Polytech-Lille DS Vendredi 4 juin 2004 8 h – 11 h corrigé

k B T0
T0 = 300 K. q = 1.60 10-19 C. = 0.025 V.
q

Constante de Planck : h = 6.62 10-34 J.s. Vitesse de la lumière : c = 3.00 108 m. s-1.

Masse de l'électron dans le vide : m0 = 0.91 10-30 kg.

2
N0 = 3
(2 π m0 k B T0 )3 / 2 = 2.5 10 25 m − 3
h

Permittivité du vide : 8.84 10-14 F/cm. : ε0 = 8.84 10-12 F/m

On considère l'arséniure de gallium (GaAs) pour lequel à la température ambiante T0 :

La mobilité des électrons : 8.0 103 cm2.V-1.s-1. µn(T0) = 0.80 m2.V-1.s-1

La mobilité des trous : 4.0 102 cm2.V-1.s-1. µp(T0) = = 0.040 m2.V-1.s-1.
Le nombre intrinsèque : 1.0 106 cm-3 . ni(T0) = 1.0 1012 m-3 ; ni2(T0) = 1.0 1024 m-6
Densité équivalente états dans la bande de conduction : 4.7 1017 cm-3 . Nc(T0) = 4.7 1023 m-3
La densité équivalente des états dans la bande de valence : 7.0 1018 cm-3 Nv(T0) = 7.0 1024 m-3
La permittivité relative : 10.9 donc ε = ε0 εr = 0.964 10-10 F/m
On suppose que les mobilités sont indépendantes des densités d'impuretés présentes dans le
semiconducteur et qu'elles évoluent proportionnellement à T-3/2.

Exercice I

1.1 Calculez (en eV) la hauteur de la bande interdite de l'Arséniure de gallium :

N c ( T0 ) N v ( T0 )
EG = k B T0 Log = 0.025 Log[4.7 1023 7.0 1024/ 1.0 1024] = 1.41 eV
n i2 ( T0 )

Réponse : EG = 1.4 eV

Pour tous les exercices suivants, on prendra comme hauteur de la bande

interdite 1.40 eV.
Remarque, on impose cette valeur à trois chiffre significatifs pour que les applications numériques soient comparables.

Exercice 2

2.1 Calculez (en Ω.cm) à la température ambiante, la résistivité de l'Arséniure de gallium

intrinsèque.
σi(T0) = q ni(T0)[µn(T0) + µn(T0)] = 1.6 10-19 1.0 1012 (0.80 + 0.04) = 1.34 10-7 (Ω m)-1.

ρi(T0) = 1/ σi(T0) = 7.4 106 Ω m Réponse : 7.4 108 Ω cm.

2.2 Calculer ( en nm) le libre parcours moyen des porteurs négatifs et des porteurs positifs
dans l'Arséniure gallium intrinsèque à la température ambiante.
A partir de la définition du libre parcours moyen : Ln = vn τn, de la définition de la mobilité :
µn = qτn/mn, de la loi de Maxwell Boltzman : 1/2 mnvn2 = 3/2 kBT0 et le l'expression de la masse
effective en fonction des nombres Nc et N0 : mn/m0 = [Nc/N0]2/3 , on trouve :
1/ 3 1/ 3
N  3m0 k B T0 N  3m 0 k B T0
Ln ( T0 ) = µ n T0 )  c  et Lp ( T0 ) = µ p T0 )  v 
 N0  q q  N0  q q

3m 0 k B T0 3 0.91 10 − 30 1 3 3
= ≈ 10 − 6
q q 1.6 10 − 19 40 8
1/ 3
 4.7 10 23  3 3
Ln ( T0 ) = 0.80   10 − 6 = 1.38 10 − 7 ;
 2.5 10 25  8
 
1/ 3
 7.0 10 24  3 3
Lp ( T0 ) = 0.040   10 − 6 = 1.70 10 − 8
 2.5 10 25  8
 
Libre parcours moyen des porteurs négatifs : 1.4 102 nm.

Libre parcours moyen des porteurs positifs : 17 nm.

Exercice 3

On considère un échantillon de GaAs à la température ambiante dont la densité des porteurs

positifs est dix milliards (1010) fois plus grande que la densité des porteurs négatifs.

