El transistor BJT como amplificador de corriente

Los transistores BJT poseen la capacidad de amplificar la corriente que pasa entre los
terminales emisor y colector, las cuales dependerán de la corriente aplicada a la base del
transistor.

Veamos un ejemplo:
Cuando no hay corriente aplicada a la base del transistor, no hay corriente fluyendo entre
emisor y colector.
Cuando se aplica una pequeña corriente a la base entonces se inicia la conducción entre
emisor y colector.
Como podemos observar, la corriente en el colector está determinada por la Ley de Ohm. I
= V/R, donde el voltaje es 9 voltios y la resistencia 1000 Ohm, lo que da como resultado
9mA que es la corriente en el colector.
Sin embargo en el emisor la corriente no es la misma, sino que ha sido amplificada. Esta
amplificación es el resultado de sumar la corriente de la base más la corriente del colector.

Aquí se aprecia que la corriente en el emisor es 129.59 mA.

Si sumamos la corriente de la base y la del colector, obtenemos:

49.02+80.58=129.6 mA

Para cualquier diseño que necesitemos hacer es prudente conocer el comportamiento del
transistor según las diferentes configuraciones que se puedan dar.

Utilizando un simulador de circuitos y tomando como referencia el modelo 2N2905A,

presentamos la siguiente gráfica:
Con la ayuda de Excel podemos apreciar el comportamiento del transistor. La conducción
inicia progresivamente desde un voltaje Base-Emisor nulo hasta irse acercando a los 0.7
voltios. En dicho instante el transistor entra en saturación y se comporta como un
conductor.

El voltímetro que colocamos entre la base y el emisor es el encargado de mostrar el voltaje

Base-Emisor, el cual varía progresivamente a medida que se varía el voltaje en la Base del
transistor.

La señal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan
dispositivos como el micrófono (transforman ondas sonoras en señales eléctricas que
siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores térmicos, luminosos, etc.

Cuando un amplificador realiza la función de elevar la señal que ha sido aplicada a su

entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la
ganancia de un amplificador es la relación que existe entre el valor de la señal obtenida a
la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud eléctrica que estemos tratando, se
pueden observar tres tipos de ganancia: ganancia en tensión, ganancia en corriente y
ganancia en potencia.

De esta forma podemos definir los siguienteas parámetros:

1. Ganancia de tensión (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi

2. Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii
3. Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0)
4. Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii
5. Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi

Un amplificador será tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su
impedancia de entrada y salida.
En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es
válido para un margen de frecuencias no tiene porqué serlo necesariamente para otro. De
todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia
permanece prácticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinámico
de un amplificador es la mayor variación simétrica de la señal que es capaz de presentar sin
distorsión a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico
(Vpp).

Ampliación

Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partirá del circuito
de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuración denominada de emisor
común.

El generador Veb asegura que la unión base-emisor esté polarizada en sentido directo. Una
batería Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensión de polarización inversa a la unión del emisor.

El circuito de entrada, en el que se aplicará la señal que se desea amplificar, es el que

contiene a la base y el emisor. El circuito de salida está conectado a las terminales del
colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de salida.

Supondremos que, cuando la tensión de entrada es nula (terminales de entrada

cortocircuitadas), las corrientes que circulan por cada terminal son Ie, Ib e I0, con los
sentidos indicados en la figura.

A continuación, se calcularán cuales son los incrementos que se producen en dichas

intensidades si se modifica ligeramente la tensión Web, aplicando una ddp adicional a la
entrada.

En este desarrollo, se admitirá que el incremento de tensión aplicado, es lo suficientemente

pequeño para que las variaciones de intensidad que provoca estén relacionadas linealmente
con él.
Asimismo, se despreciarán los efectos dinámicos producidos por la aplicación de una
diferencia de potencial, aplicada muy lentamente.

a. Variación de la intensidad de salida (-I0).

Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I0. Dicha

intensidad tiene, tres componentes: Ipb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor
polarizado en el modo activo, la corriente Ipb es muy superior a las otras dos (unas
mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de cálculo de las
variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer que:

Suponiendo que la variación de Veb, incremento de V, es pequeño, la variación de la

corriente de salida es:

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0/VT, resulta que:

La transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor depende

de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, gm
vale unos 0.04 mOhmnios por mA de intensidad en el colector.

b. Variación de la intensidad de entrada (-Ib)

La corriente de base, tiene, según hemos expuesto, tres componentes: Ine, Ibb e Inc.
De ellas, tan sólo las dos primeras dependen directamente de la tensión Veb. Nos
limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones.

