios. Hay que recalcar que bajo estas
condiciones (voltaje entre sus terminales = 0) la conducción de corriente no es posible en ninguna
dirección.

B4. Polarización Externa en La Unión P-N.

En principio podemos decir que para un diodo semiconductor se pueden dar estas 3 posibilidades:

a) Voltaje cero entre sus terminales, V=0.

b) Voltaje mayor de cero entre sus terminales, V>0.
c) Voltaje menor de cero entre sus terminales, V<0.

Las tres posibilidades anteriores se denominan, Polarización del Diodo y este, se comporta
de diferente manera para cada una de estas. La ausencia o voltaje cero entre sus terminales, ya
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se describió en el apartado anterior y vimos que no produce corriente eléctrica de un terminal del diodo
al otro, por lo tanto, en éste apartado, nos concentraremos en las otras dos posibilidades. Por
efectos de simplificación, llamaremos Ánodo(A) al terminal del lado P y Cátodo (K) al terminal del lado
N y supondremos que el diodo es de Silicio.

B4.1 Polarización Directa del Diodo.

La figura 9, nos muestra a un diodo polarizado en Directa con una batería de corriente continua
(CC):

Fig.9. “Diodo Polarizado en Directa”. De electronicafacil.net

En principio debemos decir que al existir una barrera de potencial de 0.7 voltios, el potencial
de la batería debe ser mayor a este valor de lo contrario, el diodo no cambia su estado de No
Conducción. Polarizado tal como muestra la fig.9, el terminal negativo de la batería, repele una
gran cantidad de electrones o sea portadores mayoritarios del lado N en dirección al lado P, es tanta
la energía que adquieren los electrones, que logran vencer la barrera de potencial pasando al lado P
y llenando todos los huecos que encuentran a su paso hasta que logran salir del cristal pasando, por
atracción del polo + de la batería, al conductor de alimentación y luego hacia la batería y así
sucesivamente; lo mismo sucede del lado inverso y las flechas muestran la dirección convencional de
la corriente; notar lo siguiente:

a) La dirección convencional del diodo ID va del terminal (+) de la batería, pasando por todo el
cristal PN hasta llegar nuevamente al terminal (-) de la batería; esta será limitada por la carga
que apliquemos al circuito.
b) Bajo estas condiciones de conducción, habrá una caída permanente de potencial de 0.7 voltios
(V) entre el A y el K.
c) También podemos decir que, esta barrera de potencia forma una especie de resistencia interna
en el diodo denominada Rf o sea Resistencia en Directa la cual es de unas cuantas unidades
de Ω.
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 d) Se nota también una corriente identificada aquí como IS en dirección opuesta a la ID
denominada Corriente Inversa la cual, es la suma de la corriente en reversa Ir de portadores
minoritarios la cual no es producto del voltaje de la batería sino, del aumento en la temperatura
en el cristal duplicándose esta en aumentos de decenas en la temperatura; a esta corriente se
le suma, la corriente de fuga ISL en las superficies internas del cristal. En la mayoría de hojas
de especificación de un diodo, los fabricantes suman estas dos, o sea, Ir + ISL = IR.

B4.2 Polarización Inversa del Diodo.

Si se invierte la polaridad de la batería, se le aplica Polarización Inversa al Diodo tal como se

muestra en la figura 10:

Fig.10. “Diodo Polarizado en Inversa”. De rincondelvago.com

Lo que ocurre en el diodo bajo esta polarización es lo siguiente:

a) La polarización inversa, fuerza a los electrones de la región N a que se alejen de la unión hacía
el terminal ahora positivo de la fuente; los electrones salientes dejan más iones positivos cerca
de la unión.
b) También los huecos de la región P se mueven alejándose de la unión en dirección al terminal
negativo de la fuente; los huecos salientes dejan más iones negativos cerca de la unión.
c) Los ítems. a y b hacen que la capa de agotamiento o barrera de potencial se ensanche tal
como se ve en la Fig.10; cuanto mayor sea la polarización inversa, más ancha se hará la capa
de agotamiento, esta detiene su crecimiento cuando su diferencia de potencial sea igual al
voltaje de la fuente.
d) La conducción de corriente por portadores mayoritarios no es posible por lo tanto se dice que
el diodo está cortado.
e) El ítem “d” del apartado B4.1 es válido para esta polarización o sea lo concerniente a las
pequeñas corrientes en inversa IS de la figura 10.
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B4.3 Voltaje de Ruptura. (Solo para Polarización Inversa)