3.1 Calculez ( en cm-3 ) la densité (p) des porteurs positifs et (n) des porteurs négatifs :
10 2 2 10 2
p = 10 n et n p = ni donc n 10 = ni donc n = ni/10 = 1.0 107 m-3 et p = 1.0 1017 m-3
5

Porteurs positifs = 1.0 1011 cm-3 ; Porteurs négatifs = 10 cm-3

Bien sur, on est dans un semiconducteur de type "P"
3.2 Déterminez la position du niveau de Fermi ( en eV) par rapport au maximum de la bande
de valence :
N  7.0 10 24
∂ E p = E FP − E V = k B T Log v  = 0.025 Log = 0.452 eV
 p  1.0 1017

Réponse : EFP = Ev + 0.45 eV

3.3 Calculer la résistivité (en Ω.cm) de l'échantillon à la température ambiante:

σ p = q p µ p = 1.60 10-19 1.0 1017 0.040 = 6.4 10-4 (Ω m)-1

Réponse : ρp = 1.6 105 Ω cm

 Exercice 4

Dans de l’arséniure de gallium de type P

(NA = 1017 cm-3 ), on réalise un caisson ‘N’ en
introduisant ND atomes donneurs par unité de
volume. On obtient une jonction PN que l’on
supposera abrupte et idéale dont la tension de
barrière est égale à 1.27 V à la température
ambiante..

La jonction étant abrupte et idéale, on pourra en les adaptant appliquer directement les relations établies dans le
cours. Pour obtenir la partie "N" de la jonction PN, on introduit ND impuretés pentavalentes par unité de volume
dans le semiconducteur "P" contenant déjà NA impuretés trivalentes par unité de volume.
Donc si ND - NA >> 4 ni2 (T0), on a densité des porteurs négatifs (majoritaires) nN = ND - NA et densité des
porteurs positifs (minoritaires) pN = ni2 (T0)/( ND - NA).

4.1 Calculez nn (en cm-3 ) la densité des porteurs négatifs dans le caisson :
On utilise la relation reliant la densité des porteurs négatifs du côté "P" de la jonction à la
densité des porteurs négatifs du côté "N" de la jonction :

q Vb n i2 q Vb 1.0 10 24
n p = n n exp − ⇒ nn = exp ⇒ nn = 23
exp (1.27 * 40) = 1.154 10 23
kB T NA kB T 1.0 10
Réponse : nN = 1.2 1017 e- cm-3

Remarque nN2 = (ND - NA)² = 1.3 1046 >> 4 ni2 (T0) : hypothèse de départ vérifiée

4.2 Quelle est (en atomes donneurs . cm-3 ), la densité des impuretés donneuses nécessaire
pour obtenir cette densité des porteurs négatifs ?
nN = ND - NA ⇒ ND = nN + NA
Réponse : ND = 2.2 1017 Impuretés donneuses × cm-3

4.3 Quelle est ( en pF/µm² ) la capacité par unité de surface de la jonction non polarisée ?
C j ( 0) ε ε 0.964 10 −10
= = =
S W 2ε  1 1  2 0.964 10 − 10  1 1 
 +  Vb +  1.27
q  NA ND − NA  1.60 10 − 19  23 23 
 1.0 10 1.15 10 
C j ( 0) 0.964 10 −10
= −7
= 6.410 − 4 F. / m 2
S 1.50 10

Réponse : 6.4 10-4 pF/µm2

La durée de vie des trous du côté N est supposée égale à la durée de vie des électrons du côté P.

4.4 Donnez l’expression du courant inverse idéal de cette jonction.

On sait que pour une diode polarisée en inverse ID = - Is, donc le courant inverse idéal est égal au courant de
saturation théorique qui dans le cas de la jonction abrupte idéale étudiée est donné par :
 Dn Dp 
I s = S q n i2  + 
 L n N A L p (N D − N A )
En tenant compte des libres parcours moyens : L n = Dn θ n et L p = Dp θ p , des durées de
Dn Dp k B T
vies θn = θp = θ et de la loi d'Einstein : = = , on trouve :
µn µp q

Is kB T 1  µn µp 
Réponse : = q n i2  + 
S q θ  N A (N D − N A )

4.5 En prenant comme valeur de cette durée de vie 1.0 ns, quelle est la valeur ( en µA/cm² )
de ce courant inverse par unité de surface ?
Is 1 1  0.80 0.040 
= 1.6 10 − 19 1.0 10 24  23
+ 23  = 0.85 10
− 14
A / m2
S 40 1.0 10  1.0 10
− 9 1.15 10 
Réponse : 0.85 10-12 µA/cm2

Exercice 5

On considère une diode abrupte en GaAs à la température ambiante dont le courant inverse
théorique est 1.0 10-18 A et la résistance série 10 Ω.

5.1 Calculer ( en V.) la tension directe pour un courant direct égal à 10 mA.
kB T I
VD = Vj + R s I D ; Vj = Log D avec Is = 1.0 10-18 A et ID = 1.0 10-2 A.
q Is
Réponse : 1.0 V.

5.2 Calculer, (en mV/°C ) à la température ambiante, le coefficient de température de la

tension directe pour cette valeur du courant direct :
∆ VD 1  E 3 k B T0 
=  VD + 0.5 R s I D − G −
∆T T0  q q 
∆ VD 1  3 
= 1.02 + 0.5 × 10 × 1.0 10 − 2 − 1.40 −  = -1.35 10-3V/°C
∆T 300  40 
Réponse : -1.4 mV/°C