De las ecuaciones anteriores se deduce que:

Por otra parte, el término exponencial puede expresarse en función de la intentsidad

del colector:

El incremento de la corriente de base es:

 Denominando a todo el término entre corchetes, tendremos que:

El parámetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un

incremento de la tensión Veb. Así al disminuir la barrera de potencial en la unión
emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor,
aumentando la concetración de portadores minoritarios en la base, lo que conduce a
un incremento de la tasa de recombinación. Debido a ello, Ibb crece.

Por otra parte, la disminución de la barrera de potencial antes citada, supone un

incremento del número de electrones inyectados en el emisor desde la base, con lo
que se produce un aumento de la corriente Ine.

c. Variación de la tensión colector-emisor (Vce).

La tensión colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variará como:

La expresión anterior implica que el incremento de la tensión colector-emisor puede

aumentar sin límite, sin más que incrementar suficientemente la resistencia de carga
R0. Tal suposición no es cierta cierta ya que hay que tener presente que, en el
modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido en cuenta el efecto de la
tensión de polarización inversa Vcb sobre la anchura de la base, W. Valores muy
elevados de gmRm suponen una importante variación de Vcb, lo que modificaría
notablemente la anchura W, no siendo válidas entonces las premisas del modelo
utilizado.

d. Ganancias de corriente y de tensión:

Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una señal
alterna de pequeña amplitud, y frecuencia lo suficientemente pequeña para que
puedan ser despreciados los efectos dinámicos que no han sido tenidos en cuenta en
el modelo anterior.

En estas condiciones, por el circuito de entrada circulará una corriente alterna -Ib-
AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que existía para un incremento de tensión 0, se
superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de base.
 De forma análoga, en el circuito de salida aparecerá una corriente alterna de
amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -Ic
(corriente de colector para un incremento de tensión 0).

Se define ganancia en intensidad como:

Obsérvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad puede

tomar valores muy elevados.

De forma análoga, se defina la ganancia de tensión como:

En definitiva, la señal de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como en

tensión.

El transistor de Efecto de Campo

Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en la base de los
mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de Campo son
dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando funcionan como
amplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la
entrada. Características generales:

Por el terminal de control no se absorbe corriente.

Una señal muy débil puede controlar el componente

La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores de efecto de
campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS
respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la
encontramos en los circuitos integrados.

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y
Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los
siguientes:
Símbolo de un FET de canal N Símbolo de un FET de canal P

CURVA CARACTERÍSTICA

Los parámetros que definen el funcionamiento de un FET se observan en la siguiente figura:

Parámetros de un FET de canal N Parámetros de un FET de canal P

La curva característica del FET define con precisión como funciona este dispositivo. En ella
distinguimos tres regiones o zonas importantes:

Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la tensión VGS.

Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en esta zona, el FET, amplifica y se
comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y
Fuente o surtidor (S) , VGS.

Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas: Surtidor común (SC),
Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más utilizada es la de surtidor común que es la
equivalente a la de emisor común en los transistores bipolares.

Las principales aplicaciones de este tipo de transistores se encuentra en la amplificación de

señales débiles.

CARACTERÍSTICAS DE SALIDA

Al variar la tensión entre drenador y surtidor varia la intensidad de drenador permaneciendo

constante la tensión entre puerta y surtidor.

En la zona óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenador surtidor aumenta la
intensidad de drenador.

En la zona de saturación el aumento de la tensión entre drenador y surtidor produce una

saturación de la corriente de drenador que hace que esta sea constante. Cuando este transistor
trabaja como amplificador lo hace en esta zona.

La zona de corte se caracteriza por tener una intensidad de drenador nula.

La zona de ruptura indica la máxima tensión que soportará el transistor entre drenador y surtidor.

Es de destacar que cuando la tensión entre puerta y surtidor es cero la intensidad de drenador es
máxima.

CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA

Indican la variación entre la intensidad de drenador en función de la tensión de puerta.

HOJAS DE CARACTERíSTICAS DE LOS FET

En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes parámetros (los
más importantes):

VGS y VGD.- son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN.

IG.- corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando se polariza
directamente.

PD.- potencia total disipable por el componente.

IDSS.- Corriente de saturación cuando VGS=0.

IGSS.- Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor se
encuentra polarizado en sentido inverso.

Transistor de efecto campo

Transistor de efecto campo

ATI Radeon X1650 Pro - Alpha & Omega Semiconductor D414-4362.jpg

Un transistor de efecto campo en una tarjeta de video.

Tipo Semiconductor

Principio de funcionamiento Efecto de campo

Invención Julius Edgand(1951)

Símbolo electrónico

JFET N-dep symbol (case).svg JFET P-dep symbol (case).svg

Terminales Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)

[editar datos en Wikidata]

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que usa el campo
eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un
solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es
un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente
(source). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor BJT (Bipolar Junction
Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la
puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como los transistores
bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del
tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
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