Si se aumenta el voltaje inverso en la Fig. 10, literalmente se alcanza un punto de ruptura,

este se llama Voltaje de Ruptura del Diodo; la mayoría de los diodos, sobre todo, aquellos que se
utilizarán en rectificadores, los construyen para voltajes de ruptura no menores a 50 Voltios; una vez
se alcance este voltaje, el diodo puede conducir intensamente aun estando polarizado en inversa,
¿cómo se logra esto?

Lo que en realidad sucede es que, en el transitar de los iones negativos y positivos,

ensanchando la zona de agotamiento, se producen térmicamente algunos electrones y huecos
minoritarios en el medio del cristal o sea dentro de la capa de agotamiento, debido a la polarización
inversa, el electrón es atraído hacia la derecha en la Fig.10 y gana velocidad conforme se mueve; al
ir aumentando la polarización inversa se mueve más rápido ganando más energía; de esta forma este
electrón recargado puede chocar con otro electrón de valencia dentro del cristal desprendiéndolo de
su enlace, entonces ya hay dos electrones libres; estos dos con suficiente energía pueden desprender
a otros hasta que ocurre una avalancha la cual conduce hacia la destrucción del dispositivo no sin
antes haber propagado una buena intensidad de corriente. En el diseño de un circuito, no se les
debe permitir a los diodos llegar a esta instancia de ruptura por esa razón, los fabricantes, en las hojas
de especificación técnica identifican este valor de ruptura de las siguientes formas:

- V(BR) , Voltaje de ruptura.

- BV, Voltaje de ruptura.
- PRV, Voltaje inverso pico.
- PIV, Voltaje pico inverso.
- VRWM, Voltaje máximo inverso de trabajo.
- VRM, Voltaje máximo inverso.

Cualquier nomenclatura de estas podemos encontrar, dependiendo el fabricante, Motorola,

General Electric, Panasonic, Philips, Sensitron, etc.

B5. Símbolo, Curva y Hojas de Especificaciones Técnicas del Diodo.

B5.1 Símbolo del Diodo.

Fig.11. “Símbolo del Diodo”. De semiconductoreshr.blog

Se aclara que el símbolo de la Fig.11 es válido para el Diodo Semiconductor genérico o el utilizado en
los rectificadores que es el que más se utiliza, hay otros tipos de diodos como Diodos Zener, Diodos
Varicap, los cuales, tiene sus respectivos símbolos.

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B5.2 Curva Característica del Diodo.

Todos los diodos tienen sus curvas características de trabajo, este instrumento muestra
gráficamente algunos parámetros de comportamiento y del fabricante, o sea, cada curva de cada
diodo tiene sus propios valores de operación, sin embargo, hay una curva general que se muestra en
la figura 12.

Cuadrante II
Cuadrante I

Cuadrante III

Cuadrante IV

Fig.12. “Curva Característica General del Diodo”. De datateca.unad.edu.co

En esta curva general destacan:

- IF, Corriente en Directa.

- VF, Tensión o Voltaje en directa.
- VR, Voltaje en Inversa.
- IR, Corriente en Inversa.
- Sin nomenclatura está, la Tensión de Umbral.
- También sin nomenclatura está, la Tensión de Ruptura.

Podemos observar también que, de los 4 cuadrantes posibles, el diodo solo opera en los
cuadrantes I y III; el cuadrante I es la zona de polarización en directa estudiada anteriormente, aquí,
con una polarización en directa, superior a la tensión de umbral, el diodo conduce con una resistencia
óhmica interna muy baja; la corriente IF entre A y K es limitada únicamente por la carga que alimentará
el diodo, esto es importante cuando se hace un diseño de cualquier aplicación.

El cuadrante III es la zona de polarización en reversa, aquí podemos decir que la corriente
entre terminales del diodo es despreciable y si la polarización inversa es tal que supera el voltaje en

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inversa de ruptura, tal como se ve en la curva, la corriente entre terminales I R tiende a irse al infinito,
pero, antes que esto suceda, se destruye el dispositivo.

En la figura 13, se puede deducir la influencia de la temperatura en este dispositivo:

Fig.13. “Influencia de la Temperatura en el Diodo”. De Ifent.org

Observamos, como al aumentar la temperatura, disminuye en cierta medida el voltaje de

umbral por lo tanto la Barrera de Potencial comentada anteriormente, se hace más angosta
posibilitando que ésta ya no sea de 0.7 voltios sino un valor menor que este.

Por último, la figura 14, es una ilustración comparativa entre los diodos de germanio y los de silicio:

Fig.14. “Comparación entre Diodo de Ge y Si”. De alerce.pntic.mec.es

Notar como los diodos de germanio tienen una barrera de potencial de 0.3 voltios, menor que los 0.7
voltios de los diodos de silicio, pero, tienen un voltaje de ruptura menor que la de los diodos de silicio.

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B5.3 Hojas de Especificaciones Técnicas en los Diodos.

Las hojas de especificaciones técnicas de los diodos son importantes a la hora de

emprender un diseño de un sistema electrónico en donde intervienen diodos
semiconductores; la figura 15 muestra un ejemplo de una de ellas:

Fig.15. “Datos Técnicos de los Diodos”. Del manual Fairchlid

Notar que esta hoja, nos muestra varios diodos de la familia 1N400X, observar también como
hay varios parámetros ya descritos en los apartados anteriores como, por ejemplo:

- IF y VF los cuales son corriente y voltaje promedios para el caso de aplicaciones como
rectificadores los cuales son 1 Amp. y 1.1 voltios respectivamente.
- El VRRM Voltaje pico inverso repetitivo, el cual no es el mismo parámetro VRWM y VRM descritos
en la página 10 de esta guía.

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 - El IFSM el cual es 30 veces mayor que IF o sea 30 Amperios, la diferencia la explican en esta
hoja relacionado a que este pico de corriente que soporta el diodo es no repetitivo en un tiempo
de 8.33 ms o sea la frecuencia comercial nuestra para un rectificador de media onda.
- Las temperaturas máximas entre junturas las especifican.
- La potencia de disipación es de 3 W.
- También nos dan las corrientes en reversa.

Parte de las especificaciones técnicas son las curvas características tal como se muestra en la figura
16:

Fig.16. “Curvas de Datos Técnicos de los Diodos”. Del manual Fairchlid

En el cuestionario de esta guía, habrá que investigar y contestar algunas preguntas

relacionadas con estas curvas.

B6. Prueba de los Diodos Semiconductores de uso General.

Comenzaremos diciendo que casi todos los apartados anteriores de esta guía, nos han
descrito que los diodos son elementos en la electrónica con Características Unidireccionales, esto
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es una particularidad de estos dispositivos y la prueba para verificar su buen estado, se basa
precisamente en esta característica.

Diremos, para efectos prácticos que la unidireccionalidad tiene que ver con las resistencias
en los dos estados de polarización, Directa y en Inversa; en directa se ha estudiado que el diodo tiene
una resistencia muy baja y en reversa una resistencia bastante alta; estas condiciones hacen asemejar
al diodo con un simple interruptor cuando este es alimentado con corriente continua entre sus
terminales.

Pues nos valdremos de las premisas anteriores para probar un elemento de estos para lo cual,
se puede utilizar un Multitester analógico o digital en sus escalas Óhmicas pero con marcadas
diferencias de procedimientos en vista que en la mayoría de multitester analógicos, la polaridad en las
puntas está cambiada o sea en la clavija roja de estos aparatos marca el terminal positivo pero en
realidad tiene potencial negativo de la batería interna, esta marca, de positivo, solo es válida para
cuando se miden corrientes y voltajes de corriente continua o directa pulsante, entonces, tomar en
cuenta que para multitester analógicos, las polaridades están invertidas respecto a los colores rojo y
negro y de las marcas de polaridad en el aparato mientras que, en los multitester digitales la polaridad
positiva del aparato coincide con la punta roja del medidor.

La figura 17 nos muestra dos imágenes que nos muestran la manera correcta de probar un
diodo con un multitester analógico:

Fig.17. “Prueba de un diodo con Multitester Analógico”. De profesormolina.com.ar

Notar y considerar lo siguiente:

- Por lo visto, el tipo de diodo en la prueba es del tipo Axial en el cual la marca blanca indica que
es el cátodo del elemento. Esto es importante porque, antes de medir un dispositivo,
tendremos que estar seguros de la ubicación e identificación de sus terminales.
- Notar cómo se muestran cambiadas las polaridades en las puntas si tomamos como referencia
los signos en los medidores. Para estos medidores debemos tomar una escala óhmica
baja, pero no las más baja del aparato.
- En la imagen de la izquierda el diodo se polariza en directa mientras que en el de la derecha
se polariza en inversa. El aparato muestra las mediciones normales que debemos esperar.
- Ambas lecturas nos indican que ese dispositivo está en buen estado.
- Si las dos lecturas nos dieran baja resistencia, significaría que el dispositivo está unido y ha
perdido sus propiedades unidireccionales mientras que, si las dos lecturas nos dieran alta
resistencia, significaría que el dispositivo está cortado.

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 La figura 18 nos muestra la prueba y lecturas correctas con multitester digital para cuando el
dispositivo está en buen estado:

Fig.18. “Prueba de un diodo con Multitester Digital”. De tmatlantic.com

La figura habla por sí sola, sin embargo, solo reconfirmar que, en la prueba de la izquierda, la
marca del cátodo está correctamente del lado de la punta negra y en el de la derecha la marca está
del lado de la punta roja. Notar y considerar lo siguiente:

- Los Multitester digitales tienen un selector especial marcado con el signo de diodo para estas
pruebas, allí se deben efectuar.
- En la prueba de la derecha, o sea, polarización directa, la lectura nos muestra un valor bastante
bajo.
- En la prueba de la derecha, o sea, polarización inversa, la lectura nos muestra un valor
prácticamente infinito.

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 Sección C
CUESTIONARIO A RESOLVER Y ENTREGAR

En esta sección se presenta un cuestionario que debes contestar y entregar según las
indicaciones que se te den; este cuestionario tiene como objetivo inducir a la comprensión en el
estudiante y en algunas preguntas, fomentar el aspecto investigativo sobre el tema.

1) Para los elementos de la tabla periódica, investiga a cerca de las órbitas en los elementos y
cuantos electrones tiene que haber en cada una de ellas.

2) Dibuja la composición atómica del Silicio, Germanio, Boro y Antimonio; ¿Cuál de estos
elementos es más complejo si medimos la complejidad por el número de órbitas?

3) En base a toda la parte teórica de movilización de los electrones y sus bandas presentada
aquí, explique en sus propias palabras la diferencia entre un Conductor y un Semiconductor.

4) Explique por qué el literal “e” de la sección B4.2 dice que el literal “d” del apartado B4.1 es
válido para la polarización inversa en lo concerniente a IS.

5) Investigue la interpretación correcta de las 4 curvas mostradas en la figura 16 de esta Guía de

Aprendizaje.

6) Investigue a cerca de la Ecuación del Diodo que es válida para las regiones de polarización en
Directa y en Reversa, esta ecuación la pueden encontrar en el libro de “Electrónica: Teoría de
Circuitos” del señor Robert L. Boylestad y presente un resumen de una página.

7) El Electrón Volt (eV) es una especie de energía asociada a cada electrón, presente un resumen
de media página de esta medida.

8) Explique si la corriente en reversa IR es función o no del voltaje de polarización del diodo y que
influencia y relación tiene la temperatura con esta.

9) Si usted tiene una batería de 10 voltios y una pequeña lámpara que no consume una corriente
excesiva, como probaría un diodo con estos dos elementos, explique.

Sección D
FUENTES DE CONSULTA

1) Boylestad, Robert L.; Nashelsky, Louis; “Electrónica: Teoría de Circuitos”; Sexta Edición;
Editorial Prentice-Hall; México, 1997.
2) Malvino, Albert paul; “Principios de Electrónica”; Tercera Edición; Editorial Mc Graw Hill;
México; 1989.
3) Diferentes fuentes de Internet especificadas en cada figura utilizada en esta Guía de
Aprendizaje.
4) Apuntes del Tutor de la asignatura.

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